KR100511221B1 - 탄성 표면파 장치 및 통신 장치 - Google Patents

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KR100511221B1 KR10-2002-0012411A KR20020012411A KR100511221B1 KR 100511221 B1 KR100511221 B1 KR 100511221B1 KR 20020012411 A KR20020012411 A KR 20020012411A KR 100511221 B1 KR100511221 B1 KR 100511221B1
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Abstract

탄성 표면파(Surface acoustic wave; SAW) 장치에서, 그 위에 실장된 발룬(balun) 기능이 제공된 SAW 소자를 가진 기판이 패키지의 다층 바닥 부분에 형성된다. 지연 선로, 리액턴스 소자 또는 저항 소자가 평형 신호 단자들 중 적어도 하나에 더해지도록 전기적인 배선 패턴들은 바닥 부분의 상부층 및 하부층 사이에 배치된다. SAW 소자를 외부 장치에 접속하는 평형 신호 외부 단자들은 패키지의 중심에 대하여 대칭적으로 배치된다.

Description

탄성 표면파 장치 및 통신 장치{Surface acoustic wave apparatus and communication apparatus}
본 발명은 적어도 입력측과 출력측에 형성되는 평형 신호 단자들을 갖는 탄성 표면파(SAW) 장치 및 특히, 평형 불평형 변환 기능을 가진 SAW 장치에 관한 것이고, 또한 상술한 SAW 장치를 포함하는 통신 장치에 관한 것이다.
휴대 전화와 같은 통신 장치의 크기와 중량을 줄이는데 현저한 기술적 진보가 있어 왔다. 휴대 전화들의 개별 부품들의 수와 크기를 줄임으로서 이러한 진보가 달성되어 왔다. 휴대 전화들에 사용되는 주파수가 예를 들어, GHz 대역으로 증가함에 따라, SAW 장치들은 SAW의 개별 소자들의 크기들을 줄일 수 있기 때문에 중요하다.
몇몇의 SAW 장치들은 입력/출력 단자들에서 위상 이동기들과 같은 임피던스 정합 장치들을 요구한다. 인용 참증 1(일본 무심사 특허 공개 공보 제8-195645:장치 실장 패키지(package))은 다음 형태의 SAW 장치를 기술한다. 임피던스 정합 장치는 정합 회로 기판에 형성되고, 정합 회로 기판은 SAW 장치 실장 기판에 접합된다. 이러한 배열로, 결과적인 패키지가 간소화된다.
인용 참증 2(일본 무심사 특허 공개 공보 제6--97761: 브랜칭 필터 및 그의 방법(Branching Filter and Method Therefor))은 다음 형태의 SAW 장치를 기술한다. 브랜칭 회로에서, 임피던스 정합 장치 및 위상 정합 장치는 SAW 필터 장치가 수용되는 부분이 아닌 다른 패키지 부분에 놓인다. 이러한 배열에서, SAW 장치의 크기는 줄어들고, 반면에, 필터 장치의 절연은 유지된다.
부품들의 수를 줄이기 위해, 평형 불평형 변환 기능, 즉 소위 "발룬 기능(balun function)"이 제공된 SAW 장치들에 연구들이 활발하게 실시되어 왔다. 이러한 SAW 장치들은 전세계, 특히 유럽에서 기본으로 사용되는 GSM(이동 통신 세계화 시스템; Global System for Mobile communications) 휴대 전화들에 가장 널리 사용된다.
발룬은 평형 선로 및 불평형 선로를 정합하는 회로이다. 더욱 특별히, 쌍납형 피더(twin-lead type feeder)와 같은 평형 선로와 동축 케이블과 같은 불평형 신호가 직접 접속할 때, 평형 전류가 이익에 안되도록 흘러서, 피더 자체가 안테나로써 작동하도록 한다. 따라서, 발룬 회로는 평형 전류의 발생을 방지하도록 형성되고, 그에 의해, 평형 선로 및 불평형 선로를 정합시킨다.
상술한 발룬 기능이 제공된 SAW 장치들과 관련하는 2~3의 특허 출원들이 제출되어 있다. SAW 장치들에서 사용되는 SAW 소자들이 입력 임피던스와 출력 임피던스가 실질적으로 같은 발룬 기능이 제공된 SAW 장치들에서는 SAW 소자들이 사용되는데, 도 18에 도시된 구조가 보통 사용된다.
도 18에 도시된 SAW 소자에서, 압전 기판(100) 상에, 하나의 빗살 형상 전극(101: 또한 "인터디지털 전극(interdigital electrode)"이라 하고, 이후로는 "IDT"로 언급한다)이 평형 부분으로써 형성된다. IDT들(102 및 103)은 불평형 부분으로써 IDT(101)의 좌측 및 우측들(SAW 전파 방향으로)에 각각 형성된다. 표면에서 전파된 SAW를 반사하여 전송 효율을 개선하는 반사기들(104 및 105)이 IDT들(101, 102 및 103) 사이에 놓이도록 배열된다. SAW 전파 방향에 따라 배열되는 3개의 IDT들을 가진 SAW 장치는 "3 IDT형 연장 결합 공진 모드 SAW 소자"로 언급된다.
상술한 SAW 소자에서, 반사기(107 및 108)는 SAW 공진기를 한정하도록 사이에 IDT(106)가 놓이도록 배열된다. SAW 공진기는 IDT들(102 및 103)과 직렬로 접속된다. 따라서, IDT(101)에 접속된 평형 신호 단자들(109 및 110) 및 IDT(106)에 접속된 불평형 신호 단자(111)가 또한 형성된다.
상술한 발룬 기능이 제공된 SAW 장치에서, 불평형 신호 단자(111)와 각 평형 신호 단자들(109 및 110) 사이에서 통과 대역에서의 전송 특성으로 동일한 진폭 특성과 180°위상 반전 특성이 요구된다. 상술한 진폭 특성 및 위상 특성은 "진폭 평형도" 및 "위상 평형도"로서 각각 언급된다.
진폭 평형도 및 위상 평형도는 다음과 같이 정의된다. 상술한 발룬 기능을 가진 SAW 소자가 3-포트 장치로써 사용될 때, 그리고 불평형 입력 단자가 제 1포트, 평형 출력 단자들이 제 2포트, 제 3포트일 때, 진폭 평형도 ｜A｜는 A=｜20log(S21)｜-｜(20log(S31)｜로 정의되고, B가｜∠S21-∠S31｜일 때 위상 평형도는｜B-180｜이다. 여기에서, S21은 제 1포트에서 제 2포트까지, S31은 제 1포트에서 제 3포트까지의 이동 계수이고, ｜｜의 부호는 절대값을 나타낸다.
이상적으로, SAW 장치의 통과 대역에서, 진폭 평형도는 0dB이고, 위상 평형도는 0이다. 발룬 기능을 가진 SAW 장치의 한 예로써, 도 18에 도시된 SAW 소자는 도 20 및 도 21에 도시된 패키지(200)에 실장된다.
도 19에 도시된 것과 같이, 후면(외부면)에서, 불평형 신호 단자인 외부 단자(201), 평형 신호 단자들인 외부 단자들(202 및 203)이 후면의 주변부를 따라 배열된다.
도 20에 도시된 것처럼, 패키지(200) 내에, 다이(die) 부착 부분(204)은 도 18에 도시된 SAW 소자를 유지하고 SAW 소자를 외부 장치들로 전기적으로 접속하도록 형성된다. 다이 부착 부분(204)의 배선 패턴들에서, 서로 인접하게 배치된 외부 단자(201)와 배선 패턴(302)이 접속되고, 서로 인접하게 배치된 외부 단자(202)와 배선 패턴(303)이 접속되며, 그리고 서로 인접하게 배치된 외부 단자(203)와 배선 패턴(304)이 접속된다.
종래의 SAW 장치에서, 그러나, 다음 문제들이 존재한다.
도 19에 도시된 패키지(200)에서, 평형 신호 외부 단자들(202 및 203)은 불평형 신호 외부 단자(201)에 대하여 비대칭적으로 배치된다. 따라서, 평형 신호 외부 단자들(202 및 203) 사이의 평형도가 감소된다.
이러한 이유는 예를 들어, 다음과 같다. 패키지(200)의 후면에 외부 단자들(201, 202 및 203)의 배열로 인해, 불평형 신호 외부 단자(201)에서부터 평형 신호 외부 단자(202)의 거리는 불평형 신호 외부 단자(201)와 평형 신호 외부 단자(203)까지의 거리와 다르다. 따라서, 불평형 신호 외부 단자(201)와 평형 신호 외부 단자(202) 사이에 발생된 브릿지 커패시턴스(bridge capacitance)는 불평형 신호 외부 단자(201) 및 평형 신호 외부 단자(203) 사이의 브릿지 커패시턴스와 다르다.
패키지(200)의 다이 부착 부분(204) 상에서의 배선 패턴들에서, 개별 부품들에 관하여 대칭인 전극들이 제공될 수 없고, 그러므로, 평형 특성이 감소한다.
덧붙여서, 도 18에 도시된 SAW 소자에서, IDT(102) 및 IDT(101)의 인접한 전극 핑거(electrode finger)들 사이의 전기적 극성은 IDT(103) 및 IDT(101) 사이의 인접한 전극 핑거들의 전기적 극성과는 다르다. 따라서, SAW 소자 자체의 평형도가 충분하지 않고, 그러므로, SAW 장치의 평형도가 충분하지 않다.
이 문제들을 해결하기 위해서, 다음의 SAW 장치들이 고려되어 왔다. 도 21에 도시된 것처럼, 평형 신호 단자들(502 및 503)이 도 22에 도시된 것과 같이 불평형 신호 단자(501)에 대하여 대칭적으로 배치되도록, 배선 패턴들이 패키지(200)의 배선 부착 부분(204)에서 스트립 선로들(strip lines; 402)에 의하여 배열된다. 다른 구조에서, 스트립 선로들(402)에 의해 한정되는 유도성 부품이 형성되어, 그에 의해 SAW 소자의 평형도를 개선한다.
상술한 구조들에서, 그러나, 스트립 선로들(402)이 다이 부착 부분(204)에 형성될 때, 다이 부착 부분(204)에서 본딩 범프(bonding bump)를 형성하는 영역이 감소된다.
따라서, SAW 소자에서 영역을 형성하는 축소된 범프들에 기인하여, SAW 소자에서의 레이아웃(layout)의 유연성이 감소된다. 예를 들어, 다이 부착 부분(204)의 접지 패턴과 패키지(200) 사이의 접속 부분들의 수는 줄어서, 그에 의해 접지력을 약화시킨다. 이것을 SAW 소자의 전기적 특성에 역으로 영향을 준다. 덧붙여서, 제한된 수의 범프들에 기인하여, 본딩 강도가 또한 감소된다.
상술한 문제들을 극복하기 위해서, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, SAW 장치는 압전 기판에 형성되는 SAW 소자를 포함한다. 바람직한 실시형태에 따른 SAW 소자는 적어도 하나의 인터디지털(interdigital) 전극과 적어도 입력측과 출력측에 대해 형성되는 평형 신호 단자들을 포함한다. 다층 유지 기판은 평형 신호 단자들을 외부 장치로 접속하는 외부 단자들을 형성한다. 적어도 하나의 인터디지털 전극이 그 표면과 마주하게 하여 SAW 소자를 유지하도록 형성된다. 전기 회로는 평형 신호 단자들 및 외부 단자들 사이에 위치하도록 다층 유지 기판의 층들 사이에 배열되어 평형 신호 단자들 사이의 평형도를 증가시킨다.
상술한 배열에 따르면, SAW 소자는 적어도 하나의 인터디지털 전극과 적어도 입력측과 출력측에 대한 평형 신호 단자들을 포함하고 있으므로, 발룬 기능이 SAW 소자에 대해 형성된다.
유지 기판은 다층판이고, 전기 회로는 유지 기판의 층들 사이에 형성된다. 따라서, 유지 기판에서 접속 및 전기 회로의 패턴을 배열하는 유연성이 크게 개선된다. 예를 들어, 불평형 신호 단자에 접속된 외부 단자와 평형 신호 단자들 중 하나에 접속된 외부 단자 사이에서 발생된 브릿지 커패시턴스는 불평형 신호 단자에 접속된 외부 단자와 다른 평형 신호 단자에 접속된 외부 단자 사이에서 발생된 브릿지 커패시턴스와 같아서, 평형 신호들 사이의 평형도들을 개선한다.
추가적으로, 상술한 구조에서, 유지 기판의 층들 사이에 전기적 배선 패턴을 형성함에 의하여, 접지력이 강화되도록, 유지 기판에서의 접지 배선 패턴과 접지 외부 단자 사이의 접속 부분들이 증가한다. 결과적으로, 통과 대역이 아닌 주파수 범위에서의 감쇠가 크게 개선된다.
상술한 SAW 장치에서, 외부 단자들은 전기 회로를 사용함으로써 패키지의 중심에 대하여 실질적으로 대칭인 것이 바람직하다. 그러므로, 전기적 특성이 일정하다. 예를 들어, 불평형 신호 단자에 접속된 외부 단자와 평형 신호 단자들 중 하나에 접속된 외부 단자 사이에서 발생된 브릿지 커패시턴스는 불평형 신호 단자에 접속된 외부 단자와 다른 평형 신호 단자에 접속된 외부 단자 사이에서 발생된 브릿지 커패시턴스와 거의 같아서, 그에 의해 평형 신호들 사이의 평형도들이 크게 개선된다.
상술한 SAW 장치에서, 전기 회로는 평형 신호 단자의 신호 전파 특성을 개선하기 위하여 SAW 소자의 평형 신호 단자들 중 적어도 하나에 대해 형성되는 조정 부분을 포함한다. 조정 부분은 지연 선로, 리액턴스 소자 및 저항 소자 또는 다른 적당한 소자 중 적어도 하나에 의해 한정된다.
상술한 SAW 장치에서, 전기 회로는 SAW 소자의 양 평형 신호 단자들에 대한 조정 부분들을 포함하는 것이 바람직하고, 평형 신호 단자의 하나에 대한 조정 부분의 하나의 조정도는 다른 평형 신호 단자에 대한 다른 조정 부분의 조정도와는 다르다.
위의 배열로, 리액턴스 소자, 지연 선로 또는 저항 소자가 평형 신호 단자들 중 하나에 더해지거나, 다른 리액턴스 소자들, 다른 지연 선로들 또는 다른 저항 소자들이 해당 평형 신호 단자들에 더해져서, 더욱 신뢰성 있게 평형 신호 단자들 사이의 평형도들을 개선한다.
상술한 SAW 장치에서, SAW 소자는 적어도 3개의 인터디지털 전극들을 가진 종결합 공진기 모드 SAW 부품을 포함한다. 일반적으로, 연장 결합 공진기 모드 SAW 부품들에서, 전기적 환경이 평형 신호 단자들 중에서 다르고, 그러므로, 평형 신호 단자들 사이의 평형도들이 실질적으로 악화된다. 그러나, 상술한 구조에서, 전기 회로에 기인하여, 평형도들이 신뢰성 있게 유지된다.
상술한 SAW 장치에서, SAW 소자는 전기적 중성점이 평형 신호 단자들 사이에 형성되지 않도록 조립된다. 일반적으로, 평형 신호들 사이에 전기적 중성점이 없이 형성된 SAW 소자에서, 유지 기판의 중심에 대하여 대칭적으로 외부 단자들을 배열하는 것은 어렵다, 그러나, 상술한 구조에서, 다층 유지 기판과 전기 회로 때문에, 평형 신호 단자들 사이의 평형도들이 크게 개선된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 통신 장치는 상술한 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 장치들 중 적어도 하나를 포함한다. 이러한 구조로, 우수한 전송 특성을 나타내는 복합 SAW 장치를 형성하여, 많은 수의 부품들이 줄어들고, 따라서, 전체적인 통신 장치의 크기가 줄어든다. 덧붙여서, 통신 장치의 전송 특성이 크게 개선된다.
본 발명의 다른 특징들, 요소들, 특성들 및 이점들이 첨부된 도면들을 참고하여 다음의 바람직한 실시형태들의 상세한 설명으로부터 보다 명확해질 것이다.
(본 발명의 바람직한 실시형태들)
본 발명의 바람직한 실시형태들이 도 1 ~ 도 17을 참조하여 아래 상세히 설명된다.
본 발명의 제 1바람직한 실시형태에 따른 SAW 장치가 도 1 ~ 도 6을 참조하여 아래 논의된다. 다음의 설명에서, 비록 다른 형태의 SAW 장치들이 본 발명의 범위에 포함될지라도, SAW 장치는 DCS 수신 필터에 관련하여 설명된다.
제 1바람직한 실시형태에서, 도 1에 도시된 것처럼, SAW 소자(29)는 예를 들어, 40±5°Y-절단 X-전파 LiTaO3 기판으로 만들어진 압전 기판(30)에 배치된다. SAW 소자(29)는 사진 석판 기술에 의해 형성되는 것이 바람직한 Al 전극들을 포함한다. 도 2는 본 발명의 제 1바람직한 실시형태에 따른 SAW 장치를 한정하는 SAW 소자(29)의 전극 핑거들을 설명하는 개략도이다.
SAW 소자(29)에서, 불평형측으로 한정된 IDT들(2 및 3)은 평형측을 한정하는 IDT(1)의 좌측 및 우측에 SAW 전파 방향으로 배치된다. 반사기들(4 및 5)은 그 사이에 IDT들(2 및 3)을 놓도록 배치된다. 그러므로, 발룬 기능을 갖고, 종결합 공진기 모드 SAW 필터를 한정하는 종결합 공진기 모드 SAW 부품(6)이 형성된다.
IDT들(1, 2 및 3) 각각은 띠형상의 베이스 부분(버스 바) 및 복수의 전극 핑거들이 제공된 2개의 전극 부분들을 포함한다. 전극 핑거들은 서로 실질적으로 평행하도록 베이스 부분의 두 측들에 실질적으로 수직인 방향으로 연장된다. 전극 핑거들은 그 측들이 서로 대면하도록 인터디지테이팅(interdigitating)된다.
상술한 구조의 IDT들(1, 2 및 3)에서, 신호 변환 특성 및 통과 대역은 각 전극 핑거의 길이와 폭, 인접한 전극 핑거들의 갭 및 인터디지테이팅된 전극 핑거들의 반대 부분들의 길이(이후부터는 "인터디지털 길이"로서 언급된다)를 설정하여 결정된다. 아래 논의되는 다른 IDT들은 IDT들(1, 2 및 3)의 구조들과 기능들이 유사한 구조들과 기능들을 가진다.
상술한 SAW 소자(29)에서, 반사기들(8 및 9)은 SAW 공진기(10)를 형성하기 위해 사이에 IDT(7)을 넣도록 배치된다. SAW 소자 공진기(10)는 IDT들(2 및 3)과 직렬로 접속된다. 평형 신호 단자들(11 및 12)은 IDT(1)와 접속되고, 반면에, 불평형 신호 단자(13)는 IDT(7)에 접속된다.
제 1바람직한 실시형태의 SAW 소자(29)는 전기적 중성점이 평형 신호 단자들(11 및 12) 사이에 위치되지 않도록 구성된다. 더욱 상세하게, IDT들(1 및 2) 사이의 피치(pitch)와 IDT들(1 및 3) 사이의 피치는 예를 들어, 8개의 전극 핑거들의 피치(예를 들어, 도 2에서 (14) 및 (15)에 의해 나타나는 부분들)는 IDT들의 다른 전극 핑거들보다 작은 것이 바람직하다. 따라서, IDT들(1, 2 및 3)의 연속성이 유지된다. 도 2를 간략화하기 위해, 단지 작은 수의 전극 핑거들이 도시된다.
연장 결합 공진기 모드 SAW 소자(29)의 설계 수치들의 상세, 그리고 더욱 상세하게, SAW 부품(6)의 수치들은 예를 들어 다음과 같다. IDT들 사이의 전극 핑거들의 작은 피치에 의해 결정되는 파장은 λI2로 나타내고, 다른 전극 핑거들의 큰 피치에 의해 결정되는 파장은 λI1로 나타낸다.
인터디지털 길이 W: 80.5λI
IDT들(2)의 수: 23(4)
IDT들(1)의 수: 34(4)
IDT들(3)의 수: 23(4)
(괄호 안의 수들은 보다 작은 피치 전극 핑거들을 나타낸다.)
IDT들의 파장 λI1: 2.1746㎛
IDT들의 파장 λI2: 1.9609㎛
반사기들의 파장 λR: 2.1826㎛
반사기들의 수: 150
전극 핑거들 사이의 갭:
파장 λI1 전극 핑거와 파장 λI2 전극 핑거 사이의 부분(도 2에서 (16)에 의해 나타나는): 0.25λI1+0.25λI2
파장 λI2의 전극 핑거들 사이의 부분(도 2에서 (17)로 나타나는): 0.50λI2
IDT와 반사기 사이의 갭: 0.46λR
IDT 듀티(duty):
파장 λI1 부분: 0.63
파장 λI2 부분: 0.60
반사기 듀티: 0.57
전극 두께: 0.09λI1
SAW 공진기(10)의 수치들은 다음과 같다.
인터디지털 폭(W): 23.7λI
IDT들의 수: 241
IDT들의 파장 λI: 2.1069㎛
반사기들의 파장 λR: λI
반사기들의 수: 30
IDT와 반사기 사이의 갭: 0.50λR
IDT 듀티: 0.60
반사기 듀티: 0.60
전극 두께: 0.09λI
도 3을 참조하여, 상술한 SAW 소자(29)에서의 기판(30)에서 IDT들(1, 2, 3 및 7), 평형 신호 단자들(11 및 12) 및 불평형 신호 단자(13)의 레이아웃으로 설명이 주어진다. 이러한 레이아웃에서, 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이 같은 참조 번호에 의해 나타내는 부품들에 덧붙여서, 일반적으로 정방형을 가진 접지 전극 패드들(24 및 25)이 IDT들(2 및 3)의 범프 본딩으로 각각 형성된다. 접지 전극 패드들(24 및 25)은 구리 또는 알루미늄과 같이 좋은 전도도를 나타내는 금속으로 만들어져서, 도 1에 도시된 패키지(31)로 전도도를 확보한다.
범프 본딩용 접속/고정 범프들(39)은 각 접지 전극 패드들(24 및 25)에 형성된다. 유사하게, 전극 패드 및 범프들(39)은 각 단자들(11, 12 및 13)에 형성된다. SAW 소자(29)에서, IDT들(1, 2, 3 및 7)을 단자들(11, 12 및 13)로 접속하는 경로 선로들(1a, 1b, 2a, 2b, 3a, 3b 및 7a) 및 전극 패드들(24 및 25)은 서로 교차하지 않거나 접촉되기 않도록 기판에 배열된다.
내부에 SAW 소자(29)를 내장하는 SAW 장치의 상자 형상 패키지(31)는 아래에서 도 1을 참조하여 설명될 것이다. 패키지(31)는 내부에 SAW 소자(29)를 내장하는 공동(31a), 바닥 부분(32; 장치 유지 기판), 측부분(33) 및 캡(34; 리드(lid))을 포함한다.
바닥 부분(32)은 두께 방향으로 2개의 층들, 즉, 공동(31a)과 마주하는 상부층(35) 및 외부와 마주하는 하부층(36)을 가진다. 외부 기판과 전기적 접속을 확립하는 외부 단자들(52, 53 및 54)은 바닥 부분(32)의 하부층(36)의 바닥면(외부와 마주하는)에 형성된다. SAW 소자(29)와 전기적 접속을 확립하고 유지하는 다이 부착 부분(41)은 상부층(35)의 상부면(공동(31a)과 마주하는)에 형성된다. SAW 소자(29) 및 다이 부착 부분(41)용 배선 패턴들(43, 44 및 45)은 범프들(39)을 통하여 SAW 소자(29)에 전기적, 기계적으로 접속한다.
이러한 구조를 가지고, SAW 소자(29)는 SAW 부품(6)이 다이 부착 부분(41)의 표면과 대면하도록 패키지(31) 상에서 아래로 향하도록 실장된다. SAW 소자(29)가 범프들(39)을 통하여 다이 부착 부분(41)에 전기적 기계적으로 접속되기 때문에, SAW 부품(6)과 다이 부착 부분(41) 사이에 간극이 형성된다. 따라서, SAW 부품(6)의 작동에 간섭이 없고, 또한 SAW 부품(6) 및 다이 부착 부분(41) 사이의 전기적 접속이 유지된다.
도 1 및 도 4에 도시된 것처럼, 배선 패턴들(42, 43, 44 및 45)이 서로 접촉하지 않도록, 불평형 신호 단자(13)와 전기적으로 접속을 확립하는 배선 패턴(42), 평형 신호 단자들(11 및 12)과 전기적으로 접속을 각각 확립하는 배선 패턴들(43 및 44; 전기 회로들) 및 접지 배선 패턴(45; 전기 회로)이 패키지(31)의 다이 부착 부분(41)의 표면에 형성된다.
불평형 신호 단자(13) 및 평형 신호 단자들(11 및 12)의 각각은 입력 단자 또는 출력 단자 중 하나로 한정할 수 있다. 예를 들어, 불평형 신호 단자(13)가 입력 단자를 한정할 때, 평형 신호 단자들(11 및 12)은 출력 단자들을 한정한다.
도 4에 도시된 것처럼, 배선 패턴들(42, 43 및 44)과 접지 배선 패턴(45) 상에, 도 4에서 흰 점들에 의하여 나타나는 금과 같은 우수한 전도성과 연성을 나타내는 전도 금속으로 이루어진 실질적으로 원형인 범프들(39)이 형성되고, 도 4에서 검은 점들에 의해 나타나는 비아홀들(via-holes: 46 및 47)이 형성된다.
비아홀들(46 및 47)은 전기적으로 절연된 바닥 부분(32)의 상부층(35)의 두께 방향으로 형성된다. 그리고 나서, 전도 금속이 비아홀들(46 및 47)에 채워져서, 상부층(35)의 상부면과 바닥면 사이에 전기적 접속을 확립한다.
비아홀들(46 및 47)은 하부층(36)의 상부면과 전기적 접속을 또한 확립한다. 즉, 비아홀들(46 및 47)은 상부층(35) 및 하부층(36) 사이에 형성된 전기 회로(도시되지 않음)에 접속된다.
도 5는 위에서(상부층(35)으로부터) 봤을 때 도 1에 도시된 바닥 부분(32)의 하부층(36)을 도시하는 평면도이다. 도 6은 아래에서 봤을 때 하부층(36)을 도시하는 평면도이다. 도 5에서의 2점 쇄선은 도 4에 도시된 다이 부착 부분(41)의 금속 피복 패턴들(배선 패턴들(42, 43, 44 및 45))의 위치들을 나타낸다. 금속 피복 패턴들은 전도 금속막, 예를 들어 니켈/금-도금 텅스텐 금속 피복막으로 만들어진 배선 패턴들이다.
도 4 ~ 도 6에 도시된 것처럼, 불평형 신호 배선 패턴들(42) 및 평형 신호 배선 패턴들(43 및 44)은 바닥 부분(32)의 상부층(35)의 다이 부착 부분(41)에서 내어지고, 축성들(48, 49 및 50)을 통하여 패키지(31)의 외부 단자들(56, 52 및 53)에 각각 접속된다.
이러한 구조를 가지고, 외부 단자(56) 및 패키지(31)의 중심에 대하여 외부 단자들(52 및 53)의 대칭 특성이 종래의 SAW 소자들에 대해 크게 개선되고, 더욱 바람직하게는, 외부 단자들(52 및 53)은 외부 단자(56) 및 패키지(31)의 중심에 대하여 대칭인 것이 바람직하다. 따라서, 외부 단자들(52 및 56) 사이에서 발생된 브릿지 커패시턴스는 외부 단자들(53 및 56) 사이에 발생된 것과 실질적으로 같다.
다이 부착 부분(41)의 접지 배선 패턴(45)은 축성(51)을 통해 패키지(31)의 접지 외부 단자(55)에 접속되고, 비아홀(46)을 통한 패키지(31)의 접지 외부 단자(54), 접지 금속 피복 패턴(61; 전기 회로) 및 바닥 부분(32)의 하부층(36)의 축성(62)에 또한 접속된다.
평형 신호 단자(44)는 비아홀(47)을 통해 바닥 부분(32)의 하부층(36)에서 금속 피복 패턴(전기 회로; 63)에 또한 접속된다. 바닥 부분(32)의 상부층(35)의 다이 부착 부분(41)에서의 금속 피복 패턴(63)과 접지 배선 패턴(45) 사이에서 커패시턴스가 발생된다. 예를 들어, 약 0.4㎊의 커패시터가 평형 신호 배선 패턴(44)에 평행하게 접속된다.
본 발명의 제 1바람직한 실시형태에 따른 SAW 장치의 작동과 이점들이 아래에 설명될 것이다. 도 7 및 도 8은 주파수 변화에 대하여 제 1바람직한 실시형태의 SAW 장치에 의해 획득된 진폭 평형도 및 위상 평형도의 각각을 도시한 그래프들이다. 비교를 위해, 도 21에 도시된 단일층 바닥 부분을 가진 종래의 패키지(200)에 실장된 본 바람직한 실시형태의 SAW 소자(29)를 포함하는 SAW 장치의 진폭 평형도 및 위상 평형도가 또한 도 7 및 도 8에 도시된다. 도 21에 도시된 패키지(200)에는 또한 도 6에 도시된 평형 신호 외부 단자들(52 및 53)이 형성된다.
DCS 수신 필터의 통과 대역에서의 주파수 범위는 예를 들어, 1805 ~ 1880MHz로 설정된다. 종래의 SAW 장치에서 도출된 이 범위에서 진폭 평형도의 최대 차이는 3.1dB이고, 반면에, 제 1바람직한 실시형태에서는 2.9dB이다. 그러므로 ,진폭 평형도는 약 0.2dB 개선된다. 위상 평형도와 관련하여, 종래의 SAW 장치에서 도출된 상술한 주파수 범위에서의 최대 차이는 27도인 반면에, 제 1바람직한 실시형태에서는 위상 평형도가 약 19도이다. 그러므로, 위상 평형도는 약 8도 개선된다.
제 1바람직한 실시형태의 평형도들의 개선 이유는 아래에 설명된다. 패키지(31)의 바닥 부분(32)의 하부층(36)에 금속 피복 패턴(63)을 형성하여 리액턴스 소자가 평형 신호 외부 단자(53)에 더해져서, 평형 신호 외부 단자들(52 및 53) 사이에서 주파수 특성의 차이를 감소한다. 결과적으로, 외부 단자들(52 및 53)의 평형도는 크게 개선된다.
즉, 평형 신호 외부 단자들(52 및 53) 사이의 주파수 특성의 차이는 장치 구조, 다이 부착 부분(41)에서의 전극들의 레이아웃 또는 지정된 매개변수들에 따라 변한다. 따라서, 평형도들은 리액턴스 소자를 평형 신호 외부 단자(52)에 더함으로서 개선된다.
도 9는 제 1바람직한 실시형태의 SAW 장치의 삽입 손실 주파수 특성을 도시하는 그래프이다. 비교를 위해, 도 21에 도시된 단일층 바닥 부분을 가진 종래의 패키지(200)에 실장된 SAW 소자(29)를 포함하는 SAW 장치의 삽입 손실이 또한 도 9에 나타난다. 제 1바람직한 실시형태에서, 통과 대역보다 큰 주파수 범위, 특히 2500 ~ 4000MHz에서의 감쇠는 종래의 SAW 장치에 대해 최대 약 20dB 개선된다.
이러한 감쇠에서의 개선 이유가 아래에 설명된다. 비아홀들(46 및 47)은 패키지(31)의 바닥 부분(32)의 상부층(35)에 형성된다. 그리고 나서, 다이 부착 부분(41)의 접지 배선 패턴(45)은 하부층(36)에서 금속 피복 패턴(63)을 통하여 패키지(31)의 접지 외부 단자(54)와 접속된다. 따라서, 접지 배선 패턴(45) 및 접지 외부 단자(54) 사이의 접속 부분들은 접지 강도를 강화하도록 증가되어, 감쇠를 개선한다.
제 1바람직한 실시형태의 구조에 따르면, 평형 신호 단자들 사이의 전기적 중성점이 방지된다. 일반적으로, 발룬 기능이 제공된 SAW 장치에서, 전기적 중성점 없이 SAW 장치에서 평형 신호 단자들을 대칭적으로 배치하는 것은 레이아웃 때문에 전기적 중성점을 가지고 SAW 장치에서 평형 신호 단자들을 대칭적으로 배치하는 것보다 더 어렵다. 그러므로, 본 발명은 전기적 중성점이 없이 SAW 장치에서 사용될 때 더욱 효과적이다. 그러나, 심지어 전기적 중성점을 갖는 SAW 장치에서는, 다른 IDT들의 인접한 전극 핑거들의 극성 사이의 차이 때문에 평형도들이 줄어든다. 그러므로, 전기적 중성점 없이 SAW 장치에 의해 제공된 것과 유사한 이점들이 전기적 중성점을 가진 SAW 장치에 대해 나타난다.
제 1바람직한 실시형태로 만들어진 변형의 예로서, 전기적 중성점을 가진 SAW 장치가 도 10에 도시된다. 도 10에 도시된 SAW 장치에서, 4개의 연장 결합 공진기 모드 SAW 소자들(71 ~ 74; SAW 소자들(73 및 74)의 중심 IDT들이 반전된다)이 발룬 기능을 형성하도록 사용된다. 평형 신호는 신호 단자들(75 및 76)로부터(또는 으로) 출력(또는 입력)된다.
제 1바람직한 실시형태로 만들어진 변형의 다른 예로서, 전기적 중성점을 가진 SAW 장치가 도 11에 도시된다. 이러한 SAW 장치에서, 패키지(31)의 바닥 부분(32)은 다층이고, 금속 피복 패턴이 층들 사이에 형성된다. 그리고 나서, 리액턴스 소자가 평형 신호 단자들 중 하나에 더해진다. 이러한 구조를 가지고, 평형도들이 크게 개선된다. 덧붙여서, 다이 부착 부분 및 접지 외부 단자 사이의 접속 부분들은 접지력을 강화하도록 증가되어, 감쇠를 개선한다. 도 11에 도시된 SAW 장치에서, 2개의 연장 결합 공진기 모드 SAW 소자들(81 및 82)은 종속 접속되고, SAW 소자(82)의 IDT(83)는 두 부분들로 나누어져서, 발룬 기능을 형성한다. 평형 신호는 평형 신호 단자들(84 및 85)로부터(또는 으로) 출력(또는 입력)된다.
제 1바람직한 실시형태로 만들어진 변형의 또다른 예가 도 12에 도시된다. 본 SAW 장치에서, 평형 신호 단자들(21)은 입력 신호 단자 및 출력 신호 단자 이 둘로서 작용을 한다. 본 발명을 이러한 SAW 장치에 적용함에 의하여, 평형도들 및 감쇠가 또한 개선된다.
제 1바람직한 실시형태에서, 패키지(31)의 바닥 부분(32)은 2개의 층들로 한정될지라도, 3개 이상의 층들에 의해 한정될 수 있다. 본 경우에 있어서, 유사하게, 리액턴스 소자, 지연 선로 및 저항 소자 중 적어도 하나를 포함하는 조정 부분은 평형 신호 단자들 사이에 삽입되고, 접지력은 다이 부착 부분(41) 및 접지 외부 단자(54) 사이에서 접속 부분들을 증가시켜 강화된다. 결과적으로, 제 1바람직한 실시형태에 의해 달성되는 것과 유사한 이점들이 획득된다.
제 1바람직한 실시형태에서, 평형 신호는 연장 결합 공진기 모드 SAW 소자(29)로부터(또는 으로) 출력(또는 입력)된다. 그러나, 횡결합 공진기 모드 SAW 소자 또는 횡결합 필터는 평형 신호를 출력(또는 입력)하는데 사용된다. 이 경우에, 제 1바람직한 실시형태에 의해 달성된 것과 유사한 이점들이 획득된다.
본 발명의 제 2바람직한 실시형태에 따른 SAW 장치는 도 13 및 도 14를 참조하여 아래에 설명된다. 제 2바람직한 실시형태는 바닥 부분(32)의 상부층(35)에 형성된 비아홀들의 수와 바닥 부분(32)의 하부층(36)에서의 금속 피복 패턴들의 구조에서 제 1바람직한 실시형태와 다르다. 제 2바람직한 실시형태에서, 제 1바람직한 실시형태에서 사용된 SAW 소자(29)가 아래로 향한 패키지(91)에 저장된다.
SAW 소자(29)의 설계의 상세, 패키지(91)의 전체적인 구조 및 외부 단자들의 배열은 제 1바람직한 실시형태의 것과 유사하고, 그의 설명을 생략한다. 도 13은 바닥 부분(92)의 상부층(92a)에 형성된 다이 부착 부분(92b)의 표면을 도시하는 평면도이다. 도 14는 위에서 봤을 때 바닥 부분(92)의 하부층(93)을 설명하는 평면도이다.
도 14에 도시된 2점 쇄선들은 도 13에 도시된 다이 부착 부분(92b)의 금속 피복 배선 패턴들(94, 95, 96 및 97; 전기 회로들)의 부분들을 나타낸다. 도 13에 도시된 다이 부착 부분(92b)에서, 흰 점들은 범프들의 위치들을 나타내는 반면에, 검은 점들은 비아홀들(97a, 98 및 99)의 위치들을 지정한다. 불평형 신호 단자(13)에 전기적으로 접속된 배선 패턴(94), 평형 신호 단자(11)에 전기적으로 접속된 배선 패턴(95), 평형 신호 단자(12)에 전기적으로 접속된 배선 패턴(96) 및 접지 배선 패턴(97)은 또한 다이 부착 부분(92b)에 형성된다.
배선 패턴들(95 및 96)은 비아홀들(전기 회로; 98 및 99)을 통해서 하부층(93)에서 금속 피복 패턴들(전기 회로; 93a 및 93b)에 각각 접속된다. 접지 배선 패턴(97)은 축성(51)을 통하여 접지 외부 단자(55)에 접속되고, 또한 비아홀(97a), 금속 피복 패턴(전기 회로; 93c) 및 바닥 부분(92)의 하부층(93)에서의 축성(62)을 통하여 패키지(91)의 접지 외부 단자(54)에 접속된다.
금속 피복 패턴(93a)은 리액턴스 소자를 한정하고, 예를 들어, 약 0.4nH의 값을 가진 리액턴스 소자(인덕턴스 소자)가 평형 신호 단자(11)에 직렬로 삽입된다. 커패시턴스는 바닥 부분(32)의 상부층의 다이 부착 부분(92b)에서 금속 피복 패턴(93b) 및 접지 배선 패턴(97) 사이에서 발생되고, 예를 들어, 약 0.4pF의 값을 가진 리액턴스 소자(커패시턴스 소자)는 평형 신호 단자(12)에 병렬로 삽입된다. 즉, 리액턴스 소자는 평형 신호 단자(11)에 직렬로 더해지고, 다른 리액턴스 소자는 평형 신호 단자(12)에 병렬로 더해진다.
상술한 SAW 장치에서, 패키지(91)의 외부 단자들(52, 53, 54, 55 및 56)의 레이아웃은 도 6에 도시된 레이아웃과 유사하다. 도 13에 도시된 배선 패턴들(94, 95 및 96)은 각각 외부 단자들(56, 52 및 53)과 접속된다.
제 2바람직한 실시형태의 SAW 장치의 작동과 이점들이 아래에 설명된다. 도 15 및 도 16은 주파수에서의 변화에 대하여 제 2바람직한 실시형태의 SAW 장치에 의해 획득된 각각의 진폭 평형도 및 위상 평형도를 설명하는 그래프들이다. 비교를 위해, 도 21에 도시된 단일층 바닥 부분을 가진 종래의 패키지(200)에 실장된 SAW 소자(29)를 포함하는 SAW 장치로 도출한 진폭 평형도 및 위상 평형도가 도 15 및 도 16에 또한 도시된다.
DSC 수신 필터의 통과 대역의 주파수 범위는 약 1805 ~ 1880MHz인 것이 바람직하다. 종래의 SAW 장치의 이 범위에서 진폭 평형도의 최대 차이는 3.2dB인 반면에, 제 2바람직한 실시형태의 것은 약 2.9dB이다, 그러므로, 진폭 평형도는 약 0.3dB 개선된다. 위상 평형도에 관하여, 종래의 SAW 장치로 도출한 상술한 주파수 범위에서의 최대 주파수 차이는 27도인 반면에, 제 2바람직한 실시형태의 것은 약 16도이다. 그러므로, 위상 평형도는 약 11도 개선된다.
이것은 외부 단자들(52 및 53) 사이의 주파수 특성의 차이가 그 사이의 평형도들을 개선하도록 줄기 때문이다. 즉, 바닥 부분(92)은 2층으로 한정되고, 전기 배선 패턴들은 2층들 사이에 삽입된다. 더욱 상세하게, 리액턴스 소자로서 작동하는 스트립 선로인 금속 피복 패턴(93a)은 평형 신호 단자(11)용으로 형성되는 반면에, 바닥 부분(92)의 하부층(93)에서의 금속 피복 패턴(93b) 및 상부층의 다이 부착 부분(92b)의 접지 배선 패턴(97) 사이의 겹치는 부분은 평형 신호 단자(12)용으로 형성된다. 이러한 배열을 가지고, 다른 리액턴스 소자들이 해당 평형 신호 단자들(11 및 12)에 더해져서, 외부 단자들(52 및 53) 사이의 주파수 특성들의 차이를 보정하여, 그 사이의 평형도들을 크게 개선한다.
상술한 것처럼, 제 2바람직한 실시형태에 따르면, 발룬 기능이 제공된 SAW 장치에서, 스트립 선로를 한정하는 금속 피복 패턴(93a)은 평형 신호 단자(11)에 접속되는 반면에, 하부층(93)에서의 금속 피복 패턴(93b) 및 상부층에서의 접지 배선 패턴(97) 사이의 중첩 부분은 다른 리액턴스 소자들이 해당 평형 신호 단자들(11 및 12)에 더해지도록 다른 평형 신호 단자(12)용으로 형성된다. 이런 배열을 가지고, 종래의 SAW 장치들에 대해 크게 개선된 평형도를 갖는 가진 SAW 장치가 획득된다.
제 1 및 제 2바람직한 실시형태에서, 전기 회로들이 바닥 부분(32)의 2층들 사이에 제공되기 때문에, 본딩 범프들(39)이 형성되는 영역은 제한되지 않고, 그에 의해 패키지(31 또는 91)의 접지력을 강화한다.
덧붙여서, 제 1 및 제 2바람직한 실시형태들에서, 리액턴스 소자들이 바닥 부분(32)의 하부층(36)의 상부면에 형성된 금속 피복 패턴들을 통하여 더해진다. 선택적으로, 지연 선로들 또는 저항 소자들인 바닥 부분(32)의 하부층(36)에 형성될 수 있고, 이 경우에, 제 1 및 제 2바람직한 실시형태들에 의해 생성된 것과 유사한 이점들이 획득된다.
도 17을 참조하여, 본 발명의 제 3바람직한 실시형태에 따른 제 1 및 제 2바람직한 실시형태들의 SAW 장치들 중 적어도 하나를 포함하는 통신 장치에 대해 설명이 주어진다. 통신 장치(600)에서, 도 17에 도시된 것처럼, 수신기(Rx)는 안테나(601), 안테나 공유 부분/RF 상부 필터(602), 증폭기(603), Rx부 필터(604), 혼합기(605), 제 1 IF 필터(606), 혼합기(607), 제 2 IF 필터(608), 제 1 및 제 2신호 국지 신시사이져(first-and-second-signal local synthesizer; 611), 온도 보상 결정 오실레이터(TCXO; 612), 분할기(613) 및 국지 필터(614)를 포함한다.
도 17의 Rx부 필터(604) 및 혼합기(605) 사이의 2선로들에 의해 나타나는 것처럼, 2 평형 신호들은 Rx부 필터(604)로부터 혼합기(605)로 전송되어 평형 특성을 유지하는 것이 바람직하다.
통신 장치(600)에서, 송신기(Tx)는 안테나(601), 안테나 공유 부분/RF 상부 필터(602), Tx IF 필터(621), 혼합기(622), Tx부 필터(623), 증폭기(624), 결합기(625), 절연체(626) 및 자동 전력 제어 장치(automatic power control device(APC 장치); 627)를 포함한다. 안테나(601) 및 안테나 공유 부분/RF 상부 필터(602)는 수신기(Rx) 및 송신기(Tx)에 의해 분할된다.
제 1 또는 제 2바람직한 실시형태의 SAW 장치는 Rx부 필터(604), 제 1IF 필터(606), Tx IF 필터(621) 및 Tx부 필터(623)로 사용된다.
본 발명의 다양한 바람직한 실시형태들의 SAW 장치는 필터링(filtering) 기능뿐만 아니라, 발룬 기능까지도 제공되고, 평형 신호들 사이에서 진폭 평형도 및 위상 평형도가 크게 개선되는 우수한 특성을 나타낸다. 그러므로, 복합 SAW 장치가 제공되는 본 발명의 통신 장치에 따르면, 많은 수의 부품들이 감소되고, 따라서, 통신 장치의 전체 크기가 크게 줄어든다. 전송 특성도 또한 크게 개선된다.
본 발명의 바람직한 실시형태들이 위에 설명되는 동안, 변형들 및 변화들이 본 발명의 범위 및 정신 내에서 본 기술분야에 숙련된 사람들에게는 이해된다. 그러므로, 본 발명의 범위는 다만 다음의 청구항들에 의해 결정되어야 한다.
도 1은 본 발명의 제 1바람직한 실시형태에 따른 SAW 장치를 개략적으로 설명하는 단면도;
도 2는 도 1에 도시된 SAW 장치에 사용되는 SAW 소자를 설명하는 개략도;
도 3은 도 1에 도시된 SAW 소자에 사용되는 기판에 종결합 공진기 모드 SAW 부품, SAW 공진기 평형 신호 단자들 및 불평형 신호 단자의 레이아웃(layout)을 설명하는 개략도;
도 4는 도 1에 도시된 SAW 장치의 패키지 내에 다이 부착 부분의 레이아웃을 설명하는 개략도;
도 5는 도 4에 도시된 패키지의 바닥 부분의 하부층을 개략적으로 설명하는 평면도;
도 6은 도 4에 도시된 패키지의 후면을 개략적으로 설명하는 평면도;
도 7은 도 1에 도시된 SAW 장치 및 종래의 SAW 장치 사이의 진폭 평형도의 차이를 설명하는 그래프;
도 8은 도 1에 도시된 SAW 장치 및 종래의 SAW 장치 사이의 위상 평형도의 차이를 설명하는 그래프;
도 9는 도 1에 도시된 SAW 장치 및 종래의 SAW 장치 사이의 삽입 손실 주파수 특성을 차이를 설명하는 그래프;
도 10은 전기적 중성점 및 발룬 기능이 제공된 도 2에 도시된 SAW 소자에 만들어진 변형의 예를 도시한 개략도;
도 11은 전기적 중성점 및 발룬 기능이 제공된 도 2에 도시된 SAW 소자에 만들어진 변형의 다른 예를 도시한 개략도;
도 12는 도 2에 도시된 SAW 소자에 만들어진 변형의 다른 예를 도시한 또다른 예를 설명하는 개략도;
도 13은 본 발명의 제 2바람직한 실시형태에 따른 SAW 소자의 패키지 내에 다이 부착 부분을 개략적으로 설명하는 평면도;
도 14는 도 13에 도시된 패키지의 바닥 부분의 하부층을 개략적으로 도시한 평면도;
도 15는 제 2바람직한 실시형태의 SAW 장치 및 종래의 SAW 장치 사이의 진폭 평형도의 차이를 설명하는 그래프;
도 16은 제 2바람직한 실시형태의 SAW 장치 및 종래의 SAW 장치 사이의 위상 평형도의 차이를 설명하는 그래프;
도 17은 본 발명의 제 3바람직한 실시형태에 따른 제 1 또는 제 2바람직한 실시형태의 SAW 장치를 포함하는 통신 장치의 핵심 부분을 설명하는 블록도;
도 18은 종래의 SAW 장치에 사용되는 SAW 소자를 설명하는 개략도;
도 19는 종래의 SAW 장치의 패키지의 후면을 개략적으로 설명하는 평면도;
도 20은 도 19에 도시된 패키지에 다이 부착 부분의 레이아웃을 개략적으로 설명하는 평면도;
도 21은 패키지에서 다른 다이 부착 부분을 개략적으로 설명하는 평면도; 및
도 22는 도 21에 도시된 다이 부착 부분에 접속된 외부 단자들을 개략적으로 설명하는 평면도; 이다.
(도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명)
11...평형 신호 단자 12...불평형 신호 단자
30...압전 기판 32...바닥 부분
35...상부층 36...하부층
43, 44, 45...배선 패턴 46, 47...비아홀
52, 53...외부 단자 61, 63...접지 금속 피복 패턴

Claims (20)

  1. 압전 기판에 형성되고, 적어도 하나의 인터디지털(interdigital) 전극 및 적어도 입력측과 출력측 어느 하나에 대해 형성되는 평형 신호 단자들을 포함하는 탄성 표면파 소자;
    상기 평형 신호 단자들을 외부 장치로 접속시키는 외부 단자들을 포함하고, 상기 탄성 표면파 소자를 유지하여 상기 적어도 하나의 인터디지털 전극이 그의 표면과 마주하도록 형성되는 다층 유지 기판; 및
    상기 다층 유지 기판의 층들 사이에 형성되고, 상기 평형 신호 단자들 사이의 평형도를 증가시키도록 상기 평형 신호 단자들과 상기 외부 단자들 사이에 위치되는 전기 회로; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 탄성 표면파 소자를 수용하는 패키지(package)를 더 포함하고, 상기 외부 단자들은 상기 전기 회로를 통하여 상기 패키지의 중심 부분에 대하여 실질적으로 대칭으로 배치되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 전기 회로는 상기 평형 신호 단자의 신호 전파 특성을 개선하기 위하여 상기 탄성 표면파 소자의 평형 신호 단자들 중 적어도 하나에 대해 형성되는 조정 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 조정 부분은 지연 선로, 리액턴스 소자 및 저항 소자 중 적어도 하나에 의해 한정되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 전기 회로는 상기 탄성 표면파 소자의 양 평형 신호 단자들에 대한 조정 부분들을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 평형 신호 단자들 중 하나에 대한 조정 부분들 중 하나의 조정도는 다른 평형 신호 단자에 대한 다른 조정 부분의 조정도와 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 탄성 표면파 소자는 적어도 3개의 인터디지털 전극들을 갖는 종결합 공진기 모드 탄성 표면파 부품을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 탄성 표면파 소자는 전기적 중성점이 평형 신호 단자들 사이에 형성되지 않도록 조립되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  9. 안테나;
    상기 안테나에 접속하는 안테나 공유 부분/RF 상부 필터;
    상기 안테나 공유 부분/RF 상부 필터의 일단에 접속하며, 수신부 필터 및 제1 IF 필터를 포함하는 수신부; 및
    상기 안테나 공유 부분/RF 상부 필터의 다른 일단에 접속하며, 송신부 필터 및 송신측 IF 필터를 포함하는 송신부;를 포함하는 통신 장치에 있어서,
    상기 수신부 필터, 상기 제1 IF 필터, 상기 송신부 필터, 및 상기 송신측 IF 필터 중 적어도 어느 하나는 제 1항에 기재된 탄성 표면파 장치인 것을 특징으로 하는 통신 장치.
  10. 제 1항에 있어서, 다이(die) 부착 부분은 상기 다층 유지 기판의 상부층의 상부면에 형성되어 상기 탄성 표면파 소자를 상기 전기 회로에 전기적으로 접속시키는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 탄성 표면파 소자는 범프들을 통해 상기 다이 부착 부분과 전기적 기계적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 다이 부착 부분은 상기 다층 유지 기판의 상부층에 형성된 비아홀(via hole)들에 의해 상기 전기 회로와 전기적 기계적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  13. 제 7항에 있어서, 상기 종결합 공진기 모드 탄성 표면파 부품은 적어도 3개의 인터디지털 전극들을 사이에 두는 적어도 2개의 반사기들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 외부 단자들은 상기 다층 유지 기판의 바닥층의 바닥면에 형성되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  15. 압전 기판에 형성되어 적어도 하나의 인터디지털 전극 및 2개의 평형 신호 단자들과 1개의 불평형 신호 단자를 포함하는 탄성 표면파 소자;
    적어도 상부층과 하부층에 의해 한정되고, 상기 2개의 평형 신호 단자들과 1개의 불평형 신호 단자를 외부 장치로 접속시키는 외부 단자들을 포함하고, 상기 적어도 하나의 인터디지털 전극과 표면이 마주하도록 배열되는 다층 유지 기판; 및
    상기 2개의 평형 신호 단자들과 상기 외부 단자들 사이 및 상기 불평형 신호 단자 및 상기 외부 전극들 사이에 위치되도록 상기 다층 유지 기판의 상부와 바닥층들 사이에 형성되어 상기 평형 신호 단자들 사이의 평형도를 증가시키는 복수의 배선 패턴들; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 탄성 표면파 소자를 수용하는 패키지를 더 포함하고, 상기 외부 단자들은 상기 복수의 배선 패턴들을 통해 상기 패키지의 중심 부분에 대하여 실질적으로 대칭인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  17. 제 15항에 있어서, 상기 복수의 배선 패턴들은 상기 표면 탄성파 소자의 상기 평형 신호 단자들 중 적어도 하나에 대해 형성되는 조정 부분을 포함하여 상기 평형 신호 단자의 신호 전파 특성을 개선하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 조정 부분은 지연 선로, 리액턴스 소자 및 저항 소자 중 적어도 하나에 의해 한정되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  19. 제 17항에 있어서, 상기 복수의 배선 패턴들은 상기 표면 탄성파 소자의 양 평형 신호 단자들에 대한 조정 부분들을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 평형 신호 단자들 중 하나에 대한 조정 부분들 중 하나의 조정도는 다른 평형 신호 단자에 대한 다른 조정 부분의 조정도와 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
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