KR100490196B1 - Electronic device, driving method of electronic device, electric optical device and electronic equipment - Google Patents

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KR100490196B1 KR10-2003-0019409A KR20030019409A KR100490196B1 KR 100490196 B1 KR100490196 B1 KR 100490196B1 KR 20030019409 A KR20030019409 A KR 20030019409A KR 100490196 B1 KR100490196 B1 KR 100490196B1
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조히로아키
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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    • G09G2330/00Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/12Test circuits or failure detection circuits included in a display system, as permanent part thereof

Abstract

높은 정밀도로 전자 회로의 동작 특성을 검출할 수 있는 전자 회로, 전자 장치, 전자 회로의 구동 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기를 제공한다. An electronic circuit, an electronic device, a method of driving the electronic circuit, an electro-optical device, and an electronic device capable of detecting an operating characteristic of the electronic circuit with high precision are provided.

화소 회로(20)에, 구동용 트랜지스터(Q11)와 유기 EL 소자(21) 사이에 접속시킨 스위칭용 트랜지스터(Q13)와, 구동용 트랜지스터(Q11)가 출력하는 구동 전류를 전류 검출 회로(19a)에 공급하는 검출용 트랜지스터(Q14)를 설치한다. 스위칭용 트랜지스터(Q13)를 오프한 상태에서, 스위치용 트랜지스터(Q12)를 온 시켜 유지 캐패시터(C1)에 테스트용 데이터 전류 Vdata를 공급한다. 다음에, 스위칭용 트랜지스터(Q13)를 오프한 상태에서 검출용 트랜지스터(Q14)를 온 시키고, 구동용 트랜지스터로부터의 구동 전류를 검출용 트랜지스터(Q14)를 통해서 전류 검출 회로(19a)에 공급한다. 전류 검출 회로(19a)는 테스트용의 데이터 전류 Vdata에 대한 구동 전류를 검출할 수 있다. The switching current Q13 connected to the pixel circuit 20 between the driving transistor Q11 and the organic EL element 21 and the driving current output from the driving transistor Q11 are used to detect the current. A detection transistor Q14 to be supplied is provided. In the state where the switching transistor Q13 is turned off, the switching transistor Q12 is turned on to supply the test data current Vdata to the sustain capacitor C1. Next, the detection transistor Q14 is turned on while the switching transistor Q13 is turned off, and the driving current from the driving transistor is supplied to the current detection circuit 19a through the detection transistor Q14. The current detection circuit 19a can detect the drive current for the data current Vdata for testing.

Description

전자 장치, 전자 장치의 구동 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기{ELECTRONIC DEVICE, DRIVING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE, ELECTRIC OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT}ELECTRONIC DEVICE, DRIVING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE, ELECTRIC OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT}

본 발명은, 전자 회로, 전자 장치, 전자 회로의 구동 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기에 관한 것이다.The present invention relates to an electronic circuit, an electronic device, a driving method of the electronic circuit, an electro-optical device, and an electronic device.

최근, 전기 광학 장치로서의 표시 장치는, 유기 EL 소자를 사용한 전기 광학 장치가 주목되고 있다. 이러한 종류의 유기 EL 소자를 사용한 전기 광학 장치로는, 구동 방식의 하나로서 액티브 매트릭스 구동 방식이 있다.In recent years, the electro-optical device using an organic electroluminescent element attracts attention as a display device as an electro-optical device. As an electro-optical device using this kind of organic EL element, there is an active matrix driving method as one of the driving methods.

액티브 매트릭스 구동 방식의 전기 광학 장치에 있어서는, 유기 EL 소자의 휘도를 제어하기 위해, 각 유기 EL 소자에 대해서 각각 화소 회로가 설치되어 있다. 각 화소 회로에서의 유기 EL 소자의 휘도 계조의 제어는, 휘도 계조에 따른 데이터 신호(전압값 또는 전류값)를 화소 회로의 유지 캐패시터에 공급함으로써 행해진다. 즉, 유지 캐패시터에는 설정한 발광 휘도 계조에 따른 전하가 충전된다. In an electro-optical device of an active matrix drive system, pixel circuits are provided for each organic EL element in order to control the luminance of the organic EL element. Control of the luminance gradation of the organic EL element in each pixel circuit is performed by supplying a data signal (voltage value or current value) corresponding to the luminance gradation to the sustain capacitor of the pixel circuit. That is, the holding capacitor is charged with electric charges according to the set luminance luminance gray scale.

또, 유지 캐패시터에 유지된 전하량에 따라 구동용 TFT(Thin Film Transistor)의 도통 상태가 설정되고, 상기 도통 상태에 따른 전류가 유기 EL 소자에 공급된다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). Further, the conduction state of the driving TFT (Thin Film Transistor) is set in accordance with the amount of charge held in the holding capacitor, and a current corresponding to the conduction state is supplied to the organic EL element (see Patent Document 1, for example).

[특허 문헌 1]국제공개 제 WO98/36406호 팜플렛[Patent Document 1] International Publication No. WO98 / 36406 Pamphlet

그런데, 화소 회로는 적어도 한 개의 트랜지스터 등의 능동 소자로 구성되지만, 모든 능동 소자의 특성을 엄밀하게 균일화하는 것은 곤란하다. 특히, 디스플레이 등의 화소 회로를 구성하는 박막 트랜지스터(TFT)는 특성의 편차가 크다. 이 때문에, 소정의 데이터 신호를 입력했을 때에 원하는 휘도를 얻기 어렵다. By the way, although the pixel circuit consists of active elements, such as at least one transistor, it is difficult to exactly uniformize the characteristic of all the active elements. In particular, thin film transistors (TFTs) constituting pixel circuits such as displays have a large variation in characteristics. For this reason, when a predetermined data signal is input, desired luminance is hard to be obtained.

또, 화소 회로를 구성하는 능동 소자나 전기 광학 소자의 시간 경과 열화에 의해 특성이 변화해 버린다는 문제가 있었다.Moreover, there exists a problem that a characteristic changes with time-lapse deterioration of the active element and electro-optical element which comprise a pixel circuit.

본 발명은, 상기 문제점을 해소하기 위해 이루어진 것으로서, 그 목적은 높은 정밀도로 전자 회로의 동작 특성을 검출할 수 있는 전자 회로, 전자 장치, 전자 회로의 구동 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide an electronic circuit, an electronic device, a method of driving the electronic circuit, an electro-optical device, and an electronic device capable of detecting the operating characteristics of the electronic circuit with high accuracy. have.

본 발명에서의 제 1 전자 장치는, 복수의 단위 회로를 구비한 전자 장치로서, 상기 복수의 단위 회로의 각각은 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 공급되는 전기 신호를 전기량으로서 유지하는 유지 소자와, 상기 유지 소자에 유지된 전기량에 의거하여 도통 상태가 제어되는 제 2 트랜지스터와, 상기 도통 상태에 상대한 전류량이 공급되는 피구동 소자와, 상기 제 2 트랜지스터와 직렬로 접속된 제 3 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 3 트랜지스터를 통해서 전류량을 검출하기 위한 검사부에 접속 가능한 것을 특징으로 한다. A first electronic device according to the present invention is an electronic device having a plurality of unit circuits, each of which holds a first transistor and an electric signal supplied through the first transistor as an electric quantity. An element, a second transistor whose conduction state is controlled based on the amount of electricity held by the holding element, a driven element to which an amount of current relative to the conduction state is supplied, and a third transistor connected in series with the second transistor And an inspection unit for detecting an amount of current through the third transistor.

이것에 의하면, 제 3 트랜지스터를 온 시킴으로써, 피구동 소자에 공급되어야 할 제 2 트랜지스터로부터의 전하량에 상대한 전류량이 상기 제 3 트랜지스터를 통해서 얻어질 수 있다. 따라서, 전자 회로의 동작 특성을 검출할 수 있다. 또한, 상기 제 3 트랜지스터는 각 단위 회로 내에 설치할 수도 있고, 상기 복수의 단위 회로 중 몇 개의 단위 회로에 대해서 공통으로 설치할 수도 있다. According to this, by turning on the third transistor, the amount of current relative to the amount of charge from the second transistor to be supplied to the driven element can be obtained through the third transistor. Therefore, the operating characteristic of the electronic circuit can be detected. The third transistor may be provided in each unit circuit, or may be provided in common for some of the plurality of unit circuits.

본 발명의 제 2 전자 장치는 복수의 단위 회로를 구비한 전자 장치로서, 상기 복수의 단위 회로의 각각은 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 공급되는 전기 신호를 전기량으로서 유지하는 유지 소자와, 상기 유지 소자에 유지된 전기량에 의거하여 도통 상태가 제어되는 제 2 트랜지스터와, 상기 도통 상태에 상대한 전류량이 공급되는 피구동 소자를 포함하고, 상기 제 2 트랜지스터는 상기 제 1 트랜지스터와 직렬로 접속되어 있고, 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 전류량을 검출하기 위한 검사부에 접속 가능한 것을 특징으로 한다. A second electronic device of the present invention is an electronic device having a plurality of unit circuits, each of the plurality of unit circuits comprising a first transistor, a holding element for holding an electrical signal supplied through the first transistor as an electric quantity; And a second transistor whose conduction state is controlled based on the amount of electricity held by the holding element, and a driven element to which an amount of current relative to the conduction state is supplied, wherein the second transistor is in series with the first transistor. It is connected, and it is connectable to the test | inspection part for detecting an amount of electric current through said 1st transistor, It is characterized by the above-mentioned.

이 제 2 전자 장치의 대응하는 실시형태로서는, 예를 들면, 후술하는 제 4 실시형태와 같은 전기 신호로서 전류 신호가 공급되는 회로 구성을 갖는 전자 장치를 들 수 있다.As a corresponding embodiment of this 2nd electronic device, the electronic device which has a circuit structure to which a current signal is supplied as an electrical signal like 4th embodiment mentioned later is mentioned, for example.

상기의 전자 장치에 있어서, 상기 피구동 소자와 상기 제 2 트랜지스터의 사이에 제 4 트랜지스터를 접속시켰다. In the above electronic device, a fourth transistor is connected between the driven element and the second transistor.

이것에 의하면, 제 4 트랜지스터를 오프 상태로 하고, 상기 피구동 소자로의 전류 공급을 정지한 상태에서, 상기 제 3 트랜지스터 또는 상기 제 1 트랜지스터를 온 상태로 함으로써, 상기 피구동 소자에 공급되어야 할 제 2 트랜지스터를 통과하는 전류의 전류량이 상기 제 3 트랜지스터 또는 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 검출할 수 있다. 즉, 상기 검사부가 검출을 행하고 있는 기간에는 상기 제 4 트랜지스터가 적어도 오프 상태인 것이 바람직하다. According to this, the third transistor or the first transistor is turned on while the fourth transistor is turned off and the current supply to the driven device is stopped, thereby to be supplied to the driven device. The amount of current passing through the second transistor can be detected through the third transistor or the first transistor. That is, it is preferable that the fourth transistor is at least in an off state in the period in which the inspection unit detects.

상기 전자 장치에 있어서, 상기 피구동 소자는, 예를 들면, 유기 EL 소자 등의 전류 구동 소자이어도 좋다. 유기 EL 소자는 발광층이 유기 재료로 구성되어 있다. In the electronic device, the driven element may be, for example, a current driving element such as an organic EL element. In the organic EL device, the light emitting layer is composed of an organic material.

상기 전자 장치에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터는 상기 복수의 단위 회로 각각에 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해 상기 복수의 단위 회로 각각의 전류 특성을 검출하는 것이 가능해진다. In the electronic device, the third transistor is preferably provided in each of the plurality of unit circuits. This makes it possible to detect the current characteristics of each of the plurality of unit circuits.

상기 전자 장치에 있어서, 상기 유지 소자는, 예를 들면, 상기 복수의 단위 회로의 각각에 공급된 전기 신호를 전하량으로서 유지하는 용량 소자이어도 좋다. In the electronic device, the holding element may be, for example, a capacitor which holds the electric signal supplied to each of the plurality of unit circuits as the amount of charge.

상기 전자 장치에 있어서, 상기 유지 소자는 SRAM 등의 기억 소자이어도 좋다. In the electronic device, the holding element may be a memory element such as an SRAM.

상기 전자 장치에 있어서, 상기 검사부에서 구한 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 공급되는 전기 신호에 대한 보정값을 기억하는 기억 회로를 구비했다. The electronic device was provided with a memory circuit which stores a correction value for an electrical signal supplied through the first transistor obtained by the inspection unit.

이것에 의하면, 기억 회로에 기억한 보정값을 사용해서 전자 장치의 동작 특성을 보정하여 피구동 소자의 동작을 조정할 수 있다. According to this, the operation | movement element of a driven element can be adjusted by correcting the operation characteristic of an electronic device using the correction value memorize | stored in the memory circuit.

본 발명에서의 전자 장치의 구동 방법은, 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 공급되는 전기 신호를 전기량으로서 유지하는 유지 소자와, 상기 유지 소자에 유지된 전기량에 의거하여 도통 상태가 설정되는 제 2 트랜지스터와, 상기 도통 상태에 상대한 전류량이 공급되는 피구동 소자와, 상기 제 2 트랜지스터와 직렬로 접속된 제 3 트랜지스터를 구비한 전자 장치의 구동 방법으로서, 상기 제 1 트랜지스터를 온 시키고 상기 전기 신호에 의거하는 전기량을 상기 유지 소자에 유지하는 제 1 스텝과, 상기 제 3 트랜지스터를 온 상태로 하고 상기 제 2 트랜지스터와 전류량을 검출하기 위한 검사부를 상기 제 3 트랜지스터를 통해서 전기적으로 접속하고, 상기 제 2 트랜지스터 및 상기 제 3 트랜지스터를 포함하는 전류 경로를 통과하는 전류의 전류량을 검출하는 제 2 스텝을 구비한 것을 특징으로 한다. In a method of driving an electronic device according to the present invention, a conduction state is set based on a first transistor, a holding element for holding an electric signal supplied through the first transistor as an electric quantity, and an amount of electricity held by the holding element. A method of driving an electronic device having a second transistor, a driven element supplied with an amount of current relative to the conduction state, and a third transistor connected in series with the second transistor, the method comprising: turning on the first transistor and A first step of holding an electric quantity based on an electric signal on the holding element, and electrically connecting a test portion for detecting the amount of current with the second transistor by turning the third transistor on, through the third transistor, Of current passing through a current path comprising the second transistor and the third transistor. In that it includes a second step of detecting a ryuryang characterized.

이것에 의하면, 검사부는 피구동 소자에 공급되어야 할 전류량을 상기 검사부에서 검출할 수 있다. According to this, the inspection section can detect the amount of current to be supplied to the driven element in the inspection section.

상기 전자 장치의 구동 방법에 있어서, 상기 전류 경로는 상기 피구동 소자를 포함하지 않도록 하는 것이 바람직하다. In the method of driving the electronic device, it is preferable that the current path does not include the driven element.

상기 전자 장치의 구동 방법에 있어서, 상기 피구동 소자는 유기 EL 소자 등의 전류 구동 소자이어도 좋다. In the method for driving the electronic device, the driven element may be a current driving element such as an organic EL element.

본 발명에서의 제 1 전기 광학 장치는, 복수의 주사선과 복수의 데이터선의 교차부에 대응하여 배치된 복수의 화소 회로를 구비한 전기 광학 장치로서, 상기 복수의 화소 회로 각각은 상기 복수의 주사선의 대응하는 주사선을 통해서 공급되는 주사 신호에 의해 도통이 제어되는 제 1 트랜지스터와, 상기 복수의 데이터선의 대응하는 데이터선 및 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 공급되는 데이터 신호를 전기량으로서 유지하는 유지 소자와, 상기 유지 소자에 유지된 전기량에 의거하여 도통 상태가 제어되는 제 2 트랜지스터와, 상기 도통 상태에 상대한 전류량이 공급되는 전기 광학 소자와, 상기 제 2 트랜지스터와 직렬로 접속된 제 3 트랜지스터를 포함하고, 상기 복수의 화소 회로 각각은 상기 제 3 트랜지스터를 통해서 전류량을 검출하는 검사부에 접속 가능한 것을 특징으로 한다. A first electro-optical device according to the present invention is an electro-optical device having a plurality of pixel circuits arranged corresponding to intersections of a plurality of scan lines and a plurality of data lines, wherein each of the plurality of pixel circuits includes a plurality of pixel lines. A first transistor whose conduction is controlled by a scan signal supplied through a corresponding scan line, a retention element for holding corresponding data lines of the plurality of data lines and a data signal supplied through the first transistor as an electric quantity; A second transistor whose conduction state is controlled based on the amount of electricity held by the holding element, an electro-optical element to which an amount of current relative to the conduction state is supplied, and a third transistor connected in series with the second transistor, Each of the plurality of pixel circuits is in contact with an inspection unit that detects an amount of current through the third transistor. Characterized in that possible.

상기 전기 광학 장치에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터는 상기 복수의 화소 회로의 각각에 설치할 수도 있고, 상기 복수의 화소 회로 중 몇 개의 화소 회로에 공통으로 설치할 수도 있다. In the electro-optical device, the third transistor may be provided in each of the plurality of pixel circuits, or may be provided in common in some pixel circuits of the plurality of pixel circuits.

상기 전기 광학 장치에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터는 상기 복수의 트랜지스터의 대응하는 데이터선을 통해서 상기 검사부에 접속 가능하도록 할 수도 있다. 이것에 의하면, 검사용 배선을 설치하지 않아도 데이터선을 검사용 배선으로서 이용하는 것이 가능하다.In the electro-optical device, the third transistor may be connectable to the inspection unit via corresponding data lines of the plurality of transistors. According to this, it is possible to use a data line as inspection wiring, without providing the inspection wiring.

본 발명의 제 2 전기 광학 장치는, 복수의 주사선과 복수의 데이터선의 교차부에 대응해서 배치된 복수의 화소 회로를 구비한 전기 광학 장치로서, 상기 복수의 화소 회로 각각은 상기 복수의 주사선의 대응하는 주사선을 통해서 공급되는 주사 신호에 의해 도통이 제어되는 제 1 트랜지스터와, 상기 복수의 데이터선의 대응하는 데이터선 및 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 공급되는 데이터 신호를 전기량으로서 유지하는 유지 소자와, 상기 유지 소자에 유지된 전기량에 의거하여 도통 상태가 제어되고, 상기 제 1 트랜지스터와 직렬로 접속된 제 2 트랜지스터와, 상기 도통 상태에 상대한 전류량이 공급되는 전기 광학 소자를 포함하고, 상기 복수의 화소 회로 각각은 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 전류량을 검출하는 검사부에 접속 가능한 것을 특징으로 한다.A second electro-optical device of the present invention is an electro-optical device having a plurality of pixel circuits arranged corresponding to intersections of a plurality of scan lines and a plurality of data lines, each of the plurality of pixel circuits corresponding to the plurality of scan lines. A first transistor whose conduction is controlled by a scan signal supplied through a scan line, a holding element for holding a corresponding data line of the plurality of data lines and a data signal supplied through the first transistor as an electric quantity, and the holding The plurality of pixel circuits, the conducting state being controlled based on the amount of electricity held in the element, the second transistor connected in series with the first transistor, and an electro-optical element to which an amount of current relative to the conducting state is supplied; Each can be connected to an inspection unit for detecting the amount of current through the first transistor. The.

상기 전기 광학 장치에 있어서, 상기 검사부는 상기 전류량을 검출하는 전류 검출 회로와, 상기 전류 검출 회로에서 검출한 전류량에 의거하여 상기 전기 신호에 대한 보정값을 구하는 보정값 산출 회로와, 상기 화소 회로에 대한 상기 보정값을 기억하는 기억 회로로 이루어지고, 상기 전기 신호를 설정할 때, 상기 전기 신호를 상기 보정값으로 보정하도록 했다. In the electro-optical device, the inspection unit includes a current detection circuit that detects the amount of current, a correction value calculation circuit that obtains a correction value for the electric signal based on the amount of current detected by the current detection circuit, and the pixel circuit. And a memory circuit for storing the correction value, and when setting the electric signal, correcting the electric signal with the correction value.

이것에 의하면, 보정값 산출 회로에 의해서 화소 회로의 동작 특성의 편차를 조정하기 위한 보정값을 구하고, 그 화소 회로에 대한 상기 보정값을 기억 회로에 기억시킨다. 따라서, 기억 회로에 기억된 전자 회로의 보정값을 사용해서 화소 회로의 동작 특성을 보정하여 피구동 소자의 동작을 조정할 수 있다.According to this, a correction value for adjusting the deviation of the operating characteristics of the pixel circuit is calculated by the correction value calculating circuit, and the memory circuit stores the correction value for the pixel circuit. Therefore, the operation characteristic of the driven element can be adjusted by correcting the operation characteristic of the pixel circuit using the correction value of the electronic circuit stored in the memory circuit.

본 발명에서의 전자 기기에는 상기 전기 광학 장치가 실장되어 있다. The said electro-optical device is mounted in the electronic device in this invention.

[발명의 실시형태]Embodiment of the Invention

(제 1 실시형태) (1st embodiment)

이하, 본 발명을 구체화한 제 1 실시형태를 도 1∼도 5에 따라 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, 1st Embodiment which actualized this invention is described according to FIGS.

도 1은 전기 광학 장치로서의 유기 EL 디스플레이(10)의 회로 구성을 나타내는 블록 회로도를 도시한다. 도 2는 표시 패널부와 데이터선 구동 회로의 내부 회로 구성을 나타내는 블록 회로도를 도시한다. 도 3은 화소 회로의 내부 회로 구성을 나타내는 회로도를 도시한다.FIG. 1 shows a block circuit diagram showing a circuit configuration of an organic EL display 10 as an electro-optical device. 2 is a block circuit diagram showing an internal circuit configuration of a display panel portion and a data line driver circuit. 3 shows a circuit diagram showing an internal circuit configuration of a pixel circuit.

도 1에서, 유기 EL 디스플레이(10)는 표시 패널부(11), 데이터선 구동 회로(12), 주사선 구동 회로(13), 메모리(14), 발진 회로(15), 셀렉트 회로(16) 및 제어 회로(17)를 구비하고 있다.In Fig. 1, the organic EL display 10 includes a display panel section 11, a data line driver circuit 12, a scan line driver circuit 13, a memory 14, an oscillator circuit 15, a select circuit 16, and the like. The control circuit 17 is provided.

유기 EL 디스플레이(10)의 각 요소(11∼17)는, 각각이 독립된 전자 부품에 의해서 구성되어 있어도 좋다. 예를 들면, 각 요소(12∼17)가 칩의 반도체 집적 회로 장치에 의해서 구성되어 있어도 좋다. 또, 각 요소(11∼17)의 전부 혹은 일부가 일체로 된 전자 부품으로 구성되어 있어도 좋다. 예를 들면, 표시 패널부(11)에 데이터선 구동 회로(12)와 주사선 구동 회로(13)가 일체적으로 형성되어 있어도 좋다. 각 구성 요소(12∼16)의 전부 또는 일부가 프로그램 가능한 IC칩으로 구성되고, 그 기능이 IC칩에 기입된 프로그램에 의해 소프트웨어적으로 실현되어도 좋다. Each element 11-17 of the organic electroluminescent display 10 may be comprised by the independent electronic component, respectively. For example, each element 12-17 may be comprised by the semiconductor integrated circuit apparatus of a chip. Moreover, you may be comprised by the electronic component in which all or one part of each element 11-17 was integrated. For example, the data line driver circuit 12 and the scan line driver circuit 13 may be integrally formed in the display panel unit 11. All or part of each component 12-16 may be comprised by a programmable IC chip, and the function may be implemented by software by the program written in an IC chip.

표시 패널부(11)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 화소 회로(20)를 구비하고 있다. 즉, 각 화소 회로(20)는 그 열방향에 따라 연장하는 복수의 데이터선(X1∼Xm)(m은 정수)과 행방향에 따라 연장하는 복수의 주사선(Y1∼Yn)(n은 정수) 사이에 각각 접속됨으로써, 각 화소 회로(20)는 매트릭스 형상으로 배열되어 있다. 각 화소 회로(20)에는 피구동 소자로서 발광층이 유기 재료로 구성된 유기 EL 소자(21)를 구비하고 있다. 또한, 화소 회로(20) 내에 형성되는 후술하는 트랜지스터는 실리콘 베이스의 트랜지스터이어도 좋지만, 본 실시형태에서는 박막 트랜지스터(TFT)로 구성하고 있다. As shown in FIG. 2, the display panel unit 11 includes a plurality of pixel circuits 20 arranged in a matrix. That is, each pixel circuit 20 includes a plurality of data lines X1 to Xm (m is an integer) extending along the column direction and a plurality of scanning lines Y1 to Yn (n is an integer) extending along the row direction. By connecting to each other, each pixel circuit 20 is arranged in matrix form. Each pixel circuit 20 includes an organic EL element 21 whose light emitting layer is made of an organic material as a driven element. In addition, although the transistor mentioned later formed in the pixel circuit 20 may be a silicon-based transistor, in this embodiment, it is comprised from the thin film transistor (TFT).

데이터선 구동 회로(12)는 상기 각 데이터선(X1∼Xm)에 대해서 데이터 전압 생성 회로(12a)가 각각 설치되어 있다. 각 데이터 전압 생성 회로(12a)는 각각 대응하는 데이터선(X1∼Xm)을 통해서 화소 회로(20)에 전기 신호, 즉 본 실시형태에서는 데이터 신호(데이터 전압(V data))를 공급한다. 화소 회로(20)는 이 데이터 전압 Vdata에 따라 상기 화소 회로(20)의 내부 상태가 설정되면, 이것에 따라 유기 EL 소자(21)에 흐르는 전류값이 제어되고, 상기 유기 EL 소자(21)의 휘도가 제어된다.The data line driver circuit 12 is provided with a data voltage generator 12a for each of the data lines X1 to Xm. Each data voltage generation circuit 12a supplies an electric signal, that is, a data signal (data voltage V data) in the present embodiment, to the pixel circuit 20 through corresponding data lines X1 to Xm, respectively. When the internal state of the pixel circuit 20 is set in accordance with the data voltage Vdata, the pixel circuit 20 controls the current value flowing through the organic EL element 21 accordingly, thereby controlling the value of the organic EL element 21. The brightness is controlled.

주사선 구동 회로(13)는 상기 복수의 주사선(Yn) 중 한 개를 선택 구동하여 1행분의 화소 회로군을 선택한다. 주사선(Y1∼Yn)은 각각 제 1 부주사선(Va)과 제 2 부주사선(Vb)으로 구성되어 있다. 주사선 구동 회로(13)는 제 1 부주사선(Va)에 제 1 선택 신호(SL1)를 출력하고, 제 2 부주사선(Vb)에 제 2 선택 신호(SL2)를 출력한다. 메모리(14)는 컴퓨터(18)로부터 공급되는 표시 데이터를 기억한다. 또, 메모리(14)는 보정값 산출 회로를 구성하는 검사 장치(19)로부터 공급되는 테스트용 표시 데이터를 기억하도록 되어 있다. 발진 회로(15)는 기준 동작 신호를 유기 EL 디스플레이(10)의 다른 구성 요소에 공급한다. The scan line driver circuit 13 selects and drives one of the plurality of scan lines Yn to select a pixel circuit group for one row. The scanning lines Y1 to Yn each consist of a first sub scan line Va and a second sub scan line Vb. The scan line driver circuit 13 outputs the first selection signal SL1 to the first sub-scanning line Va, and outputs the second selection signal SL2 to the second sub-scanning line Vb. The memory 14 stores display data supplied from the computer 18. In addition, the memory 14 is configured to store test display data supplied from the inspection device 19 that constitutes the correction value calculation circuit. The oscillation circuit 15 supplies a reference operation signal to other components of the organic EL display 10.

셀렉트 회로(16)는 표시 패널부(11)와 데이터선 구동 회로(12)의 사이에 설치되어 있다. 각 셀렉트 회로(16)는 각 데이터선(X1∼Xm)마다 전환 회로(16a)를 구비하고 있다. 각 전환 회로(16a)는 도 3에 나타낸 바와 같이, 제 1 게이트 트랜지스터(Q1)와 제 2 게이트 트랜지스터(Q2)로 각각 구성되어 있다. 또, 각 셀렉트 회로(16)의 제 1 게이트 트랜지스터(Q1)는 대응하는 데이터선(X1∼Xm)과, 대응하는 데이터 전압 생성 회로(30)를 각각 접속한다. 각 셀렉트 회로(16)의 제 2 게이트 트랜지스터(Q2)는 대응하는 데이터선(X1∼Xm)과, 검사부로서의 검사 장치(19)에 설치한 대응하는 데이터선(X1∼Xm)마다 설치된 전류 검출 회로(19a)를 각각 접속한다. 제 1 및 제 2 게이트 트랜지스터(Q1, Q2)는 제어 회로(17)로부터의 제 1 및 제 2 게이트 신호(G1, G2)에 의거하여 각각 온·오프 제어되도록 되어 있다.The select circuit 16 is provided between the display panel unit 11 and the data line driver circuit 12. Each select circuit 16 includes a switching circuit 16a for each data line X1 to Xm. Each switching circuit 16a is composed of a first gate transistor Q1 and a second gate transistor Q2, respectively, as shown in FIG. Further, the first gate transistor Q1 of each select circuit 16 connects the corresponding data lines X1 to Xm and the corresponding data voltage generation circuit 30, respectively. The second gate transistor Q2 of each select circuit 16 has a current detection circuit provided for each of the corresponding data lines X1 to Xm and the corresponding data lines X1 to Xm provided in the inspection apparatus 19 as the inspection unit. Each of 19a is connected. The first and second gate transistors Q1 and Q2 are controlled to be turned on and off based on the first and second gate signals G1 and G2 from the control circuit 17, respectively.

제어 회로(17)는 상기 각 요소(11∼16)를 통괄 제어한다. 제어 회로(17)는 표시 패널부(11)의 표시 상태를 나타내는 상기 메모리(14)에 기억한 컴퓨터(18)로부터의 표시 데이터(화상 데이터)를 각 유기 EL 소자(21)의 발광의 휘도를 나타내는 매트릭스 데이터로 변환한다. 매트릭스 데이터는 1행분의 화소 회로군을 순차 선택하기 위한 주사선 구동 신호와, 선택된 화소 회로군의 유기 EL 소자(21)의 휘도를 설정하는 데이터 전압 Vdata의 레벨을 결정하는 데이터선 구동 신호를 포함한다. 또, 주사선 구동 신호는 주사선 구동 회로(13)에 공급된다. 또, 데이터선 구동 신호는 데이터선 구동 회로(12)에 공급된다. The control circuit 17 collectively controls the above elements 11 to 16. The control circuit 17 stores the display data (image data) from the computer 18 stored in the memory 14 indicating the display state of the display panel unit 11 to determine the luminance of light emission of each organic EL element 21. Convert to the matrix data indicated. The matrix data includes a scan line drive signal for sequentially selecting a pixel circuit group for one row and a data line drive signal for determining the level of the data voltage Vdata for setting the luminance of the organic EL element 21 of the selected pixel circuit group. . In addition, the scan line drive signal is supplied to the scan line drive circuit 13. In addition, the data line driving signal is supplied to the data line driving circuit 12.

또, 제어 회로(17)는 유기 EL 디스플레이(10)가 검사 장치(19)를 사용하여 표시 패널부(11)의 각 화소 회로(20)에 대한 검사를 행할 때, 테스트 모드가 된다. 테스트 모드가 되면, 제어 회로(17)는 상기 메모리(14)에 기억된 검사 장치(19)로부터의 테스트용 표시 데이터(화상 데이터)를 각 유기 EL 소자(21)의 발광의 휘도를 나타내는 매트릭스 데이터(테스트용 매트릭스 데이터)로 변환한다.In addition, the control circuit 17 enters a test mode when the organic EL display 10 inspects each pixel circuit 20 of the display panel unit 11 using the inspection apparatus 19. When the test mode is entered, the control circuit 17 converts the test display data (image data) from the inspection device 19 stored in the memory 14 into matrix data indicating the luminance of light emission of each organic EL element 21. Convert to (test matrix data).

이 테스트용 매트릭스 데이터는 1행분의 화소 회로군을 순차 선택하기 위한 테스트용의 주사선 구동 신호와, 선택된 화소 회로군의 유기 EL 소자(21)의 테스트용 휘도를 설정하는 테스트용 데이터 전압 Vdata의 레벨을 결정하는 테스트용의 데이터선 구동 신호를 포함한다. 또, 테스트용의 주사선 구동 신호는 주사선 구동 회로(13)에 공급된다. 또, 테스트용의 데이터선 구동 신호는 데이터선 구동 회로(12)에 공급된다. 또, 테스트 모드에 있어서, 제어 회로(17)는 표시 패널부(11)의 각 화소 회로(20)에 대해서 검사를 행하기 위한 제 1 및 제 2 게이트 신호(G1, G2)를 상기 셀렉트 회로(16)에 공급한다. 또한, 테스트 모드가 아닌 통상 모드일 때에, 제어 회로(17)는 제 1 게이트 신호(G1)만 출력하고 제 1 게이트 트랜지스터(Q1)를 온, 제 2 게이트 트랜지스터(Q2)를 오프가 되는 상태로 유지시키고 있다. The test matrix data includes a test scan line drive signal for sequentially selecting one pixel circuit group for one row and a level of the test data voltage Vdata for setting the test luminance of the organic EL element 21 of the selected pixel circuit group. And a data line drive signal for testing to determine. The scanning line driving signal for a test is supplied to the scanning line driving circuit 13. The data line driving signal for a test is supplied to the data line driving circuit 12. In addition, in the test mode, the control circuit 17 receives the first and second gate signals G1 and G2 for performing inspection on each pixel circuit 20 of the display panel unit 11. 16). In the normal mode other than the test mode, the control circuit 17 outputs only the first gate signal G1, turns on the first gate transistor Q1, and turns off the second gate transistor Q2. I keep it.

다음으로, 화소 회로(20)의 내부 회로 구성에 대해서 도 3에 따라 설명한다. 설명의 편의상, m번째의 데이터선(Xm)과 n번째의 주사선(Yn)의 교점에 배치되고, 양 데이터선(Xm)과 주사선(Yn)의 사이에 접속된 화소 회로(20)에 대해서 설명한다.Next, the internal circuit configuration of the pixel circuit 20 will be described with reference to FIG. 3. For convenience of explanation, the pixel circuit 20 disposed at the intersection of the m-th data line Xm and the n-th scan line Yn and connected between both data lines Xm and the scan line Yn will be described. do.

화소 회로(20)는, 본 실시형태에서는 전압 구동형의 화소 회로로서, 피구동 소자로서의 유기 EL 소자(21)를 구비하고 있다. 제 2 트랜지스터로서의 구동용 트랜지스터(Q11), 제 1 트랜지스터로서의 스위칭용 트랜지스터(Q12), 제 4 트랜지스터로서의 발광 제어용 트랜지스터(Q13), 제 3 트랜지스터로서의 검출용 트랜지스터(Q14), 유지 소자로서의 유지 캐패시터(C1)를 구비하고 있다. In the present embodiment, the pixel circuit 20 is a voltage-driven pixel circuit and includes an organic EL element 21 as a driven element. The driving transistor Q11 as the second transistor, the switching transistor Q12 as the first transistor, the light emission control transistor Q13 as the fourth transistor, the detection transistor Q14 as the third transistor, and the holding capacitor as the holding element ( C1).

스위칭용 트랜지스터(Q12) 및 발광 제어용 트랜지스터(Q13)는 N채널 TFT로 구성되어 있다. 구동용 트랜지스터(Q11) 및 검출용 트랜지스터(Q14)는 P채널 TFT로 구성되어 있다. The switching transistor Q12 and the light emission control transistor Q13 are composed of N-channel TFTs. The driving transistor Q11 and the detecting transistor Q14 are composed of P-channel TFTs.

구동용 트랜지스터(Q11)는 드레인이 스위칭용 트랜지스터(Q13)를 통해서 상기 유기 EL 소자(21)의 양극에 접속되고, 소스가 전원선(L1)에 접속되어 있다. 구동용 트랜지스터(Q11)의 게이트와 전원선(L1)의 사이에는 유지 캐패시터(C1)가 접속되어 있다. 또, 구동용 트랜지스터(Q11)의 게이트는 스위칭용 트랜지스터(Q12)를 통해서 상기 데이터선(Xm)에 접속되어 있다. 또한, 구동용 트랜지스터(Q11)의 드레인은 상기 검출용 트랜지스터(Q14)를 통해서 상기 데이터선(Xm)에 접속되어 있다. In the driving transistor Q11, the drain is connected to the anode of the organic EL element 21 via the switching transistor Q13, and the source is connected to the power supply line L1. The holding capacitor C1 is connected between the gate of the driving transistor Q11 and the power supply line L1. The gate of the driving transistor Q11 is connected to the data line Xm through the switching transistor Q12. The drain of the driving transistor Q11 is connected to the data line Xm through the detection transistor Q14.

스위칭용 트랜지스터(Q12)의 게이트에는 제 1 부주사선(Va)이 접속되어 있다. 상기 검출용 트랜지스터(Q14)의 소스는 상기 제 1 부주사선(Va)에 접속되어 있다. 또, 발광 제어용 트랜지스터(Q13) 및 검출용 트랜지스터(Q14)의 게이트는 모두 제 2 부주사선(Vb)에 접속되어 있다.The first sub scanning line Va is connected to the gate of the switching transistor Q12. The source of the detection transistor Q14 is connected to the first sub scan line Va. In addition, the gates of the light emission control transistor Q13 and the detection transistor Q14 are both connected to the second sub scan line Vb.

다음으로, 상기와 같이 구성한 유기 EL 디스플레이(10)의 작용을 화소 회로(20)의 동작에 따라 설명한다. Next, the operation of the organic EL display 10 configured as described above will be described according to the operation of the pixel circuit 20.

(통상 모드)(Normal mode)

우선, 통상 모드를 도 4에 나타내는 각 신호(SL1, SL2, G1, G2)의 타이밍 차트에 따라 설명한다. First, the normal mode will be described according to the timing chart of each of the signals SL1, SL2, G1, G2 shown in FIG.

지금, n행째의 주사선(Yn)이 선택되어 주사선(Yn)에 접속된 각 화소 회로(20)가 발광 동작에 들어갈 때, 주사선 구동 회로(13)로부터 주사선(Yn)의 제 1 부주사선(Va)을 통해서 스위칭용 트랜지스터(Q12)를 온 상태로 하는 제 1 선택 신호(SL1)가 출력되고, 스위칭용 트랜지스터(Q12)가 온 상태로 된다. 이와 동시에, 제어 회로(17)로부터 셀렉트 회로(16)의 각 전환 회로(16a)에 제 1 게이트 트랜지스터(Q1)를 온 상태로 하는 제 1 게이트 신호(G1)가 출력되고, 제 1 게이트 트랜지스터(Q1)가 온 상태로 된다. 이 때, 스위칭용 트랜지스터(Q12) 및 제 1 게이트 트랜지스터(Q1)의 온에 의거하여 각 데이터 전압 생성 회로(12a)로부터 대응하는 각 화소 회로(20)의 유지 캐패시터(C1)에 데이터 전압 Vdata가 각각 공급된다. 시간 t1의 경과 후, 스위칭용 트랜지스터(Q12) 및 제 1 게이트 트랜지스터(Q1)를 오프 상태로 하는 제 1 선택 신호(SL1) 및 제 1 게이트 신호(G1)가 공급되고, 데이터 기입 기간이 종료된다. Now, when the n-th scanning line Yn is selected and each pixel circuit 20 connected to the scanning line Yn enters a light emission operation, the first sub-scanning line Va of the scanning line Yn from the scanning line driver circuit 13 is entered. ), The first selection signal SL1 for turning on the switching transistor Q12 is output, and the switching transistor Q12 is turned on. At the same time, the first gate signal G1 for turning on the first gate transistor Q1 is output from the control circuit 17 to the respective switching circuits 16a of the select circuit 16, and the first gate transistor ( Q1) is turned on. At this time, based on the switching transistor Q12 and the first gate transistor Q1, the data voltage Vdata is applied from the data voltage generation circuit 12a to the holding capacitor C1 of each pixel circuit 20 corresponding thereto. Each is supplied. After the time t1 has elapsed, the first select signal SL1 and the first gate signal G1 for turning off the switching transistor Q12 and the first gate transistor Q1 are supplied, and the data writing period ends. .

데이터 전압 Vdata를 온 상태에 있는 스위칭용 트랜지스터(Q12)를 통해서 화소 회로(20)에 공급하고 있는 기간에, 검출용 트랜지스터(Q14) 및 발광 제어용 트랜지스터(Q13)는 각각 온 상태로 해둔다. In the period in which the data voltage Vdata is supplied to the pixel circuit 20 through the switching transistor Q12 in the on state, the detection transistor Q14 and the light emission control transistor Q13 are turned on respectively.

시간 t1의 도중 또는 시간 t1의 경과 후, 구동용 트랜지스터(Q11)의 도통 상태에 따른 전류의 유기 EL 소자에 대한 공급이 개시된다.During the time t1 or after the time t1 has elapsed, the supply of the current to the organic EL element according to the conduction state of the driving transistor Q11 is started.

이어서, 발광 제어용 트랜지스터(Q13)를 오프 상태로 하여 전류의 유기 EL 소자에 대한 공급을 정지하고, 다음 데이터 기입 기간의 개시를 대기한다.Subsequently, the light emission control transistor Q13 is turned off, the supply of the current to the organic EL element is stopped, and the start of the next data writing period is awaited.

또한, 데이터 전압 Vdata를 스위칭용 트랜지스터(Q12)를 통해서 화소 회로(20)에 공급하고 있는 기간에, 검출용 트랜지스터(Q14)는 온 상태 및 오프 상태의 어떤 것이어도 좋다.In the period in which the data voltage Vdata is supplied to the pixel circuit 20 through the switching transistor Q12, the detection transistor Q14 may be any of an on state and an off state.

하지만, 온 상태에 있는 검출용 트랜지스터(Q14)를 통해서 화소 회로(20)와 데이터선(Xm)의 사이에 흐르는 미소한 전류가 데이터 전압 Vdata가 섭동(攝動)을 부여할 가능성도 있으므로, 본 실시형태와 같이 데이터 전압 Vdata를 스위칭용 트랜지스터(Q12)를 통해서 화소 회로(20)에 공급하고 있는 기간에, 검출용 트랜지스터(Q14)는 오프 상태로 해두는 것이 바람직하다. However, since a slight current flowing between the pixel circuit 20 and the data line Xm through the detection transistor Q14 in the on state may cause the data voltage Vdata to perturb. As in the embodiment, the detection transistor Q14 is preferably turned off in the period in which the data voltage Vdata is supplied to the pixel circuit 20 through the switching transistor Q12.

또한, 통상 모드의 전체 기간에서 검출용 트랜지스터(Q14)를 오프 상태로 해두어도 물론 상관없다. Further, of course, the detection transistor Q14 may be turned off in the entire period of the normal mode.

본 실시형태에서, 발광 제어용 트랜지스터(Q13)와 검출용 트랜지스터(Q14)는 상보적인 동작을 하도록 한 회로 구성으로 되어 있지만, 물론 각각 독립적으로 제어할 수도 있다.In the present embodiment, the light emission control transistor Q13 and the detection transistor Q14 have a circuit configuration in which complementary operations are performed, but of course, they may be independently controlled.

이 동작을 반복함으로써, 각 주사선(Y1∼Yn) 상에 있는 각 화소 회로(20)의 유기 EL 소자(21)는 데이터 전압 Vdata에 대응한 휘도로 각각 발광 제어되고, 유기 EL 디스플레이(10)는 컴퓨터(18)로부터의 표시 데이터에 의거하는 화상을 표시한다.By repeating this operation, the organic EL elements 21 of the pixel circuits 20 on the respective scanning lines Y1 to Yn are controlled to emit light with luminance corresponding to the data voltage Vdata, respectively, and the organic EL display 10 An image based on the display data from the computer 18 is displayed.

(테스트 모드)(Test mode)

다음으로, 구동 방법의 일 형태인 테스트 모드에 대해서 설명한다. 유기 EL 디스플레이(10)는 검사 장치(19)에 접속함으로써 테스트 모드가 된다. 검사 장치(19)로부터 유기 EL 디스플레이(10)에 테스트용 표시 데이터가 출력되면, 제어 회로(17)는 테스트 모드가 되고, 테스트용 표시 데이터를 각 유기 EL 소자(21)의 발광의 휘도 계조를 나타내는 매트릭스 데이터(테스트용 매트릭스 데이터)로 변환한다. 또, 제어 회로(17)는 테스트용의 주사선 구동 신호 및 테스트용의 데이터선 구동 신호를 주사선 구동 회로(13) 및 데이터선 구동 회로(12)에 출력한다.Next, a test mode which is one embodiment of the driving method will be described. The organic EL display 10 enters the test mode by connecting to the inspection apparatus 19. When test display data is output from the inspection apparatus 19 to the organic EL display 10, the control circuit 17 enters the test mode, and the test display data is used to adjust the luminance gradation of the light emission of each organic EL element 21. It converts into the matrix data (test matrix data) shown. In addition, the control circuit 17 outputs the scan line drive signal for a test and the data line drive signal for a test to the scan line drive circuit 13 and the data line drive circuit 12.

도 5는 테스트 모드에서의 각 신호(SL1, SL2, G1, G2)의 타이밍 차트로 나타낸다. 지금, 예를 들면, 주사선 구동 회로(13)로부터 주사선(Yn)의 제 1 부주사선(Va)에 스위칭용 트랜지스터(Q12)를 온 상태로 하는 제 1 선택 신호(SL1)가 출력되고, 주사선(Yn) 상에 있는 각 화소 회로(20)의 스위칭용 트랜지스터(Q12)가 온 상태로 된다. 이와 동시에, 제어 회로(17)로부터 셀렉트 회로(16)의 각 전환 회로(16a)에 제 1 게이트 트랜지스터(Q1)를 온 상태로 하는 제 1 게이트 신호(G1)가 출력되고, 각 전환 회로(16a)의 제 1 게이트 트랜지스터(Q1)가 온 상태로 된다.5 is a timing chart of each signal SL1, SL2, G1, G2 in the test mode. Now, for example, the first selection signal SL1 for turning on the switching transistor Q12 is output from the scanning line driver circuit 13 to the first sub scanning line Va of the scanning line Yn, and thus the scanning line ( The switching transistor Q12 of each pixel circuit 20 on Yn is turned on. At the same time, the first gate signal G1 for turning on the first gate transistor Q1 from the control circuit 17 to the respective switching circuits 16a of the select circuit 16 is outputted to each switching circuit 16a. First gate transistor Q1 is turned on.

이것에 의해, 온 상태에 있는 스위칭용 트랜지스터(Q12) 및 제 1 게이트 트랜지스터(Q1)를 통해서 데이터 전압 생성 회로(12a)로부터 유지 캐패시터(C1)에 테스트용의 데이터 전압 Vdata가 공급된다. 한편, 테스트용 데이터 전압 Vdata를 공급하고 있는 기간에는, 검출용 트랜지스터(Q14)를 오프 상태로 하는 제 2 선택 신호(SL2)를 공급하여 검출용 트랜지스터(Q14)를 오프 상태로 해둔다. As a result, the test data voltage Vdata is supplied from the data voltage generation circuit 12a to the holding capacitor C1 through the switching transistor Q12 and the first gate transistor Q1 in the on state. On the other hand, in the period in which the test data voltage Vdata is being supplied, the second selection signal SL2 which turns off the detection transistor Q14 is supplied to leave the detection transistor Q14 in the off state.

시간 t1의 경과 후, 스위칭용 트랜지스터(Q12) 및 제 1 게이트 트랜지스터(Q1)를 오프 상태로 하는 제 1 선택 신호(SL1) 및 제 1 게이트 신호(G1)를 공급하고, 화소 회로(20)에서의 데이터 기입 기간이 종료한다. 이 때, 검출용 트랜지스터(Q14) 및 발광 제어용 트랜지스터(Q13)를 각각 온 상태 및 오프 상태로 하는 제 2 선택 신호(SL2)를 공급한다. After the time t1 has elapsed, the first select signal SL1 and the first gate signal G1 for turning off the switching transistor Q12 and the first gate transistor Q1 are supplied to the pixel circuit 20. The data writing period ends. At this time, the second selection signal SL2 for turning on the detection transistor Q14 and the light emission control transistor Q13 is turned on and off, respectively.

이어서, 제어 회로(17)로부터 셀렉트 회로(16)의 각 전환 회로(16a)에 제 2 게이트 트랜지스터(Q2)를 온 상태로 하는 제 2 게이트 신호(G2)가 공급되고, 제 2 게이트 트랜지스터(Q2)가 온 상태로 된다. 화소 회로(20)에 있어서, 이 제 2 게이트 트랜지스터(Q2)의 온에 의거하여 구동용 트랜지스터(Q11)의 동작에 의거하는 테스트용의 데이터 전압 Vdata에 상대한 전류값의 구동 전류가 흐른다. 이 때, 구동용 트랜지스터(Q11)로부터의 구동 전류는, 검출용 트랜지스터(Q14) 및 제 2 게이트 트랜지스터(Q2)를 통해서 검사 장치(19)의 주사선(Yn) 위에 있는 각 화소 회로(20)에 대해서 설치된 각 전류 검출 회로(19a)에 각각 출력된다.Subsequently, the second gate signal G2 for turning on the second gate transistor Q2 is supplied from the control circuit 17 to each switching circuit 16a of the select circuit 16, and the second gate transistor Q2. ) Is turned on. In the pixel circuit 20, a driving current having a current value relative to the test data voltage Vdata based on the operation of the driving transistor Q11 flows based on the second gate transistor Q2. At this time, the driving current from the driving transistor Q11 is applied to each pixel circuit 20 on the scanning line Yn of the inspection apparatus 19 through the detection transistor Q14 and the second gate transistor Q2. Are output to the respective current detection circuits 19a provided.

또, 이 동작을 순차 각 주사선(Y1∼Yn)의 각 화소 회로(20)에 대해서 행하고, 각 주사선(Y1∼Yn)의 각 화소 회로(20)에 대해서 설치된 각 전류 검출 회로(19a)에 각각 출력된다.In addition, this operation is sequentially performed for each pixel circuit 20 of each scan line Y1 to Yn, and is provided in each current detection circuit 19a provided for each pixel circuit 20 of each scan line Y1 to Yn. Is output.

검사 장치(19)에 있어서, 각 주사선(Y1∼Yn)의 각 화소 회로(20)에 대해서 설치된 전류 검출 회로(19a)는 입력한 출력 전류를 디지털 변환하여 출력 전류값을 검출 전류값으로서 각각 구한다. 또, 검사 장치(19)는 각 전류 검출 회로(19a)에서 구한 화소 회로(20)의 검출 전류값을 테스트용의 데이터 전압 Vdata에 대한 설정 전류값과 각각 비교한다. 또, 검사 장치(19)는 그 비교 결과를 일시 기억한다. 또한, 설정 전류값은 테스트용의 데이터 전압 Vdata에서 화소 회로(20)로부터 규격상 출력되지 않으면 안되는 전류값으로서, 미리 시험 또는 이론상으로부터 얻어진 값이다.In the inspection apparatus 19, the current detection circuit 19a provided for each pixel circuit 20 of each of the scanning lines Y1 to Yn digitally converts the input output current to obtain the output current value as the detection current value, respectively. . In addition, the inspection apparatus 19 compares the detected current value of the pixel circuit 20 obtained by each current detection circuit 19a with the set current value for the data voltage Vdata for testing, respectively. In addition, the inspection apparatus 19 temporarily stores the comparison result. The set current value is a current value that must be output in standard from the pixel circuit 20 in the data voltage Vdata for the test, and is a value obtained from a test or a theory in advance.

이 비교 결과를 일시 기억한 후, 새롭게 다른 값의 테스트용의 데이터 전압 Vdata를 사용하여 동일한 테스트를 유기 EL 디스플레이(10)에 대해서 행한다. 또, 검사 장치(19)는 상기와 마찬가지로, 각 전류 검출 회로(19a)가 구한 화소 회로(20)의 검출 전류값을 테스트용의 데이터 전압 Vdata에 대한 설정 전류값과 각각 비교하고, 그 비교 결과를 기억한다. After temporarily storing this comparison result, the same test is performed on the organic EL display 10 using a data voltage Vdata for a test having a different value. In addition, the inspection apparatus 19 compares the detected current value of the pixel circuit 20 obtained by each current detection circuit 19a with the set current value for the data voltage Vdata for testing, respectively, and compares the result. Remember.

검사 장치(19)는 2종류의 다른 테스트용의 데이터 전압 Vdata에 대한 비교 결과에 의거하여 각 화소 회로(20)의 데이터 전압 Vdata에 대한 구동용 트랜지스터(Q11)의 출력 전류 특성을 검사한다. 또, 검사 장치(19)는 각 화소 회로(20)의 특성이 목표(규격)의 특성이 되도록 각 화소 회로(20)마다 보정값을 구한다. 즉, 설정 휘도에 대한 데이터 전압 Vdata에 대한 보정값(△Vd)을 각 화소 회로(20)마다 구한다.The inspection apparatus 19 inspects the output current characteristics of the driving transistor Q11 with respect to the data voltage Vdata of each pixel circuit 20 on the basis of the comparison result with the data voltage Vdata for two different tests. In addition, the inspection apparatus 19 obtains a correction value for each pixel circuit 20 so that the characteristic of each pixel circuit 20 becomes the characteristic of a target (standard). That is, the correction value? Vd for the data voltage Vdata for the set luminance is obtained for each pixel circuit 20.

검사 장치(19)는, 이 각 화소 회로(20)마다 구한 보정값(△Vd)을 유기 EL 디스플레이(10)에 출력한다. 각 화소 회로(20)마다 구해진 보정값(△Vd)은 제어 회로(17)에 내장된 불휘발성 메모리 등으로 이루어지는 메모리(17a)에 기억되고, 테스트 모드는 종료한다. 또한, 본 실시형태에서는, 메모리(17a)에 기억했지만, 보정값을 설정하는 퓨즈를 형성하고, 검사 장치(19)의 검사 결과에 의거하여 해당하는 퓨즈를 커트(cut)하도록 할 수도 있다.The inspection apparatus 19 outputs the correction value ΔVd obtained for each of the pixel circuits 20 to the organic EL display 10. The correction value? Vd obtained for each pixel circuit 20 is stored in a memory 17a made of a nonvolatile memory or the like built in the control circuit 17, and the test mode ends. In the present embodiment, although stored in the memory 17a, a fuse for setting the correction value may be formed, and the corresponding fuse may be cut based on the inspection result of the inspection apparatus 19.

또, 제어 회로(17)는 컴퓨터(18)로부터의 표시 데이터(화상 데이터)를, 각 유기 EL 소자(21)의 발광의 계조를 나타내는 매트릭스 데이터로 변환할 때에 보정값(△Vd)이 사용된다. 자세하게 설명하자면, 제어 회로(17)는 표시 데이터에 의거하여 구해지는 각 화소 회로(20)의 유기 EL 소자(21)의 휘도를 설정하는 데이터 전압 Vdata를 각각 대응하는 보정값(△Vd)으로 보정한 값을 새로운 데이터 전압 Vdata로 한다. 제어 회로(17)는 그 각 화소 회로(20)의 새로운 데이터 전압 Vdata를 데이터선 구동 신호로서 데이터선 구동 회로(12)에 출력한다. In addition, the control circuit 17 uses the correction value ΔVd when converting the display data (image data) from the computer 18 into matrix data indicating the gradation of light emission of each organic EL element 21. . In detail, the control circuit 17 corrects the data voltage Vdata for setting the luminance of the organic EL element 21 of each pixel circuit 20 obtained based on the display data to the corresponding correction value ΔVd, respectively. Let one value be the new data voltage Vdata. The control circuit 17 outputs the new data voltage Vdata of each pixel circuit 20 to the data line driving circuit 12 as a data line driving signal.

따라서, 제조 편자에 의한 각 화소 회로(각 트랜지스터; 특히 구동용 트랜지스터(Q11))의 동작 특성의 편차를 검출할 수 있다. 또한, 각 화소 회로(20)의 동작 특성의 편차를 보정하여 각 화소 회로(20)의 유기 EL 소자(21)의 데이터 전압 Vdata에 대한 휘도를 일정하게 할 수 있다.Therefore, it is possible to detect the deviation of the operating characteristics of each pixel circuit (each transistor; in particular, the driving transistor Q11) due to the manufacturing horseshoe. The luminance of the organic EL element 21 of each pixel circuit 20 can be made constant by correcting variations in the operating characteristics of the pixel circuits 20.

또, 검사 장치(19)는 검출 전류값이 기준 범위 내에 없는 경우에는 화소 회로(20)가 동작 불능으로 판단되도록 하면, 제품으로서 출하할 수 있을지의 여부의 판단 재료로 할 수 있다.In addition, when the detection current value is not within the reference range, the inspection apparatus 19 can be used as a determination material of whether or not it can be shipped as a product if the pixel circuit 20 is judged to be inoperable.

다음으로, 상기와 같이 구성한 유기 EL 디스플레이(10)의 특징을 이하에 기재한다.Next, the characteristic of the organic electroluminescent display 10 comprised as mentioned above is described below.

(1) 본 실시형태에서는, 화소 회로(20)에 스위칭용 트랜지스터(Q13) 및 검출용 트랜지스터(Q14)를 설치했다. 또, 테스트 모드에서 검출용 트랜지스터(Q14)를 통해서 구동용 트랜지스터(Q11)로부터의 테스트용의 데이터 전류 Vdata에 대한 전류값의 구동 전류를 검출 장치(19)의 전류 검출 회로(19a)에 공급할 수 있도록 했다.(1) In this embodiment, the switching transistor Q13 and the detection transistor Q14 are provided in the pixel circuit 20. In the test mode, the drive current of the current value with respect to the test data current Vdata from the drive transistor Q11 can be supplied to the current detection circuit 19a of the detection device 19 through the detection transistor Q14. I made it.

따라서, 간단하게 제조 편차에 의한 각 화소 회로(20)의 동작 특성을 검출할 수 있다. 그 결과, 유기 EL 디스플레이(10)의 불량품을 출하 전에 검사할 수 있다. Therefore, the operation characteristic of each pixel circuit 20 by manufacturing variation can be detected easily. As a result, the defective product of the organic EL display 10 can be inspected before shipping.

(2) 본 실시형태에서는, 제어 회로(17)에 내장한 메모리(17a)에 검사 장치(19)가 각 화소 회로(20)마다 구한, 제조 편차에 의거하는 동작 특성의 오차를 보정하는 보정값, 즉, 설정 휘도에 대한 데이터 전압 Vdata에 대한 보정값(△Vd)을 기억했다. 또, 제어 회로(17)는 표시 데이터에 의거하여 구해지는 각 화소 회로(20)의 유기 EL 소자(21)의 휘도를 설정하는 데이터 전압 Vdata를 각각 대응하는 보정값(△Vd)으로 보정했다.(2) In this embodiment, the correction value which correct | amends the error of the operating characteristic based on manufacture deviation which the inspection apparatus 19 calculated | required for each pixel circuit 20 in the memory 17a built into the control circuit 17. That is, the correction value (ΔVd) for the data voltage Vdata for the set luminance was stored. Moreover, the control circuit 17 correct | amended the data voltage Vdata which sets the brightness | luminance of the organic electroluminescent element 21 of each pixel circuit 20 calculated | required based on display data with the corresponding correction value (triangle | delta) Vd, respectively.

따라서, 각 화소 회로(20)는 표시 데이터에 의거하는 데이터 전압 Vdata에 대해서 균일한 전류값의 구동 전류를 유기 EL 소자(21)에 공급할 수 있고, 상기 유기 EL 소자를 균일한 휘도로 발광시킬 수 있다. 또한, 각 화소 회로(20)를 보정값(△Vd)으로 제조 편차에 의한 동작 특성을 보정할 수 있기 때문에, 종래에는 불량품으로서 폐기되는 유기 EL 디스플레이를 제품으로서 개선할 수 있어서, 유기 디스플레이의 제조 수율을 향상시킬 수 있다.Therefore, each pixel circuit 20 can supply the organic EL element 21 with a driving current having a uniform current value with respect to the data voltage Vdata based on the display data, and can emit the organic EL element with uniform luminance. have. In addition, since each pixel circuit 20 can correct the operation characteristics due to the manufacturing variation by the correction value ΔVd, the organic EL display, which is conventionally discarded as a defective product, can be improved as a product, thereby producing the organic display. Yield can be improved.

(3) 본 실시형태에서는, 검출을 위한 구동 전류를 기존의 데이터선(X1∼Xm)을 이용하여 전류 검출 회로(19a)에 공급하도록 했다. 따라서, 전류 검출을 위해 회로 규모가 증대하는 것을 억제할 수 있다.(3) In this embodiment, the drive current for detection is supplied to the current detection circuit 19a using the existing data lines X1 to Xm. Therefore, it is possible to suppress the increase in the circuit scale for the current detection.

또한, 본 실시형태에서는, 상기 구동용 트랜지스터(제 2 트랜지스터)(Q11)와 검출용 트랜지스터(제 3 트랜지스터)(Q14)와 직렬로 접속되었으나, 구동용 트랜지스터(Q11)와 검출용 트랜지스터(Q14)의 사이에 기타 소자를 삽입할 수도 있다. 이 경우에도 구동용 트랜지스터(Q11)에 대해서 검출용 트랜지스터(Q14)는 직렬로 접속되어 있게 된다.In the present embodiment, the driving transistor (second transistor) Q11 and the detection transistor (third transistor) Q14 are connected in series, but the driving transistor Q11 and the detection transistor Q14 are connected in series. Other elements may be inserted in between. Also in this case, the detection transistor Q14 is connected in series with the driving transistor Q11.

(제 2 실시형태)(2nd embodiment)

다음으로, 제 2 실시형태에 대해서 설명한다. 상기 제 1 실시형태에서는, 검사 장치(19)가 외부 장치였지만, 본 실시형태에서는 상기 제 1 실시형태의 유기 EL 디스플레이(10)의 각 요소(11∼17)와 동일한 요소로서 검사 장치(19)를 구성한 것이다. 따라서, 검사 장치(19)는 유기 EL 디스플레이(10)와 함께 상기 유기 EL 디스플레이(10)를 실장하는 휴대 전화, PDA, 노트형 퍼스널컴퓨터 등의 휴대 전자 기기 내에 내장되게 된다.Next, 2nd Embodiment is described. In the first embodiment, the inspection apparatus 19 was an external device, but in the present embodiment, the inspection apparatus 19 is the same as the elements 11 to 17 of the organic EL display 10 of the first embodiment. It is configured. Therefore, the inspection apparatus 19 is incorporated in a portable electronic device such as a mobile telephone, a PDA, a notebook personal computer, etc. which mount the organic EL display 10 together with the organic EL display 10.

또한, 휴대 전자 기기 내에 내장되는 점에 특징이 있을 뿐이므로, 설명의 편의상, 제 1 실시형태와 공통되는 부분은 생략하고 그 특징 부분에 대해서 설명한다.In addition, since there is only a characteristic in the point which is incorporated in a portable electronic device, the part which is common to 1st Embodiment is abbreviate | omitted for convenience of description, and the characteristic part is demonstrated.

도 6은 본 실시형태의 검사 장치(19)의 전기 회로를 나타낸다.6 shows an electric circuit of the inspection device 19 of the present embodiment.

도 6에서, 전류 검출 회로부(31)는 데이터선(X1∼Xm)에 대응한 수의 전류 검출 회로(31a)로 구성되어 있다. 각 전류 검출 회로(31a)는 각각 전환 회로(16a)를 통해서 데이터선(X1∼Xm)으로부터 공급되는 구동용 트랜지스터(Q11)로부터의 테스트용의 데이터 전압 Vdata에 대한 구동 전류를 각각 아날로그 검출한다. 또한, 테스트용의 표시 데이터는 제어 회로(17)의 메모리(17a)에 미리 기억되어 있다.In Fig. 6, the current detection circuit section 31 is composed of a number of current detection circuits 31a corresponding to the data lines X1 to Xm. Each current detection circuit 31a analogly detects a drive current for the test data voltage Vdata from the drive transistor Q11 supplied from the data lines X1 to Xm via the switching circuit 16a, respectively. The test display data is stored in advance in the memory 17a of the control circuit 17.

각 전류 검출 회로(31a)는 AD 변환 회로부(32)의 대응하는 AD 변환기(32a)에 접속되어 있다. 각 AD 변환기(32a)는 데이터선(X1∼Xm)으로부터 공급되는 구동 전류의 전류값을 디지털값으로 변환하여 제어 회로(17)에 출력한다.Each current detection circuit 31a is connected to the corresponding AD converter 32a of the AD conversion circuit section 32. Each AD converter 32a converts the current value of the drive current supplied from the data lines X1 to Xm into a digital value and outputs it to the control circuit 17.

제어 회로(17)는 각 AD 변환기(32a)로부터의 데이터선(X1∼Xm)으로부터 공급되는 구동 전류의 전류값과 테스트용의 데이터 전압 Vdata에 대한 설정 전류값을 각각 비교한다. 또, 제어 회로(17)는 그 비교 결과를 일시 기억한다. 즉, 본 실시형태에서는, 제어 회로(17)에서 상기 제 1 실시형태의 검사 장치(19)와 동일한 검사 처리를 행한다. 또한, 본 실시형태의 경우, 한 개의 주사선 상에 접속된 각 화소 회로(20)마다 검사를 행한 후, 다음 주사선 상의 각 화소 회로의 검사를 행하도록 되어 있다.The control circuit 17 compares the current value of the drive current supplied from the data lines X1 to Xm from each AD converter 32a with the set current value for the data voltage Vdata for testing, respectively. In addition, the control circuit 17 temporarily stores the comparison result. That is, in this embodiment, the control circuit 17 performs the same inspection process as the inspection apparatus 19 of the said 1st Embodiment. In the present embodiment, the inspection is performed for each pixel circuit 20 connected on one scan line, and then the inspection of each pixel circuit on the next scan line is performed.

이 비교 결과를 일시 기억한 후, 새롭게 다른 값의 테스트용의 데이터 전압 Vdata를 사용하여 동일한 테스트를 유기 EL 디스플레이(10)에 대해서 행한다. 또, 제어 회로(17)는 상기와 마찬가지로, 각 AD 변환기(32a)로부터의 데이터선(X1∼Xm)으로부터 공급되는 구동 전류의 전류값을 테스트용의 데이터 전압 Vdata에 대한 설정 전류값과 각각 비교하고, 그 비교 결과를 기억한다. After temporarily storing this comparison result, the same test is performed on the organic EL display 10 using a data voltage Vdata for a test having a different value. As described above, the control circuit 17 compares the current value of the drive current supplied from the data lines X1 to Xm from each AD converter 32a with the set current value for the data voltage Vdata for testing, respectively. The result of the comparison.

제어 회로(17)는 2종류의 다른 테스트용의 데이터 전압 Vdata에 대한 비교 결과에 의거하여 각 화소 회로(20)의 데이터 전압 Vdata에 대한 구동용 트랜지스터(Q11)의 출력 전류 특성을 검사한다. 또, 제어 회로(17)는 각 화소 회로(20)의 특성이 목표(규격)의 특성이 되도록 각 화소 회로(20)마다 보정값을 구한다. 즉, 설정 휘도에 대한 데이터 전압 Vdata에 대한 보정값(△Vd)을 각 화소 회로(20)마다 구한다. 제어 회로(17)는 그 구한 보정값(△Vd)을 기억 회로로서의 메모리(17a)에 기억하고 테스트 모드는 종료한다. 또한, 제어 회로(17)는 테스트 모드를 정기적으로 행하거나, 전원 투입 직후에 실행시키도록 되어 있다. 제어 회로(17)는 이 보정값(△Vd)을 사용하여 상기 제 1 실시형태와 마찬가지로 각 화소 회로(20)를 표시 데이터에 의거하여 구동 제어한다. The control circuit 17 examines the output current characteristics of the driving transistor Q11 with respect to the data voltage Vdata of each pixel circuit 20 on the basis of the comparison result of the data voltage Vdata for two different tests. In addition, the control circuit 17 calculates a correction value for each pixel circuit 20 so that the characteristic of each pixel circuit 20 becomes the characteristic of a target (standard). That is, the correction value? Vd for the data voltage Vdata for the set luminance is obtained for each pixel circuit 20. The control circuit 17 stores the obtained correction value? Vd in the memory 17a as the storage circuit, and the test mode ends. In addition, the control circuit 17 performs the test mode regularly or immediately after the power is turned on. The control circuit 17 drives the respective pixel circuits 20 based on the display data in the same manner as in the first embodiment using this correction value? Vd.

다음으로, 상기와 같이 구성한 유기 EL 디스플레이(10)의 특징을 이하에 기재한다.Next, the characteristic of the organic electroluminescent display 10 comprised as mentioned above is described below.

(1) 본 실시형태에서는, 화소 회로(20)에 스위칭용 트랜지스터(Q13) 및 검출용 트랜지스터(Q14)를 설치했다. 또, 테스트 모드에서 검출용 트랜지스터(Q14)를 통해서 구동용 트랜지스터(Q11)로부터의 테스트용의 데이터 전류 Vdata에 대한 구동 전류의 전류값을 제어 회로(17)에 공급했다.(1) In this embodiment, the switching transistor Q13 and the detection transistor Q14 are provided in the pixel circuit 20. In the test mode, the current value of the drive current with respect to the test data current Vdata from the drive transistor Q11 was supplied to the control circuit 17 through the detection transistor Q14.

또, 제어 회로(17)에서 각 화소 회로(20)의 동작 특성을 검출한다. 따라서, 대규모인 검사 장치를 사용하지 않고, 제조 편차에 의한 각 화소 회로(20)의 동작 특성을 간단하게 검출할 수 있다. 또한, 제어 회로(17)에서 정기적으로 또는 전원 투입 직후 등에 테스트 모드를 실행시키도록 하면, 경년(經年) 변화, 환경 온도의 변화에 의한 각 화소 회로(20)의 동작 특성을 검출할 수 있다.In addition, the control circuit 17 detects operating characteristics of each pixel circuit 20. Therefore, the operation characteristic of each pixel circuit 20 by manufacturing variation can be detected easily, without using a large-scale inspection apparatus. In addition, when the control circuit 17 executes the test mode periodically or immediately after the power is turned on, the operating characteristics of the pixel circuits 20 due to aging change and environmental temperature change can be detected. .

(2) 본 실시형태에서는, 제어 회로(17)에 내장한 메모리(17a)에 상기 제어 회로(17)가 각 화소 회로(20)마다 구한 제조 편차, 경년 변화, 환경 온도의 변화에 의거하는 동작 특성의 오차를 보정하는 보정값, 즉, 설정 휘도에 대한 데이터 전압 Vdata에 대한 보정값(△Vd)을 기억했다. 또, 제어 회로(17)는 표시 데이터에 의거하여 구해지는 각 화소 회로(20)의 유기 EL 소자(21)의 휘도를 설정하는 데이터 전압 Vdata를 각각 대응하는 보정값(△Vd)으로 보정했다. (2) In this embodiment, the operation | movement based on the manufacturing deviation, secular variation, and change of environmental temperature which the said control circuit 17 calculated | required for each pixel circuit 20 in the memory 17a built into the control circuit 17 was carried out. The correction value for correcting the error of the characteristic, that is, the correction value ΔVd for the data voltage Vdata for the set luminance was stored. Moreover, the control circuit 17 correct | amended the data voltage Vdata which sets the brightness | luminance of the organic electroluminescent element 21 of each pixel circuit 20 calculated | required based on display data with the corresponding correction value (triangle | delta) Vd, respectively.

따라서, 각 화소 회로(20)는 경년 변화, 환경 온도가 변화해도 표시 데이터에 의거하는 데이터 전압 Vdata에 대해서 균일한 전류값의 구동 전류를 유기 EL 소자(21)에 공급할 수 있어, 상기 유기 EL 소자를 균일한 휘도로 발광시킬 수 있다. Therefore, each pixel circuit 20 can supply the organic EL element 21 with a driving current having a uniform current value with respect to the data voltage Vdata based on the display data even if the secular variation and the environmental temperature change. Can emit light with uniform brightness.

(3) 본 실시형태에서는, 검출을 위한 구동 전류를 기존의 데이터선(X1∼Xm)을 이용하여 전류 검출 회로(19a)에 공급하도록 했다. 따라서, 전류 검출을 위해 회로 규모가 증대하는 것을 억제할 수 있다. (3) In this embodiment, the drive current for detection is supplied to the current detection circuit 19a using the existing data lines X1 to Xm. Therefore, it is possible to suppress the increase in the circuit scale for the current detection.

(제 3 실시형태) (Third embodiment)

다음으로, 제 1 및 제 2 실시형태에서 설명한 전기 광학 장치로서의 유기 EL 디스플레이(10)의 전자 기기의 적용에 대해서 도 7 및 도 8에 따라 설명한다. 유기 EL 디스플레이(10)는 모바일형의 퍼스널컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라 등 다양한 전자 기기에 적용할 수 있다.Next, application of the electronic device of the organic EL display 10 as the electro-optical device described in the first and second embodiments will be described with reference to FIGS. 7 and 8. The organic EL display 10 can be applied to various electronic devices such as mobile personal computers, mobile phones, and digital cameras.

도 7은 모바일형 퍼스널컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도를 나타낸다. 도 7에서, 퍼스널컴퓨터(50)는 키보드(51)를 구비한 본체부(52)와, 상기 유기 EL 디스플레이(10)를 사용한 표시 유닛(53)을 구비하고 있다. 이 경우에서도, 유기 EL 디스플레이(10)를 사용한 표시 유닛(53)은 상기 실시형태와 동일한 효과를 발휘한다. 그 결과, 퍼스널컴퓨터(50)는 결함이 적은 화상 표시를 실현할 수 있다.7 is a perspective view showing the configuration of a mobile personal computer. In FIG. 7, the personal computer 50 is provided with the main-body part 52 provided with the keyboard 51, and the display unit 53 which used the said organic electroluminescent display 10. As shown in FIG. Also in this case, the display unit 53 using the organic EL display 10 exhibits the same effects as in the above embodiment. As a result, the personal computer 50 can realize image display with few defects.

도 8은 휴대 전화의 구성을 나타내는 사시도를 도시한다. 도 8에서, 휴대 전화(60)는 복수의 조작 버튼(61), 수화구(62), 송화구(63), 상기 유기 EL 디스플레이(10)를 사용한 표시 유닛(64)을 구비하고 있다. 이 경우에서도, 유기 EL 디스플레이(10)를 사용한 표시 유닛(64)은 상기 실시형태와 동일한 효과를 발휘한다. 그 결과, 휴대 전화(60)는 결함이 적은 화상 표시를 실현할 수 있다. 8 is a perspective view showing the configuration of a mobile telephone. In FIG. 8, the cellular phone 60 is provided with a plurality of operation buttons 61, a telephone receiver 62, a telephone receiver 63, and a display unit 64 using the organic EL display 10. Also in this case, the display unit 64 using the organic EL display 10 exhibits the same effects as in the above embodiment. As a result, the cellular phone 60 can realize image display with few defects.

(제 4 실시형태) (4th Embodiment)

본 실시형태에서는, 스위칭용 트랜지스터와 검출용 트랜지스터를 겸용하는 실시형태에 대해서 도 9에 나타내는 화소 회로에 대해서 설명한다. In this embodiment, the pixel circuit shown in FIG. 9 will be described with respect to the embodiment in which both the switching transistor and the detection transistor are used.

도 9에서, 각 화소 회로(20)는 제 2 트랜지스터로서의 구동용 트랜지스터(Q20), 제 1 스위칭용 트랜지스터(Q21) 및 제 2 스위칭용 트랜지스터(Q22), 발광 제어용 트랜지스터(Q23) 및 유지 소자로서의 유지 캐패시터(C1)를 구비하고 있다. 구동용 트랜지스터(Q20)는 P채널 TFT로 구성되어 있다. 제 1 및 제 2 스위칭용 트랜지스터(Q21, Q22) 및 발광 제어용 트랜지스터(Q23)는 N채널 TFT로 구성되어 있다. In FIG. 9, each pixel circuit 20 includes a driving transistor Q20 as a second transistor, a first switching transistor Q21 and a second switching transistor Q22, a light emission control transistor Q23, and a sustain element. The holding capacitor C1 is provided. The driving transistor Q20 is composed of a P-channel TFT. The first and second switching transistors Q21 and Q22 and the light emission control transistor Q23 are composed of N-channel TFTs.

구동용 트랜지스터(Q20)는, 드레인이 발광 제어용 트랜지스터(Q23)를 통해서 상기 유기 EL 소자(21)의 양극에 접속되고, 소스가 전원선(L1)에 접속되어 있다. 전원선(VL)에는 상기 유기 EL 소자(21)를 구동시키기 위한 구동 전압(Vdd)이 공급되어 있다. 상기 구동용 트랜지스터(Q20)의 게이트와 전원선(VL)의 사이에는 유지 캐패시터(C1)가 접속되어 있다. In the driving transistor Q20, the drain is connected to the anode of the organic EL element 21 via the light emission control transistor Q23, and the source is connected to the power supply line L1. The driving voltage Vdd for driving the organic EL element 21 is supplied to the power supply line VL. The holding capacitor C1 is connected between the gate of the driving transistor Q20 and the power supply line VL.

또, 구동용 트랜지스터(Q20)의 게이트는 상기 제 1 스위칭용 트랜지스터(Q21)의 드레인에 접속되어 있다. 제 1 스위칭용 트랜지스터(Q21)의 소스는 제 2 스위칭용 트랜지스터(Q22)의 드레인과 접속되어 있다. 또, 제 2 스위칭용 트랜지스터(Q22)의 드레인은 상기 구동용 트랜지스터(Q20)의 드레인과 접속되어 있다. The gate of the driving transistor Q20 is connected to the drain of the first switching transistor Q21. The source of the first switching transistor Q21 is connected to the drain of the second switching transistor Q22. The drain of the second switching transistor Q22 is connected to the drain of the driving transistor Q20.

또한, 제 2 스위칭용 트랜지스터(Q22)의 소스는 데이터선(Xm)을 통해서 데이터선 구동 회로(12)의 단일 라인 구동 회로(30)에 접속되어 있다. 또, 이 단일 라인 구동 회로(30)는 데이터 전류 생성 회로(40a)가 설치되어 있다. 데이터 전류 생성 회로(40a)는 화소 회로(20)에 대해서 데이터 신호(I)를 출력한다. 또, 데이터선(Xm)은 제 1 스위치(Q11)를 통해서 데이터 전류 생성 회로(40a)에 접속되는 동시에, 제 2 스위치(Q12)를 통해서 전류 검출 회로(30b)에 접속된다. The source of the second switching transistor Q22 is connected to the single line driver circuit 30 of the data line driver circuit 12 via the data line Xm. This single line drive circuit 30 is provided with a data current generation circuit 40a. The data current generation circuit 40a outputs a data signal I to the pixel circuit 20. The data line Xm is connected to the data current generating circuit 40a through the first switch Q11 and to the current detecting circuit 30b through the second switch Q12.

제 1 및 제 2 스위칭용 트랜지스터(Q21, Q22)의 게이트에는, 각각 제 1 부주사선(Va) 및 제 2 부주사선(Vb)이 접속되어 있다. 제 1 부주사선(Va) 및 제 2 부주사선(Vb)으로부터 제 1 주사 신호(SL1) 및 제 2 주사 신호(SL2)에 의해 제 1 및 제 2 스위칭용 트랜지스터(Q21, Q22)는 온 되도록 되어 있다. 또한, 발광 제어용 트랜지스터(Q23)의 게이트는 발광 제어 신호(Gp)에 의해서 제어된다. The first sub scan line Va and the second sub scan line Vb are connected to the gates of the first and second switching transistors Q21 and Q22, respectively. The first and second switching transistors Q21 and Q22 are turned on by the first scan signal SL1 and the second scan signal SL2 from the first sub scan line Va and the second sub scan line Vb. have. In addition, the gate of the light emission control transistor Q23 is controlled by the light emission control signal Gp.

제 1 스위치(Q11), 제 1 스위칭용 트랜지스터(Q21) 및 제 2 스위칭용 트랜지스터(Q22)가 온 상태의 기간에 데이터 전류 생성 회로(40a)가 데이터 신호(I)를 데이터선(Xm)을 통해서 출력하면, 화소 회로(20)에 데이터 신호(I)가 공급되고, 유지 캐패시터(C1)에 데이터 신호(I)에 대응한 전하량이 축적되어, 구동 트랜지스터의 도통 상태가 설정된다. 이것이 기입 동작이다.In the period in which the first switch Q11, the first switching transistor Q21 and the second switching transistor Q22 are turned on, the data current generating circuit 40a supplies the data signal I to the data line Xm. When outputted through the pixel circuit 20, the data signal I is supplied to the pixel circuit 20, the charge amount corresponding to the data signal I is accumulated in the holding capacitor C1, and the conduction state of the driving transistor is set. This is a write operation.

이어서, 발광 제어용 트랜지스터(Q23)가 발광 제어용 트랜지스터(Q23)를 온 상태로 하는 발광 제어 신호(Gp)에 응답하여 온 상태가 되면, 구동용 트랜지스터(Q20)의 도통 상태에 따른 전류량이 유기 EL 소자(21)에 공급된다.Subsequently, when the light emission control transistor Q23 is turned on in response to the light emission control signal Gp for turning on the light emission control transistor Q23, the amount of current according to the conduction state of the driving transistor Q20 is organic EL element. 21 is supplied.

이에 대해서 테스트 모드에서, 상기한 기입 동작은 기본적으로 동일하지만, 통상의 데이터 신호 대신에 테스트용의 신호에 대응한 전하량을 유지 캐패시터에 유지시킨다. 다음으로, 제 1 스위칭용 트랜지스터(Q21), 제 1 스위치(Q11) 및 발광 제어용 트랜지스터(Q23)를 오프 상태로 한 채, 제 2 스위칭용 트랜지스터(Q22) 및 제 2 스위치(Q12)를 온 상태로 하여, 구동 트랜지스터(Q20)를 통과하는 전류량을 전류 검출 회로(30b)에서 검출한다. In contrast, in the test mode, the above write operation is basically the same, but instead of the normal data signal, the charge capacitor corresponding to the test signal is held in the holding capacitor. Next, the second switching transistor Q22 and the second switch Q12 are turned on while the first switching transistor Q21, the first switch Q11, and the light emission control transistor Q23 are turned off. In this way, the amount of current passing through the driving transistor Q20 is detected by the current detection circuit 30b.

제 4 실시형태에서는, 제 1 실시형태와는 달리 검출용 트랜지스터를 새롭게 설치하는 대신에 2개의 스위칭 트랜지스터 중 하나(제 2 스위칭 트랜지스터(Q22))를 검출용 트랜지스터로서도 겸용하고 있다. In the fourth embodiment, unlike the first embodiment, one of the two switching transistors (the second switching transistor Q22) is also used as the detection transistor instead of newly installing the detection transistor.

또한, 발명의 실시형태는 상기 실시형태에 한정되지 않고, 이하와 같이 실시할 수도 있다.In addition, embodiment of this invention is not limited to the said embodiment, It can also implement as follows.

상기 제 1 실시형태에서는, 출하 전의 유기 EL 디스플레이를 검사하는 검사 장치(19)를 사용하여 디스플레이를 검사했다. 이것을 휴대 전화, PDA, 노트형 퍼스널컴퓨터 등의 휴대 전자 기기에 대해서, 그 휴대 전자 기기의 배터리를 충전기로 충전할 때에, 그 충전 중에 휴대 전자 기기에 탑재된 유기 EL 디스플레이를 검사 장치(19)로 검사하도록 할 수도 있다. 이 경우, 상기 충전기에 검사 장치를 내장할 필요가 있다. 또, 충전을 개시하면, 테스트 모드가 되어, 각 화소 회로(20)를 전류 검출을 행하여 검사하게 된다. 이와 같이 함으로써, 휴대 전자 기기에 탑재된 유기 EL 디스플레이에 대해서 각 화소 회로(20)의 경년 변화에 의한 동작 특성을 충전할 때마다 보정할 수 있다. In the said 1st Embodiment, the display was inspected using the inspection apparatus 19 which inspects the organic electroluminescent display before shipment. When the battery of the portable electronic device is charged with a charger for a portable electronic device such as a mobile phone, a PDA, a notebook personal computer, or the like, the organic EL display mounted on the portable electronic device during the charging is used as the inspection device 19. You can also check. In this case, it is necessary to embed a test device in the charger. In addition, when charging is started, the test mode is entered, and each pixel circuit 20 is subjected to current detection for inspection. By doing in this way, the organic EL display mounted in the portable electronic device can be corrected each time the operation characteristic due to the aging change of each pixel circuit 20 is charged.

상기 실시형태에서, 검사 장치(19)는 표시 패널부(11)의 모든 화소 회로(20)에 대한 전류 검출 회로(19a)를 설치했지만, 제 2 실시형태와 같이, 데이터선(X1∼Xm)의 수와 동일한 수로 실시할 수도 있다. 이 경우, 제 2 실시형태와 같이 하나의 주사선 위에 접속된 각 화소 회로(20)마다 검사를 행한 후, 다음 주사선 위의 각 화소 회로의 검사를 행하게 된다. In the above embodiment, the inspection apparatus 19 has provided the current detection circuits 19a for all the pixel circuits 20 of the display panel section 11, but as in the second embodiment, the data lines X1 to Xm. It may also be carried out in the same number as. In this case, inspection is performed for each pixel circuit 20 connected on one scan line as in the second embodiment, and then inspection of each pixel circuit on the next scan line is performed.

상기 제 1 실시형태에서는, 검사 장치(19)가 구한 보정값(Vd)을 제어 회로(17)에 내장한 메모리(17a)에 기억하고, 그 메모리(17a)에 기억된 보정값(Vd)을 사용하여 새로운 데이터 전압 Vdata를 작성했다.In the first embodiment, the correction value Vd obtained by the inspection apparatus 19 is stored in the memory 17a built in the control circuit 17, and the correction value Vd stored in the memory 17a is stored. Created a new data voltage Vdata.

상기 실시형태에서는, 전자 회로로서 화소 회로(20)로 구체화하여 적합한 효과를 얻었지만, 유기 EL 소자(21) 이외의, 예를 들면, LED나 FED 등의 발광 소자와 같은 피구동 소자를 구동하는 전자 회로로 구체화할 수도 있다. 또, 피구동 소자로서는 자기 RAM이 있다. 따라서, 상기 자기 RAM를 이용한 메모리 장치에 응용할 수도 있다. In the above embodiment, the electronic circuit is embodied in the pixel circuit 20 to obtain a suitable effect. However, other than the organic EL element 21, for example, a driven element such as a light emitting element such as an LED or an FED is driven. It can also be embodied as an electronic circuit. In addition, there is a magnetic RAM as a driven element. Therefore, the present invention can also be applied to a memory device using the magnetic RAM.

상기 실시형태에서는, 보정값(△Vd)을 구할 때, 2개의 다른 테스트용의 데이터 전압 Vdata를 이용해서 테스트를 행하여 구했다. 이것을, 하나의 테스트용의 데이터 전압 Vdata를 이용해서 테스트를 행하거나, 3개 이상의 테스트용의 데이터 전압 Vdata를 이용해서 테스트를 행하여 구해서 실시할 수도 있다. In the said embodiment, when obtaining the correction value (DELTA) Vd, it tested and calculated | required using the data voltage Vdata for two different tests. The test may be performed using one test data voltage Vdata, or may be obtained by performing a test using three or more test data voltages Vdata.

상기 실시형태에서는 전류를 데이터선(X1∼Xm)을 통해서 전류 검출 회로에 공급했으나, 이것을 검출용 트랜지스터(Q13)에 검출 전용의 배선을 설치하고, 이들 배선을 통해서 전류 검출 회로(1)에 공급하도록 하여 실시할 수도 있다. In the above embodiment, the current is supplied to the current detection circuit through the data lines X1 to Xm, but the detection dedicated wiring is provided in the detection transistor Q13 and supplied to the current detection circuit 1 through these wirings. It may also be carried out.

상기 실시형태에서는, 화소 회로의 피구동 소자로서 유기 EL 소자(21)에 대해서 구체화했으나, 무기 EL 소자로 구체화할 수도 있다. 즉, 무기 EL 소자로 이루어지는 무기 EL 디스플레이에 응용할 수도 있다. In the said embodiment, although the organic EL element 21 was embodied as a driven element of a pixel circuit, it can also be embodied as an inorganic EL element. That is, it can also be applied to an inorganic EL display made of an inorganic EL element.

상기 실시형태에서, 화소 회로(20)는 전압 구동형의 화소 회로로 구체화했으나, 전류 구동형의 화소 회로의 유기 EL 디스플레이에 응용할 수도 있다. 또, 시분할, 면적 계조 등의 디지털 구동되는 화소 회로의 유기 EL 디스플레이에 응용할 수도 있다. In the above embodiment, the pixel circuit 20 is embodied as a voltage-driven pixel circuit, but may be applied to an organic EL display of a current-driven pixel circuit. The present invention can also be applied to an organic EL display of a digitally driven pixel circuit such as time division and area gray scale.

본 발명에 의하면, 높은 정밀도로 전자 회로의 동작 특성을 검출할 수 있는 전자 회로, 전자 장치, 전자 회로의 구동 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기를 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide an electronic circuit, an electronic device, a method of driving the electronic circuit, an electro-optical device, and an electronic device capable of detecting the operating characteristics of the electronic circuit with high accuracy.

도 1은 본 실시형태의 유기 EL 디스플레이의 회로 구성을 나타내는 블록 회로도.1 is a block circuit diagram showing a circuit configuration of an organic EL display of this embodiment.

도 2는 표시 패널부와 데이터선 구동 회로의 내부 회로 구성을 나타내는 블록 회로도.2 is a block circuit diagram showing an internal circuit configuration of a display panel portion and a data line driving circuit.

도 3은 화소 회로의 내부 회로 구성을 나타내는 회로도.3 is a circuit diagram showing an internal circuit configuration of a pixel circuit.

도 4는 통상 모드에서의 각 신호의 타이밍 차트. 4 is a timing chart of each signal in a normal mode.

도 5는 테스트 모드에서의 각 신호의 타이밍 차트.5 is a timing chart of each signal in a test mode.

도 6은 제 2 실시형태를 설명하기 위한 요부 전기 블록 회로도.6 is an essential part electric block circuit diagram for describing the second embodiment;

도 7은 제 3 실시형태를 설명하기 위한 모바일형 퍼스널컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도.Fig. 7 is a perspective view showing the structure of a mobile personal computer for explaining the third embodiment.

도 8은 제 3 실시형태를 설명하기 위한 휴대전화의 구성을 나타내는 사시도. Fig. 8 is a perspective view showing the structure of a cellular phone for explaining the third embodiment.

도 9는 제 4 실시형태에 따른 화소 회로의 내부 회로 구성을 나타내는 회로도.9 is a circuit diagram showing an internal circuit configuration of a pixel circuit according to a fourth embodiment.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

C1 : 용량 소자로서의 유지 캐패시터C1: holding capacitor as a capacitor

Q11 : 제 2 트랜지스터로서의 구동용 트랜지스터Q11: driving transistor as second transistor

Q12 : 제 1 트랜지스터로서의 스위칭용 트랜지스터Q12: switching transistor as first transistor

Q13 : 제 4 트랜지스터로서의 발광 제어용 트랜지스터Q13: light emission control transistor as fourth transistor

Q14 : 제 3 트랜지스터로서의 검출용 트랜지스터 Q14: Detection transistor as a third transistor

Y1∼Yn : 주사선 Y1 to Yn: scanning line

Va : 제 1 부주사선 Va: first subscan

Vb : 제 2 부주사선 Vb: second sub-scanning line

X1∼Xm : 데이터선 X1 to Xm: data line

10 : 전기 광학 장치로서의 유기 EL 디스플레이 10: organic EL display as an electro-optical device

11 : 표시 패널부 11 display panel

17 : 보정값 산출 회로를 구성하는 제어 회로17: control circuit constituting the correction value calculation circuit

17a : 기억 회로로서의 메모리 17a: memory as memory circuit

19 : 보정값 산출 회로를 구성하는 검사 장치19: Inspection apparatus which comprises a correction value calculation circuit

19a : 전류 검출 회로19a: current detection circuit

20 : 전자 회로로서의 화소 회로 20: pixel circuit as electronic circuit

21 : 피구동 소자로서의 유기 EL 소자 21: organic EL device as driven device

31a : 전류 검출 회로31a: current detection circuit

Claims (15)

복수의 단위 회로를 구비한 전자 장치로서, An electronic device having a plurality of unit circuits, 상기 복수의 단위 회로의 각각은,Each of the plurality of unit circuits, 제 1 트랜지스터와, The first transistor, 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 공급되는 전기 신호를 전기량으로서 유지하는 유지 소자와, A holding element for holding an electric signal supplied through said first transistor as an electric quantity; 상기 유지 소자에 유지된 전기량에 의거하여 도통 상태가 제어되는 제 2 트랜지스터와,A second transistor whose conduction state is controlled based on the amount of electricity held by the holding element; 상기 도통 상태에 상대한 전류량이 공급되는 피구동 소자와,A driven element to which an amount of current relative to the conduction state is supplied; 상기 제 2 트랜지스터와 직렬로 접속된 제 3 트랜지스터를 포함하고,A third transistor connected in series with said second transistor, 상기 제 3 트랜지스터를 통해서 전류량을 검출하기 위한 검사부에 접속 가능한 것을 특징으로 하는 전자 장치.And an inspection unit for detecting an amount of current through the third transistor. 복수의 단위 회로를 구비한 전자 장치로서, An electronic device having a plurality of unit circuits, 상기 복수의 단위 회로 각각은, Each of the plurality of unit circuits, 제 1 트랜지스터와, The first transistor, 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 공급되는 전기 신호를 전기량으로서 유지하는 유지 소자와, A holding element for holding an electric signal supplied through said first transistor as an electric quantity; 상기 유지 소자에 유지된 전기량에 의거하여 도통 상태가 제어되는 제 2 트랜지스터와, A second transistor whose conduction state is controlled based on the amount of electricity held by the holding element; 상기 도통 상태에 상대한 전류량이 공급되는 피구동 소자를 포함하고,A driven element to which a current amount relative to the conduction state is supplied; 상기 제 2 트랜지스터는 상기 제 1 트랜지스터와 직렬로 접속되어 있고,The second transistor is connected in series with the first transistor, 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 전류량을 검출하기 위한 검사부에 접속 가능한 것을 특징으로 하는 전자 장치.And an inspection unit for detecting an amount of current through the first transistor. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 피구동 소자와 상기 제 2 트랜지스터의 사이에 제 4 트랜지스터가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 장치.And a fourth transistor is connected between the driven element and the second transistor. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 피구동 소자는 전류 구동 소자인 것을 특징으로 하는 전자 장치. The driven device is an electronic device, characterized in that the current drive device. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 검사부가 검출을 행하고 있는 기간에는, 상기 제 4 트랜지스터가 적어도 오프 상태인 것을 특징으로 하는 전자 장치. And the fourth transistor is at least in an off state in a period during which the inspection unit is detecting. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 3 트랜지스터는 상기 복수의 단위 회로의 각각에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 장치.And the third transistor is provided in each of the plurality of unit circuits. 제 1 항, 제 2 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 2 and 6, 상기 검사부에서 구한 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 공급되는 전기 신호에 대한 보정값을 기억하는 기억 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 전자 장치. And a memory circuit for storing a correction value for the electrical signal supplied through the first transistor obtained by the inspection unit. 제 1 항, 제 2 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1, 2 and 6, 상기 검사부는 상기 제 2 트랜지스터를 포함하는 전류 경로를 통과하는 전류를 검출하고, The inspection unit detects a current passing through a current path including the second transistor, 상기 전류 경로는 상기 피구동 소자는 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 전자 장치.And the current path does not include the driven element. 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 공급되는 전기 신호를 전기량으로서 유지하는 유지 소자와, 상기 유지 소자에 유지된 전기량에 의거하여 도통 상태가 설정되는 제 2 트랜지스터와, 상기 도통 상태에 상대한 전류량이 공급되는 피구동 소자와, 상기 제 2 트랜지스터와 직렬로 접속된 제 3 트랜지스터를 구비한 전자 장치의 구동 방법으로서,A first transistor, a holding element for holding an electric signal supplied through the first transistor as an electric quantity, a second transistor whose conduction state is set based on the amount of electricity held by the holding element, A driving method of an electronic device having a driven element supplied with a current amount and a third transistor connected in series with the second transistor, 상기 제 1 트랜지스터를 온 시키고, 상기 전기 신호에 의거하는 전기량을 상기 유지 소자에 유지하는 제 1 스텝과,A first step of turning on the first transistor and holding the amount of electricity based on the electrical signal in the holding element; 상기 제 3 트랜지스터를 온 상태로 하고, 상기 제 2 트랜지스터와 전류량을 검출하기 위한 검사부를 상기 제 3 트랜지스터를 통해서 전기적으로 접속하고, 상기 제 2 트랜지스터 및 상기 제 3 트랜지스터를 포함하는 전류 경로를 통과하는 전류의 전류량을 검출하는 제 2 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 전자 장치의 구동 방법.The third transistor is turned on, electrically connected to the second transistor and an inspection unit for detecting an amount of current through the third transistor, and passes through a current path including the second transistor and the third transistor. And a second step of detecting the amount of current in the current. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 전류 경로는 피구동 소자를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 전자 장치의 구동 방법. And the current path does not include a driven element. 복수의 주사선과 복수의 데이터선의 교차부에 대응하여 배치된 복수의 화소 회로를 구비한 전기 광학 장치로서,An electro-optical device comprising a plurality of pixel circuits disposed corresponding to intersections of a plurality of scan lines and a plurality of data lines, 상기 복수의 화소 회로의 각각은,Each of the plurality of pixel circuits, 상기 복수의 주사선의 대응하는 주사선을 통해서 공급되는 주사 신호에 의해 도통이 제어되는 제 1 트랜지스터와,A first transistor whose conduction is controlled by a scan signal supplied through corresponding scan lines of the plurality of scan lines; 상기 복수의 데이터선의 대응하는 데이터선 및 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 공급되는 데이터 신호를 전기량으로서 유지하는 유지 소자와,A holding element for holding a corresponding data line of said plurality of data lines and a data signal supplied through said first transistor as an electric quantity; 상기 유지 소자에 유지된 전기량에 의거하여 도통 상태가 제어되는 제 2 트랜지스터와, A second transistor whose conduction state is controlled based on the amount of electricity held by the holding element; 상기 도통 상태에 상대한 전류량이 공급되는 전기 광학 소자와, An electro-optical element to which a current amount relative to the conduction state is supplied; 상기 제 2 트랜지스터와 직렬로 접속된 제 3 트랜지스터를 포함하고,A third transistor connected in series with said second transistor, 상기 복수의 화소 회로 각각은 상기 제 3 트랜지스터를 통해서 전류량을 검출하는 검사부에 접속 가능한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.And each of the plurality of pixel circuits is connectable to an inspection unit for detecting an amount of current through the third transistor. 복수의 주사선과 복수의 데이터선의 교차부에 대응하여 배치된 복수의 화소 회로를 구비한 전기 광학 장치로서, An electro-optical device comprising a plurality of pixel circuits disposed corresponding to intersections of a plurality of scan lines and a plurality of data lines, 상기 복수의 화소 회로의 각각은,Each of the plurality of pixel circuits, 상기 복수의 주사선의 대응하는 주사선을 통해서 공급되는 주사 신호에 의해 도통이 제어되는 제 1 트랜지스터와,A first transistor whose conduction is controlled by a scan signal supplied through corresponding scan lines of the plurality of scan lines; 상기 복수의 데이터선의 대응하는 데이터선 및 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 공급되는 데이터 신호를 전기량으로서 유지하는 유지 소자와, A holding element for holding a corresponding data line of said plurality of data lines and a data signal supplied through said first transistor as an electric quantity; 상기 유지 소자에 유지된 전기량에 의거하여 도통 상태가 제어되고, 상기 제 1 트랜지스터와 직렬로 접속된 제 2 트랜지스터와,A second transistor connected to the first transistor in series with the conduction state controlled based on the amount of electricity held by the holding element; 상기 도통 상태에 상대한 전류량이 공급되는 전기 광학 소자를 포함하고,An electro-optical element to which an amount of current relative to the conduction state is supplied; 상기 복수의 화소 회로 각각은 상기 제 1 트랜지스터를 통해서 전류량을 검출하는 검사부에 접속 가능한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.And each of the plurality of pixel circuits is connectable to an inspection unit for detecting an amount of current through the first transistor. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제 3 트랜지스터는 상기 복수의 데이터선의 대응하는 데이터선을 통해서 상기 검사부에 접속 가능한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치. And the third transistor is connectable to the inspection unit via corresponding data lines of the plurality of data lines. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 11 to 13, 상기 검사부는 상기 전류량을 검출하는 전류 검출 회로와, The inspection unit and the current detection circuit for detecting the amount of current; 상기 전류 검출 회로에서 검출한 전류량에 의거하여 상기 전기 신호에 대한 보정값을 구하는 보정값 산출 회로와,A correction value calculation circuit for obtaining a correction value for the electric signal based on the amount of current detected by the current detection circuit; 상기 화소 회로에 대한 상기 보정값을 기억하는 기억 회로를 포함하고,A memory circuit for storing the correction value for the pixel circuit, 상기 전기 신호를 상기 보정값으로 보정하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치. And correct the electric signal with the correction value. 청구항 11 내지 13 중 어느 하나에 기재된 전기 광학 장치가 실장되어 이루어지는 전자 기기. The electronic device in which the electro-optical device in any one of Claims 11-13 is mounted.
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