KR100529431B1 - De-inonized water shower device - Google Patents
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Abstract
본 발명의 초순수 세정장치는 베스(10) 상단부의 한쌍의 샤워 파이프(12)에 연결되는 연결부(22)와, 이 연결부(22)에서 각각 수직하여 베스(10)내에 투입되는 수직부(24)와, 수직부(24)의 끝단이 서로 연결된 수평부(26)로 이루어진 수직 분사 파이프(20)가 베스(10)와 프론트 웨이퍼(2)의 사이에 설치된다. 수직부(24)와 수평부(26)에는 복수개의 분사공(21)이 설치되며, 이 분사공(21)들은 웨이퍼의 표면에 초순수가 수직으로 분사되도록 형성되며, 수직 분사 파이프(20)의 각 수직부(24)의 간격은 세정하고자 하는 웨이퍼의 직경보다 작고, 수평부(26)는 투입된 웨이퍼의 하단부보다 높게 위치된다.The ultrapure water cleaning device of the present invention includes a connecting portion 22 connected to the pair of shower pipes 12 at the upper end of the bath 10, and a vertical portion 24 vertically introduced from the connecting portion 22 and introduced into the bath 10. And a vertical injection pipe 20 composed of a horizontal portion 26 in which the ends of the vertical portion 24 are connected to each other, are provided between the bath 10 and the front wafer 2. A plurality of injection holes 21 are installed in the vertical part 24 and the horizontal part 26, and the injection holes 21 are formed to vertically spray the ultrapure water on the surface of the wafer. The distance between each vertical portion 24 is smaller than the diameter of the wafer to be cleaned, and the horizontal portion 26 is positioned higher than the lower end portion of the injected wafer.
본 발명에 따르면, 베스와 프론트 웨이퍼의 사이에 수직 분사 파이프를 설치함으로서, 프론트 웨이퍼에 수직으로 초순수가 분사되어 세정효율이 향상되는 효과를 가진다. 이러한 수직 분사 파이프는 웨이퍼의 크기에 따라, 분사공의 수와 간격을 변경할 수 있다. According to the present invention, by providing a vertical injection pipe between the bath and the front wafer, the ultra-pure water is injected vertically to the front wafer has the effect of improving the cleaning efficiency. Such vertical injection pipes can change the number and spacing of injection holes according to the size of the wafer.
Description
본 발명은 초순수 세정장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 초순수 세정 베스내에 복수개의 웨이퍼중 베스와 가장 가까운쪽, 즉 프론트 웨이퍼의 세정효율을 향상할 수 있는 초순수 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to an ultrapure water cleaning device, and more particularly, to an ultrapure water cleaning device capable of improving the cleaning efficiency of a front wafer closest to a bath among a plurality of wafers in an ultrapure water cleaning bath.
반도체 제조 공정에 있어서, 웨이퍼가 대구경화됨에 따라 웨이퍼의 넓어진 면을 평탄화하기 위해서 화학적인 제거가공과 기계적인 제거가공을 하나의 가공방법으로 혼합한 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing; 이하 "CMP"라 한다) 장비가 이용되고 있다.In the semiconductor manufacturing process, chemical-mechanical polishing ("CMP"), which combines chemical removal processing and mechanical removal processing in one processing method to flatten the widened surface of the wafer as the wafer is large-sized. Equipment is being used.
이러한 CMP 장비는 폴리셔(polisher)와 크리너(cleaner)로 구성되며, 폴리셔에서는 단차를 가진 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드위에 밀착시킨후, 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리(slurry)를 웨이퍼와 폴리싱 패드사이에 주입시켜 웨이퍼의 표면을 평탄화시키며, 크리너에서는 폴리싱이 끝난 후 웨이퍼의 표면에 묻은 레시듀(residue) 및 파티클(particle)들을 제거한다.These CMP equipment consists of a polisher and a cleaner. In the polisher, a wafer surface having a step is brought into close contact with a polishing pad, and a slurry containing abrasive and chemicals is transferred to the wafer and polishing pad. It is injected in between to planarize the surface of the wafer, and the cleaner removes the residue and particles on the surface of the wafer after polishing.
이와 같이 반도체 제조공정에 있어서, 레시듀 및 파티클등을 제거하는 세정공정이 중요하다.As described above, in the semiconductor manufacturing process, a cleaning process for removing recipes, particles, and the like is important.
이러한 세정공정은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 석영으로 만들어진 베스(10)내에 수십매의 웨이퍼, 통상 50매의 웨이퍼가 투입되면, 베스(10)의 상단부 양측에 길이방향으로 위치된 샤워 파이프(12)에 설치된 복수개의 노즐(14)을 통해 초순수(De-Ionized wather)를 분사하고, 베스(10)내에서는 바닥의 양측에 길이방향으로 삽입된 샤워 파이프(16)에 설치된 복수개의 노즐(18)을 통해 초순수를 분사함으로서, 웨이퍼에 묻은 레시듀 및 파티클을 제거한다. 세정시 사용한 초순수는 배수구(15)를통해 배출된다.1 and 2, when dozens of wafers, typically 50 wafers, are placed in a quartz vessel 10, the cleaning process may be longitudinally located on both sides of the upper end of the vessel 10. Ultra-pure water (De-Ionized wather) is injected through the plurality of nozzles 14 installed in the shower pipe 12, and in the bath 10, a plurality of shower pipes 16 installed in the longitudinal direction on both sides of the floor Ultrapure water is injected through the nozzle 18 to remove the recipe and particles from the wafer. The ultrapure water used for cleaning is discharged through the drain 15.
하지만 이러한 종래의 세정방식은 베스에 투입된 복수매의 웨이퍼중, 베스(10)와 가장 가깝게 위치되는 프론트 웨이퍼(2)는 업 플로우(up-flow)되는 유속이 이어서 투입된 웨이퍼들과는 틀리게 적용되므로, 세정효율이 떨어지는 문제가 있었다.However, in the conventional cleaning method, the front wafer 2 positioned closest to the bath 10 among the plurality of wafers loaded into the bath is applied differently from the wafers loaded after the up-flow flow rate. There was a problem of poor efficiency.
따라서, 본 발명은 이에 따라 안출된 것으로, 그 목적은 베스와 가장 가깝게 위치되는 프론트 웨이퍼의 세정효율을 향상할 수 있는 초순수 세정장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention has been devised accordingly, and an object thereof is to provide an ultrapure water cleaning device capable of improving the cleaning efficiency of the front wafer positioned closest to the bath.
이러한 목적을 달성하기 위한 수단으로서, 본 발명은 베스의 상단부 양측의 길이방향을 따라 설치되고, 베스 바닥 양측의 길이방향을 따라 설치된 한쌍의 샤워 파이프의 복수개의 분사 노즐을 통해 초순수를 분사하여 웨이퍼를 세정하는 초순수 세정장치에 있어서, 상기 베스에 투입된 웨이퍼중 상기 베스와 가장 가깝게 위치되는 프론트 웨이퍼와의 사이에 상기 베스 상단부의 샤워 파이프에 연결된 수직 분사 파이프가 설치되며, 이 수직 분사 파이프는 상기 베스 상단부의 한쌍의 샤워 파이프에 연결되는 연결부와, 상기 연결부에서 각각 수직하여 베스내에 투입되는 수직부와, 상기 수직부의 끝단이 서로 연결된 수평부로 이루어지되, 상기 수직부의 간격은 세정하고자 하는 웨이퍼의 직경보다 작고, 상기 수평부는 상기 투입된 웨이퍼의 하단부보다 높게 위치되는 것을 특징으로 한다.As a means for achieving the above object, the present invention is installed along the longitudinal direction of both sides of the upper end of the bath, the ultra-pure water is sprayed through a plurality of spray nozzles of a pair of shower pipes installed along the longitudinal direction of both sides of the bottom of the bath to form a wafer In the ultrapure water cleaning device for cleaning, a vertical spray pipe connected to the shower pipe of the upper end of the bath is installed between the front wafer positioned closest to the bath among the wafers inserted into the bath, the vertical spray pipe is the upper end of the bath. And a connecting portion connected to a pair of shower pipes, a vertical portion inserted into the bath vertically at the connecting portion, and a horizontal portion connected to each other at the ends of the vertical portion, wherein the vertical portion has a spacing smaller than the diameter of the wafer to be cleaned. Wherein the horizontal portion is lower than the lower end of the wafer It is characterized by being located high.
본 발명에 의하면, 수직 분사 파이프가 베스와 프론트 웨이퍼의 사이에 설치되므로서, 프른트 파이프의 세정효율을 향상하게 된다.According to the present invention, since the vertical injection pipe is provided between the bath and the front wafer, the cleaning efficiency of the front pipe is improved.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 초순수 세정장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an ultrapure water cleaning device according to an embodiment of the present invention.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 초순수 세정장치는 베스(10)에 투입된 웨이퍼중 베스(10)와 가장 가깝게 위치되는 프론트 웨이퍼(2)와의 사이에 수직 분사 파이프(20)가 설치된다.As shown in FIGS. 4 and 5, the ultrapure water cleaning device according to the present invention has a vertical injection pipe 20 between the wafer 10 placed closest to the bath 10 among the wafers placed in the bath 10. Is installed.
이러한 수직 분사 파이프(20)는 도 3에 도시된 바와 같이, 베스(10) 상단부의 한쌍의 샤워 파이프(12)에 연결되는 연결부(22)와, 이 연결부(22)에서 각각 수직하여 베스(10)내에 투입되는 수직부(24)와, 수직부(24)의 끝단이 서로 연결된 수평부(26)로 이루어진다. 연결부(22)와, 수직부(24) 및 수평부(26)들은 서로 연결부재(28)에 의해 연결된다. 수직부(24)와 수평부(26)에는 복수개의 분사공(21)이 설치되며, 이 분사공(21)들은 웨이퍼의 표면에 초순수가 수직으로 분사되도록 형성된다. 본 실시예에 있어서, 200mm 웨이퍼의 경우, 각각의 수직부(24)에 7.5mm 간격으로 20개를 설치하였고, 수평부(26)에 13개를 설치하였다.As shown in FIG. 3, the vertical injection pipe 20 is connected to a pair of shower pipes 12 at the upper end of the bath 10, and vertically at the connection 22. The vertical portion 24 to be introduced into the c), and the horizontal portion 26 is connected to each other end of the vertical portion 24. The connecting portion 22, the vertical portion 24 and the horizontal portion 26 are connected to each other by the connecting member 28. A plurality of injection holes 21 are provided in the vertical portion 24 and the horizontal portion 26, and the injection holes 21 are formed to vertically spray ultrapure water on the surface of the wafer. In the present embodiment, in the case of 200 mm wafers, 20 pieces were installed in each vertical part 24 at 7.5 mm intervals, and 13 pieces were installed in the horizontal part 26.
한편, 도 4로부터 잘 알수 있는 바와 같이, 수직 분사 파이프(20)의 각 수직부(24)의 간격은 세정하고자 하는 웨이퍼의 직경보다 작고, 수평부(26)는 투입된 웨이퍼의 하단부보다 높게 위치되는 것이 세정효율을 고려할 때 바람직하다.On the other hand, as can be seen from Figure 4, the spacing of each vertical portion 24 of the vertical injection pipe 20 is smaller than the diameter of the wafer to be cleaned, the horizontal portion 26 is located higher than the lower end of the injected wafer It is preferable when considering the cleaning efficiency.
세정작업시, 분사 노즐로부터 초순수가 과다한 압력으로 분사되어 웨이퍼가 파손되는 것을 방지하고자, 수직 분사 파이프(20)에 밸브(도시하지 않음)를 부착하여 초순수의 분사압력을 조절할 수 있음은 물론이다. In the cleaning operation, in order to prevent the ultrapure water from being injected from the injection nozzle with excessive pressure, the wafer may be damaged by attaching a valve (not shown) to the vertical injection pipe 20 to control the injection pressure of the ultrapure water.
상술한 바와 같이 본 발명의 초순수 세정장치는 베스와 프론트 웨이퍼의 사이에 수직 분사 파이프를 설치함으로서, 프론트 웨이퍼에 수직으로 초순수가 분사되어 세정효율이 향상되는 효과를 가진다. 본 발명의 수직 분사 파이프는 웨이퍼의 크기에 따라, 분사공의 수와 간격을 변경할 수 있다. As described above, the ultrapure water cleaning device of the present invention has the effect of improving the cleaning efficiency by distributing ultrapure water vertically to the front wafer by providing a vertical injection pipe between the bath and the front wafer. The vertical injection pipe of the present invention can change the number and spacing of the injection holes according to the size of the wafer.
도 1은 초순수 세정 베스를 나타내는 개략도이고,1 is a schematic view showing an ultrapure water washing bath,
도 2는 도 1의 측면도이고,2 is a side view of FIG. 1,
도 3은 본 발명의 초순수 세정장치의 사시도이고,3 is a perspective view of the ultrapure water cleaning device of the present invention,
도 4는 도 3의 초순수 세정장치가 초순수 세정 베스에 설치된 정면도이고,4 is a front view of the ultrapure water cleaning device of FIG. 3 installed in the ultrapure water cleaning bath,
도 5는 그 측면도이다.5 is a side view thereof.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
10 : 베스 12, 16 : 샤워 파이프10: Beth 12, 16: shower pipe
14, 18 : 노즐 20 : 수직 분사14, 18: nozzle 20: vertical injection
21 : 분사공 22 : 연결부21: injection hole 22: connection portion
24 : 수직부 26 : 수평부24: vertical part 26: horizontal part
28 : 연결부재 28: connecting member
Claims (3)
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