KR100534659B1 - 브라그 반사 원리를 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조방법 - Google Patents

브라그 반사 원리를 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100534659B1
KR100534659B1 KR10-2003-0075171A KR20030075171A KR100534659B1 KR 100534659 B1 KR100534659 B1 KR 100534659B1 KR 20030075171 A KR20030075171 A KR 20030075171A KR 100534659 B1 KR100534659 B1 KR 100534659B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
layer
film layer
bragg
optical waveguide
Prior art date
Application number
KR10-2003-0075171A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050040048A (ko
Inventor
박만용
고도경
이종민
Original Assignee
광주과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 광주과학기술원 filed Critical 광주과학기술원
Priority to KR10-2003-0075171A priority Critical patent/KR100534659B1/ko
Publication of KR20050040048A publication Critical patent/KR20050040048A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100534659B1 publication Critical patent/KR100534659B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
    • H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12166—Manufacturing methods

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 평판형 광도파로에 관한 것으로, 상기 하부 클래드층 상부에 적층되는 하부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층 상부에 적층되며 빛이 전파되는 코아층과 상기 하부브라그 박막층 및 상기 코아층 중 외부로 도출된 면을 감싸는 상부브라그 박막층을 포함한다.

Description

브라그 반사 원리를 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조 방법{Planar optical waveguide using Bragg-reflection and method of fabrication thereof}
본 발명은 광통신용 소자에 응용 가능한 평판형 집적광학 도파로 구조 및 제조 방법에 관한 것으로, 좀 더 자세하게 말하면 통신용 파장영역에서 브라그(Bragg) 반사에 의한 빛의 전파를 이용하는 평판형 도파로 구조를 제작하는 방법에 관한 것이다.
광통신용 부품으로 사용 가능한 종래의 평판형 집적광학 도파로 구조 및 제작 공정은 다음과 같다. 실리카 (쿼츠) 또는 실리콘 기판(201) 상부에 열산화막 또는 비정질 실리카 박막(202)을 적층하는 제 1단계와, 상기 열산화막 또는 비정질 실리카 막(202) 상부에 코아층(203)을 적층한 후 포토리소그라피 공정을 한 다음 도파로 패턴을 형성하는 제 2단계와, 상기 도파로 코아(205) 주위에 비정질 상태의 금속산화물 상부클래드층(206)을 충전시키는 3단계로 구성된다.
도면 1a 내지 도면 1d는 종래 기술에 따른 평판형 광도파로 구조 및 제조 방법을 나타낸 것이다.
도면 1a는 실리콘 혹은 실리카 기판(201)에 열산화막 혹은 화염가수분해방법이나 화학기상증착방법에 의한 비정질 금속산화막(202)을 적층한 단면도이다. 하부클래드층(202)은 5 ~ 20 ㎛ 두께를 갖는다.
도면 1b는 상기 하부클래드층(202)에 도파로 코아층(205)을 적층한 단면도이다. 코아층(205)은 상기 하부클래드층(202)에 비해서 굴절률이 0.001 ~ 0.1 높게 제작된다. 증착방법은 화염가수분해방법, 화학기상증착방법, sol-gel 방법, 또는 이온교환방법을 사용한다.
도면 1c는 상기 코아층(205)에 도파로 패턴을 형성한 단면도이다. 상기 도파로 패턴은 반도체 리소그래피공정을 이용하여 상기 코아층(205)의 도파로 부분만 선택적으로 남기고, 잔여 부분은 습식 혹은 건식식각 방법을 이용하여 제거한다. 상기 코아층(205)의 도파로 선폭은 최소 2 ㎛보다 크게 형성된다.
도면 1d는 상기 코아층(205)에 형성된 도파로 패턴 영역 주위를 상부클래드층(206)으로 충전된 단면도이다. 상기 상부클래드층(206)은 비정질 금속산화막 혹은 폴리머 물질을 이용하며 적층하고, 굴절률은 상기 도파로 코아층(205)보다 작게 제작된다. 상기 상부클래드층(206)은 10 ~ 100 ㎛의 두께를 갖는다.
도면 1e는 상기 종래기술에 따라서 제작된 평판형 광도파로에서의 도면 1d의 직선AB 상에서의 굴절률 분포를 나타낸 그림이다. 도파로 코아층(205)은 클래드층(202, 206)들보다 굴절률이 높게 분포되어 있다.
평판형 광도파로는 집적광학형 광통신용 소자를 제작하는데 필수적인 요소로서 광분배기, 광결합기, 광모듈레이터, 광스위치, 파장분할기, 파장결합기, 광필터, 광감쇠기, 편광의존필터 등 다양한 통신용 광소자 제작에 사용된다.
종래기술에서 제작되는 평판형 광도파로는 상기 코아층(205)과 상기 하부클래드층(202) 혹은 상부클래드층(206) (이하, 클래드층들) 사이의 굴절률 차이에 의한 빛의 전반사 성질을 이용하는 것으로서, 통신용 전자기파는 도파로의 코아층(205)과 클래드층(202, 206) 계면에서 전반사 되어 상기 코아층(205)을 따라서 전파된다.
상기 종래 기술에서 제작되는 평판형 도파로 구조를 이용하여 광통신용 광소자를 제조하는 경우, 굽은도파로(bent-waveguide)의 굽은 정도를 심하게 할수록 상기 기판 (201)에 많은 기능성 광소자를 집적할 수 있다. 종래 기술에 따라서 제작된 굽은도파로 (bent waveguide)에서는, 코아층 (201)과 클래드층들(202, 206) 사이에 일정한 굴절률 차이가 존재할 때, 굽은 정도가 심할수록 빛의 전파손실이 증가하게 되어 평판형 광소자의 크기를 줄이는데 제약이 발생한다. 이는 제한된 상기 기판(201) 크기에 고집적 광소자를 제작함에 있어서 생산단가를 높이는 주요 원인이 된다.
상기 종래 기술에서 제작되는 평판형 광도파로는 구조가 단순하기 때문에, 파장필터 또는 색분산 보상기와 같은 고기능 광소자의 출력파장특성을 얻기 위해서는 도파로 설계 패턴이 복잡해지고, 광소자의 크기가 커진다. 이는 상기 코아층(202)과 클래드층들(203, 206) 사이의 굴절률 분포를 원하는 방식으로 제어함으로써 가능하다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 평판형 굽은 도파로에서의 전파손실을 개선하여 광소자의 크기를 줄이고, 종래 기술의 단순한 도파로 구조에서 벗어나 상기 코아층(205)과 클래드층(203, 206) 사이의 굴절률 분포를 제어하여 고기능 평판형 광소자를 제조하는 방법으로서 브라그 반사 (Bragg-reflection)를 이용한 평판형 광도파로 구조 및 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 광도파로는 상기 하부 클래드층 상부에 적층되는 하부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층 상부에 적층되며 빛이 전파되는 코아층과 상기 하부브라그 박막층 및 상기 코아층 중 외부로 도출된 면을 감싸는 상부브라그 박막층을 포함한다.
본 발명에서 상기 하부브라그 박막층의 평면 넓이는 상기 코아층의 평면 넓이와 동일한 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 하부브라그 박막층의 평면 넓이는 상기 하부 클래드층의 평면 넓이 보다 좁은 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 코아층의 평면넓이는 상기 하부 클래드층의 평면 넓이 보다 좁은 것이 바람직하다.
본 발명의 광도파는 하부 클래드층 상부에 적층되는 하부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층 상부에 적층되며 빛이 전파되는 코아층과 상기 하부브라그 박막층 상부 중 상기 코아층이 적층된 부분 이외에 부분에 적층된 상부 클래드층과 상기 코아층 및 상기 상부 클래드층 상부에 적층된 상부브라그 박막층을 포함한다.
본 발명에서 상기 코아층의 상부면과 상기 상부 클래드층의 상부면은 동일면상에 위치하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 상부브라그 박막층 및 하부브라그 박막층에서 브라그 반사가 발생하는 파장영역은 1.25 ~1.65 ㎛파장 영역 안에 존재하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 상부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층은 실리카박막층과 탄탈륨유리 박막층이 교대로 적층되어 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 상부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층은 실리카박막층과 타이타늄유리 박막층이 교대로 적층되어 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 상부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층은 실리카박막층과 실리콘옥시나이트라이드 박막층이 교대로 적층되어 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 상부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층은 실리카박막층과 실리콘나이트라이드 박막층이 교대로 적층되어 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 상부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층은 금속산화물과 질소화합물 중 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 평판형 광도파로를 제조하는 방법은 기판층, 하부클래드층, 하부브라그 박막층 및 코아층을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 하부브라그 박막층 및 코아층에 도파로 패턴을 형성하는 단계 및 상기 하부브라그 박막층 및 코아층의 표면 중 외부로 돌출된 부분에 상부 브라그박막층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에서 광도파로를 제조하는 방법은 기판층, 하부클래드층, 하부 브라그박막층 및 코아층을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 코아층에 광도파로 패턴을 제작하는 단계와, 상부 클래드층을 적층하는 단계와, 상기 상부 클래드층의 상부면을 상기 코아층의 상부면과 일치시키는 단계 및 상부 브라그박막층을 적층하는 단계를 포함한다.
본 발명에서 코아층은 화염가수분해증착, 화학기상증착방법, 플라즈마 이온 증착방법, 스퍼터링, 졸겔 및 회전도포방법 중에서 선택되는 1종의 방법으로 제작되는 것이 바람직하다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 평판형 광도파로 구조 및 제조 공정을 나타낸 것이다.
상기 실시예에서, 광도파로는 기판층(201), 하부 클래드층(202), 코아층(205), 하부브라그 박막층(203), 상부브라그 박막층(204)을 포함한다.
상기 실시예는, 브라그박막층(203, 204)을 상기 코아층(205)에 도포하는 과정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2a는 실리콘 혹은 실리카 기판(201) 상부에, 열산화막, 화염가수분해방법 또는 화학기상증착방법에 의한 비정질 금속산화막 물질로 구성되는 하부클래드층(202)을 적층한 단면도이다. 상기 하부클래드층(202)은 0 ~ 20 ㎛ 두께를 갖는 것이 바람직하다.
도면 2b는 상기 하부클래드층(202) 상부에 통신용 파장영역에서 브라그 반사를 일으키는 하부브라그 박막층(203)을 적층한 단면도이다.
상기 하부브라그 박막층(203)은 화학기상증착방법 또는 플라즈마이온증착방법을 이용하여 증착되는 것이 바람직하고, 그 구성물질은 굴절률이 상이한 박막층들이 교대로 적층된다.
하부브라그 박막층(203)의 예로서는, 실리카와 실리콘 나이트라이드 박막층, 실리카와 실리콘옥시나이트라이드 박막층, 실리카와 탄탈륨유리 박막층, 또는 실리카와 타이타늄유리 박막층이 이용되는 것이 바람직하다.
상기 하부브라그 박막층을 구성하는 굴절률이 상이한 박막층들의 총 층수는, 예를 들어 상기 하부브라그 박막층이 실리카와 탄탈륨유리 박막층의 교대 적층으로 구성된 경우에, 90%이상의 브라그 반사에 필요한 박막 층들의 개수는 25 보다 크다.
도면 2c는 상기 적층된 하부브라그 박막층(203) 상부에 빛이 전파되는 영역인 코아층(205)을 형성한 단면도이다.
상기 코아층(205)은 비정질 실리카 박막, 실리콘 나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 탄탈륨유리박막, 타이타늄유리박막 등이 이용될 수 있다. 예를 들어서, 상기 코아층(205)의 물질이 실리카인 경우에, 화염가수분해증착방법, 화학기상증착방법, sol-gel 방법, 이온증착방법을 이용하는 것이 바람직하다. 상기 형성된 코아층(205)의 굴절률과 두께는 임의의 값을 가질 수 있다.
도면 2d는 상기 적층된 코아층(205)에 도파로 패턴을 형성한 단면도이다.
도파로 패턴은 반도체 리소그래피공정을 이용하여 상기 코아층(205)의 도파로 부분만 선택적으로 남기고, 잔여부분은 습식 혹은 건식식각 방법을 이용하여 제거함으로써 형성된다. 상기 코아층(205) 식각은 하부브라그 박막층(203)까지 모두 식각함으로써 상기 코아층(205) 주위에 균일한 브라그 반사를 유도한다. 상기 코아층의 선 폭은 1 ㎛보다 넓다.
도면 2e는 상기 형성된 도파로 코아층(205) 상부에 브라그 반사를 일으키는 상부브라그 박막층(204)을 충전한 단면도이다.
상기 상부브라그 박막층(204)은 실리카와 실리콘 나이트라이드, 실리카와 실리콘옥시나이트라이드 실리카와 탄탈륨유리 박막층, 실리카와 타이타늄유리 박막층으로 구성된다. 상기 상부브라그 박막층을 구성하는 굴절률이 상이한 박막층들의 총 층수는, 예를 들어 상기 하부브라그 박막층이 실리카와 탄탈륨유리 박막층의 교대 적층으로 구성된 경우에, 90%이상의 브라그 반사에 필요한 박막 층들의 개수는 25 보다 크다.
도면 2f는 상기 본 발명의 일 예시로부터 제작된 평판형 광도파로에서 도면 2e의 직선A'B' 상에서의 굴절률 분포를 나타내는 것이다.
도 3a 내지 도면 3e는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 평판형 광도파로 구조 및 제조 공정을 나타낸 것이다.
상기 실시예에서, 광도파로는 기판층(201), 하부 클래드층(202), 코아층(205), 상부 클래드층(206), 하부브라그 박막층(203), 상부브라그 박막층(204)을 포함한다.
상기 실시예는, 브라그 박막층(203, 204)을 상기 코아층(205)에 적층하는 과정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도면 3a는 실리콘 혹은 실리카 기판(201) 상부에 하부클래드층(202), 하부브라그박막층(203), 도파로 코아층(205)를 적층한 단면도이다.
도면 3b는 상기 도파로 코아층(205) 상부에 광도파로 패턴을 형성한 단면도이다. 광도파로 패턴 공정은 반도체 리소그래피 공정을 이용하고, 상기 코아층(205)의 식각은 건식 혹은 습식식각 방법을 사용한다. 패턴의 너비는 도파로의 단일모드 조건을 만족하는 영역에서 결정한다.
도면 3c는 상기 도파로 패턴이 형성된 도파로 코아층(205) 상부에 상부 클래드층(206)을 증착한 단면도이다. 상기 상부 클래드층(206)은 상기 도파로 코아층(205)보다 굴절률이 0.001~0.1 낮다.
도면 3d는 상기 형성된 상부 클래드층(206)을 건식 혹은 습식식각으로 상기 도파로 코아층(205)까지 식각한 단면도이다.
도면 3e는 상기 식각된 상부클래드층(206) 상부에 브라그 반사를 일으키는 상부브라그 박막층을 적층한 단면도이다. 상기 상부브라그 박막층은(204)은 실리카와 실리콘 나이트라이드, 실리카와 실리콘옥시나이트라이드, 실리카와 탄탈륨유리 박막층, 또는 실리카와 타이타늄유리 박막층으로 구성되어진다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 기존의 전반사를 이용한 도파로 구조에 비해서, 굽은도파로(bent-waveguide)에서의 전파손실을 감소시켜 평판형 광소자의 크기를 줄일 수 있다.
그리고, 파장에 민감한 브라그 반사의 특성을 이용하면 파장선택필터, 색분산 제어, 편광모드분산제어, 편광선택필터와 같은 광통신용 응용소자가 구현 가능하다.
도 1a 내지 도 1d는 종래 기술에 따른 평판형 광도파로 구조 및 제조 방법을 나타낸 것이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 평판형 광도파로 구조 및 제조 공정을 나타낸 것이다.
도 3a 내지 도면 3e는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 평판형 광도파로 구조 및 제조 공정을 나타낸 것이다.
{도면의 주요부호에 대한 설명}
201 : 기판층 202 : 하부클래드층
203 : 하부브라그 박막층 204 : 상부브라그 박막층
205 : 코아층 206 : 상부클래드층

Claims (15)

  1. 기판층, 상기 기판층 상부에 적층된 하부 클래드층을 포함하는 광도파로에 있어서,
    상기 하부 클래드층 상부에 적층되는 하부브라그 박막층; 상기 하부브라그 박막층 상부에 적층되며 빛이 전파되는 코아층; 상기 하부브라그 박막층 및 상기 코아층 중 외부로 도출된 면을 감싸는 상부브라그 박막층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광도파로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 하부브라그 박막층의 평면 넓이는 상기 코아층의 평면 넓이와 동일한 것을 특징으로 하는 광도파로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 하부브라그 박막층의 평면 넓이는 상기 하부 클래드층의 평면 넓이 보다 좁은 것을 특징으로 하는 광도파로.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 코아층의 평면넓이는 상기 하부 클래드층의 평면 넓이 보다 좁은 것을 특징으로 하는 광도파로.
  5. 기판층, 상기 기판층 상부에 적층된 하부 클래드층을 포함하는 광도파로에 있어서,
    상기 하부 클래드층 상부에 적층되는 하부브라그 박막층; 상기 하부브라그 박막층 상부에 적층되며 빛이 전파되는 코아층; 상기 하부브라그 박막층 상부 중 상기 코아층이 적층된 부분 이외에 부분에 적층된 상부 클래드층, 상기 코아층 및 상기 상부 클래드층 상부에 적층된 상부브라그 박막층을 포함하는 것을 특징으로 광도파로.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 코아층의 상부면과 상기 상부 클래드층의 상부면은 동일면상에 위치하는 것을 특징으로 하는 광도파로.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부브라그 박막층 및 하부브라그 박막층에서 브라그 반사가 발생하는 파장영역은 1.25 ~1.65 ㎛파장 영역 안에 존재하는 것을 특징으로 하는 광도파로.
  8. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층은 실리카박막층과 탄탈륨유리 박막층이 교대로 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 광도파로.
  9. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층은 실리카박막층과 타이타늄유리 박막층이 교대로 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 광도파로.
  10. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층은 실리카박막층과 실리콘옥시나이트라이드 박막층이 교대로 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 광도파로.
  11. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층은 실리카박막층과 실리콘나이트라이드 박막층이 교대로 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 광도파로.
  12. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부브라그 박막층과 상기 하부브라그 박막층은 금속산화물과 질소화합물 중 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광도파로.
  13. 평판형 광도파로를 제조하는 방법에 있어서,
    기판층, 하부클래드층, 하부브라그 박막층 및 코아층을 순차적으로 적층하는 단계;
    상기 하부브라그 박막층 및 코아층에 도파로 패턴을 형성하는 단계 및
    상기 하부브라그 박막층 및 코아층의 표면 중 외부로 돌출된 부분에 상부 브라그박막층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광도파로 제조방법.
  14. 평판형 광도파로를 제조하는 방법에 있어서,
    기판층, 하부클래드층, 하부 브라그박막층 및 코아층을 순차적으로 적층하는 단계;
    상기 코아층에 광도파로 패턴을 제작하는 단계;
    상부 클래드층을 적층하는 단계;
    상기 상부 클래드층의 상부면을 상기 코아층의 상부면과 일치시키는 단계 및
    상부 브라그박막층을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광도파로 제조방법.
  15. 제 13항 또는 제 14항에 있어서, 코아층은 화염가수분해증착, 화학기상증착방법, 플라즈마 이온 증착방법, 스퍼터링, 졸겔 및 회전도포방법 중에서 선택되는 1종의 방법으로 제작되는 것을 특징으로 하는 광도파로 제조방법.
KR10-2003-0075171A 2003-10-27 2003-10-27 브라그 반사 원리를 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조방법 KR100534659B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0075171A KR100534659B1 (ko) 2003-10-27 2003-10-27 브라그 반사 원리를 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0075171A KR100534659B1 (ko) 2003-10-27 2003-10-27 브라그 반사 원리를 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050040048A KR20050040048A (ko) 2005-05-03
KR100534659B1 true KR100534659B1 (ko) 2005-12-08

Family

ID=37241956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0075171A KR100534659B1 (ko) 2003-10-27 2003-10-27 브라그 반사 원리를 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100534659B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116154042B (zh) * 2023-03-16 2024-05-14 中国科学技术大学 一种集成布拉格反射器的波导型光电探测器件的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050040048A (ko) 2005-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111656263B (zh) 基于集成光学的应力光学相位调制器和形成方法
US8126301B2 (en) Optical waveguide and method for producing the same
US7190524B2 (en) Process for fabrication of high reflectors by reversal of layer sequence and application thereof
US7323353B2 (en) Resonator for thermo optic device
KR20050085877A (ko) 광 도파관의 제조 공정
US7352932B1 (en) Guided-mode resonance filter and fabrication method of same
JP3613413B2 (ja) 導波路用ブラッグ反射器の作製方法及び得られた製品
CN102385109A (zh) 光波导耦合结构的制作方法
WO2005116705A1 (ja) 光分岐器及びその製造方法
CN112051641A (zh) 应用狭缝波导结构的倾斜光栅式偏振分束器及制造方法
US6775454B2 (en) Silica-based optical waveguide circuit and fabrication method thereof
US6732550B2 (en) Method for performing a deep trench etch for a planar lightwave circuit
KR100534659B1 (ko) 브라그 반사 원리를 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조방법
CN112415652A (zh) 一种波导光栅耦合器阵列
CN104698584B (zh) 双梁式热驱动可调谐滤波器及其制作方法
JPH06110091A (ja) 導波路型光結合回路
US20040184756A1 (en) Method of manufacturing optical waveguide and the optical waveguide
KR20010022120A (ko) 광소자 제조방법 및 그 광소자
WO2018150899A1 (ja) 光導波路素子および光導波路素子の製造方法
KR100394019B1 (ko) 광통신용 커플러 소자의 제조 방법
JP3530463B2 (ja) 光導波路
CN212647048U (zh) 应用狭缝波导结构的倾斜光栅式偏振分束器
KR100591766B1 (ko) 모드크기정합기가 집적된 실리카 평판형 광도파로 제조 방법
JP2001201647A (ja) 光導波路回路およびその製造方法
CN117572673A (zh) 一种光相位调制器、光相位调制器的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121005

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131127

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee