KR100502043B1

KR100502043B1 - 전자 디바이스 제조장치, 전자 디바이스 제조방법 및 전자디바이스의 제조 프로그램

Info

Publication number: KR100502043B1
Application number: KR10-2003-0018017A
Authority: KR
Inventors: 시오자와마사쿠니
Original assignee: 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date: 2002-03-22
Filing date: 2003-03-22
Publication date: 2005-07-18
Also published as: TWI258192B; CN1227726C; US20030221853A1; JP3770238B2; CN1447407A; JP2004006649A; TW200402811A; KR20030076455A

Abstract

간단한 구성으로, 제품의 품질 관리를 용이하게 행할 수 있고, 더불어 라인 정지시에 있어서의 제품의 손상을 확실하게 회피할 수 있도록 한다.

프리히트 블록(111)을 정위치로부터 테이프 기판(100)의 소정 블록 길이의 회로 기판(101)에 서서히 상승 이동에 의해 접근시켜서 예열을 가한 후, 정위치로 되돌리고, 프리히트 블록(111)에 근접 배치되는 메인 히트 블록(112)을 소정 택트로 반송되는 예열이 가해진 회로 기판(101)에 접촉시켜서 피크열을 가한 후, 정위치로 되돌리고, 냉각 블록(113)을 피크열이 가해진 회로 기판(101)에 접근시켜서 회로 기판(101)을 냉각한 후, 정위치로 되돌리도록 한다.

Description

전자 디바이스 제조 장치, 전자 디바이스 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 프로그램{APPARATUS, METHOD AND PROGRAM FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE}

본 발명은 전자 디바이스 제조 장치, 전자 디바이스 제조 방법 및 전자 디바이스 제조 프로그램에 관한 것이고, 특히, 전자 부품이 실장된 테이프 기판 등의 납땜 리플로우 공정에 적용하여 바람직한 것이다.

반도체 장치 제조에 있어서는, COF(chip on film) 모듈이나 TAB(Tape Automated Bonding) 모듈 등에 있어서의 회로 기판에 리플로우 방식에 의해 예를 들면 반도체 칩을 실장하는 공정이 있다.

도 17은 종래의 전자 디바이스 제조 방법을 도시하는 도면이다.

도 17에 있어서, 리플로우 공정에는 테이프 기판(801)의 우측 화살표의 반송 방향을 따라, 히터 존(811∼813) 및 냉각 존(814)이 설치되어 있다. 여기서, 리플로우 공정에서는 급격한 고온 가열을 가하면, 회로 기판(801)과 반도체 칩 사이의 접착제 등의 접합 부재나 반도체 칩 자체에 리플로우 균열이 발생하거나, 납땜 페이스트에 의한 납땜 접합이 양호하게 행하여지지 않거나 하는 일이 있다. 그 때문에, 히터 존(811, 812)에서는 예열을 가하고, 히터 존(813)에서는 피크열을 가하도록 되어 있다. 피크열은 납땜 융점 +α로 되어 있다. 한편, 리플로우 공정에서의 리플로우 방식에는 열풍 순환 방식에 의한 에어 가열, 램프 가열 방식, 원적외선 방식 등이 채용되어 있다.

그리고, 반도체 칩의 단자가 납땜 페이스트를 통해서 회로 기판의 배선 상에 용융에 의해 접합되면, 냉각 존(814)에서 냉각됨으로써, 반도체 칩이 회로 기판 상에 고정된다. 냉각 존(814)에서는 저온 에어를 순환시키는 방식이 모색되고 있다.

그렇지만, 열풍 순환 방식에 의한 에어 가열에서는 열전도성이 나쁘기 때문에, 히터 존(811∼813)에 있어서의 가열 처리 시간이 길어져 버리고, 생산성 향상이 방해된다. 또, 열풍 순환 방식에 의한 것에서는 열풍 순환을 위한 기구가 대규모이기 때문에, 장치의 소형화를 도모하는 데에 있어서 방해된다.

또, 램프 가열 방식이나 원적외선 방식에서는 스팟 가열을 행하는 방식이기 때문에, 히터 존(811∼813) 사이에서의 차광 구조가 필요해져, 결과적으로 장치 구성이 대규모로 되어 버린다.

또, 이들 리플로우 방식에서는 열 방산성이 크기 때문에, 테이프 기판(801)에 대하여, 소정 블록 길이 단위로 가열 처리나 냉각 처리를 행하는 경우, 블록 길이에 맞춘 처리 시간의 대응이 곤란하다. 또, 히터 존(811∼813) 사이에서는 열 이동이 있기 때문에, 히터 존(811∼813) 사이에서의 경계 온도를 뚜렷하게 유지하는 것은 곤란하다.

또, 상술한 리플로우 방식에 있어서는, 어떠한 원인에 의해 라인이 일정 시간 이상 정지한 경우, 가열원의 스위치를 오프함으로써, 가열 처리를 중단하도록 하고 있다. 그런데, 이러한 라인의 일정 시간 이상의 정지가 발생한 경우, 가열 처리 중의 제품을 대피시킬 수 없기 때문에, 제품의 손상을 회피하는 것이 곤란해진다.

또, 히터 존(811)의 앞에 위치하는 다음에 가열 처리해야 할 테이프 기판(801)에도 열이 전달되어 버리기 때문에, 제품의 품질 관리가 곤란해진다.

또, 라인의 정지가 복구된 경우에는, 예열, 피크열 및 냉각이 다시 가해지게 되지만, 손상을 입은 제품 부분을 리플로우 공정 외로 송출한 후, 가열원의 스위치를 온시킬 필요가 있기 때문에, 복구 후의 가열 처리나 냉각 처리의 통상 운전이 행하여지기까지의 대기 시간이 지속되어 버린다는 문제도 있다.

또, 리플로우 공정에서의 냉각 존(814)에서는 저온 에어로 냉각되도록 되어 있기 때문에, 냉각 처리 시간이 길어져 버리고, 특히 납땜 페이스트가 납 프리인 경우에는, 열산화를 방지하는 것이 곤란해진다.

그래서, 본 발명의 목적은 간단한 구성으로 제품의 품질 관리를 용이하게 행할 수 있고, 더불어 라인 정지시에 있어서의 제품의 손상을 회피할 수 있는 전자 디바이스 제조 장치, 전자 디바이스 제조 방법 및 전자 디바이스 제조 프로그램을 제공하는 것이다.

상술한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 전자 부품 탑재 영역이 회로 블록마다 형성된 연속체의 피가열 처리 영역과의 거리가 제어됨으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 발열 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역과 발열 수단과의 거리를 제어함으로써, 피가열 처리 영역의 가열 상태를 용이하게 제어하는 것이 가능해져, 피가열 처리 영역을 반송 도중에서 정지시킨 경우에 있어서도, 피가열 처리 영역의 온도를 용이하게 제어하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 리플로우 공정에 있어서의 급격한 온도 변화를 억제하는 것을 가능하게 하여, 전자 부품이나 납땜재 등에 가해지는 손상을 저감하는 것이 가능해짐과 더불어, 라인 정지시에 있어서의 제품의 열적 손상을 용이하게 회피시킬 수 있고, 장치의 대형화를 억제하면서, 리플로우 처리에 있어서의 품질 관리를 용이하게 행하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 발열 수단은 상기 연속체의 피가열 처리 영역의 적어도 일부에 접근하던가, 혹은 접촉함으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 복사열 또는 열전도에 의해 피가열 처리 영역의 가열 상태를 제어하는 것이 가능해져, 발열 수단에서 발생한 열이 주위로 방산하는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 회로 블록 단위로 온도 프로필을 정밀하게 제어하는 것이 가능해져, 품질 관리를 용이하게 행하는 것이 가능해짐과 더불어, 열풍 순환 방식에 있어서의 차폐 구조나, 램프 가열 방식 또는 원적외선 방식에 있어서의 차광 구조가 불필요해져, 공간 절약화를 도모하는 것이 가능해진다.

또, 발열 수단을 연속체의 피가열 처리 영역에 접촉시킴으로써, 회로 블록의 온도를 신속하게 상승시키는 것이 가능해져, 반송시의 소요 시간을 단축하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 납땜 도포 공정이나 마운트 공정에 있어서의 반송 택트와 리플로우 공정에 있어서의 반송 택트를 정합시키는 것을 가능하게 하여, 납땜 도포 처리, 전자 부품의 마운트 처리 및 리플로우 처리를 일괄적으로 행하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 발열 수단은 상기 연속체의 이면측 또는 표면측으로부터 접촉하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 발열 수단이 연속체의 이면측으로부터 접촉함으로써, 높이가 다른 전자 부품이 연속체 상에 배치되어 있는 경우에 있어서도, 연속체에 효율적으로 열을 전하는 것이 가능해져, 리플로우 처리를 안정하게 행하는 것이 가능해진다.

또, 발열 수단이 연속체의 표면측으로부터 접촉함으로써, 발열 수단이 전자 부품에 직접 접촉하는 것을 가능하게 하여, 발열 수단이 연속체에 접촉하는 것을 방지하는 것이 가능해져, 연속체가 발열 수단에 부착되는 것을 방지하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 발열 수단은 이동 속도 또는 이동 위치가 제어됨으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 단계적으로 제어하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 온도가 다른 다수의 발열 수단을 이용하는 일 없이, 피가열 처리 영역의 온도를 단계적으로 제어하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 피가열 처리 영역의 리플로우 처리를 행할 때의 급격한 온도 변화를 방지하는 것이 가능해져, 공간 절약화를 가능하게 하면서, 리플로우 처리에 있어서의 품질 열화를 억제하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 발열 수단은 상하 이동 또는 수평 이동하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 발열 수단을 상하 이동시킴으로써, 피가열 처리 영역이 넓은 경우에 있어서도, 피가열 처리 영역의 온도 분포의 균일성을 유지하면서, 피가열 처리 영역의 온도를 단계적으로 상승시키거나, 단계적으로 강하시키거나 하는 것이 가능해짐과 더불어, 리플로우 존의 면적 증대를 억제하면서, 발열 수단을 피가열 처리 영역으로부터 신속하게 이격하는 것이 가능해진다.

이 때문에, 라인에 트러블이 발생해서 반송계가 정지한 경우에 있어서도, 공간 절약화를 가능하게 하면서, 피가열 처리 영역에 대한 열적 손상을 신속하게 회피시키는 것이 가능해져, 리플로우 처리에 있어서의 품질 열화를 억제하는 것이 가능해진다.

또, 발열 수단을 수평 이동시킴으로써, 연속체의 반송 속도와 발열 수단의 이동 속도를 일치시키는 것이 가능해져, 피가열 처리 영역의 정지 위치에 의한 가열 온도차를 저감시키는 것이 가능해짐과 더불어, 제품 피치가 다른 경우에 있어서도, 가열 시간의 균일성을 유지하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 발열 수단은 동일한 피가열 처리 영역에 다수회 접촉하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역에 대한 열적 손상을 회피시키기 때문에, 발열 수단을 이격한 경우에 있어서도, 피가열 처리 영역의 급격한 온도 변화를 방지하면서, 피가열 처리 영역을 본래의 온도로 용이하게 복귀시키는 것이 가능해져, 공간 절약화를 가능하게 하면서, 리플로우 처리에 있어서의 품질 열화를 억제하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 발열 수단은 상기 회로 블록 상에 도포되는 납땜 도포 영역보다도 큰 접촉 면적을 가지고, 다수의 회로 블록에 대해서 일괄적으로 온도를 상승시키는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역을 발열 수단에 접촉시킴으로써, 다수의 회로 블록에 대해서 일괄적으로 리플로우 처리를 행하는 것이 가능해짐과 더불어, 제품 피치가 다른 경우에 있어서도, 발열 수단을 교환하는 일 없이, 리플로우 처리를 행하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 발열 수단은 설정 온도가 다른 다수의 접촉 영역을 가지고, 상기 접촉 영역이 상기 피가열 처리 영역에 순차로 접촉함으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 단계적으로 상승시키는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 열전도에 의해 피가열 처리 영역의 가열 상태를 제어하는 것이 가능해져, 발열 수단에서 발생한 열이 주위로 방산하는 것을 억제하면서, 피가열 처리 영역의 온도를 단계적으로 상승시키는 것이 가능해진다. 이 때문에, 열풍 순환 방식에 있어서의 차폐 구조나, 램프 가열 방식 또는 원적외선 방식에 있어서의 차광 구조를 이용하는 일 없이, 회로 블록 단위로 온도 프로필을 단계적으로 제어하는 것이 가능해져, 공간 절약화를 도모하면서, 품질 관리를 용이하게 행하는 것이 가능해진다.

또, 발열 수단을 연속체의 피가열 처리 영역에 순차로 접근시킴으로써, 회로 블록의 온도를 단계적으로 또한 신속하게 상승시키는 것이 가능해져, 피가열 처리 영역의 급격한 온도 변화를 방지하면서, 반송시의 소요 시간을 단축하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 리플로우 처리에 있어서의 품질 열화를 억제하면서, 납땜 도포 공정이나 마운트 공정에 있어서의 반송 택트와 리플로우 공정에 있어서의 반송 택트를 정합시키는 것을 가능하게 하여, 납땜 도포 처리, 전자 부품의 마운트 처리 및 리플로우 처리를 일괄적으로 행하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 설정 온도가 다른 다수의 접촉 영역은 상기 연속체의 반송 방향을 따라 나란히 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 연속체를 반송함으로써, 설정 온도가 다른 다수의 접촉 영역에 피가열 처리 영역을 순차로 접촉시키는 것이 가능해져, 발열 수단을 이동시키는 일 없이, 피가열 처리 영역의 온도를 단계적으로 상승시키는 것이 가능해짐과 더불어, 다수의 피가열 처리 영역에 대해서 일괄적으로 리플로우 처리를 행하는 것이 가능해진다.

이 때문에, 리플로우 처리를 행할 때의 피가열 처리 영역의 급격한 온도 변화를 방지하면서, 리플로우 처리에 있어서의 소요 시간을 단축하는 것이 가능해져, 제품 품질을 유지하면서, 리플로우 처리를 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 설정 온도가 다른 접촉 영역 간에는 공극이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 설정 온도가 다른 접촉 영역 간의 경계에서 온도차를 뚜렷하게 유지하는 것이 가능해져, 각 피가열 처리 영역의 온도 프로필을 정밀하게 제어하는 것을 가능하게 하여, 리플로우 처리에 있어서의 제품 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 설정 온도가 다른 다수의 접촉 영역은 개별로 이동 가능한 것을 특징으로 한다.

이것으로, 특정한 회로 블록에 대한 예비 가열을 계속시킨 채, 다른 회로 블록에 대한 메인 가열을 중단시키는 것이 가능해진다. 이 때문에, 메인 가열을 도중에서 중단시킨 경우에 있어서도, 예비 가열이 도중에 중단되는 것을 방지하는 것이 가능해져, 제품 불량을 저감하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 피가열 처리 영역과 접촉하는 상기 발열 수단의 접촉면은 평탄한 것을 특징으로 한다.

이것으로, 발열 수단의 접촉면 상에 연속체를 접촉시킨 채, 연속체를 매끄럽게 반송하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 발열 수단의 접촉면에 연속체를 접촉시켜서 가열할 때에, 발열 수단의 이동 동작을 생략하는 것이 가능해져, 리플로우 처리의 소요 시간을 단축하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 발열 수단의 접촉면에는 상기 피가열 처리 영역의 반도체 칩의 배치 위치에 대응한 오목부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 반도체 칩이 배치되는 영역에 발열 수단이 직접 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 열에 약한 반도체 칩이 연속체 상에 마운트되어 있는 경우에 있어서도, 반도체 칩에 가해지는 열적 손상을 억제하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 연속체의 피가열 처리 영역과 상기 발열 수단 사이에 이탈 삽입 가능한 셔터 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역을 발열 수단으로부터 회피시켰을 때에, 발열 수단으로부터의 복사열에 의해 피가열 처리 영역이 계속해서 가열되는 것을 억제하는 것이 가능해져, 회피 시간이 길어진 경우에 있어서도, 피가열 처리 영역에 대한 열적 손상을 억제하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 발열 수단에 의한 상기 피가열 처리 영역의 가열 시간을 계측하는 시간 계측 수단과, 상기 가열 시간이 소정 시간을 초과한 경우, 상기 피가열 처리 영역으로부터 상기 발열 수단을 이격하는 이격 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역에 대한 가열 처리 중 등에, 라인에 트러블이 발생해서 반송계가 정지한 경우에 있어서도, 피가열 처리 영역에 대한 열적 손상을 신속하게 회피시키는 것이 가능해져, 리플로우 처리에 있어서의 품질 열화를 억제하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 발열 수단을 지지하는 지지대와, 상기 연속체의 반송 방향을 따라 상기 지지대를 슬라이드시키는 슬라이드 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 육안으로 확인하면서, 발열 수단의 위치를 제품 피치에 맞추는 것이 가능해져, 제품 피치가 다른 경우에 있어서도, 가열 시간의 균일성을 유지하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 발열 수단과 다른 방향으로부터 상기 연속체의 피가열 처리 영역을 가열하는 가열 보조 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역을 발열 수단으로부터 회피시킨 경우에 있어서도, 피가열 처리 영역의 온도를 소정치 이상으로 유지하는 것이 가능해져, 피가열 처리 영역의 온도가 지나치게 내려가, 제품 불량이 발생하는 것을 방지하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 발열 수단에 의해 온도가 상승된 상기 피가열 처리 영역의 온도를 강하시키는 온도 강하 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 발열 수단에 의해 온도가 상승된 피가열 처리 영역의 온도를 급속히 강하시키는 것이 가능해지고, 땜납 젖음성을 향상시켜서, 접합을 안정시키는 것이 가능해짐과 더불어, 납땜의 열산화를 방지할 수 있다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 온도 강하 수단은 상기 피가열 처리 영역을 향하는 면측에 다수의 냉각제 분사 구멍을 가진 평판 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 전자 부품이 피가열 처리 영역 상에 실장되어 있는 경우에 있어서도, 냉각제를 구석구석까지 널리 퍼지게 하는 것을 가능하게 하여, 피가열 처리 영역 상의 온도를 효율적으로 강하시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 온도 강하 수단은 상기 피가열 처리 영역을 두께 방향의 상하에서 덮어서 개재시키는 단면 コ자 형상 덮기 개재 구멍과, 상기 덮기 개재 구멍의 내면에 형성된 다수의 냉각제 분사 구멍을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역의 표면측과 이면측으로부터 피가열 처리 영역을 냉각하는 것이 가능해져, 피가열 처리 영역의 온도를 효율적으로 강하시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 온도 강하 수단은 상기 발열 수단보다도 온도가 낮은 영역을 구비하고, 상기 온도가 낮은 영역이 상기 연속체의 피가열 처리 영역의 적어도 일부에 접촉함으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 강하시키는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 열전도에 의해 피가열 처리 영역의 냉각 상태를 제어하는 것이 가능해져, 냉각 효율을 향상시켜서, 냉각 시간을 단축하는 것이 가능해진다.

이 때문에, 냉각시의 소요 시간을 단축하는 것이 가능해져, 납땜의 열산화를 억제하여, 제품 품질의 열화를 억제하는 것이 가능해짐과 더불어, 리플로우 처리를 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 온도가 낮은 영역은 상기 납땜 도포 수단에 의해 도포되는 납땜 도포 영역보다도 큰 접촉 면적을 가지며, 상기 온도 강하 수단은 다수의 회로 블록에 대해서 일괄적으로 온도를 강하시키는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 발열 수단보다도 온도가 낮은 영역에 피가열 처리 영역을 접촉시킴으로써, 다수의 회로 블록에 대해서 일괄적으로 냉각 처리를 행하는 것이 가능해짐과 더불어, 제품 피치가 다른 경우에 있어서도, 온도 강하 수단을 교환하는 일 없이, 냉각 처리를 행하는 것이 가능해져, 생산 효율을 향상시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치에 따르면, 상기 온도가 낮은 영역은 상기 발열 수단의 전단계 또는 후단계 혹은 상기 발열 수단 사이에 나란히 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 연속체를 반송함으로써, 발열 수단보다도 온도가 낮은 영역에 피가열 처리 영역을 접촉시키는 것이 가능해지고, 발열 수단보다도 온도가 낮은 영역을 고정한 채로, 피가열 처리 영역의 온도를 강하시키는 것이 가능해짐과 더불어, 다수의 피가열 처리 영역에 대해서 일괄적으로 냉각 처리를 행하는 것이 가능해진다.

또, 발열 수단보다도 온도가 낮은 영역을 발열 수단의 전단계 또는 상기 발열 수단 사이에 나란히 배치함으로써, 발열 수단으로부터 발생하는 열이 발열 수단에 접촉하고 있지 않은 영역까지 전달되는 것을 방지할 수 있어, 피가열 처리 영역의 온도 프로필을 정밀하게 유지하는 것을 가능하게 하여, 리플로우 처리에 있어서의 제품 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 전자 부품 탑재 영역이 회로 블록마다 형성된 연속체의 피가열 처리 영역과 발열 수단과의 거리가 제어됨으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역과 발열 수단과의 거리를 제어함으로써, 피가열 처리 영역의 가열 상태를 용이하게 제어하는 것이 가능해져, 피가열 처리 영역을 반송 도중에서 정지시킨 경우에 있어서도, 피가열 처리 영역의 온도를 용이하게 제어하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 리플로우 공정에 있어서의 소요 시간을 단축하는 것이 가능해짐과 더불어, 리플로우 공정에 있어서의 급격한 온도 변화를 억제하여, 전자 부품이나 납땜재 등에 가해지는 손상을 저감하는 것이 가능해져, 리플로우 처리에 있어서의 품질 열화를 억제하면서, 리플로우 처리를 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 연속체의 피가열 처리 영역의 적어도 일부에 상기 발열 수단을 접근시키던가, 혹은 접촉시킴으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 다수의 회로 블록을 상기 발열 수단에 일괄적으로 접촉시키는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역을 발열 수단에 접촉시킴으로써, 다수의 회로 블록에 대해서 일괄적으로 리플로우 처리를 행하는 것이 가능해져, 생산 효율을 향상시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 동일한 회로 블록을 상기 발열 수단에 다수회 접촉시키는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역에 대한 열적 손상을 회피시키기 때문에, 발열 수단을 이격한 경우에 있어서도, 피가열 처리 영역의 급격한 온도 변화를 방지하면서, 피가열 처리 영역을 본래의 온도로 용이하게 복귀시키는 것이 가능해져, 스페이스 절약화를 가능하게 하면서, 리플로우 처리에 있어서의 품질 열화를 억제하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 연속체의 제1 피가열 처리 영역을 상기 발열 수단 상에 반송하는 공정과, 상기 발열 수단 상에 반송된 상기 제1 피가열 처리 영역을 상기 발열 수단에 접촉시킴으로써, 상기 제1 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 공정과, 상기 연속체의 제2 피가열 처리 영역을 상기 발열 수단 상에 반송하는 공정과, 상기 발열 수단 상에 반송된 상기 제2 피가열 처리 영역을 상기 발열 수단에 접촉시킴으로써, 상기 제2 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 연속체를 발열 수단 상에 반송함으로써, 피가열 처리 영역을 발열 수단에 접촉시키는 것이 가능해져, 리플로우 처리의 소요 시간을 단축하는 것을 가능하게 하여, 생산 효율을 향상시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 연속체의 피가열 처리 영역을 상기 발열 수단 상에 반송하는 공정과, 상기 발열 수단 상에 반송된 피가열 처리 영역에 상기 발열 수단을 단계적으로 접근시킴으로써, 상기 가열 처리 영역의 온도를 단계적으로 상승시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 온도가 일정한 발열 수단을 이용함으로써, 피가열 처리 영역의 온도를 단계적으로 상승시키는 것이 가능해져, 공간 절약화를 가능하게 하면서, 리플로우 처리에 있어서의 열적 손상을 억제하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 발열 수단에 의한 상기 피가열 처리 영역의 가열 후 또는 가열 중에, 상기 발열 수단을 상기 피가열 처리 영역으로부터 이격하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역에 대한 가열 처리 중 등에 반송계가 정지한 경우에 있어서도, 피가열 처리 영역에 대한 열적 손상을 신속하게 회피시키는 것이 가능해져, 리플로우 처리에 있어서의 품질 열화를 억제하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 이격된 상기 발열 수단과 상기 피가열 처리 영역 사이에 열 차단판을 삽입하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 발열 수단과 피가열 처리 영역 사이에 열 차단판을 삽입 가능한 거리만큼, 발열 수단을 피가열 처리 영역으로부터 이격함으로써, 피가열 처리 영역에 대한 열적 손상을 억제하는 것이 가능해져, 공간 절약화를 가능하게 하면서, 리플로우 처리에 있어서의 품질 열화를 억제하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 피가열 처리 영역으로부터 이격된 상기 발열 수단을 상기 피가열 처리 영역에 다시 접촉시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역에 대한 열적 손상을 회피시키기 때문에, 발열 수단을 이격한 경우에 있어서도, 피가열 처리 영역의 급격한 온도 변화를 방지하면서, 피가열 처리 영역을 본래의 온도로 용이하게 복귀시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 피가열 처리 영역으로부터 이격된 상기 발열 수단을 상기 피가열 처리 영역에 다시 접촉시키기 전에, 상기 피가열 처리 영역에 열풍을 분사하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역을 발열 수단으로부터 이격한 경우에 있어서도, 피가열 처리 영역의 온도를 소정치 이상으로 유지하는 것이 가능해져, 제품 불량이 발생하는 것을 방지하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 연속체의 제1 피가열 처리 영역을 제1 발열 수단 상에 반송함과 더불어, 상기 연속체의 제2 피가열 처리 영역을 상기 제1 발열 수단보다도 고온의 제2 발열 수단 상에 반송하는 공정과, 상기 제1 발열 수단 상에 반송된 상기 제1 피가열 처리 영역을 상기 제1 발열 수단에 접촉시킴으로써, 상기 제1 피가열 처리 영역의 온도를 상승시킴과 더불어, 상기 제2 발열 수단 상에 반송된 상기 제2 피가열 처리 영역을 상기 제2 발열 수단에 접촉시킴으로써, 상기 제2 피가열 처리 영역의 온도를 상기 제1 피가열 처리 영역보다도 고온으로 상승시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 연속체를 반송함으로써, 다수의 피가열 처리 영역에 대해서 일괄적으로 온도를 단계적으로 상승시키는 것이 가능해져, 리플로우 처리에 있어서의 열적 손상을 억제하면서, 리플로우 처리의 신속화를 도모하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 제1 발열 수단 및 상기 제2 발열 수단은 상기 제1 발열 수단이 전단계로 되도록 상기 연속체의 반송 방향을 따라 나란히 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 연속체를 반송함으로써, 설정 온도가 다른 다수의 발열 수단에 다수의 피가열 처리 영역을 일괄적으로 접촉시키는 것이 가능해져, 발열 수단을 이동시키는 일 없이, 다수의 피가열 처리 영역의 온도를 단계적으로 일괄적으로 상승시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 제1 및 제2 발열 수단에 의한 상기 피가열 처리 영역의 가열 후 또는 가열 중에, 상기 제1 발열 수단을 상기 제1 피가열 처리 영역에 접촉시킨 채, 상기 제2 발열 수단을 상기 제2 피가열 처리 영역으로부터 이격하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 다수의 피가열 처리 영역에 대한 가열 처리 중에 반송계가 정지한 경우에 있어서도, 제1 피가열 처리 영역에 대해서는 온도를 일정하게 유지한 채, 제2 피가열 처리 영역에 대한 열적 손상을 신속하게 회피시키는 것이 가능해져, 피가열 처리 영역의 가열 상태가 다른 경우에 있어서도, 리플로우 처리에 있어서의 품질 열화를 억제하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 제2 피가열 처리 영역으로부터 이격된 상기 제2 발열 수단을 상기 제2 피가열 처리 영역에 다시 접촉시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 제2 피가열 처리 영역에 대한 열적 손상을 회피시키기 때문에, 제2 발열 수단을 제2 피가열 처리 영역으로부터 이격한 경우에 있어서도, 제1 피가열 처리 영역의 온도에 영향을 미치는 일 없이, 제2 피가열 처리 영역을 본래의 온도로 복귀시키는 것이 가능해져, 제품 불량을 발생시키는 일 없이, 리플로우 처리를 재개시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 제2 피가열 처리 영역으로부터 이격된 상기 제2 발열 수단을 상기 제2 피가열 처리 영역에 다시 접촉시키기 전에, 상기 제2 피가열 처리 영역에 열풍을 분사하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 제2 피가열 처리 영역에 대한 열적 손상을 회피시키기 때문에, 제2 피가열 처리 영역을 제2 발열 수단으로부터 이격한 경우에 있어서도, 제2 피가열 처리 영역의 온도를 소정치 이상으로 유지하는 것이 가능해져, 제품 불량이 발생하는 것을 방지하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 발열 수단의 위치가 제품 피치에 대응하도록, 상기 연속체의 반송 방향을 따라 상기 발열 수단을 지지하는 지지대를 슬라이드시키는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 발열 수단에 의해 온도가 상승된 피가열 처리 영역의 온도를 강하시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 발열 수단에 의해 온도가 상승된 피가열 처리 영역의 온도를 급속히 강하시키는 것이 가능해지고, 땜납 젖음성을 향상시켜서, 접합을 안정시키는 것이 가능해짐과 더불어, 피가열 처리 영역이 장시간 고온으로 유지되는 것을 방지하여, 납땜의 열산화를 방지할 수 있다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 발열 수단에 의해 온도가 상승된 피가열 처리 영역의 적어도 일부에 상기 발열 수단보다 온도가 낮은 영역을 접촉시킴으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 강하시키는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 피가열 처리 영역의 냉각 상태를 열전도에 의해 제어하는 것이 가능해져, 냉각 효율을 향상시켜서, 냉각 시간을 단축하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 냉각시의 소요 시간을 단축하는 것이 가능해져, 납땜의 열산화를 억제하여, 제품 품질의 열화를 억제하는 것이 가능해짐과 더불어, 리플로우 처리를 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 온도가 낮은 영역은 상기 발열 수단의 전단계 또는 후단계 혹은 상기 발열 수단 사이에 나란히 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 연속체를 반송함으로써, 발열 수단보다도 온도가 낮은 영역에 피가열 처리 영역을 접촉시키는 것이 가능해져, 리플로우시에 있어서는 냉각 처리를 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.

또, 발열 수단보다도 온도가 낮은 영역을 발열 수단의 전단계 또는 발열 수단 사이에 나란히 배치함으로써, 발열 수단으로부터 발생하는 열을 발열 수단의 경계에서 차단할 수 있고, 발열 수단의 경계 온도를 뚜렷하게 유지하는 것을 가능하게 하여, 리플로우 처리에 있어서의 제품 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법에 따르면, 상기 발열 수단에 의해 온도가 상승된 피가열 처리 영역의 한 면 또는 양면에 기체를 분사시킴으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 강하시키는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 일형태에 관한 전자 디바이스 제조 프로그램에 따르면, 전자 부품 탑재 영역이 회로 블록마다 형성된 연속체의 피가열 처리 영역과 발열 수단과의 거리를 제어시킴으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 단계를 컴퓨터로 실행시키는 것을 특징으로 한다.

이것으로, 전자 디바이스 제조 프로그램을 인스톨함으로써, 연속체의 피가열 처리 영역과 발열 수단과의 거리를 적정하게 제어시키는 것이 가능해져, 리플로우시의 열적 손상을 억제하면서, 전자 디바이스를 효율적으로 제조하는 것이 가능해진다.

(발명의 실시 형태)

이하, 본 발명의 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치 및 그 제조 방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법을 도시하는 도면이다.

도 1에 있어서, 로더(21)와 언로더(25) 사이에는 납땜 도포 존(22), 마운트 존(23) 및 리플로우 존(24)이 테이프 기판(31)의 반송 방향을 따라 나란히 배치되어 있다.

한편, 테이프 기판(31)에는 전자 부품 탑재 영역이 회로 블록(B11∼B13)마다 형성되고, 각 회로 블록(B11∼B13)에는 회로 기판(31a∼31c)이 각각 설치되어 있다. 그리고, 각 회로 기판(31a∼31c) 상에는 배선(32a∼32c)이 각각 형성되며, 배선(32a∼32c)의 단자 부분이 노출하도록 하여, 각 배선(32a∼32c) 상에는 절연막(33a∼33c)이 형성되어 있다.

그리고, 소정 길이의 회로 기판(31a∼31c)이 늘어선 테이프 기판(31)이 권출 릴(21a)과 권취 릴(25a) 사이에 걸쳐진다. 그리고, 테이프 기판(31)의 각 반송 택트마다 로더(21)와 언로더(25) 사이에 설치된 납땜 도포 존(22)으로 테이프 기판(31)의 미납땜 도포 영역이 반송되고, 납땜 도포 존(22)에 나란히 배치된 마운트 존(23)으로 테이프 기판(31)의 납땜 도포된 영역이 반송되고, 마운트 존(23)에 나란히 배치된 리플로우 존(24)으로 테이프 기판(31)의 마운트 완료 영역이 반송된다.

그리고, 납땜 도포 존(22)에서 납땜 페이스트(34a)가 회로 기판(31a) 상에 인쇄되고, 마운트 존(23)에서 납땜 페이스트(34b)가 인쇄된 회로 기판(31b) 상에 반도체 칩(35b)이 마운트되고, 리플로우 존(24)에서 반도체 칩(35c)이 마운트된 회로 기판(31c)의 리플로우 처리가 행하여짐으로써, 납땜 페이스트(34c)를 통해 반도체 칩(35c)이 회로 기판(31c) 상에 고정된다.

그리고, 테이프 기판(31)의 모든 회로 블록(B11∼B13)에 대한 납땜 도포 처리, 마운트 처리 및 리플로우 처리가 종료되면, 절단 존(26)에서 테이프 기판(31)이 회로 블록(B11∼B13)마다 절단된다. 그리고, 절단된 각 회로 블록(B11∼B13)은 수지 밀봉 존(27)으로 반송되고, 예를 들면, 반도체 칩(35c)의 주위에 밀봉 수지(36c)를 도포함으로써, 회로 블록(B13)을 수지 밀봉할 수 있다.

이것으로, 권출 릴(21a)과 권취 릴(25a) 사이에서 테이프 기판(31)을 1회만 반송함으로써, 회로 기판(31a∼31c)에 대한 납땜 도포 처리, 마운트 처리 및 리플로우 처리를 완료시키는 것이 가능해짐과 더불어, 다른 회로 기판(31a∼31c)에 대한 납땜 도포 처리, 마운트 처리 및 리플로우 처리를 동시에 행하는 것이 가능해져, 생산 효율을 향상시키는 것이 가능해진다.

도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치의 개략 구성을 도시하는 사시도이다.

도 2에 있어서, 예열을 공여하는 프리히트 블록(111), 피크열을 공여하는 메인 히트 블록(112) 및 피크열이 공여된 피가열 처리체의 온도를 강하시키는 냉각 블록(113)이 설치되고, 예를 들면, 납땜질 공정, 마운트 공정 후에 행하여지는 리플로우 공정에 있어서, 도 4의 소정 블록 길이의 피가열 처리체로서의 회로 기판(101)을 늘어세운 연속체로서의 테이프 기판(100)에 대하여, 가열 처리나 냉각 처리가 행하여진다.

프리히트 블록(111)은 예를 들면, 금속 또는 세라믹 등으로 구성되어 있음과 더불어, 도시하지 않은 구동 기구에 의해, 화살표 a, b 방향으로 이동 자유자재로 되어 있다. 프리히트 블록(111)은 테이프 기판(100)에 대하여, 서서히 접근해서 예열을 가하지만, 그 상세한 것은 후술한다.

메인 히트 블록(112)은 예를 들면, 금속 또는 세라믹 등으로 구성되어 있음과 더불어, 프리히트 블록(111)에 대하여 근접 배치되어 있다. 또, 메인 히트 블록(112)은 도시하지 않은 구동 기구에 의해, 화살표 a, b 방향으로 이동 자유자재로 되어 있다. 메인 히트 블록(112)은 테이프 기판(100)에 대하여 접촉해서 피크열을 가하지만, 그 상세한 것은 후술한다.

냉각 블록(113)은 예를 들면, 금속 또는 세라믹 등으로 구성되어 있음과 더불어, 도시하지 않은 구동 기구에 의해, 화살표 c, d 방향으로 이동 자유자재로 되어 있다. 냉각 블록(113)은 테이프 기판(110)을 두께 방향의 상하에서 덮어서 개재시키는 단면 コ자 형상 덮기 개재 구멍(114)을 가지고 있다. 덮기 개재 구멍(114)의 내면에는 냉각제 분사 구멍(115)이 다수 형성되어 있다. 한편, 냉각제로서는, 예를 들면, 공기, 산소, 질소, 이산화탄소, 헬륨 또는 플루오로카본 등을 이용할 수 있다.

여기서, 테이프 기판(100)은 후술의 도 4에 도시하는 바와 같이, 소정 블록 길이의 회로 기판(101)을 늘어세우고 있다. 후술의 도 4에 도시하는 회로 기판(101)에는 리플로우 공정 전의 납땜질 공정에서 배선(102) 상에 납땜 페이스트(104)가 접합되어 있다. 한편, 배선(102) 상에는 ACF 등의 접착제가 전사에 의해 접합되는 경우도 있다. 또, 부호 103은 절연막이다. 또, 납땜질 공정 후의 마운트 공정에서 회로 기판(101) 상에 납땜 페이스트(104)를 통해서 반도체 칩(105)이 마운트되어 있다.

또, 어떠한 원인에 의해, 예를 들면, 도 1에서 설명한 로더(21)로부터 언로더(25) 사이의 라인이 정지했을 때, 프리히트 블록(111) 또는 메인 히트 블록(112)에 의한 가열 처리 중인 경우에는, 프리히트 블록(111) 또는 메인 히트 블록(112)이 테이프 기판(100)으로부터 이격됨으로써, 테이프 기판(100)에 대한 필요 이상의 가열을 피할 수 있도록 되어 있다.

도 3, 도 4는 도 2의 리플로우 처리를 도시하는 도면, 도 5는 도 2의 리플로우 처리의 온도 프로필을 도시하는 도면이다.

도 3∼5에 있어서, 납땜질 공정 및 마운트 공정을 종료한 테이프 기판(100)이 리플로우 공정으로 진행되면, 도 3(a)에 도시하는 바와 같이, 프리히트 블록(111)이 화살표 a 방향으로 1단계 상승해서 테이프 기판(100)에 접근한다. 이때, 메인 히트 블록(112)은 정위치에 대기하고 있다.

그리고, 프리히트 블록(111)은 도 4에 도시하는 테이프 기판(100)의 소정 블록 길이의 회로 기판(101)에 대하여, 소정 시간 접근해서 가열 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판(101)에는 예열 ①이 가해진다. 이 예열 ①은 도 5의 ①의 실선으로 도시하는 바와 같은 온도구배로 되어 있다.

프리히트 블록(111)에 의한 도 3(a)에서의 가열 처리를 종료하면, 도 3(b)에 도시하는 바와 같이, 프리히트 블록(111)이 다시 화살표 a 방향으로 1단계 상승해서 테이프 기판(100)에 접근하여, 상기와 마찬가지로, 회로 기판(101)에 대하여, 소정 시간의 가열 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판(101)에는 도 4에 도시하는 바와 같이, 예열 ②가 가해진다. 이 예열 ②는 도 5의 ②의 실선으로 도시하는 바와 같은 온도구배로 되어 있다.

프리히트 블록(111)에 의한 도 3(b)에서의 가열 처리를 종료하면, 도 3(c)에 도시하는 바와 같이, 프리히트 블록(111)이 다시 화살표 a 방향으로 1단계 상승해서 테이프 기판(100)에 접근하여, 상기와 마찬가지로, 회로 기판(101)에 대하여, 소정 시간의 가열 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판(101)에는 도 4에 도시하는 바와 같이, 예열 ③이 가해진다. 이 예열 ③은 도 5의 ③의 실선으로 도시하는 바와 같은 온도구배로 되어 있다. 한편, 프리히트 블록(111)에 의해, 예열 ①∼③이 회로 기판(101)에 가해질 때, 메인 히트 블록(112)은 정위치에 대기하고 있기 때문에, 회로 기판(101)에 대한 메인 히트 블록(112)으로부터의 열에 의한 영향이 회피된다.

프리히트 블록(111)에 의한 도 3(c)에서의 가열 처리를 종료하면, 도 3(d)에 도시하는 바와 같이, 프리히트 블록(111)이 정위치까지 되돌려진다. 이때, 테이프 기판(100)이 회로 기판(101)의 소정 블록 길이분만큼 도 2에 도시하는 점선 화살표 방향으로 반송된다. 그리고, 메인 히트 블록(112)이 상승해서 테이프 기판(100)에 접촉하고, 회로 기판(101)에 대하여, 소정 시간의 가열 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판(101)에는 도 4에 도시하는 바와 같이, 피크열 ④가 가해진다. 이 피크열 ④는 도 5의 ④의 실선으로 도시하는 바와 같은 온도구배로 되어 있다. 여기에서의 피크열 ④는 납땜 융점 +α이기 때문에, 납땜 페이스트(104)가 용융하여, 회로 기판(101) 상의 배선(102)에 반도체 칩(105)이 접합된다.

메인 히트 블록(112)에 의한 도 3(d)에서의 가열 처리를 종료하면, 도 3(e)에 도시하는 바와 같이, 메인 히트 블록(112)이 화살표 b 방향으로 하강해서 정위치로 되돌려짐과 더불어, 냉각 블록(113)이 도 3(a)에 도시하는 정위치로부터 화살표 c 방향으로 이동해서 덮기 개재 구멍(114)에 의해 테이프 기판(100)을 상하에서 덥도록 개재한다. 그리고, 덮기 개재 구멍(114)의 내면에 형성되어 있는 다수의 냉각제 분사 구멍(115)으로부터의 냉각제가 회로 기판(101)의 상하면으로부터 분사됨으로써, 회로 기판(101)이 냉각된다.

이것으로, 회로 기판(101)은 도 4의 ⑤로 도시하는 바와 같이 냉각된다. 이 냉각 ⑤는 도 5의 ⑤의 실선으로 도시하는 바와 같은 온도구배로 되어 있다. 이와 같이, 회로 기판(101)이 냉각됨으로써, 반도체 칩(105)이 배선(102)을 통해 회로 기판(101)에 고정된다. 회로 기판(101)에 대한 소정 시간의 냉각을 종료하면, 냉각 블록(113)이 도 3(e)의 상태로부터 화살표 d 방향으로 이동하여, 도 3(a)의 정위치까지 되돌려진다.

이상과 같이 해서, 테이프 기판(100)의 소정 블록 길이의 회로 기판(101)에 예열, 피크열 및 냉각이 순차로 가해지고, 어떤 회로 기판(101)에 대한 리플로우 처리가 완료되면, 테이프 기판(100)이 회로 기판(101)의 소정 블록 길이분만큼 반송되고, 도 3(a)∼(e)와 같이, 예열, 피크열 및 냉각이 순차로 가해짐으로써, 다음 회로 기판(101)에 대한 리플로우 처리가 행하여진다.

한편, 어떠한 원인에 의해, 예를 들면, 도 1에서 설명한 로더(21)로부터 언로더(25) 사이의 라인이 정지했을 때, 프리히트 블록(111) 또는 메인 히트 블록(112)에 의한 가열 처리 중인 경우에는, 프리히트 블록(111) 또는 메인 히트 블록(112)이 테이프 기판(100)으로부터 이격된다. 이것으로, 테이프 기판(100)에 대한 필요 이상의 가열을 피할 수 있다.

한편, 라인의 정지가 복구된 경우에는, 예열, 피크열 및 냉각이 다시 가해진다. 이때, 테이프 기판(100)의 소정 블록 길이의 회로 기판(101)의 온도가 예를 들면 도 5의 점선으로 도시하는 ①∼④의 각각과 같이 저하하고 있는 경우에는, 우선 ①∼③의 각각에 따라서 프리히트 블록(111)을 서서히 상승시켜, 테이프 기판(100)의 소정 블록 길이의 회로 기판(101)의 온도를 도 5의 실선으로 도시하는 위치까지 상승시킨다. 이어서, 메인 히트 블록(112)을 회로 기판(101)에 접촉시킴으로써, 피크열을 가하도록 할 수 있다. 따라서, 라인의 복구 후에 있어서는, 제품에 대한 손상을 입히는 일 없이, 리플로우 처리를 속행할 수 있다.

이와 같이, 상술한 제6 실시 형태에서는 프리히트 블록(111)을 정위치로부터 테이프 기판(100)의 소정 블록 길이의 회로 기판(101)에 상승 이동에 의해 서서히 접근시켜서 예열을 가한 후, 정위치로 되돌리고, 프리히트 블록(111)에 근접 배치되는 메인 히트 블록(112)을 소정 택트로 반송되는 예열이 가해진 회로 기판(101)에 접촉시켜서 피크열을 가한 후, 정위치로 되돌리고, 냉각 블록(113)을 피크열이 가해진 회로 기판(101)에 접근시켜서 회로 기판(101)을 냉각한 후, 정위치로 되돌리도록 했다.

이것으로, 프리히트 블록(111)과 메인 히트 블록(112) 사이의 경계 온도를 뚜렷하게 유지할 수 있으므로, 제품의 품질 관리를 용이하게 행할 수 있다. 또, 종래의 램프 가열 방식이나 원적외선 방식에서의 차광 구조를 필요로 하지 않기 때문에, 장치 구성의 간소화를 도모할 수 있다.

또, 어떠한 원인에 의해, 도 1에서 설명한 로더(21)로부터 언로더(25)문의 라인이 정지했을 때, 프리히트 블록(111) 또는 메인 히트 블록(112)에 의한 가열 처리 중인 경우에는, 프리히트 블록(111) 또는 메인 히트 블록(112)을 테이프 기판(100)으로부터 이격하도록 했으므로, 테이프 기판(100)에 대한 필요 이상의 가열을 피할 수 있어, 제품의 품질 관리를 용이하게 행할 수 있다.

한편, 라인의 정지가 복구됐을 때, 테이프 기판(100)의 소정 블록 길이의 회로 기판(101)의 온도가 예를 들면 도 5의 점선으로 도시하는 ①∼④의 각각과 같이 저하하고 있는 경우에는, 우선 ①∼③의 각각에 따라서 프리히트 블록(111)을 서서히 상승시켜, 테이프 기판(100)의 소정 블록 길이의 회로 기판(101)의 온도를 도 5의 실선으로 도시하는 위치까지 다시 상승시킨 후, 메인 히트 블록(112)을 회로 기판(101)에 접촉시킴으로써 다시 피크열을 가함과 더불어, 피크열이 가해진 회로 기판(101)을 냉각 블록(113)에 의해 다시 냉각시키도록 했으므로, 제품에 대한 손상을 입히는 일 없이, 리플로우 처리를 속행할 수 있다.

또, 라인의 정지가 복구된 경우에는, 예열, 피크열 및 냉각이 다시 가해지도록 하고 있으므로, 복구 후의 가열 처리나 냉각 처리의 대기 시간을 대폭으로 단축할 수 있다.

또, 피크열이 가해진 회로 기판(101)을 냉각 블록(113)의 덮기 개재 구멍(114)의 다수의 냉각제 분사 구멍(115)으로부터의 냉각제에 의해 냉각하도록 했으므로, 회로 기판(101)의 냉각 효율을 높일 수 있음으로써, 냉각 처리 시간이 단축되는 점에서, 특히 납땜 페이스트(104)가 납 프리인 경우여도, 열산화를 용이하게 방지할 수 있다.

한편, 본 실시 형태에서는 프리히트 블록(111)을 단계적으로 상승시켜서 예열을 가하는 경우에 대해서 설명했지만, 이 예에 한정하지 않고, 선상으로 상승시켜서 예열을 가하도록 할 수도 있다.

또, 본 실시 형태에서는 프리히트 블록(111) 및 메인 히트 블록(112)을 테이프 기판(100)의 하면측으로부터 상승 이동시키는 경우에 대해서 설명했지만, 이 예에 한정하지 않고, 테이프 기판(100)의 상면측으로부터 하강 이동시키도록 할 수도 있다. 또, 본 실시 형태에서는 단면 コ자 형상의 다수의 냉각제 분사 구멍(115)을 가진 덮기 개재 구멍(114)을 냉각 블록(113)에 형성한 경우에 대해서 설명했지만, 이 예에 한하지 않고 냉각 블록(113)을 평판상으로 함과 더불어, 테이프 기판(100)을 향하는 면측에 냉각제 분사 구멍(115)을 형성하도록 할 수도 있다. 또, 본 실시 형태에서는 프리히트 블록(111)을 1개로 한 경우에 대해서 설명했지만, 이 예에 한정하지 않고, 프리히트 블록(111)을 다수개로 해도 된다.

도 6은 본 발명의 제7 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치의 개략 구성을 도시하는 사시도이다.

도 6에 있어서, 열을 공여하는 히트 블록(211) 및 열이 공여된 피가열 처리체의 온도를 강하시키는 냉각 블록(213)이 설치되고, 예를 들면, 납땜질 공정, 마운트 공정 후에 행하여지는 리플로우 공정에 있어서, 소정 블록 길이의 피가열 처리체로서의 회로 기판을 늘어세운 연속체로서의 테이프 기판(200)에 대하여, 가열 처리나 냉각 처리가 행하여진다. 한편, 테이프 기판(200)에 늘어선 회로 기판으로서는, 예를 들면, 도 4와 마찬가지의 구성을 이용할 수 있다.

히트 블록(211)은 예를 들면, 금속 또는 세라믹 등으로 구성되어 있음과 더불어, 도시하지 않은 구동 기구에 의해, 화살표 a, b 방향으로 이동 자유자재로 되어 있다. 히트 블록(211)은 테이프 기판(200)에 대하여 서서히 접근해서 예열을 가함과 더불어, 테이프 기판(200)에 접촉해서 피크열을 가하지만, 그 상세한 것은 후술한다.

냉각 블록(213)은 예를 들면, 금속 또는 세라믹 등으로 구성되어 있음과 더불어, 도시하지 않은 구동 기구에 의해, 화살표 c, d 방향으로 이동 자유자재로 되어 있다. 냉각 블록(213)은 테이프 기판(200)을 두께 방향의 상하에서 덮어서 개재시키는 단면 コ자 형상 덮기 개재 구멍(214)을 가지고 있다. 덮기 개재 구멍(214)의 내면에는 냉각제 분사 구멍(215)이 다수 형성되어 있다.

도 7은 도 6의 리플로우 처리를 도시하는 측면도이다.

도 7에 있어서, 납땜질 공정 및 마운트 공정을 완료한 테이프 기판(200)이 리플로우 공정으로 진행되면, 도 7(a)에 도시하는 바와 같이, 히트 블록(211)이 점선으로 도시하는 초기 위치로부터 화살표 a 방향으로 1단계 상승해서 테이프 기판(200)에 접근한다. 이때, 히트 블록(211)은 테이프 기판(200)의 소정 블록 길이의 회로 기판에 대하여, 소정 시간 접근해서 가열 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판에는 도 4와 마찬가지의 예열 ①이 가해진다. 이 예열 ①은 도 5의 ①의 실선으로 도시하는 바와 같은 온도구배로 할 수 있다.

히트 블록(211)에 의한 도 7(a)에서의 가열 처리를 종료하면, 도 7(b)에 도시하는 바와 같이, 히트 블록(211)이 다시 화살표 a 방향으로 1단계 상승해서 테이프 기판(200)에 접근하여, 상기와 마찬가지로, 회로 기판에 대하여, 소정 시간의 가열 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판에는 도 4와 마찬가지의 예열 ②가 가해진다. 이 예열 ②는 도 5의 ②의 실선으로 도시하는 바와 같은 온도구배로 할 수 있다.

히트 블록(211)에 의한 도 7(b)에서의 가열 처리를 종료하면, 도 7(c)에 도시하는 바와 같이, 히트 블록(211)이 다시 화살표 a 방향으로 1단계 상승해서 테이프 기판(200)에 접근하여, 상기와 마찬가지로, 회로 기판에 대하여, 소정 시간의 가열 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판에는 도 4와 마찬가지의 예열 ③이 가해진다. 이 예열 ③은 도 5의 ③의 실선으로 도시하는 바와 같은 온도구배로 할 수 있다.

히트 블록(211)에 의한 도 7(c)에서의 가열 처리를 종료하면, 도 7(d)에 도시하는 바와 같이, 히트 블록(211)이 다시 화살표 a 방향으로 1단계 상승해서 테이프 기판(200)에 접촉하고, 상기와 마찬가지로, 회로 기판에 대하여, 소정 시간의 가열 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판에는 도 4와 마찬가지의 피크열 ④가 가해진다. 이 피크열 ④는 도 5의 ④의 실선으로 도시하는 바와 같은 온도구배로 할 수 있다. 여기에서의 피크열 ④는 납땜 융점 +α이기 때문에, 납땜 페이스트가 용융하여, 회로 기판상의 배선에 반도체 칩이 접합된다.

히트 블록(211)에 의한 도 7(d)에서의 가열 처리를 종료하면, 도 7(e)에 도시하는 바와 같이, 히트 블록(211)이 화살표 b 방향으로 하강해서 초기 위치로 되돌려짐과 더불어, 냉각 블록(213)이 도 7(a)에 도시하는 초기 위치로부터 화살표 c 방향으로 이동해서 덮기 개재 구멍(214)에 의해 테이프 기판(200)을 상하에서 덥도록 개재한다. 그리고, 덮기 개재 구멍(214)의 내면에 형성되어 있는 다수의 냉각제 분사 구멍(215)으로부터의 냉각제가 회로 기판의 상하면으로부터 분사됨으로써, 회로 기판이 냉각된다.

이것으로, 회로 기판은 도 4의 ⑤로 도시하는 바와 같이 냉각된다. 이 냉각 ⑤는 도 5의 ⑤의 실선으로 도시하는 바와 같은 온도구배로 할 수 있다. 이와 같이, 회로 기판이 냉각됨으로써, 반도체 칩이 배선을 통해 회로 기판에 고정된다. 회로 기판에 대한 소정 시간의 냉각을 종료하면, 냉각 블록(213)이 도 7(e)의 상태로부터 화살표 d 방향으로 이동하여, 도 7(a)의 초기 위치까지 되돌려진다.

이상과 같이 해서, 테이프 기판(200)의 소정 블록 길이의 회로 기판에 예열, 피크열 및 냉각이 순차로 가해짐으로써, 어떤 회로 기판에 대한 리플로우 처리가 완료되면, 테이프 기판(200)이 회로 기판의 소정 블록 길이분만큼 반송되고, 도 7(a)∼(e)와 같이, 예열, 피크열 및 냉각이 순차로 가해짐으로써, 다음 회로 기판에 대한 리플로우 처리가 행하여진다.

한편, 어떠한 원인에 의해, 도 1에서 설명한 로더(21)로부터 언로더(25) 사이의 라인이 정지했을 때, 히트 블록(211)에 의한 가열 처리 중인 경우에는, 히트 블록(211)이 테이프 기판(200)으로부터 이격된다. 이것으로, 테이프 기판(200)에 대한 필요 이상의 가열을 피할 수 있다.

한편, 라인의 정지가 복구된 경우에는, 예열, 피크열 및 냉각이 다시 가해진다. 이때, 테이프 기판(200)의 소정 블록 길이의 회로 기판의 온도가 예를 들면 도 5의 점선으로 도시하는 바와 같이 ①∼④의 각각과 같이 저하하고 있는 경우에는, ①∼④의 각각에 따라서 히트 블록(211)을 서서히 상승시켜, 테이프 기판(200)의 소정 블록 길이의 회로 기판의 온도를 도 5의 실선으로 도시하는 위치까지 상승시킬 수 있다. 따라서, 라인의 복구 후에 있어서는, 제품에 대한 손상을 입히는 일 없이, 리플로우 처리를 속행할 수 있다.

이와 같이, 상술한 제7 실시 형태에서는 히트 블록(211)을 초기 위치로부터 테이프 기판(200)의 소정 블록 길이의 회로 기판에 상승 이동에 의해 서서히 접근시켜서 예열을 가함과 더불어, 회로 기판에 접촉시켜서 피크열을 가한 후, 하강시켜서 초기 위치로 되돌리고, 그 후, 냉각 블록(213)을 피크열이 가해진 회로 기판에 초기 위치로부터 수평 이동에 의해 접근시켜서 회로 기판을 냉각한 후, 초기 위치로 되돌리도록 했으므로, 종래와 같이 다수의 히터 존을 필요로 하지 않는 점에서, 공간 절약화를 도모할 수 있다.

또, 히트 블록(211)을 초기 위치로부터 테이프 기판(200)의 소정 블록 길이의 회로 기판에 상승 이동에 의해 서서히 접근시켜서 예열을 가함과 더불어, 회로 기판에 접촉시켜서 피크열을 가하도록 하고, 또한 냉각 블록(213)의 덮기 개재 구멍(214)에 의해 테이프 기판(200)을 상하에서 덮도록 개재함과 더불어, 덮기 개재 구멍(214)의 내면에 형성되어 있는 다수의 냉각제 분사 구멍(215)으로부터의 냉각제에 의해 회로 기판을 냉각하도록 했으므로, 회로 기판에 대한 가열 효율이나 냉각 효율이 높아지는 점에서, 가열 처리나 냉각 처리에 요하는 시간을 단축할 수 있고, 에너지 절약화를 도모할 수 있다.

또, 어떠한 원인에 의해, 도 3에서 설명한 로더(21)로부터 언로더(25)문의 라인이 정지한 경우, 히트 블록(211)을 테이프 기판(200)으로부터 이격할 수 있기 때문에, 회로 기판에 대한 필요 이상의 가열을 피할 수 있어, 제품에 대한 손상을 용이하게 회피할 수 있다. 또, 라인의 정지가 복구된 경우에는, 예열, 피크열 및 냉각이 다시 가해지도록 하고 있으므로, 복구 후의 가열 처리나 냉각 처리의 대기 시간을 대폭으로 단축할 수 있다.

또, 피크열이 가해진 회로 기판을 냉각 블록(213)의 덮기 개재 구멍(214)의 다수의 냉각제 분사 구멍(215)으로부터의 냉각제에 의해 냉각하도록 했으므로, 회로 기판의 냉각 효율을 높일 수 있고, 냉각 처리 시간이 단축되는 점에서, 특히 납땜 페이스트가 납 프리인 경우여도, 열산화를 용이하게 방지할 수 있다.

한편, 본 실시 형태에서는 히트 블록(211)을 단계적으로 상승시켜서 예열 및 피크열을 가하도록 한 경우에 대해서 설명했지만, 이 예에 한정하지 않고, 히트 블록(211)을 회로 기판에 접촉시켜, 그 상태로 히트 블록(211)으로부터 가하는 열을 서서히 높여, 예열 및 피크열을 가하도록 할 수도 있다.

또, 본 실시 형태에서는 히트 블록(211)을 단계적으로 상승시켜서 예열을 가하는 경우에 대해서 설명했지만, 이 예에 한정하지 않고, 선상으로 상승시켜서 예열을 가하도록 할 수도 있다.

또, 본 실시 형태에서는 히트 블록(211)을 테이프 기판(200)의 하면측으로부터 상승 이동시키는 경우에 대해서 설명했지만, 이 예에 한정하지 않고, 테이프 기판(200)의 상면측으로부터 하강 이동시키도록 할 수도 있다.

또, 본 실시 형태에서는 냉각 블록(213)에 단면 コ자 형상의 다수의 냉각제 분사 구멍(215)을 가진 덮기 개재 구멍(214)을 형성한 경우에 대해서 설명했지만, 이 예에 한정하지 않고, 냉각 블록(213)을 평판상으로 함과 더불어, 테이프 기판(200)을 향하는 면측에 냉각제 분사 구멍(215)을 형성하도록 할 수도 있다.

도 8, 도 9는 본 발명의 제8 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법을 도시하는 도면이다.

도 8에 있어서, 예열을 공여하는 프리히트 블록(311∼313), 피크열을 공여하는 메인 히트 블록(314) 및 피크열이 공여된 피가열 처리체의 온도를 강하시키는 냉각 블록(315)이 설치되고, 납땜질 공정, 마운트 공정 후에 행하여지는 리플로우 공정에 있어서, 소정 블록 길이의 피가열 처리체로서의 회로 기판(301)을 늘어세운 연속체로서의 테이프 기판(300)에 대하여, 가열 처리나 냉각 처리가 행하여진다.

이들 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)은 예를 들면, 금속 또는 세라믹 등으로 구성할 수 있다. 또, 프리히트 블록(311∼313) 및 메인 히트 블록(314)의 각각의 사이에는 예를 들면, 2㎜ 정도의 공극을 형성할 수 있다. 이 공극에 의해, 프리히트 블록(311∼313) 및 메인 히트 블록(314)의 각각의 사이에서의 직접적인 열 전달을 회피시키는 것이 가능해짐과 더불어, 각각이 개별로 후술하는 바와 같이 이동시킬 수 있다.

또, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)은 상하 이동을 행할 수 있도록 되어 있다. 즉, 테이프 기판(300)에 대하여 가열 처리나 냉각 처리를 행할 때, 도 8(b)에 도시하는 바와 같이, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 상승 이동하여, 테이프 기판(300)의 소정 블록 길이의 회로 기판(301)에 접촉할 수 있도록 되어 있다. 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)의 상하 이동은 동시 또는 개별로 행하게 할 수 있다. 한편, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)을 상하 이동시키는 대신에, 테이프 기판(300)을 상하 이동시키도록 할 수도 있다.

여기서, 회로 기판(301)에는 리플로우 공정 전의 납땜질 공정에서 회로 기판(301)의 배선(302) 상에 납땜 페이스트(304)가 접합되어 있다. 한편, 배선(302) 상에는 ACF 등의 접착제가 전사에 의해 접합되는 경우도 있다. 또, 부호 303은 절연막이다. 또, 납땜질 공정 후의 마운트 공정에서 회로 기판(301) 상에 납땜 페이스트(303)를 통해서 반도체 칩(305)이 마운트되어 있다.

그리고, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 테이프 기판(300)의 소정 블록 길이의 회로 기판(301)에 대하여, 소정 시간 접촉해서 가열 처리나 냉각 처리를 종료하면, 하강 이동하여, 테이프 기판(30)으로부터 이격되도록 되어 있다. 이러한 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)의 상하 이동과, 테이프 기판(20)의 화살표 방향으로의 반송에 의해, 회로 기판(301)에 예열, 피크열 및 냉각이 순차로 가해진다. 여기서, 프리히트 블록(311∼313)은 테이프 기판(300)에 대하여, 도 5의 ①∼③으로 도시하는 바와 같은 예열을 가하도록 되어 있다. 메인 히트 블록(314)은 테이프 기판(300)에 대하여, 도 5의 ④로 도시하는 바와 같이, 납땜 융점 +α의 피크열을 가하도록 되어 있다. 냉각 블록(315)은 도 5의 ⑤로 도시하는 바와 같이, 테이프 기판(300)의 온도를 강하시키게 되고 있다.

다음에, 이러한 구성의 반도체 제조 장치에 의한 제조 방법에 대해서 설명한다.

도 8(a)에 있어서, 납땜질 공정 및 마운트 공정을 종료한 테이프 기판(300)의 회로 기판(301)은 리플로우 공정으로 진행되면, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315) 상에 반송된다. 그리고, 납땜질 공정 및 마운트 공정을 종료한 테이프 기판(300)의 회로 기판(301)이 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315) 상에 반송되면, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 상승 이동하여, 테이프 기판(300)에 접촉한다. 이때, 우선, 테이프 기판(300)의 소정 블록 길이의 회로 기판(301)에 대하여, 프리히트 블록(311)이 소정 시간 접촉해서 가열 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판(301)은 도 5의 ①의 실선으로 도시하는 예열이 가해진다.

여기서, 프리히트 블록(311)이 소정 시간만큼 회로 기판(301)에 접촉해서 가열 처리를 행하는 경우, 테이프 기판(300)의 하류측의 회로 기판(301)에는 프리히트 블록(312∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 접촉하여, 테이프 기판(300)의 하류측의 회로 기판(301)에서는 도 5의 ②∼⑤의 실선으로 도시하는 예열, 피크열 및 냉각이 가해진다. 이 때문에, 테이프 기판(300)에 늘어선 다수의 회로 기판(301)에 대하여, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)에 의한 예열, 피크열 및 냉각 처리를 일괄적으로 행할 수 있어, 생산 효율을 향상시킬 수 있다.

프리히트 블록(301)에 의한 소정 시간의 가열 처리를 종료하면, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 테이프 기판(300)으로부터 이격된다. 이어서, 테이프 기판(300)이 도 8(a)의 화살표 방향으로 반송된다. 이때의 반송 스트로크는 테이프 기판(300)의 소정 블록 길이의 회로 기판(301)에 맞춰져 있다. 프리히트 블록(311)에 의해 가열 처리를 종료한 회로 기판(301)이 프리히트 블록(312)의 위치에 도달하면, 테이프 기판(300)의 도 8(a)의 화살표 방향으로의 반송이 정지되고, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 다시 상승한다. 이때, 프리히트 블록(312)이 테이프 기판(300)의 소정 블록 길이의 회로 기판(301)에 대하여, 소정 시간 접촉해서 가열 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판(301)에는 도 5의 ②로 도시하는 예열이 가해진다.

여기서, 프리히트 블록(312)이 소정 시간만큼 회로 기판(301)에 접촉해서 가열 처리를 행하는 경우, 테이프 기판(300)의 상류측의 회로 기판(301)에는 프리히트 블록(311)이 접촉하여, 테이프 기판(300)의 상류측의 회로 기판(301)에서는 도 5의 ①의 실선으로 도시하는 예열이 가해짐과 더불어, 테이프 기판(300)의 하류측의 회로 기판(301)에는 프리히트 블록(313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 접촉하여, 테이프 기판(300)의 하류측의 회로 기판(301)에서는 도 5의 ③∼⑤의 실선으로 도시하는 예열, 피크열 및 냉각이 가해진다.

프리히트 블록(312)에 의한 소정 시간의 가열 처리를 종료하면, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 테이프 기판(300)으로부터 이격된다. 이어서, 테이프 기판(300)이 도 8(a)의 화살표 방향으로 반송된다. 프리히트 블록(312)에 의해 가열 처리를 종료한 회로 기판(301)이 프리히트 블록(313)의 위치에 도달하면, 테이프 기판(300)의 도 8(a)의 화살표 방향으로의 반송이 정지되고, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 다시 상승한다. 이때, 프리히트 블록(313)이 테이프 기판(300)의 소정 블록 길이의 회로 기판(301)에 대하여, 소정 시간 접촉해서 가열 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판(301)에는 도 5의 ③의 실선으로 도시하는 예열이 가해진다.

여기서, 프리히트 블록(313)이 소정 시간만큼 회로 기판(301)에 접촉해서 가열 처리를 행하는 경우, 테이프 기판(300)의 상류측의 회로 기판(301)에는 프리히트 블록(311, 312)이 접촉하여, 테이프 기판(300)의 상류측의 회로 기판(301)에서는 도 5의 ① 및 ②의 실선으로 도시하는 예열이 가해짐과 더불어, 테이프 기판(300)의 하류측의 회로 기판(301)에는 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 접촉하여, 테이프 기판(300)의 하류측의 회로 기판(301)에서는 도 5의 ④ 및 ⑤의 실선으로 도시하는 피크열 및 냉각이 가해진다.

프리히트 블록(313)에 의한 소정 시간의 가열 처리를 종료하면, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 테이프 기판(300)으로부터 이격된다. 이어서, 테이프 기판(300)이 도 8(a)의 화살표 방향으로 반송된다. 프리히트 블록(313)에 의해 가열 처리를 종료한 회로 기판(30)이 메인 히트 블록(314)의 위치에 도달하면, 테이프 기판(300)의 도 8(a)의 화살표 방향으로의 반송이 정지되고, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 다시 상승한다. 이때, 메인 히트 블록(314)이 테이프 기판(300)의 소정 블록 길이의 회로 기판(301)에 대하여, 소정 시간 접촉해서 가열 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판(301)에는 도 5의 ④의 실선으로 도시하는 피크열이 가해짐으로써, 납땜 페이스트(304)가 용융하여, 회로 기판(301) 상의 배선(302)에 반도체 칩(305)이 접합된다.

여기서, 메인 히트 블록(314)이 소정 시간만큼 회로 기판(301)에 접촉해서 가열 처리를 행하는 경우, 테이프 기판(300)의 상류측의 회로 기판(301)에는 프리히트 블록(311∼313)이 접촉하여, 테이프 기판(300)의 상류측의 회로 기판(301)에서는 도 5의 ①∼③의 실선으로 도시하는 예열이 가해짐과 더불어, 테이프 기판(300)의 하류측의 회로 기판(301)에는 냉각 블록(315)이 접촉하여, 테이프 기판(300)의 하류측의 회로 기판(301)에서는 도 5의 ⑤의 실선으로 도시하는 냉각이 가해진다.

메인 히트 블록(314)에 의한 소정 시간의 가열 처리를 종료하면, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 테이프 기판(300)으로부터 이격된다. 이어서, 테이프 기판(300)이 도 8(a)의 화살표 방향으로 반송된다. 메인 히트 블록(314)에 의해 가열 처리를 종료한 회로 기판(301)이 냉각 블록(315)의 위치에 도달하면, 테이프 기판(300)의 도 8(a)의 화살표 방향으로의 반송이 정지되고, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 다시 상승한다. 이때, 냉각 블록(314)이 테이프 기판(300)의 소정 블록 길이의 회로 기판(301)에 대하여, 소정 시간 접촉해서 냉각 처리를 행한다. 이것으로, 회로 기판(301)은 도 5의 ⑤의 실선으로 도시하는 바와 같이 온도가 강하됨으로써, 반도체 칩(305)이 배선(302)을 통해 회로 기판(301)과 고정된다.

여기서, 냉각 블록(315)이 소정 시간만큼 회로 기판(301)에 접촉해서 온도 강하 처리를 행하는 경우, 테이프 기판(300)의 상류측의 회로 기판(301)에는 프리히트 블록(311∼313) 및 메인 히트 블록(314)이 접촉하여, 테이프 기판(300)의 상류측의 회로 기판(301)에서는 도 5의 ①∼④의 실선으로 도시하는 예열 및 피크열이 가해진다.

이상과 같이 해서, 테이프 기판(300)의 도 8(a)의 화살표 방향으로의 반송에 의해, 소정 블록 길이의 회로 기판(301)에 예열, 피크 및 냉각이 순차로 가해짐으로써, 회로 기판(301)에 대한 리플로우 공정이 완료한다.

한편, 어떠한 원인에 의해, 도 1에서 설명한 로더(21)로부터 언로더(25) 사이의 라인이 정지한 경우, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)은 테이프 기판(300)의 온도가 품질에 영향을 미치지 않는 레벨로 유지되는 위치까지 테이프 기판(300)으로부터 이격된다. 이것으로, 테이프 기판(300)에 대한 필요 이상의 가열을 피할 수 있다.

한편, 라인의 정지가 복구된 경우에는, 예열, 피크열 및 냉각이 다시 가해진다. 이때, 테이프 기판(300)의 소정 블록 길이의 회로 기판(301)의 온도가 예를 들면 도 5의 점선으로 도시하는 바와 같이 저하하고 있는 경우에는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)을 서서히 상승시킴으로써, 테이프 기판(300)의 소정 블록 길이의 회로 기판(301)의 온도를 도 5의 실선으로 도시하는 위치까지 상승시킬 수 있다. 따라서, 라인의 복구 후에 있어서는, 제품에 대한 손상을 입히는 일 없이, 리플로우 처리를 속행할 수 있다. 한편, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)을 서서히 상승시키는 대신에, 회로 기판(300)을 서서히 하강시키도록 할 수도 있다.

또, 라인의 정지가 복구된 경우에는, 우선 프리히트 블록(311∼313)만을 상승시켜서 회로 기판(301)에 대하여 소정의 예열을 가한 후, 메인 히트 블록(314)을 상승시켜서 예열이 가해진 회로 기판(301)에 대하여, 피크열을 가하도록 할 수도 있다. 이 경우, 메인 히트 블록(314) 상의 회로 기판(301)을 예를 들면 프리히트 블록(313) 상으로 되돌림으로써, 메인 히트 블록(34)에 의한 피크열의 공여가 도중까지의 회로 기판(301)에 대하여도, 소정의 예열을 가할 수 있다.

이와 같이, 상술한 제4 실시 형태에서는 테이프 기판(300)의 소정 블록 길이의 회로 기판(301)에 프리히트 블록(311∼313)이 접촉해서 ①∼③의 예열을 가하고, ③의 예열이 가해진 회로 기판(301)에 메인 히트 블록(314)이 접촉해서 ④의 피크열을 가하고, 피크열이 가해진 회로 기판(301)에 냉각 블록(315)이 접촉해서 회로 기판(301)의 온도를 강하시키도록 했다.

이와 같이, 테이프 기판(300)에 대한 가열 처리나 냉각 처리가 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)의 접촉에 의해 행하여짐으로써, 테이프 기판(300)에 대한 가열 효율이나 냉각 효율이 높여져, 가열 처리나 냉각 처리에 요하는 시간을 단축할 수 있으므로, 생산성을 높일 수 있다. 또, 종래의 열풍 순환 방식과 같이 열풍 순환을 위한 기구를 필요로 하지 않을 뿐만 아니라, 종래의 램프 가열 방식이나 원적외선 방식과 같이 국소 가열을 행하는 방식에서의 차광 구조가 불필요하기 때문에, 장치의 대형화를 초래하는 일도 없어진다. 또, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)에 의한 가열 처리나 냉각 처리는 개별로 행할 수 있으므로, 블록 길이에 맞춘 처리 시간의 대응도 용이하게 행할 수 있을 뿐만 아니라, 프리히트 블록(311∼313) 사이에서의 열 이동이 없기 때문에, 프리히트 블록(311∼313c) 사이에서의 경계 온도를 뚜렷하게 유지하는 것도 용이하게 행할 수 있어, 제품의 품질 관리를 용이하게 행할 수 있다.

또, 어떠한 원인에 의해, 도 1에서 설명한 로더(21)로부터 언로더(25) 사이의 라인이 정지한 경우, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 테이프 기판(300)으로부터 이격되기 때문에, 테이프 기판(300)에 대한 필요 이상의 가열을 피할 수 있어, 제품에 대한 손상을 용이하게 회피할 수 있다. 또, 라인의 정지가 복구된 경우에는, 예열, 피크열 및 냉각이 다시 가해지도록 하고 있으므로, 복구 후의 가열 처리나 냉각 처리의 대기 시간을 대폭으로 단축할 수 있다.

또, 피크열이 가해진 회로 기판(301)에 냉각 블록(315)이 접촉해서 회로 기판(301)을 냉각하도록 했으므로, 회로 기판(301)의 냉각 효율을 높일 수 있고, 냉각 처리 시간이 단축되는 점에서, 특히 납땜 페이스트(214)가 납 프리인 경우여도, 열산화를 용이하게 방지할 수 있다.

한편, 제4 실시 형태에서는 프리히트 블록(311∼313)을 3개로 한 경우에 대해서 설명했지만, 이 예에 한정하지 않고, 2개 이하 또는 4개 이상이어도 된다. 덧붙이자면, 프리히트 블록(311∼313)이 1개인 경우에는, 프리히트 블록(311∼313)을 서서히 테이프 기판(300)에 접근시킴으로써, 도 5의 ①∼③으로 도시하는 예열을 서서히 가할 수 있다. 또, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)의 상하 이동에 있어서는, 동시에 행해도 되고, 개별로 행할 수도 있다. 또, 프리히트 블록(311∼313)과 메인 히트 블록(314)을 합쳐서 1개로 구성하는 것도 가능하고, 이 경우에는, 1개의 히트 블록을 서서히 테이프 기판(300)에 접근시키거나, 접촉시키거나 함으로써, 도 5의 ①∼③의 실선으로 도시하는 예열과 도 5의 ④의 실선으로 도시하는 피크열을 가할 수 있다.

또, 제4 실시 형태에서는 리플로우 처리에 있어서, 테이프 기판(300)이 회로 기판(301)의 소정 블록 길이에 맞춰서 반송할 때에, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)을 상하 이동시키는 경우에 대해서 설명했지만, 이 예에 한정하지 않고, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)을 상승시켜, 테이프 기판(300)에 접촉시킨 채, 테이프 기판(300)을 반송하도록 해도 된다.

또, 냉각 블록(315)에는 내부에 중공의 배관을 형성하도록 해도 되고, 이 배관 내에 기체 또는 유체를 유통시키면서, 냉각을 행하도록 해도 된다. 이것으로, 냉각 블록(315)의 외형을 변화시키는 일 없이, 냉각 블록(315)을 강제 냉각하는 것이 가능해져, 냉각 효율을 향상시킬 수 있다. 한편, 냉각 블록(315)에 설치된 배관 내에 유통시키는 기체로서는, 예를 들면, 공기, 산소, 질소, 이산화탄소, 헬륨 또는 플루오로카본을 이용할 수 있고, 냉각 블록(315)에 설치된 배관 내에 유통시키는 유체로서는, 예를 들면, 물 또는 기름 등을 이용할 수 있다. 또, 냉각 블록(315)에 설치된 배관 내를 감압하도록 해도 되고, 이것으로, 냉각 효율을 더한층 향상시킬 수 있다.

도 10은 본 발명의 제5 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법을 도시하는 도면이다.

도 10(a)에 있어서, 도 8의 구성에 덧붙여, 예열 공여의 보조를 행하는 핫 에어 블로우 블록(316)이 설치되어 있다. 이 핫 에어 블로우 블록(316)은 메인 히트 블록(315)의 상방에 위치함과 더불어, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 상하 이동을 행하도록 되어 있다. 또, 이 핫 에어 블로우 블록(316)은 라인의 정지가 복구됐을 때, 하강 이동해서 테이프 기판(300)에 접근되어, 메인 히트 블록(315) 상의 회로 기판(301)에 대하여 소정의 예열을 가하도록 되어 있다.

우선, 납땜질 공정 및 마운트 공정을 종료한 테이프 기판(300)의 회로 기판(301)이 리플로우 공정으로 진행되면, 도 13과 마찬가지로, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 상승 이동해서 테이프 기판(300)에 접촉하여, 리플로우 처리를 행한다.

이때, 상술한 바와 같이, 어떠한 원인에 의해, 도 1에서 설명한 로더(21)로부터 언로더(25) 사이의 라인이 정지한 경우, 도 10(b)에 도시하는 바와 같이, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)은 도시하지 않은 구동 기구에 의해 테이프 기판(300)의 온도가 품질에 영향을 미치지 않는 레벨로 유지되는 위치까지 테이프 기판(300)으로부터 이격된다. 이때, 핫 에어 블로우 블록(316)이 메인 히트 블록(315)의 상방으로부터 도시하지 않은 구동 기구에 의해 하강 이동하여, 테이프 기판(300)에 접근된다.

그리고, 라인의 정지가 복구된 경우에는, 핫 에어 블로우 블록(316)으로부터의 핫 에어가 회로 기판(301)에 가해진다. 이때, 메인 히트 블록(315) 상의 회로 기판(301)의 온도가 도 5의 ④에 있어서의 점선과 같이 저하하고 있는 경우, 회로 기판(301)에 대하여, 도 5의 ③에 있어서의 실선까지의 예열이 가해진다.

메인 히트 블록(315) 상의 회로 기판(301)에 예열이 가해지면, 핫 에어 블로우 블록(316)이 도 10(c)에 도시하는 바와 같이, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 상승 이동해서 테이프 기판(300)으로부터 이격된다. 한편, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)이 상승 이동해서 테이프 기판(300)에 접촉하고, 상술한 통상의 가열 처리 및 냉각 처리를 속행한다. 따라서, 라인의 복구 후에 있어서는, 제품에 대한 손상을 입히는 일 없이, 리플로우 처리를 속행할 수 있다.

이와 같이, 상술한 제5 실시 형태에서는 어떠한 원인에 의해, 도 1에서 설명한 로더(21)로부터 언로더(25) 사이의 라인이 정지한 경우, 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)을 도시하지 않은 구동 기구에 의해 테이프 기판(300)의 온도가 품질에 영향을 미치지 않는 레벨로 유지되는 위치까지 테이프 기판(300)으로부터 격리함과 더불어, 핫 에어 블로우 블록(316)을 메인 히트 블록(315)의 상방으로부터 도시하지 않은 구동 기구에 의해 하강 이동해서 테이프 기판(300)에 접근시키고, 라인의 정지가 복구됐을 때, 핫 에어 블로우 블록(316)으로부터의 핫 에어에 의한 예열을 회로 기판(301)에 가하도록 했으므로, 라인 정지시에 있어서의 제품의 손상을 확실하게 회피할 수 있고, 더불어 복구 후의 통상 운전이 행하여지기까지의 대기 시간을 대폭으로 단축할 수 있음과 더불어, 예열이 가해지는 회로 기판(301)에 대하여 메인 히트 블록(315)에 의한 열의 영향을 회피할 수 있다.

한편, 상술한 제5 실시 형태에서는 프리히트 블록(311∼313), 메인 히트 블록(314) 및 냉각 블록(315)을 테이프 기판(300)의 하면측으로부터 상승 이동시키는 경우에 대해서 설명했지만, 이 예에 한정하지 않고, 테이프 기판(300)의 상면측으로부터 하강 이동시키도록 할 수도 있다. 이 경우, 핫 에어 블로우 블록(316)은 테이프 기판(300)의 하면측으로부터 상승 이동시키도록 할 수 있다.

도 11은 본 발명의 제10 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법을 도시하는 도면이다.

도 11(a)에 있어서, 예열을 공여하는 프리히트 블록(412), 피크열을 공여하는 메인 히트 블록(413) 및 피크열이 공여된 피가열 처리체의 온도를 강하시키는 냉각 블록(414)이 설치되고, 프리히트 블록(412)의 전단계에는 프리히트 블록(412)에 의한 가열 처리 전의 테이프 기판(400)으로의 열 전달을 회피시키는 냉각 블록(411)이 배치되어 있다. 한편, 도 11(a)의 예에서는 설명의 편의상, 프리히트 블록(412)을 1개로 하고 있다.

이러한 구성에서는 테이프 기판(400)의 소정 블록 길이의 회로 기판에 프리히트 블록(412)이 접촉하고, 도 5에서 설명한 바와 같이 ①∼③의 예열이 가해질 때, ①의 예열이 가해지기 전의 테이프 기판(400)의 소정 블록 길이의 회로 기판에는 냉각 블록(411)이 접촉한다. 여기서, 냉각 블록(411)은 ①의 예열이 가해지기 전의 회로 기판(400)을 상온 정도까지 냉각하는 것이기 때문에, 프리히트 블록(412)에 의한 가열 처리 전의 테이프 기판(400)의 온도 상승이 회피된다.

이와 같이, 도 11(a)의 실시 형태에서는 도 5의 ①의 예열이 가해지기 전의 테이프 기판(400)의 소정 블록 길이의 회로 기판에는 냉각 블록(411)이 접촉해서 상온 정도까지 냉각하기 때문에, 프리히트 블록(412)에 의한 가열 처리 전의 테이프 기판(400)의 온도 상승을 회피할 수 있는 점에서, 제품의 품질 관리를 용이하게 행할 수 있다.

한편, 도 11(b)에 있어서, 예열을 공여하는 프리히트 블록(512), 피크열을 공여하는 메인 히트 블록(514) 및 피크열이 공여된 피가열 처리체의 온도를 강하시키는 냉각 블록(515)이 설치되고, 프리히트 블록(512)의 전단계에는 프리히트 블록(512)에 의한 가열 처리 전의 테이프 기판(500)으로의 열 전달을 회피시키는 냉각 블록(511)이 배치되고, 프리히트 블록(512)과 메인 히트 블록(514) 사이에는 메인 히트 블록(514)에 의한 가열 처리 전의 테이프 기판(500)으로의 열 전달을 회피시키는 냉각 블록(513)이 배치되어 있다. 한편, 도 11(b)의 예에서는 설명의 편의상, 프리히트 블록(512)을 1개로 하고 있다.

이러한 구성에서는 테이프 기판(500)의 소정 블록 길이의 회로 기판에 메인 히트 블록(514)이 접촉해서 피크열이 가해질 때, 피크열이 가해지기 전의 테이프 기판(500)의 소정 블록 길이의 회로 기판에는 냉각 블록(513)이 접촉해서 냉각하기 때문에, 메인 히트 블록(514)에 의한 가열 처리 전의 테이프 기판(500)의 온도 상승이 회피된다.

이와 같이, 도 11(b)의 실시 형태에서는 피크열이 가해지기 전의 테이프 기판(500)의 소정 블록 길이의 회로 기판에는 냉각 블록(513)이 접촉해서 냉각하기 때문에, 메인 히트 블록(514)에 의한 가열 처리 전의 테이프 기판(500)의 온도 상승을 회피할 수 있는 점에서, 제품의 품질 관리를 용이하게 행할 수 있다.

또, 제6 실시 형태에서는 프리히트 블록(512)을 1개로 한 경우에 대해서 설명했지만, 이 예에 한정하지 않고, 2개 이하 또는 4개 이상이어도 되고, 프리히트 블록(512)이 다수 있는 경우에는, 각각의 사이에 냉각 블록을 배치시키도록 함으로써, 예열을 가할 때에 후속의 테이프 기판(500)의 온도 상승을 회피할 수 있는 점에서, 제품의 품질 관리를 더욱 용이하게 행할 수 있다.

도 12는 본 발명의 제7 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치의 개략 구성을 도시하는 사시도이다.

도 12에 있어서, 테이프 기판(601)에는 회로 블록(603)이 길이 방향을 따라 늘어서도록 배치되고, 각 회로 블록(603)에는 전자 부품 탑재 영역이 형성되어 있다. 또, 테이프 기판(601)의 양쪽에는 테이프 기판(601)을 반송하기 위한 반송 구멍(602)이 소정 피치로 형성되어 있다. 한편, 테이프 기판(601)의 재질로서는, 예를 들면, 폴리이미드 등을 이용할 수 있다. 또, 각 회로 블록(603) 상에 탑재되는 전자 부품으로서는, 예를 들면, 반도체 칩, 칩 콘덴서, 저항 소자, 코일 혹은 컨넥터 등을 들 수 있다.

한편, 테이프 기판(601)의 리플로우 존에는 테이프 기판(601)의 반송 방향을 따라, 히트 블록(611∼614)이 소정 간격을 띄워서 나란히 배치되어 있다. 또, 히트 블록(613) 상에는 돌기부(617)가 하향으로 형성된 가압판(616)이 배치되고, 히트 블록(611∼614)의 옆에는 셔터판(615a, 615b)이 배치되어 있다.

여기서, 히트 블록(611, 612)의 온도는 납땜 융점보다 작은 범위에서 순차로 높아지도록 설정하고, 히트 블록(613)의 온도는 납땜 융점 이상으로 설정하고, 히트 블록(614)의 온도는 히트 블록(611, 612)의 온도보다 작아지도록 설정할 수 있다. 또, 히트 블록(611∼614) 및 가압판(616)은 각각 독립적으로 상하 이동 가능해짐과 더불어, 셔터판(615a, 615b)은 테이프 기판(601)의 폭 방향으로 수평 이동 가능해지고, 또한, 히트 블록(611∼614), 셔터판(615a, 615b) 및 가압판(616)은 테이프 기판(601)의 반송 방향을 따라 일체적으로 슬라이드 가능해지도록 지지되어 있다. 또, 가압판(616)에 형성된 돌기부(617)의 간격은 회로 블록(603)의 길이에 대응하도록 설정할 수 있다.

한편, 히트 블록(611∼614) 및 셔터판(615a, 615b)의 재질로서는, 예를 들면, 금속, 금속 화합물 또는 합금을 함유하는 부재, 혹은 세라믹을 이용할 수 있고, 히트 블록(611∼614)의 재질로서, 예를 들면, 철이나 스테인리스 등을 이용함으로써, 히트 블록(611∼614)의 열팽창을 억제하는 것을 가능하게 하여, 테이프 기판(601)을 히트 블록(611∼614) 상에 정밀하게 반송하는 것이 가능해진다.

또, 각 히트 블록(611∼614)의 길이는 다수의 회로 블록(603)분의 길이에 대응하도록 설정할 수 있고, 셔터판(615a, 615b)의 크기는 4개분의 히트 블록(611∼614)의 크기에 히트 블록(611∼614) 사이의 공극 크기를 더한 값으로 설정할 수 있고, 가압판(616)의 크기는 히트 블록(613)의 크기에 대응하도록 설정할 수 있다. 한편, 각 히트 블록(611∼614)의 길이는 1개의 회로 블록(603)의 길이의 정수배로 반드시 설정할 필요는 없고, 우수리가 생기도록 해도 된다.

또, 히트 블록(611∼614)의 형상은 적어도 테이프 기판(601)의 접촉면이 평탄해지도록 설정할 수 있고, 예를 들면, 히트 블록(611∼614)을 플레이트 형상으로 구성할 수 있다.

도 13은 도 12의 리플로우 처리를 도시하는 측면도, 도 14는 도 12의 리플로우 처리를 나타내는 플로우차트이다.

도 13, 도 14에 있어서, 예를 들면, 도 1의 납땜 도포 존(22) 및 마운트 존(23)에서 납땜 페이스트 인쇄 및 전자 부품의 마운트 처리가 행하여진 테이프 기판(601)은 히트 블록(611∼614) 상에 반송된다(도 14의 단계 S1). 한편, 히트 블록(611∼614) 상에서 테이프 기판(601)을 반송하는 경우, 테이프 기판(601)을 히트 블록(611∼614)에 접촉시킨 채 반송할 수 있다. 이것으로, 히트 블록(611∼614)을 테이프 기판(601)에 접촉시켜서 테이프 기판(601)을 가열할 때에, 히트 블록(611∼614)의 이동 동작을 생략하는 것이 가능해져, 리플로우 처리의 소요 시간을 단축하는 것이 가능해진다. 여기서, 히트 블록(611∼614)을 플레이트 형상으로 구성함으로써, 테이프 기판(601)을 히트 블록(611∼614) 상에 접촉시킨 채, 테이프 기판(601)을 매끄럽게 반송하는 것이 가능해진다.

다음에, 도 13(b)에 도시하는 바와 같이, 납땜 페이스트 인쇄 및 전자 부품의 마운트 처리가 행하여진 테이프 기판(601)이 히트 블록(611∼614) 상에 반송되면, 테이프 기판(601)의 반송이 소정 시간만큼 정지되고(도 14의 단계 S2, S4), 각 히트 블록(611∼614)에 의한 테이프 기판(601)의 가열이 행하여진다. 여기서, 히트 블록(611∼614)은 테이프 기판(601)의 반송 방향을 따라 나란히 배치되고, 히트 블록(611, 612)의 온도는 납땜 융점보다 작은 범위에서 순차로 높아지도록 설정되고, 히트 블록(613)의 온도는 납땜 융점 이상으로 설정되고, 히트 블록(614)의 온도는 히트 블록(611, 612)의 온도보다 작아지도록 설정되어 있다.

이 때문에, 히트 블록(611, 612) 상의 회로 블록(603)에서는 예비 가열을 행하고, 히트 블록(613) 상의 회로 블록(603)에서는 메인 가열을 행하고, 히트 블록(614) 상의 회로 블록(603)에서는 냉각을 행하는 것이 가능해져, 테이프 기판(601) 상의 다른 회로 블록(603)에 대하여, 예비 가열, 메인 가열 및 냉각을 일괄적으로 행하는 것이 가능해진다.

여기서, 테이프 기판(601)이 히트 블록(611∼614) 상에 정지되면, 가압판(616)이 히트 블록(613) 상에 하강하고, 돌기부(617)를 통해서 히트 블록(613) 상의 회로 블록(603)을 가압시킬 수 있다. 이것으로, 테이프 기판(601)이 미역 형상으로 변형하고 있는 경우에 있어서도, 테이프 기판(601)에 열을 균일하게 전하는 것이 가능해져, 납땜 용융 처리를 안정하게 행하는 것이 가능해진다. 또, 돌기부(617)의 간격을 회로 블록(603)의 길이 대응시킴으로써, 회로 블록(603)의 경계에서 회로 블록(603)을 가압시키는 것이 가능해져, 회로 블록(603) 상에 배치된 전자 부품에 기계적 손상이 가해지는 것을 방지할 수 있다.

그리고, 테이프 기판(601)의 반송을 정지한 후 소정 시간만큼 경과하면, 테이프 기판(601)이 소정 길이만큼 반송되고, 테이프 기판(601) 상의 특정한 회로 블록(603)을 각 히트 블록(611∼614) 상에 순차로 정지시킴으로써, 테이프 기판(601) 상의 특정한 회로 블록(603)의 예비 가열, 메인 가열 및 냉각을 연속적으로 행하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 테이프 기판(601) 상의 특정한 회로 블록(603)의 온도를 단계적으로 상승시키는 것이 가능해져, 회로 블록(603)에 가해지는 열적 손상을 억제하면서, 리플로우 처리를 행하는 것이 가능해짐과 더불어, 납땜 용융된 회로 블록(603)의 온도를 신속하게 강하시키는 것이 가능해져, 납땜의 열산화를 억제하여, 제품 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.

또, 테이프 기판(601) 상의 특정한 회로 블록(603)을 각 히트 블록(611∼614) 상에 순차로 접촉시킴으로써, 경계의 온도차를 뚜렷하게 유지하면서, 회로 블록(603)의 온도의 상승 및 하강을 신속화하여, 회로 블록(603)을 설정 온도로 신속하게 이행시키는 것이 가능해져, 리플로우 처리를 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.

이 때문에, 도 1에 도시하는 바와 같이, 동일한 테이프 기판(601) 상에서 납땜 도포 처리 및 마운트 처리 후에 리플로우 처리를 연속적으로 행하는 경우에 있어서도, 리플로우 처리에 의해 속도 결정되어서 납땜 도포 처리 및 마운트 처리가 지체되어, 제조 효율이 도리어 열화되는 것을 방지하는 것이 가능해진다.

다시 말해, 납땜 도포 존(22) 및 마운트 존(23)의 회로 블록(603)의 납땜 도포 처리 및 마운트 처리가 각각 종료되고 있는 경우에 있어서도, 리플로우 존(24)의 회로 블록(603)의 리플로우 처리가 종료되고 있지 않은 경우, 리플로우 존(24)의 회로 블록(603)의 리플로우 처리가 종료되기까지, 테이프 기판(601)을 반송할 수 없다. 이 때문에, 납땜 도포 처리 및 마운트 처리에 비해, 리플로우 처리에 시간이 걸리는 경우, 리플로우 존(24)의 회로 블록(603)의 리플로우 처리가 종료되기까지, 납땜 도포 존(22) 및 마운트 존(23)의 회로 블록(603)의 납땜 도포 처리 및 마운트 처리를 각각 대기시킬 필요가 발생하여, 납땜 도포 존(22) 및 마운트 존(23)의 가동 효율이 저하하고, 제조 효율이 도리어 열화하게 된다.

여기서, 히트 블록(611∼614) 상에 테이프 기판(601)을 접촉시킴으로써, 테이프 기판(601)을 설정 온도로 신속하게 이행시키는 것이 가능해져, 리플로우 처리를 신속화시키는 것이 가능해진다. 이 때문에, 납땜 도포 처리, 마운트 처리 및 리플로우 처리를 일괄적으로 행하는 경우에 있어서도, 리플로우 처리에 의해 속도 결정되어, 도 1의 납땜 도포 존(22) 및 마운트 존(23)의 가동 효율이 저하하는 것을 방지할 수 있어, 생산 효율을 향상시키는 것이 가능해진다.

또, 테이프 기판(601)의 반송 방향을 따라 다수의 히트 블록(611∼614)을 나란히 배치함으로써, 리플로우 처리에 걸리는 시간을 증대시키는 일 없이, 회로 블록(603)의 온도를 단계적으로 상승시키는 것이 가능해져, 열적 손상을 억제하면서, 리플로우 처리를 행하는 것이 가능해진다.

이 때문에, 납땜 도포 처리, 마운트 처리 및 리플로우 처리를 일괄적으로 행하는 경우에 있어서도, 리플로우 처리에 의해 속도 결정되는 것을 방지하면서, 리플로우 처리에 있어서의 온도 프로필의 최적화를 도모하는 것이 가능해져, 제품 품질을 열화시키는 일 없이, 생산 효율을 향상시키는 것이 가능해진다.

여기서, 1회의 반송 택트로 반송되는 테이프 기판(601)의 길이는 예를 들면, 도 3의 납땜 도포 존(22)에 있어서, 1회의 반송 택트로 도포되는 납땜 도포 영역의 길이에 대응시킬 수 있다. 그리고, 1회의 반송 택트로 도포되는 납땜 도포 영역의 길이는 1개분의 회로 블록(603)의 길이의 정수배로 설정할 수 있다.

그리고, 도 1의 납땜 도포 존(22)에 있어서, 다수의 회로 블록(603)에 대해서 1회의 반송 택트로 일괄적으로 납땜 도포를 행함으로써, 다수의 회로 블록(603)에 대해서 일괄적으로 리플로우 처리를 단계적으로 행할 수 있어, 제품 품질을 열화시키는 일 없이, 생산 효율을 향상시키는 것이 가능해진다.

한편, 1회의 반송 택트로 도포되는 납땜 도포 영역의 길이와, 각 히트 블록(611∼614)의 길이는 반드시 일치시킬 필요는 없고, 1회의 반송 택트로 도포되는 납땜 도포 영역의 길이보다도, 히트 블록(611∼614)의 길이를 길게 하도록 해도 된다. 이것으로, 테이프 기판(601)의 회로 블록(603)의 길이가 변경된 경우에 있어서도, 히트 블록(611∼614)을 교환하는 일 없이, 특정한 회로 블록(603)을 모든 히트 블록(611∼614) 상에서 소정 시간 이상 가열하면서, 테이프 기판(601)을 반송할 수 있어, 제품 품질의 열화를 억제하면서, 생산 효율을 향상시키는 것이 가능해진다.

예를 들면, 1회의 반송 택트로 도포되는 납땜 도포 영역의 길이의 최대치는 예를 들면, 320㎜, 각 히트 블록(611∼614)의 길이는 예를 들면, 361㎜로 설정할 수 있다. 그리고, 도 12의 반송 구멍(602)의 1피치는 예를 들면, 4.75㎜, 1개분의 회로 블록(603)의 길이는 예를 들면, 반송 구멍(602)의 6∼15피치분의 길이의 범위에서 변경 가능한 것으로 한다. 이 경우, 1회의 반송 택트로 도포되는 납땜 도포 영역의 길이는 최대치(=320㎜)를 초과하지 않는 범위에서 회로 블록(603)의 개수가 가장 많아지도록 설정할 수 있다. 예를 들면, 1개분의 회로 블록(603)의 길이가 반송 구멍(602)의 8피치분의 길이라면, 1개분의 회로 블록(603)의 길이는 4.75 ×8=38㎜로 되고, 1회의 반송 택트로 도포되는 납땜 도포 영역의 길이는 8개분의 회로 블록(603)의 길이(=304㎜ ≤320㎜)로 할 수 있다. 이 때문에, 1회의 반송 택트로 반송되는 테이프 기판(601)의 길이(=304㎜)로 설정할 수 있다.

한편, 1회의 반송 택트로 도포되는 납땜 도포 영역의 길이보다도, 각 히트 블록(611∼614)의 길이를 길게 하고, 1회의 반송 택트로 반송되는 테이프 기판(601)의 길이를 납땜 도포 영역의 길이로 설정하면, 동일한 회로 블록(603)의 적어도 일부가 동일한 히트 블록(611∼614) 상에서 다수회 정지되어, 가열 시간이 길어지는 부분이 발생한다. 이 때문에, 가열 시간에 여유를 갖도록, 히트 블록(611∼614)의 온도 및 소요 시간을 설정함으로써, 리플로우 처리시의 품질을 유지하는 것이 가능해진다.

또, 히트 블록(611∼614)을 소정 간격만큼 띄워서 배치함으로써, 히트 블록(611∼614) 사이의 경계 온도를 뚜렷하게 유지하는 것이 가능해져, 회로 블록(603)의 모든 영역에 걸쳐서 설정 온도로 균일하게 유지하는 것을 가능하게 하여, 리플로우 처리시에 있어서의 제품 품질을 일정하게 유지하는 것이 가능해진다.

한편, 히트 블록(611∼614)을 소정 간격만큼 띄워서 배치하는 경우, 히트 블록(611∼614) 사이의 공극에 테프론(등록 상표) 등의 절연성 수지를 설치하도록 해도 되고, 이것으로, 히트 블록(611∼614) 사이의 열전도를 더한층 저하시키는 것이 가능해진다.

다음에, 도 13(c)에 도시하는 바와 같이, 예를 들면, 도 1의 납땜 도포 존(22) 또는 마운트 존(23) 등에서 트러블이 발생한 경우(도 14의 단계 S3), 히트 블록(611∼614)의 위치를 강하시킨다(도 14의 단계 S5). 그리고, 셔터판(615a, 615b)이 히트 블록(611∼614) 상에 오도록, 셔터판(615a, 615b)을 수평 이동시켜, 테이프 기판(601)의 상하에 셔터판(615a, 615b)을 삽입한다(도 14의 단계 S6).

이것으로, 예를 들면, 도 1의 납땜 도포 존(22) 또는 마운트 존(23) 등에서 트러블이 발생했기 때문에, 테이프 기판(601)의 반송이 장시간 정지한 채로 된 경우에 있어서도, 테이프 기판(601)의 가열 상태가 필요 이상으로 길어지는 것을 방지하는 것이 가능해져, 납땜의 열산화나 접촉 불량 등을 저감하는 것이 가능해진다.

한편, 테이프 기판(601)의 상하에 셔터판(615a, 615b)을 삽입함으로써, 테이프 기판(601)의 상하의 온도 분포를 균일화하는 것이 가능해져, 테이프 기판(601)이 미역 형상으로 변형하는 것을 방지하는 것이 가능해진다.

다음에, 도 13(d)∼도 13(f)에 도시하는 바와 같이, 도 1의 납땜 도포 존(22) 또는 마운트 존(23) 등에서 발생한 트러블이 해제되면(도 14의 단계 S7), 셔터판(615a, 615b)을 이탈시킨다(도 14의 단계 S8). 그리고, 히트 블록(611∼614)의 위치를 단계적으로 상승시키면서(도 14의 단계 S9), 히트 블록(611∼614)을 테이프 기판(601)에 접촉시킨다.

이것으로, 히트 블록(611∼614)이 테이프 기판(601)으로부터 장시간 이격된 상태가 이어졌기 때문에, 히트 블록(611∼614) 상의 테이프 기판(601)이 식은 경우에 있어서도, 테이프 기판(601)의 반송을 정지한 채, 각 히트 블록(611∼614) 상의 회로 블록(603)의 온도를 각각 단계적으로 상승시키는 것이 가능해진다.

이 때문에, 각 히트 블록(611∼614) 상의 회로 블록(603)의 온도를 각각 단계적으로 상승시키기 위해서, 테이프 기판(601)을 역방향으로 되감아, 테이프 기판(601)의 반송을 다시 할 필요가 없어져, 반송계를 복잡화시키는 일 없이, 리플로우 처리를 재개시키는 것이 가능해진다.

한편, 상술한 실시 형태에서는 테이프 기판(601)을 가열 상태로부터 회피시키는 경우, 히트 블록(611∼614) 전체를 테이프 기판(601)으로부터 이격하는 방법에 대해서 설명했지만, 예를 들면, 히트 블록(611, 612, 614)을 테이프 기판(601)에 접촉시킨 채, 히트 블록(613)만을 테이프 기판(601)으로부터 이격하도록 해도 된다. 이것으로, 예를 들면, 도 1의 납땜 도포 존(22) 또는 마운트 존(23) 등에서 트러블이 발생하여, 테이프 기판(601)의 반송이 장시간 정지한 채로 된 경우에 있어서도, 테이프 기판(601)의 회로 블록(603)에 계속해서 예열을 가하면서, 메인 가열을 중단시키는 것이 가능해져, 제품 불량을 저감하는 것이 가능해진다.

또, 도 12의 실시 형태에서는 히트 블록(611∼614)을 4개만 나란히 배치하는 방법에 대해서 도시했지만, 히트 블록(611∼614)을 5개 이상 나란히 배치하여, 회로 블록(603)의 예비 가열을 보다 완만하게 행하도록 하거나, 회로 블록(603)의 냉각을 단계적으로 행하도록 해도 된다.

또, 각 히트 블록(611∼614)을 플레이트 상에 구성하는 방법에 대해서 설명했지만, 히트 블록(611∼614)의 접촉면 중, 예를 들면, 반도체 칩이 배치되는 영역에 접촉하는 부분에 오목부를 형성하도록 해도 되고, 이것으로, 반도체 칩이 배치되는 영역에 히트 블록(611∼614)이 직접 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 열에 약한 반도체 칩이 테이프 기판(601) 상에 마운트되어 있는 경우에 있어서도, 반도체 칩에 가해지는 열적 손상을 억제하는 것이 가능해진다.

도 15는 본 발명의 제8 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치의 개략 구성을 도시하는 사시도이다.

도 15에 있어서, 테이프 기판(601a, 601b)에는 회로 블록(603a, 603b)이 길이 방향을 따라 늘어서도록 각각 배치되고, 각 회로 블록(603a, 603b)에는 전자 부품 탑재 영역이 각각 형성되어 있다. 또, 각 테이프 기판(601a, 601b)의 양쪽에는 각 테이프 기판(601a, 601b)을 반송하기 위한 반송 구멍(602a, 602b)이 소정 피치로 각각 형성되어 있다.

그리고, 히트 블록(611∼614) 상에는 2개의 테이프 기판(601a, 601b)이 병렬해서 배치되어 있다. 그리고, 이들 2개의 테이프 기판(601a, 601b)을 히트 블록(611∼614) 상에 접촉시킨 채 반송한다. 이것으로, 2개의 테이프 기판(601)을 히트 블록(611∼614) 상에서 일괄적으로 리플로우 처리하는 것이 가능해져, 생산 효율을 향상시키는 것이 가능해진다.

한편, 2개의 테이프 기판(601a, 601b)을 히트 블록(611∼614) 상에 병렬해서 반송하는 방법에 대해서 설명했지만, 3개 이상의 테이프 기판을 히트 블록(611∼614) 상에 병렬해서 반송하도록 해도 된다.

도 16은 본 발명의 제9 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치를 도시하는 측면도이다.

도 16(a)에 있어서, 리플로우 로(711)는 레일(713)을 가진 지지대(712)에 의해 지지되어 있다. 여기서, 리플로우 로(711)는 예를 들면, 납땜질 공정, 마운트 공정 후에 행하여지는 리플로우 공정에 있어서, 테이프 기판(700)에 늘어선 피가열 처리체로서의 회로 기판에 대하여, 가열 처리나 냉각 처리를 행하는 것으로, 회로 기판의 온도를 단계적으로 상승시키는 히터 존(721∼724) 및 회로 기판의 온도를 강하시키는 냉각 존(725)이 설치되어 있다. 한편, 리플로우 로(711)는 테이프 기판(700)에 늘어선 다수의 회로 기판을 일괄적으로 처리할 수도 있고, 테이프 기판(700)에 늘어선 회로 기판을 1개씩 처리하도록 할 수도 있다.

또, 리플로우 로(711)는 도 20(b), (c)에 도시하는 바와 같이, 지지대(712)의 레일(713)을 따라 화살표 a-b 방향으로 이동 자유자재로 되어 있다. 이 화살표 a-b 방향은 테이프 기판(700)의 반송 방향을 따른 것이다. 이와 같이, 리플로우 로(711)가 화살표 a-b 방향으로 이동 자유자재로 됨으로써, 히터 존(721∼724) 및 냉각 존(725)을 회로 기판의 제품 피치에 맞춘 위치로 설정할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 간단한 구성으로 제품의 품질 관리를 용이하게 행할 수 있고, 더불어 라인 정지시에 있어서의 제품의 손상을 회피할 수 있는 전자 디바이스 제조 장치, 전자 디바이스 제조 방법 및 전자 디바이스 제조 프로그램을 제공할 수 있다.

도 1은 제1 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법을 도시하는 도면이다.

도 2는 제2 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치를 도시하는 도면이다.

도 3은 도 2의 리플로우 처리를 도시하는 도면이다.

도 4는 도 2의 리플로우 처리를 도시하는 도면이다.

도 5는 도 2의 리플로우 처리의 온도 프로필을 도시하는 도면이다.

도 6은 제3 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치를 도시하는 도면이다.

도 7은 도 6의 리플로우 처리를 도시하는 도면이다.

도 8은 제4 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법을 도시하는 도면이다.

도 9는 제4 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법을 도시하는 도면이다.

도 10은 제5 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법을 도시하는 도면이다.

도 11은 제6 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 방법을 도시하는 도면이다.

도 12는 제7 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치를 도시하는 도면이다.

도 13은 도 12의 리플로우 처리를 도시하는 도면이다.

도 14는 도 12의 리플로우 처리를 나타내는 플로우차트.

도 15는 제8 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치를 도시하는 도면이다.

도 16은 제9 실시 형태에 관한 전자 디바이스 제조 장치를 도시하는 도면이다

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

31, 100, 200, 300, 601, 700 : 테이프 기판

31a∼31c, 101, 301, 801 : 회로 기판

32a∼32c, 102, 302, 802 : 배선

33a∼33c, 103, 303, 803 : 절연막

34a∼34c, 104, 304, 804 : 납땜 페이스트

35b, 35c, 105, 305, 805 : 반도체 칩

36c : 밀봉 수지 B11∼B13 : 회로 블록

21 : 로더 21a : 권출 릴

22 : 납땜 도포 존 23 : 마운트 존

24 : 리플로우 존 25 : 언로더

25a : 권취 릴 26 : 절단 존

27 : 수지 밀봉 존

111, 311∼313, 412, 512 : 프리히트 블록

112, 314, 413, 514 : 메인 히트 블록

113, 213, 315, 411, 414, 511, 513, 515, 825a∼825c : 냉각 블록

114, 214 : 덮기 개재 구멍 115, 215 : 분사 구멍

211, 611∼614 : 히트 블록 316 : 핫 에어 블로우 블록,

602 : 반송 구멍 615a, 615b : 셔터판

616 : 가압판 617 : 돌기부

711 : 리플로우 로(爐) 712 : 지지대

713 : 레일 721∼724 : 히터 존

725 : 냉각 존

Claims

전자 부품 탑재 영역이 회로 블록마다 형성된 연속체의 피가열 처리 영역과의 거리가 제어됨으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 발열 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제1항에 있어서, 상기 발열 수단은 상기 연속체의 피가열 처리 영역의 적어도 일부에 접근하던가, 혹은 접촉함으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제2항에 있어서, 상기 발열 수단은 상기 연속체의 이면측 또는 표면측으로부터 접촉하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발열 수단은 이동 속도 또는 이동 위치가 제어됨으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 단계적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발열 수단은 상하 이동 또는 수평 이동하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발열 수단은 동일한 피가열 처리 영역에 다수회 접촉하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발열 수단은 상기 회로 블록 상에 도포되는 납땜 도포 영역보다도 큰 접촉 면적을 가지고, 다수의 회로 블록에 대해서 일괄적으로 온도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 발열 수단은 설정 온도가 다른 다수의 접촉 영역을 가지고, 상기 접촉 영역이 상기 피가열 처리 영역에 순차로 접촉함으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 단계적으로 상승시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제8항에 있어서, 상기 설정 온도가 다른 다수의 접촉 영역은 상기 연속체의 반송 방향을 따라 나란히 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제8항에 있어서, 상기 설정 온도가 다른 접촉 영역 간에는 공극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제8항에 있어서, 상기 설정 온도가 다른 다수의 접촉 영역은 개별로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 피가열 처리 영역과 접촉하는 상기 발열 수단의 접촉면은 평탄한 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제12항에 있어서, 상기 발열 수단의 접촉면에는 상기 피가열 처리 영역의 반도체 칩의 배치 위치에 대응한 오목부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연속체의 피가열 처리 영역과 상기 발열 수단 사이에 이탈 삽입 가능한 셔터 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발열 수단에 의한 상기 피가열 처리 영역의 가열 시간을 계측하는 시간 계측 수단과,

상기 가열 시간이 소정 시간을 초과한 경우, 상기 피가열 처리 영역으로부터 상기 발열 수단을 이격하는 이격 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발열 수단을 지지하는 지지대와,

상기 연속체의 반송 방향을 따라 상기 지지대를 슬라이드시키는 슬라이드 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발열 수단과 다른 방향으로부터 상기 연속체의 피가열 처리 영역을 가열하는 가열 보조 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발열 수단에 의해 온도가 상승된 상기 피가열 처리 영역의 온도를 강하시키는 온도 강하 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제18항에 있어서, 상기 온도 강하 수단은 상기 피가열 처리 영역을 향하는 면측에 다수의 냉각제 분사 구멍을 가진 평판 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제18항에 있어서, 상기 온도 강하 수단은 상기 피가열 처리 영역을 두께 방향의 상하에서 덮어서 개재시키는 단면 コ자 형상 덮기 개재 구멍과, 상기 덮기 개재 구멍의 내면에 형성된 다수의 냉각제 분사 구멍을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제18항에 있어서, 상기 온도 강하 수단은 상기 발열 수단보다도 온도가 낮은 영역을 구비하고, 상기 온도가 낮은 영역이 상기 연속체의 피가열 처리 영역의 적어도 일부에 접촉함으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 강하시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제21항에 있어서, 상기 온도가 낮은 영역은 상기 납땜 도포 수단에 의해 도포되는 납땜 도포 영역보다도 큰 접촉 면적을 가지며, 상기 온도 강하 수단은 다수의 회로 블록에 대해서 일괄적으로 온도를 강하시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
제21항에 있어서, 상기 온도가 낮은 영역은 상기 발열 수단의 전단계 또는 후단계 혹은 상기 발열 수단 사이에 나란히 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 장치.
전자 부품 탑재 영역이 회로 블록마다 형성된 연속체의 피가열 처리 영역과 발열 수단과의 거리가 제어됨으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제24항에 있어서, 상기 연속체의 피가열 처리 영역의 적어도 일부에 상기 발열 수단을 접근시키던가, 혹은 접촉시킴으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제25항에 있어서, 다수의 회로 블록을 상기 발열 수단에 일괄적으로 접촉시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제25항 또는 제26항에 있어서, 동일한 회로 블록을 상기 발열 수단에 다수회 접촉시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제24항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연속체의 제1 피가열 처리 영역을 상기 발열 수단 상에 반송하는 공정과,

상기 발열 수단 상에 반송된 상기 제1 피가열 처리 영역을 상기 발열 수단에 접촉시킴으로써, 상기 제1 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 공정과,

상기 연속체의 제2 피가열 처리 영역을 상기 발열 수단 상에 반송하는 공정과,

상기 발열 수단 상에 반송된 상기 제2 피가열 처리 영역을 상기 발열 수단에 접촉시킴으로써, 상기 제2 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법
제24항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연속체의 피가열 처리 영역을 상기 발열 수단 상에 반송하는 공정과,

상기 발열 수단 상에 반송된 피가열 처리 영역에 상기 발열 수단을 단계적으로 접근시킴으로써, 상기 가열 처리 영역의 온도를 단계적으로 상승시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제24항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발열 수단에 의한 상기 피가열 처리 영역의 가열 후 또는 가열 중에, 상기 발열 수단을 상기 피가열 처리 영역으로부터 이격하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제30항에 있어서, 상기 이격된 상기 발열 수단과 상기 피가열 처리 영역 사이에 열 차단판을 삽입하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제30항에 있어서, 상기 피가열 처리 영역으로부터 이격된 상기 발열 수단을 상기 피가열 처리 영역에 다시 접촉시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제32항에 있어서, 상기 피가열 처리 영역으로부터 이격된 상기 발열 수단을 상기 피가열 처리 영역에 다시 접촉시키기 전에, 상기 피가열 처리 영역에 열풍을 분사하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제24항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연속체의 제1 피가열 처리 영역을 제1 발열 수단 상에 반송함과 더불어, 상기 연속체의 제2 피가열 처리 영역을 상기 제1 발열 수단보다도 고온의 제2 발열 수단 상에 반송하는 공정과,

상기 제1 발열 수단 상에 반송된 상기 제1 피가열 처리 영역을 상기 제1 발열 수단에 접촉시킴으로써, 상기 제1 피가열 처리 영역의 온도를 상승시킴과 더불어, 상기 제2 발열 수단 상에 반송된 상기 제2 피가열 처리 영역을 상기 제2 발열 수단에 접촉시킴으로써, 상기 제2 피가열 처리 영역의 온도를 상기 제1 피가열 처리 영역보다도 고온으로 상승시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제34항에 있어서, 상기 제1 발열 수단 및 상기 제2 발열 수단은 상기 제1 발열 수단이 전단계로 되도록 상기 연속체의 반송 방향을 따라 나란히 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제34항에 있어서, 상기 제1 및 제2 발열 수단에 의한 상기 피가열 처리 영역의 가열 후 또는 가열 중에, 상기 제1 발열 수단을 상기 제1 피가열 처리 영역에 접촉시킨 채, 상기 제2 발열 수단을 상기 제2 피가열 처리 영역으로부터 이격하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제36항에 있어서, 상기 제2 피가열 처리 영역으로부터 이격된 상기 제2 발열 수단을 상기 제2 피가열 처리 영역에 다시 접촉시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제37항에 있어서, 상기 제2 피가열 처리 영역으로부터 이격된 상기 제2 발열 수단을 상기 제2 피가열 처리 영역에 다시 접촉시키기 전에, 상기 제2 피가열 처리 영역에 열풍을 분사하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제38항에 있어서, 상기 발열 수단의 위치가 제품 피치에 대응하도록, 상기 연속체의 반송 방향을 따라 상기 발열 수단을 지지하는 지지대를 슬라이드시키는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제24항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발열 수단에 의해 온도가 상승된 피가열 처리 영역의 온도를 강하시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
제40항에 있어서, 상기 발열 수단에 의해 온도가 상승된 피가열 처리 영역의 적어도 일부에 상기 발열 수단보다 온도가 낮은 영역을 접촉시킴으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 강하시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.
전자 부품 탑재 영역이 회로 블록마다 형성된 연속체의 피가열 처리 영역과 발열 수단과의 거리를 제어시킴으로써, 상기 피가열 처리 영역의 온도를 상승시키는 단계를 컴퓨터로 실행시키는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 프로그램.