JP4266682B2 - Electronic device, driving method of electronic device, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents
Electronic device, driving method of electronic device, electro-optical device, and electronic apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP4266682B2 JP4266682B2 JP2003085842A JP2003085842A JP4266682B2 JP 4266682 B2 JP4266682 B2 JP 4266682B2 JP 2003085842 A JP2003085842 A JP 2003085842A JP 2003085842 A JP2003085842 A JP 2003085842A JP 4266682 B2 JP4266682 B2 JP 4266682B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- current
- circuit
- data
- electronic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 58
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 43
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009447 Y1-Yn Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/12—Test circuits or failure detection circuits included in a display system, as permanent part thereof
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子回路、電子装置、電子回路の駆動方法、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、電気光学装置としての表示装置は、有機EL素子を用いた電気光学装置が注目されている。この種の有機EL素子を用いた電気光学装置には、駆動方式の一つしてアクティブマトリクス駆動方式がある。
【0003】
アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置においては、有機EL素子の輝度を制御するために、各有機EL素子に対してそれぞれ画素回路が設けられている。各画素回路における有機EL素子の輝度階調の制御は、輝度階調に応じたデータ信号(電圧値または電流値)を画素回路の保持キャパシタに供給することによって行われる。つまり、保持キャパシタには、設定した発光輝度階調に応じた電荷が充電される。
そして、保持キャパシタに保持された電荷量に応じて駆動用TFT(ThinFilm Transistor)の導通状態が設定され、前記導通状態に応じた電流が有機EL素子に供給される(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
国際公開第WO98/36406号パンフレット
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、画素回路は少なくとも1つのトランジスタなどの能動素子から構成されるが、全ての能動素子の特性を厳密に均一化することは困難である。特に、ディスプレイなどの画素回路を構成する薄膜トランジスタ(TFT)は、特性のバラツキが大きい。このことから、所定のデータ信号を入力した時に所望の輝度を得ることは困難である。
【0006】
また、画素回路を構成する能動素子や電気光学素子の経時劣化により特性が変化してしまうという問題があった。
【0007】
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は高い精度で電子回路の動作特性を検出することができる電子回路、電子装置、電子回路の駆動方法、電気光学装置及び電子機器を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明における第1の電子装置は、複数の単位回路を備えた電子装置であって、前記複数の単位回路の各々は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号を電気量として保持する保持素子と、前記保持素子に保持された電気量に基づいて導通状態が制御される第2のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される被駆動素子と、前記第2のトランジスタと直列に接続された第3のトランジスタと、を含み、前記第3のトランジスタを介して電流量を検出するための検査部に接続可能であることを特徴とする。
【0009】
これによれば、第3のトランジスタをオンさせることによって、被駆動素子に供給されるべき第2のトランジスタからの電荷量に相対した電流量が同第3のトランジスタを介して得ることができる。従って、電子回路の動作特性を検出することができる。なお、前記第3のトランジスタは各単位回路内に設けても良いし、前記複数の単位回路のうちいくつかの単位回路に対して共通に設けても良い。
【0010】
本発明の第2の電子装置は、複数の単位回路を備えた電子装置であって、前記複数の単位回路の各々は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号を電気量として保持する保持素子と、前記保持素子に保持された電気量に基づいて導通状態が制御される第2のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される被駆動素子と、を含み、前記第2のトランジスタは前記第1のトランジスタと直列に接続されており、前記第1のトランジスタを介して電流量を検出するための検査部に接続可能であること、を特徴とする。
【0011】
この第2の電子装置の対応する実施形態としては、例えば、後述する第4の実施形態のような電気信号として電流信号が供給される回路構成を有する電子装置が挙げられる。
【0012】
上記の電子装置において、前記被駆動素子と前記第2のトランジスタとの間に、第4のトランジスタを接続させた。
【0013】
これによれば、第4のトランジスタをオフ状態として、前記被駆動素子への電流供給を停止した状態で、前記第3のトランジスタまたは前記第1のトランジスタをオン状態とすることによって、前記被駆動素子に供給されるべき第2のトランジスタを通過する電流の電流量が前記第3のトランジスタまたは前記第1のトランジスタを介して検出することができる。すなわち、前記検査部が検出を行っている期間は前記第4のトランジスタは少なくともオフ状態であることが好ましい。
【0014】
上記の電子装置において、前記被駆動素子は、例えば有機EL素子などの電流駆動素子であってもよい。有機EL素子は発光層が有機材料で構成されている。
【0015】
上記の電子装置において、前記第3のトランジスタは、前記複数の単位回路の各々に設けられていることが好ましい。これにより前記複数の単位回路の各々の電流特性の検出することが可能となる。
【0016】
上記の電子装置において、前記保持素子は、例えば前記複数の単位回路の各々に供給された電気信号を電荷量として保持する容量素子であってもよい。
【0017】
上記電子装置において、前記保持素子はSRAMなどの記憶素子であってもよい。
【0018】
上記の電子装置において、前記検査部で求めた前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号に対する補正値を記憶する記憶回路を備えた。
これによれば、記憶回路に記憶した補正値を使って電子装置の動作特性を補正して被駆動素子の動作を調整することができる。
【0019】
本発明における電子装置の駆動方法は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号を電気量として保持する保持素子と、前記保持素子に保持された電気量に基づいて導通状態が設定される第2のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される被駆動素子と、前記第2のトランジスタと直列に接続された第3のトランジスタと、を備えた電子装置の駆動方法であって、前記第1のトランジスタをオンさせて前記電気信号に基づく電気量を前記保持素子に保持する第1のステップと、前記第3のトランジスタをオン状態として、前記第2のトランジスタと電流量を検出するための検査部とを前記第3のトランジスタを介して電気的に接続し、前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタを含む電流経路を通過する電流の電流量を検出する第2のステップとを備えたことを特徴とする。
【0020】
これによれば、検査部は被駆動素子に供給されるべき電流量が前記検査部で検出することができる。
【0021】
上記の電子装置の駆動方法において、前記電流経路は前記被駆動素子を含まないようにすることが好ましい。
【0022】
上記の電子装置の駆動方法において、前記被駆動素子は、有機EL素子などの電流駆動素子であってもよい。
【0023】
本発明における第1の電気光学装置は、複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して配置された複数の画素回路を備えた電気光学装置であって、前記複数の画素回路の各々は、前記複数の走査線の対応する走査線を介して供給される走査信号により導通が制御される第1のトランジスタと、前記複数のデータ線の対応するデータ線及び前記第1のトランジスタを介して供給されるデータ信号を電気量としてを保持する保持素子と、前記保持素子に保持された電気量に基づいて導通状態が制御される第2のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電気光学素子と、前記第2のトランジスタと直列に接続された第3のトランジスタと、を含み、前記複数の画素回路の各々は前記第3のトランジスタを介して電流量を検出する検査部に接続可能であることを特徴とする。
上記の電気光学装置において、前記第3のトランジスタは前記複数の画素回路の各々に設けても良いし、前記複数の画素回路のいくつかの画素回路に共通に設けても良い。
上記の電気光学装置において、前記第3のトランジスタは、前記複数のトランジスタの対応するデータ線を介して前記検査部に接続可能であるようにしてもよい。これによれば、検査用配線を設けなくともデータ線を検査用配線として利用することが可能である。
【0024】
本発明の第2の電気光学装置は、複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して配置された複数の画素回路を備えた電気光学装置であって、前記複数の画素回路の各々は、前記複数の走査線の対応する走査線を介して供給される走査信号により導通が制御される第1のトランジスタと、前記複数のデータ線の対応するデータ線及び前記第1のトランジスタを介して供給されるデータ信号を電気量としてを保持する保持素子と、前記保持素子に保持された電気量に基づいて導通状態が制御され、前記第1のトランジスタと直列に接続された第2のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電気光学素子と、を含み、前記複数の画素回路の各々は前記第1のトランジスタを介して電流量を検出する検査部に接続可能であることを特徴とする。
【0025】
上記の電気光学装置において、前記検査部は、前記電流量を検出する電流検出回路と、前記電流検出回路にて検出した電流量に基づいて前記電気信号に対する補正値を求める補正値算出回路と、前記画素回路に対する前記補正値を記憶する記憶回路とからなり、前記電気信号を設定する際、前記電気信号を前記補正値で補正するようにした。
【0026】
これによれば、補正値算出回路によって、画素回路の動作特性のばらつきを調整するための補正値を求め、その画素回路に対する前記補正値を記憶回路に記憶回路する。従って、記憶回路に記憶した電子回路の補正値を使って画素回路を動作特性を補正して被駆動素子の動作を調整することができる。
【0027】
本発明における電子機器は、上記の電気光学装置が実装されている。
【0028】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
以下、本発明を具体化した第1実施形態を図1〜図5に従って説明する。
【0029】
図1は、電気光学装置としての有機ELディスプレイ10の回路構成を示すブロック回路図を示す。図2は、表示パネル部とデータ線駆動回路の内部回路構成を示すブロック回路図を示す。図3は、画素回路の内部回路構成を示す回路図を示す。
【0030】
図1において、有機ELディスプレイ10は、表示パネル部11、データ線駆動回路12、走査線駆動回路13、メモリ14、発振回路15、セレクト回路16及び制御回路17を備えている。
【0031】
有機ELディスプレイ10の各要素11〜17は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、各要素12〜17が1チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。また、各要素11〜17の全部若しくは一部が一体となった電子部品として構成されていてもよい。例えば、表示パネル部11に、データ線駆動回路12と走査線駆動回路13とが一体的に形成されていてもよい。各構成要素12〜16の全部若しくは一部がプログラマブルなICチップで構成され、その機能がICチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【0032】
表示パネル部11は、図2に示すように、マトリクス状に配列された複数の画素回路20を有している。つまり、各画素回路20は、その列方向に沿ってのびる複数のデータ線X1〜Xm(mは整数)と、行方向に沿ってのびる複数の走査線Y1〜Yn(nは整数)との間にそれぞれ接続されることにより、各画素回路20はマトリクス状に配列されている。各画素回路20には被駆動素子として発光層が有機材料で構成された有機EL素子21を有している。尚、画素回路20内に形成れる後記するトランジスタは、シリコンベースのトランジスタでもよいが、本実施形態では薄膜トランジスタ(TFT)で構成している。
【0033】
データ線駆動回路12は、前記各データ線X1〜Xmに対してデータ電圧生成回路12aがそれぞれ設けられている。各データ電圧生成回路12aは、それぞれ対応するデータ線X1〜Xmを介して画素回路20に電気信号、即ち本実施形態ではデータ信号(データ電圧Vdata)を供給する。画素回路20は、このデータ電圧Vdataに応じて同画素回路20の内部状態が設定されると、これに応じて有機EL素子21に流れる電流値が制御され、同有機EL素子21の輝度が制御される。
【0034】
走査線駆動回路13は、前記複数の走査線Ynの中の1本を選択駆動して1行分の画素回路群を選択する。走査線Y1〜Ynは、それぞれ第1副走査線Vaと第2副走査線Vbとから構成されている。走査線駆動回路13は、第1副走査線Vaに第1選択信号SL1を出力し、第2副走査線Vbに第2選択信号SL2を出力する。メモリ14は、コンピュータ18から供給される表示データを記憶する。又、メモリ14は、補正値算出回路を構成する検査装置19から供給されるテスト用表示データを記憶するようになっている。発振回路15は、基準動作信号を有機ELディスプレイ10の他の構成要素の供給する。
【0035】
セレクト回路16は、表示パネル部11とデータ線駆動回路12との間に設けられている。各セレクト回路16は、各データ線X1〜Xmごとに切換え回路16aを備えている。各切換え回路16aは、図3に示すように第1ゲートトランジスタQ1と第2ゲートトランジスタQ2とからそれぞれ構成されている。そして、各セレクト回路16の第1ゲートトランジスタQ1は、対応するデータ線X1〜Xmと、対応するデータ電圧生成回路30とをそれぞれ接続する。各セレクト回路16の第2ゲートトランジスタQ2は、対応するデータ線X1〜Xmと、検査部としての検査装置19に設けた対応するデータ線X1〜Xmごとに設けられた電流検出回路19aとをそれぞれ接続する。第1及び第2ゲートトランジスタQ1,Q2は、制御回路17からの第1及び第2ゲート信号G1,G2に基づいてそれぞれオン・オフ制御されるようになっている。
【0036】
制御回路17は、前記各要素11〜16を統括制御する。制御回路17は、表示パネル部11の表示状態を表す前記メモリ14に記憶したコンピュータ18からの表示データ(画像データ)を、各有機EL素子21の発光の輝度を表すマトリクスデータに変換する。マトリクスデータは、1行分の画素回路群を順次選択するための走査線駆動信号と、選択された画素回路群の有機EL素子21の輝度を設定するデータ電圧Vdataのレベルを決定するデータ線駆動信号とを含む。そして、走査線駆動信号は、走査線駆動回路13に供給する。また、データ線駆動信号は、データ線駆動回路12に供給される。
【0037】
又、制御回路17は、有機ELディスプレイ10が検査装置19を使って表示パネル部11の各画素回路20についての検査を行う時、テストモードとなる。テストモードになると、制御回路17は、前記メモリ14に記憶した検査装置19からのテスト用表示データ(画像データ)を、各有機EL素子21の発光の輝度を表すマトリクスデータ(テスト用マトリクスデータ)に変換する。
【0038】
このテスト用マトリクスデータは、1行分の画素回路群を順次選択するためのテスト用の走査線駆動信号と、選択された画素回路群の有機EL素子21のテスト用輝度を設定するテスト用のデータ電圧Vdataのレベルを決定するテスト用のデータ線駆動信号とを含む。そして、テスト用の走査線駆動信号は、走査線駆動回路13に供給される。また、テスト用のデータ線駆動信号は、データ線駆動回路12に供給される。又、テストモードにおいて、制御回路17は、表示パネル部11の各画素回路20について検査を行うための第1及び第2ゲート信号G1,G2を前記セレクト回路16に供給する。因みに、テストモードでない通常モードの時には、制御回路17は、第1ゲート信号G1のみ出力し第1ゲートトランジスタQ1をオン、第2ゲートトランジスタQ2をオフとなる状態を維持させている。
【0039】
次に、画素回路20の内部回路構成について図3に従って説明する。説明の便宜上、m番目のデータ線Xmとn番目の走査線Ynとの交点に配置され、両データ線Xmと走査線Ynとの間に接続された画素回路20について説明する。
【0040】
画素回路20は、本実施形態は電圧駆動型の画素回路であって、被駆動素子としての有機EL素子21を備えている。第2のトランジスタとしての駆動用トランジスタQ11、第1のトランジスタとしてのスイッチング用トランジスタQ12、第4のトランジスタとしての発光制御用トランジスタQ13、第3のトランジスタとしての検出用トランジスタQ14、保持素子としての保持キャパシタC1を備えている。
【0041】
スイッチング用トランジスタQ12及び発光制御用トランジスタQ13はNチャネルTFTよりな構成されている。駆動用トランジスタQ11及び検出用トランジスタQ14はPチャネルTFTよりな構成されている。
【0042】
駆動用トランジスタQ11は、ドレインがスイッチング用トランジスタQ13を介して前記有機EL素子21の陽極に接続され、ソースが電源線L1に接続されている。駆動用トランジスタQ11のゲートと電源線L1との間には、保持キャパシタC1が接続されている。また、駆動用トランジスタQ11のゲートは、スイッチング用トランジスタQ12を介して前記データ線Xmに接続されている。さらに、駆動用トランジスタQ11のドレインは、前記検出用トランジスタQ14を介して前記データ線Xmに接続されている。
【0043】
スイッチング用トランジスタQ12のゲートは、第1副走査線Vaが接続されている。前記検出用トランジスタQ14のソースはQ11のドレインに接続されている。又、発光制御用トランジスタQ13及び検出用トランジスタQ14のゲートは、ともに第2副走査線Vbに接続されている。
【0044】
次に、上記のように構成した有機ELディスプレイ10の作用を画素回路20の動作に従って説明する。
(通常モード)
まず、通常モードを図4に示す各信号SL1,SL2,G1,G2のタイミングチャートに従って説明する。
【0045】
今、n行目の走査線Ynが選択されて走査線Ynに接続された各画素回路20が発光動作にはいる時、走査線駆動回路13から走査線Ynの第1副走査線Vaを介してスイッチング用トランジスタQ12をオン状態とする第1選択信号SL1が出力され、スイッチング用トランジスタQ12がオン状態となる。これと同時に、制御回路17からセレクト回路16の各切換え回路16aに、第1ゲートトランジスタQ1をオン状態とする第1ゲート信号G1が出力され、第1ゲートトランジスタQ1がオン状態となる。このとき、スイッチング用トランジスタQ12及び第1ゲートトランジスタQ1のオンに基づいて各データ電圧生成回路12aから対応する各画素回路20の保持キャパシタC1にデータ電圧Vdataがそれぞれ供給される。時間t1の経過後、スイッチング用トランジスタQ12及び第1ゲートトランジスタQ1をオフ状態とする第1選択信号SL1及び第1ゲート信号G1が供給され、データ書き込み期間が終了する。
データ電圧Vdataをオン状態にあるスイッチング用トランジスタQ12を介して画素回路20に供給している期間は、検出用トランジスタQ14及び発光制御用トランジスタQ13はそれぞれオフ状態及びオン状態としておく。
時間t1の途中あるいは時間t1の経過後、駆動用トランジスタQ11の導通状態に応じた電流の有機EL素子に対する供給が開始される。
【0046】
次いで、発光制御用トランジスタQ13をオフ状態として電流の有機EL素子に対する供給を停止し、次のデータ書き込み期間の開始を待つ。
【0047】
なお、データ電圧Vdataをスイッチング用トランジスタQ12を介して画素回路20に供給している期間は、検出用トランジスタQ14は、オン状態及びオフ状態のいずれであってもよい。
しかしながら、オン状態にある検出用トランジスタQ14を介して画素回路20とデータ線Xmとの間に流れる微小な電流がデータ電圧Vdataが摂動を与える可能性もあるので、本実施形態のようにデータ電圧Vdataをスイッチング用トランジスタQ12を介して画素回路20に供給している期間は、検出用トランジスタQ14はオフ状態としておくことが好ましい。
さらに、通常モードの全期間において検出用トランジスタQ14をオフ状態であってももちろん構わない。
本実施形態では、発光制御用トランジスタQ13と検出用トランジスタQ14とは、相補的な動作するような回路構成となっているが、もちろん、それぞれ独立して制御することも可能である。
【0048】
この動作を繰返すことによって、各走査線Y1〜Yn上にある各画素回路20の有機EL素子21はデータ電圧Vdataに対応した輝度でそれぞれ発光制御され、有機ELディスプレイ10はコンピュータ18からの表示データ基づく画像を表示する。
【0049】
(テストモード)
次に、駆動方法の一態様であるテストモードについて説明する。有機ELディスプレイ10は検査装置19に接続することによってテストモードとなる。検査装置19から有機ELディスプレイ10にテスト用表示データが出力されると、制御回路17は、テストモードとなり、テスト用表示データを各有機EL素子21の発光の輝度階調を表すマトリクスデータ(テスト用マトリクスデータ)に変換する。そして、制御回路17は、テスト用の走査線駆動信号及びテスト用のデータ線駆動信号を走査線駆動回路13及びデータ線駆動回路12に出力する。
【0050】
図5は、テストモードにおける各信号SL1,SL2,G1,G2のタイミングチャートで示す。今、例えば、走査線駆動回路13から走査線Ynの第1副走査線Vaにスイッチング用トランジスタQ12をオン状態とする第1選択信号SL1が出力され、走査線Yn上にある各画素回路20のスイッチング用トランジスタQ12がオン状態となる。これと同時に、制御回路17からセレクト回路16の各切換え回路16aに第1ゲートトランジスタQ1をオン状態とする第1ゲート信号G1が出力され、各切換え回路16aの第1ゲートトランジスタQ1がオン状態となる。
【0051】
これにより、オン状態にあるスイッチング用トランジスタQ12及び第1ゲートトランジスタQ1を介してデータ電圧生成回路12aから保持キャパシタC1にテスト用のデータ電圧Vdataが供給される。一方、テスト用データ電圧Vdataを供給している期間は、検出用トランジスタQ14をオフ状態とする第2選択信号SL2を供給して検出用トランジスタQ14をオフ状態としておく。
時間t1の経過後、スイッチングトランジスタQ12及び第1ゲートトランジスタQ1をオフ状態とする第1選択信号SL1及び第1ゲート信号G1を供給し、画素回路20におけるデータ書き込み期間が終了する。この時、検出用トランジスタQ14及び発光制御用トランジスタQ13をそれぞれオン状態及びオフ状態とする第2選択信号SL2を供給する。
【0052】
次いで、制御回路17からセレクト回路16の各切換え回路16aに第2ゲートトランジスタQ2をオン状態とする第2ゲート信号G2が供給され、第2ゲートトランジスタQ2がオン状態となる。画素回路20において、この第2ゲートトランジスタQ2のオンに基づいて駆動用トランジスタQ11の動作に基づくテスト用のデータ電圧Vdataに相対した電流値の駆動電流が流れる。この時、駆動用トランジスタQ11からの駆動電流は、検出用トランジスタQ14及び第2ゲートトランジスタQ2を介して検査装置19の走査線Yn上にある各画素回路20に対して設けられた各電流検出回路19aにそれぞれ出力される。
【0053】
そして、この動作を順次各走査線Y1〜Ynの各画素回路20に対して行い、各走査線Y1〜Ynの各画素回路20に対して設けられた各電流検出回路19aにそれぞれ出力される。
【0054】
検査装置19において、各走査線Y1〜Ynの各画素回路20に対して設けられた電流検出回路19aは、入力した出力電流をデジタル変換して出力電流値を検出電流値としてそれぞれ求める。そして、検査装置19は、各電流検出回路19aで求めた画素回路20の検出電流値をテスト用のデータ電圧Vdataに対する設定電流値とそれぞれ比較する。そして、検査装置19は、その比較結果を一時記憶する。尚、設定電流値は、テスト用のデータ電圧Vdataで画素回路20から規格上出力されなければならない電流値であって予め試験又は理論上から得られた値である。
【0055】
この比較結果を一時記憶した後、新たに異なる値のテスト用のデータ電圧Vdataを使って同様のテストを有機ELディスプレイ10に対して行う。そして、検査装置19は、前記と同様に、各電流検出回路19aが求めた画素回路20の検出電流値をテスト用のデータ電圧Vdataに対する設定電流値とそれぞれ比較し、その比較結果を記憶する。
【0056】
検査装置19は、2種類の異なるテスト用のデータ電圧Vdataに対する比較結果に基づいて各画素回路20のデータ電圧Vdataに対する駆動用トランジスタQ11の出力電流特性を検査する。そして、検査装置19は、各画素回路20の特性が目標(規格)の特性となるように各画素回路20毎に補正値を求める。即ち、設定輝度に対するデータ電圧Vdataに対する補正値ΔVdを各画素回路20毎に求める。
【0057】
検査装置19は、この求めた各画素回路20毎に求めた補正値ΔVdを有機ELディスプレイ10に出力する。各画素回路20毎に求められた補正値ΔVdは、制御回路17に内蔵された不揮発性メモリ等よりなるメモリ17aに記憶されて、テストモードは終了する。尚、本実施形態では、メモリ17aに記憶したが、補正値を設定するヒューズを形成し、検査装置19の検査結果に基づいて該当するヒューズをカットするようにするようにしてもよい。
【0058】
そして、制御回路17は、コンピュータ18からの表示データ(画像データ)を、各有機EL素子21の発光の階調を表すマトリクスデータに変換する際に補正値ΔVdが使用される。詳述すると、制御回路17は表示データに基づいて求められる各画素回路20の有機EL素子21の輝度を設定するデータ電圧Vdataをそれぞれ対応する補正値ΔVdで補正した値を新たなデータ電圧Vdataとする。制御回路17はその各画素回路20の新たなデータ電圧Vdataをデータ線駆動信号としてデータ線駆動回路12に出力する。
【0059】
従って、製造ばらつきによる各画素回路(各トランジスタ;特に駆動用トランジスタQ11)の動作特性のばらつきを検出するこができる。しかも、各画素回路20の動作特性のばらつきを補正して各画素回路20の有機EL素子21のデータ電圧Vdataに対する輝度を一定にすることができる。
【0060】
又、検査装置19は、検出電流値が基準範囲内にない場合には画素回路20が動作不能と判断するようにすれば、製品として出荷ができるか否かの判断材料にすることができる。
【0061】
次に、上記のように構成した有機ELディスプレイ10の特徴を以下に記載する。
(1)本実施形態では、画素回路20にスイッチング用トランジスタQ13及び検出用トランジスタQ14を設けた。そして、テストモードにおいて、検出用トランジスタQ14を介して駆動用トランジスタQ11からのテスト用のデータ電流Vdataに対する電流値の駆動電流を検出装置19の電流検出回路19aに供給できるようにした。
【0062】
従って、簡単に製造ばらつきによる各画素回路20の動作特性を検出することができる。その結果、有機ELディスプレイ10の不良品を出荷前に検査することができる。
【0063】
(2)本実施形態では、制御回路17に内蔵したメモリ17aに、検査装置19が各画素回路20毎に求めた、製造ばらつきに基づく動作特性の誤差を補正する補正値、即ち、設定輝度に対するデータ電圧Vdataに対する補正値ΔVdを記憶した。そして、制御回路17は表示データに基づいて求められる各画素回路20の有機EL素子21の輝度を設定するデータ電圧Vdataをそれぞれ対応する補正値ΔVdで補正した。
【0064】
従って、各画素回路20は、表示データに基づくデータ電圧Vdataに対して一様な電流値の駆動電流を有機EL素子21に供給でき、同有機EL素子を一様な輝度で発光させることができる。しかも、各画素回路20を補正値ΔVdで製造ばらつきによる動作特性を補正することができるため従来では不良品として廃棄される有機ELディスプレイを製品として改善されるため、有機ディスプレイの製造歩留まりを向上させることができる。
【0065】
(3)本実施形態では、検出のための駆動電流を既存のデータ線X1〜Xmを利用して電流検出回路19aに供給するようにした。従って、電流検出のために回路規模が増大するのを抑えることができる。
【0066】
なお、本実施形態では、前記駆動用トランジスタ(第2のトランジスタ)Q11と検出用トランジスタ(第3のトランジスタ)Q14と直列に接続されしたが、駆動用トランジスタQ11と検出用トランジスタQ14との間にその他の素子を挿入してもよい。この場合にも駆動用トランジスタQ11に対して検出用トランジスタQ14は直列に接続されていることになる。
【0067】
(第2実施形態)
次に第2実施形態について説明する。前記第1実施形態では、検査装置19が外部装置であったが、本実施形態では、前記第1実施形態の有機ELディスプレイ10の各要素11〜17と同じ要素として検査装置19を構成したものである。従って、検査装置19は有機ELディスプレイ10とともに同有機ELディスプレイ10を実装する携帯電話、PDA、ノートパソコン等の携帯電子機器内に内蔵されることになる。
【0068】
尚、携帯電子機器内に内蔵される点に特徴があるだけなので、説明の便宜上、第1実施形態と共通する部分は省略しその特徴部分について説明する。
図6は、本実施形態の検査装置19の電気回路を示す。
【0069】
図6において、電流検出回路部31は、データ線X1〜Xmに対応した数の電流検出回路31aから構成されている。各電流検出回路31aはそれぞれ切換え回路16aを介してデータ線X1〜Xmから供給される駆動用トランジスタQ11からのテスト用のデータ電圧Vdataに対する駆動電流をそれぞれアナログ検出する。尚、テスト用の表示データは、制御回路17のメモリ17aに予め記憶されている。
【0070】
各電流検出回路31aは、AD変換回路部32の対応するAD変換器32aに接続されている。各AD変換器32aは、データ線X1〜Xmから供給される駆動電流の電流値をデジタル値に変換して制御回路17に出力する。
【0071】
制御回路17は、各AD変換器32aからのデータ線X1〜Xmから供給される駆動電流の電流値とテスト用のデータ電圧Vdataに対する設定電流値とそれぞれ比較する。そして、制御回路17は、その比較結果を一時記憶する。つまり、本実施形態では、制御回路17において前記第1実施形態の検査装置19と同じような検査処理を行う。尚、本実施形態に場合、一つの走査線上に接続された各画素回路20毎に検査を行った後次の走査線上の各画素回路の検査を行うようになっている。
【0072】
この比較結果を一時記憶した後、新たに異なる値のテスト用のデータ電圧Vdataを使って同様のテストを有機ELディスプレイ10に対して行う。そして、制御回路17は、前記と同様に、各AD変換器32aからのデータ線X1〜Xmから供給される駆動電流の電流値とをテスト用のデータ電圧Vdataに対する設定電流値とそれぞれ比較し、その比較結果を記憶する。
【0073】
制御回路17は、2種類の異なるテスト用のデータ電圧Vdataに対する比較結果に基づいて各画素回路20のデータ電圧Vdataに対する駆動用トランジスタQ11の出力電流特性を検査する。そして、制御回路17は、各画素回路20の特性が目標(規格)の特性となるように各画素回路20毎に補正値を求める。即ち、設定輝度に対するデータ電圧Vdataに対する補正値ΔVdを各画素回路20毎に求める。制御回路17は、その求めた補正値ΔVdを記憶回路としてのメモリ17aに記憶してテストモードは終了する。尚、制御回路17は、テストモードを定期的に行うか、電源投入直後に実行させるようになっている。制御回路17は、この補正値ΔVdを使って前記第1実施形態と同様に各画素回路20を表示データに基づいて駆動制御する。
【0074】
次に、上記のように構成した有機ELディスプレイ10の特徴を以下に記載する。
(1)本実施形態では、画素回路20にスイッチング用トランジスタQ13及び検出用トランジスタQ14を設けた。そして、テストモードにおいて、検出用トランジスタQ14を介して駆動用トランジスタQ11からのテスト用のデータ電流Vdataに対する駆動電流の電流値を制御回路17に供給した。
そして、制御回路17において、各画素回路20の動作特性を検出する。従って、大がかりな検査装置を使用しないで、製造ばらつきによる各画素回路20の動作特性を簡単に検出することができる。しかも、制御回路17において、定期的に又電源投入直後等にテストモードを実行させるようにすれば、経年変化、環境温度の変化による各画素回路20の動作特性を検出することができる。
【0075】
(2)本実施形態では、制御回路17に内蔵したメモリ17aに、同制御回路17が各画素回路20毎に求めた、製造ばらつき、経年変化、環境温度の変化によるに基づく動作特性の誤差を補正する補正値、即ち、設定輝度に対するデータ電圧Vdataに対する補正値ΔVdを記憶した。そして、制御回路17は表示データに基づいて求められる各画素回路20の有機EL素子21の輝度を設定するデータ電圧Vdataをそれぞれ対応する補正値ΔVdで補正した。
【0076】
従って、各画素回路20は、経年変化、環境温度が変化しても表示データに基づくデータ電圧Vdataに対して一様な電流値の駆動電流を有機EL素子21に供給でき、同有機EL素子を一様な輝度で発光させることができる。
【0077】
(3)本実施形態では、検出のための駆動電流を既存のデータ線X1〜Xmを利用して電流検出回路19aに供給するようにした。従って、電流検出のために回路規模が増大するのを抑えることができる。
【0078】
(第3実施形態)
次に、第1及び第2実施形態で説明した電気光学装置としての有機ELディスプレイ10の電子機器の適用について図7及び図8に従って説明する。有機ELディスプレイ10は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【0079】
図7は、モバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図を示す。図7において、パーソナルコンピュータ50は、キーボード51を備え本体部52と、前記有機ELディスプレイ10を用いた表示ユニット53を備えている。この場合でも、有機ELディスプレイ10を用いた表示ユニット53は前記実施形態と同様な効果を発揮する。その結果、パーソナルコンピュータ50は、欠陥の少ない画像表示を実現することができる。
【0080】
図8は、携帯電話の構成を示す斜視図を示す。図8において、携帯電話60は、複数の操作ボタン61、受話口62、送話口63、前記有機ELディスプレイ10を用いた表示ユニット64を備えている。この場合でも、有機ELディスプレイ10を用いた表示ユニット64は前記実施形態と同様な効果を発揮する。その結果、携帯電話60は、欠陥の少ない画像表示を実現することができる。
【0081】
(第4実施形態)
本実施形態では、スイッチング用トランジスタと検出用トランジスタとを兼用する実施形態について、図9に示す画素回路について説明する。
図9において、各画素回路20は、第2のトランジスタとしての駆動用トランジスタQ20、第1スイッチング用トランジスタQ21及び第2スイッチング用トランジスタQ22、発光制御用トランジスタQ23、及び、保持素子としての保持キャパシタC1を有している。駆動用トランジスタQ20はPチャネルTFTより構成されている。第1及び第2スイッチング用トランジスタQ21、Q22及び発光制御用トランジスタQ23はNチャネルTFTより構成されている。
【0082】
駆動用トランジスタQ20は、ドレインが発光制御用トランジスタQ23を介して前記有機EL素子21の陽極に接続され、ソースが電源線L1に接続されている。電源線VLには、前記有機EL素子21を駆動させるための駆動電圧Vddが供給されている。前記駆動用トランジスタQ20のゲートと電源線VLとの間には、保持キャパシタC1が接続されている。
【0083】
また、駆動用トランジスタQ20のゲートは、前記第1スイッチング用トランジスタQ21のドレインに接続されている。第1スイッチング用トランジスタQ21のソースは、第2スイッチング用トランジスタQ22のドレインと接続されている。又、第2スイッチング用トランジスタQ22のドレインは前記駆動用トランジスタQ20のドレインと接続されている。
【0084】
さらに、第2スイッチング用トランジスタQ22のソースは、データ線Xmを介してデータ線駆動回路12の単一ライン駆動回路30に接続されている。そして、この単一ライン駆動回路30は、データ電流生成回路40aが設けられている。データ電流生成回路40aは、画素回路20に対してデータ信号Iを出力する。そして、データ線Xmは、第1スイッチQ11を介してデータ電流生成回路40aに接続されるとともに、第2スイッチQ12を介して電流検出回路30bに接続される。
【0085】
第1及び第2スイッチング用トランジスタQ21,Q22のゲートには、それぞれ、第1の副走査線Va及び第2の副走査線Vbが接続されている。第1の副走査線Va及び第2の副走査線Vbから第1走査信号SL1及び第2の走査信号SL2によって第1及び第2スイッチング用トランジスタQ21,Q22はオンされるようになっている。さらに、発光制御用トランジスタQ23のゲートは、発光制御信号Gpによって制御される。
【0086】
第1スイッチQ11、第1のスイッチング用トランジスタQ21、及び第2のスイッチング用トランジスタQ22がオン状態の期間にデータ電流生成回路40aがデータ信号Iをデータ線Xmを介して出力すると、画素回路20にデータ信号Iが供給され、保持キャパシタC1にデータ信号Iに対応した電荷量が蓄積され、駆動トランジスタの導通状態が設定される。これが書き込み動作である。
続いて、発光制御用トランジスタQ23が発光制御用トランジスタQ23をオン状態とする発光制御信号Gpに応答してオン状態となると、駆動用トランジスタQ20の導通状態に応じた電流量が有機EL素子21に供給される。
【0087】
これに対してテストモードでは、上記の書き込み動作は基本的に同じであるが、通常のデータ信号の代わりにテスト用の信号に対応した電荷量を保持キャパシタに保持させる。次に、第1のスイッチング用トランジスタQ21、第1のスイッチQ11、及び発光制御用トランジスタQ23をオフ状態としたまま、第2のスイッチング用トランジスタQ22及び第2のスイッチQ12をオン状態として、駆動トランジスタQ20を通過する電流量を電流検出回路30bで検出する。
第4の実施形態では、第1の実施形態とは異なり、検出用トランジスタを新たに設ける代わりに2つのスイッチングトランジスタのうち一つ(第2のスイッチングトランジスタQ22)を検出用トランジスタとしても兼用している。
【0088】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
前記第1実施形態では、出荷前の有機ELディスプレイを検査する検査装置19を使ってディスプレイを検査した。これを携帯電話、PDA、ノートパソコン等の携帯電子機器について、その携帯電子機器のバッテリを充電器で充電する際に、その充電中に携帯電子機器に搭載された有機ELディスプレイを検査装置19で検査するようにしてもよい。この場合、該充電器に検査装置を内蔵する必要がある。そして、充電を開始すると、テストモードをなり、各画素回路20を電流検出を行い検査することになる。このようにすることによって、携帯電子機器に搭載された有機ELディスプレイについて各画素回路20の経年変化による動作特性を充電する毎に補正することができる。
【0089】
上記の実施形態では、検査装置19は、表示パネル部11の全ての画素回路20に対する電流検出回路19aを設けたが、第2実施形態のように、データ線X1〜Xmの数と同じ数で実施してもよい。この場合、の第2実施形態のように一つの走査線上に接続された各画素回路20毎に検査を行った後次の走査線上の各画素回路の検査を行うことになる。
【0090】
前記第1実施形態では、検査装置19が求めた補正値Vdを制御回路17に内蔵したメモリ17aに記憶し、そのメモリ17aに記憶した補正値Vdを使って新たなデータ電圧Vdataを作成した。
【0091】
前記実施形態では、電子回路として画素回路20に具体化して好適な効果を得たが、有機EL素子21以外の例えばLEDやFED等の発光素子のような被駆動素子を駆動する電子回路に具体化してもよい。又、被駆動素子として磁気RAMがある。従って、該磁気RAMを利用したメモリ装置に応用してもよい。
【0092】
前記実施形態では、補正値ΔVdを求める際、2つ異なるテスト用のデータ電圧Vdataを用いてテストを行って求めた。これを、1つのテスト用のデータ電圧Vdataを用いてテストを行ったり、3つ以上のテスト用のデータ電圧Vdataを用いてテストを行って求めて実施してもよい。
上記の実施形態では電流をデータ線X1〜Xmを介して電流検出回路に供給したが、これを検出用トランジスタQ13に検出専用の配線を設け、これら配線を介して電流検出回路1に供給するようにして実施するようにしてもよい。
【0093】
上記の実施形態では、画素回路の被駆動素子として有機EL素子21について具体化したが、無機EL素子に具体化してもよい。つまり、無機EL素子からなる無機ELディスプレイに応用しても良い。
【0094】
上記の実施形態では画素回路20は、電圧駆動型の画素回路に具体化したが、電流駆動型の画素回路の有機ELディスプレイに応用してもよい。又、時分割、面積階調等のデジタル駆動される画素回路に有機ELディスプレイに応用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本実施形態の有機ELディスプレイの回路構成を示すブロック回路図。
【図2】 表示パネル部とデータ線駆動回路の内部回路構成を示すブロック回路図。
【図3】 画素回路の内部回路構成を示す回路図。
【図4】 通常モードにおける各信号のタイミングチャート。
【図5】 テストモードにおける各信号のタイミングチャート。
【図6】 第2実施形態を説明するための要部電気ブロック回路図。
【図7】 第3実施形態を説明するためのモバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図。
【図8】 第3実施形態を説明するための携帯電話の構成を示す斜視図。
【図9】 第4実施形態に係る画素回路の内部回路構成を示す回路図。
【符号の説明】
C1 容量素子としての保持キャパシタ
Q11 第2のトランジスタとしての駆動用トランジスタ
Q12 第1のトランジスタとしてのスイッチング用トランジスタ
Q13 第4のトランジスタとしての発光制御用トランジスタ
Q14 第3のトランジスタとしての検出用トランジスタ
Y1〜Yn 走査線
Va 第1副走査線
Vb 第2副走査線
X1〜Xm データ線
10 電気光学装置としての有機ELディスプレイ
11 表示パネル部
17 補正値算出回路を構成する制御回路
17a 記憶回路としてのメモリ
19 補正値算出回路を構成する検査装置
19a 電流検出回路
20 電子回路としての画素回路
21 被駆動素子としての有機EL素子
31a 電流検出回路[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electronic circuit, an electronic apparatus, an electronic circuit driving method, an electro-optical apparatus, and an electronic apparatus.
[0002]
[Prior art]
In recent years, electro-optical devices using organic EL elements have attracted attention as display devices as electro-optical devices. An electro-optical device using this type of organic EL element includes an active matrix driving method as one of driving methods.
[0003]
In an active matrix driving type electro-optical device, a pixel circuit is provided for each organic EL element in order to control the luminance of the organic EL element. The luminance gradation of the organic EL element in each pixel circuit is controlled by supplying a data signal (voltage value or current value) corresponding to the luminance gradation to the holding capacitor of the pixel circuit. That is, the storage capacitor is charged with a charge according to the set light emission luminance gradation.
Then, a conduction state of a driving TFT (ThinFilm Transistor) is set according to the amount of charge held in the holding capacitor, and a current corresponding to the conduction state is supplied to the organic EL element (see, for example, Patent Document 1). .
[0004]
[Patent Document 1]
International Publication No. WO98 / 36406 Pamphlet
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
Incidentally, although the pixel circuit is composed of at least one active element such as a transistor, it is difficult to strictly equalize the characteristics of all the active elements. In particular, thin film transistors (TFTs) constituting pixel circuits such as displays have large variations in characteristics. For this reason, it is difficult to obtain a desired luminance when a predetermined data signal is input.
[0006]
In addition, there is a problem that the characteristics change due to the deterioration of the active elements and electro-optical elements constituting the pixel circuit over time.
[0007]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an electronic circuit, an electronic device, an electronic circuit driving method, and an electro-optical device capable of detecting the operating characteristics of the electronic circuit with high accuracy. It is to provide an apparatus and an electronic device.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The first electronic device according to the present invention is an electronic device including a plurality of unit circuits, and each of the plurality of unit circuits includes a first transistor and an electric power supplied via the first transistor. A holding element that holds a signal as an electric quantity, a second transistor whose conduction state is controlled based on the electric quantity held in the holding element, and a driven element that is supplied with a current amount relative to the conduction state And a third transistor connected in series with the second transistor, and is connectable to an inspection unit for detecting a current amount via the third transistor.
[0009]
According to this, by turning on the third transistor, the amount of current relative to the amount of charge from the second transistor to be supplied to the driven element can be obtained via the third transistor. Therefore, the operating characteristics of the electronic circuit can be detected. Note that the third transistor may be provided in each unit circuit, or may be provided in common to several unit circuits among the plurality of unit circuits.
[0010]
A second electronic device according to the present invention is an electronic device including a plurality of unit circuits, and each of the plurality of unit circuits includes a first transistor and an electric power supplied via the first transistor. A holding element that holds a signal as an electric quantity, a second transistor whose conduction state is controlled based on the electric quantity held in the holding element, and a driven element that is supplied with a current amount relative to the conduction state The second transistor is connected in series with the first transistor, and can be connected to an inspection unit for detecting a current amount via the first transistor. And
[0011]
As a corresponding embodiment of the second electronic device, for example, an electronic device having a circuit configuration in which a current signal is supplied as an electric signal as in a fourth embodiment described later.
[0012]
In the above electronic device, a fourth transistor is connected between the driven element and the second transistor.
[0013]
According to this, the fourth transistor is turned off, the current supply to the driven element is stopped, and the third transistor or the first transistor is turned on to turn the driven transistor on. The amount of current passing through the second transistor to be supplied to the element can be detected via the third transistor or the first transistor. That is, it is preferable that the fourth transistor is at least in an off state during the period in which the inspection unit performs detection.
[0014]
In the electronic device, the driven element may be a current driving element such as an organic EL element. In the organic EL element, the light emitting layer is made of an organic material.
[0015]
In the above electronic device, it is preferable that the third transistor is provided in each of the plurality of unit circuits. This makes it possible to detect the current characteristics of each of the plurality of unit circuits.
[0016]
In the above electronic device, the holding element may be a capacitive element that holds, for example, an electric signal supplied to each of the plurality of unit circuits as a charge amount.
[0017]
In the electronic device, the holding element may be a storage element such as an SRAM.
[0018]
The electronic device includes a storage circuit that stores a correction value for the electrical signal supplied through the first transistor obtained by the inspection unit.
According to this, it is possible to adjust the operation of the driven element by correcting the operation characteristic of the electronic device using the correction value stored in the storage circuit.
[0019]
The electronic device driving method according to the present invention is based on a first transistor, a holding element that holds an electric signal supplied through the first transistor as an electric quantity, and an electric quantity held in the holding element. A second transistor whose conduction state is set, a driven element to which a current amount relative to the conduction state is supplied, and a third transistor connected in series with the second transistor. A method for driving an electronic device, comprising: a first step of turning on the first transistor to hold an electric quantity based on the electric signal in the holding element; and turning on the third transistor, And the second transistor and the third transistor are electrically connected to each other through the third transistor. Characterized by comprising a second step of detecting the amount of current passing through the current path including.
[0020]
According to this, the inspection unit can detect the amount of current to be supplied to the driven element by the inspection unit.
[0021]
In the driving method of the electronic device, it is preferable that the current path does not include the driven element.
[0022]
In the driving method of the electronic device, the driven element may be a current driving element such as an organic EL element.
[0023]
A first electro-optical device according to the present invention is an electro-optical device including a plurality of pixel circuits arranged corresponding to intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines, and the plurality of pixel circuits. Each includes a first transistor whose conduction is controlled by a scanning signal supplied via a corresponding scanning line of the plurality of scanning lines, a corresponding data line of the plurality of data lines, and the first transistor. A holding element for holding the data signal supplied via the second electric field as a quantity of electricity, a second transistor whose conduction state is controlled based on the quantity of electricity held in the holding element, and a current relative to the conduction state An electro-optic element to which a quantity is supplied, and a third transistor connected in series with the second transistor, and each of the plurality of pixel circuits supplies a current quantity via the third transistor. Characterized in that it is connectable to the inspection unit for output.
In the above electro-optical device, the third transistor may be provided in each of the plurality of pixel circuits, or may be provided in common for several pixel circuits of the plurality of pixel circuits.
In the electro-optical device, the third transistor may be connectable to the inspection unit via a corresponding data line of the plurality of transistors. According to this, the data line can be used as the inspection wiring without providing the inspection wiring.
[0024]
A second electro-optical device according to the present invention is an electro-optical device including a plurality of pixel circuits arranged corresponding to intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines, and the plurality of pixel circuits. Each includes a first transistor whose conduction is controlled by a scanning signal supplied via a corresponding scanning line of the plurality of scanning lines, a corresponding data line of the plurality of data lines, and the first transistor. A holding element that holds the data signal supplied through the first and second terminals as a quantity of electricity, and a conduction state is controlled based on the quantity of electricity held in the holding element, and the second transistor is connected in series with the first transistor. Each of the plurality of pixel circuits can be connected to an inspection unit that detects the amount of current via the first transistor. In It is characterized in.
[0025]
In the electro-optical device, the inspection unit includes a current detection circuit that detects the amount of current, a correction value calculation circuit that calculates a correction value for the electric signal based on the amount of current detected by the current detection circuit, The storage circuit stores the correction value for the pixel circuit, and the electric signal is corrected with the correction value when the electric signal is set.
[0026]
According to this, the correction value calculation circuit obtains a correction value for adjusting the variation in the operation characteristics of the pixel circuit, and the correction value for the pixel circuit is stored in the storage circuit. Therefore, the operation characteristics of the driven element can be adjusted by correcting the operation characteristics of the pixel circuit using the correction value of the electronic circuit stored in the memory circuit.
[0027]
The above-described electro-optical device is mounted on the electronic apparatus according to the invention.
[0028]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0029]
FIG. 1 is a block circuit diagram showing a circuit configuration of an
[0030]
In FIG. 1, the
[0031]
Each
[0032]
As shown in FIG. 2, the
[0033]
In the data line driving
[0034]
The scanning
[0035]
The
[0036]
The
[0037]
The
[0038]
The test matrix data is a test scanning line drive signal for sequentially selecting a pixel circuit group for one row and a test brightness for setting the test luminance of the
[0039]
Next, the internal circuit configuration of the
[0040]
In this embodiment, the
[0041]
The switching transistor Q12 and the light emission control transistor Q13 are composed of N-channel TFTs. The driving transistor Q11 and the detection transistor Q14 are composed of P-channel TFTs.
[0042]
The drain of the driving transistor Q11 is connected to the anode of the
[0043]
The first sub-scanning line Va is connected to the gate of the switching transistor Q12. The source of the detection transistor Q14 is connected to the drain of Q11. The gates of the light emission control transistor Q13 and the detection transistor Q14 are both connected to the second sub-scanning line Vb.
[0044]
Next, the operation of the
(Normal mode)
First, the normal mode will be described with reference to the timing chart of each signal SL1, SL2, G1, G2 shown in FIG.
[0045]
Now, when the n-th scanning line Yn is selected and each
While the data voltage Vdata is supplied to the
During the time t1 or after the time t1, the supply of current to the organic EL element according to the conduction state of the driving transistor Q11 is started.
[0046]
Next, the light emission control transistor Q13 is turned off to stop the supply of current to the organic EL element and wait for the start of the next data writing period.
[0047]
Note that, during the period in which the data voltage Vdata is supplied to the
However, since a minute current flowing between the
Furthermore, of course, it does not matter even if the detection transistor Q14 is in the OFF state during the entire period of the normal mode.
In the present embodiment, the light emission control transistor Q13 and the detection transistor Q14 have a circuit configuration that operates in a complementary manner, but of course, they can be controlled independently.
[0048]
By repeating this operation, the
[0049]
(Test mode)
Next, a test mode that is one mode of the driving method will be described. The
[0050]
FIG. 5 is a timing chart of the signals SL1, SL2, G1, and G2 in the test mode. Now, for example, the first selection signal SL1 for turning on the switching transistor Q12 is output from the scanning
[0051]
As a result, the test data voltage Vdata is supplied from the data
After the elapse of time t1, the first selection signal SL1 and the first gate signal G1 that turn off the switching transistor Q12 and the first gate transistor Q1 are supplied, and the data writing period in the
[0052]
Next, the second gate signal G2 for turning on the second gate transistor Q2 is supplied from the
[0053]
Then, this operation is sequentially performed on each
[0054]
In the
[0055]
After temporarily storing the comparison result, a similar test is performed on the
[0056]
The
[0057]
The
[0058]
The
[0059]
Therefore, it is possible to detect variations in the operation characteristics of the pixel circuits (transistors; in particular, the driving transistor Q11) due to manufacturing variations. In addition, it is possible to make the luminance with respect to the data voltage Vdata of the
[0060]
Further, the
[0061]
Next, the characteristics of the
(1) In the present embodiment, the
[0062]
Therefore, the operation characteristics of each
[0063]
(2) In the present embodiment, the correction value for correcting the error of the operation characteristic based on the manufacturing variation obtained by the
[0064]
Accordingly, each
[0065]
(3) In this embodiment, the drive current for detection is supplied to the
[0066]
In the present embodiment, the driving transistor (second transistor) Q11 and the detection transistor (third transistor) Q14 are connected in series, but between the driving transistor Q11 and the detection transistor Q14. Other elements may be inserted. Also in this case, the detection transistor Q14 is connected in series with the drive transistor Q11.
[0067]
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described. In the first embodiment, the
[0068]
In addition, since there is only a characteristic in the point incorporated in a portable electronic device, the part which is common in 1st Embodiment is abbreviate | omitted for convenience of explanation, and the characteristic part is demonstrated.
FIG. 6 shows an electric circuit of the
[0069]
In FIG. 6, the current
[0070]
Each
[0071]
The
[0072]
After temporarily storing the comparison result, a similar test is performed on the
[0073]
The
[0074]
Next, the characteristics of the
(1) In the present embodiment, the
Then, the
[0075]
(2) In the present embodiment, the
[0076]
Accordingly, each
[0077]
(3) In this embodiment, the drive current for detection is supplied to the
[0078]
(Third embodiment)
Next, application of the electronic apparatus of the
[0079]
FIG. 7 is a perspective view showing the configuration of the mobile personal computer. In FIG. 7, the
[0080]
FIG. 8 is a perspective view showing the configuration of the mobile phone. In FIG. 8, the
[0081]
(Fourth embodiment)
In the present embodiment, a pixel circuit shown in FIG. 9 will be described as an embodiment in which a switching transistor and a detection transistor are combined.
In FIG. 9, each
[0082]
The drive transistor Q20 has a drain connected to the anode of the
[0083]
The gate of the driving transistor Q20 is connected to the drain of the first switching transistor Q21. The source of the first switching transistor Q21 is connected to the drain of the second switching transistor Q22. The drain of the second switching transistor Q22 is connected to the drain of the driving transistor Q20.
[0084]
Further, the source of the second switching transistor Q22 is connected to the single
[0085]
The first and second sub-scanning lines Va and Vb are connected to the gates of the first and second switching transistors Q21 and Q22, respectively. The first and second switching transistors Q21 and Q22 are turned on by the first scanning signal SL1 and the second scanning signal SL2 from the first sub-scanning line Va and the second sub-scanning line Vb. Further, the gate of the light emission control transistor Q23 is controlled by the light emission control signal Gp.
[0086]
When the data
Subsequently, when the light emission control transistor Q23 is turned on in response to the light emission control signal Gp for turning on the light emission control transistor Q23, a current amount corresponding to the conduction state of the driving transistor Q20 is supplied to the
[0087]
On the other hand, in the test mode, the above write operation is basically the same, but the amount of charge corresponding to the test signal is held in the holding capacitor instead of the normal data signal. Next, the second switching transistor Q22 and the second switch Q12 are turned on while the first switching transistor Q21, the first switch Q11, and the light emission control transistor Q23 are turned off, and the driving transistor is turned on. The
In the fourth embodiment, unlike the first embodiment, instead of newly providing a detection transistor, one of the two switching transistors (second switching transistor Q22) is also used as a detection transistor. Yes.
[0088]
In addition, embodiment of invention is not limited to the said embodiment, You may implement as follows.
In the first embodiment, the display is inspected using the
[0089]
In the above embodiment, the
[0090]
In the first embodiment, the correction value Vd obtained by the
[0091]
In the above-described embodiment, the
[0092]
In the embodiment, when the correction value ΔVd is obtained, a test is performed using two different test data voltages Vdata. This may be performed by performing a test using one test data voltage Vdata or performing a test using three or more test data voltages Vdata.
In the above-described embodiment, the current is supplied to the current detection circuit via the data lines X1 to Xm. However, a detection-dedicated wiring is provided in the detection transistor Q13, and the current is supplied to the
[0093]
In the above embodiment, the
[0094]
In the above embodiment, the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block circuit diagram showing a circuit configuration of an organic EL display according to an embodiment.
FIG. 2 is a block circuit diagram showing an internal circuit configuration of a display panel unit and a data line driving circuit.
FIG. 3 is a circuit diagram showing an internal circuit configuration of a pixel circuit.
FIG. 4 is a timing chart of each signal in a normal mode.
FIG. 5 is a timing chart of each signal in a test mode.
FIG. 6 is a main part electric block circuit diagram for explaining a second embodiment;
FIG. 7 is a perspective view showing the configuration of a mobile personal computer for explaining a third embodiment.
FIG. 8 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone for explaining a third embodiment.
FIG. 9 is a circuit diagram showing an internal circuit configuration of a pixel circuit according to a fourth embodiment.
[Explanation of symbols]
C1 Retention capacitor as a capacitive element
Q11 Driving transistor as second transistor
Q12 Switching transistor as the first transistor
Q13 Light emission control transistor as the fourth transistor
Q14 Detection transistor as third transistor
Y1-Yn scan line
Va first sub-scan line
Vb second sub-scan line
X1-Xm data line
10 Organic EL display as an electro-optical device
11 Display panel
17 Control circuit constituting correction value calculation circuit
17a Memory as memory circuit
19 Inspection apparatus constituting correction value calculation circuit
19a Current detection circuit
20 Pixel circuit as electronic circuit
21 Organic EL elements as driven elements
31a Current detection circuit
Claims (9)
前記複数の走査線の各々は、第1副走査線および第2副走査線より構成され、
前記複数の単位回路の各々は、
前記第1副走査線にゲートが接続された第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタを介して供給される電圧信号を電気量として保持する保持素子と、
前記保持素子に保持された電気量に基づいて導通状態が制御される第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタから、該第2のトランジスタの導通状態に対応した電流が供給される被駆動素子と、
前記第2副走査線にゲートが接続され、前記第2のトランジスタと直列に接続された第3のトランジスタと、を含み、
前記第1のトランジスタのソースおよびドレインの一方が前記データ線と接続されるとともに、他方が前記第2のトランジスタのゲートと接続されてなり、
前記第3のトランジスタのソースおよびドレインの一方が前記第1のトランジスタと接続されるとともに、他方が前記第2のトランジスタと接続されてなり、
前記第1のトランジスタを介して前記電圧信号が前記保持素子に供給される期間は、前記第3のトランジスタをオフ状態とし、
前記第2のトランジスタの導通状態に対応した電流の電流量を検出する期間は、前記第3のトランジスタをオン状態とし、前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタを含む電流経路を通過する前記電流の電流量を検出する
ことを特徴とする電子装置。An electronic device comprising a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and a plurality of unit circuits arranged corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines ,
Each of the plurality of scanning lines includes a first sub-scanning line and a second sub-scanning line,
Each of the plurality of unit circuits is
A first transistor having a gate connected to the first sub-scanning line ;
A holding element that holds a voltage signal supplied via the first transistor as an electric quantity;
A second transistor whose conduction state is controlled based on the amount of electricity held in the holding element;
A driven element to which a current corresponding to a conduction state of the second transistor is supplied from the second transistor ;
A third transistor having a gate connected to the second sub-scanning line and connected in series with the second transistor;
One of the source and drain of the first transistor is connected to the data line, and the other is connected to the gate of the second transistor,
One of the source and drain of the third transistor is connected to the first transistor, and the other is connected to the second transistor,
During a period in which the voltage signal is supplied to the holding element through the first transistor, the third transistor is turned off.
During the period of detecting the amount of current corresponding to the conduction state of the second transistor, the third transistor is turned on and passes through a current path including the second transistor and the third transistor. An electronic device characterized by detecting the amount of current.
前記第2副走査線にゲートが接続され、ソースおよびドレインの一方が前記第2のトランジスタと接続されるとともに、他方が前記被駆動素子と接続される第4のトランジスタをさらに備えることを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 1,
A gate is connected to the second sub-scanning line, and one of a source and a drain is connected to the second transistor, and the other is further provided with a fourth transistor connected to the driven element. Electronic device to play.
前記被駆動素子は電流駆動素子であることを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 1 or 2,
The electronic device, wherein the driven element is a current driving element.
前記電流量を検出する期間は、前記第4のトランジスタは少なくともオフ状態であること、
を特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 2.
In the period for detecting the amount of current, the fourth transistor is at least in an off state,
An electronic device characterized by the above.
前記電流経路は、前記被駆動素子は含まないこと、
を特徴とする電子装置。The electronic device according to any one of claims 1 to 4 ,
The current path does not include the driven element;
An electronic device characterized by the above.
前記複数の走査線の各々は、第1副走査線および第2副走査線より構成され、
前記複数の単位回路の各々は、
前記第1副走査線にゲートが接続された第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給される電圧信号を電気量として保持する保持素子と、前記保持素子に保持された電気量に基づいて導通状態が設定される第2のトランジスタと、前記第2のトラン ジスタから、該第2のトランジスタの導通状態に対応した電流が供給される被駆動素子と、前記第2副走査線にゲートが接続され、前記第2のトランジスタと直列に接続された第3のトランジスタと、を備え、
前記第1のトランジスタのソースおよびドレインの一方が前記データ線と接続されるとともに、他方が前記第2のトランジスタのゲートと接続されてなり、
前記第3のトランジスタのソースおよびドレインの一方が前記第1のトランジスタと接続されるとともに、他方が前記第2のトランジスタと接続されてなる電子装置の駆動方法であって、
前記第3のトランジスタをオフするとともに前記第1のトランジスタをオンさせて前記電圧信号に基づく電気量を前記保持素子に保持する第1のステップと、
前記第3のトランジスタをオフ状態として、前記第2のトランジスタから、該第2のトランジスタの導通状態に対応した電流を前記被駆動素子に供給する第2のステップと、
前記第2のトランジスタの導通状態に対応した電流の電流量を検出する期間は、前記第3のトランジスタをオン状態として、前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタを含む電流経路を通過する前記電流の電流量を検出する第3のステップとを備えたこと、
を特徴とする電子装置の駆動方法。 A plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and a plurality of unit circuits arranged corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines,
Each of the plurality of scanning lines includes a first sub-scanning line and a second sub-scanning line,
Each of the plurality of unit circuits is
A first transistor having a gate connected to the first sub-scanning line; a holding element that holds a voltage signal supplied via the first transistor as an electric quantity; and an electric quantity held by the holding element a second transistor, the conduction state is set based on, from said second Trang register, a driven element current corresponding to the conduction state of the second transistor is supplied, the second sub-scan line And a third transistor connected in series with the second transistor, and
One of the source and drain of the first transistor is connected to the data line, and the other is connected to the gate of the second transistor,
One of the source and the drain of the third transistor is connected to the first transistor, and the other is connected to the second transistor .
A first step of turning off the third transistor and turning on the first transistor to hold an electric quantity based on the voltage signal in the holding element;
As an off-state the third transistor from the second transistor, and a second step of supplying a current corresponding to the conduction state of the second transistor in the driven element,
During the period of detecting the amount of current corresponding to the conduction state of the second transistor, the third transistor is turned on and passes through a current path including the second transistor and the third transistor. And a third step of detecting the amount of current.
A method for driving an electronic device.
前記複数の走査線の各々は、第1副走査線および第2副走査線より構成され、
前記複数の画素回路の各々は、
前記第1副走査線にゲートが接続され、前記複数の走査線の対応する走査線を介して供給される走査信号により導通が制御される第1のトランジスタと、
前記複数のデータ線の対応するデータ線及び前記第1のトランジスタを介して供給される電圧信号を電気量として保持する保持素子と、
前記保持素子に保持された電気量に基づいて導通状態が制御される第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタから、該第2のトランジスタの導通状態に対応した電流が供給される電気光学素子と、
前記第2副走査線にゲートが接続され、前記第2のトランジスタと直列に接続された第3のトランジスタと、を含み、
前記第1のトランジスタのソースおよびドレインの一方が前記データ線と接続されるとともに、他方が前記第2のトランジスタのゲートと接続されてなり、
前記第3のトランジスタのソースおよびドレインの一方が前記第1のトランジスタと接続されるとともに、他方が前記第2のトランジスタと接続されてなり、
前記第1のトランジスタを介して前記電圧信号が前記保持素子に供給される期間は、前記第3のトランジスタをオフ状態とし、
前記第2のトランジスタの導通状態に対応した電流の電流量を検出する期間は、前記第3のトランジスタをオン状態とし、前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタを含む電流経路を通過する前記電流の電流量を検出する
ことを特徴とする電気光学装置。 A plurality of scanning lines, an electro-optical device including a plurality of data lines, and a plurality of pixel circuits arranged corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines,
Each of the plurality of scanning lines includes a first sub-scanning line and a second sub-scanning line,
Each of the plurality of pixel circuits is
A first transistor having a gate connected to the first sub-scanning line, the conduction of which is controlled by a scanning signal supplied through a corresponding scanning line of the plurality of scanning lines;
A holding element for holding a voltage signal supplied via the corresponding data line of the plurality of data lines and the first transistor as an electric quantity;
A second transistor whose conduction state is controlled based on the amount of electricity held in the holding element;
An electro-optic element to which a current corresponding to a conduction state of the second transistor is supplied from the second transistor ;
A third transistor having a gate connected to the second sub-scanning line and connected in series with the second transistor;
One of the source and drain of the first transistor is connected to the data line, and the other is connected to the gate of the second transistor,
One of the source and drain of the third transistor is connected to the first transistor, and the other is connected to the second transistor,
During a period in which the voltage signal is supplied to the holding element through the first transistor, the third transistor is turned off.
During the period of detecting the amount of current corresponding to the conduction state of the second transistor, the third transistor is turned on and passes through a current path including the second transistor and the third transistor. An electro-optical device that detects a current amount of a current.
前記第3のトランジスタと前記複数のデータ線のうち対応するデータ線とを介して前記電流量を検出すること、
を特徴とする電気光学装置。The electro-optical device according to claim 7 .
Detecting the amount of current through the third transistor and a corresponding data line among the plurality of data lines;
An electro-optical device.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003085842A JP4266682B2 (en) | 2002-03-29 | 2003-03-26 | Electronic device, driving method of electronic device, electro-optical device, and electronic apparatus |
KR10-2003-0019409A KR100490196B1 (en) | 2002-03-29 | 2003-03-28 | Electronic device, driving method of electronic device, electric optical device and electronic equipment |
TW092107327A TWI293748B (en) | 2002-03-29 | 2003-03-28 | Electronic device, method for driving the electronic device, electro-optical device, and electronic equipment |
CNB031075940A CN1253842C (en) | 2002-03-29 | 2003-03-28 | Electronic device, method for driving electronic device, electrooptical device and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002097290 | 2002-03-29 | ||
JP2003085842A JP4266682B2 (en) | 2002-03-29 | 2003-03-26 | Electronic device, driving method of electronic device, electro-optical device, and electronic apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004004673A JP2004004673A (en) | 2004-01-08 |
JP4266682B2 true JP4266682B2 (en) | 2009-05-20 |
Family
ID=28793514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003085842A Expired - Lifetime JP4266682B2 (en) | 2002-03-29 | 2003-03-26 | Electronic device, driving method of electronic device, electro-optical device, and electronic apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4266682B2 (en) |
KR (1) | KR100490196B1 (en) |
CN (1) | CN1253842C (en) |
TW (1) | TWI293748B (en) |
Families Citing this family (108)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2419704A1 (en) | 2003-02-24 | 2004-08-24 | Ignis Innovation Inc. | Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode |
JP3950845B2 (en) | 2003-03-07 | 2007-08-01 | キヤノン株式会社 | Driving circuit and evaluation method thereof |
CA2443206A1 (en) | 2003-09-23 | 2005-03-23 | Ignis Innovation Inc. | Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation |
JP4026618B2 (en) * | 2004-05-20 | 2007-12-26 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device, inspection method thereof, and electronic apparatus |
CA2472671A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays |
KR100592641B1 (en) * | 2004-07-28 | 2006-06-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | Pixel circuit and organic light emitting display using the same |
CA2504571A1 (en) * | 2005-04-12 | 2006-10-12 | Ignis Innovation Inc. | A fast method for compensation of non-uniformities in oled displays |
KR20070101275A (en) | 2004-12-15 | 2007-10-16 | 이그니스 이노베이션 인크. | Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display |
US10012678B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US20140111567A1 (en) | 2005-04-12 | 2014-04-24 | Ignis Innovation Inc. | System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays |
US9171500B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays |
US9280933B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9275579B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-01 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US8576217B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-11-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
KR100613091B1 (en) * | 2004-12-24 | 2006-08-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | Data Integrated Circuit and Driving Method of Light Emitting Display Using The Same |
CA2495726A1 (en) | 2005-01-28 | 2006-07-28 | Ignis Innovation Inc. | Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays |
KR100748739B1 (en) * | 2005-01-28 | 2007-08-13 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | El display apparatus and method of driving the same |
CA2496642A1 (en) | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Ignis Innovation Inc. | Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming |
US7907137B2 (en) | 2005-03-31 | 2011-03-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Display drive apparatus, display apparatus and drive control method thereof |
EP1904995A4 (en) | 2005-06-08 | 2011-01-05 | Ignis Innovation Inc | Method and system for driving a light emitting device display |
KR20070006331A (en) | 2005-07-08 | 2007-01-11 | 삼성전자주식회사 | Display device and control method thereof |
CA2518276A1 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-13 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices |
EP2008264B1 (en) | 2006-04-19 | 2016-11-16 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
KR100967142B1 (en) * | 2006-08-01 | 2010-07-06 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | Display drive apparatus and display apparatus |
JP4935979B2 (en) * | 2006-08-10 | 2012-05-23 | カシオ計算機株式会社 | Display device and driving method thereof, display driving device and driving method thereof |
CA2556961A1 (en) | 2006-08-15 | 2008-02-15 | Ignis Innovation Inc. | Oled compensation technique based on oled capacitance |
JP4470955B2 (en) | 2007-03-26 | 2010-06-02 | カシオ計算機株式会社 | Display device and driving method thereof |
JP2009025741A (en) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Hitachi Displays Ltd | Image display device and its pixel deterioration correction method |
KR100893482B1 (en) * | 2007-08-23 | 2009-04-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic Light Emitting Display and Driving Method Thereof |
JP5254998B2 (en) | 2008-01-07 | 2013-08-07 | パナソニック株式会社 | Display device and driving method |
KR100902238B1 (en) | 2008-01-18 | 2009-06-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic light emitting display and driving method thereof |
JP2009192854A (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Casio Comput Co Ltd | Display drive device, display device, and drive control method thereof |
KR101518324B1 (en) * | 2008-09-24 | 2015-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and driving method thereof |
JP5083245B2 (en) * | 2008-09-30 | 2012-11-28 | カシオ計算機株式会社 | Pixel drive device, light emitting device, display device, and connection unit connection method for pixel drive device |
JP5256973B2 (en) * | 2008-09-30 | 2013-08-07 | カシオ計算機株式会社 | Pixel driving device, light emitting device, and display device |
JP5012774B2 (en) * | 2008-11-28 | 2012-08-29 | カシオ計算機株式会社 | Pixel drive device, light emitting device, and parameter acquisition method |
JP5012775B2 (en) * | 2008-11-28 | 2012-08-29 | カシオ計算機株式会社 | Pixel drive device, light emitting device, and parameter acquisition method |
JP5012776B2 (en) * | 2008-11-28 | 2012-08-29 | カシオ計算機株式会社 | Light emitting device and drive control method of light emitting device |
JP5454884B2 (en) * | 2009-02-17 | 2014-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | Electrophoretic display unit driving apparatus, electrophoretic apparatus, electronic apparatus, and electrophoretic display unit driving method |
JP5218222B2 (en) * | 2009-03-31 | 2013-06-26 | カシオ計算機株式会社 | Pixel driving device, light emitting device, and driving control method of light emitting device |
JP5540556B2 (en) * | 2009-04-28 | 2014-07-02 | カシオ計算機株式会社 | Display device and driving method thereof |
US9384698B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
US10319307B2 (en) | 2009-06-16 | 2019-06-11 | Ignis Innovation Inc. | Display system with compensation techniques and/or shared level resources |
CA2688870A1 (en) | 2009-11-30 | 2011-05-30 | Ignis Innovation Inc. | Methode and techniques for improving display uniformity |
CA2669367A1 (en) | 2009-06-16 | 2010-12-16 | Ignis Innovation Inc | Compensation technique for color shift in displays |
US9311859B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-04-12 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
KR20110024099A (en) | 2009-09-01 | 2011-03-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic light emitting display and image compensating method thereof |
KR101150163B1 (en) * | 2009-10-30 | 2012-05-25 | 주식회사 실리콘웍스 | Circuit and method for driving organic light emitting diode display |
US8497828B2 (en) | 2009-11-12 | 2013-07-30 | Ignis Innovation Inc. | Sharing switch TFTS in pixel circuits |
US10996258B2 (en) | 2009-11-30 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays |
US8803417B2 (en) | 2009-12-01 | 2014-08-12 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
CA2687631A1 (en) | 2009-12-06 | 2011-06-06 | Ignis Innovation Inc | Low power driving scheme for display applications |
US10176736B2 (en) | 2010-02-04 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US20140313111A1 (en) | 2010-02-04 | 2014-10-23 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
CA2692097A1 (en) | 2010-02-04 | 2011-08-04 | Ignis Innovation Inc. | Extracting correlation curves for light emitting device |
US10089921B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10163401B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US9881532B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
CA2696778A1 (en) | 2010-03-17 | 2011-09-17 | Ignis Innovation Inc. | Lifetime, uniformity, parameter extraction methods |
KR20120024267A (en) * | 2010-09-06 | 2012-03-14 | 삼성전기주식회사 | Organic light emitting diode driver |
US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
US9606607B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-03-28 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
US9530349B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
US9466240B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-11 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
JP2014517940A (en) | 2011-05-27 | 2014-07-24 | イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド | System and method for aging compensation in AMOLED displays |
US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
US9324268B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Ignis Innovation Inc. | Amoled displays with multiple readout circuits |
US9385169B2 (en) | 2011-11-29 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
US8937632B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-01-20 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
US9747834B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-08-29 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore |
US8922544B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-12-30 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
US9786223B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9336717B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-05-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9830857B2 (en) | 2013-01-14 | 2017-11-28 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
US9171504B2 (en) | 2013-01-14 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations |
US9721505B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-08-01 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
EP3043338A1 (en) | 2013-03-14 | 2016-07-13 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays |
US9952698B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-24 | Ignis Innovation Inc. | Dynamic adjustment of touch resolutions on an AMOLED display |
CN110634431B (en) | 2013-04-22 | 2023-04-18 | 伊格尼斯创新公司 | Method for inspecting and manufacturing display panel |
US9437137B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-09-06 | Ignis Innovation Inc. | Compensation accuracy |
US9741282B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
US9761170B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-09-12 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
JP6116706B2 (en) * | 2013-12-19 | 2017-04-19 | シャープ株式会社 | Display device and driving method thereof |
US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
US10997901B2 (en) | 2014-02-28 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Display system |
US10176752B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | Integrated gate driver |
DE102015206281A1 (en) | 2014-04-08 | 2015-10-08 | Ignis Innovation Inc. | Display system with shared level resources for portable devices |
CA2872563A1 (en) | 2014-11-28 | 2016-05-28 | Ignis Innovation Inc. | High pixel density array architecture |
CA2879462A1 (en) | 2015-01-23 | 2016-07-23 | Ignis Innovation Inc. | Compensation for color variation in emissive devices |
KR101978587B1 (en) * | 2015-02-03 | 2019-05-14 | 샤프 가부시키가이샤 | Display device and driving method thereof |
CA2889870A1 (en) | 2015-05-04 | 2016-11-04 | Ignis Innovation Inc. | Optical feedback system |
CA2892714A1 (en) | 2015-05-27 | 2016-11-27 | Ignis Innovation Inc | Memory bandwidth reduction in compensation system |
CA2898282A1 (en) | 2015-07-24 | 2017-01-24 | Ignis Innovation Inc. | Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays |
US10373554B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
US10657895B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
CA2900170A1 (en) | 2015-08-07 | 2017-02-07 | Gholamreza Chaji | Calibration of pixel based on improved reference values |
CA2909813A1 (en) | 2015-10-26 | 2017-04-26 | Ignis Innovation Inc | High ppi pattern orientation |
US20190012948A1 (en) * | 2015-12-29 | 2019-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Pixel circuit, and display device and driving method therefor |
US20180075798A1 (en) * | 2016-09-14 | 2018-03-15 | Apple Inc. | External Compensation for Display on Mobile Device |
DE102017222059A1 (en) | 2016-12-06 | 2018-06-07 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for reducing hysteresis |
US10714018B2 (en) | 2017-05-17 | 2020-07-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for loading image correction data for displays |
US11025899B2 (en) | 2017-08-11 | 2021-06-01 | Ignis Innovation Inc. | Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices |
TWI635474B (en) * | 2018-02-09 | 2018-09-11 | 友達光電股份有限公司 | Display apparatus and pixel detection method thereof |
US10971078B2 (en) | 2018-02-12 | 2021-04-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel measurement through data line |
KR102584639B1 (en) * | 2018-11-21 | 2023-10-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | Pixel circuit for display apparatus |
KR20230102109A (en) * | 2021-12-30 | 2023-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate driver and display device using the same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59181882A (en) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Toshiba Electric Equip Corp | Video display device |
JPH10254410A (en) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Pioneer Electron Corp | Organic electroluminescent display device, and driving method therefor |
US6229508B1 (en) * | 1997-09-29 | 2001-05-08 | Sarnoff Corporation | Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method |
JP2000187467A (en) * | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Stanley Electric Co Ltd | Control device for lighting organic el element and its method |
JP2003066865A (en) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Display substrate, and method and device for its inspection |
JP2003216100A (en) * | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | El (electroluminescent) display panel and el display device and its driving method and method for inspecting the same device and driver circuit for the same device |
-
2003
- 2003-03-26 JP JP2003085842A patent/JP4266682B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-28 CN CNB031075940A patent/CN1253842C/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-28 KR KR10-2003-0019409A patent/KR100490196B1/en active IP Right Grant
- 2003-03-28 TW TW092107327A patent/TWI293748B/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200402678A (en) | 2004-02-16 |
KR20030078741A (en) | 2003-10-08 |
CN1448908A (en) | 2003-10-15 |
JP2004004673A (en) | 2004-01-08 |
KR100490196B1 (en) | 2005-05-17 |
TWI293748B (en) | 2008-02-21 |
CN1253842C (en) | 2006-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4266682B2 (en) | Electronic device, driving method of electronic device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
JP2004004675A (en) | Electronic device, driving method for the same, electro-optical device, and electronic apparatus | |
US11074863B2 (en) | Pixel circuits for AMOLED displays | |
JP5536134B2 (en) | Display device and control method thereof | |
US20180240407A1 (en) | Pixel circuits for amoled displays | |
KR101574808B1 (en) | Display device and method for controlling the same | |
US7576718B2 (en) | Display apparatus and method of driving the same | |
US8228271B2 (en) | Active-matrix display and drive method thereof | |
TWI261218B (en) | Electronic circuit, electro-optic device, driving method of electro-optic device and electronic machine | |
US20060082528A1 (en) | Organic light emitting diode circuit having voltage compensation function and method for compensating | |
US20100283773A1 (en) | Driving integrated circuit and image display device including the same | |
TWI239497B (en) | Circuit, electro-luminance display apparatus, optoelectronic apparatus, electronic machine, control method of supplying current for the organic electro-luminance pixel, and method of driving circuit | |
US20040145556A1 (en) | Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus | |
WO2011030370A1 (en) | Display panel device and control method thereof | |
US20230018709A1 (en) | Pixel circuits for amoled displays | |
WO2015162650A1 (en) | Display device and method of controlling same | |
KR20080032072A (en) | Method and system for driving a light emitting device display | |
KR20150079247A (en) | Organic light emitting display device and method of driving the same | |
JP2011002605A (en) | Display driving device and method for driving the same | |
JP4984873B2 (en) | Electro-optical display device driving circuit, electro-optical display device, driving method thereof, and electronic apparatus | |
US20230377494A1 (en) | Display, pixel circuit, and method | |
JP2015102804A (en) | Display device and control method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050610 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051221 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060112 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081225 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4266682 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |