KR100529431B1 - 초순수 세정 샤워장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 초순수 세정장치는 베스(10) 상단부의 한쌍의 샤워 파이프(12)에 연결되는 연결부(22)와, 이 연결부(22)에서 각각 수직하여 베스(10)내에 투입되는 수직부(24)와, 수직부(24)의 끝단이 서로 연결된 수평부(26)로 이루어진 수직 분사 파이프(20)가 베스(10)와 프론트 웨이퍼(2)의 사이에 설치된다. 수직부(24)와 수평부(26)에는 복수개의 분사공(21)이 설치되며, 이 분사공(21)들은 웨이퍼의 표면에 초순수가 수직으로 분사되도록 형성되며, 수직 분사 파이프(20)의 각 수직부(24)의 간격은 세정하고자 하는 웨이퍼의 직경보다 작고, 수평부(26)는 투입된 웨이퍼의 하단부보다 높게 위치된다.
본 발명에 따르면, 베스와 프론트 웨이퍼의 사이에 수직 분사 파이프를 설치함으로서, 프론트 웨이퍼에 수직으로 초순수가 분사되어 세정효율이 향상되는 효과를 가진다. 이러한 수직 분사 파이프는 웨이퍼의 크기에 따라, 분사공의 수와 간격을 변경할 수 있다.

Description

초순수 세정 샤워장치{DE-INONIZED WATER SHOWER DEVICE}
본 발명은 초순수 세정장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 초순수 세정 베스내에 복수개의 웨이퍼중 베스와 가장 가까운쪽, 즉 프론트 웨이퍼의 세정효율을 향상할 수 있는 초순수 세정장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에 있어서, 웨이퍼가 대구경화됨에 따라 웨이퍼의 넓어진 면을 평탄화하기 위해서 화학적인 제거가공과 기계적인 제거가공을 하나의 가공방법으로 혼합한 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing; 이하 "CMP"라 한다) 장비가 이용되고 있다.
이러한 CMP 장비는 폴리셔(polisher)와 크리너(cleaner)로 구성되며, 폴리셔에서는 단차를 가진 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드위에 밀착시킨후, 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리(slurry)를 웨이퍼와 폴리싱 패드사이에 주입시켜 웨이퍼의 표면을 평탄화시키며, 크리너에서는 폴리싱이 끝난 후 웨이퍼의 표면에 묻은 레시듀(residue) 및 파티클(particle)들을 제거한다.
이와 같이 반도체 제조공정에 있어서, 레시듀 및 파티클등을 제거하는 세정공정이 중요하다.
이러한 세정공정은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 석영으로 만들어진 베스(10)내에 수십매의 웨이퍼, 통상 50매의 웨이퍼가 투입되면, 베스(10)의 상단부 양측에 길이방향으로 위치된 샤워 파이프(12)에 설치된 복수개의 노즐(14)을 통해 초순수(De-Ionized wather)를 분사하고, 베스(10)내에서는 바닥의 양측에 길이방향으로 삽입된 샤워 파이프(16)에 설치된 복수개의 노즐(18)을 통해 초순수를 분사함으로서, 웨이퍼에 묻은 레시듀 및 파티클을 제거한다. 세정시 사용한 초순수는 배수구(15)를통해 배출된다.
하지만 이러한 종래의 세정방식은 베스에 투입된 복수매의 웨이퍼중, 베스(10)와 가장 가깝게 위치되는 프론트 웨이퍼(2)는 업 플로우(up-flow)되는 유속이 이어서 투입된 웨이퍼들과는 틀리게 적용되므로, 세정효율이 떨어지는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명은 이에 따라 안출된 것으로, 그 목적은 베스와 가장 가깝게 위치되는 프론트 웨이퍼의 세정효율을 향상할 수 있는 초순수 세정장치를 제공하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 수단으로서, 본 발명은 베스의 상단부 양측의 길이방향을 따라 설치되고, 베스 바닥 양측의 길이방향을 따라 설치된 한쌍의 샤워 파이프의 복수개의 분사 노즐을 통해 초순수를 분사하여 웨이퍼를 세정하는 초순수 세정장치에 있어서, 상기 베스에 투입된 웨이퍼중 상기 베스와 가장 가깝게 위치되는 프론트 웨이퍼와의 사이에 상기 베스 상단부의 샤워 파이프에 연결된 수직 분사 파이프가 설치되며, 이 수직 분사 파이프는 상기 베스 상단부의 한쌍의 샤워 파이프에 연결되는 연결부와, 상기 연결부에서 각각 수직하여 베스내에 투입되는 수직부와, 상기 수직부의 끝단이 서로 연결된 수평부로 이루어지되, 상기 수직부의 간격은 세정하고자 하는 웨이퍼의 직경보다 작고, 상기 수평부는 상기 투입된 웨이퍼의 하단부보다 높게 위치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 수직 분사 파이프가 베스와 프론트 웨이퍼의 사이에 설치되므로서, 프른트 파이프의 세정효율을 향상하게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 초순수 세정장치를 상세히 설명한다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 초순수 세정장치는 베스(10)에 투입된 웨이퍼중 베스(10)와 가장 가깝게 위치되는 프론트 웨이퍼(2)와의 사이에 수직 분사 파이프(20)가 설치된다.
이러한 수직 분사 파이프(20)는 도 3에 도시된 바와 같이, 베스(10) 상단부의 한쌍의 샤워 파이프(12)에 연결되는 연결부(22)와, 이 연결부(22)에서 각각 수직하여 베스(10)내에 투입되는 수직부(24)와, 수직부(24)의 끝단이 서로 연결된 수평부(26)로 이루어진다. 연결부(22)와, 수직부(24) 및 수평부(26)들은 서로 연결부재(28)에 의해 연결된다. 수직부(24)와 수평부(26)에는 복수개의 분사공(21)이 설치되며, 이 분사공(21)들은 웨이퍼의 표면에 초순수가 수직으로 분사되도록 형성된다. 본 실시예에 있어서, 200mm 웨이퍼의 경우, 각각의 수직부(24)에 7.5mm 간격으로 20개를 설치하였고, 수평부(26)에 13개를 설치하였다.
한편, 도 4로부터 잘 알수 있는 바와 같이, 수직 분사 파이프(20)의 각 수직부(24)의 간격은 세정하고자 하는 웨이퍼의 직경보다 작고, 수평부(26)는 투입된 웨이퍼의 하단부보다 높게 위치되는 것이 세정효율을 고려할 때 바람직하다.
세정작업시, 분사 노즐로부터 초순수가 과다한 압력으로 분사되어 웨이퍼가 파손되는 것을 방지하고자, 수직 분사 파이프(20)에 밸브(도시하지 않음)를 부착하여 초순수의 분사압력을 조절할 수 있음은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명의 초순수 세정장치는 베스와 프론트 웨이퍼의 사이에 수직 분사 파이프를 설치함으로서, 프론트 웨이퍼에 수직으로 초순수가 분사되어 세정효율이 향상되는 효과를 가진다. 본 발명의 수직 분사 파이프는 웨이퍼의 크기에 따라, 분사공의 수와 간격을 변경할 수 있다.
도 1은 초순수 세정 베스를 나타내는 개략도이고,
도 2는 도 1의 측면도이고,
도 3은 본 발명의 초순수 세정장치의 사시도이고,
도 4는 도 3의 초순수 세정장치가 초순수 세정 베스에 설치된 정면도이고,
도 5는 그 측면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 베스 12, 16 : 샤워 파이프
14, 18 : 노즐 20 : 수직 분사
21 : 분사공 22 : 연결부
24 : 수직부 26 : 수평부
28 : 연결부재

Claims (3)

  1. 베스의 상단부 양측의 길이방향을 따라 설치되고, 상기 베스 바닥 양측의 길이방향을 따라 설치된 한쌍의 샤워 파이프의 복수개의 분사 노즐을 통해 초순수를 분사하여 웨이퍼를 세정하는 초순수 세정장치에 있어서,
    상기 베스와 프론트 웨이퍼와의 사이에 상기 베스 상단부의 샤워 파이프에 연결된 수직 분사 파이프가 설치되는 것을 특징으로 하는 초순수 세정장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 수직 분사 파이프는 상기 베스 상단부의 한쌍의 샤워 파이프에 연결되는 연결부와, 상기 연결부에서 각각 수직하여 베스내에 투입되는 수직부와, 상기 수직부의 끝단이 서로 연결된 수평부로 이루어지되, 상기 수직부의 간격은 세정하고자 하는 웨이퍼의 직경보다 작고, 상기 수평부는 상기 투입된 웨이퍼의 하단부보다 높게 위치되는 것을 특징으로 하는 초순수 세정장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 수직부와 수평부에는 복수개의 분사공이 설치되며, 이 분사공들을 웨이퍼의 표면에 초순수가 수직으로 분사되도록 형성된 것을 특징으로 하는 초순수 세정장치.
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