KR100495022B1 - 진공 배기 시스템 및 그 감시 및 제어 방법 - Google Patents

진공 배기 시스템 및 그 감시 및 제어 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 과제는 수명을 장시간화하여 생산성 향상을 도모하는 것이 가능한 진공 배기 시스템을 제공하는 것이다.
복수의 감시대역을 갖는 배기 펌프계(2), 감시대역에 각각 구비되어 감시대역에 있어서의 배기 펌프계(2)의 상태를 각각 독립적으로 검출하는 센서(101, 102, 103, …, 104), 감시대역에 각각 구비된 히터(201, 202, 203, …, 204)와, 센서(101, 102, 103, …, 104)로부터의 데이터 신호(D1, D2, D3, …, Dm)를 각각 수신하여 이 데이터 신호와 임계치를 비교하고, 특정한 센서로부터의 데이터 신호가 임계치를 넘는 경우는 특정한 센서가 배치된 감시대역의 히터에만, 가열용 전력을 선택적으로 공급하는 감시 및 제어 장치(1)를 갖는다.

Description

진공 배기 시스템 및 그 감시 및 제어 방법{VACUUM EXHAUST SYSTEM, AND METHOD FOR MONITORING AND CONTROLLING THE VACUUM EXHAUST SYSTEM}
본 발명은, 일반 산업용 혹은 반도체 제조 장치에 이용되는 배기 펌프계에 관한 것으로, 특히 그 고장 예방에 의한 긴 수명화를 실현하는 진공 배기 시스템에 관한 것이다.
일반 산업용 혹은 반도체 제조 장치가 많이 사용되고 있는 종래의 배기 펌프계의 문제점에 대해 서술한다. 일예로서, 감압 화학 기상 성장(CVD) 장치에 이용되는 배기 펌프계에 관하여, 특히 실리콘 질화막(Si3N4막)의 CVD 장치에 이용되는 배기 펌프계에서의 문제점에 대해 서술한다.
종래, 감압 CVD법에 의한 실리콘 질화막의 성막은 감압하에서 실리콘 소스로서 디클로로 실란(SiH2Cl2) 가스, 질화종으로서 암모니아(NH3) 가스를 이용하여 800 ℃ 정도로 화학 반응에 의해 실리콘(Si) 기판 상에 실리콘 질화막을 성막한다. 이 화학 반응은 실리콘 질화물을 생성하는 동시에, 반응 부생성물로서 염화 암모늄(NH4Cl) 가스 및 수소(H2) 가스를 발생한다. 수소는 기체이며, CVD 장치에 사용하는 배기 펌프계에 의해 배기된다. 한편, 염화 암모늄은 생성시에 있어서는 반응로 내가 800 ℃ 정도의 고온하 및 수백 Pa 혹은 서브 수백 Pa 이하의 감압하이므로, 기체형이다. 통상, 감압 CVD 장치에는 고체의 반응 부생성물을 포집하는 트랩이 CVD 장치와 배기 펌프계 사이에 설치되어 있다.
그러나, 트랩 위치에 있어서의 압력이 낮기 때문에, 트랩에 의한 고체의 반응 부생성물의 완전한 포집은 불가능하다. 따라서, 완전히 포집할 수 없는 염화 암모늄은 배기 펌프계에 도달한다. 배기 펌프계는 그 동작 성능상, 그 상류측에서 0.1 Pa 정도, 그 하류측에서 대기압으로 되어 있어, 배기 펌프 전후에서 5자릿수 정도의 압력차를 생성하는 기기로 되어 있다. 따라서, 염화 암모늄은 생성시는 기체이지만, 배기 펌프 중에서의 가스 압축에 의한 압력 상승에 의해, 배기 펌프 내부에 있어 고화하기 시작한다. 고화가 시작된 부분에서는 배관 직경의 감소에 의해 배기 콘덕턴스가 하강하고, 이 고정 부착 부분에 있어서 더욱 고화가 촉진되는 상황이 되어 버린다. 즉, 일부에서 국소적으로 시작된 고화는 급격하게 진행하여, 최종적으로는 배관을 폐색시키거나 혹은 회전 부분에 고정 부착하여 회전을 불가능하게 함으로써, 배기 펌프계를 고장나게 해 버린다. 배기 펌프계의 고장은, 극히 일부에서 일어난 치명상에 의해 일어나게 되므로, 배기 펌프계의 수명은 현저하게 짧은 것이 되고 있다.
상기 문제점을 비추어, 본 발명은 감압 CVD 등에 의한 반응 부생성물의 고화가 발생하는 배기 펌프계의 수명을 장시간화하여 생산성의 향상을 도모하는 것이 가능한 진공 배기 시스템 및 진공 배기 시스템의 감시 및 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 특징은 (가) 배기 방향에 따라서 직렬적으로 배열된 복수의 감시대역을 갖는 배기 펌프계와, (나) 감시대역에 각각 구비되어, 감시대역에 있어서의 배기 펌프계의 상태를 각각 독립적으로 검출하는 센서와, (다) 이 센서와 쌍을 이루어 감시대역에 각각 구비된 히터와, (라) 센서로부터의 데이터 신호를 각각 수신하여, 이 데이터 신호와 임계치를 비교하여, 특정한 센서로부터의 데이터 신호가 임계치를 넘는 경우는 특정한 센서가 배치된 감시대역의 히터에만, 가열용 전력을 선택적으로 공급하는 감시 및 제어 장치를 포함하는 진공 배기 시스템인 것을 요지로 한다.
본 발명의 제1 특징에 따르면, 직렬적으로 배열된 복수의 감시대역에 있어서, 배기 펌프계의 상태를 항상 관측하는 다종류 및 다수개의 센서를 부착하여 센서군을 구성하고 있다. 감시 및 제어 장치는 센서군에 의한 정보를 진단 및 해석하고, 또한 히터를 제어하는 소프트웨어를 내장한다. 센서 정보에 의한 상태 변화가 허용치(임계치)를 넘으면, 감시 및 제어 장치는 히터를 제어하여 이 부분에 있어서의 고정 부착 및 폐색의 진행을 억제할 수 있다.
센서로서는, 진동 측정계나 온도 측정계 등의 여러 가지 검출기가 사용 가능하다.
본 발명의 제2 특징은, 복수의 배기 요소의 일군이 일정한 배기 방향을 규정하도록 폐색이 접속된 배기 시스템에 관한 것이다. 즉, 본 발명의 제2 특징에 관한 진공 배기 시스템은, (가) 복수의 배기 요소의 일군에 포함되는 특정한 배기 요소와, (나) 이 특정한 배기 요소의 흡기측 배관에 접속된 제1 밸브와, (다) 이 제1 밸브에 한 쪽 배기측 배관이 접속된 분기 진공 배관과, (라) 이 분기 진공 배관의 다른 쪽 배기측 배관에 접속된 제2 밸브와, (마) 이 제2 밸브에 흡기측 배관이 접속된 바이패스 배관과, (바) 특정한 배기 요소의 배기측 배관에 한 쪽 흡기측 배관을 바이패스 배관의 배기측 배관에 다른 쪽 흡기측 배관을 접속한 다른 배기 요소와, (사) 특정한 배기 요소의 흡기측 배관, 특정한 배기 요소의 배기측 배관 및 특정한 배기 요소의 본체 내 적어도 하나에 접속된 센서와, (아) 이 센서로부터의 데이터 신호를 수신하여 이 데이터 신호와 임계치를 비교하고, 데이터 신호가 임계치를 넘는 경우는 제1 밸브를 폐쇄하고, 제2 밸브를 개방하는 신호를 제1 및 제2 밸브에 각각 공급하는 감시 및 제어 장치를 적어도 포함하는 것을 요지로 한다. 여기서,「배기 요소」라 함은 밸브나 진공 배관 이외의 주요 펌프, 보조 펌프 혹은 가스 쿨러 등을 의미한다. 따라서,「복수의 배기 요소의 일군이 일정한 배기 방향을 규정하도록 접속된 배기 펌프계」라 함은, 예를 들어 미캐니컬ㆍ부스터ㆍ펌프 등의 보조 펌프, 드라이 펌프 등의 주요 펌프 1단째, 주요 펌프 2단째, 주요 펌프 3단째, 가스 쿨러 1단째, 주요 펌프 4단째, 가스 쿨러 2단째, 주요 펌프 5단째, 가스 쿨러 3단째가 상호 직렬적으로 접속된 진공 배기계를 의미한다. 일정한 배기 방향을 규정하도록 접속된 각 배기 요소 사이에는 밸브나 진공 배관 등이 삽입되어 접속되어 있어도 좋고, 진공 플랜지 등을 거쳐서 직접 접속되어 있어도 좋다.
본 발명의 제2 특징에 있어서는, 배기 펌프계에 그 상태를 항상 관측하는 다종류 및 다수개의 센서가 구비되고, 또한 제1 밸브/제2 밸브에 의해 배기 경로가 제어되는 바이패스 배관을 부착하고 있다. 센서군 및 밸브 제어용의 신호선은 모두 감시 및 제어 장치에 접속되어 있다. 감시 및 제어 장치는 센서군에 의한 정보를 진단 및 해석하고, 또한 밸브를 제어하는 소프트웨어를 내장한다. 센서 정보에 의한 상태 변화가 허용치(임계치)를 넘으면, 감시 및 제어 장치는 제1 밸브/제2 밸브를 제어하여 바이패스 배관을 거쳐서 진공 배기하므로, 고정 부착 및 폐색된 부분이 배기 펌프계에 영향을 끼치는 것을 억제할 수 있다.
센서로서는, 진동 측정계나 온도 측정계 등의 여러 가지 검출기가 사용 가능한 것은 제1 특징과 마찬가지이다.
본 발명의 제3 특징은, (가) 배기 방향에 따라서 직렬적으로 배열된 복수의 감시대역을 갖는 배기 펌프계에 의해, 반응성 가스 및 이 반응성 가스에 의한 반응 부생성물의 가스를 진공 배기하는 스텝과, (나) 감시대역에 각각 구비된 센서에 의해, 감시대역에 있어서의 배기 펌프계의 상태를 각각 독립적으로 검출하는 스텝과, (다) 센서로부터의 데이터 신호를 각각 수신하여 이 데이터 신호와 임계치를 비교하여, 특정한 센서로부터의 데이터 신호가 임계치를 넘는 경우는 특정한 센서가 배치된 감시대역의 히터에만 가열용 전력을 선택적으로 공급하는 스텝을 포함하는 진공 배기 시스템의 감시 및 제어 방법인 것을 요지로 한다.
본 발명의 제3 특징에 따르면, 직렬적으로 배열된 복수의 감시대역에 있어서, 배기 펌프계의 상태를 다종류 및 다수개의 센서군에 의해 진단 및 해석할 수 있으므로, 특정한 감시대역에 있어서의 배기 펌프계의 내부에 대한 고정 부착 및 폐색의 진행을 억제할 수 있다.
센서로서는, 진동 측정계나 온도 측정계 등의 여러 가지 검출기가 사용 가능하다.
본 발명의 제4 특징은, (가) 특정한 배기 요소의 흡기측 배관에 접속된 제1 밸브와, 이 제1 밸브에 한 쪽 배기측 배관이 접속된 분기 진공 배관과, 이 분기 진공 배관의 다른 쪽 배기측 배관에 접속된 제2 밸브와, 이 제2 밸브에 흡기측 배관이 접속된 바이패스 배관과, 특정한 배기 요소의 배기측 배관에 한 쪽 흡기측 배관을 바이패스 배관의 배기측 배관에 다른 쪽 흡기측 배관을 접속한 다른 배기 요소를 포함하는 배기 펌프계에 의해, 반응성 가스 및 이 반응성 가스에 의한 반응 부생성물의 가스를 진공 배기하는 스텝과, (나) 특정한 배기 요소의 흡기측 배관, 특정한 배기 요소의 배기측 배관 및 특정한 배기 요소의 본체 내 적어도 하나에 접속된 센서에 의해, 특정한 배기 요소의 상태를 검출하는 스텝과, (다) 이 센서로부터의 데이터 신호를 수신하여 이 데이터 신호와 임계치를 비교하고, 데이터 신호가 임계치를 넘는 경우는 제1 밸브를 폐쇄하고, 제2 밸브를 개방하는 신호를 제1 밸브 및 제2 밸브에 각각 공급하는 스텝을 포함하는 진공 배기 시스템의 감시 및 제어 방법인 것을 요지로 한다.
본 발명의 제4 특징에 따르면, 센서 정보에 의해 상태 변화가 허용치(임계치)를 넘는다고 판단되면, 감시 및 제어 장치가 제1 밸브/제2 밸브를 제어하여 바이패스 배관을 거쳐서 진공 배기하도록 자동적으로 배기 경로를 변경할 수 있으므로, 특정한 배기 요소에 있어서의 고정 부착 및 폐색에 의해 전체의 배기 펌프계에 영향을 미치는 것을 억제할 수 있다.
다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 제1 및 제2 실시 형태를 설명한다. 이하의 도면의 기재에 있어서, 동일 또는 유사한 부분에는 동일 또는 유사한 부호를 부여하고 있다. 단, 도면은 모식적인 것으로, 현실의 것과는 다른 것으로 유의해야 할 것이다.
(제1 실시 형태)
도1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 진공 배기 시스템은 배기 방향에 따라서 직렬적으로 배열된 복수의 감시대역(Z1, Z2, Z3, …, Zm)을 갖는 배기 펌프계(2)와, 감시대역(Z1, Z2, Z3, …, Zm)에 각각 구비되고, 감시대역(Z1, Z2, Z3, …, Zm)에 있어서의 배기 펌프계(2)의 상태를 각각 독립적으로 검출하는 센서(101, 102, 103, …, 104)와, 이 센서(101, 102, 103, …, 104)와 쌍을 이루어 감시대역(Z1, Z2, Z3, …, Zm)에 각각 구비된 히터(201, 202, 203, …, 204)와, 센서(101, 102, 103, …, 104)로부터의 데이터 신호(D1, D2, D3, …, Dm)를 각각 수신하여 이 데이터 신호(D1, D2, D3, …, Dm)와 임계치를 비교하고, 특정한 센서로부터의 데이터 신호(Dj)가 임계치를 넘는 경우는 특정한 센서가 배치된 감시대역의 히터에만 가열용 전력을 선택적으로 공급하는 감시 및 제어 장치(1)를 갖는다. 가열용 전력은 감시 및 제어 장치(1)로부터 직접 공급해도 좋고, 혹은 히터(201, 202, 203, …, 204)가 각각 전원 장치를 갖도록 구성하고, 도1에 도시한 바와 같이 감시 및 제어 장치(1)로부터 히터(201, 202, 203, …, 204)에 각각 필요한 히터 제어 신호(C1, C2, C3, …, Cm)를 공급하여, 간접적으로 필요한 가열용 전력을 공급하도록 해도 좋다.
즉, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 진공 배기 시스템에 있어서는, 배기 펌프계(2)에 그 상태를 항상 관측하는 센서(101, 102, 103, 104, …)가 다종류 및 다수개 부착되어 있다. 다종류 및 다수개로 이루어지는 센서(101, 102, 103, 104, …)군은 배기 펌프계(2)의 상태를 감시 및 제어 장치(1)에 항상 송신하고 있다. 센서(101, 102, 103, 104, …)로서는 온도계, 압력계, 유량계, 전류 및 전압계 혹은 진동 측정계를 생각할 수 있다. 감시 및 제어 장치(1)의 내부에는 수신된 데이터 신호(D1, D2, D3, …, Dm)와 임계치를 비교하는 비교 회로(컴퍼레이터)가 구비되어 있다. 임계치와의 비교는 아날로그적으로 실시해도 좋고, 디지털 회로로 비교해도 좋다. 디지털 회로로 비교하는 경우는, 센서(101, 102, 103, 104, …)군으로부터의 정보는 센서(101, 102, 103, 104, …)의 출력 회로에 구비된 A/D 변환기를 통해, 디지털 신호로서 감시 및 제어 장치(1)에 집중된다. 혹은 아날로그 신호로서, 감시 및 제어 장치(1)에 송신하여 감시 및 제어 장치(1)의 입력 회로에 내장된 A/D 변환기를 통해, 디지털 신호로 변환하고 나서, 비교 회로에 입력하도록 구성해도 좋다. 어떠한 수법을 채용한다고 해도, 센서(101, 102, 103, 104, …)군으로부터의 정보(D1, D2, D3, …, Dm)는 감시 및 제어 장치(1)에 수집된다. 보다 상세한 정보(D1, D2, D3, …, Dm)의 진단 및 해석을 하는 경우는 중앙 연산 처리 회로(CPU)를 내장하도록 하면 된다. 이 CPU는 소정의 소프트웨어에 의해 제어된다. 이와 같이 하여, 감시 및 제어 장치(1)는 센서(101, 102, 103, 104, …)군에 의한 정보(D1, D2, D3, …, Dm)를 진단 및 해석하고, 또한 그 결과에 의거하여 히터(201, 202, 203, 204, …) 밸브군을 제어한다.
도2에 있어서는, 실리콘 질화막의 감압 CVD 장치의 배기 펌프계(2)의 일부를 나타내고 있다. 이 배기 펌프계(2)는 상류측으로부터, 보조 펌프(미캐니컬ㆍ부스터ㆍ펌프)(21), 주요 펌프 1단째(도시 생략), 주요 펌프 2단째(도시 생략), 주요 펌프 3단째(24), 가스 쿨러 1단째(25), 주요 펌프 4단째(26), 가스 쿨러 2단째(27), 주요 펌프 5단째(도시 생략), 가스 쿨러 3단째(도시 생략)가 배기 방향에 따라서 직렬적으로 접속되어 있다. 단, 주요 펌프 1단째, 주요 펌프 2단째, 주요 펌프 5단째 및 가스 쿨러 3단째는 도시를 생략하고 있다. 이들 복수의 배기 요소(21, 24, 25, 26, 27)는 진공 배관(32, …, 34, 35, 37, 38, 39)을 거쳐서 서로 접속되어 있다. 도2에 있어서도, 도1과 같이 복수의 배기 요소(21, …, 24, 25, 26, 27)의 각각에 대응하여 복수의 감시대역이 정의되어 있다. 그리고, 이 감시대역에 대응하여 감시대역에 있어서의 배기 펌프계(2)의 상태를 각각 독립적으로 검출하는 센서(111, 112, …, 121, 122, 123, 124, …, 127, 128)와, 이 센서(111, 112, …, 121, 122, 123, 124, …, 127, 128)와 쌍을 이루어 감시대역에 각각 구비된 히터(211, 212, …, 221, 222, 223, 224, …, 227, 228, 229)가 배치되어 있다. 이하에 있어서는, 센서(111, 112, …, 121, 122, 123, 124, …, 127, 128)는 열전대나 반도체 온도계 등의 온도계인 것으로서 설명한다. 그러나, 배기 펌프계(2)의 상태 변화를 파악할 수 있는 것이면, 센서(111, 112, …, 121, 122, 123, 124, …, 127, 128)는 온도계에 한정되지 않는다는 것에 유의해야 할 것이다. 감시 및 제어 장치(1)는 센서(111, 112, …, 121, 122, 123, 124, …, 127, 128)로부터의 데이터 신호를 각각 수신하여 이 데이터 신호와 임계치를 비교하고, 특정한 센서로부터의 데이터 신호가 임계치를 넘는 경우는 특정한 센서가 배치된 감시대역의 히터에만 가열용 전력을 선택적으로 공급하도록 동작한다. 이로 인해, 센서(111, 112, …, 121, 122, 123, 124, …, 127, 128)와 감시 및 제어 장치(1)는 배선(311, 312, …, 321, 322, 323, 324, …, 327, 328)으로 서로 접속되어 있다. 또한, 히터(211, 212, …, 221, 222, 223, 224, …, 227, 228, 229)와 감시 및 제어 장치(1)가 배선으로 서로 접속되어 있지만, 도2에서는 그 중, 히터(223, 224, 225)에 접속되는 배선(423, 424, 425)만을 도시하고 있다.
디클로로 실란(SiH2Cl2)과 암모니아(NH3)를 소스 가스로서 이용하는 실리콘 질화막의 감압 CVD법에 있어서는, 결과적으로 반응 부생성물인 염화 암모늄(NH4Cl)의 가스가 생성된다. 통상, 실리콘 질화막의 감압 CVD 장치에는 이들 미반응의 소스 가스(반응성 가스) 및 소스 가스의 반응에 의한 반응 부생성물(NH4Cl)을 포집하는 트랩이, 배기 펌프계(2)와 CVD 반응로(챔버) 사이에 삽입되어 있다. 트랩은 압력이 낮기 때문에, 반응 부생성물의 완전한 수집은 불가능하다. 완전히 수집할 수 없는 반응 부생성물은 배기 펌프계(2)까지 도달한다. 복수의 배기 요소(21, …, 24, 25, 26, 27)가 구성하는 배기 펌프계(2)에서는 기체의 압축에 의해 O.1 Pa 정도로부터 대기압까지 압력이 증가한다. 반응 부생성물은 상태도에 있어서의 승화 곡선에 따라서, 저압하에서는 기체로서 존재하지만, 보다 고압화로 고화를 시작한다. 펌프 내부에서는 가스의 압축이 반복되어, 수백 Pa의 압력으로부터 대기압까지 압력이 변화해 가기 때문에, 배기 가스 속의 가스형 반응 부생성물은 압력 상승과 함께 배기 펌프계(2) 내부에서 고화하기 시작한다. 배기 펌프계(2)의 배관 내에서 고화가 시작되면, 배관 내경 혹은 가스 쿨러(25, 27) 내의 용량이 감소하여 배기 콘덕턴스가 떨어진다. 반응 부생성물의 고화 및 흡착 부분에서는 압력이 더욱 증가하여, 그 결과로서 온도가 상승하기 시작한다.
감시 및 제어 장치(1) 내에는 배기 펌프계(2)의 복수의 감시대역의 각각에 있어서의 온도 상승이 몇 ℃ 정도까지 허용할 수 있는지, 임계치(허용치)가 설정되어 있다. 임계치는 CVD 장치의 개시 상태 및 현재까지 축적되어 있는 배기 펌프계(2)의 운용 상황을 근거로 한 관리 정보에 의거하여 결정한다. 제1 실시 형태에서는 온도 상승의 임계치를 "초기 상태로부터의 10 ℃ 상승"으로 하고 있다. 온도 상승이 임계치에 도달하면, 감시 및 제어 장치(1)는 배기 펌프계(2)의 복수의 감시대역에 부착된 히터(211, 212, 213, …, 221, 222, 223, 224, …, 229, …) 내의 대응하는 감시대역의 히터에만 전력을 공급하고, 이 대응하는 감시대역의 온도만을 선택적으로 상승시킨다.
예를 들어, 상류측의 가스 쿨러 1단째(25)의 흡기측 배관(35)에서, 반응 부생성물의 고정 부착에 의한 폐색이 시작되어, 온도 상승이 일어났다고 하자(전술한 바와 같이, 가스 쿨러는 모두 3단임). 이 경우는, 가스 쿨러 1단째(25)의 흡기측 배관(35)의 히터(223), 배기측 배관(38)의 히터(225) 및 가스 쿨러 1단째(25)의 외벽 부분의 히터(224)를, 180 ℃까지 상승시킨다. 히터(223, 225, 224)의 설정 온도는 염화 암모늄을 승화시키는 온도이다. 따라서, 다른 재료의 CVD 장치에 의해서 생성되는 반응 부생성물은 다른 성질을 갖기 때문에, 다른 재료의 CVD 장치에 관해서는 그 반응 부생성물에 대응한 온도를 설정할 필요가 있다. 히터(223, 225, 224)의 온도를 상승시킴으로써, 가스 쿨러 1단째(25)에서의 반응 부생성물의 고정 부착은 그 이상 진행하지 않게 된다.
반도체 제조 프로세스를 계속 행함으로써, 다른 감시대역에서의 고정 부착 및 폐색이 진행되므로, 배기 펌프계(2)의 상태에 변화가 나타나게 된다. 전술한 처리와 같이, 감시 및 제어 장치(1)는 배기 펌프계(2) 상태의 변화가 새로운 폐색 감시대역에 관하여 설정된 임계치를 넘은 시점에서, 히터(211, 212, 213, …, 221, 222, 223, 224, …, 229, …) 내의 대응하는 부위의 히터를 180 ℃까지 상승시킨다. 계속해서, 같은 처리(동작)를 반복함으로써 반응 부생성물의 고화 및 흡착을 분산시키는 것이 가능해진다.
종래는, 반응 부생성물이 고정 부착하기 시작한 부분에서의 고화는 급격하게 진행하고, 펌프를 고장나게 하는 치명상이 되고 있었다. 그러나, 본 발명에 따르면 폐색이 시작된 부분에서의 그 이상의 고정 부착을 억제하고, 반응 부생성물을 다른 감시대역으로 분산시키는 것이 가능해진다. 따라서, CVD 장치의 수명을 긴 수명화하는 것이 가능해진다.
(제2 실시 형태)
제1 실시 형태에서는, 특정한 감시대역(Z1, Z2, Z3, …, Zm)의 가열에 의해, 배기 펌프계 일부의 감시대역에 발생하는 반응 부생성물의 고정 부착을 억제하는 방법을 설명하였지만, 다른 방법이라도 가능하다.
도3은, 도2와 같이 상류측으로부터 보조 펌프(미캐니컬ㆍ부스터ㆍ펌프)(21), 주요 펌프 1단째(도시 생략), 주요 펌프 2단째(도시 생략), 주요 펌프 3단째(24), 가스 쿨러 1단째(25), 주요 펌프 4단째(26), 가스 쿨러 2단째(27), 주요 펌프 5단째(도시 생략), 가스 쿨러 3단째(도시 생략)가 배기 방향에 따라서 직렬적으로 접속된 배기 펌프계(2)의 일부를 나타내고 있다. 즉, 주요 펌프 1단째, 주요 펌프 2단째, 주요 펌프 5단째 및 가스 쿨러 3단째는 도시가 생략되어 있다. 이들 복수의 배기 요소(21, 24, 25, 26, 27)의 일군은 진공 배관(32, …, 34, 35, 37, 38, 39)을 거쳐서 일정한 배기 방향을 규정하도록 접속되어 있다. 이 배기 펌프계(2)에 있어서, 특정한 배기 요소(25)로서 가스 쿨러 1단째에 착안하여 설명한다. 이 가스 쿨러 1단째(특정한 배기 요소)(25)의 흡기측 배관(37)에는 제1 밸브(50)가 접속되어 있다. 이 제1 밸브(50)에는 분기 진공 배관(35)의 한 쪽 배기측 배관이 접속되어 있다. 이 분기 진공 배관(35)의 다른 쪽 배기측 배관에는 제2 밸브(51)가 접속되어 있다. 이 제2 밸브(51)에는 바이패스 배관(36)의 흡기측 배관이 접속되어 있다. 가스 쿨러 1단째(25)의 배기측 배관(38)에는 다른 배기 요소(26)로서의 주요 펌프 4단째의 한 쪽 흡기측 배관이 접속되어 있다. 주요 펌프 4단째(다른 배기 요소)(26)의 다른 쪽 흡기측 배관은 바이패스 배관(36)의 배기측 배관에 접속되어 있다.
여기서, 가스 쿨러 1단째(25)의 흡기측 배관(37), 가스 쿨러 1단째(25)의 본체 및 가스 쿨러 1단째(25)의 배기측 배관(38)에는, 센서(122, 123, 124)가 구비되어 있다. 제1 실시 형태와 같이, 제2 실시 형태에서도 센서는 온도계인 것으로서 설명한다. 감시 및 제어 장치(1)는, 이들 센서(122, 123, 124)로부터의 데이터 신호를 수신하여 이 데이터 신호와 임계치를 비교하고, 데이터 신호가 임계치를 넘는 경우는 제1 밸브(50)를 폐쇄하여, 제2 밸브(51)를 개방하는 신호를 제1 밸브(50) 및 제2 밸브(51)에 각각 공급한다. 이로 인해, 센서(122, 123, 124)와 감시 및 제어 장치(1)는 배선(322, 323, 324)으로 서로 접속되어 있다. 또한, 제1 밸브(50) 및 제2 밸브(51)는 감시 및 제어 장치(1)와 각각 배선(450, 451)으로 서로 접속되어 있다. 제1 밸브(50) 및 제2 밸브(51)를 감시 및 제어 장치(1)로부터의 전기 신호로 개폐하기 위해서는, 제1 밸브(50) 및 제2 밸브(51)는 전자 밸브 혹은 공기압으로 동작하는 뉴매틱 밸브로 하면 좋다. 뉴매틱 밸브의 경우는, 제1 밸브(50) 및 제2 밸브(51)에 각각 공급하는 공기압을 제1 밸브(50) 및 제2 밸브(51)에 접속되는 뉴매틱 배관계로 제어하면 좋다. 즉, 이 뉴매틱 배관계를 제어하는 전자 밸브 등을 감시 및 제어 장치(1)로부터의 전기 신호로 구동함으로써, 제1 밸브(50) 및 제2 밸브(51)의 개폐를 제어하면 좋다.
이와 같이, 바이패스 배관(36)을 설치함에 따른 방법이라도 배기 펌프계(2)의 긴 수명화가 가능하다. 폐색이 일어나지 않은 초기 상태에서는, 제1 밸브(50)가 개방 상태, 제2 밸브(51)가 폐쇄 상태이다. 즉, 가스 쿨러 1단째(25)를 가스가 통과한다. 실리콘 질화막에서는 상류측의 가스 쿨러 1단째(25)가 폐색하는 경우가 많다. 폐색에 의한 온도 상승이 임계치를 넘으면, 감시 및 제어 장치(1)가 제1 밸브(50)를 폐쇄하고, 동시에 제2 밸브(51)를 개방한다. 배기 가스는 바이패스 배관(36)을 통해, 주요 펌프 4단째(26)로 흐르게 된다. 즉, 종래이면 가스 쿨러 1단째(25)의 폐색이 일어나면, 배기 펌프계(2)의 전체 교환을 필요로 하였지만, 바이패스 배관(36)을 이용하여 폐색이 일어나고 있지 않은 부분에서의 운전이 가능해지므로, 배기 펌프계(2)의 긴 수명화가 가능해진다.
또, 가스 쿨러 1단째(25) 이외의 다른 배기 요소, 즉 보조 펌프(미캐니컬ㆍ부스터ㆍ펌프)(21), 주요 펌프 1단째(도시 생략), 주요 펌프 2단째(도시 생략), 주요 펌프 3단째(24), 주요 펌프 4단째(26), 가스 쿨러 2단째(27), 주요 펌프 5단째(도시 생략), 가스 쿨러 3단째(도시 생략) 등에 대해서도 마찬가지로 바이패스 배관, 센서, 바이패스 배관으로 절환하기 위한 자동 밸브를 구비하도록 해 두는 것이 바람직한 것은 물론이다.
(그 밖의 실시 형태)
상기한 바와 같이, 본 발명은 제1 및 제2 실시 형태에 의해 기재하였지만, 이 개시의 일부를 이루는 논술 및 도면은 본 발명을 한정하는 것이라고 이해해서는 안된다. 이 개시로부터 당업자에게는 여러 가지 실시 형태의 변형예, 대체 실시 형태, 실시예 및 운용 기술이 명백해질 것이다.
예를 들어, 이미 서술한 제2 실시 형태의 설명에 이용한 도3의 바이패스 배관(36)측에 또한, 다른 배기 요소를 배치한 구조로 해도 좋다. 도4는 본 발명의 제2 실시 형태의 변형예에 관한 것으로, 도3의 바이패스 배관(36)측에 또한, 예비 가스 쿨러(28)를 배치한 구조이다. 즉, 도4에 도시한 바와 같이 가스 쿨러 1단째(25)의 흡기측 배관(37)에 제1 밸브(50)가 접속되고, 이 제1 밸브(50)에는 분기 진공 배관(35)의 한 쪽 배기측 배관이 접속되어 있다. 이 분기 진공 배관(35)의 다른 쪽 배기측 배관에는 제2 밸브(51)가 접속되어 있다. 이 제2 밸브(51)에는 바이패스 배관(41)을 거쳐서 예비 가스 쿨러(28)의 흡기측 배관이 접속되어 있다. 예비 가스 쿨러(28)의 배기측에는 바이패스 배관(42)을 거쳐서 제4 밸브(53)가 접속되어 있다. 가스 쿨러 1단째(25)의 배기측 배관(38)에는 제3 밸브(52)가 접속되고, 이 제3 밸브(52)를 거쳐서, 주요 펌프 4단째의 한 쪽 흡기측 배관이 접속되어 있다. 제4 밸브(53)의 배기측에는 바이패스 배관(43)이 접속되고, 이 바이패스 배관(43)은 주요 펌프 4단째(26)의 다른 쪽 흡기측 배관에 접속되어 있다.
도3과 마찬가지로, 가스 쿨러 1단째(25)의 흡기측 배관(37), 가스 쿨러 1단째(25)의 본체 및 가스 쿨러 1단째(25)의 배기측 배관(38)에는 센서(122, 123, 124)가 구비되어 있다. 제1 실시 형태와 같이, 제2 실시 형태에서도 센서는 온도계인 것으로서 설명한다. 감시 및 제어 장치(1)는 이들 센서(122, 123, 124)로부터의 데이터 신호를 수신하여 이 데이터 신호와 임계치를 비교하고, 데이터 신호가 임계치를 넘는 경우는 제1 밸브(50) 및 제3 밸브(52)를 폐쇄하여, 제2 밸브(51) 및 제4 밸브(53)를 개방하는 신호를 제1 밸브(50), 제2 밸브(51), 제3 밸브(52) 및 제4 밸브(53)에 각각 공급한다. 이로 인해, 센서(122, 123, 124)와 감시 및 제어 장치(1)는 배선(322, 323, 324)에서 서로 접속되어 있다. 또한, 제1 밸브(50), 제2 밸브(51), 제3 밸브(52) 및 제4 밸브(53)는 감시 및 제어 장치(1)와 각각 배선(450, 451, 452, 453)으로 서로 접속되어 있다. 제1 밸브(50), 제2 밸브(51), 제3 밸브(52) 및 제4 밸브(53)가 감시 및 제어 장치(1)로부터의 전기 신호로 개폐하기 위해서는 제1 밸브(50), 제2 밸브(51), 제3 밸브(52) 및 제4 밸브(53)는 전자 밸브, 혹은 공기압으로 동작하는 뉴매틱 밸브로 하면 되는 것은, 도3의 경우와 같다.
도4에 도시한 바와 같이, 바이패스 배관(41, 42) 사이에 예비 가스 쿨러(28)를 설치함으로써, 가스 쿨러 1단째(25)에 폐색이 발생된 경우, 예비 가스 쿨러(28)를 사용하도록 배기 경로를 절환하는 것이 가능하다. 그리고, 예비 가스 쿨러(28)를 사용하는 배기 경로로 절환한 후, 가스 쿨러 1단째(25)의 흡기측 배관(37) 및 배기측 배관(38)의 부분에 설치된 진공 플랜지(도시 생략)를 개방하고, 폐색이 발생된 가스 쿨러 1단째(25)를 분해 청소한다. 진공 플랜지의 양측, 혹은 한 쪽을 벨로즈로 해 두면, 분해 작업이 용이하다. 분해 청소 완료 후, 다시 흡기측 배관(37) 및 배기측 배관(38)의 진공 플랜지(도시 생략) 부분에서 가스 쿨러 1단째(25)를 배기 경로에 삽입해 둔다. 이와 같이 해 두면, 다음에 예비 가스 쿨러(28)측에서 폐색이 생기면, 전술과 반대로 제1 밸브(50) 및 제3 밸브(52)를 개방하고, 제2 밸브(51) 및 제4 밸브(53)를 폐쇄하는 신호를 감시 및 제어 장치(1)로부터 제1 밸브(50), 제2 밸브(51), 제3 밸브(52) 및 제4 밸브(53)에 각각 송신하도록 하면 된다. 이를 위해서는, 도시를 생략하고 있지만 예비 가스 쿨러(28)에도 센서를 배치해 둔다. 즉, 가스 쿨러 1단째(25)와 예비 가스 쿨러(28)는 대칭 구조로 구성해 두면 좋다.
이와 같이, 가스 쿨러 1단째(25)와 예비 가스 쿨러(28)를 대칭 구조로 해 두면, 한 쪽에 폐색이 발생된 경우, 다른 쪽으로 절환하여 폐색이 발생된 가스 쿨러를 분해 청소할 수 있다. 따라서, 배기 펌프계(2)를 가동한 상태에서, 폐색을 해제할 수 있어 배기 펌프계(2)의 또 다른 긴 수명화가 가능하다.
또, 가스 쿨러 1단째(25) 이외의 다른 배기 요소, 즉 보조 펌프(미캐니컬ㆍ부스터ㆍ펌프(21), 주요 펌프 1단째(도시 생략), 주요 펌프 2단째(도시 생략), 주요 펌프 3단째(24), 주요 펌프 4단째(26), 가스 쿨러 2단째(27), 주요 펌프 5단째(도시 생략), 가스 쿨러 3단째(도시 생략) 등에 대해서도 마찬가지로 대칭 구조로 해 두면 좋은 것은 물론이다.
이와 같이, 본 발명은 여기서는 기재되어 있지 않은 여러 가지 실시 형태나 그 변형예 등을 포함하는 것은 물론이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 상기한 설명으로부터 타당한 특허 청구의 범위에 관한 발명 특정 사항에 의해서만 정해지는 것이다.
본 발명에 따르면, 감압 CVD 등에 의한 반응 부생성물의 고화가 발생하는 배기 펌프계의 수명을 장시간화하여 생산성의 향상을 도모할 수 있다.
도1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 진공 배기 시스템의 개념을 도시한 구성도.
도2는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 진공 배기 시스템을 보다 상세하게 도시한 모식적인 구성도.
도3은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 진공 배기 시스템을 도시한 모식적인 구성도.
도4는 본 발명의 그 밖의 실시 형태에 관한 진공 배기 시스템을 도시한 모식적인 구성도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 감시 및 제어 장치
2 : 배기 펌프계
21 : 보조 펌프(미캐니컬ㆍ부스터ㆍ펌프)
24 : 주요 펌프 3단째
25 : 가스 쿨러 1단째
26 : 주요 펌프 4단째
27 : 가스 쿨러 2단째
28 : 예비 가스 쿨러
32, 34, 35, 37 내지 40 : 진공 배관
36, 41 내지 43 : 바이패스 배관
50 : 제1 밸브
51 : 제2 밸브
52 : 제3 밸브
53 : 제4 밸브
101 내지 104, 111, 112, 121 내지 124, 128 : 센서
201 내지 204, 211, 212, 221 내지 224, 227 내지 229 : 히터
311, 312, 321 내지 328, 422 내지 424, 450 내지 453 : 배선
C1, C2, C3, …, Cm : 제어 신호
D1, D2, D3, …, Dm : 데이터 신호
Z1, Z2, Z3, …, Zm : 감시대역

Claims (11)

  1. 배기 방향에 따라서 직렬적으로 배열된 복수의 감시대역을 갖는 배기 펌프계와,
    상기 감시대역에 각각 구비되어 상기 감시대역에 있어서의 상기 배기 펌프계의 상태를 각각 독립적으로 검출하는 센서와,
    상기 센서와 쌍을 이루어 상기 감시대역에 각각 구비된 히터와,
    상기 센서로부터의 데이터 신호를 각각 수신하여 상기 데이터 신호와 임계치를 비교하고, 특정한 센서로부터의 상기 데이터 신호가 상기 임계치를 넘는 경우는 상기 특정한 센서가 배치된 상기 감시대역의 히터에만, 가열용 전력을 선택적으로 공급하는 감시 및 제어 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 배기 시스템.
  2. 복수의 배기 요소의 일군이 일정한 배기 방향을 규정하도록 접속된 배기 시스템이며,
    상기 복수의 배기 요소의 일군에 포함되는 특정한 배기 요소와,
    상기 특정한 배기 요소의 흡기측 배관에 접속된 제1 밸브와,
    상기 제1 밸브에 한 쪽 배기측 배관이 접속된 분기 진공 배관과,
    상기 분기 진공 배관의 다른 쪽 배기측 배관에 접속된 제2 밸브와,
    상기 제2 밸브에 흡기측 배관이 접속된 바이패스 배관과,
    상기 특정한 배기 요소의 배기측 배관에 한 쪽 흡기측 배관을 상기 바이패스 배관의 배기측 배관에 다른 쪽 흡기측 배관을 접속한 다른 배기 요소와,
    상기 특정한 배기 요소의 흡기측 배관, 상기 특정한 배기 요소의 배기측 배관 및 상기 특정한 배기 요소의 본체 내 적어도 하나에 접속된 센서와,
    상기 센서로부터의 데이터 신호를 수신하여 상기 데이터 신호와 임계치를 비교하여, 상기 데이터 신호가 상기 임계치를 넘는 경우는 상기 제1 밸브를 폐쇄하고, 상기 제2 밸브를 개방하는 신호를 상기 제1 및 제2 밸브에 각각 공급하는 감시 및 제어 장치를 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 배기 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 센서는 진동 측정계인 것을 특징으로 하는 진공 배기 시스템.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 센서는 온도 측정계인 것을 특징으로 하는 진공 배기 시스템.
  5. 배기 방향에 따라서 직렬적으로 배열된 복수의 감시대역을 갖는 배기 펌프계에 의해, 반응성 가스 및 상기 반응성 가스에 의한 반응 부생성물의 가스를 진공 배기하는 스텝과,
    상기 감시대역에 각각 구비된 센서에 의해, 상기 감시대역에 있어서의 상기 배기 펌프계의 상태를 각각 독립적으로 검출하는 스텝과,
    상기 센서로부터의 데이터 신호를 각각 수신하여 상기 데이터 신호와 임계치를 비교하여, 특정한 센서로부터의 상기 데이터 신호가 상기 임계치를 넘는 경우는 상기 특정한 센서가 배치된 상기 감시대역의 히터에만 가열용 전력을 선택적으로 공급하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 배기 시스템의 감시 및 제어 방법.
  6. 특정한 배기 요소의 흡기측 배관에 접속된 제1 밸브와, 상기 제1 밸브에 한 쪽 배기측 배관이 접속된 분기 진공 배관과, 상기 분기 진공 배관의 다른 쪽 배기측 배관에 접속된 제2 밸브와, 상기 제2 밸브에 흡기측 배관이 접속된 바이패스 배관과, 상기 특정한 배기 요소의 배기측 배관에 한 쪽 흡기측 배관을 상기 바이패스 배관의 배기측 배관에 다른 쪽 흡기측 배관을 접속한 다른 배기 요소를 포함하는 배기 펌프계에 의해, 반응성 가스 및 상기 반응성 가스에 의한 반응 부생성물의 가스를 진공 배기하는 스텝과,
    상기 특정한 배기 요소의 흡기측 배관과, 상기 특정한 배기 요소의 배기측 배관 및 상기 특정한 배기 요소의 본체 내 적어도 하나에 접속된 센서에 의해, 상기 특정한 배기 요소의 상태를 검출하는 스텝과,
    상기 센서로부터의 데이터 신호를 수신하여 상기 데이터 신호와 임계치를 비교하여, 상기 데이터 신호가 상기 임계치를 넘는 경우는 상기 제1 밸브를 폐쇄하고, 상기 제2 밸브를 개방하는 신호를 상기 제1 및 제2 밸브에 각각 공급하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 배기 시스템의 감시 및 제어 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 배기 펌프계에 가스 쿨러가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 배기 시스템.
  8. 제2항에 있어서, 상기 배기 요소의 하나로서 가스 쿨러가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 배기 시스템.
  9. 제2항에 있어서, 상기 제2 밸브와 상기 바이패스 배관의 사이에 예비 배기 요소를 갖고, 상기 제3 밸브와 상기 제4 밸브에 각각 상기 바이패스 배관의 배기측 배관과 상기 특정한 배기 요소의 배기측 배관이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 배기 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 상기 센서의 하나로서 진동 측정계가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 배기 시스템.
  11. 제9항에 있어서, 상기 센서의 하나로서 온도 측정계가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 배기 시스템.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8642353B2 (en) * 2004-05-10 2014-02-04 The Aerospace Corporation Microfluidic device for inducing separations by freezing and associated method
US7694694B2 (en) * 2004-05-10 2010-04-13 The Aerospace Corporation Phase-change valve apparatuses
US7650910B2 (en) * 2004-06-24 2010-01-26 The Aerospace Corporation Electro-hydraulic valve apparatuses
US7686040B2 (en) * 2004-06-24 2010-03-30 The Aerospace Corporation Electro-hydraulic devices
US7721762B2 (en) 2004-06-24 2010-05-25 The Aerospace Corporation Fast acting valve apparatuses
US7204737B2 (en) 2004-09-23 2007-04-17 Temic Automotive Of North America, Inc. Hermetically sealed microdevice with getter shield
US20090301579A1 (en) * 2008-06-10 2009-12-10 Gnb Corporation Vacuum pressure systems with vacuum chamber full-range, closed-loop pressure control
US8676387B2 (en) * 2008-10-13 2014-03-18 General Electric Company Methods and systems for determining operating states of pumps
JP5669659B2 (ja) * 2011-04-14 2015-02-12 住友重機械工業株式会社 クライオポンプ及び真空排気方法
CN102518580B (zh) * 2011-11-23 2014-03-12 奇瑞汽车股份有限公司 一种真空泵的耐久试验台架及耐久试验方法
JP6410590B2 (ja) * 2014-12-17 2018-10-24 住友重機械工業株式会社 コールドトラップ及びコールドトラップの制御方法
JP2016134585A (ja) * 2015-01-22 2016-07-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置、半導体製造装置の診断システムおよび半導体装置の製造方法
JP5990626B1 (ja) * 2015-05-26 2016-09-14 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6054470B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6054471B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長装置排気部
JP6391171B2 (ja) * 2015-09-07 2018-09-19 東芝メモリ株式会社 半導体製造システムおよびその運転方法
US9889995B1 (en) 2017-03-15 2018-02-13 Core Flow Ltd. Noncontact support platform with blockage detection
TW202200817A (zh) * 2020-06-17 2022-01-01 美商應用材料股份有限公司 高溫化學氣相沉積蓋
CN112648534B (zh) * 2020-12-03 2022-07-19 青岛中科墨云智能有限公司 一种新型真空气压转换装置及晶片分选机

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100231255B1 (ko) * 1994-07-01 1999-11-15 이노우에 아키라 처리장치의 진공배기 시스템
KR100260246B1 (ko) * 1995-04-20 2000-07-01 히가시 데쓰로 진공배기시스템 및 혼입물 제거방법

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2907032C2 (de) * 1979-02-23 1984-06-20 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Polarographischer Sauerstoffmeßfühler für Gase, insbesondere für Abgase von Verbrennungsmotoren
JPS58161775A (ja) * 1982-03-19 1983-09-26 Anelva Corp 放電装置
US4468283A (en) * 1982-12-17 1984-08-28 Irfan Ahmed Method for etching and controlled chemical vapor deposition
JPS614875A (ja) * 1984-06-20 1986-01-10 Kokusai Electric Co Ltd プラズマエツチング装置の真空排気方法
JPH02221685A (ja) * 1989-02-23 1990-09-04 Shimadzu Corp 真空排気装置
JP2694294B2 (ja) * 1989-04-30 1997-12-24 株式会社エステック マスフロメータおよびマスフローコントローラ
US4987549A (en) * 1989-11-13 1991-01-22 General Motors Corporation Temperature compensated flowmeter techniques
US5348723A (en) * 1990-02-07 1994-09-20 Bandgap Technology Corporation Synthesis of semiconductor grade tungsten hexafluoride
JPH0690126B2 (ja) * 1990-10-30 1994-11-14 株式会社島津製作所 キャピラリレオメータおよび温度検査棒
JP2627039B2 (ja) * 1992-06-24 1997-07-02 シーケーディ株式会社 真空排気装置
US5557972A (en) * 1994-09-13 1996-09-24 Teledyne Industries, Inc. Miniature silicon based thermal vacuum sensor and method of measuring vacuum pressures
US5517594A (en) * 1994-10-17 1996-05-14 Relman, Inc. Thermal reactor optimization
JP3550879B2 (ja) * 1996-05-30 2004-08-04 ダイキン工業株式会社 真空排気装置
US5895596A (en) * 1997-01-27 1999-04-20 Semitool Thermal Model based temperature controller for semiconductor thermal processors
US5900177A (en) * 1997-06-11 1999-05-04 Eaton Corporation Furnace sidewall temperature control system
TW446995B (en) * 1998-05-11 2001-07-21 Semitool Inc Temperature control system for a thermal reactor
US6383300B1 (en) * 1998-11-27 2002-05-07 Tokyo Electron Ltd. Heat treatment apparatus and cleaning method of the same
US6206971B1 (en) * 1999-03-29 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Integrated temperature controlled exhaust and cold trap assembly
JP4426024B2 (ja) * 1999-09-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の温度校正方法
KR20010056959A (ko) * 1999-12-17 2001-07-04 윤종용 저압 화학 기상 증착용 반응로의 잔류 가스 배기 장치
FR2808098B1 (fr) * 2000-04-20 2002-07-19 Cit Alcatel Procede et dispositif de conditionnement de l'atmosphere dans une chambre de procedes
JP4138267B2 (ja) * 2001-03-23 2008-08-27 株式会社東芝 半導体製造装置、真空ポンプの寿命予測方法及び真空ポンプの修理タイミング決定方法
JP4071449B2 (ja) * 2001-03-27 2008-04-02 株式会社東芝 センサ異常検出方法及びセンサ異常検出装置
JP2003077838A (ja) * 2001-08-30 2003-03-14 Toshiba Corp 半導体製造装置のドライクリーニング時期判定システム、半導体製造装置のドライクリーニング方法、半導体製造装置のドライクリーニングシステム及び半導体装置の製造方法
JP3836696B2 (ja) * 2001-08-31 2006-10-25 株式会社東芝 半導体製造システムおよび半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100231255B1 (ko) * 1994-07-01 1999-11-15 이노우에 아키라 처리장치의 진공배기 시스템
KR100260246B1 (ko) * 1995-04-20 2000-07-01 히가시 데쓰로 진공배기시스템 및 혼입물 제거방법

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Publication number Publication date
US20050260081A1 (en) 2005-11-24
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