KR102532275B1 - Cmp 설비의 웨이퍼 세정모듈 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 실시하는 CMP 설비 중 연마된 웨이퍼가 이동하는 경로 상에 배치되고, 일면에는 상기 웨이퍼로 세정액을 분사하는 노즐을 구비한 세정블록과, 상기 세정블록의 타면에 일측이 연결되어, 타측을 통해 외부에서 인입된 세정액을 상기 세정블록으로 공급하는 세정액 공급배관과, 상기 세정블록의 측면에 일측이 연결되고, 해당 높이 상에 상기 세정블록이 위치하도록 고정하는 지지대 및 상기 세정블록에 결합되어, 웨이퍼 세정과정 중 비산된 슬러리가 인접하는 연마영역으로 확산되지 않도록 하는 격벽체를 포함하여, 웨이퍼 세정과정 중 비산된 슬러리가 인접하는 연마영역으로 확산되지 않도록 할 수 있으며, 또한 상기 노즐이 구비되는 세정블록의 표면이 상기 세정블록의 중심을 기준으로 좌, 우향으로 경사진 경사면(테이퍼)으로 형성하여, 상기 세정블록으로 떨어지는 세정액의 배수가 원활해져, 상기 세정블록의 표면에 침전물이 쌓이는 현상을 방지할 수 있는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈을 제공한다.

Description

CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈{Wafer cleaning module of CMP facility}
본 발명은 에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 CMP(Chemical Mechanical Planarization) 공정을 실시하는 CMP 설비의 연마모듈들 사이에 구비되어, 연마 공정을 마친 웨이퍼 표면의 PH수치 중화 및 잔존하는 슬러리를 제거하도록, 사전에 인지된 상기 웨이퍼의 오염 분포도에 따라 복수 개의 노즐 중 일부가 선택적으로 개방되어, 웨이퍼의 표면에 세정액이 분사되도록 하고, 또한 웨이퍼의 오염 분포도에 따라 노즐을 회전시켜, 선 모양의 분사영역 각도를 조정하며, 상기 노즐이 구비되는 세정블록에 격벽체를 결합하여, 웨이퍼 세정과정 중 비산된 슬러리가 인접하는 연마영역으로 확산되지 않도록 하는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행함으로써 만들어지고, 이렇게 반도체소자로 제조되기까지의 웨이퍼는 그 표면에 회로패턴을 형성하기 용이하도록 평탄화와 에치 백(etch back) 등을 위한 CMP(chemicalmechanical polishing) 공정을 거친다.
상술한 CMP 공정은 고속 회전하는 폴리싱 패드의 표면에 슬러리가 균일하게 분포되게 공급하고, 이러한 폴리싱 패드의 표면에 평탄화가 요구되는 웨이퍼의 표면을 근접 위치시켜 슬러리에 의한 화학적인 작용과 고속 회전에 의한 물리적인 힘으로 웨이퍼의 대상 표면을 가공하는 것으로써 이루어진다.
이를 위한 CMP 설비의 종래 기술 구성을 살펴보면, 상면에 폴리싱 패드를 구비하여 고속 회전하는 테이블이 설치되어 있고, 이 테이블의 상부에는 폴리싱 패드의 중심 부위에 슬러리를 공급토록 하는 슬러리 공급노즐과 폴리싱 공정이 종료된 시점에서 폴리싱 패드 표면에 잔존하는 슬러리 등을 제거하도록 세정액을 공급하는 세정액 공급노즐이 설치된다.
여기서, 슬러리 공급노즐과 세정액 공급노즐을 통해 공급이 이루어진 슬러리 또는 세정액은 테이블의 고속 회전에 의해 폴리싱 패드의 중심 위치에서 점차 가장자리 부위로 이동하다가 결국 폴리싱 패드의 가장자리 부위로부터 이탈한다.
상술한 과정에서 폴리싱 패드의 회전 속도가 일정 수준을 유지하는 상태에서 슬러리 또는 세정액 중 어느 하나의 공급을 일정 수준으로 계속하여 공급하면, 이들 슬러리 또는 세정액은 폴리싱 패드의 전면에 대하여 균일한 수준으로 분포된다.
한편, 상술한 테이블의 일측에는 웨이퍼를 장착하여 평탄면이 요구되는 웨이퍼의 표면을 상술한 폴리싱 패드의 표면에 대향하여 근접 위치시키도록 하는 헤드부가 설치된다.
이때 웨이퍼는 헤드부의 헤드에 장착된 상태로 고속 회전하며 대략 헤드 영역범위로 이동함과 동시에 헤드의 승?하강 구동 위치에 의해 근접 또는 가압되어 폴리싱 공정을 수행한다.
상기 공정의 가장 중요한 기능은 패턴의 안정적인 적층을 위한 웨이퍼 평탄화인데, 상기한 웨이퍼의 안정적인 평탄화가 이루어지기 위해서는 3차례로 이루어지는 연마와 연마 후 세정이 이루어져야 한다.
각각의 연마공정은 PH 수치와 슬러리의 종류가 모두 다르게 셋팅되어 있고, 웨이퍼 연마 후 다음 공정으로 웨이퍼가 이동할 때 웨이퍼의 표면 PH 수치를 중성화시키고, 슬러리를 제거해주는 세정이 필요하다.
현재 세정 방식은 노즐 위치가 고정이 되어 있어 각 연마 공정마다 발생되는 오염을 효과적으로 제거가 불가능하고, 이로 인해 각각의 연마 공정에 설정되어 있는 PH 수치가 변경되고, 슬러리가 섞여 웨이퍼 표면에 심각한 손상을 주어 웨이퍼 패턴에 DEFECT(파티클 불량)를 발생시킨다.
이로 인해 갈라진 틈으로 케미컬이 침투하여 금속 박막층을 부식시키고, 웨이퍼 세정을 위한 시간은 정해져 있으나 회전반경이 있어 가운데를 제외한 부위는 세정이 미흡한 상황이다.
종래기술로는 공개특허 제10-2004-0035344호(2004.04.29)를 참고할 수 있다.
본 발명은 오염 분포도에 따라 세정액을 분사하는 노즐 수량을 변경하여 노즐의 분사압의 조절이 가능하고, 선형으로 분사되는 세정액의 분사영역 각도를 조정이 가능하여, 각 공정별로 웨이퍼 중 오염물질이 많이 생기는 부위에만 집중적으로 세정이 가능하고, 노즐이 구비되는 세정블록에 격벽체를 결합하여, 웨이퍼 세정과정 중 비산된 슬러리가 인접하는 연마영역으로 확산되지 않도록 할 수 있으며, 또한 상기 노즐이 구비되는 세정블록의 표면이 상기 세정블록의 중심을 기준으로 좌, 우향으로 경사진 경사면(테이퍼)으로 형성하여, 상기 세정블록으로 떨어지는 세정액의 배수가 원활해져, 상기 세정블록의 표면에 침전물이 쌓이는 현상을 방지할 수 있는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈은 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 실시하는 CMP 설비 중 연마된 웨이퍼가 이동하는 경로 상에 배치되고, 일면에는 상기 웨이퍼로 세정액을 분사하는 노즐을 구비한 세정블록; 상기 세정블록의 타면에 일측이 연결되어, 타측을 통해 외부에서 인입된 세정액을 상기 세정블록으로 공급하는 세정액 공급배관; 상기 세정블록의 측면에 일측이 연결되고, 해당 높이 상에 상기 세정블록이 위치하도록 고정하는 지지대; 및 상기 세정블록에 결합되어, 웨이퍼 세정과정 중 비산된 슬러리가 인접하는 연마영역으로 확산되지 않도록 하는 격벽체를 포함한다.
이때 본 발명에 따른 상기 격벽체는 판 상으로, 상기 세정블록의 길이방향을 기준으로 좌, 우측면에 각각 수직선상으로 결합되는 것이 바람직하다.
그리고 본 발명에 따른 상기 격벽체는 상기 세정블록의 좌, 우측면에서 결합 높이조절이 가능하도록, 체결수단이 체결되는 복수 개의 결합홀을 수직선상의 열로 형성한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 세정블록은 전체적인 형태가 직육면체를 이루는데, 상기 세정블록의 표면 중 노즐들이 구비된 표면은 그 표면의 중심을 기준으로 하여 좌, 우향으로 경사진 경사면(테이퍼)으로 형성할 수 있다.
그리고 본 발명에 따른 상기 복수 개의 노즐은 상기 세정블록의 일면에 서로 일정한 간격으로 이격 배치되어, 행렬 형태로 배열된다.
여기서 본 발명에 따른 상기 복수 개의 노즐 각각은 선형으로 개방되어, 각 노즐에서 분사되는 세정액이 선 모양의 분사영역을 형성한다.
이때 본 발명에 따른 상기 복수 개의 노즐은 상기 노즐의 중심을 축으로 회전각도가 조정되어, 세정액의 선 모양 분사영역 각도가 선택적으로 조정되는 것이 바람직하다.
그리고 본 발명에 따른 상기 세정블록 중 노즐들의 주변에는 상기 노즐의 회전각도를 확인하는 회전각 확인 눈금을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈에 의해 나타나는 효과는 다음과 같다.
오염 분포도에 따라 세정액을 분사하는 노즐 수량을 변경하여 노즐의 분사압의 조절이 가능하고, 선형으로 분사되는 세정액의 분사영역 각도를 조정이 가능하여, 각 공정별로 웨이퍼 중 오염물질이 많이 생기는 부위에만 집중적으로 세정이 가능하다.
또한, 노즐이 구비되는 세정블록에 격벽체를 결합하여, 웨이퍼 세정과정 중 비산된 슬러리가 인접하는 연마영역으로 확산되지 않도록 할 수 있다.
또한, 상기 노즐이 구비되는 세정블록의 표면이 상기 세정블록의 중심을 기준으로 좌, 우향으로 경사진 경사면(테이퍼)으로 형성하여, 상기 세정블록으로 떨어지는 세정액의 배수가 원활해져, 상기 세정블록의 표면에 침전물이 쌓이는 현상을 방지할 수 있다.
도 1은 CMP 설비를 보인 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈을 보인 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 세정블록의 표면을 경사면(테이퍼)으로 형성한 상태를 보인 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 고정브라켓의 일측에 절개부를 형성한 상태를 보인 예시도이다.
도 5는 웨이퍼의 오염 분포도에 대응하여 복수 개의 노즐 중 일부를 개방하여 웨이퍼를 세정하는 상태를 보인 예시도이다.
도 6은 웨이퍼의 오염 분포도에 대응하여 복수 개의 노즐 중 일부를 개방하면서 분사압이 강화하여, 웨이퍼를 세정하는 상태를 보인 예시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 실시 예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들은 대체할 수 있는 균등한 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명은 CMP(Chemical Mechanical Planarization) 공정을 실시하는 CMP 설비의 연마모듈들 사이에 구비되어, 연마 공정을 마친 웨이퍼 표면의 PH수치 중화 및 잔존하는 슬러리를 제거하도록, 사전에 인지된 상기 웨이퍼의 오염 분포도에 따라 복수 개의 노즐 중 일부가 선택적으로 개방되어, 웨이퍼의 표면에 세정액이 분사되도록 하고, 또한 웨이퍼의 오염 분포도에 따라 노즐을 회전시켜, 선 모양의 분사영역 각도를 조정하며, 상기 노즐이 구비되는 세정블록에 격벽체를 결합하여, 웨이퍼 세정과정 중 비산된 슬러리가 인접하는 연마영역으로 확산되지 않도록 하는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈에 관한 것으로, 도면을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 도 1을 참조한 본 발명의 일 실시 예에 따른 CMP 설비(10)를 살펴보면 다음과 같다.
배선절연막의 평탄화 및 회로배선을 분리하는 방법으로 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; 이하 'CMP'라 한다) 공정이 사용되고 있다.
CMP의 원리는 탄성 폴리우레탄 패드(Polyurethane Pad) 위에 반도체소자 패턴이 형성된 웨이퍼를 장착한 상태에서 수백 nm 크기의 연마제가 함유된 슬러리를 패드 상부에 연속적으로 공급하여 연마대상막(산화막 또는 금속막)과 화학적 반응을 유도하면서 웨이퍼를 지지하여 가압하는 연마헤드(Polishing Head)와 패드가 부착된 플래튼(Platen)을 고속 회전시켜 연마 대상막을 기계적으로 제거함으로써 회로배선 절연막을 평탄화하거나 회로배선을 분리하는 반도체 전공정 중 핵심기술이다.
여기서 연마헤드(Polishing Head)와, 패드가 부착된 플래튼(Platen)은 하나의 조를 이루어, 상기 웨이퍼(W)를 연마하는 공정이 실시되는 하나의 연마모듈(11, 12, 13)을 이룬다.
상기 CMP 설비(10)는 보편적으로 3개의 상기 연마모듈(11, 12, 13)이 연결되어, 1차 ~ 3차에 걸쳐 웨이퍼를 연마하여 상기 웨이퍼(W)의 평탄화 공정이 이루어진다.
1차 ~ 3차의 연마공정을 실시하기 위해 1차 연마공정이 이루어지는 제1연마모듈(11), 2차 연마공정이 이루어지는 제2연마모듈(12), 3차 연마공정이 이루어지는 제3연마모듈(13)과, 웨이퍼의 로딩 및 언로딩을 위한 웨이퍼 출입모듈(14)이 사각형태 배치되어, 상기 웨이퍼가 사각형태를 따라 순차적으로 이동하면서 입출 및 연마공정이 이루어진다.
그리고 각 연마모듈(11, 12, 13)의 사이에는 다음 공정으로 이동되는 웨이퍼(W)의 표면을 세정하는 웨이퍼 세정모듈(100)이 각각 구비된다.
상기 웨이퍼 세정모듈(100)은 경로를 따라 이동하는 웨이퍼에 세정액을 분사하여 PH수치 중화 및 웨이퍼(W) 표면에 잔존하는 슬러리를 제거한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 CMP 설비(10)의 웨이퍼 세정모듈(100)은 연마모듈들(11, 12, 13)에서 연마된 웨이퍼가 다음 공정으로 이동하는 경로 상에 구비되어, 경로를 따라 이동하는 웨이퍼에 세정액을 분사하여 PH수치 중화 및 웨이퍼 표면에 잔존하는 슬러리를 제거하는 것으로, 세정블록(110), 세정액공급배관(120), 지지대(130)를 포함한다.
도 2 내지 도 4를 참조하여 상기 세정블록(110)을 보다 상세하게 살펴보면, 상기 세정블록(110)은 직육면체의 블록으로, 내부에 형성된 유로(도시하지 않음)를 따라 세정액이 유동하고, 상기 유로를 따라 유동하는 세정액은 상기 세정블록(110)의 일면에 구비된 노즐(111)의 개방으로, 세척하고자 하는 웨이퍼(W)의 표면으로 분사된다.
이때 상기 세정블록(110) 중 노즐(111)이 구비되는 표면은 상기 표면의 중심을 기준으로 좌, 우향으로 경사진 경사면(113)으로 형성할 수 있는데, 상기 노즐(111)이 구비된 세정블록(110)의 표면을 경사면(113)으로 형성하면, 상기 노즐(111)에서 세정액의 분사가 이루어진 후, 상기 세정블록(110)의 표면으로 떨어지는 세정액의 배수가 원활해져, 상기 세정블록(110)의 표면에 침전물이 쌓이는 것을 방지할 수 있다.
그리고 상기 노즐(111)은 선형으로 개방되어, 세정액을 선 모양으로 분사됨에 따라 선모 양의 분사영역을 형성하는 것이 바람직하고, 상기 노즐(111)은 복수 개로 구비되어, 각 공정별 오염물질이 많이 분포된 포인트에만 집중적으로 세정이 가능하도록, 상기 세정블록(110)의 일면에서 서로 일정한 간격으로 이격 배치되어, 행렬 형태로 배열되는 것이 바람직하다.
여기서 본 발명의 일 실시 예에 따른 복수 개의 노즐(111)들은 사전에 인지된 웨이퍼(W)의 오염 분포도에 대응하여, 복수 개의 노즐(111)들 중 일부가 선택적으로 분사된다.
따라서 상기 웨이퍼(W)의 오염 분포도에 따라 상기 노즐(111)들의 개방 수량을 가변하여 상기 노즐(111)들의 분사면적 및 분사압을 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상기 노즐(111)들은 상기 웨이퍼(W)의 오염 분포도에 대응하여, 상기 노즐(111)들의 선 모양 분사영역 각도를 조정할 수 있다.
이때 상기 세정블록(110) 중 상기 노즐(111)이 구비된 지점에는 상기 노즐(111)을 기준으로 방사상으로 회전각 확인 눈금(112)이 형성되어, 상기 노즐(111)의 선 모양 분사영역 각도를 확인할 수 있고, 상기 웨이퍼(W)의 오염 분포도에 대응하여, 상기 노즐(111)의 선 모양 분사영역 각도를 조정할 수 있다.
상기 노즐(111)은 상기 노즐(111)의 중심을 축으로 회전각도가 조정되어, 세정액의 선 모양 분사영역 각도가 선택적으로 조정되는데, 약 15°의 각도씩 조정 가능하다.
또한, 상기 세정블록(110)에는 격벽체(150)가 결합되는데, 상기 격벽체(150)는 웨이퍼 세정과정 중 비산된 슬러리가 인접하는 연마영역으로 확산되는 것을 방지한다.
이때 상기 격벽체(150)는 판 상으로 상기 세정블록(110)의 좌, 우측면에 각각 수직선상으로 체결수단인 볼트의 체결로 결합된다.
여기서 상기 격벽체(150)의 결합 높이조절이 가능하도록, 상기 격벽체(150)에는 복수 개의 결합홀(151)을 수직선상의 열로 형성하는 것이 바람직하다.
따라서 상기 세정블록(110)에 상기 격벽체(150)을 결합할 시, 수직선상의 열로 배열된 복수 개의 결합홀(151) 중 해당 높이 상의 결합홀(151)에 볼트를 체결시켜, 상기 세정블록(110)의 좌, 우측면에 각각 결합하는 것으로 상기 격벽체(150)의 높이 조절이 가능하다.
그리고 상기 세정블록(110)에는 세정액 공급배관(120)이 연결되는데, 상기 세정액 공급배관(120)은 그 일측단이 상기 세정블록(110)에 타면에 연결되어, 타측단을 통해 외부에서 공급되는 세정액을 상기 세정블록(100)로 공급한다.
또한, 상기 지지대(130)은 상기 세정블록(110)의 측면에 일측이 연결되고, 해당 높이 상에 상기 세정블록(110)이 위치하도록 고정한다.
이때 상기 지지대(130)는 '┓' 또는 '┫' 형태를 이루는 것이 바람직하고, 하단에는 상기 CMP 설비(10)에 고정되는 고정브라켓(140)을 구비하는데, 상기 지지대(130)의 높낮이를 조절할 수 있도록, 상기 고정브라켓(140)의 높이를 따라 장공을 형성한다.
상기 장공을 통해 체결되는 볼트의 체결 높이에 의해 상기 지지대(130)의 높낮이를 조절할 수 있다.
또한, 상기 고정브라켓(140)의 일측면에는 절개부(141)를 형성하여, 상기 절개부(141)를 통해 상기 지지대(130)의 하단을 측방향으로 삽입하여 결합 수 있도록 하여, 협소한 공간에서도 조립이 용이하도록 한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈(100)은 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이 사전에 인지된 상기 웨이퍼의 오염 분포도에 대응하여, 복수 개의 노즐 중 일부가 선택적으로 개방되어, 웨이퍼의 표면에 세정액이 분사되어, 연마 공정을 마친 웨이퍼 표면의 PH수치 중화 및 잔존하는 슬러리를 제거한다.
또한, 웨이퍼의 오염 분포도에 대응하여, 노즐을 회전시켜, 연마 공정을 마친 웨이퍼 표면의 PH수치 중화 및 잔존하는 슬러리 제거를 세정액의 선모양 분사영역 각도를 조정한다.
또한, 노즐이 구비되는 세정블록에 격벽체를 결합하여, 웨이퍼 세정과정 중 비산된 슬러리가 인접하는 연마영역으로 확산되지 않도록 할 수 있다.
또한, 상기 노즐이 구비되는 세정블록의 표면이 상기 세정블록의 중심을 기준으로 좌, 우향으로 경사진 경사면(테이퍼)으로 형성하여, 상기 세정블록으로 떨어지는 세정액의 배수가 원활해져, 상기 세정블록의 표면에 침전물이 쌓이는 현상을 방지할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
W: 웨이퍼
10: CMP 설비
11, 12, 13: 연마모듈
100: 웨이퍼 세정모듈
110: 세정블록
111: 노즐
112: 회전각 확인 눈금
113: 경사면
120: 세정액공급배관
130: 지지대
140: 고정브라켓
150: 격벽체
151: 결합홀

Claims (9)

  1. CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 실시하는 CMP 설비 중 연마된 웨이퍼가 이동하는 경로 상에 배치되고, 일면에는 상기 웨이퍼로 세정액을 분사하는 복수개의 노즐을 구비한 세정블록;
    상기 세정블록의 타면에 일측이 연결되어, 타측을 통해 외부에서 인입된 세정액을 상기 세정블록으로 공급하는 세정액 공급배관;
    상기 세정블록의 측면에 일측이 연결되고, 해당 높이 상에 상기 세정블록이 위치하도록 고정하는 지지대; 및
    상기 세정블록에 결합되어, 웨이퍼 세정과정 중 비산된 슬러리가 인접하는 연마영역으로 확산되지 않도록 하는 격벽체를 포함하고,
    상기 복수 개의 노즐 각각은,
    선형으로 개방되어, 각 노즐에서 분사되는 세정액이 선 모양의 분사영역을 형성하며,
    상기 노즐의 중심을 축으로 회전각도가 조정되어, 세정액의 선 모양 분사영역 각도가 선택적으로 조정되는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 격벽체는
    판 상으로, 상기 세정블록의 길이방향을 기준으로 좌, 우측면에 각각 수직선상으로 결합되는 것을 특징으로 하는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 격벽체는
    상기 세정블록의 좌, 우측면에서 결합 높이조절이 가능하도록, 체결수단이 체결되는 복수 개의 결합홀을 수직선상의 열로 형성하는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 세정블록은
    전체적인 형태가 직육면체를 이루는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 세정블록의 표면 중 노즐들이 구비된 표면은
    그 표면의 중심을 기준으로 하여 좌, 우향으로 경사진 경사면(테이퍼)으로 형성한 것을 특징으로 하는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 복수 개의 노즐은
    상기 세정블록의 일면에 서로 일정한 간격으로 이격 배치되어, 행렬 형태로 배열되는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 세정블록 중 노즐들의 주변에는
    상기 노즐의 회전각도를 확인하는 회전각 확인 눈금을 형성한 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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