KR100491812B1 - 화학 반응성 연마재 - Google Patents

Abstract

피삭재의 표면을 초평활한 경면으로 가공할 수 있고, 피삭재 표면이 오염되는 것을 방지할 수 있으며, 가공액에 의한 환경 오염을 방지할 수 있는 저렴한 화학 반응성 연마재를 제공한다. 피삭재 표면에 화학 반응층을 형성시키고, 그 화학 반응층을 제거함으로써 피삭재 표면을 가공하는 연마재로, 상기 연마재의 소재는 불소운모이다. 피삭재의 표면을 가공 변질층이 없는 경면으로 가공할 수 있다. 또한, 연마재 자체가 피삭재와 반응하기 때문에 화학적으로 활성인 가공액을 사용할 필요가 없으며, 연삭액으로는 물을 사용하면 된다. 따라서, 가공액에 의한 환경 오염이 발생하지 않는다. 또한, 불소운모는 그 제조가 용이하기 때문에 연마재의 비용을 억제할 수 있고, 피삭재의 가공비용을 낮출 수 있다.

Description

화학 반응성 연마재{chemical reactive polishing grain}

본 발명은 화학 반응성 연마재에 관한 것이다. 실리콘웨이퍼 등의 경취재료(硬脆材料)는 숫돌에 의한 연삭(硏削)이나 랩핑 후, 폴리싱 가공된다. 이 폴리싱에 의해 연삭 등으로 생긴 표면의 가공흠 등 가공 변질층이 제거되어 경취재료의 표면이 경면(鏡面)으로 완성된다.

본 발명은 이러한 폴리싱 작업에 사용되는 화학 반응성 연마재에 관한 것이다.

종래부터, 실리콘웨이퍼의 폴리싱에는 일반적으로 산화규소를 소재로 하는 연마재가 사용되고 있다. 이 산화규소는 그 경도가 실리콘웨이퍼의 경도에 비해 높기 때문에 산화규소를 소재로 하는 연마재를 이용하여 직접 실리콘웨이퍼를 연삭하면 가공면에 스크래치가 형성되게 된다.

따라서, 통상 산화규소를 소재로 하는 연마재로 실리콘웨이퍼를 폴리싱 할 경우에는, 수산화칼륨 등의 화학 반응성이 높은 가공액이 사용된다. 그러면, 가공액과 실리콘웨이퍼가 반응하여 실리콘웨이퍼의 표면에 경도가 낮은 수화막이나 화합물막이 형성되기 때문에, 이 수화막 등만을 제거할 정도의 힘으로 연마재를 실리콘웨이퍼로 누르면, 연마재에 의해 실리콘웨이퍼 표면에 스크래치 등의 가공 변질층이 형성되는 일없이 실리콘웨이퍼를 폴리싱 할 수 있다.

또한, 가공액에 의해 연마재 자체의 경도를 저하시키는 효과도 얻을 수 있기 때문에, 가공 변질층의 형성을 방지하는 효과를 더 높일 수 있다.

상기와 같이, 산화규소 연마재를 이용하여 실리콘웨이퍼를 폴리싱 할 경우에는 수산화칼륨 등의 화학 반응성이 높은 가공액을 반드시 사용하지 않으면 안되는데, 이 가공액은 매우 높은 알카리성을 띠기 때문에 환경 오염상 큰 문제가 되고 있다.

또한, 산화규소 연마재는 통상 물유리로 제조되는데, 이 물유리에는 나트륨등의 실리콘웨이퍼를 오염시키는 물질이 포함되어 있다. 이 때문에, 가공 변질층의 형성없이 실리콘웨이퍼의 표면을 가공할 수 있더라도, 그 표면에 나트륨 등이 취입되면 그 실리콘웨이퍼는 사용할 수 없게 되어 버린다.

그러나, 나트륨 등을 전혀 포함하지 않은 산화규소 연마재를 제조하기 위해서는 고도한 기술과 수많은 제조공정이 필요로 되기 때문에, 나트륨 등을 전혀 포함하지 않은 산화규소 연마재는 매우 고가이며, 실리콘웨이퍼의 가공비용 증대로 이어진다.

또한, 종래의 실리콘웨이퍼의 폴리싱은 산화규소 연마재와 가공액의 혼합액인 슬러리를 폴리셔(polisher)에 의해 실리콘웨이퍼로 누르는 유리숫돌입자(遊離砥粒) 가공을 행하고 있는데, 유리숫돌입자 가공은 이하의 (ⅰ)∼(ⅲ)에 나타내는 큰 결점이 있다.

(ⅰ)폴리셔로는 경도가 낮고 점탄성이 있는 소재를 사용하고 있기 때문에, 실리콘웨이퍼 표면의 평탄도가 나빠지고, 실리콘웨이퍼 외주에 처짐이 발생한다. 따라서, 실리콘웨이퍼의 가공 정밀도를 높게 유지하는 것은 매우 곤란하다.

그렇다고 폴리셔의 경도를 높게 하면, 평탄도를 향상할 수 있고 실리콘웨이퍼 외주에서의 처짐 발생은 방지할 수 있지만, 산화규소 연마재가 실리콘웨이퍼로 강하게 눌러지게 되기 때문에 실리콘웨이퍼 표면에 가공 변질층이 형성되어 그대로 잔존하게 된다.

따라서, 가공 정밀도의 향상과 표면 질의 향상을 양립시킬 수는 없다.

(ⅱ)연마재는 슬러리와 함께 흘러내리기 때문에 사용할 연마재의 양이 매우 많아져 가공비용이 비싸 진다.

(ⅲ)가공액으로 반응성이 높은 알카리액을 사용하고 있기 때문에, 가공 분위기가 나쁘고, 또한 그 처리에 막대한 비용이 든다.

그렇다고 슬러리나 가공액으로 알카리액을 사용하지 않으면, 작업 환경은 개선할 수 있지만, 산화규소의 기계적인(Mechanical) 작용에 의한 실리콘웨이퍼 표면 손상이 커지고, 화학적인(Chemical) 작용도 얻을 수 없기 때문에 단위 시간당 가공량도 극히 적어지게 된다.

한편, 실리콘웨이퍼의 폴리싱에 숫돌을 사용하면 가공 정밀도를 향상할 수 있고, 연마재가 숫돌에 고정되어 있기 때문에 가공비용도 절감할 수 있지만, 연마재의 실리콘웨이퍼에 대한 누르는 힘이 강해지기 때문에, 실리콘웨이퍼 표면에 가공 변질층이 형성되게 된다.

또한, 유리숫돌입자 가공과 마찬가지로 가공액으로 알카리액을 사용하지 않으면 안되기 때문에 가공 분위기가 나쁘고, 그 처리에 막대한 비용이 든다.

따라서, 숫돌을 사용한 실리콘웨이퍼의 폴리싱 작업은 아직 실용화되지 않았다.

본 발명은 이러한 사정을 감안하여, 피삭재의 표면을 초평활한 경면으로 가공할 수 있고, 피삭재 표면이 오염되는 것을 방지할 수 있으며, 가공액에 의한 환경 오염을 방지할 있는 저렴한 숫돌에 의한 실리콘웨이퍼의 가공을 실현화할 수 있는 화학 반응성 연마재를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 화학 반응성 연마재는, 피삭재 표면에 화학 반응층을 형성시키고 그 화학 반응층을 제거함으로써 피삭재 표면을 가공하는 연마재로, 상기 연마재의 소재가 불소운모인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 화학 반응성 연마재는 상기 불소운모가 불소(Ⅳ)규소운모인 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 연마재가 불소운모이기 때문에 연마재가 피삭재에 접촉되었을 때 그 접촉점에서 발생하는 고온 고압에 의해 피삭재와 연마재에 포함된 칼륨이나 마그네슘, 불소 사이의 화학 반응이 활성화된다. 그러면, 그 접촉점에 연질의 화학 반응층이 형성되기 때문에 이 화학 반응층을 연마재에 의해 제거할 수 있다. 또한, 연마재는 피삭재보다도 경도가 낮기 때문에, 화학 반응층 이외의 부분에 연마재가 접촉되어도 연마재에 의해 피삭재의 표면이 깍이지 않는다. 따라서, 피삭재의 표면을 가공 변질층이 없는 경면으로 가공할 수 있다. 또한, 숫돌의 연마재로 사용하면, 숫돌에 의한 가공 변질층이 없는 경면 가공을 실현화할 수 있다. 또한, 연마재 자체가 피삭재와 반응하기 때문에 화학적으로 활성인 가공액을 사용할 필요가 없고, 연삭액(硏削液)으로는 물을 사용하면 된다. 따라서, 가공액에 의한 환경 오염이 발생하지 않는다. 또한, 불소운모는 그 제조가 용이하기 때문에 연마재의 비용을 억제할 수 있고, 피삭재의 가공비용을 낮출 수 있다. 또한, 불소운모는 화학적으로 순수한 원료만으로 합성하는 것도 가능하기 때문에, 나트륨 등의 불순 물질을 포함하지 않는 것을 제조할 수 있다. 따라서, 피삭재를 오염시키지 않고 연삭할 수 있다.

본 발명에 의하면, 불소(Ⅳ)규소운모에는 나트륨이나 알루미늄 등이 전혀 포함되어 있지 않기 때문에, 실리콘웨이퍼의 표면에 나트륨 등이 취입될 걱정이 없고, 실리콘웨이퍼 표면이 오염되는 일도 없다. 따라서, 가공된 피삭재 표면의 성질을 고품질로 유지할 수 있다.

다음으로, 본 발명의 실시예를 설명한다.

본 발명은 경도가 낮은 불소운모를 경취 재료, 특히 실리콘웨이퍼의 폴리싱에 사용되는 화학 반응성 연마재로 이용하는 것을 특징으로 한다.

종래부터 불소운모는 내열성이나 난연성, 절연성을 부여하는 충전재나, 가공성이 좋은 기계적 특성이 우수한 세라믹스의 원료로 사용되고 있지만, 경도가 낮기 때문에 연마재로서 사용하는 것은 검토되지 않았었다.

그러나, 본 발명자는 예의 연구한 결과, 상기와 같은 불소운모가 경취재료, 특히 실리콘웨이퍼의 폴리싱에 사용되는 화학 반응성 연마재로 적당함을 발견했다.

또한, 이 불소운모는 숫돌에 함유되는 고정숫돌입자로서도 사용할 수 있고, 유리숫돌입자 가공의 숫돌입자로서도 사용할 수 있는 것이다.

불소운모는 통상의 연마재로 사용되는 콜로이드 실리카(colloidal silica)와 마찬가지로 그 주성분은 산화규소이지만, 콜로이드 실리카가 사면체의 산화규소가 삼차원적으로 배열된 결정 구조를 갖는데 비해 불소운모는 이하와 같은 결정 구조로 되어 있다.

불소운모는, 사면체의 산화규소가 이차원적으로 배열되고 판상으로 연속된 산화규소(이하, "판상 산화규소"라 한다)끼리 마그네슘에 의해 연결되어 판상 산화규소가 층상으로 겹쳐진 층상체(이하 "층상체"라 한다)를 갖고 있으며, 이 층상체끼리는 칼륨에 의해 더 결합되어 형성되어 있다.

이 불소운모에서, 판상 산화규소끼리는 마그네슘에 의해 결합되어 있는데, 이 마그네슘과 판상 산화규소는 이온 결합에 의해 결합되어 있다. 그리고, 층상체와 칼륨도 이온 결합에 의해 결합되어 있다. 그러나, 이온 결합은 매우 약하기 때문에 외력이 가해지면, 판상 산화규소끼리 및 층상체끼리는 간단히 분리되어 버리기 때문에, 불소운모는 콜로이드 실리카에 비해 경도가 낮고 간단히 파괴되는 성질을 갖게 된다.

따라서, 불소운모를 연마재로 폴리싱한 경우, 불소운모가 이하와 같이 작용하여 연삭이 진행된다.

우선, 연마재인 불소운모를 실리콘웨이퍼로 누르면, 불소운모는 실리콘웨이퍼와 접촉되자마자 파괴된다. 이 때문에, 불소운모 중의 산화규소가 실리콘웨이퍼로 강하게 눌러지지 않게 되어, 산화규소에 의해 실리콘웨이퍼 표면에 가공 변질층은 형성되지 않는다.

그리고, 불소운모가 파괴되면 불소운모의 판상 산화규소끼리 및 층상체끼리를 결합하고 있던 칼륨과 마그네슘이 노출된다. 그러면, 불소운모가 실리콘웨이퍼에 접촉되었을 때, 그 접촉점에서 발생하는 고온 고압에 의해 실리콘웨이퍼와 칼륨 및 마그네슘 사이의 화학 반응이 활성화되기 때문에, 그 접촉점에서의 실리콘웨이퍼의 표면에는 연질의 화학 반응층이 형성된다.

이 화학 반응층은 매우 경도가 낮기 때문에, 이 화학 반응층과 접촉된 불소운모는 파괴되지 않고, 불소운모에 포함된 산화규소에 의해 화학 반응층이 실리콘웨이퍼 표면으로부터 제거된다.

또한, 판상 산화규소 중에 규소 원자와 함께 공존하고 있는 불소 원자가 실리콘웨이퍼와의 접촉점에서 불화수소로 되어, 산화규소에 의한 화학 반응층의 제거를 보조하기 때문에, 산화규소에 의한 화학 반응층의 제거 효율은 향상된다.

그리고, 화학 반응층이 제거되면 다시 실리콘웨이퍼가 표면으로 나오는데, 불소운모는 이 실리콘웨이퍼와 접촉된 경우 파괴되기 때문에, 실리콘웨이퍼 표면에 가공 변질층을 형성하지 않는다.

상기와 같이, 불소운모와 실리콘웨이퍼가 반응하여 형성된 경도가 낮은 화학 반응층은 불소운모 중의 산화규소에 의해 제거되기 때문에, 실리콘웨이퍼보다도 경도가 낮은 불소운모의 연마재로 실리콘웨이퍼를 폴리싱 할 수 있는 것이다.

그리고, 실리콘웨이퍼[누프경도(knoop hardness) 930]보다도 경도가 낮은 불소운모(누프경도 130)를 실리콘웨이퍼 연마용 숫돌의 숫돌입자로 사용하면, 예를 들어 숫돌입자가 실리콘웨이퍼에 접촉되어도 실리콘웨이퍼의 표면에는 가공 변질층이 형성되지 않는다.

따라서, 실리콘웨이퍼의 폴리싱을 숫돌에 의해 실현할 수 있고, 실리콘웨이퍼의 표면을 경면으로 가공할 수 있다.

또한, 불소운모에 포함된 칼륨이나 마그네슘이 실리콘웨이퍼와 반응하여 화학 반응층을 형성하기 때문에, 화학적으로 활성인 가공액을 사용할 필요가 없고, 가공액으로는 물을 사용하면 된다. 따라서, 가공액에 의한 환경 오염이 발생하지 않는다.

또한, 불소운모는 실리콘웨이퍼보다도 경도가 낮기 때문에 화학 반응층 이외의 부분에 불소운모가 접촉되어도 불소운모에 의해 실리콘웨이퍼의 표면이 깍이지 않는다. 따라서, 실리콘웨이퍼의 표면을 가공 변질층이 없는 경면으로 가공할 수 있다.

또한, 불소운모는, 예를 들면 상압(常壓) 하에서 산화규소(SiO₂), 마그네시아(MgO), 불화물 등 저렴한 원료를 화학양론적(化學量論的)으로 조합하고 용융함으로써, 용이하게 인공적으로 합성할 수 있기 때문에 매우 저렴하다. 따라서, 연마재의 비용을 억제할 수 있어 피삭재의 가공비용을 낮출 수 있다.

또한, 불소운모는 화학적으로 순수한 원료만으로 합성하는 것도 가능하기 때문에, 나트륨 등의 불순 물질을 포함하지 않는 것을 제조할 수 있다. 따라서, 피삭재를 오염시키지 않고 연삭할 수 있다.

특히, 불소운모에서도 불소(Ⅳ)규소운모가 실리콘웨이퍼의 폴리싱에 적합하다.

불소(Ⅳ)규소운모는 그 조성이 KMg_2.5(Si₄O₁₀)F₂이다. 이 조성으로부터 알 수 있듯이, 불소(Ⅳ)규소운모에는 나트륨이나 알루미늄 등이 전혀 포함되어 있지 않기 때문에 실리콘웨이퍼의 표면에 나트륨 등이 취입될 걱정이 없고, 실리콘웨이퍼 표면이 오염되는 일도 없다. 따라서, 가공된 실리콘웨이퍼 표면의 성질을 고품질로 유지할 수 있다.

<실시예 1>

비교는, 연마재인 불소(Ⅳ)규소운모(평균 입경 16㎛)와 순수(純水)를 혼합한 슬러리(연마재 농도 10중량%: 실시예 1)와, 시판되고 있는 콜로이드 실리카 슬러리(실리카 입경 0.1㎛, 농도 5%, PH10.5: 비교예 1)를 이용하여 실리콘웨이퍼(초기 면 거칠기 Ra=0.1㎛)를 연삭하고, 그 단위 시간당 가공량과 가공면 거칠기를 비교했다.

연삭 대상은 외경 153㎜의 시료 홀더에 등간격으로 배치된 3장의 직경 30㎜의 실리콘웨이퍼이며, 이 실리콘웨이퍼를 직경 400㎜의 홈이 있는 경질 플라스틱(폴리카보네이트) 판상에 설치하고, 연마압을 50kPa, 경질 플라스틱 판의 회전수를 90rpm으로 한 상태에서 20분간 연삭했다.

가공량은 미츠토요(Mitutoyo)제 촉침식(觸針式) 변위 측정기(EF-11PRH)를 이용하여 측정하고, 가공면 거칠기는 오사카연구소(小坂硏究所)제 촉침식(觸針式) 표면 거칠기 측정기(ET-30HK)를 이용하여 측정했다.

비교예 1에서는 20분 후의 가공량이 24㎛이며, 그 표면 거칠기는 1㎚인데 비해 실시예 1에서는 20분 후의 가공량이 28㎛이며, 그 표면 거칠기는 0.6㎚이었다.

즉, 비교예 1에 비해 실시예 1은 가공량, 면 거칠기 모두 우수한 효과가 얻어졌으며, 또한 실시예 1은 가공액으로 물을 사용하고 있기 때문에 환경을 오염시키지도 않는다. 또한, 비교예 1의 콜로이드 실리카의 강 알카리성 슬러리의 경우, 이 슬러리의 건조물이 피삭재 표면에 부착됨에 의한 모든 폐해(스크래치의 발생 등)가 발생하는데, 실시예 1의 슬러리에서는 이러한 폐해도 없다. 따라서, 연마재의 비용, 환경 부하를 아울러 생각하면 종래의 실리카에 비해 불소(Ⅳ)규소운모는 극히 우수한 연마재인 것을 확인할 수 있다.

<실시예 2>

실시예 2는, 화학 반응성을 갖는 연질 연마재로 불소(Ⅳ)규소운모를 이용하여 결합제로 결합한 이른바 메카노케미컬(Mechanochemical) 숫돌(MCP 숫돌)이다. 이 메카노케미컬 숫돌(MCP 숫돌)에 의해 건식으로 고정 숫돌입자 연마를 행하고, 메카노케미컬 숫돌(MCP)의 실용성을 검증했다.

이 실시예 2의 메카노케미컬 숫돌(MCP 숫돌)은 입경 약 8㎛의 불소(Ⅳ)규소운모를 연마재로 하고, 그 100중량%에 4중량부의 푸르푸랄(furfural)로 적시고, 분말 페놀수지[흐름(flow) 28㎜, 헥사메틸렌테트라민 14phr의 내열 노볼락형] 5중량부를 가해 충분히 혼합하고, 비중 1.75의 직경 10㎜, 높이 10㎜의 원주로 냉간 성형하고, 175℃까지 1시간 10℃의 비율로 승온하여 3시간 유지한 후 냉각하여 제조된 것이다.

연마 대상은 실리콘웨이퍼(초기 면 거칠기 Ra=0.1㎛)이며, 이 실리콘웨이퍼를 회전 테이블(300rpm) 상에 설치하고, 봉축 헤드부에 연마 중심 반경 50㎜의 위치에 부착한 실시예 2의 메카노케미컬 숫돌(MCP 숫돌)로 하중 9.8N, 면압 124.8 kPa의 조건에서 20분간 건식으로 연마했다.

또한, 가공량은 오사카연구소(小坂硏究所)제 SE30K를 이용하여 측정하고, 메카노케미컬 숫돌(MCP 숫돌)의 숫돌면 두께 변화는 마이크로미터[미츠토요(Mitutoyo)제 M215-25]로 측정했다.

웨이퍼 가공 단면 형상은 양호하며 안정된 가공이 지속되고, 실리콘웨이퍼의 비가공량은 20(㎛)³/Pa·m, 연삭비는 0.34로 충분히 실용화 할 수 있는 값이었다.

<실시예 3>

실시예 3은 실시예 2와 마찬가지로, 화학 반응성을 갖는 연질 연마재로 불소(Ⅳ)규소운모를 이용하여 결합제로 결합한 이른바 메카노케미컬 숫돌(MCP 숫돌)이며, 이 메카노케미컬 숫돌(MCP 숫돌)에 의해 습식으로 고정 숫돌입자 연마를 행했다.

실시예 3의 메카노케미컬 숫돌은, 연마재인 입경 평균 3㎛의 불소(Ⅳ)규소운모 100중량%를 16중량%의 황산마그네슘 포화 수용액으로 적시고, 그것에 산화 마그네슘 분말 10중량부를 첨가하여 충분히 혼합하고, 비중 1.92의 직경 10㎜, 높이 10㎜의 원주로 압축성형하고, 8시간 80℃로 유지한 후 방냉하여 제조된 것이다.

실험은 실시예 3의 메카노케미컬 숫돌을, 숫돌의 외경은 98㎜, 작용 면적은 15.7㎠가 되도록 플랜지 외주부에 20개 배열한 캡형 MCP 호일을 입축 연삭연마연속 가공장치(SGP-1)에 부착하고, 5인치 실리콘웨이퍼(초기 면 거칠기 Ra=0.1㎛)의 연마를 호일 회전수 500rmp, 워크 회전수 5rpm, 면압 0.15MPa의 연마 조건에서 20분간 연마했다.

또한, 가공량 및 에지부의 처짐은 오사카연구소(小坂硏究所)제 촉심식 표면 거칠기 측정기(ET-30HK)를 이용하여 측정하고, 가공면 거칠기는 니콘(Nikon)제 미분간섭 현미경 AFX-DX를 이용하여 관찰했다.

실시예 3의 메카노케미컬 숫돌에서는 20분 후의 가공량이 25㎛, 숫돌 마모 두께 20㎛, 면 거칠기 Ra=1.1㎚이며, 비교예 1과 동등한 연마 효과가 얻어졌다. 또한, 실시예 3의 메카노케미컬 숫돌에 의해 연마된 실리콘웨이퍼는 그 에지부의 처짐이 0.2㎛이며, 콜로이드 실리카를 이용한 경우에 발생하는 0.9㎛에 비해 훨씬 적다. 따라서, 실시예 3의 메카노케미컬 숫돌은 비교예 1과 비교해 우수한 가공 성능을 갖고 있는 것을 확인할 수 있다.

본 발명에 의하면, 피삭재의 표면을 가공 변질층이 없는 경면으로 가공할 수 있고, 화학적으로 활성인 가공액을 사용할 필요가 없으며, 가공액에 의한 환경 오염이 발생하지 않는다. 또한, 연마재의 비용을 억제할 수 있고, 피삭재의 가공비용을 낮출 수 있다.

본 발명에 의하면, 가공된 피삭재 표면의 성질을 높은 수준으로 유지할 수 있다.

Claims (10)

1. 삭제
2. 피삭재 표면에 화학 반응층을 형성시키고, 그 화학 반응층을 제거함으로써 피삭재 표면을 가공하며, 상기 연마재는 불소운모를 소재로 하는 것을 특징으로 하는 화학 반응성 연마재.
3. 제 2항에 있어서, 상기 불소운모가 불소(Ⅳ)규소운모인 것을 특징으로 하는 화학 반응성 연마재.
4. 불소운모를 소재로 하는 화학 반응성 연마재가 피삭재와 접촉하는 단계;

   상기 연마재와 피삭재의 화학 반응에 의해 피삭재 표면에 화학 반응층을 형성하는 단계; 및

   상기 피삭재 표면에 형성된 화학 반응층이 제거되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 반응성 연마재에 의한 연마방법.
5. 제 4항에 있어서, 상기 연마방법은 상기 연마재가 피삭재와 접촉되자마자 파괴되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 반응성 연마재에 의한 연마방법.
6. 제 4항에 있어서, 상기 화학 반응층을 형성하는 단계는 상기 연마재의 구성요소를 결합하고 있던 금속원소와 피삭재 사이의 화학 반응이 활성화되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 반응성 연마재에 의한 연마방법.
7. 제 6항에 있어서, 상기 금속원소는 칼륨 및 마그네슘인 것을 특징으로 하는 화학 반응성 연마재에 의한 연마방법.
8. 제 4항에 있어서, 상기 화합 반응층이 제거되는 단계는 상기 연마재에 포함된 산화규소에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 반응성 연마재에 의한 연마방법.
9. 삭제
10. 제 4항 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연마재가 불소(Ⅳ)규소운모인 것을 특징으로 하는 화학 반응성 연마재에 의한 연마방법.