KR100494974B1 - 반도체 조립체 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 순응적인 섬유상 인터페이스를 가진 전자 장치에 관한 것이다. 이 인터페이스는, 섬유들의 일부가 접착제의 외부로 연장하는 상태로 접착제에 실질적으로 수직인 방향으로 매립된 플로킹 가공된 열전도성 섬유들과 접착제의 외부로 연장하는 섬유의 부분과 섬유의 자유 선단 사이에 위치하는 봉입재를 가지는 자유 섬유 선단 구조체를 포함한다.

Description

반도체 조립체 및 그의 제조방법{A semiconductor assembly and a method of making a semiconductor assembly}
본 발명은 섬유상(狀) 인터페이스(interface)를 구비한 전자 장치, 구체적으로는, 반도체 조립체(semiconductor assembly)에 관한 것이다.
전자 장치가 더욱 소형화되고 더욱 고속으로 동작함에 따라, 열의 형태로 방출되는 에너지가 극적으로 증가한다. 과잉의 열을 물리적 인터페이스를 가로질러 이송하기 위해, 그러한 장치에서 열(熱) 그리스(grease) 또는 그리스와 유사한 재료를 단독으로 또는 담체(carrier)상에 사용하는 것이 산업계에서 일반적으로 행해지고 있다. 그러나, 표면 평탄도의 큰 편차로 인하여 반도체 장치의 결합 표면들 사이에 틈이 형성되거나 또는 패키지(package) 높이의 변동, 제조 공차 등과 같은 다른 이유로 결합 표면들 사이에 큰 틈이 존재할 때는, 상기 재료의 성능이 저하된다. 이들 재료의 열 이송 능력이 저하되는 경우, 냉각될 장치의 성능이 악영향을 받게 된다.
도 1은 열 싱크와 레벨 I 인터페이스 및 레벨 II 인터페이스를 구비한 반도체 조립체의 개략도이다.
도 2(A) 내지 도 2(C)는 섬유들이 접착제에 플로킹 가공된 것과, 섬유들이 접착제내로 밀어 넣어져 섬유의 일부 길이가 접착제로부터 약간 연장하여 있는 것을 나타내는 개략도이다.
도 3은 섬유들 사이의 봉입재와 자유 섬유 선단을 나타내는 개략도이다.
본 발명은 전자 장치에서 방산(放散)될 수 있는 과잉의 열을 효과적으로 처리할 수 있는 섬유상 인터페이스를 구비한 반도체 조립체를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 방열(放熱) 스프레더(spreader) 또는 뚜껑(lid)과 같은 기재(基材)와, 그 기재와의 사이에 섬유상 인터페이스, 즉, 자유 섬유 선단(先端) 구조체(free fiber tip structure)를 구비한 반도체 다이(die)를 포함하는 반도체 조립체와 같은 전자 장치가 제공된다. 그 자유 섬유 선단 구조체는, 예를 들어, 전기적 플로킹(electroflocking) 가공, 기계적 플로킹(mechanical flocking) 가공 또는 공기적 플로킹(pneumatic flocking) 가공 등과 같은 플로킹 가공이 행해진 열전도성 섬유들을 포함하고, 그 섬유들은 일 단부에서 접착제와 같은 기재에 실질적으로 수직인 방향으로 매립되고, 그 섬유들의 나머지 부분이 접착제의 외부로 연장하여 있다. 접착제의 외부로 연장하는 섬유 부분들 사이에는 봉입재(封入材)(encapsulant)가 배치되어 있다. 섬유들 사이에 봉입재를 배치함으로써, 섬유들이 인터페이스 구조체로부터 빠지는 것이 최소화 또는 방지된다.
본 발명의 다른 실시형태에서는, 방열 뚜껑 또는 스프레더와 같은 뚜껑을 가진 반도체 패키지와, 그 패키지 내에 배치된 반도체 다이와, 그 반도체 다이와 패키지의 뚜껑 사이의 자유 섬유 선단 구조체로 이루어진 인터페이스를 포함하는 반도체 조립체와 같은 전자 장치가 제공된다. 이 반도체 조립체는 또한, 열 싱크(heat sink)와, 패키지의 뚜껑과 열 싱크 사이의 인터페이스를 추가로 포함할 수도 있다. 상기 두 경우 모두에 있어서, 인터페이스는, 앞에서 설명된 바와 같이 접착제에 매립되는 플로킹 가공된 열전도성 섬유들을 포함한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 전자 장치, 예를 들어, 반도체 조립체를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법에서는, 원하는 길이의 열전도성 섬유들을 준비하고, 필요한 경우, 세정한다. 접착제를 기재에 도포하고, 섬유들의 일부가 접착제의 외부로 연장하는 상태로 그 섬유들을 접착제에 매립하도록 섬유들의 일 단부를 기재에 플로킹 가공한다. 그 다음, 접착제를 경화하고, 섬유들 사이의 공간에 경화성 봉입재를 채운다. 섬유들 사이의 공간에 봉입재가 채워진 상태로 접착제에 매립된 섬유들을 공칭 섬유 길이보다 작은 높이로 압축하고, 그 압축된 높이에서 클램핑(clamping)한다. 그후, 압축 하에 봉입재를 경화하여, 섬유들의 선단이 접착제 및 봉입재의 외부로 연장한 자유 섬유 선단 구조체를 얻는다. 변형예로서, 후에 설명되는 바와 같이, 접착제와 봉입재를 동시에 경화할 수도 있다.
반도체 다이(die)는 일반적으로는 패키지 내에 장착되고, 이 패키지는 열 에너지를 제거하기 위한 외부 열 소산(消散) 장치와 접속된다. 장치의 최적 성능을 유지하기 위해, 반도체 다이와 패키지 사이의 열 인터페이스 및/또는 패키지와 열 소산 장치 사이의 열 인터페이스는 열을 제거하는데 유용하다. 반도체 다이와 패키지 사이의 인터페이스를 "레벨 I" 패키징(packaging) 또는 인터페이스라 부르고, 열 싱크와 같은 외부 열 소산 장치에의 접속부를 "레벨 II" 패키징 또는 인터페이스라 부른다. 이러한 구조가 도 1에 도시되어 있다. 도 1은, 반도체 다이(12)를 둘러싸고 방열 스프레더 또는 뚜껑(13)을 포함하는 패키지(10)를 구비한 반도체 조립체를 나타낸다. 레벨 I 인터페이스(14)가 반도체 다이(12)와 뚜껑(13) 사이에 배치되고, 레벨 II 인터페이스(16)가 뚜껑(13)과 열 싱크(heat sink)(20) 사이에 배치되어 있다. 이 반도체 조립체는 도시한 바와 같이 땜납(8)에 의해 패키지(10)에 부착될 수 있고, 상기 뚜껑은 관련된 특정의 전자 장치에 따라 방열 뚜껑 또는 스프레더로 이루어질 수 있다.
레벨 I 및 레벨 II 인터페이스에 대한 요건은 열 유속(流束)(heat flux), 즉, 단위 면적당 소산되는 열이 높기 때문에 다른 장치의 레벨 인터페이스보다 아주 엄격하다. 전형적으로는 열 저항(℃in2/W)의 증가로 표시되는 열 성능의 저하가 이들 인터페이스에 대한 장치 온도의 증가에 수반하여 일어날 수 있다.
이들 적용을 위한 인터페이스 재료는 낮은 벌크(bulk) 열 저항과 낮은 접촉 저항을 가지는 것이 유리하다. 적당한 재료는 결합 표면들에 일치하는 재료, 즉, 그 표면들을 적시는 재료이다. 벌크 열 저항은 재료의 두께, 열 전도율 및 면적의 함수로 표시될 수 있다. 접촉 저항은 재료가 결합 표면들과 얼마나 양호하게 접촉할 수 있는가를 나타내는 척도이다. 인터페이스의 이러한 열 저항은 하기 식으로 표시될 수 있다.
상기 식에서, θ는 열 저항이고, t는 재료 두께이고, k는 재료의 열 전도율이고, A는 인터페이스의 면적이다.
항 는 벌크 재료의 열 저항을 나타내고, 2 θ접촉은 2개의 면에서의 열 접촉 저항을 나타낸다.
양호한 인터페이스 재료는 낮은 벌크 저항과, 예를 들어, 반도체 다이, 방열 스프레더, 뚜껑 또는 열 싱크 표면에서의 낮은 접촉 저항을 가져야 한다.
레벨 I 인터페이스 및 레벨 II 인터페이스를 구비한 패키지는 인터페이스 재료가 제조 시에 초래되는 표면 평탄도의 편차 및/또는 열 팽창율(CTE)의 불일치로 인한 구성요소들의 뒤틀림에 순응하는 것을 필요로 한다.
레벨 I 적용예에서는, 방열 뚜껑의 캐비티(cavity)의 높이의 변동이 인터페이스 두께의 변동으로 된다. 열 그리스와 같은, 낮은 k 값을 갖는 재료는 인터페이스가 얇을 때, 즉, t가 낮을 때 양호하게 기능한다. 인터페이스 두께가 0.002 인치(0.0508 mm) 만큼 증가하면, 열 성능이 극적으로 저하할 수 있다. 또한, 그러한 적용예의 경우, 반도체 다이, 즉, 실리콘 칩과 방열 뚜껑 사이의 CTE의 차이로 인하여, 틈(gap)이 각각의 온도 또는 파워(power) 사이클에서 확장 및 수축하게 된다. 인터페이스 두께의 이러한 변동에 의해, 그리스와 같은 유체 인터페이스 재료가 인터페이스로부터 분출될 수 있다.
레벨 II 인터페이스는 전형적으로는 보다 큰 면적을 가지므로, 제조시에 표면 평탄성의 편차를 보다 많이 받을 수 있다. 열 성능을 최적화하기 위해서는, 인터페이스 재료는 평탄하지 않은 표면 및 낮은 접촉 저항에 순응할 수 있어야 한다.
최적의 인터페이스 재료는 높은 열전도성과 높은 기계적 순응성을 가지며, 예를 들어, 힘이 가해질 때 탄성적으로 굴복한다. 높은 열전도성은 상기한 식의 첫번째 항을 감소시키고, 높은 기계적 순응성(compliance)은 상기한 식의 두번째 항을 감소시킨다. 정렬된 열전도성 섬유상 재료가 이들 목적 도두를 달성할 수 있다. 적절히 배향된 열전도성 섬유들이 결합 표면들 사이에 걸쳐짐으로써, 한쪽 표면으로부터 다른쪽 표면으로의 연속적인 높은 전도성 통로를 이룰 수 있게 한다. 섬유가 충분히 유연성이고 섬유의 선단 영역이 움직일 수 있으면, 상기 표면과의 양호한 접촉이 만들어 질 수 있다. 이에 따라, 우수한 표면 접촉이 얻어지고, 인터페이스 재료의 접촉 저항이 최소화된다. 레벨 I 및/또는 레벨 II 적용예에서의 열 인터페이스를 형성하기 위해, 적절히 형성된 인터페이스를 하나 또는 그 이상의 패키징 구성요소에 결합할 수 있다.
반도체 패키지는 인터페이스 재료가 방열 뚜껑과 반도체 다이 사이에서 방열 뚜껑의 캐비티에 제공되도록 구성될 수 있다. 그 뚜껑은, 인터페이스 재료가 반도체 다이와 접촉하고 그 반도체 다이에 의해 약간 압축되도록 반도체 패키지 상에 설치될 수 있다. 이 구성에서는, 방열 뚜껑과 패키지 사이의 접착제가 경화되는 동안 방열 뚜껑이 적소에 유지된다. 그래서, 인터페이스 재료는 부품마다의 캐비티 높이의 변동에 순응할 수 있고, 열 사이클 중에 반도체 다이와 방열 뚜껑 표면 사이의 거리의 변화에 순응할 수 있다.
외부에의 열 소산을 분산시키거나 또는 가능하게 하기 위해, 방열 뚜껑과 열 싱크와 같은 외부 열 소산 장치 사이에 인터페이스 재료가 배치될 수 있다. 또한, 이 인터페이스 재료는 제조 중에 패키지와 열 소산 표면 구성요소에 유발되는 평탄성의 편차를 수용한다. 인터페이스 재료는 열 싱크, 열 파이프, 열 플레이트, 열전기 냉각기 등과 같은 열 소산 표면에 제공되거나 또는 패키지의 표면에 제공될 수 있다. 열 소산 장치는 스프링 클립, 볼트, 또는 접착제를 사용하여 통상의 방법으로 패키지에 부착될 수 있다.
인터페이스 재료는 하기와 같이 제조될 수 있다.
약 3 미크론 내지 약 100 미크론의 직경을 가지는, 다이아몬드 섬유, 탄소 섬유, 흑연 섬유, 예를 들어, 구리 섬유 및 알루미늄 섬유와 같은 금속 섬유 등의 적당한 열전도성 섬유를, 예를 들어, 대략 0.0005 인치(0.01275 mm) 내지 0.25 인치(6.35 mm), 바람직하게는, 대략 0.015 인치(0.381 mm) 내지 대략 0.25 인치(6.35 mm)의 길이로 절단한다. 현재는, 약 10 미크론의 직경을 갖는 섬유가 바람직하다. 또한, 바람직한 섬유는 약 25 W/mK 이상의 열전도율을 갖는다. 유용한 유형의 섬유로는, Amoco사로부터 입수가능한 K-1100, K-800, P-120, P-100, P-70, T-50으로 불리는 섬유와, Toray사로부터 입수가능한 M46J 및 M46JB로 불리는 섬유를 들 수 있다.
필요한 경우, 섬유들을 세정한다. 섬유들을 세정하는 것은 섬유상에 존재하는 어떤 코팅제를 제거하기 위한 것이다. 몇몇 시판되는 섬유는 표면에 코팅제가 도포된 상태로 판매되는데, 이러한 코팅제는 세정에 의해 제거되는 것이 바람직하다. 한 가지 세정 방법은 섬유를 공기중에서 가열하여 코팅제, 즉, 풀 재료를 연소 제거하는 것이다. 그러나, 화학적 세정 방법도 이용될 수 있다.
인터페이스를 제조하기 위해서는, 먼저, 기재(基材)(26)에 접착제(28)를 도포한다. 그 접착제는, 예를 들어, 에폭시를 포함하는 접착제(예를 들어, Grace Specialty Polymers로부터 입수가능한 Eccobond 281)와 같은 저응력(low stress) 접착제인 것이 유리하지만, 시아네이트 에스테르 접착제, BMI, 실리콘, 유기실리콘, 겔(gel) 및 분무 개스킷 재료도 유용하다.
다음, 도 2(A)에 도시된 바와 같이, 섬유(32)들을 접착제(28)가 도포된 기재(26)에 플로킹 가공, 예를 들어, 전기적 플로킹 가공하여 섬유(32)들을 접착제(28)에 매립한다. 전기적 플로킹 가공은 서로 약간 이격된 2개의 플레이트들을 서로 반대의 극성으로 대전(帶電)시키는 잘 알려진 방법이다. 이 방법이 Bolgen Stig W, "Flocking Technology", Journal of Coated Fabrics, Volume 21, page 123, 1991에 포괄적으로 설명되어 있고, 특히 탄소 섬유의 전기적 플로킹 가공에 대하여는, Shigematsu, "Application of Electrostatic Flocking to Thermal Control Coating", Proceedings of the 14th International Symposium on Space Technology and Science, 1984, page 583; 및 Kato, "Formation of a Very-Low reflectance Surface by Electrostatic Flocking", Proceedings of the 14th European Symposium on Space Environmental and Control System, 1991, page 565에 상세히 설명되어 있다. 이들 문헌의 개시내용이 본원에 참조로 인용된다.
전기적 플로킹 가공법에서는, 하나의 플레이트상의 섬유들이 그 플레이트의 전하를 포착하여 반대측 플레이트로 끌어당겨진다. 그 섬유들은 그 섬유들이 반대측 플레이트에 충돌할 때 접착제 내에 매립된다. 그 섬유들이 초기에 달라붙지 않으면, 섬유들이 접착제 내에 매립되거나 또는 전기장으로부터 탈출할 때까지 또는 플레이트들의 전하가 제거될 때까지, 섬유들이 플레이트들 사이에서 전후로 튄다. 얻어진 섬유 구조체는 전기장의 선들에 대하여 정렬된다. 즉, 그 섬유 구조체는 실질적으로 수직의 배향을 가지고, 벨벳(velvet)과 유사한 외관을 갖는다.
기계적 플로팅 가공은 접착제가 코팅된 대상물을 일련의 고속 회전 로울러 또는 비터 바(beater bar) 위를 통과시켜 기재를 진동시키는 것을 포함한다. 섬유들은 중력에 의해 호퍼(hopper)로부터 기재상으로 공급된다. 그 로울러 또는 비터 바에 의해 발생되는 진동이 섬유들을 배향시키고 섬유들을 접착제내에 매립시킨다. 여분의 섬유를 제거함으로써, 실질적으로 수직의 배향을 가지는 섬유 구조체가 얻어진다.
공기적 플로킹 가공은 기류(氣流)를 이용하여 섬유들을 접착제가 코팅된 표면으로 방출하는 것이다. 섬유들은 비행하면서 기류의 방향으로 자체적으로 정렬되고 접착제내에 매립된다.
상이한 플로킹 가공방법들이 단독으로 사용되거나 또는 서로 조합하여(예를 들어, 공기적 플로킹과 정전기 플로킹의 조합) 사용될 수 있다. 이 조합 방법에서는, 섬유를 함유하는 기류가 노즐을 통과한다. 노즐의 출구에서, 전하가 전기장의 선들에 대하여 섬유들을 배향시킨다. 얻어진 섬유 구조체는 정렬되어 있다. 즉, 그 섬유 구조체는 실질적으로 수직의 배향을 가지지만, 어느 한 방법이 단독으로 사용될 때보다는 더욱 조밀하고, 균일하고, 신속하게 제조될 수 있다.
플로킹 가공된 섬유(32)들은 그들의 길이의 일 부분이 접착제 층으로부터 연장하는 상태로 그 접착제(28)내에 착좌(着座)되어 있다(도 2(A) 참조). 이 연장 부분을 "자유 섬유 선단"이라 부른다. 플로킹 가공 후, 도 2(C)에서 화살표 24로 나타낸 하향 힘을 판(22)으로 자유 섬유 선단에 가하여, 도 2(B)에 도시된 바와 같이, 섬유(32)들을 접착제(28)내로 더욱 매립시킴으로써, 접착제가 도포된 기재(26)의 표면과 접착제(28)내에 매립된 섬유(32)의 선단 사이의 거리를 최소화시킨다.
다음에, 예를 들어, 자기 경화(self-curing) 또는 열의 인가에 의해 접착제를 경화시킨다. 접착제와 경화 조건에 따라, 약 175℃에서 약 30분간의 가열이 경화를 위해 종종 이용될 수도 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 예를 들어, General Electric Corporation으로부터 입수가능한 GE RTV6166 유전성 겔(gel)과 같은 겔로 이루어지는 봉입재(30)가 도입되어, 자유 섬유 선단(34)이 겔로부터 연장하는 상태로 섬유(32)들 사이의 공간을 채운다. 이것은 경화되지 않은 겔을 섬유상에 스텐실(stencil) 인쇄하거나 또는 그 겔을 섬유에 도포하고 겔이 스며들게 함으로써 행해질 수 있다. 섬유들을 자발적으로 적시고 섬유 구조체 내로 스며드는 겔을 사용하는 것이 유리하다. 겔은 열전도성 충전재를 함유하거나 함유하지 않을 수 있다. 경화된 겔/섬유 재료가 클램핑 고정구에 달라붙는 것을 방지하고 운송 또는 차후의 취급 중에 인터페이스 재료를 보호하기 위해, 왁스 또는 실리콘 코팅 종이와 같은 박리(剝離) 라이너(liner)가 섬유 및 경화되지 않은 겔 위에 배치될 수도 있다.
섬유들의 사이에 경화되지 않은 겔을 갖는 인터페이스를 공칭 섬유 절단 길이보다 낮게 압축하고, 이 압축된 높이로 클램핑한다. 예를 들어, 섬유의 길이가 약 0.02 인치(0.508 mm)인 경우, 접착성 경화 겔이 도입되고, 이어서, 약 0.017 인치(0.4318 mm)의 높이로 클램핑한 후, 겔을 경화시키면, 그 겔은 겔의 경화 중에 이 높이에 섬유를 보유한다.다음에, 겔을 압축 하에 경화, 예를 들어, 열경화시킨다. 가열은 일반적으로 경화를 촉진시키고, 유익한 자유 섬유 선단 구조체를 생성하는데 바람직할 수 있다. 압축과 열경화 모두는 자유 섬유 선단 구조체를 생성하는 것을 돕는다. 열경화는, 겔의 CTE가 섬유의 것보다 높고 겔이 실온으로의 냉각시에 섬유보다 많이 수축하여 섬유 선단을 더욱 많이 노출시키기 때문에 유리하다.
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인터페이스 재료를 제조하는데 있어서, 접착제의 경화는 겔의 경화와 일치시키되도록 지연될 수 있다. 이 경우, 섬유들은 겔과 동시에 착좌되고, 접착제가 경화된다. 지적된 바와 같이, 겔이 경화된 두께를 유지하고 섬유들이 겔로부터 다소 튀어 나올 수 있으므로, 압축 및 압축 하의 경화가 유리하다. 섬유들에 대한 겔의 밀착은 섬유들이 경화 전의 그들의 원래 위치를 유지하게 하기에 충분히 강하지 않다. 이 결과, 인접한 표면(들)과의 열접촉을 높이는데 바람직한 자유 섬유 선단과 레벨 I 및 레벨 II 적용이 얻어진다.
본 발명의 범위를 일탈하지 않고 여러가지 변화 및 변경이 이루어질 수 있음을 상기 설명으로부터 명백히 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 청구의 범위에 의해서만 한정된다.

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  46. 겔(gel) 봉입재와 다수의 열전도성 섬유를 포함하는 반도체 조립체로서, 상기 겔 봉입재와 상기 다수의 열전도성 섬유가 열전도성 복합체를 형성하고, 상기 다수의 열전도성 섬유의 개개의 섬유가 일정 길이를 가지고 있고, 상기 겔 봉입재는 상기 개개의 섬유의 길이의 적어도 일 부분을 감싸는 두께를 가지는 반도체 조립체에 있어서,
    상기 열전도성 복합체가 반도체 다이(die)와 기재(基材) 사이, 또는 안에 반도체 다이가 배치된 반도체 패키지의 열 싱크(heat sink)와 뚜껑 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 조립체.
  47. 제1 표면과 그 제1 표면의 반대측의 제2 표면을 가진 지지재에 매립되고, 그 지지재의 상기 제2 표면의 외부로 상방으로 연장하는 제1 부분을 가진 다수의 열전도성 섬유들과, 상기 지지재 위에서 상기 열전도성 섬유들의 상기 제1 부분들 사이에 배치되는 봉입재를 포함하는 반도체 조립체로서, 상기 지지재와 상기 봉입재 및 상기 열전도성 섬유들이 열전도성 복합체를 형성하고, 상기 열전도성 섬유들의 상기 제1 부분의 선단(先端)이, 상기 열전도성 섬유들의 상기 제1 부분을 제외한 상기 열전도성 복합체의 최외측 표면을 구성하는 제3 표면 및 상기 봉입재 위에서 끝나 있는 반도체 조립체에 있어서,
    상기 열전도성 복합체가, 안에 반도체 다이가 배치된 반도체 패키지의 열 싱크와 뚜껑 사이에 배치되고, 상기 지지재의 상기 제1 표면이 상기 반도체 다이와 상기 뚜껑 중 하나에 닿아 있고, 상기 제3 표면 위에 있는 상기 열전도성 섬유들의 상기 제1 부분의 상기 선단이 상기 반도체 다이와 상기 뚜껑 중 다른 하나에 닿아 있는 것을 특징으로 하는 반도체 조립체.
  48. 개개의 섬유가 일정 길이를 가지는 다수의 열전도성 섬유와 겔 봉입재를 조합시키는 단계와, 상기 열전도성 섬유들의 개개의 섬유의 길이의 적어도 일 부분을 상기 겔 봉입재로 감싸는 단계와, 상기 겔 봉입재와 상기 열전도성 섬유들로 열전도성 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 조립체의 제조방법에 있어서,
    상기 열전도성 복합체를 반도체 다이와 기재 사이 또는 안에 반도체 다이가 배치된 반도체 패키지의 열 싱크와 뚜껑 사이에 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 조립체의 제조방법.
  49. 제1 표면과 그 제1 표면의 반대측의 제2 표면을 가진 지지재에, 다수의 열전도성 섬유의 제1 부분이 상기 지지재의 상기 제2 표면의 외부로 상방으로 연장하도록 상기 다수의 열전도성 섬유를 매립하는 단계와, 상기 지지재 위에서 상기 열전도성 섬유들의 상기 제1 부분들 사이에 봉입재를 부여하여, 상기 지지재와 상기 봉입재 및 상기 열전도성 섬유들이 열전도성 복합체를 형성하도록 하는 단계와, 상기 열전도성 섬유들의 상기 제1 부분의 선단이 상기 열전도성 섬유들의 상기 제1 부분을 제외한 상기 열전도성 복합체의 최외측 표면을 구성하는 제3 표면 및 상기 봉입재 위에서 끝나 있도록, 상기 제3 표면을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 조립체의 제조방법에 있어서,
    상기 매립 단계 전에 상기 지지재의 상기 제1 표면에 박리 라이너(liner)를 붙이는 단계와,
    상기 열전도성 복합체를 형성한 후에 상기 박리 라이너를 제거하는 단계와,
    안에 반도체 다이가 배치된 반도체 패키지의 열 싱크와 뚜껑 사이에 상기 열전도성 복합체를 배치하여, 상기 지지재의 상기 제1 표면을 상기 반도체 다이와 상기 뚜껑 중 하나에 닿게 하고, 상기 제3 표면 위에 있는 상기 열전도성 섬유들의 상기 선단을 상기 반도체 다이와 상기 뚜껑 중 다른 하나에 닿게 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 조립체의 제조방법.
  50. 제 49 항에 있어서, 상기 열전도성 섬유들의 제2 부분이 상기 지지재의 상기 제1 표면까지 또는 그 제1 표면보다 아래로 하방으로 연장하도록 상기 열전도성 섬유를 상기 지지재에 착좌(着座)시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 조립체의 제조방법.
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Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436506B1 (en) * 1998-06-24 2002-08-20 Honeywell International Inc. Transferrable compliant fibrous thermal interface
US6713151B1 (en) 1998-06-24 2004-03-30 Honeywell International Inc. Compliant fibrous thermal interface
CN1213476C (zh) 1998-06-24 2005-08-03 约翰逊·马太电子公司 具有纤维接合层的电子器件
US7132161B2 (en) * 1999-06-14 2006-11-07 Energy Science Laboratories, Inc. Fiber adhesive material
US20040009353A1 (en) * 1999-06-14 2004-01-15 Knowles Timothy R. PCM/aligned fiber composite thermal interface
US6469381B1 (en) * 2000-09-29 2002-10-22 Intel Corporation Carbon-carbon and/or metal-carbon fiber composite heat spreader
WO2002067315A2 (en) * 2001-02-14 2002-08-29 Honeywell International Inc. Processes of forming thermal transfer materials, and thermal transfer materials
US7608324B2 (en) 2001-05-30 2009-10-27 Honeywell International Inc. Interface materials and methods of production and use thereof
EP1401641A4 (en) * 2001-05-30 2007-12-12 Honeywell Int Inc BONDING MATERIALS AND MANUFACTURING METHOD AND USE THEREOF
US6651736B2 (en) * 2001-06-28 2003-11-25 Intel Corporation Short carbon fiber enhanced thermal grease
US6812064B2 (en) * 2001-11-07 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Ozone treatment of a ground semiconductor die to improve adhesive bonding to a substrate
US6965513B2 (en) 2001-12-20 2005-11-15 Intel Corporation Carbon nanotube thermal interface structures
US6761813B2 (en) * 2002-01-31 2004-07-13 Intel Corporation Heat transfer through covalent bonding of thermal interface material
US6566743B1 (en) * 2002-02-21 2003-05-20 Thermal Corp. Electronics package with specific areas having low coefficient of thermal expansion
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US20050190541A1 (en) * 2004-03-01 2005-09-01 Hsiang-Hsi Yang Heat dissipation method for electronic apparatus
WO2005096731A2 (en) * 2004-03-30 2005-10-20 Honeywell International Inc. Heat spreader constructions, integrated circuitry, methods of forming heat speader contruictions, and methods of forming integrated circuitry
US6977818B1 (en) * 2004-05-10 2005-12-20 Apple Computer, Inc. Heat dissipating device for an integrated circuit chip
US8548415B2 (en) * 2004-12-16 2013-10-01 Northrop Grumman Systems Corporation Carbon nanotube devices and method of fabricating the same
US20070158611A1 (en) * 2005-11-08 2007-07-12 Oldenburg Steven J Compositions comprising nanorods and methods of making and using them
JP5614766B2 (ja) 2005-12-21 2014-10-29 クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ． 照明装置
JP2007251002A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Toshiba Corp ヒートシンク、電子デバイス、ヒートシンクの製造方法及び電子デバイスの製造方法
US7625103B2 (en) * 2006-04-21 2009-12-01 Cree, Inc. Multiple thermal path packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods
WO2007130536A2 (en) 2006-05-05 2007-11-15 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
EP2035745B1 (en) 2006-05-31 2020-04-29 IDEAL Industries Lighting LLC Lighting device with color control, and method of lighting
CN101449374B (zh) * 2006-06-08 2011-11-09 国际商业机器公司 高热传导性柔软片及其制造方法
WO2008036596A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-27 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting devices, lighting assemblies, fixtures and methods using same
EP2076712B1 (en) 2006-09-21 2020-08-12 IDEAL Industries Lighting LLC Lighting assembly, method of installing same, and method of removing same
KR101513738B1 (ko) * 2006-11-14 2015-04-21 크리, 인코포레이티드 조명 조립체 및 조명 조립체용 부품
US9605828B2 (en) * 2006-11-14 2017-03-28 Cree, Inc. Light engine assemblies
US7967480B2 (en) * 2007-05-03 2011-06-28 Cree, Inc. Lighting fixture
WO2008137903A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Light fixtures
JP2008294376A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Sakai Ovex Co Ltd 熱伝導シートおよびその製造方法
US20080310114A1 (en) * 2007-06-18 2008-12-18 Lucent Technologies Inc. Heat-transfer device for an electromagnetic interference (emi) shield using conductive bristles
US20090002949A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Lucent Technologies Inc. Heat transfer for electronic component via an electromagnetic interference (emi) shield having shield deformation
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
US8058724B2 (en) * 2007-11-30 2011-11-15 Ati Technologies Ulc Holistic thermal management system for a semiconductor chip
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
US20100081191A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Marlow Industries, Inc. Anisotropic heat spreader for use with a thermoelectric device
JP5239768B2 (ja) * 2008-11-14 2013-07-17 富士通株式会社 放熱材料並びに電子機器及びその製造方法
US8946833B2 (en) 2012-10-22 2015-02-03 Freescale Semiconductor, Inc. Packaging for semiconductor sensor devices and methods
US9190339B2 (en) 2014-02-03 2015-11-17 Freescale Semiconductor, Inc. Method of limiting capillary action of gel material during assembly of pressure sensor
US9476788B2 (en) 2014-04-22 2016-10-25 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor with gel filled cavity
US9664183B2 (en) * 2015-01-09 2017-05-30 The Boeing Company Integrated high thermal conductive fiber as cooling fin for SMA actuator with expandable sleeve
US20170108297A1 (en) * 2015-10-19 2017-04-20 KULR Technology Corporation Fiber Thermal Interface
US10653038B2 (en) * 2016-04-14 2020-05-12 Microsoft Technology Licensing, Llc Heat spreader
US10418306B1 (en) * 2018-06-22 2019-09-17 Trw Automotive U.S. Llc Thermal interface for electronics
US11056797B2 (en) 2019-07-29 2021-07-06 Eagle Technology, Llc Articles comprising a mesh formed of a carbon nanotube yarn
US11949161B2 (en) 2021-08-27 2024-04-02 Eagle Technology, Llc Systems and methods for making articles comprising a carbon nanotube material
US11901629B2 (en) 2021-09-30 2024-02-13 Eagle Technology, Llc Deployable antenna reflector

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5402006A (en) * 1992-11-10 1995-03-28 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with enhanced adhesion between heat spreader and leads and plastic mold compound
US5726495A (en) * 1992-03-09 1998-03-10 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Heat sink having good heat dissipating characteristics

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3973059A (en) 1969-09-29 1976-08-03 Brunswick Corporation Method of making metal flocked fabric
US3972821A (en) 1973-04-30 1976-08-03 Amchem Products, Inc. Heat transfer composition and method of making
US4485429A (en) 1982-06-09 1984-11-27 Sperry Corporation Apparatus for cooling integrated circuit chips
US4685987A (en) 1983-09-02 1987-08-11 The Bergquist Company Method of preparing interfacings of heat sinks with electrical devices
US4459332A (en) * 1983-09-12 1984-07-10 American Cyanamid Company Flocked fabric laminate for protection against chemical agents
US4603731A (en) 1984-11-21 1986-08-05 Ga Technologies Inc. Graphite fiber thermal radiator
US5014161A (en) 1985-07-22 1991-05-07 Digital Equipment Corporation System for detachably mounting semiconductors on conductor substrate
US4849858A (en) 1986-10-20 1989-07-18 Westinghouse Electric Corp. Composite heat transfer means
US4869954A (en) 1987-09-10 1989-09-26 Chomerics, Inc. Thermally conductive materials
US5077637A (en) 1989-09-25 1991-12-31 The Charles Stark Draper Lab., Inc. Solid state directional thermal cable
US5150748A (en) 1990-06-18 1992-09-29 Mcdonnell Douglas Corporation Advanced survivable radiator
US5178924A (en) 1991-06-17 1993-01-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Release liner
US5213868A (en) 1991-08-13 1993-05-25 Chomerics, Inc. Thermally conductive interface materials and methods of using the same
JPH0664360A (ja) * 1992-08-19 1994-03-08 Riso Kagaku Corp 孔版印刷用原紙の製法
US5328087A (en) 1993-03-29 1994-07-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Thermally and electrically conductive adhesive material and method of bonding with same
US6197859B1 (en) 1993-06-14 2001-03-06 The Bergquist Company Thermally conductive interface pads for electronic devices
US5455458A (en) * 1993-08-09 1995-10-03 Hughes Aircraft Company Phase change cooling of semiconductor power modules
JP2570605B2 (ja) 1993-11-15 1997-01-08 日本電気株式会社 半導体装置
US5542471A (en) 1993-11-16 1996-08-06 Loral Vought System Corporation Heat transfer element having the thermally conductive fibers
US5545473A (en) * 1994-02-14 1996-08-13 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive interface
US5852548A (en) 1994-09-09 1998-12-22 Northrop Grumman Corporation Enhanced heat transfer in printed circuit boards and electronic components thereof
US5585671A (en) * 1994-10-07 1996-12-17 Nagesh; Voddarahalli K. Reliable low thermal resistance package for high power flip clip ICs
US5691022A (en) 1994-10-20 1997-11-25 International Paper Company Release liner base stock for printed films or labels
US5725707A (en) * 1995-04-10 1998-03-10 Northrop Grumman Corporation Enhanced conductive joints from fiber flocking
US5873973A (en) 1995-04-13 1999-02-23 Northrop Grumman Corporation Method for single filament transverse reinforcement in composite prepreg material
US6090484A (en) * 1995-05-19 2000-07-18 The Bergquist Company Thermally conductive filled polymer composites for mounting electronic devices and method of application
US5971253A (en) 1995-07-31 1999-10-26 Tessera, Inc. Microelectronic component mounting with deformable shell terminals
US5674585A (en) 1995-11-15 1997-10-07 United Technologies Corporation Composite thermal insulation structure
WO1997028044A1 (en) 1996-01-30 1997-08-07 HE HOLDINGS, INC., doing business as HUGHES ELECT RONICS Carbon fiber flocking for thermal management of compact missile electronics
EP0956590A1 (en) 1996-04-29 1999-11-17 Parker-Hannifin Corporation Conformal thermal interface material for electronic components
US5858537A (en) 1996-05-31 1999-01-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Compliant attachment
US6030856A (en) * 1996-06-10 2000-02-29 Tessera, Inc. Bondable compliant pads for packaging of a semiconductor chip and method therefor
US5695847A (en) * 1996-07-10 1997-12-09 Browne; James M. Thermally conductive joining film
US5904796A (en) 1996-12-05 1999-05-18 Power Devices, Inc. Adhesive thermal interface and method of making the same
WO1998040431A1 (en) * 1997-03-11 1998-09-17 Amoco Corporation Thermally conductive film and method for the preparation thereof
US5968606A (en) 1997-06-30 1999-10-19 Ferro Corporation Screen printable UV curable conductive material composition
US6080605A (en) 1998-10-06 2000-06-27 Tessera, Inc. Methods of encapsulating a semiconductor chip using a settable encapsulant
US6096414A (en) 1997-11-25 2000-08-01 Parker-Hannifin Corporation High dielectric strength thermal interface material
US6436506B1 (en) 1998-06-24 2002-08-20 Honeywell International Inc. Transferrable compliant fibrous thermal interface
CN1213476C (zh) 1998-06-24 2005-08-03 约翰逊·马太电子公司 具有纤维接合层的电子器件
US6245400B1 (en) 1998-10-07 2001-06-12 Ucar Graph-Tech Inc. Flexible graphite with non-carrier pressure sensitive adhesive backing and release liner
US5912805A (en) 1998-11-04 1999-06-15 Freuler; Raymond G. Thermal interface with adhesive
WO2000033628A1 (en) 1998-12-02 2000-06-08 Intel Corporation A fibrous thermal interface adaptor
US6084775A (en) 1998-12-09 2000-07-04 International Business Machines Corporation Heatsink and package structures with fusible release layer
US6311769B1 (en) 1999-11-08 2001-11-06 Space Systems/Loral, Inc. Thermal interface materials using thermally conductive fiber and polymer matrix materials

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5726495A (en) * 1992-03-09 1998-03-10 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Heat sink having good heat dissipating characteristics
US5402006A (en) * 1992-11-10 1995-03-28 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with enhanced adhesion between heat spreader and leads and plastic mold compound

Also Published As

Publication number Publication date
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US6617199B2 (en) 2003-09-09

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