JP2002519846A - 繊維状インタフェースを有する電気素子 - Google Patents

繊維状インタフェースを有する電気素子

Info

Publication number
JP2002519846A
JP2002519846A JP2000556391A JP2000556391A JP2002519846A JP 2002519846 A JP2002519846 A JP 2002519846A JP 2000556391 A JP2000556391 A JP 2000556391A JP 2000556391 A JP2000556391 A JP 2000556391A JP 2002519846 A JP2002519846 A JP 2002519846A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fiber
thermally conductive
substrate
conductive fibers
encapsulant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP2000556391A
Other languages
English (en)
Inventor
チャールズ スミス
マイケル エム チョー
ロジャー エイ エミーグ
ナンシー エフ ディーン
Original Assignee
ジョンソン マシュー エレクトロニクス インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ジョンソン マシュー エレクトロニクス インコーポレイテッド filed Critical ジョンソン マシュー エレクトロニクス インコーポレイテッド
Publication of JP2002519846A publication Critical patent/JP2002519846A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 可撓性繊維状インタフェース(14,16)を有する電気素子を提供する。このインタフェースは自由繊維先端構造体を有し、この自由繊維先端構造体は、フロック加工され、その一部分が基材の外に延びるように実質的に鉛直方向の配向をなして基材に埋め込まれた熱伝導性繊維と、前記基材の外に且つ前記熱伝導性繊維の先端よりも下に延び且つ前記熱伝導性繊維の一部分の間に配置された封入材と、を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (発明の背景) 電気素子はより小さくなり、高速で作動するので、熱の形態で放射されるエネ
ルギーは劇的に増大する。過剰な熱を物理インタフェースの前後にわたって移送
させるために、熱グリース又はグリース状材料を単独で又は担体(carrier)の上
に使用することが、産業界でよく行われている。しかしながら、表面の平面性か
らの大きなずれにより、隙間を合わせ面間に形成させるとき、または、表面高さ
の変化、製造公差等のような他の理由で大きな隙間が合わせ面間に存在するとき
、これらの材料の性能は機能せず又は劣化する。これらの材料の熱移送力が機能
しないとき、冷却すべき素子の性能に悪影響を及ぼす。本発明は、物理インタフ
ェースの前後にわたる熱移送を効果的に取扱う繊維状インタフェースを提供する
【0002】 (発明の概要) 本発明の1つの側面では、放熱スプレダー(spreader)又は蓋のような基材と、
この基材との間に繊維状インタフェース即ち自由繊維先端構造体を備えている半
導体用ダイとを有する、半導体アセンブリのような電気素子を提供する。自由繊
維先端構造体は、フロック加工、例えば電気フロック加工、機械フロック加工、
空気フロック加工等を施されたた熱伝導性繊維を有しており、この熱伝導性繊維
は接着剤のような基材の一端に実質的に鉛直方向の配向をなして埋められ、熱伝
導性繊維の一部分は接着剤の外に延びている。熱伝導性繊維の間に封入材を配置
することにより、熱伝導性繊維がインタフェース構造から逃げるのを最小にし、
又は、防止する。
【0003】 本発明の他の実施形態では、電気素子は、放熱蓋又はスプレダーのような蓋を
備えた半導体パッケージと、このパッケージ内に配置された半導体用ダイと、自
由繊維先端構造体を備えた、半導体用ダイとパッケージの蓋との間のインタフェ
ースと、を有する半導体アセンブリのような半導体アセンブリを含む。半導体ア
センブリは、熱シンクと、パッケージの蓋と熱シンクとの間のインタフェースと
を更に有する。両方の場合とも、上述のように、インタフェースはフロック加工
された熱伝導性繊維を有し、熱伝導性繊維は接着剤に埋め込まれている。
【0004】 本発明の他の側面は、電気素子を作る方法にある。本方法では、所望長さの熱
伝導性繊維を作り、必要ならば、洗浄する。接着剤を基材に塗布し、繊維の一端
を基材に電気フロック加工して、繊維の一部分が接着剤の外に延びるように繊維
を接着剤に埋め込む。次いで、接着剤を硬化させ、繊維間の空間に硬化可能な封
入材を充填する。繊維間の空間に封入材が充填され且つ接着剤に埋め込まれてい
る繊維を基準繊維長さよりも短い高さに圧縮し、その圧縮高さにクランプ止めす
る。その後、圧縮下で封入材を硬化させ、接着剤及び封入材の外に延びる自由先
端を備えた自由繊維先端構造体を生じさせる(以下に説明するように、変形例と
して、接着剤及び封入材を同時に硬化させても良い)。
【0005】 (発明の詳細な説明) 半導体用ダイは、一般的には、パッケージ内に取付けられており、このパッケ
ージは、熱エネルギーを抜き出す外部熱消散素子と接続又はインタフェースされ
る。素子の最適な性能を維持するために、半導体用ダイとパッケージとの間の熱
インタフェース、及び/又は、パッケージと熱消散素子との間の熱インタフェー
スは熱を除去するのに有用である。半導体用ダイとパッケージとの間のインタフ
ェースを「レベルI」パッケージング又はインタフェースと称する。熱シンクのよ
うな外部熱消散素子への連結を「レベルII」パッケージングと称する。この構成は
図1に示されており、この図1は、半導体用ダイ12を包囲し且つ放熱又はスプ
レダー蓋13を含んでいるパッケージ10を備えた半導体アセンブリを示してい
る。レベルIインタフェース14は半導体用ダイと放熱蓋との間の適所にあり、
レベルIIインタフェース16は放熱蓋と熱シンク20との間にある。半導体素子
は、図示のように、はんだ8によってパッケージに取付けられ、放熱蓋は、関連
した特定の電気素子に応じた放熱蓋又はスプレダーから構成されている。
【0006】 レベルI及びレベルIIインタフェースについての要求は、他の装置のレベルイ
ンタフェースよりも厳しい、というのは、熱流束、即ち、単位面積当たりについ
て消散されるパワー即ち熱が他の装置よりも大きいからである。典型的には熱抵
抗(℃in2/W)の増大によって表される熱性能の低下は、これらのインタフェ
ースの素子温度の増大に伴って起こる。
【0007】 これらの適用例のインタフェース材料は、低い体積又はバルク(bulk)熱抵抗及
び低い接触抵抗を有するのが有利である。適切な材料は合わせ面に一致する材料
であり、例えば、表面を濡らす材料である。バルク熱抵抗は、材料の厚さ、熱伝
導率及び面積の関数として表される。接触抵抗は、材料が合わせ面とどれくらい
良好に接触することができるかを示すものである。Θを熱抵抗、tを材料厚さ、
kを材料の熱伝導率、Aをインタフェースの面積とすれば、インタフェースのこ
の熱抵抗を、 のように表すことができる。
【0008】 項t/kAは、バルク材料の熱抵抗を表し、2Θcontactは2つの面の熱接触
抵抗を表している。
【0009】 良好なインタフェース材料は、低いバルク熱抵抗と、例えば合わせ面における
低い接触抵抗とを有するべきである。
【0010】 レベルI及びレベルIIインタフェースを有するパッケージは、インタフェース
材料が、製造に起因して生じる表面の平面性からのずれ及び/又は熱膨張率(C
TE)の不一致による構成要素の反りに順応することを必要とする。
【0011】 レベルIの適用例では、放熱蓋のキャビティの高さの変動がインタフェース厚
さの変動になる。熱グリースのような、kについて低い値を有する材料は、イン
タフェースが薄い、即ちtが小さいときに良好に機能する。もしインタフェース
厚さが0.002インチ(0.508ミリメートル)ほど増すと、熱性能が劇的に
低下することがある。又、そのような適用例については、合わせ構成要素間のC
TE(熱膨張率)の差により、この隙間が各温度又はパワーサイクルで広げられた
り縮められたりする。インタフェース厚さのこの変動により、(グリースのよう
な)流体インタフェース材料がインタフェースから離れていくような流体インタ
フェース材料のポンピング(pumping)を生じさせることがある。
【0012】 レベルIIインタフェースは、典型的には、より大きい面積を有し、かくして、
製造時、表面の平面性からのずれをより生じ易い。熱性能を最適にするためには
、インタフェース材料は非平面表面と一致することができなければならず、それ
により、接触抵抗がより小さくなる。
【0013】 最適なインタフェース材料は、高い熱伝導性と高い機械コンプライアンスとを
有し、例えば、力が付与されると、弾性的に撓む。高い熱伝導性は式1の第1項
を減少させ、高い機械コンプライアンスは、その第2項を減少させる。整列した
熱伝導性繊維状材料はこれらの目的の両方を達成する。適切に配向されていれば
、熱伝導性繊維は合わせ面間の距離にわたって延び、それにより、一方の面から
他方の面への連続高伝導性通路を可能にする。もし繊維が十分可撓性であり、そ
の先端領域が移動することができるならば、合わせ面とのより良好な接触をなす
ことができる。これにより、優れた表面接触になり、インタフェース材料の接触
抵抗を最小にする。レベルI及び/又はレベルIIの適用例において熱インタフェ
ースを形成するために、適正に形成されたインタフェースを1又はそれ以上のパ
ッケージング構成要素に組込むことができる。
【0014】 半導体パッケージは、放熱蓋と半導体用ダイとの間のインタフェース材料が放
熱蓋のキャビティに取付けられるように構成されるのが良い。放熱蓋は、インタ
フェース材料が半導体用ダイと接触し且つ半導体用ダイによって僅かに圧縮され
るように、半導体パッケージの上に設置される。この構成では、放熱蓋とパッケ
ージとの間の接着剤を硬化させる間、放熱蓋を適所に保持させる。次いで、イン
タフェース材料は、その部分から部分へのキャビティ高さの変動に順応し、熱サ
イクル中、半導体用ダイと放熱蓋表面との間の距離を変化させる。
【0015】 外部への熱消散を分散させ又は可能にするために、放熱蓋と熱シンクのような
外部熱消散素子との間にインタフェース材料が取付けられる。そのうえ、このイ
ンタフェース材料は、パッケージと熱消散面構成要素の両方に生じている製造に
起因する平面性からのずれに順応する。インタフェース材料は、熱シンク、熱パ
イプ、熱プレート、熱電気クーラー等のような熱消散面に取付けられても良いし
、或いは、パッケージの表面に取付けられても良い。熱消散素子は、ばねクリッ
プ、ボルト、接着剤等を使用して、パッケージに任意の在来の仕方で取付けられ
ても良い。
【0016】 インタフェース材料は以下のように作られる。
【0017】 約3ミクロン(micron)よりも大きく100ミクロンまでの直径を有するダイヤ
モンド繊維、カーボン繊維、グラファイト繊維、銅繊維又はアルミニウム繊維の
ような金属繊維等の適当な熱伝導性繊維を、例えば長さ0.0005乃至約0.
250インチ(0.0127乃至6.35ミリメートル)に、好ましくは0.01
5乃至約0.250インチ(0.381乃至6.35ミリメートル)に切断する。
現在、直径約10ミクロンの繊維が好ましい。望ましい繊維は約25W/mKよ
りも大きい熱伝導率を有する。有用なこの種類の繊維は、アモコ(Amoco)から入
手できるK−1100、K−800、P−120、P−100、P−70及びT
50と称する繊維、並びに、トレイ(Toray)から入手できるM46J及びM46
JBと称する繊維を含む。
【0018】 必要ならば、繊維を洗浄する。繊維を洗浄することは、繊維上に存在するいか
なる被覆をも除去するのに役立つ。表面に被覆を塗布したいくつかの商業的に入
手可能な繊維が販売されており、この被覆を洗浄によって除去するのが好ましい
。洗浄の一つの方法は、繊維を空気中で加熱して被覆を焼き取る、即ちサイジン
グ(sizing)によるものである。しかしながら、化学洗浄方法を使用しても良い。
【0019】 インタフェースを作るために、第1の接着剤を基材に塗布する。この接着剤は
、シアン酸塩エステル接着剤、BMI、シリコン、オルガノシリコン、ゲル(gel
)及びスプレーガスケット材料であっても有用であるけれども、エポキシからな
る接着剤(例えば、グレース・スペシャルティ・ポリマーズ(Grace Specialty Po
lymers)のエコボンド(Eccobond)281)のような低応力接着剤であるのが有利で
ある。
【0020】 図2Aに示すように、繊維を基材に、例えば電気フロック加工することによっ
てフロック加工し、それにより、繊維を接着剤に埋め込む。電気フロック加工は
良く知られている方法であり、それにより、ある距離隔てた2枚のプレートを正
反対の極性に荷電させる。この方法は、ボルゲン(Bolgen)によって包括的に説明
されており(1991年に発行された被覆繊維ジャーナル(Journal of Coated Fa
brics)第21巻第123頁のBolgen Stig Wによる「フロック加工技術」)、特にカ
ーボン繊維の電気フロック加工については、1984年に発行された第14回空
間技術科学国際シンポジウムの会報第583頁のシゲマツ(Shigematsu)による「
熱制御被覆に対する静電フロック加工の適用」、及び、1991年に発行された
第4回空間技術科学ヨーロッパシンポジウムの会報第565頁のカトウ(Kato)に
よる「静電フロック加工による非常に低い反射率表面の形成」に説明されている。
これらの論文の開示をここに援用する。
【0021】 電気フロック加工法では、一方のプレート上の繊維はそのプレートの電荷を取
り込み、反対側のプレートに引き寄せられるようになる。繊維が反対側のプレー
トにぶつかると、繊維は接着剤に埋められる。もし繊維が一回で刺さらなければ
、繊維はプレート間を行ったり来たりしてはね返り、ついには、繊維は接着剤に
埋まるようになるか、或いは、電界から逃げるか、又は、プレート上の電荷が除
去される。出来た繊維構造体は電界線に対して整列し、即ち、実質的に鉛直方向
の配向をなし、ベルベット状の外観を有する。
【0022】 機械フロック加工は、接着剤被覆対象物を一連の高速回転ローラー又はビータ
ーバーの上に進めることを含み、これにより、基材を振動させる。重力によって
、繊維をホッパーから基材の上に供給する。ローラー又はビーターバーによって
作られた振動は繊維を配向させ、繊維を接着剤に押し入れる。余分な繊維を取除
いて、繊維構造体に実質的に鉛直方向の配向を残す。
【0023】 空気フロック加工は、繊維を接着剤被覆表面に放出するエア流れを使用する。
繊維はそれ自体、飛行しながらエア流れの方向に整列し、配向された仕方で接着
剤に埋め込まれる。
【0024】 異なるフロック加工方法を単独で使用しても良いし、或いは、空気/静電フロ
ック加工のように他のフロック加工方法と関連させて使用しても良い。この組合
わせの方法であれば、繊維を含むエア流れがノズルから差し向けられる。ノズル
の出口で、電荷は繊維を電界線に対して配向させる。出来た繊維構造体はまた、
整列されており、即ち、実質的に鉛直方向の配向を有しており、いずれかの方法
を単独で使用するときよりも密集し、均一且つ迅速に作られる。
【0025】 フロック加工された繊維は、その長さの一部が接着剤層から延びるように接着
剤に着座されており、これを「自由繊維先端」と称する。図2B及び図2Cに示す
ように、フロック加工後、下向きの力を自由繊維先端に付与して、繊維を接着剤
に着座させ且つ接着剤と接着剤を塗布した表面基材とに埋め込まれた繊維の先端
同士の間の距離を最小にする。
【0026】 次いで、接着剤を、例えば自己硬化又は熱の付与によって硬化させる。接着剤
及び硬化条件に応じて、しばしば、約150℃の約30分にわたる加熱が、硬化
のために使用される。
【0027】 図3に示すように、ゼネラル・エレクトリック(General Electric)社から入手
できるGE RTV6166誘電性ゲルのような封入材30を導入して、繊維3
2間の空間を充たし、自由繊維先端34をゲルから延びたままにする。これは、
未硬化ゲルを繊維の上に刷り込むことによって、又は、ゲルを繊維につけてゲル
を浸したりしみ込ませたりすることによってなされる。繊維を自然に濡らして繊
維構造体にしみ込むゲルを使用するのが有利である。ゲルは熱伝導性フィラー材
料を含んでいても良いし、或いは、含んでいなくても良い。硬化したゲル/繊維
材料がクランプ止め用固定物に刺さるのを防止し、輸送又はそれに引続く取扱い
中、インタフェース材料に対する防護をなすために、リリースライナー、即ち蝋
引き紙又はシリコン被覆紙を繊維及び未硬化ゲルの一番上に配置するのが良い。
【0028】 繊維間に未硬化ゲルを有するインタフェースを基準切断繊維長さよりも短く圧
縮し、圧縮高さに適所にクランプ止めする。例えば、繊維が長さ約0.02イン
チ(0.508ミリメートル)であるならば、接着剤硬化ゲルを導入し、次いで、
高さ約0.017インチ(0.4318ミリメートル)にクランプ止めした後、ゲ
ルを硬化させると、ゲルは、硬化しながら繊維をこの高さに保持することになる
【0029】 次いで、ゲルを、圧縮下で硬化させ、例えば熱硬化させる。一般的には、加熱
は硬化を加速させ、望ましくは、有益な自由繊維先端構造体を作る。圧縮及び熱
硬化は両方とも自由繊維先端構造体を作るのに役立つ。ゲルのCTE(熱伝導率)
は繊維のCTE(熱伝導率)よりも高く、室温まで冷却するとき、ゲルは繊維より
も縮み、それにより、より多くの繊維先端を露出させるので、熱硬化は有益であ
る。
【0030】 インタフェース材料を生産する際、接着剤硬化を、ゲルの硬化と一致させるた
めに遅らせても良い。この場合、繊維をゲルと同時に着座させ、接着剤を硬化さ
せる。指示したように、圧縮は有益であり、圧縮下の硬化は有益である、という
のは、ゲルは硬化厚さを維持し、繊維は、ゲルから直立するように幾分すばやく
戻ることができるからである。繊維へのゲルの密着は、繊維をそれが硬化前の元
の位置をとらないようにするに十分強くない。これにより、隣接した面の熱接触
を高めるのに望ましい自由繊維先端及びレベルI及びレベルII適用例を生じさせ
る。
【0031】 本発明から逸脱することなしに種々の変形例及び変更例を作ることができるこ
とは上述したことから明らかである。従って、本発明の範囲は特許請求の範囲だ
けによって限られるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 熱シンクと、レベルI及びレベルIIインタフェースを備えた半導体アセンブリ
の概略図である。
【図2A乃至2C】 接着剤にフロック加工された繊維と、接着剤に押し込まれた繊維とを示す概略
図である。
【図3】 繊維間の封入材と自由繊維先端とを示す概略図である。
【手続補正書】
【提出日】平成13年2月2日(2001.2.2)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項4】 電気素子と、熱伝導性構造体と、を有する電気アセンブリで
あって、前記熱伝導性構造体は、 第1対向面及び第2対向面からなる一対の対向面を有する接着剤層と、 この接着剤に埋められた複数のフロック加工熱伝導性繊維と、を有し、このフ
ロック加工熱伝導性繊維は、実質的に鉛直方向の配向をなして前記接着剤層の第
2対向面の外に且つ上方に延びる第1部分を有し、 前記フロック加工熱伝導性繊維の第1部分の間及び接着剤の上の封入材と、 前記フロック加工熱伝導繊維の第1部分を除いて前記熱伝導性構造体のもっと
も外方の面を構成する第3面と、を更に有し、前記第1部分は、前記第3面及び
前記封入材よりも上の先端部で終っている、 電気アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成13年11月6日(2001.11.6)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項5】 更に、前記熱伝導性繊維を前記支持材料に着座させる段階を
有し、前記熱伝導性繊維は、前記支持材料の第1面まで又はそれよりも下に下方
に延びる第2部分を有する、請求項4に記載の半導体アセンブリ製作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成14年1月7日(2002.1.7)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チョー マイケル エム アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92129 サン ディエゴ ブタノ ウェイ 13718 (72)発明者 エミーグ ロジャー エイ アメリカ合衆国 アイダホ州 83854 ポ スト フォールズ フレイジャー 6051 (72)発明者 ディーン ナンシー エフ アメリカ合衆国 ワシントン州 99019 リバティー レイク サウス リバティー ドライヴ 1827 Fターム(参考) 5F036 AA01 BB21 BD01 BD11 BD13 BD16 BD21

Claims (45)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基材と、半導体用ダイと、を有する電気素子であって、可撓
    性繊維状インタフェースを更に有し、このインタフェースは、前記基材と前記半
    導体用ダイとの間に自由先端構造体を有し、この自由繊維先端構造体は、フロッ
    ク加工され、その一部分が基材の外に延びるように実質的に鉛直方向の配向をな
    して基材に埋め込まれた熱伝導性繊維と、前記基材の外に且つ前記熱伝導性繊維
    の先端よりも下に延び且つ前記熱伝導性繊維の一部分の間に配置された封入材と
    、を有する、インタフェース。
  2. 【請求項2】 前記熱伝導性繊維は、カーボン、グラファイト、金属、セラ
    ミック及びダイヤモンドからなるグループの1つを含む、請求項1に記載の電気
    素子。
  3. 【請求項3】 前記熱伝導性繊維はカーボン繊維を含む、請求項1に記載の
    電気素子。
  4. 【請求項4】 前記熱伝導性繊維は、長さが約0.0005乃至0.25イ
    ンチであり、直径が約3乃至100ミクロンである、請求項1に記載の電気素子
  5. 【請求項5】 前記封入材は、シリコンゲルのようなゲル及びスプレーガス
    ケット材料のグループの1つから選択される、請求項1に記載の電気素子。
  6. 【請求項6】 前記熱伝導性素子は、約25W/mKよりも大きい熱伝導性
    を有する材料からなる、請求項1に記載の電気素子。
  7. 【請求項7】 蓋を有する半導体パッケージと、この半導体パッケージ内に
    配置された半導体用ダイと、自由繊維先端構造体を有する、前記半導体用ダイと
    前記パッケージの蓋との間のインタフェースと、を有する半導体アセンブリであ
    って、前記自由繊維先端構造体は、フロック加工され、その一部分が基材の外に
    延びるように実質的に鉛直方向の配向をなして基材に埋め込まれた熱伝導性繊維
    と、前記基材の外に且つ前記熱伝導性繊維の先端よりも下に延び且つ前記熱伝導
    性繊維の一部分の間に配置された封入材と、を有する、半導体アセンブリ。
  8. 【請求項8】 前記熱伝導性繊維は、カーボン繊維、グラファイト繊維、金
    属繊維、セラミック繊維及びダイヤモンド繊維のうちの1つから成る、請求項7
    に記載の半導体アセンブリ。
  9. 【請求項9】 前記熱伝導性繊維は、長さが約0.0005乃至0.25イ
    ンチであり、直径が約3乃至100ミクロンである、請求項1に記載の半導体ア
    センブリ。
  10. 【請求項10】 前記封入材は、シリコンゲルのようなゲル及びスプレーガ
    スケット材料のグループの1つから選択される、請求項7に記載の半導体アセン
    ブリ。
  11. 【請求項11】 蓋を有する半導体パッケージと、この半導体パッケージ内
    に配置された半導体用ダイと、自由繊維先端構造体を有する、前記半導体用ダイ
    と前記パッケージの蓋との間の第1のインタフェースと、を有する半導体アセン
    ブリであって、前記第1の自由繊維先端構造体は、フロック加工され、その一部
    分が基材の外に延びるように実質的に鉛直方向の配向をなして基材に埋め込まれ
    た熱伝導性繊維と、前記基材の外に且つ前記熱伝導性繊維の先端よりも下に延び
    且つ前記熱伝導性繊維の一部分の間に配置された封入材と、を有し、前記半導体
    アセンブリは、更に、熱シンクと、自由繊維先端構造を有する、前記パッケージ
    の蓋と前記熱シンクとの間の第2のインタフェースと、を有し、前記第2の自由
    繊維先端構造体は、フロック加工され、その一部分が基材の外に延びるように実
    質的に鉛直方向の配向をなして基材に埋め込まれた熱伝導性繊維と、前記基材の
    外に且つ前記熱伝導性繊維の先端よりも下に延び且つ前記熱伝導性繊維の一部分
    の間に配置された封入材と、を有する、半導体アセンブリ。
  12. 【請求項12】 前記熱伝導性繊維は、長さが約0.0005乃至0.25
    インチであり、直径が約3乃至100ミクロンである、請求項7に記載の半導体
    アセンブリ。
  13. 【請求項13】 前記熱伝導性繊維は、カーボン繊維、グラファイト繊維、
    金属繊維、セラミック繊維及びダイヤモンド繊維のうちの1つからなる、請求項
    11に記載の半導体アセンブリ。
  14. 【請求項14】 前記封入材は、シリコンゲルのようなゲル及びスプレーガ
    スケット材料のグループの1つから選択される、請求項11に記載の半導体アセ
    ンブリ。
  15. 【請求項15】 電気素子に使用するのに適した組合わせ体であって、熱シ
    ンクと、自由繊維先端構造体を有するインタフェースと、を有し、前記自由繊維
    先端構造体は、フロック加工され、その一部分が基材の外に延びるように実質的
    に鉛直方向の配向をなして基材に埋め込まれた熱伝導性繊維と、前記基材の外に
    且つ前記熱伝導性繊維の先端よりも下に延び且つ前記熱伝導性繊維の一部分の間
    に配置された封入材と、を有する、組合わせ体。
  16. 【請求項16】 前記基材は接着剤である、請求項15に記載の組合わせ体
  17. 【請求項17】 前記熱伝導性繊維は、カーボン、グラファイト、金属、セ
    ラミック及びダイヤモンドからなるグループの1つを含む、請求項15に記載の
    組合わせ体。
  18. 【請求項18】 前記熱伝導性繊維は、カーボン繊維、グラファイト繊維、
    金属繊維、セラミック繊維及びダイヤモンド繊維のうちの1つからなる、請求項
    15に記載の組合わせ体。
  19. 【請求項19】 前記組立体は、熱シンクと、半導体用ダイと、インタフェ
    ースと、を有する半導体パッケージを有する、請求項15に記載の組合わせ体。
  20. 【請求項20】 前記封入材は、シリコンゲルのようなゲル及びスプレーガ
    スケット材料のグループの1つから選択される、請求項15に記載の組合わせ体
  21. 【請求項21】 a)所望長さの熱伝導性繊維を作る段階と、 b)接着剤を基材に塗布する段階と、 c)前記熱伝導性繊維を前記基材にフロック加工し、前記熱伝導性繊維を、そ
    の一部分が前記接着剤の外に延びるように前記接着剤に埋め込む段階と、 d)前記接着剤を硬化させる段階と、 e)硬化可能な封入材を、前記接着剤の外に延びている前記熱伝導性繊維間に
    且つ前記熱伝導性繊維の自由先端よりも下に配置する段階と、 f)前記熱伝導性繊維間に前記封入材を配置した前記熱伝導性繊維を、基準繊
    維長さよりも短い長さに前記接着剤に圧入し、前記熱伝導性繊維を圧縮高さにク
    ランプ止めする段階と、 g)圧縮下で前記封入材を硬化させ、前記熱伝導性繊維の自由先端を前記接着
    剤の外に延ばした自由繊維先端構造体を生じさせる段階と、 h)この自由繊維先端構造体を半導体用ダイと基材との間に介在させる段階と
    、 からなる半導体アセンブリの製造方法。
  22. 【請求項22】 更に、前記封入材を硬化させる前に、リリースライナーを
    未硬化封入材と前記熱伝導性繊維との間に介在させる段階を有する、請求項21
    に記載の方法。
  23. 【請求項23】 段階g)において、前記段階d)中の封入材を前記段階g)
    中に圧縮下で硬化させる、請求項21に記載の方法。
  24. 【請求項24】 前記熱伝導性繊維は、カーボン繊維、グラファイト繊維、
    金属繊維、セラミック繊維及びダイヤモンド繊維のうちの1つから成る、請求項
    21に記載の方法。
  25. 【請求項25】 前記熱伝導性繊維は前記基材に電気フロック加工されてい
    る、請求項21に記載の方法。
  26. 【請求項26】 前記熱伝導性繊維は前記基材に空気フロック加工されてい
    る、請求項21に記載の方法。
  27. 【請求項27】 前記熱伝導性繊維は前記基材に機械フロック加工されてい
    る、請求項21に記載の方法。
  28. 【請求項28】 蓋を有する半導体パッケージと、このパッケージの中に配
    置された半導体用ダイと、熱シンクと、を有する半導体アセンブリを作る方法で
    あって、 a)所望長さの熱伝導性繊維を作る段階と、 b)接着剤を基材に塗布する段階と、 c)前記熱伝導性繊維を前記基材にフロック加工し、前記熱伝導性繊維を、そ
    の一部分が前記接着剤の外に延びるように前記接着剤に埋め込む段階と、 d)前記接着剤を硬化させる段階と、 e)硬化可能な封入材を、前記接着剤の外に延びている前記熱伝導性繊維間に
    且つ前記熱伝導性繊維の自由先端よりも下に配置する段階と、 f)前記熱伝導性繊維間に前記封入材を配置した前記熱伝導性繊維を、基準繊
    維長さよりも短い長さに前記接着剤に圧入し、前記熱伝導性繊維を圧縮高さにク
    ランプ止めする段階と、 g)前記封入材を硬化させ、前記熱伝導性繊維の自由先端を前記接着剤の外に
    延ばした自由繊維先端構造体を生じさせる段階と、 h)この自由繊維先端構造体を前記半導体用ダイと前記蓋との間に介在させる
    段階と、 からなる半導体アセンブリの製造方法。
  29. 【請求項29】 更に、前記封入材を硬化させる前に、リリースライナーを
    未硬化封入材と前記熱伝導性繊維との間に介在させる段階を有する、請求項28
    に記載の方法。
  30. 【請求項30】 前記熱伝導性繊維は前記基材に電気フロック加工されてい
    る、請求項28に記載の方法。
  31. 【請求項31】 前記熱伝導性繊維は前記基材に空気フロック加工されてい
    る、請求項28に記載の方法。
  32. 【請求項32】 前記熱伝導性繊維は前記基材に機械フロック加工されてい
    る、請求項28に記載の方法。
  33. 【請求項33】 前記熱伝導性繊維は、カーボン繊維、グラファイト繊維、
    金属繊維、セラミック繊維及びダイヤモンド繊維のうちの1つから成る、請求項
    28に記載の方法。
  34. 【請求項34】 蓋を有する半導体パッケージと、このパッケージの中に配
    置された半導体用ダイと、を有する半導体アセンブリを作る方法であって、 a)所望長さの熱伝導性繊維を作る段階と、 b)接着剤を基材に塗布する段階と、 c)前記熱伝導性繊維を前記基材にフロック加工し、前記熱伝導性繊維を、そ
    の一部分が前記接着剤の外に延びるように前記接着剤に埋め込む段階と、 d)前記接着剤を硬化させる段階と、 e)硬化可能な封入材を、前記接着剤の外に延びている前記熱伝導性繊維間に
    且つ前記熱伝導性繊維の自由先端よりも下に配置する段階と、 f)前記熱伝導性繊維間に前記封入材を配置した前記熱伝導性繊維を、基準繊
    維長さよりも短い長さに前記接着剤に圧入し、前記熱伝導性繊維を圧縮高さにク
    ランプ止めする段階と、 g)前記封入材を硬化させ、前記熱伝導性繊維の自由先端を前記接着剤の外に
    延ばした自由繊維先端構造体を生じさせる段階と、 h)この自由繊維先端構造体を前記半導体用ダイと前記蓋との間に介在させる
    段階と、 からなる半導体アセンブリの製造方法。
  35. 【請求項35】 更に、前記封入材を硬化させる前に、リリースライナーを
    未硬化封入材と前記熱伝導性繊維との間に介在させる段階を有する、請求項34
    に記載の方法。
  36. 【請求項36】 前記熱伝導性繊維は前記基材に電気フロック加工されてい
    る、請求項34に記載の方法。
  37. 【請求項37】 前記熱伝導性繊維は前記基材に空気フロック加工されてい
    る、請求項34に記載の方法。
  38. 【請求項38】 前記熱伝導性繊維は、カーボン繊維、グラファイト繊維、
    金属繊維、セラミック繊維及びダイヤモンド繊維のうちの1つから成る、請求項
    34に記載の方法。
  39. 【請求項39】 前記段階g)において、前記封入材を圧縮下で硬化させる
    、請求項34に記載の方法。
  40. 【請求項40】 前記熱伝導性繊維は前記基材に機械フロック加工されてい
    る、請求項34に記載の方法。
  41. 【請求項41】 前記接着剤及び前記封入材を実質的に同時に硬化させる、
    請求項21、28又は34に記載の方法。
  42. 【請求項42】 半導体アセンブリに使用するようになっている組合わせ体
    であって、この組合わせ体は、半導体用ダイを収容するパッケージと、熱シンク
    素子と、自由繊維先端構造体を有する、前記パッケージと前記熱シンク素子との
    間のインタフェースと、を有し、前記自由繊維先端構造体は、フロック加工され
    、その一部分が基材の外に延びるように実質的に鉛直方向の配向をなして基材に
    埋め込まれた熱伝導性繊維と、前記基材の外に且つ前記熱伝導性繊維の先端より
    も下に延び且つ前記熱伝導性繊維の一部分の間に配置された封入材と、を有する
    、組合わせ体。
  43. 【請求項43】 半導体アセンブリに使用するようになっている組合わせ体
    であって、この組合わせ体は、蓋と、自由繊維先端構造体を有するインタフェー
    スと、を有し、前記自由繊維先端構造体は、フロック加工され、その一部分が基
    材の外に延びるように実質的に鉛直方向の配向をなして基材に埋め込まれた熱伝
    導性繊維と、前記基材の外に且つ前記熱伝導性繊維の先端よりも下に延び且つ前
    記熱伝導性繊維の一部分の間に配置された封入材と、を有する、組合わせ体。
  44. 【請求項44】 蓋と、自由繊維先端構造体を有するインタフェースと、を
    有する組合わせ体であって、前記自由繊維先端構造体は、フロック加工され、そ
    の一部分が基材の外に延びるように実質的に鉛直方向の配向をなして基材に埋め
    込まれた熱伝導性繊維と、前記基材の外に且つ前記熱伝導性繊維の先端よりも下
    に延び且つ前記熱伝導性繊維の一部分の間に配置された封入材と、を有する、組
    合わせ体。
  45. 【請求項45】 半導体アセンブリに使用するようになっている自由繊維先
    端構造体を有するインタフェースであって、前記自由繊維先端構造体は、フロッ
    ク加工された熱伝導性繊維を有し、この熱伝導性繊維は、その一部分が基材の外
    に延びるように実質的に鉛直方向の配向をなして基材に埋め込まれ、前記インタ
    フェースは、前記基材の外に且つ前記熱伝導性繊維の先端よりも下に延び且つ前
    記熱伝導性繊維の一部分の間に配置された封入材を更に有する、インタフェース
JP2000556391A 1998-06-24 1999-06-04 繊維状インタフェースを有する電気素子 Ceased JP2002519846A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10341598A 1998-06-24 1998-06-24
US09/103,415 1998-06-24
PCT/US1999/012498 WO1999067811A2 (en) 1998-06-24 1999-06-04 Electronic device having fibrous interface

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002519846A true JP2002519846A (ja) 2002-07-02

Family

ID=22295055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000556391A Ceased JP2002519846A (ja) 1998-06-24 1999-06-04 繊維状インタフェースを有する電気素子

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6617199B2 (ja)
EP (1) EP1097477A4 (ja)
JP (1) JP2002519846A (ja)
KR (1) KR100494974B1 (ja)
CN (1) CN1213476C (ja)
TW (1) TW451259B (ja)
WO (1) WO1999067811A2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007251002A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Toshiba Corp ヒートシンク、電子デバイス、ヒートシンクの製造方法及び電子デバイスの製造方法
JP2008294376A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Sakai Ovex Co Ltd 熱伝導シートおよびその製造方法

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436506B1 (en) * 1998-06-24 2002-08-20 Honeywell International Inc. Transferrable compliant fibrous thermal interface
CN1213476C (zh) 1998-06-24 2005-08-03 约翰逊·马太电子公司 具有纤维接合层的电子器件
US6713151B1 (en) 1998-06-24 2004-03-30 Honeywell International Inc. Compliant fibrous thermal interface
US20040009353A1 (en) * 1999-06-14 2004-01-15 Knowles Timothy R. PCM/aligned fiber composite thermal interface
US7132161B2 (en) * 1999-06-14 2006-11-07 Energy Science Laboratories, Inc. Fiber adhesive material
US6469381B1 (en) * 2000-09-29 2002-10-22 Intel Corporation Carbon-carbon and/or metal-carbon fiber composite heat spreader
WO2002067315A2 (en) * 2001-02-14 2002-08-29 Honeywell International Inc. Processes of forming thermal transfer materials, and thermal transfer materials
CN1267268C (zh) * 2001-05-30 2006-08-02 霍尼韦尔国际公司 界面材料及其生产方法和应用
US7608324B2 (en) 2001-05-30 2009-10-27 Honeywell International Inc. Interface materials and methods of production and use thereof
US6651736B2 (en) * 2001-06-28 2003-11-25 Intel Corporation Short carbon fiber enhanced thermal grease
US6812064B2 (en) * 2001-11-07 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Ozone treatment of a ground semiconductor die to improve adhesive bonding to a substrate
US6965513B2 (en) 2001-12-20 2005-11-15 Intel Corporation Carbon nanotube thermal interface structures
US6761813B2 (en) * 2002-01-31 2004-07-13 Intel Corporation Heat transfer through covalent bonding of thermal interface material
US6566743B1 (en) * 2002-02-21 2003-05-20 Thermal Corp. Electronics package with specific areas having low coefficient of thermal expansion
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US20050190541A1 (en) * 2004-03-01 2005-09-01 Hsiang-Hsi Yang Heat dissipation method for electronic apparatus
EP1731002A4 (en) * 2004-03-30 2010-05-26 Honeywell Int Inc THERMAL DISSIPATOR, INTEGRATED CIRCUIT, METHODS OF MANUFACTURING THERMAL DISSIPATOR AND METHODS OF MAKING THE INTEGRATED CIRCUIT
US6977818B1 (en) * 2004-05-10 2005-12-20 Apple Computer, Inc. Heat dissipating device for an integrated circuit chip
US8548415B2 (en) * 2004-12-16 2013-10-01 Northrop Grumman Systems Corporation Carbon nanotube devices and method of fabricating the same
US20070158611A1 (en) * 2005-11-08 2007-07-12 Oldenburg Steven J Compositions comprising nanorods and methods of making and using them
JP5614766B2 (ja) 2005-12-21 2014-10-29 クリー インコーポレイテッドCree Inc. 照明装置
US7625103B2 (en) * 2006-04-21 2009-12-01 Cree, Inc. Multiple thermal path packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods
JP4944948B2 (ja) 2006-05-05 2012-06-06 クリー インコーポレイテッド 照明装置
JP5237266B2 (ja) 2006-05-31 2013-07-17 クリー インコーポレイテッド 色制御を持つ照明装置、および照明方法
JP4868547B2 (ja) * 2006-06-08 2012-02-01 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 熱伝導モジュールとその製造方法、並びに、高熱伝導で柔軟なシートの製造方法
CN101675298B (zh) * 2006-09-18 2013-12-25 科锐公司 照明装置、照明装置组合、灯具及其使用方法
WO2008036873A2 (en) 2006-09-21 2008-03-27 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assemblies, methods of installing same, and methods of replacing lights
EP2420721B1 (en) * 2006-11-14 2016-03-30 Cree, Inc. Lighting assemblies and components for lighting assemblies
US9605828B2 (en) * 2006-11-14 2017-03-28 Cree, Inc. Light engine assemblies
US7967480B2 (en) * 2007-05-03 2011-06-28 Cree, Inc. Lighting fixture
KR20100017616A (ko) * 2007-05-07 2010-02-16 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 설비 및 조명 장치
US20080310114A1 (en) * 2007-06-18 2008-12-18 Lucent Technologies Inc. Heat-transfer device for an electromagnetic interference (emi) shield using conductive bristles
US20090002949A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Lucent Technologies Inc. Heat transfer for electronic component via an electromagnetic interference (emi) shield having shield deformation
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
US8058724B2 (en) * 2007-11-30 2011-11-15 Ati Technologies Ulc Holistic thermal management system for a semiconductor chip
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
US20100081191A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Marlow Industries, Inc. Anisotropic heat spreader for use with a thermoelectric device
JP5239768B2 (ja) * 2008-11-14 2013-07-17 富士通株式会社 放熱材料並びに電子機器及びその製造方法
US8946833B2 (en) 2012-10-22 2015-02-03 Freescale Semiconductor, Inc. Packaging for semiconductor sensor devices and methods
US9190339B2 (en) 2014-02-03 2015-11-17 Freescale Semiconductor, Inc. Method of limiting capillary action of gel material during assembly of pressure sensor
US9476788B2 (en) 2014-04-22 2016-10-25 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor with gel filled cavity
US9664183B2 (en) * 2015-01-09 2017-05-30 The Boeing Company Integrated high thermal conductive fiber as cooling fin for SMA actuator with expandable sleeve
US20170108297A1 (en) * 2015-10-19 2017-04-20 KULR Technology Corporation Fiber Thermal Interface
US10653038B2 (en) * 2016-04-14 2020-05-12 Microsoft Technology Licensing, Llc Heat spreader
US10418306B1 (en) * 2018-06-22 2019-09-17 Trw Automotive U.S. Llc Thermal interface for electronics
US11056797B2 (en) 2019-07-29 2021-07-06 Eagle Technology, Llc Articles comprising a mesh formed of a carbon nanotube yarn
US11949161B2 (en) 2021-08-27 2024-04-02 Eagle Technology, Llc Systems and methods for making articles comprising a carbon nanotube material
US11901629B2 (en) 2021-09-30 2024-02-13 Eagle Technology, Llc Deployable antenna reflector

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3973059A (en) 1969-09-29 1976-08-03 Brunswick Corporation Method of making metal flocked fabric
US3972821A (en) 1973-04-30 1976-08-03 Amchem Products, Inc. Heat transfer composition and method of making
US4485429A (en) 1982-06-09 1984-11-27 Sperry Corporation Apparatus for cooling integrated circuit chips
US4685987A (en) 1983-09-02 1987-08-11 The Bergquist Company Method of preparing interfacings of heat sinks with electrical devices
US4459332A (en) * 1983-09-12 1984-07-10 American Cyanamid Company Flocked fabric laminate for protection against chemical agents
US4603731A (en) 1984-11-21 1986-08-05 Ga Technologies Inc. Graphite fiber thermal radiator
US5014161A (en) 1985-07-22 1991-05-07 Digital Equipment Corporation System for detachably mounting semiconductors on conductor substrate
US4849858A (en) 1986-10-20 1989-07-18 Westinghouse Electric Corp. Composite heat transfer means
US4869954A (en) 1987-09-10 1989-09-26 Chomerics, Inc. Thermally conductive materials
US5077637A (en) 1989-09-25 1991-12-31 The Charles Stark Draper Lab., Inc. Solid state directional thermal cable
US5150748A (en) 1990-06-18 1992-09-29 Mcdonnell Douglas Corporation Advanced survivable radiator
US5178924A (en) 1991-06-17 1993-01-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Release liner
US5213868A (en) 1991-08-13 1993-05-25 Chomerics, Inc. Thermally conductive interface materials and methods of using the same
DE69305667T2 (de) * 1992-03-09 1997-05-28 Sumitomo Metal Ind Wärmesenke mit guten wärmezerstreuenden Eigenschaften und Herstellungsverfahren
JPH0664360A (ja) * 1992-08-19 1994-03-08 Riso Kagaku Corp 孔版印刷用原紙の製法
US5402006A (en) * 1992-11-10 1995-03-28 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with enhanced adhesion between heat spreader and leads and plastic mold compound
US5328087A (en) 1993-03-29 1994-07-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Thermally and electrically conductive adhesive material and method of bonding with same
US6197859B1 (en) 1993-06-14 2001-03-06 The Bergquist Company Thermally conductive interface pads for electronic devices
US5455458A (en) * 1993-08-09 1995-10-03 Hughes Aircraft Company Phase change cooling of semiconductor power modules
JP2570605B2 (ja) 1993-11-15 1997-01-08 日本電気株式会社 半導体装置
US5542471A (en) 1993-11-16 1996-08-06 Loral Vought System Corporation Heat transfer element having the thermally conductive fibers
US5545473A (en) * 1994-02-14 1996-08-13 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive interface
US5852548A (en) 1994-09-09 1998-12-22 Northrop Grumman Corporation Enhanced heat transfer in printed circuit boards and electronic components thereof
US5585671A (en) * 1994-10-07 1996-12-17 Nagesh; Voddarahalli K. Reliable low thermal resistance package for high power flip clip ICs
US5691022A (en) 1994-10-20 1997-11-25 International Paper Company Release liner base stock for printed films or labels
US5725707A (en) * 1995-04-10 1998-03-10 Northrop Grumman Corporation Enhanced conductive joints from fiber flocking
US5873973A (en) 1995-04-13 1999-02-23 Northrop Grumman Corporation Method for single filament transverse reinforcement in composite prepreg material
US6090484A (en) * 1995-05-19 2000-07-18 The Bergquist Company Thermally conductive filled polymer composites for mounting electronic devices and method of application
US5971253A (en) 1995-07-31 1999-10-26 Tessera, Inc. Microelectronic component mounting with deformable shell terminals
US5674585A (en) 1995-11-15 1997-10-07 United Technologies Corporation Composite thermal insulation structure
WO1997028044A1 (en) 1996-01-30 1997-08-07 HE HOLDINGS, INC., doing business as HUGHES ELECT RONICS Carbon fiber flocking for thermal management of compact missile electronics
JP4121152B2 (ja) 1996-04-29 2008-07-23 パーカー−ハニフイン・コーポレーシヨン 電子部品用の適合性熱境界面材料
US5858537A (en) 1996-05-31 1999-01-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Compliant attachment
US6030856A (en) * 1996-06-10 2000-02-29 Tessera, Inc. Bondable compliant pads for packaging of a semiconductor chip and method therefor
US5695847A (en) * 1996-07-10 1997-12-09 Browne; James M. Thermally conductive joining film
US5904796A (en) 1996-12-05 1999-05-18 Power Devices, Inc. Adhesive thermal interface and method of making the same
WO1998040431A1 (en) * 1997-03-11 1998-09-17 Amoco Corporation Thermally conductive film and method for the preparation thereof
US5968606A (en) 1997-06-30 1999-10-19 Ferro Corporation Screen printable UV curable conductive material composition
US6080605A (en) 1998-10-06 2000-06-27 Tessera, Inc. Methods of encapsulating a semiconductor chip using a settable encapsulant
US6096414A (en) 1997-11-25 2000-08-01 Parker-Hannifin Corporation High dielectric strength thermal interface material
US6436506B1 (en) 1998-06-24 2002-08-20 Honeywell International Inc. Transferrable compliant fibrous thermal interface
CN1213476C (zh) 1998-06-24 2005-08-03 约翰逊·马太电子公司 具有纤维接合层的电子器件
US6245400B1 (en) 1998-10-07 2001-06-12 Ucar Graph-Tech Inc. Flexible graphite with non-carrier pressure sensitive adhesive backing and release liner
US5912805A (en) 1998-11-04 1999-06-15 Freuler; Raymond G. Thermal interface with adhesive
AU1616300A (en) 1998-12-02 2000-06-19 Intel Corporation A fibrous thermal interface adaptor
US6084775A (en) 1998-12-09 2000-07-04 International Business Machines Corporation Heatsink and package structures with fusible release layer
US6311769B1 (en) 1999-11-08 2001-11-06 Space Systems/Loral, Inc. Thermal interface materials using thermally conductive fiber and polymer matrix materials

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007251002A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Toshiba Corp ヒートシンク、電子デバイス、ヒートシンクの製造方法及び電子デバイスの製造方法
US7538423B2 (en) 2006-03-17 2009-05-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Heat sink, electronic device, method of manufacturing heat sink, and method of manufacturing electronic device
JP2008294376A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Sakai Ovex Co Ltd 熱伝導シートおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO1999067811A2 (en) 1999-12-29
KR20010071510A (ko) 2001-07-28
EP1097477A4 (en) 2005-03-16
CN1306675A (zh) 2001-08-01
WO1999067811A3 (en) 2000-03-23
US6617199B2 (en) 2003-09-09
US6740972B2 (en) 2004-05-25
EP1097477A2 (en) 2001-05-09
US20010023968A1 (en) 2001-09-27
CN1213476C (zh) 2005-08-03
TW451259B (en) 2001-08-21
KR100494974B1 (ko) 2005-06-14
US20010052652A1 (en) 2001-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002519846A (ja) 繊維状インタフェースを有する電気素子
JP3682952B2 (ja) 移送可能で可撓性の繊維状熱インタフェース
JP3652604B2 (ja) 可撓性繊維状熱インタフェース
US7846778B2 (en) Integrated heat spreader, heat sink or heat pipe with pre-attached phase change thermal interface material and method of making an electronic assembly
US7195951B2 (en) Carbon-carbon and/or metal-carbon fiber composite heat spreaders
US7473995B2 (en) Integrated heat spreader, heat sink or heat pipe with pre-attached phase change thermal interface material and method of making an electronic assembly
US6719871B2 (en) Method for bonding heat sinks to overmolds and device formed thereby
US6339875B1 (en) Method for removing heat from an integrated circuit
JP6580974B2 (ja) 静電チャックの製造方法
TWI239895B (en) Compliant fibrous thermal interface and fabrication thereof
US7078802B2 (en) Method for bonding heat sinks to overmold material and resulting structure
WO2002067315A2 (en) Processes of forming thermal transfer materials, and thermal transfer materials
JP2022541611A (ja) 高熱流束マルチコンポーネントアセンブリの熱管理

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041105

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050322

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050622

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060919

A045 Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045

Effective date: 20070122