KR100531739B1 - 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 중성빔을 이용한 반도체 식각장치에 관한 것으로, 중성빔 식각장치에 있어서, 일정 각도로 경사진 반사면이 다수로 형성되어 이루어진 슬릿부가 내측에 일체로 성형된 반사체를 포함하여 이루어진 것으로, 종래보다 크기가 소형화되고 구조가 간결하게 됨으로써 제조가 간편하고, 또한 중성빔의 방향 제어가 용이하다.

Description

중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치 { Neutral Beam Etching System }

본 발명은 중성빔을 이용한 반도체 식각장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 중성빔 전환장치를 종래보다 더욱 간결한 구조로 하여 제조공수를 절감시킬 수 있도록 한 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치에 관한 것이다.

반도체소자의 고집적화에 대한 요구가 계속되어짐에 따라, 최근 반도체 집적회로의 설계에서 디자인룰이 더욱 감소되어 0.1 ㎛ 이하의 임계치수(Critical Dimension)가 요구되기에 이르렀다. 현재 이러한 나노미터급 반도체소자를 구현하기 위한 식각장비로서 고밀도 플라즈마(High Density Plasma)식각장치, 반응성이온식각장치(Reactive Ion Etcher)등의 이온 강화용 식각장비가 주로 사용되고 있다.

그러나, 이러한 식각장비에서는 식각 공정을 수행하기 위한 다량의 이온들이 존재하고, 이들 이온들이 수백 eV의 에너지로 반도체기판 또는 반도체기판상의 특정 물질층에 충돌되기 때문에 반도체기판이나 이러한 특정 물질층에 물리적, 전기적 손상을 야기시킨다.

예를 들어, 물리적 손상으로서, 이러한 이온들과 충돌되는 결정성의 기판 또는 특정 물질층의 표면이 비정질층으로 전환되기도 하며, 입사되는 이온들의 일부가 흡착되거나 충돌되는 물질층의 일부 성분만이 선택적으로 탈착되어 식각되는 표면층의 화학적 조성이 변화되기도 하며, 표면층의 원자 결합이 충돌에 의해 파손되어 댕글링 결합(dangling bond)으로 되기도 한다. 이러한 댕글링 결합은 재료의 물리적 손상뿐만 아니라 전기적 손상의 발생원인이 되기도 하며, 그 밖에 게이트 절연막의 차지업(chargeup) 손상이나 포토레지스트의 차징(charging)에 기인한 폴리실리콘의 노칭(notching)등에 의한 전기적 손상을 야기시킨다. 또한, 이러한 물리적, 전기적 손상이외에도 챔버 물질에 의한 오염이나 CF계 반응가스를 사용하는 경우 C-F 폴리머의 발생등 반응가스에 의한 표면의 오염이 발생되기도 한다.

따라서, 나노미터급 반도체소자에 있어서 이러한 이온에 의한 물리적, 전기적 손상등은 소자의 신뢰성 저하시키고 나아가 생산성을 감소시키는 요인이 되기 때문에 향후 반도체소자의 고집적화와 그에 따른 디자인룰의 감소 추세에 대응하여 적용될 수 있는 새로운 개념의 반도체 식각장비 및 식각방법에 대한 개발이 요구되고 있다.

이러한 가운데, 디,비,오오크(D.B.Oakes)씨 등은 논문 'Selective, Anisotropic and Damage-Free SiO2 Etching with a Hyperthermal Atomic Beam'에서 과열된 원자빔을 이용한 비손상 식각기술을 제안하고 있으며, 일본인 다카시 유노가미(Takashi Yunogami)씨 등은 논문 ' Development of neutral-beam- assisted etcher' (J.Vac. Sci. Technol. A 13(3), May/June, 1995)에서 중성빔과 중성래디칼을 이용하여 손상이 매우 적은 실리콘옥사이드 식각기술을 제시하고 있으며, 엠.제이.고에크너(M.J.Goeckner)씨 등은 논문 'Reduction of Residual Charge in Surface-Neutralization -Based Beams'(1997 2nd International Symposium on Plasma Process-Induced Damage. May 13-14, Monterey, CA.)에서 플라즈마 대신에 전하가 없는 과열 중성빔에 대한 식각기술을 개시하고 있다.

그러나, 상기 디.비.오오크씨 등이 제안한 기술은 이온이 존재하지 않으므로 전기적 물리적 손상이 없으며, 오염도 적을 것으로 추정되지만 대면적화에 어려움이 따르고, 극미세소자에서의 이방성을 얻기 힘들며, 식각속도가 낮다는 단점이 있으며, 상기 다카시 유노가미씨 등이 제안한 기술은 대면적화가 손쉬운 반면에 중성빔의 방향성 조절이 어렵고 이온빔 추출시 오염가능성이 크다는 단점이 있다. 또한, 엠.제이.고에크너씨 등이 제안한 기술은 대면적화가 가능하고 고중성빔 플럭스를 얻을 수 있는 반면에 이온과 전자의 재결합으로 인한 중성빔의 방향성이 뚜렷하지 않고, 이온이 섞여 나올 수 있으며, 이온 추출시 오염가능성이 크다는 문제점이 있었다.

따라서, 상기 문제점을 개선하기 위해 본 출원인은 대한민국 특허공개 2002-0039840호 게시된 '중성빔을 이용한 반도체소자의 식각방법 및 이를 위한 식각장치'를 선출원한 바 있다.

즉, 도 4를 참고하여 살펴보면, 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시킬 수 있는 이온소오스(2'); 상기 이온소오스(2')로부터 발생된 이온빔의 진행경로상에 위치하여 이온빔을 가속시켜주는 그리드(4')와 슬릿(62'), 상기 이온빔을 반사시켜 중성빔으로 전환시켜주는 반사체(6') 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판(100')을 위치시킬 수 있는 스테이지를 포함하여 이루어진 것이다.

이러한 종래 발명은 전기적 물리적 손상이 없이 식각공정을 수행할 수 있으며, 간단한 장치의 구성을 통하여 중성빔의 방향성을 제어함으로써 이방성식각을 향상시킬 수 있는 반도체소자의 무손상 식각방법 및 대면적의 식각장치를 제공하기 위한 것이다.

그런데, 상기 발명은 구성장치가 복잡하고, 중성빔의 방향을 제어하기가 어려운 문제점이 발생되었다.

본 발명은 본 출원인에 의해 선출원된 대한민국 특허공개 2002-0039840호에 대한 개량발명으로써, 중성빔 전환장치를 보다 소형화하고 간결하게 함으로써 제조가 간편하고, 중성빔의 방향 제어가 용이하도록 한 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은,

중성빔 식각장치에 있어서,

일정 각도로 경사진 반사면이 다수로 형성되어 이루어진 슬릿부가 내측에 일체로 성형된 반사체를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 토대로 상세하게 설명하면 다음과 같다.

첨부된 도면 중에서 도 1은 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치에 대한 분해 단면사시도이고, 도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치에 의해 SiO₂ 및 Si에 대한 식각율을 도시한 도면, 도 3b는 본 발명에 의해 식각된 상태를 보여주는 도면대용 사진이다.

본 발명은 본 출원인에 의해 선출원된 대한민국 특허공개 2002-0039840호에 대한 개량발명이므로 이를 기본적인 구성으로 따른다.

즉, 외주연에 다수의 유도코일(RF Coil)(22)이 권회되어 구성된 이온소스(2)와;

다수의 그리드홀(42)이 형성된 채 이온소스의 일측에 설치되어 이온빔을 가속시키는 그리드(42a,42b)와;

그리드홀(42)을 통해 입사되는 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체(6)를 포함하여 이루어진다.

이러한 상기 기본구성을 바탕으로, 본 발명은 상기 반사체의 내측에 슬릿부가 일체로 성형된 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 슬릿부(62)는 상기 그리드(4a,4b)의 그리드홀(42)에 대응하는 복수의 반사면(64)으로 이루어지되, 상기 반사면(64)은 이온빔의 입사각(θi)을 최적화 시킬 수 있도록 일정각도로 경사지게 형성시킨다.

즉, 반사체(6)는 상기 그리드(4a,4b)를 통해 입사된 이온빔을 변환시켜 식각에 이용되는 중성빔을 얻기 위한 것인 바, 이렇게 생성된 중성빔을 이용해서 식각공정을 진행할 때 가장 최고의 식각속도를 얻을 수 있도록 하기 위해 최적의 입사각이 요구된다.

상기의 입사각은 대한민국 특허공개 2002-0039840호에 보면, 가장 식각속도가 우수한 최적의 입사각(θi)은 5°∼ 10°임을 알 수 있다.

도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치(A)에 의해 SiO₂ 및 Si에 대한 식각율을 도시한 도면이다.

즉, 반사각 5°의 조건하에서, 종래에는 100 V의 가속전압일 때 식각속도가 0 였으나, 본 발명에서는 100 V 가속전압일 때 SiO₂ 에 대해서는 식각율이 20 A/min 이었으며, Si에 대해서는 식각율이 600 A/min이므로, 종래보다 식각율이 월등히 향상되었음을 알 수 있다.

그리고, 본 발명의 식각장치(A)는 Si에 대한 식각율이 SiO₂ 보다 매우 증대되었음을 알 수 있다.

또한, 도 3a는 종래 식각상태를 보여주는 도면대용 사진이며, 도 3b는 본 발명에 의해 식각된 상태를 보여주는 도면대용 사진이다.

종래 식각장치를 이용한 식각공정에서는 도 3a에서 보이듯이, 부분적으로 불균일한 식각이 일어나게 되어 손상부위가 발생되었으나, 본 발명의 식각장치를 이용한 식각공정에서는 도 3b에 보이듯이, 손상부위가 발생됨이 없이 균일하게 식각이 이루어진 것을 알 수 있다.

이하 미설명 부호 100은 반도체 웨이퍼와 같은 피식각기판을 나타낸다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치는 일정 각도로 경사진 반사면이 다수로 형성되어 이루어진 슬릿부가 내측에 일체로 성형된 반사체가 구비됨으로써 종래보다 크기가 소형화되고 구조가 간결하게 됨으로써 제조가 간편하고, 또한 중성빔의 방향 제어가 용이하여 식각율이 증대되는 장점이 제공된다.

도 1은 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치에 대한 분해 단면사시도

도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치에 의해 SiO₂ 및 Si에 대한 식각율을 도시한 도면

도 3a는 종래 식각상태를 보여주는 도면대용 사진

도 3b는 본 발명에 의해 식각된 상태를 보여주는 도면대용 사진

도 4는 종래 기술을 개략적으로 보여주는 도면

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

2 : 이온소스 4a,4b : 그리드

6 : 반사체 22 : 유도코일

42 : 그리드홀 62 : 슬릿부

64 : 반사면

Claims (3)

1. 외주연에 다수의 유도코일(RF Coil)이 권회되어 구성된 이온소스와; 다수의 그리드홀이 형성된 채 이온소스의 일측에 설치되어 이온빔을 가속시키는 그리드와; 그리드홀을 통해 입사되는 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함하여 이루어진 중성빔 식각장치에 있어서,

   상기 반사체(6)의 내측에 슬릿부(62)가 일체로 성형되고,

   상기 슬릿부(62)는 그리드홀(42)에 대응되며 일정 각도로 경사지게 형성된 복수개의 반사면(64)을 포함하여 이루어지며,

   상기 반사면(64)은 10°이하의 경사각으로 형성시킴으로써 식각속도를 최적화시킨 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치.
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