KR100486912B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 격벽 내벽에 형성된 형광체의 열화를 지연되도록 한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 상부기판과, 상기 상부기판 상에 형성된 투명전극으로 이루어진 한쌍의 유지전극과, 상기 유지전극쌍에 각각 형성된 버스전극과, 하부기판과, 상기 하부기판 상에 형성되며 유지전극에 직교하는 방향으로 형성된 어드레스전극과, 상기 상부기판과 하부기판 사이에서 형성되어 상기 유지전극쌍과 어드레스전극과의 교차지점마다 형성되는 다수의 방전공간을 형성하는 격벽과, 상기 방전공간 내의 격벽 내벽에 형광체를 형성한 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 격벽은 상기 방전공간 내의 폭(W1)이 방전공간과 이웃한 방전공간의 사이에서의 폭(W2)보다 작게 형성되며, 상기 방전공간 내의 격벽에 도포된 형광체는 상기 투명전극 패턴과 비중첩되는 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널{PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로 특히, 격벽 내벽에 형성된 형광체의 열화를 지연되도록 한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다)은 He+Xe, Ne+Xe, He+Xe+Ne 등의 불활성 혼합가스가 방전할 때 발생하는 자외선이 형광체를 발광시킴으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 PDP는 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 화질이 향상되고 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 3전극 교류 면방전형 PDP의 방전셀은 상부기판(10) 상에 형성되어진 스캔전극(28Y) 및 서스테인전극(28Z)과, 하부기판(18) 상에 형성되어진 어드레스전극(20X)을 구비한다.
스캔전극(28Y)과 서스테인전극(28Z) 각각은 투명전극(12Y,12Z)과, 투명전극(12Y,12Z)의 선폭보다 작은 선폭을 가지며 투명전극들의 일측 가장자리에 형성되는 금속버스전극(13Y,13Z)을 포함한다. 투명전극(12Y,12Z)은 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO)로 상부기판(10) 상에 형성된다. 금속버스전극(13Y,13Z)은 통상 크롬(Cr) 등의 금속으로 투명전극(12Y,12Z) 상에 형성되어 저항이 높은 투명전극(12Y,12Z)에 의한 전압강하를 줄이는 역할을 한다.
스캔전극(28Y)과 서스테인전극(28Z)이 나란하게 형성된 상부기판(10)에는 상부 유전체층(14)과 보호막(16)이 적층된다. 상부 유전체층(14)에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막(16)은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부 유전체층(14)의 손상을 방지함과 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보호막(16)으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.
어드레스전극(20X)이 형성된 하부기판(18) 상에는 하부 유전체층(22)과 격벽(24)이 형성되며, 하부 유전체층(22)과 격벽(24) 표면에는 형광체층(26)이 도포된다. 어드레스전극(20X)은 스캔전극(28Y) 및 서스테인전극(28Z)과 교차되는 방향으로 형성된다. 격벽(24)은 어드레스전극(20X)과 나란하게 형성되어 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체층(26)은 플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다. 상/하부기판(10,18)과 격벽(24) 사이에 마련된 방전공간에는 불활성 혼합가스가 주입된다.
PDP는 화상의 계조를 구현하기 위하여, 한 프레임을 발광횟수가 다른 여러 서브필드로 나누어 시분할 구동하게 된다. 각 서브필드는 전화면을 초기화시키기 위한 초기화기간과, 스캔라인을 선택하고 선택된 스캔라인에서 셀을 선택하기 위한 어드레스기간과, 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인기간으로 나뉘어진다. 여기서, 초기화기간은 상승램프파형이 공급되는 셋업기간과 하강램프파형이 공급되는 셋다운 기간으로 나뉘어진다.
예를 들어, 256 계조로 화상을 표시하고자 하는 경우에 도 3과 같이 1/60 초에 해당하는 프레임 기간(16.67ms)은 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지게 된다. 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 전술한 바와 같이, 초기화기간, 어드레스기간과 서스테인기간으로 나누어지게 된다. 각 서브필드의 초기화기간과 어드레스 기간은 각 서브필드마다 동일한 반면에 서스테인 기간은 각 서브필드에서 2n(n=0,1,2,3,4,5,6,7)의 비율로 증가된다.
도 4는 도 1에 도시된 PDP의 방전상태를 나타내는 단면도로서, 플라즈마 방전에 의해 발생된 자외선이 형광체층(26)에 여기되는 것을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 형광체층(26)은 격벽(24)의 내벽에 각각 형성된 제1 형광체층(26A)과, 상부기판(10) 상에 형성된 보호막(16) 표면에 형성된 제2 형광체층(26B)로 구성된다. 이러한 제1 및 제2 형광체층(26A,26B)는 플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다.
현재 PDP의 제1 및 제2 형광체층(26)은 격벽(24) 들에 의해 형성된 공간에 형광물질을 파일링(Filing)한 후 소정의 열 및 압력에 의한 바인더 번-아웃(Binder Burn-out)을 통하여 격벽(24) 내벽과 보호막(16) 표면에 소정 두께로 도포되도록 형성된다. 이 때 제1 형광체층(26A)은 격벽(24) 내벽에 도포됨으로 인한 보호막(16) 표면에 도포된 제2 형광체층(26B)보다 안정성 및 정형성 면이 떨어지는 불안한 상태를 가진다.
더구나 제1 형광체층(26A)은 제2 형광체층(26B)와는 달리 방전 자외선에 가깝게 노출되어 있다. 이로써, 초기 휘도에 대한 큰 손실은 제1 형광체층(26A) 영역에서 크다 할 수 있으며, 이는 수명 뿐만 아니라 잔상에도 치명적인 영향을 주는 단점이 있다. 특히, 바인더 번-아웃에 의해 영향을 제일 많이 받는 영역 즉, 격벽(24) 상단 측단부에서는 초기 방전영역과 근접함으로 인하여 치명적인 영향을 받게 된다.
제1 및 제2 형광체층(26A,26B)의 열화 요소는 자외선에 의한 손상, 방전에 관여하는 이온에 의한 손상 및 보호막(16)으로의 이온 침투에 의한 손상 등이 있다. 이 때, 제1 형광체층(26A)의 경우는 상기 각 요소들이 모두 심하게 작용하여 타격을 입히나, 제2 형광체층(26B)의 경우는 방전에 의한 자외선 및 이온들의 작용범위로 인하여 방전에 관여하는 이온에 의한 손상이 가장 심하게 작용하여 형광체층을 열화시키게 된다.
이러한 단점을 최소화하기 위해 최근에는 형광체의 도포 면적을 늘려 휘도의 강도를 크게 가져가기 위한 방법이 대두되고 있다. 이러한 경향에 의해 나온 PDP는 웰(Well) 타입 및 델타(Delta) 격벽 구조를 가진 것이다.
도 1 및 도 2를 참조하여 웰(Well) 타입 PDP를 설명하면, 스캔전극(28Y), 서스테인 전극(28Z) 및 어드레스전극(20X) 등의 구성은 동일하며 격벽(24) 구조에서만 다른 구조를 가진다.
웰(Well) 타입 PDP에서의 격벽(24)은 어드레스전극(20X)과 나란하게 형성된 장축 격벽과, 방전셀을 구분하기 위한 스캔전극(28Y) 및 서스테인전극(28Z)이 이루는 전극쌍과 나란하도록 상기 장축 격벽과 직교하는 단축 격벽으로 구성된다. 이러한 웰(Well) 타입 격벽(24)을 가지는 PDP의 경우에서도 상기 스트라입 구조의 PDP와 동일한 작용으로 인하여 기판에 수직인 격벽(24)의 내벽에 형광체층을 열화시키는 단점이 있게 된다.
도 5는 사각형 델타 격벽구조의 PDP이다.
도 5를 참조하면, PDP는 어드레스전극(30X)과, 어드레스전극(30X)과 교차되는 방향으로 형성되는 제1 및 제2 투명전극(33Y,33Z)과, 제1 및 제2 투명전극(33Y,33Z) 상면 중앙을 지나도록 형성되는 제1 및 제2 버스전극(32Y,32Z)과, 제1 투명전극(33Y)으로부터 신장되는 제1 투명 방전전극(34Y)과, 제2 투명 주전극(33Z)으로부터 신장되는 제2 투명 방전전극(34Z)을 구비한다. 제1 투명전극 및 투명 방전전극(33Y,34Y)과 제1 버스전극(32Y)은 스캔전극으로 이용되며, 제2 투명전극 및 투명 방전전극(33Z,34Z)과 제2 버스전극(32Z)은 서스테인전극으로 이용된다.
사각형 델타 격벽(42)은 버스전극들(32Y,32Z)과 나란하게 형성되는 다수의 제1 격벽(36)과, 제1 격벽(36)들의 사이에 어드레스전극(30X)과 나란하게 형성되는 제2 격벽(38)을 구비한다.
이와 같이 하나의 방전셀은 사각형 델타 격벽(42)에 의해 사면으로 둘러싸여 있어 형광체의 도포면적이 증가되고 반사율의 증가로 인하여 휘도를 향상시킬 수 있다. 또한, 격벽제조방법이나 구동방식은 기존의 것과 동일하여 추가적인 공정없이도 휘도와 효율의 증가를 얻을 수 있다.
그러나, 사각형 델타구조 PDP의 방전셀의 경우에는 제1 격벽(36)의 단축방향보다 제2 격벽(38)의 장축방향으로의 길이가 큰 직사각형의 형태가 된다. 따라서, 제1 및 제2 투명 방전전극(34Y,34Z)은 제1 격벽(36)과 대응되게 옆으로 길게 형성되어 제1 및 제2 투명 보조전극(34Y,34Z) 간의 거리가 짧아진다. 이 때 제1 및 제2 투명 주전극(33Y,33Z)을 통하여 제1 및 제2 투명 보조전극(34Y,34Z) 간에 방전이 일어날 경우 격벽(42) 내벽에 형광체층(도시하지 않음)이 열화되는 경우가 스트라입 구조와 동일하게 발생한다. 이러한 격벽(42) 내벽에 형성된 형광체층의 열화 요소로는 자외선에 의한 손상, 방전에 관여하는 이온에 의한 손상 및 보호막(16)으로의 이온 침투에 의한 손상 등이 있다. 이 때, 제1 및 제2 투명 보조전극(34Y,34Z) 간의 패턴 형태로 인하여 장축 방향의 제2 격벽(38)보다 단축 방향의 제1 격벽(36)에 더 많은 열화가 발생하게 되는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 격벽 내벽에 형성된 형광체의 열화를 지연되도록 한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 방전 공간에서 격벽의 폭을 줄임으로써 방전 공간을 넓히도록 한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 웰 타입 격벽 구조 PDP에서 단축 격벽을 버스전극 밖으로 위치시키도록 한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 단축 방향의 방전셀 사이에 블랙매트릭스를 형성함과 아울러 투명전극쌍 사이의 영역과 대응하는 장축 방향의 격벽 상에 블랙매트릭스를 형성함으로써 격벽 내벽에 형성된 형광체층의 열화를 지연하도록 한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 데 있다.
상기 목적들을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 상부기판과, 상기 상부기판 상에 형성된 투명전극으로 이루어진 한쌍의 유지전극과, 상기 유지전극쌍에 각각 형성된 버스전극과, 하부기판과, 상기 하부기판 상에 형성되며 유지전극에 직교하는 방향으로 형성된 어드레스전극과, 상기 상부기판과 하부기판 사이에서 형성되어 상기 유지전극쌍과 어드레스전극과의 교차지점마다 형성되는 다수의 방전공간을 형성하는 격벽과, 상기 방전공간 내의 격벽 내벽에 형광체를 형성한 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 격벽은 상기 방전공간 내의 폭(W1)이 방전공간과 이웃한 방전공간의 사이에서의 폭(W2)보다 작게 형 성되며, 상기 방전공간 내의 격벽에 도포된 형광체는 상기 투명전극 패턴과 비중첩되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서의 상기 격벽은 상기 어드레스전극과 같은 방향으로 형성된 스트라이프형일 경우, 상기 방전공간사이의 격벽의 폭(W2)보다 방전공간내에서의 격벽의 폭(W1)이 좌우가 각각 소정폭(D1)만큼 작은 것을 특징으로 한다.
본 발명에서의 상기 격벽은 상기 어드레스전극과 같은 방향으로 형성된 스트라이프형일 경우, 상기 방전공간사이의 격벽의 폭(W2)보다 방전공간내에서의 격벽의 폭(W1)이 어느 한 쪽이 소정폭(D2)만큼 줄어든 것을 특징으로 한다.
본 발명에서의 상기 D1은 상기 W1의 25% 정도인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서의 상기 D2은 상기 W1의 50% 정도인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서의 상기 방전공간 사이의 격벽의 폭(W2)은 방전공간 내에서 일부영역은 격벽의 좌측, 일부영역은 우측으로 소정폭(D2)만큼 줄어들어 방전공간내의 격벽이 지그재그 형태를 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서의 상기 유지전극은 상기 격벽폭의 차이가 생기는 영역에서는 패터닝되어 형성되지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서의 상기 격벽은 상기 어드레스전극과 유지전극방향으로 각각 단축방향과 장축방향의 격자형으로 형성된 웰타입인 경우, 상기 단축방향의 격벽에서 상기 방전공간내의 폭(W1)이 상기 방전공간과 이웃한 방전공간의 사이에서의 격벽의 폭(W2)보다 작게 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 경우 상기 방전공간 사이의 단축격벽의 폭(W2)보다 방전공간내에서의 단축 격벽의 폭(W1)이 좌우가 각각 소정폭(D1)만큼 작은 것을 특징으로 한다.
본 발명에서의 상기 D1은 상기 W2의 25% 정도인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서의 상기 단축방향 격벽은 상기 버스전극의 밖에 위치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서의 상기 유지전극은 상기 격벽폭의 차이가 생기는 영역에서는 패터닝되어 형성되지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 경우 상기 버스전극의 가장자리에서 1/3 가량의 위치에 블랙매트릭스를 형성한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 경우 상기 유지전극쌍 사이의 갭을 중심으로 블랙매트릭스를 형성한 것을 특징으로 한다.
상기 목적들 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하 도 6 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP는 어드레스전극(60X)과, 어드레스전극(60X)과 교차되는 방향으로 형성된 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)과, 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)과, 제1 버스전극(62Y)으로부터 신장되는 제1 투명전극(64Y)과, 제2 버스전극(64Z)으로부터 신장되는 제2 투명전극(64Z)을 구비한다. 제1 투명전극(64Y)과 제1 버스전극(62Y)은 스캔전극으로 이용되며, 제2 투명전극(64Z)과 제2 버스전극(62Z)은 서스테인전극으로 이용된다. 제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)은 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO)로 상부기판 상에 형성된다. 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)은 통상 크롬(Cr) 등의 금속으로 형성되어 투명전극들(64Y,64Z)에 전압신호를 인가함과 아울러 저항이 높은 투명전극(64Y,64Z)에 의한 전압강하를 줄이는 역할을 한다.
제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)이 형성된 상부기판에는 상부 유전체층(도시하지 않음)과 보호막(도시하지 않음)이 적층된다. 상부 유전체층에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부 유전체층의 손상을 방지함과 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보호막으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.
어드레스전극(60X)이 형성된 하부기판 상에는 하부 유전체층(도시하지 않음)과 격벽(66)이 형성되며, 하부 유전체층과 격벽(66) 표면에는 형광체층(68)이 도포된다. 격벽(66)은 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z) 사이에 소정 영역이 겹치도록 방전공간들 사이에 형성되는 다수의 제1 격벽(66A)과, 제1 격벽(66A)들의 사이에 어드레스전극(60X)과 나란하게 형성되는 다수의 제2 격벽(66B)을 구비한다. 이 때 제2 격벽(66B)은 제1 격벽(66A)의 폭을 기준으로 방전공간에서 좌우폭을 각각 25% 씩 깎아내도록 구성된다. 격벽(66)은 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체층(68)은 플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다. 상/하부기판과 격벽(66) 사이에 마련된 방전공간에는 불활성 혼합가스가 주입된다.
상기 구성을 통하여 보면, 본 발명에 따른 PDP의 경우 제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)은 스트라이프 형태로 계속 이어지는 것이 아니라 제1 격벽(66A)에 형광체층(68)이 도포된 영역만큼을 패터닝 한 형태를 가진다. 이로써, 방전셀에서 제2 격벽(66B)과 인접된 영역의 투명전극이 존재하지 않도록 구성한다. 이 경우 플라즈마 볼륨의 이격 거리를 두게 되어 투명전극들(64Y,64Z)을 통하여 제2 격벽(66B)에 미치는 자외선에 의한 손상, 방전에 관여하는 이온에 의한 손상 및 보호막으로의 이온 침투에 의한 손상을 완화시킬 수 있다. 특히, 녹색 형광체층은 적색 및 청색 형광체층과 비교하여 방전 특성에 따른 방전셀의 휘도 특성에 있어서 높은 비중을 가지는 데, 이 경우 형광체층의 열화로 인한 최기 휘도 특성이 떨어지는 것을 완화시킬 수 있게 된다.
또한 형광체층(68)의 구성물질로 방전에 관여하는 이온에 의한 손상에는 강하나 자외선에 의한 손상에는 약하여 종래 사용하지 못한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O19:Mn2+계열의 형광체를 적용할 수 있다는 장점을 가질 수 있게 된다. 이러한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O19:Mn2+계열의 형광체의 경우 방전에 관여하는 이온에 의한 손상에는 강하나 자외선에 의한 손상에는 다소 약하여 종래의 Zn-silicate의 형광체 대비 초기 휘도 비율이 많이 떨어진다는 부정적인 면 때문에 방전 전압 특성이 종래 녹색 형광체층보다 월등히 우수함에도 불구하고 적용이 없었다. 이로 인하여, 본 발명의 경우에는 방전 전압 특성이 우수한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O 19:Mn2+계열의 형광체를 사용함으로써 휘도 특성도 향상시킬 수 있게 된다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 PDP는 어드레스전극(60X)과, 어드레스전극(60X)과 교차되는 방향으로 형성된 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)과, 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)과, 제1 버스전극(62Y)으로부터 신장되는 제1 투명전극(64Y)과, 제2 버스전극(64Z)으로부터 신장되는 제2 투명전극(64Z)을 구비한다. 제1 투명전극(64Y)과 제1 버스전극(62Y)은 스캔전극으로 이용되며, 제2 투명전극(64Z)과 제2 버스전극(62Z)은 서스테인전극으로 이용된다. 제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)은 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO)로 상부기판 상에 형성된다. 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)은 통상 크롬(Cr) 등의 금속으로 형성되어 투명전극들(64Y,64Z)에 전압신호를 인가함과 아울러 저항이 높은 투명전극(64Y,64Z)에 의한 전압강하를 줄이는 역할을 한다.
제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)이 형성된 상부기판에는 상부 유전체층(도시하지 않음)과 보호막(도시하지 않음)이 적층된다. 상부 유전체층에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부 유전체층의 손상을 방지함과 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보호막으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.
어드레스전극(60X)이 형성된 하부기판 상에는 하부 유전체층(도시하지 않음)과 격벽(66)이 형성되며, 하부 유전체층과 격벽(66) 표면에는 형광체층(68)이 도포된다. 격벽(66)은 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z) 사이에 소정 영역이 겹치도록 방전공간들 사이에 형성되는 다수의 제1 격벽(66A)과, 제1 격벽(66A)들의 사이에 어드레스전극(60X)과 나란하게 형성되는 다수의 제2 격벽(66B)을 구비한다. 이 때 제2 격벽(66B)은 제1 격벽(66A)의 폭을 기준으로 방전공간에서 좌측 폭이 50% 정도 깎아내도록 구성된다. 격벽(66)은 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체층(68)은 플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다. 상/하부기판과 격벽(66) 사이에 마련된 방전공간에는 불활성 혼합가스가 주입된다.
상기 구성을 통하여 보면, 본 발명에 따른 PDP의 경우 제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)은 스트라이프 형태로 계속 이어지는 것이 아니라 제1 격벽(66A)에 형광체층(68)이 도포된 영역만큼을 패터닝한 형태를 가진다. 이로써, 방전셀에서 제2 격벽(66B)의 좌측의 소정 영역에는 투명전극이 존재하지 않도록 구성되어진다. 이 경우 플라즈마 볼륨의 이격 거리를 두게 되어 투명전극들(64Y,64Z)을 통하여 제2 격벽(66B)에 미치는 자외선에 의한 손상, 방전에 관여하는 이온에 의한 손상 및 보호막으로의 이온 침투에 의한 손상을 완화시킬 수 있게 된다. 특히, 녹색 형광체층은 적색 및 청색 형광체층과 비교하여 방전 특성에 따른 방전셀의 휘도 특성에 있어서 높은 비중을 가지는 데, 이 경우 형광체층의 열화로 인한 초기 휘도 특성이 떨어지는 것을 완화시킬 수 있게 된다.
또한 형광체층(68)의 구성물질로 방전에 관여하는 이온에 의한 손상에는 강하나 자외선에 의한 손상에는 약하여 종래 사용하지 못한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O19:Mn2+계열의 형광체를 적용할 수 있다는 장점을 가질 수 있게 된다. 이러한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O19:Mn2+계열의 형광체의 경우 방전에 관여하는 이온에 의한 손상에는 강하나 자외선에 의한 손상에는 다소 약하여 종래의 Zn-silicate의 형광체 대비 초기 휘도 비율이 많이 떨어진다는 부정적인 면 때문에 방전 전압 특성이 종래 녹색 형광체층보다 월등히 우수함에도 불구하고 적용이 없었다. 이로 인하여, 본 발명의 경우에는 방전 전압 특성이 우수한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O 19:Mn2+계열의 형광체를 사용함으로써 휘도 특성도 향상시킬 수 있게 된다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 PDP는 어드레스전극(60X)과, 어드레스전극(60X)과 교차되는 방향으로 형성된 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)과, 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)과, 제1 버스전극(62Y)으로부터 신장되는 제1 투명전극(64Y)과, 제2 버스전극(64Z)으로부터 신장되는 제2 투명전극(64Z)을 구비한다. 제1 투명전극(64Y)과 제1 버스전극(62Y)은 스캔전극으로 이용되며, 제2 투명전극(64Z)과 제2 버스전극(62Z)은 서스테인전극으로 이용된다. 제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)은 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO)로 상부기판 상에 형성된다. 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)은 통상 크롬(Cr) 등의 금속으로 형성되어 투명전극들(64Y,64Z)에 전압신호를 인가함과 아울러 저항이 높은 투명전극(64Y,64Z)에 의한 전압강하를 줄이는 역할을 한다.
제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)이 형성된 상부기판에는 상부 유전체층(도시하지 않음)과 보호막(도시하지 않음)이 적층된다. 상부 유전체층에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부 유전체층의 손상을 방지함과 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보호막으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.
어드레스전극(60X)이 형성된 하부기판 상에는 하부 유전체층(도시하지 않음)과 격벽(66)이 형성되며, 하부 유전체층과 격벽(66) 표면에는 형광체층(68)이 도포된다. 격벽(66)은 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z) 사이에 소정 영역이 겹치도록 방전공간들 사이에 형성되는 다수의 제1 격벽(66A)과, 제1 격벽(66A)들의 사이에 어드레스전극(60X)과 나란하게 형성되는 다수의 제2 격벽(66B)을 구비한다. 이 때 제2 격벽(66B)은 방전공간에서 제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z) 마다 제1 격벽(66A)의 폭을 기준으로 좌측 또는 우측 폭이 50% 정도 각각 깎아내도록 구성된다. 이를 상세히 하면, 제1 투명전극(64Y)과 대응하는 각각의 좌측 격벽(66A)은 제1 격벽(66A)의 폭을 기준으로 우측 폭이 50% 정도 깎아내도록 구성되며, 제2 투명전극(64Z)과 대응하는 각각의 우측 격벽은 제1 격벽(66A)의 폭을 기준으로 좌측 폭이 50% 정도 깎아내도록 구성된다. 이들에 대한 깎아지는 부분은 서로 바뀔 수 있다. 이로써, 제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)과 대향하는 제2 격벽(66B)은 제1 격벽(66A)의 폭 내에서 지그재그(Zigzag) 형태로 구성되어진다. 이러한 격벽(66)은 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체층(68)은 플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다. 상/하부기판과 격벽(66) 사이에 마련된 방전공간에는 불활성 혼합가스가 주입된다.
상기 구성을 통하여 보면, 본 발명에 따른 PDP의 경우 제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)은 스트라이프 형태로 계속 이어지는 것이 아니라 제1 격벽(66A)에 형광체층(68)이 도포된 영역만큼을 패터닝한 형태를 가진다. 이로써, 방전셀에서 제1 격벽(66A)이 전 영역에서 연장된 경우로 가정할 경우 제1 격벽(66A)에 형광체층(68)이 도포된 영역 만큼에는 투명전극이 존재하지 않도록 구성된다. 이 경우 플라즈마 볼륨의 이격 거리를 두게 되어 투명전극들(64Y,64Z)을 통하여 제2 격벽(66B)에 미치는 자외선에 의한 손상, 방전에 관여하는 이온에 의한 손상 및 보호막으로의 이온 침투에 의한 손상을 완화시킬 수 있다. 특히, 녹색 형광체층은 적색 및 청색 형광체층과 비교하여 방전 특성에 따른 방전셀의 휘도 특성에 있어서 높은 비중을 가지는 데, 이 경우 형광체층의 열화로 인한 최기 휘도 특성이 떨어지는 것을 완화시킬 수 있게 된다.
또한 형광체층(68)의 구성물질로 방전에 관여하는 이온에 의한 손상에는 강하나 자외선에 의한 손상에는 약하여 종래 사용하지 못한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O19:Mn2+계열의 형광체를 적용할 수 있다는 장점을 가질 수 있게 된다. 이러한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O19:Mn2+계열의 형광체의 경우 방전에 관여하는 이온에 의한 손상에는 강하나 자외선에 의한 손상에는 다소 약하여 종래의 Zn-silicate의 형광체 대비 초기 휘도 비율이 많이 떨어진다는 부정적인 면 때문에 방전 전압 특성이 종래 녹색 형광체층보다 월등히 우수함에도 불구하고 적용이 없었다. 이로 인하여, 본 발명의 경우에는 방전 전압 특성이 우수한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O 19:Mn2+계열의 형광체를 사용함으로써 휘도 특성도 향상시킬 수 있게 된다.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이고, 도 10은 도 9에 도시된 PDP의 단면을 나타내는 도면이다. 이들은 제1 및 제3 실시예와는 달리 웰(Well) 타입 격벽 구조를 가지는 PDP를 나타낸 것이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 PDP는 어드레스전극(60X)과, 어드레스전극(60X)과 교차되는 방향으로 형성된 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)과, 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)과, 제1 버스전극(62Y)으로부터 신장되는 제1 투명전극(64Y)과, 제2 버스전극(64Z)으로부터 신장되는 제2 투명전극(64Z)을 구비한다. 제1 투명전극(64Y)과 제1 버스전극(62Y)은 스캔전극으로 이용되며, 제2 투명전극(64Z)과 제2 버스전극(62Z)은 서스테인전극으로 이용된다. 제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)은 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO)로 상부기판 상에 형성된다. 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)은 통상 크롬(Cr) 등의 금속으로 형성되어 투명전극들(64Y,64Z)에 전압신호를 인가함과 아울러 저항이 높은 투명전극(64Y,64Z)에 의한 전압강하를 줄이는 역할을 한다. 또한, 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)의 외측 1/3 정도를 덮도록 절연물질로 구성된 블랙매트릭스(76)을 구비한다. 이 때 블랙매트릭스(76)은 도 10에서와 같이 이웃하는 방전셀의 버스전극(62Y,62Z)의 외측 1/3 영역 및 방전셀 간 사이 영역에 걸쳐 구성되어 지며, 버스전극(62Y,62Z)의 외측 1/3 영역만을 덮도록 구성할 수도 있다. 이러한 블랙매트릭스(76)는 방전에 의한 전하들이 상대하는 방전셀에 영향을 미치는 것을 방지함과 아울러 방전에 의해 제1 격벽(70)의 측면 상단부가 방전에 의한 전하들에 의해 손상을 입는 것을 방지하는 역할을 한다.
제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)이 형성된 상부기판에는 상부 유전체층(도시하지 않음)과 보호막(도시하지 않음)이 적층된다. 상부 유전체층에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부 유전체층의 손상을 방지함과 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보호막으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.
어드레스전극(60X)이 형성된 하부기판 상에는 하부 유전체층(도시하지 않음)과 격벽(74)이 형성되며, 하부 유전체층과 격벽(74) 표면에는 형광체층(68)이 도포된다. 격벽(74)은 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)과 나란하도록 세로 방향의 방전셀을 구분하도록 형성된 다수의 제1 격벽(70)과, 제1 격벽(70)과 직교하도록 형성되어 가로 방향의 방전셀을 구분하도록 형성된 다수의 제2 격벽(72)을 구비한다. 이 때 제1 격벽(70)은 제1 및 제2 버스전극(62Y,62Z)이 형성된 영역을 벗어나도록 형성된다. 제2 격벽(72)은 제1 격벽(70)들로부터 소정 영역만큼 신장되도록 형성된 제1 세로격벽(72A)과, 제1 세로격벽(72A) 사이를 접속하도록 형성되며 제1 세로격벽(72A)보다 좁은 폭을 가지도록 형성된 제2 세로격벽(72B)을 구비한다. 이 때, 제2 세로격벽(72B)은 방전공간에서 제1 세로격벽(72A)을 기준으로 중앙부로 약 25% 정도 깎아지도록 구성된다. 또한, 본 발명에 따른 제2 세로격벽(72B)의 형태는 제2 및 제3 실시예에서와 같이 한쪽만이 50% 정도 깎아지도록 구성되거나 지그재그(Zigzag) 형태로 깎아지도록 구성되어질 수 있다.
이러한 격벽(74)은 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체층(68)은 플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다. 상/하부기판과 격벽(66) 사이에 마련된 방전공간에는 불활성 혼합가스가 주입된다.
상기 구성을 통하여 보면, 본 발명에 따른 PDP의 경우 제1 및 제2 투명전극(64Y,64Z)은 스트라이프 형태로 계속 이어지는 것이 아니라 제1 격벽(70A)에 형광체층(68)이 도포된 영역만큼을 패터닝한 형태를 가진다. 이로써, 방전셀에서 제2 격벽(72)이 전 영역에서 연장된 경우로 가정할 경우 제2 격벽(72)에 형광체층(68)이 도포된 영역 만큼에는 투명전극이 존재하지 않도록 구성된다. 이 경우 플라즈마 볼륨의 이격 거리를 두게 되어 투명전극들(64Y,64Z)을 통하여 제2 격벽(72)에 미치는 자외선에 의한 손상, 방전에 관여하는 이온에 의한 손상 및 보호막으로의 이온 침투에 의한 손상을 완화시킬 수 있다. 특히, 녹색 형광체층은 적색 및 청색 형광체층과 비교하여 방전 특성에 따른 방전셀의 휘도 특성에 있어서 높은 비중을 가지는 데, 이 경우 형광체층의 열화로 인한 최기 휘도 특성이 떨어지는 것을 완화시킬 수 있게 된다.
또한 형광체층(68)의 구성물질로 방전에 관여하는 이온에 의한 손상에는 강하나 자외선에 의한 손상에는 약하여 종래 사용하지 못한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O19:Mn2+계열의 형광체를 적용할 수 있다는 장점을 가질 수 있게 된다. 이러한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O19:Mn2+계열의 형광체의 경우 방전에 관여하는 이온에 의한 손상에는 강하나 자외선에 의한 손상에는 다소 약하여 종래의 Zn-silicate의 형광체 대비 초기 휘도 비율이 많이 떨어진다는 부정적인 면 때문에 방전 전압 특성이 종래 녹색 형광체층보다 월등히 우수함에도 불구하고 적용이 없었다. 이로 인하여, 본 발명의 경우에는 방전 전압 특성이 우수한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O 19:Mn2+계열의 형광체를 사용함으로써 휘도 특성도 향상시킬 수 있게 된다.
도 11은 본 발명의 제5 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이고, 도 12는 도 11에 도시된 PDP의 단면을 나타내는 도면이다. 이들은 도 10과 비교하여 투명전극쌍 사이 영역과 대응하는 제2 격벽과 상판 사이에 블랙매트릭스(BM)가 추가로 형성된 것을 나타낸다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 PDP는 어드레스전극(88)과, 어드레스전극(88)과 교차되는 방향으로 형성된 제1 및 제2 버스전극(83Y,83Z)과, 제1 및 제2 버스전극(83Y,83Z)과, 제1 버스전극(83Y)으로부터 신장되는 제1 투명전극(82Y)과, 제2 버스전극(83Z)으로부터 신장되는 제2 투명전극(82Z)을 구비한다. 제1 투명전극(82Y)과 제1 버스전극(83Y)은 스캔전극으로 이용되며, 제2 투명전극(82Z)과 제2 버스전극(83Z)은 서스테인전극으로 이용된다. 제1 및 제2 투명전극(82Y,82Z)은 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO)로 상부기판 상에 형성된다. 제1 및 제2 버스전극(83Y,83Z)은 통상 크롬(Cr) 등의 금속으로 형성되어 투명전극들(82Y,82Z)에 전압신호를 인가함과 아울러 저항이 높은 투명전극(82Y,82Z)에 의한 전압강하를 줄이는 역할을 한다.
제1 및 제2 투명전극(82Y,82Z)이 형성된 상부기판에는 상부 유전체층(84)과 보호막(도시하지 않음)이 적층된다. 상부 유전체층(84)에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부 유전체층의 손상을 방지함과 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보호막으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.
어드레스전극(88X)이 형성된 하부기판(86) 상에는 하부 유전체층(90)과 격벽(92)이 형성되며, 하부 유전체층(90)과 격벽(92) 표면에는 형광체층(100)이 도포된다. 격벽(92)은 제1 및 제2 버스전극(83Y,83Z)과 나란하도록 세로 방향의 방전셀을 구분하도록 형성된 다수의 제1 격벽(94A)과, 제1 격벽(94A)과 직교하도록 형성되어 가로 방향의 방전셀을 구분하도록 형성된 다수의 제2 격벽(94B)을 구비한다. 이 때 제1 격벽(94A)은 제1 및 제2 버스전극(83Y,83Z)이 형성된 영역을 벗어나도록 형성된다. 제2 격벽(94B)은 제1 격벽(94A)들로부터 소정 영역만큼 신장되도록 형성된 제1 세로격벽(96A)과, 제1 세로격벽(96A) 사이를 접속하도록 형성되며 제1 세로격벽(96A)보다 좁은 폭을 가지도록 형성된 제2 세로격벽(96B)을 구비한다. 이 때, 제2 세로격벽(96B)은 방전공간에서 제1 세로격벽(96A)을 기준으로 중앙부로 약 25% 정도 깎아지도록 구성된다. 또한, 본 발명에 따른 제2 세로격벽(96B)의 형태는 제2 및 제3 실시예에서와 같이 한쪽만이 50% 정도 깎아지도록 구성되거나 지그재그(Zigzag) 형태로 깎아지도록 구성되어질 수 있다.
이러한 격벽(92)은 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체층(100)은 플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다. 상/하부기판과 격벽(66) 사이에 마련된 방전공간에는 불활성 혼합가스가 주입된다.
또한, 제1 및 제2 버스전극(83Y,83Z)의 외측 1/3 정도를 덮도록 절연물질로 구성된 제1 블랙매트릭스(98A)를 구비한다. 이 때 제1 블랙매트릭스(98A)은 도 12에서와 같이 이웃하는 방전셀의 버스전극(83Y,83Z)의 외측 1/3 영역 및 방전셀 간 사이 영역에 걸쳐 구성되어 지며, 버스전극(83Y,83Z)의 외측 1/3 영역만을 덮도록 구성할 수도 있다. 이러한 제1 블랙매트릭스(98A)는 방전에 의한 전하들이 상대하는 방전셀에 영향을 미치는 것을 방지함과 아울러 방전에 의해 제1 격벽(94A)의 측면 상단부가 방전에 의한 전하들에 의해 손상을 입는 것을 방지하는 역할을 한다. 또한, 제1 및 제2 투명전극(82Y,82Z) 사이 영역과 대응함과 아울러 제2 세로격벽(96B)과 대향하는 상부 유전체층(84) 상에는 제2 블랙매트릭스(98B)를 구비한다. 이러한 제2 블랙매트릭스(98B)는 제1 블랙매트릭스(98A)만이 구성되어 있을 경우 제1 격벽(94A)이 들려 있음으로 인하여 야기되는 격벽의 무너짐과 정형성을 막음과 아울러 투명전극쌍(82Y,82Z) 사이의 방전에 의한 강한 전계가 제1 격벽(94A) 만의 형성으로 인한 제2 격벽(94B)을 넘어 인접 방전셀에 형성된 형광체층(100)이 입는 손상을 최소화시키기 위한 것이다.
상기 구성을 통하여 보면, 본 발명에 따른 PDP의 경우 제1 및 제2 투명전극(82Y,82Z)은 스트라이프 형태로 계속 이어지는 것이 아니라 제1 격벽(94A)에 형광체층(100)이 도포된 영역만큼을 패터닝한 형태를 가진다. 이로써, 방전셀에서 제2 격벽(94B)이 전 영역에서 연장된 경우로 가정할 경우 제2 격벽(94B)에 형광체층(100)이 도포된 영역 만큼에는 투명전극이 존재하지 않도록 구성된다. 이 경우 플라즈마 볼륨의 이격 거리를 두게 되어 투명전극들(82Y,82Z)을 통하여 제2 격벽(94B)에 미치는 자외선에 의한 손상, 방전에 관여하는 이온에 의한 손상 및 보호막으로의 이온 침투에 의한 손상을 완화시킬 수 있다. 특히, 녹색 형광체층은 적색 및 청색 형광체층과 비교하여 방전 특성에 따른 방전셀의 휘도 특성에 있어서 높은 비중을 가지는 데, 이 경우 형광체층의 열화로 인한 최기 휘도 특성이 떨어지는 것을 완화시킬 수 있게 된다.
또한 형광체층(100)의 구성물질로 방전에 관여하는 이온에 의한 손상에는 강하나 자외선에 의한 손상에는 약하여 종래 사용하지 못한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O19:Mn2+계열의 형광체를 적용할 수 있다는 장점을 가질 수 있게 된다. 이러한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O19:Mn2+계열의 형광체의 경우 방전에 관여하는 이온에 의한 손상에는 강하나 자외선에 의한 손상에는 다소 약하여 종래의 Zn-silicate의 형광체 대비 초기 휘도 비율이 많이 떨어진다는 부정적인 면 때문에 방전 전압 특성이 종래 녹색 형광체층보다 월등히 우수함에도 불구하고 적용이 없었다. 이로 인하여, 본 발명의 경우에는 방전 전압 특성이 우수한 (Y,Gd)BO3:Tb3+나 BaAl12O 19:Mn2+계열의 형광체를 사용함으로써 휘도 특성도 향상시킬 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 투명전극쌍과 직교하는 격벽의 폭을 방전 공간에서 줄여줌으로써 방전 공간 내의 격벽 간 거리를 넓게 유지한다. 그리고, 폭을 줄이기 전의 격벽에 형광체가 도포된 영역에는 투명전극이 존재하지 않도록 구성된다. 이로 인하여, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 투명전극쌍 간의 방전에 의한 형광체층의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 웰 타입 구조시 단축 격벽을 버스전극 밖으로 위치시키고 버스전극의 1/3 정도를 덮도록 블랙매트릭스를 도포함으로써 방전에 의한 전계가 단축 격벽 방향으로 오는 정도를 약화시켜 형광체층의 열화를 방지할 수 있다.
나아가, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 투명전극들 사이 영역과 대응하는 장축 방향 격벽과 대향하는 상부기판 상에 추가로 블랙매트릭스를 형성함으로써 장축 방향의 격벽을 넘어 오는 전계에 의한 인접 방전셀의 형광체층의 열화를 방지할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1은 종래기술에 따른 3전극 교류 면방전형 PDP의 방전셀을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 평면도를 나타내는 도면이다.
도 3은 통상적인 PDP의 한 프레임 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 PDP의 방전상태를 나타내는 단면도이다.
도 5는 사각형 델타 격벽구조의 PDP이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 PDP의 단면을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제5 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 PDP의 단면을 나타내는 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10,80 : 상부기판
12Y,12Z,33Y,33Z,64Y,64Z,82Y,82Z : 투명전극
13Y,13Z,32Y,32Z,62Y,62Z,83Y,83Z : 금속버스전극
14,84 : 상부 유전체층 16 : 보호막
18,86 : 하부기판 20X,30X,60X,88 : 어드레스전극
22 : 하부 유전체층 24,36,38,42,66,70,72,74,92 : 격벽
26,68,100 : 형광체층 28Y : 스캔전극
28Z : 서스테인전극 34Y,34Z : 투명 방전전극
76,98 : 블랙매트릭스

Claims (14)

  1. 상부기판과, 상기 상부기판 상에 형성된 투명전극으로 이루어진 한쌍의 유지전극과, 상기 유지전극쌍에 각각 형성된 버스전극과, 하부기판과, 상기 하부기판 상에 형성되며 유지전극에 직교하는 방향으로 형성된 어드레스전극과, 상기 상부기판과 하부기판 사이에서 형성되어 상기 유지전극쌍과 어드레스전극과의 교차지점마다 형성되는 다수의 방전공간을 형성하는 격벽과, 상기 방전공간 내의 격벽 내벽에 형광체를 형성한 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 격벽은 상기 방전공간 내의 폭(W1)이 방전공간과 이웃한 방전공간의 사이에서의 폭(W2)보다 작게 형성되며,
    상기 방전공간 내의 격벽에 도포된 형광체는 상기 투명전극 패턴과 비중첩되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 격벽은 상기 어드레스전극과 같은 방향으로 형성된 스트라이프형일 경우, 상기 방전공간사이의 격벽의 폭(W2)보다 방전공간내에서의 격벽의 폭(W1)이 좌우가 각각 소정폭(D1)만큼 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 격벽은 상기 어드레스전극과 같은 방향으로 형성된 스트라이프형일 경우, 상기 방전공간사이의 격벽의 폭(W2)보다 방전공간내에서의 격벽의 폭(W1)이 어느 한 쪽이 소정폭(D2)만큼 줄어든 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 D1은 상기 W1의 25% 정도인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 D2은 상기 W1의 50% 정도인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 방전공간 사이의 격벽의 폭(W2)은 방전공간 내에서 일부영역은 격벽의 좌측, 일부영역은 우측으로 소정폭(D2)만큼 줄어들어 방전공간내의 격벽이 지그재그 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 유지전극은 상기 격벽폭의 차이가 생기는 영역에서는 패터닝되어 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 격벽은 상기 어드레스전극과 유지전극방향으로 각각 단축방향과 장축방향의 격자형으로 형성된 웰타입인 경우,
    상기 단축방향의 격벽에서 상기 방전공간내의 폭(W1)이 상기 방전공간과 이웃한 방전공간의 사이에서의 격벽의 폭(W2)보다 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 방전공간 사이의 단축격벽의 폭(W2)보다 방전공간내에서의 단축 격벽의 폭(W1)이 좌우가 각각 소정폭(D1)만큼 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 D1은 상기 W2의 25% 정도인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 단축방향 격벽은 상기 버스전극의 밖에 위치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 유지전극은 상기 격벽폭의 차이가 생기는 영역에서는 패터닝되어 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 버스전극의 가장자리에서 1/3 가량의 위치에 블랙매트릭스를 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 유지전극쌍 사이의 갭을 중심으로 블랙매트릭스를 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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