KR100473678B1 - 표시패널 구동장치 - Google Patents

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KR100473678B1 KR10-2003-0012805A KR20030012805A KR100473678B1 KR 100473678 B1 KR100473678 B1 KR 100473678B1 KR 20030012805 A KR20030012805 A KR 20030012805A KR 100473678 B1 KR100473678 B1 KR 100473678B1
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Abstract

셀 데이터 기입 행정시의 소비전력을 저감시키는 것이 가능한 표시패널 구동장치를 제공한다.
화상신호에 따라 표시패널의 열전극마다 열전극상의 셀 각각에 대해서의 발광 또는 비발광을 나타내는 비트 열로 되는 셀 데이터를 작성하고, 공진작용에 의해 소정의 최소전위를 포함하는 공진진폭신호를 발생하고, 공진진폭신호의 상승기간과 하강기간 사이에 소정의 최대전위를 주어 셀 데이터의 1비트분에 대응한 시간폭의 전원펄스를 순차생성하고, 열전극마다 설치되어 셀 디어터의 비트열의 논리레벨을 그 비트열 순으로 판별하여 그 발광의 논리레벨을 나타내는 비트일 때 전원펄스를 구동펄스로서 대응하는 열전극에 공급하고, 셀 데이터의 기입시의 전력의 대소를 판별하고, 그 판별결과에 따라 공진진폭신호의 상승기간과 하강기간을 변화시킨다.

Description

표시패널 구동장치{DRIVING APPARATUS FOR A DISPLAY PANEL}
본 발명은 교류구동형 플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP라고 한다) 또는 일렉트로루미네센스 디스플레이 패널(이하, ELP라고 한다) 등의 용량성 부하를 가지는 표시패널의 구동장치에 관한 것이다.
현재, 벽걸이형 TV로서, PDP 또는 ELP 등의 용량성 발광소자로 되는 표시패널이 제품화되고 있다.
도1은 이러한 표시패널로서 PDP를 사용한 플라즈마 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도1에서, 플라즈마 디스플레이 패널로서의 PDP(10)는 X 및 Y의 한쌍에서 1화면의 각 행(제1행∼제n행)에 대응한 행전극쌍을 위한 행전극 Y1∼Yn 및 X1∼X n을 구비하고 있다. 더욱이, PDP(10)에는 상기 행전극쌍에 직교하고, 도시되지 않은 유전체층 및 방전공간을 사이에 끼워 1화면의 각 열(제1열∼제m열)에 대응한 열전극(Z1∼Zm)이 형성되어 있다. 또, 1쌍의 행전극쌍(X, Y)와 하나의 열전극 Z와의 교차부에 1화소를 담당하는 방전셀이 형성된다.
이때, 각 방전셀은 그 방전셀내에서 방전이 일어나는지 아닌지에 의해 "발광" 및 "비발광"의 두가지 상태만을 갖는다. 즉, 최저휘도(비발광상태), 및 최고휘도(발광상태)의 2계조분의 휘도(gradating luminances)만을 표현할 수 있기 때문이다.
그래서, 이러한 발광소자를 가지는 PDP(10)에 대해 입력된 영상신호에 대응한 중간조의 휘도(halftone luminance)를 얻기 위해 구동장치(100)는 서브필드법을 사용한 계조구동(gradation driving)을 실시한다.
서브필드법으로는 입력된 영상신호를 각 화소마다 대응한 N비트의 화소 데이터로 변환하고, 이 N비트의 비트 디지트 각각에 대응시켜 1필드의 표시기간을 N개의 서브필드로 분할한다. 각 서브필드에는 그 서브필드의 웨이트(weight)에 대응한 방전실행회수가 각각 할당되고, 영상신호에 따른 서브필드에서만 방전을 선택적으로 일으킨다. 이 경우, 각 서브필드에서 일어난 방전회수의 합계(1필드 표시기간 내에서의)에 의해 영상신호에 대응한 중간조의 휘도(halftone luminance)가 얻어지기 때문이다.
또, 이러한 서브필드법을 이용하여 실제로 PDP를 계조구동하는 방법으로서 선택소거 어드레스법이 알려져 있다.
도2는 이런 선택소거어드레스법에 의거하여 계조구동을 실시하는 때에, 구동장치(100)가 1서브필드내에서 PDP(10)의 열전극 및 행전극에 인가하는 각종 구동펄스의 인가 타이밍을 나타내는 도면이다.
먼저, 구동장치(100)는 부극성(negative polarity)의 리셋펄스 RPX를 행전극 X1∼Xn에, 그리고 정극성(positive polarity)의 리셋펄스 RPY를 행전극 Y1∼Yn에 각각 동시에 인가한다(모든리셋 행정 Rc).
이들 리셋펄스 RPX 및 RPY의 인가에 따라 PDP(10) 중의 전체의 방전셀이 리셋방전되고, 각 방전 셀 내에는 균일하게 소정량의 벽전하가 형성된다. 그러므로 모든 방전 셀은 일단 "발광셀"로 초기 설정된다.
다음에, 구동장치(100)는 입력된 영상신호를 각 화소(셀)마다의 예를 들면 8비트의 셀 데이터로 변환한다. 구동장치(100)는 이러한 셀 데이터를 각 비트 디지트 마다 분할하여 셀 데이터 비트를 구하고, 이 셀 데이터 비트의 논리레벨에 따라 펄스전압을 가지는 구동펄스를 발생한다. 예를 들면 구동장치(100)는 상기 셀 데이터 비트가 논리레벨 "1"인 경우에는 고전압, 논리레벨 "0"인 경우에는 저전압(0볼트)의 셀 데이터펄스 DP를 발생한다. 그래서 구동장치(100)는 1화면분(n행×m열)의 셀데이터 펄스 DP11∼DPnm을 1행분마다(m개) 그룹화한 셀 데이터펄스군 DP11-1m , DP21-2m, DP31-3m, ····, DPn1-nm 각각을 도2에 나타낸 바와 같이 순차로 열전극 Z1∼Zm에 인가하여 나간다. 도2에 나타낸 것처럼 주사펄스 SP를 발생하고, 이것을 행전극 Y1∼Yn으로 순차 인가하여 간다(셀 데이터 기입 행정 Wc). 이때, 주사펄스 SP가 인가된 "행"과, 고전압 셀 데이터펄스 DP가 인가된 "열"의 교차부의 방전셀에만 방전(선택소거방전)이 일어나고, 그 방전셀 내에 잔존하고 있던 벽전하가 선택적으로 소거된다. 이것에 의해, 상기 모든 리셋행정 Rc에서 "발광셀"의 상태로 초기화된 방전셀은 "비발광셀"로 추이(推移)된다. 한편, 주사펄스 SP가 인가된 것의 저전압 셀 데이터펄스 DP가 인가된 "행" 및 "열"에 교차하여 형성되어 있는 방전셀에는 전술한 것과 같이 선택소거방전은 일어나지 않고, 상기 일체의 리셋행정 Rc에서 초기화된 상태, 즉 "발광셀"의 상태가 유지된다.
다음에, 도2에 나타낸 것처럼 정극성의 유지펄스 IPX를 반복하여 행전극 X1∼Xn에 인가하는 동시에 이 유지펄스 IPX가 행전극 X1∼X n에 인가되지 않는 기간중에, 도2에 나타낸 것처럼 정극성의 유지펄스 IPY를 반복해서 행전극 Y1∼Yn에 인가한다(발광유지행정 Ic).
이때, 벽전하가 잔류한 상태로 되어 있는 방전셀, 즉 "발광셀" 상태에 있는 방전셀만이 이들 유지펄스 IPX 및 IPY가 교대로 인가되는 정도로 방전(유지방전)한다. 결국, 상기 셀 데이터 기입 행정 Wc에서 "발광셀"에 설정된 방전셀만이 이 서브필드의 웨이트(weight)에 대응한 횟수분만 유지방전에 따라 발광을 반복하고, 그 발광상태를 유지하기 때문이다. 그리고 이들 유지펄스 IPX 및 IPY가 인가되는 횟수는 각 서브필드 마다의 웨이트(weight)에 따라 미리 설정되어 있는 횟수이다.
다음에, 구동장치(100)는 도2에 나타낸 것처럼 소거펄스 EP를 행전극 X1∼Xn에 인가한다(소거행정 E). 이것에 의해, 모든 방전셀을 한번에 소거방전되게하여 각 방전셀 내에 잔류하고 있는 벽 전하를 소멸시킨다.
상술한 바와 같이 일련의 동작을 1필드 내에서 복수 회 실행함으로써 시각상에서 영상신호에 대응한 중간 휘도가 얻어지는 것이다.
그러나, PDP 또는 ELP와 같은 용량성 표시패널에서는 셀 데이터를 기입하지 않은 열 전극에 인가되는 셀 데이터 펄스는 각 행의 데이터를 기입할 때마다, 데이터 기입이 행해지지 않는 그 이외의 행에 대해서도 충방전을 실시하지 않으면 안되고, 인접하는 열전극 사이의 용량 충방전을 하지 않으면 안된다. 그러므로 셀 데이터 기입시의 전력소비가 큰 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자하는 과제에는 상기 문제점이 일례로서 열거되고, 셀 데이터 기입 행정시의 소비전력을 저감시킬 수 있는 표시패널의 구동장치를 제공하는 것을 본 발명의 목적으로 한다.
본 발명에 의한 표시패널의 구동장치는 복수의 행전극과, 행전극에 교차하여 배열된 복수의 열전극을 가지고, 그 교차부 각각에 용량성 부하의 셀이 형성된 표시패널의 열 전극 각각에 화상신호에 기초한 구동펄스를 인가하는 구동장치로서, 화상신호에 따라 표시패널의 열전극마다 열전극 상의 셀 각각에 대해서 발광 또는 비 발광을 나타내는 비트열로 되는 셀 데이터를 작성하는 수단과, 셀 데이터의 1비트 분에 대응한 펄스 폭의 전원펄스를 순차 생성하는 펄스 생성수단과, 열전극마다 설치되어 셀 데이터의 1비트마다 그 비트가 발광논리레벨을 나타낼 때 전원펄스를 구동펄스로서 대응하는 열 전극에 공급하는 펄스 공급수단을 구비하고, 펄스생성수단은 셀 데이터의 기입시의 전력의 대소를 판별하는 판별수단과, 판별수단의 판별결과에 따라 전원펄스의 상승(rising)기간과 하강(falling)기간을 변화시키는 조절수단을 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명에 의한 표시패널의 표시장치의 구성을 나타내고 있다. 이 표시장치는 플라즈마 디스플레이 패널로서의 PDP(10)와, 각종 기능 모듈로 이루어진 구동부로 구성되어 있다.
PDP(10)는 X 및 Y의 1쌍에서 1화면의 각 행(제1행 ∼ 제n행)에 대응한 행전극쌍을 이루는 행전극 Y1∼Yn 및 X1∼Xn을 구비하고 있다. PDP(10)에는 상기 행전극쌍에 직교하고, 도시하지 않은 유전체층 및 방전공간을 사이에 끼워 1화면의 각 열(제1열∼제 m 열)에 대응한 열전극 Z1∼Zm 이 형성되어 있다. 또, 1쌍의 행전극쌍 (X, Y)와 하나의 열전극 Z와의 교차부에 하나의 방전셀 C(i, j)이 형성된다.
구동부는 A/D 변환기(1), 프레임 메모리(3), 구동제어회로(4), 데이터 해석회로(5), 열전극 구동회로(6), X행 전극구동회로(7) 및 Y행 전극구동회로(8)로 이루어져 있다.
A/D 변환기(1)는 아날로그 입력영상신호를 샘플링하여 이것을 각 셀에 대응한 예를 들면 8비트의 셀데이터 PD로 변환하고, 이것을 프레임 메모리(3)에 공급한다. 프레임메모리(3)는 구동제어회로(4)에서 공급된 기입신호에 따라 상기 셀데이터 PD를 순차 기입한다. 그래서 1화면(프레임)분, 즉 제1행·제1열의 화소에 대응한 셀데이터 PD11에서 제n행·제m열의 화소에 대응한 셀 데이터 PDnm까지의 (n×m)개분의 셀 데이터 PD의 기입이 종료하면, 프레임 메모리(3)는 이하와 같이 읽어내는 동작을 한다. 먼저 메모리(3)는 셀 데이터 PD11∼PDnm 각각의 제1 비트째를 셀 구동 데이터 비트 DB111∼DB1nm과 유지하고, 이들을 구동제어회로(4)에서 공급된 읽기어드레스에 따라 1표시라인분씩 읽어내어 열전극구동회로(6)에 공급한다. 다음에 프레임 메모리(3)는 셀 데이터 PD11∼PDnm 각각의 제2 비트째의 셀 구동 데이터 비트 DB211∼DB2nm과 유지하고, 이들을 구동제어회로(4)에서 공급된 읽기어드레스에 따라 1표시 라인분씩 읽어내어 열전극구동회로(6)에 공급한다. 이하, 동일하게 하여 프레임 메모리(3)는 셀 데이터 PD11∼PDnm 각각의 제3∼제N 비트를 각각 셀 구동데이터비트 DB3∼DB(N)과 유지하고, 각 DB마다 1표시 라인분씩 읽어내어 열전극구동회로(6)에 공급해 나간다.
표시데이터해석회로(5)는 A/D 변환기(1)에서 순차로 출력되는 셀 데이터 PD11∼PDnm 에 기초하여 열방향에 인접하는 화소끼지에 대해서의 셀데이터의 논리 레벨의 반전이 많은지 아닌지 그리고 적은지 아닌지를 판별한다. 그 판별 결과의 신호는 구동제어회로(4)에 공급된다. 셀 데이터의 논리레벨의 반전이 많은 영상으로는 퍼스널 컴퓨터의 표시영상이나 체크무늬 형상의 영상이다. 셀 데이터의 논리레벨의 반전이 적은 영상에는 텔레비전 영상 같은 보통의 영상신호인 것이 있다.
구동제어회로(4)는 프레임메모리(3)로의 셀데이터 기입 및 프레임 메모리(3)에서의 셀 데이터비트의 읽어내기를 제어한다. 게다가 이 기입 및 읽어내기 제어에 등기하여 도 2에 나타낸 것처럼 서브필드법에 의거하여 발광구동포맷에 따라 PDP(10)를 계조구동하도록 각종 스위칭신호를 열전극구동회도(6), X행전극구동회로(7) 및 Y행 전극구동회로(8)에 각각 공급한다.
또, 도 2에 나타내는 발광구동 포맷에서, 1필드의 표시기간을 N개의 서브필드 SF1∼SF(N)으로 분할하고, 각 서브필드 내에서 전술한 것처럼 셀 데이터 기입행정 Wc 및 발광유지행정 Ic의 각각을 실행한다. 또, 선두의 서브필드 SF1에서만 모든 리셋행정 Ic를 실행하고, 최후미의 서브필드 SF(N)에서만 각 방전셀 내에서 잔류하고 있는 벽전하를 소멸시키는 소거행정 E를 실행한다.
X행전극 구동회로(7) 및 Y행전극 구동회로(8) 각각은 상기 구동제어회로(4)에서 공급된 각종 스위칭신호에 따라 각종 구동펄스를 발생하고, PDP(10)의 행전극 X 및 Y에 인가한다.
도 4는 열전극 구동회로(6)의 내부구성을 나타내고 있다. 열전극구동회로(6)는 PDP(10)의 열전극 Z1∼Zm의 수만큼의 동일 회로를 구비하고 있으므로, 도 4의 열전극 구동회로(6)는 PDP(10)의 열전극 Zi (Z1∼Zm의 하나)에 대응한 부분만을 나타내고 있다.
도 4의 열전극수동회로( 6)은 공진회로(11) 및 펄스발생회로(31)을 구비하고 있다. 공진회로(11)는 공통라인 CL로 서로 접속된 제 1 공진블럭(13)과 제 2 공진블럭(14)를 갖고 있다.
제 1 공진블럭(13)은 스위칭소자 SW11, SW12, 코일 L11, L12, 다이오드 D11, D12 및 콘덴서 C11로 이루어진다. 스위칭소자 SW11, 코일 L11 및 다이오드 D11은 그 순서대로 직렬로 접속되어 있다. 다이오드 D11은 코일 L11측을 아노드(anode)로 되어있다. 그 직렬회로의 다이오드 D11측의 한 끝은 공통라인 CL로 접속되고, 스위칭소자 SW11측이 다른 끝은 콘덴서 C11을 통하여 아스(earth)접속되어 있다. 같은 식으로 스위칭소자 SW12, 다이오드 D12 및 코일 L12는 그 순서대로 직렬로 접속되어있다. 다이오드 D12는 코일 L12측을 아노드로 되어있다. 그 직렬회로 코일 L12측의 한끝은 공통라인 CL로 접속되고, 스위칭소자 SW12 측의 다른 끝은 콘덴서 C11을 통하여 아스접속되어 있다.
제 2 공진블럭(14)는 스위칭소자 SW21, SW22, 코일 L21, L22, 다이오드 D21, D22 및 콘덴서 C21로 이루어진다. 스위칭소자 SW21, 코일 L21 및 다이오드 D21은 그 순서대로 직렬로 접속되어 있다. 다이오드 D21은 코일 L21측을 아노스로 되어있다. 그 직렬회로의 다이오드 D21측의 한 끝은 공통라인 CL에 접속되고, 스위칭소자 SW21측의 다른 끝은 콘덴서 C21을 통해서 아스접속되어 있다. 같은 식으로 스위칭소자 SW22, 다이오드 D22 및 코일 L22는 그 순서대로 직렬로 접속되어있다. 다이오드 D22는 코일 L22측을 아노드로 되어있다. 그 직렬회로의 코일 L22측의 한 끝은 공통라인 CL에 접속되고, 스위칭소자 SW22측의 다른 끝은 콘덴서 C21을 통하여 아스접속되어있다.
공통라인 CL에는 전원 B11의 정단자가 스위칭소자 SW13을 통하여 접속되어있다. 또한 공통라인 CL에는 도 4에 나타낸 바와 같이 회로용량 Ck가 있는 것으로 한다.
펄스발생회로(31)은, 스위칭소자 SW31, SW32를 갖고 있다. 스위칭소자 SW31, SW32는 직렬로 접속되고, 그 직렬회로의 스위칭소자 SW31측의 한 끝은 공통라인 CL에 접속되고, 스위칭소자 SW32측의 다른 끝은 아스접속되어 있다. 스위칭소자 SW31, SW32끼리의 접속라인은 PDP(10)의 열전극 Zi에 접속되어있다. 열전극 Zi에 있어서는 부하용량 Cp가 있는 것으로 한다.
1필드중의 어느 것인가의 1서브필드에 있어서 구동제어회로(4)의 읽기제어에 있어서 프레임메모리(10)로부터 읽어낸 셀비트데이타 DB의 열전극 Zi용의 비트열을 DB1i, DB2i, DB3i, DB4i, ……, DBni에 따라 나타낸다. DB1i=1, DB2i=1, DB3i=1, DB4i=1, ……, DBni=1과 같이 셀비트데이타 DB의 열전극 Zi용의 비트열이 모든 논리 1을 나타내는 경우, 혹은 DB1i=0, DB2i=0, DB3i=0, DB4i=0, ……, DBni=0과 같이 셀비트데이타의 비트열이 모든 논리 0을 나타내는 경우에는 셀비트데이타에 있는 논리레벨의 반전이 적은 상태이다. 한편, DB1i=1, DB2i=0, DB3i=1, DB4i=0, ……, DBn-1i=1, DBni=0 혹은 DB1i=0, DB2i=1, DB3i=0, DB4i=1, ……, DBn-1i=0, DBni=1과 같이 논리 1과 논리 0이 상호로 발생하는 경우에는 셀비트데이타에 있는 논리레벨의 반전이 많은 상태이다.
이 셀비트데이타의 논리레벨 반전상태는 데이터 해석회로(5)에 있어서 판단된다. 구동제어회로(4)는 셀비트데이타 DB 데이터 및 해석회로(5)에 있는 판단결과에 따라 스위칭소자 SW11, SW12, SW13, SW21, SW22, SW31, SW32에 대하여 스위칭신호 Sh11, Sh12, Sh13, Sh21, Sh22, Sh31, Sh32를 공급하여 ON 또는 OFF제어를 한다.
셀비트데이타 DB의 각 비트는 행전극구동회로(7) 및 (8)에 의한 주사에 동기하여 DB1i, DB2i, DB3, DB4i, ……, DBni의 순서대로 그 비트의 논리레벨에 대응한 펄스 DB1i, DB2i, DB3, DB4i, ……, DBni로서 열전극구동회로(6)에서 열전극 Zi로 출력된다. 단, 데이터펄스 DPli∼DPmi 각각은 대응하는 DB1i∼DBn의 논리레벨이 1의 경우에만 발생된다.
행전극 각각의 주사기간에 생긴 공통라인 CL의 전위의 상태(즉, 전원펄스)는 상승기간, 일정 레벨기간 및 하강기간으로 이루어진다.
우선, 도 5에 나타낸 바와 같이 모든 셀비트데이타 DB가 논리 1을 나타내어 셀비트데이타의 반전이 적은 상태의 경우에는 행전극구동회로(7) 및 (8)에 의한 1행째의 주사기간에는 DBli=1에 의해서 스위칭소자 SW31은 ON에 되고, SW32는 OFF가 된다.
1행째의 주사기관의 개시와 동시에 상승기간에 되고, 스위치소자 SW11 및 SW21이 동시에 ON이 된다. 스위칭소자 SW11의 ON에 의해 콘덴서(11)에 축적되어 있는 전하에 의해 스우칭소자 SW11, 코일 L11, 다이오드 D11, 그리고 공통라인 CL을 통하여 회로용량 Ck에 전류가 유입, 또한, 스위칭소자 S31을 통하여 전류가 열전극 Zi에 이르러 부하용량 Cp에 유입한다. 스위칭소자 SW21의 ON에 의해 콘덴서(21)에 축적되어 있는 전하에 의해 스위칭소자SW(21), 코일L21, 다이오드 D21, 그리고, 공통라인 CL을 통하여 회로용량 Ck에 전류가 유입, 또한, 스위칭소자 S31을 통하여 전류가 열전극 Zi에 이르러 부하용량 Cp로 유입한다. 즉, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에는 제 1 공진블럭(13)과 제 2 공진블럭(14)로부터, 상승전류가 유입, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp를 충전시킨다. 이 상승기간에는 코일 L11, L12, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에 의한 시정수에 따라 공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 시간경과에 따라 서서히 상승한다.
이어서, 일정 레벨기간이 되면, 스위칭소자 SW13이 ON이 된다. 전원 B11의 출력전압 VB가 공통라인 CL을 통하여 회로용량 Ck에 인가되고, 더욱이 스위칭소자SW31 및 열전극 Zi을 통하여 부하용량 Cp에도 인가된다. 공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 최고전위인 전압 VB로 유지된다.
그후, 하강기간이 되면, 스위칭소자 SW13이 OFF가되고, 스위칭소자 SW11 및 SW21이 동시에 OFF가 되고, 또한 스위칭소자 SW12 및 SW22가 ON이 된다. 스위칭소자 SW12의 ON에 의해 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp로 부터는 스위칭소자 SW31을 통한 후, 공통라인 CL, 코일 L12, 다이오드 D12, 스위칭소자 SW12을 통하여 콘덴서 C11에 전류가 유입한다. 스위칭소자 SW22의 ON에 의해서 회로용량 Ck 급 부하용량 Cp에 축적된 전하에 의해 부하용량 Cp로 부터는 스위칭소자 SW31을 통한후, 공통라인 CL, 코일 L22, 다이오드 D22, 스위칭소자 SW22를 통하여 콘덴서 C21에 전류가 유입한다. 즉 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp부터의 하강전류가 제 1 공진블럭(13)과 제 2 공진블럭(14)로 유입하고, 콘덴서 C11 및 C21을 충전시킨다. 이 하강기간에는 코일 L12, 코일 L22, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp의 시정수에 따라 공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 시간경과에 따라 서서히 강하한다. 따라서, 열전극 Zi에는 DB1i=1에 대응한 데이터펄스 DP1i가 형성된 것이 된다.
1행째의 주사기간이 종료하면, 2행째의 주사로 이동, DB2i=1에 대한 상승기간이 되고, 그 후의 일정레벨기간 및 하강기간에 대해서는 상기의 동작이 반복된다.
다음으로, 도 6에 나타낸 바와 같이, 셀비트데이타 DB가 논리 1과 논리 0의 반복하는 비트반전이 많은 경우에는 행전극구동회로(7) 및 (8)에 의한 1행째의 주사기간에는 DB1i=1에 의해 스위칭소자 SW31은 ON이 되고, SW32는 OFF가 된다.
1행째의 주사기간의 개시와 동시에 상승기간이 되고, 스위칭소자SW11이 우선 ON이 된다. 스위칭소자 SW11의 ON에 의해 콘덴서 11에 축적되어 있는 전하에 의해 스위칭소자 SW11, 코일 L11, 다이오드 D11, 그리고 공통라인 CL을 통하여 회로용량 Ck에 전류가 유입, 또한 스위칭소자 S31을 통해서 전류가 열전극 Zi에 이르러 부하용량 Cp에 유입한다. 즉 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에는 제 1 공진블럭(13)으로 부터는 상승전류가 유입, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp를 충전시킨다. 이 제 1 공진블럭(13)에 의한 상승기간에는 코일 L11, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에 의한 시정수에 따라 공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 서서히 상승한다.
공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위상승이 종료하여 거의 안정된 전위가 되면, 스위치소자 SW11의 ON이 계속된 상태에서 스위칭소자 SW21이 ON이 된다. 스위칭소자 SW21의 ON에 의해 콘덴서 21에 축적되어 있는 전하에 의해 스위칭소자 SW21, 코일 L21, 다이오드 D21, 그리고 공통라인 CL을 통하여 회로용량 Ck에 전류가 유입, 또한, 스위칭소자 S31을 통하여 전류가 열전극 Zi에 이르러 부하용량 Cp에 유입한다. 즉 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp 에는 제 2 공진블럭(14)로부터 상승전류가 유입, 또한 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp를 충전시킨다. 이 제 2 공진블럭(14)에 의한 상승기간에는 코일 L21, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에 의한 시정수에 따라 공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 더욱 서서히 상승한다.
이어서, 일정레벨기간이 되면, 스위칭소자 SW13이 ON이 괸다. 전원 B11의 출력전압 VB가 공통라인 CL을 통하여 회로용량 Ck에 인가되고, 또한 스위칭소자 SW31 및 열전극 Zi를 통해 부하용량 Cp에도 인가된다. 공통라인 CL 및 열전극 Zi 의 전위는 전압 VB로 유지된다.
그 후, 하강기간이 되면, 스위칭소자 SW13이 OFF가 되고, 스위칭소자 SW11 및 SW 21이 동시에 OFF되고, 또한 스위칭소자 SW22가 ON이 된다. 스위칭소자 SW 22의 ON에 의해 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에 축적된 전하에 의해 부하용량 Cp로부터는 스위칭소자 SW31을 통한 후, 공통라인 CL, 코일 L22, 다이오드 D22, 스위칭소자 SW22를 통하여 콘덴서 C21에 전류가 유입한다. 즉, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp로부터의 하강전류가 제 2 공진블럭(14)로 유입, 콘덴서 C21을 충전시킨다. 이 제 2 공진블럭(14)에 의한 하강기간에는 코일 L22, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp의 시정수에 따라 공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 서서히 하강한다.
공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위강가 종료하여 거의 안정된 전위가 되면, 스위칭소자 SW22의 ON이 계속된 상태에서 스위칭소자 SW12가 ON이돈다. 스위칭소자 SW12의 ON에 의해 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에 축적된 전류에 의해 부하용량 Cp로부터는 스위칭소자 SW31을 통한 후, 공통라인 CL, 코일 L12, 다이오드 D12, 스위칭소자 SW12를 통하여 콘덴서 C11에 전류가 유입한다. 즉, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp로부터의 하강전류가 제 1 공진블럭(13)으로 유입, 콘덴서 C11을 충전시킨다. 이 제 1 공진블럭(13)에 의한 하강기간에는 코일 L12, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp의 시정수에 따라 공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 더욱 서서히 하강한다. 따라서, 열전극 Zi에는 DBli=1에 대응한 데이터펄스 DPli가 형성된 것이 된다.
1행째의 주사기간이 끝나면, 행전극구동회로(7) 및 (8)에 의한 2행째의 주사기간에는 DB2i=0에 의해 스위칭소자 SW31이 OFF가 되고, 스위칭소자 SW32가 ON이 된다. 2행째의 주사기간에 걸쳐 부하용량 Cp는 스위칭소자 SW32에 의해 단락되기 때문에 열전극 Zi의 전위는 0이 되고, 데이터펄스는 생성하지 않는다.
2행째의 주사기간의 개시와 동시에 상승기간에 되고, 스위칭소자 SW11이 우선 ON이 된다. 스위칭소자 SW11의 ON에 의해 콘덴서(11)에 축적되어 있는 전하에 의해 스위칭소자 SW11, 코일 L11, 다이오드 D11, 그리고 공통라인 CL을 통해서 회전용량 Ck에 전류가 유입, 회로용량 Ck를 충전시킨다. 부하용량 Cp에는 전류는 유입하지 않는다. 제 1 공진블럭(13)에 의한 상승기간에는 코일 L11 및 회로용량 Ck에의한 시정수에 따라 공통라인 CL의 전위는 서서히 상승한다.
공통라인 CL의 전위상승이 종료하여 거의 안정된 전위가 되면, 스위칭소자 SW11의 ON이 계속된 상태에서 스위칭소자 SW21이 ON이 된다. 스위칭소자 SW21의 ON에 의해 콘덴서(21)에 축적되어 있는 부하에 의해 스위칭소자 SW21, 코일 L21, 다이오드 D21, 그리고 공통라인 CL을 통하여 회로용량 Ck에 전류가 유입, 회로용량 Ck를 또한 충전시킨다. 제 2 공진블럭(14)에 의한 상승기간에는 코일 L21 및 회로용량 Ck에 의한 시정수에 따라 공통라인 CL의 전위는 더욱 서서히 상승한다.
이어서, 일정레벨기간이 되면, 스위칭소자 SW13이 ON이 된다. 전원 B11의 출력전압 VB가 공통라인 CL을 통하여 회로용량 Ck에 인가된다. 공통라인 CL의 전위는 전압 VB로 유지된다.
그 후, 하강기간이 되면, 스위칭소자 SW13이 OFF가 되고, 스위칭소자 SW 11 및 SW21이 동시에 OFF가 되고, 또한 스위칭소자 SW22가 ON이 된다. 스위칭소자 SW22의 ON에 의해 회로용량 Ck에 축적된 전하에 의해 공통라인 CL, 코일 L22, 다이오드 D22, 스위칭소자 SW22를 통하여 제 2 공진블럭(14)의 콘덴서 C21에 전류가 유입, 콘덴서 C21을 충전시킨다. 이 제 2 공진블럭(14)에 의한 하강기간에는 코일 L22 및 회로용량 Ck의 시정수에 따라 공통라인 CL의 전위는 서서히 하강한다.
공통라인 CL의 전위강하가 종료하여 거의 안정된 전위가 되면, 스위칭소자 SW22의 ON이 계속된 상태에서 스위칭소자 SW12가 ON이 된다. 스위칭소자 SW12의 ON에 의해 회로용량 Ck에 축적된 전하에 의해, 공통라인 CL, 코일 L12, 다이오드 D12, 스위칭소자 SW12를 통하여 콘덴서 C11에 전류가 유입, 콘덴서 C11을 충전시킨다. 이 제 1 공진블럭(13) 에 의한 하강기간에는 코일 L12 및 회로용량 Ck이 시정수에 따라 공통라인 CL의 전위는 더욱 서서히 강하한다.
2행째의 주사기간이 종료하면, 3행째의 주사이후에 있어서는 상기의 DB1i=1과 DB2i=0과 동일의 동작이 상호 반복된다.
이상과 같이, 도5에 나타낸 바와 같이, 셀비트데이타 DB에 논리레벨의 반전이 적은 경우에는, 즉, 어드레스전력이 적은 경우에는 스위칭소자 SW11과 SW21이 동일 타이밍으로 ON OFF하고, 또한 스위칭소자 SW12와 SW22가 동일 타이임으로 ON OFF한다. 이에 따라 데이터펄스의 상승기간 및 하강기간이 짧아지고, 결과적으로 셀데이타 입력행정 Wc의 기간이 짧아진다. 그 단축된 것에 의해 남은 시간을 동일의 서브필드의 발광유지행정 Ic에 분배하는 것이 가능하다. 발광유지행정 Ic의 유지펄스를 발생하는 공진회로에 있어서 공진작용에 의해 형성하는 유지펄스의 상승기간 및 하강기간을 예를 들면, 그 공진회로의 인덕턴스값을 크게 하는 것에 의해 길게 하는 것이 가능하다. 따라서, 공진작용에 있는 전력회수율을 높이는 것이 가능하고, 무효전력을 삭감하는 것이 가능하다.
또한, 도 5와 같이 동일의 논리레벨이 연속할 때, 콘덴서 C11, C12의 전위가 서서히 상승하고 공통라인 CL의 전위 (공진전위)의 진폭이 적어지기 때문에 어드레스전력이 저감된다.
한편, 도 6에 나타낸 바와 같이 셀비트데이타 DB에 논리레벨의 반전이 많은 경우에는, 즉, 어드레스전력이 큰경우에는 , 스위칭소자 SW11과 SW21이 독립한 타이밍으로 ON OFF하고, 또한 스위칭소자 SW12와 SW22가 독립한 타이밍으로 ON OFF한다. 이것에 의해 데이터펄스의 상승기간 및 하강기간이 길어지고, 결과적으로 셀데이타입력행정 Wc의 공진작용에 있는 회수율을 높이는 것이 가능하고, 무효전력을 삭감하는 것이 가능하다.
상기한 도 5에 나타낸 동작은 공진회로(11)의 제1 공진 블록(13)과 제2 공진블록(14)가 동시에 공진하는 1단 공진동작이고, 도 6에 나타난 동작은 제1 공진블록(13)과 제2 공진블록(14)의 복합공진동작이지만, 제1 공진 블록(13)과 제2 공진블록(14)이 교호로 공진하는 1단공진동작을 행하는 것이 가능하다.
이 교호공진동작에 있어서, 도 7에 나타낸 것처럼 모든 셀 비트 데이터 DB가 논리 1을 나타내어 셀 비트 데이터의 반전이 적은 상태의 경우에 대해서 설명하면, 행전극 구동회로(7 및 8)에 의한 1행째의 주사기간에는 DB1i = 1에 의해 스위칭 소자 SW31은 온으로 되고, SW32는 오프로 된다.
1행째의 주사기간의 개시와 동시에 상승기간으로 되고, 스위칭소자 SW11이 먼저 온으로 된다. 스위칭소자 SW11의 온에 의해 콘덴서(11)에 축적되어 있는 전하에 의해 스위칭소자 SW11, 코일 L11, 다이오드 D11, 그리고 공통 라인 CL을 통해서 회로용량(Ck)에 전류가 흘러 들어가고, 스위칭소자 S31을 통해서 전류가 열전극 Zi에 도달하여 부하용량 Cp에 흘러 들어간다. 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에는 제1 공진블록(13)에서 상승하는 전류가 흘러들어가고, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp를 충전시킨다. 이 상승기간에는 코일 L11, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에 의한 시정수에 따라 공통 라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 시간경과에 따라 서서히 상승한다.
다음에, 일정 레벨기간이 되면, 스위칭소자 SW13이 온으로 된다. 전원 B11의 출력전압 VB가 공통라인 CL을 통해서 회로용량 Ck에 인가되고, 스위칭소자 SW31 및 열전극 Zi를 통해서 부하용량 Cp에도 인가된다. 공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 최고전위인 전압 VB로 유지된다.
그 후, 하강기간이 되면, 스위칭소자 SW13이 오프되고, 스위칭소자 SW11이 오프되고, 스위칭소자 SW12가 온으로 된다. 스위칭소자 SW12의 온에 의해 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에 축적된 전하에 의해 부하용량 Cp에서는 스위칭소자 SW31을 통한 후, 공통라인 CL, 코일 L12, 다이오드 D12, 스위칭소자 SW12를 통해서 콘덴서 C11에 전류가 유입된다. 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에서의 하강 전류가 제1 공진블록(13)으로 유입되고, 콘덴서 C11을 충전시킨다. 이 하강기간에는 코일 L12, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp의 시정수에 따라 공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 시간경과에 따라 서서히 강하한다. 따라서, 열전극 Zi에는 DB1i=1에 대응한 데이터 펄스 DP1i가 형성되게 된다.
1행째의 주사기간이 종료하면, 스위칭소자 SW12가 오프되고, 2행째의 주사로 이동하고, DB2i=1에 대한 상승기간으로 되고, 스위칭소자 SW21이 온으로 된다. 스위칭소자 SW21, 코일 L21, 다이오드 D21, 그리고 공통라인 CL을 통해서 회로용량 Ck에 전류가 유입되고, 스위칭소자 S31을 통해서 전류가 열전극 Zi에 도달하여 부하용량 Cp에 유입된다. 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에는 제2 공진 블록(14)로부터 상승전류가 유입되고, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp를 충전시킨다. 이 상승기간에는 L12, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에 의한 시정수에 따라 공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 시간경과에 따라 서서히 상승한다.
다음에, 일정 레벨기간이 되면, 스위칭소자 SW13이 온으로 되고, 상기한 바와 같이, 공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 최고전위인 전압 VB로 유지된다.
그 후, 하강기간이 되면, 스위칭소자 SW13이 오프되고, 그것과 동시에 스위칭소자 SW21이 오프되고, 스위칭소자 SW22가 온으로 된다. 스위칭소자 SW22의 온에 의해 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에 축적된 전하에 의해 부하용량 Cp에서는 스위칭소자 SW31을 통한 후, 공통라인 CL, 코일 L22, 다이오드 D22, 스위칭소자 SW22를 통해서 콘덴서 C21에 전류가 유입된다. 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp에서의 하강 전류가 제2 공진블록(14)으로 유입되고, 콘덴서 C21을 충전시킨다. 이 하강기간에는 코일 L22, 회로용량 Ck 및 부하용량 Cp의 시정수에 따라 공통라인 CL 및 열전극 Zi의 전위는 시간경과에 따라 서서히 강하한다. 따라서, 열전극 Zi에는 DB2i=1에 대응한 데이터 펄스 DP2i가 형성되게 된다.
2행째의 주사기간이 종료하면, 3행째의 주사로 이동하고, DB3i=1에 대한 상승기간으로 되고, 그 후의 일정레벨기간 및 하강기간에 의해 상기와 같이 제1 공진 블록(13)의 공진동작과 제2 공진블록(14)의 공진동작이 교호로 반복된다.
열전극 Zi용 비트열 DB1i, DB2i, DB3i, DB4i, ……, DBni 중 어느 것인가가 0인 경우에는 도 7에는 나타나 있지 않지만, 그 0에 대응한 행에 대해서의 주사기간에 의해 스위칭소자 SW31이 오프되고, 스위칭소자 SW32가 온으로 된다. 따라서, 스위칭 소자 SW31을 통한 부하용량 Cp로의 충방전은 행해지지 않고, 열전극 Zi의 전위는 0V로 된다.
또, 도 5 내지 도 7에 있어서는 셀 비트 데이터 DB의 DB1i, DB2i, DB3i, DB4i까지의 각 스위칭소자의 온오프와, 공통라인 CL 및 열전극 Zi 각각의 전위변화를 나타내고, 그 이하의 DB5i ∼ DBni는 같은 형태의 변화이므로 생략하고 있다.
도 5 내지 도 7의 각 공진동작을 비교하면, 도 5의 동시 1단 공진 동작, 도 7의 교호의 1단 공진동작 및 도 6의 복합공진동작에 대해서의 공진시간은 0.7, 1, 2인 비이고, 데이터 기입시의 전력(어드레스 전력)은 대, 중, 소의 관계이다. 따라서, 표시패널 전체에 대한 데이터 기입에 의해 예상되는 어드레스 전력치에 따라 각 공진동작을 선택적으로 변환되도록 하여도 된다.
도 7에서는 제1 공진 블록(13)과 제2 공진 블록(14)을 펄스 단위로 교호로 동작시키는 예를 나타냈지만, 서브필드 또는 필드마다 교호로 동작시키도록 하여도 된다.
상기 예에서는 어드레스 전력을 셀 데이터의 논리레벨의 반전 상태에 기초하여 판별하고 있다. 즉, 셀 데이터의 논리레벨의 반전이 적은 경우에는 어드레스 전력 소로 판별하고, 한편, 셀 데이터의 논리레벨의 반전이 많은 경우에는 어드레스 전력 대로 판별하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 입력화상신호의 종류(입력 변환) 또는 데이터 기입시에 흐르는 전류(어드레스 전류)를 검출하여 그 대소에 의거하여 어드레스 전력의 대소를 판별하도록 하여도 된다.
즉, 비디오 입력(NTSC 입력, PAL 입력)의 경우 어드레스전력 소라고 판별하여 데이터 펄스의 상승기간 및 하강기간을 짧게 하고, PC 입력의 경우에는 어드레스 전력 대라고 판별하여 데이터 펄스의 상승기간 및 하강기간을 길게 한다. 또, 데이터 기입시에 흐르는 전류(어드레스 전류)가 작은 경우에는 어드레스 전력 소라고 판별하여 데이터 펄스의 상승기간 및 하강기간을 짧게 하고, 데이터 기입시에 흐르는 전류(어드레스 전류)가 큰 경우에는 어드레스 전력 대라고 판별하여 데이터 펄스의 상승기간 및 하강기간을 길게 한다.
비디오 입력(NTSC 입력, PAL 입력)과 같이 인접라인에서 상관이 있는 화상의 경우에는 1단 공진으로서 데이터 펄스의 상승기간 및 하강기간을 짧게 하고, 따라서 어드레스 기간을 짧게 하고, 그 남은 시간을 서스테인(sustain) 기간으로 나누어 서스테인 펄스의 상승기간 및 하강기간을 길게 하여 서스테인의 무효전력을 삭감할 수 있다.
PC 입력과 같이 인접라인에서 상관이 없는 영상의 경우에는 복수단 공진(예를 들면 2단 공진)으로 데이터 펄스의 상승기간 및 하강기간을 길게 하여 어드레스 전력의 보다 더한 삭감을 도모한다. 이 경우, 어드레스 기간이 길게 되므로, 상대적으로 서스테인 기간을 짧게 할 필요가 있으나, 이것은 서스테인 펄스 수를 삭감하는 것에 의해 대응할 수 있다.
이와 같이, 이러한 구동장치는 화상신호에 따라 표시패널이 열전극마다 열전극상의 셀 각각에 대해서의 발광 또는 비발광을 나타내는 비트 열로 되는 셀 데이터를 작성하는 수단과, 셀 데이터의 1비트분에 대응한 펄스폭의 전원펄스를 순차 생성하는 펄스 생성수단과, 열전극마다 설치되어 셀 데이터의 1비트마다 그 비트가 발광 논리레벨을 나타낼 때 전원펄스를 구동펄스로서 대응하는 열전극에 공급하는 펄스 공급수단을 구비하고, 펄스 생성수단은 셀 데이터 기입시의 전력의 대소를 판별하는 판별수단과, 판별수단의 판별결과에 따라 전원펄스의 상승기간과 하강기간을 변하시키는 조절수단을 가지므로, 어드레스 전력에 따라 데이터펄스의 상승기간 및 하강기간을 조정하는 것에 의해, 어드레스 기간과 서스테인 기간의 밸런스를 최적화하여 표시장치 전체의 무효전력을 삭감하는 것이 가능하다.
도 1은 PDP를 사용한 표시장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도2는 하나의 서브필드 내에서 PDP에 인가되는 각 구동펄스의 인가 타이밍을 나타내는 도면이다.
도3은 본 발명을 적용한 구동장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도4는 도3의 장치중의 열전극 구동회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도5는 셀 비트 데이터에서의 논리레벨의 반전이 적은 경우의 동시 1단 공진동작에 의한 각 스위칭 소자의 온오프와, 공통 라인 CL 및 열 전극 Zi 각각의 전위변화를 나타내는 도면이다.
도6은 셀비트 데이터에서의 논리레벨의 반전이 많은 경우의 복합 공진동작에 의한 각 스위칭 소자의 온오프와 공통라인 CL 및 열전극 Zi 각각의 전위변화를 나타내는 도면이다.
도7은 셀 비트 데이터에서의 논리레벨의 반전이 적은 경우의 교호공진동작에 의한 각 스위칭 소자의 온오프와 공통라인 CL 및 열 전극 Zi 각각의 전위 변화를 나타내는 도면이다.
[부호의 설명]
1 A/D 변환기
3 프레임 메모리
4 구동제어회로
5 데이터 해석회로
6 열전극 구동회로
7 X행 전극 구동회로
8 Y행 전극 구동회로
10 PDP

Claims (10)

  1. 복수의 행전극과, 상기 행전극에 교차하여 배열된 복수의 열전극을 가지고, 그 교차부 각각에 용량성 부하의 셀이 형성된 표시패널의 상기 열전극 각각에 화상신호에 기초한 구동펄스를 인가하는 구동장치로서,
    상기 화상신호에 따라 표시패널의 상기 열전극마다 열전극 상의 셀 각각에 대해서 발광 또는 비발광을 나타내는 비트열로 되는 셀 데이터를 작성하는 수단과,
    상기 셀 데이터의 1비트 분에 대응한 펄스 폭의 전원펄스를 순차 생성하는 펄스 생성수단과,
    상기 열전극마다 설치되어 셀 데이터의 1비트마다 그 비트가 발광 논리레벨을 나타낼 때 상기 전원펄스를 구동펄스로서 대응하는 열전극에 공급하는 펄스 공급수단을 구비하고,
    상기 펄스생성수단은 상기 셀 데이터의 기입시의 전력의 대소를 판별하는 판별수단과, 상기 판별수단의 판별결과에 따라 상기 전원펄스의 상승(rising)기간과 하강(falling)기간을 변화시키는 조절수단을 가지는 것을 특징으로 하는 표시패널 구동장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 펄스 생성수단은 공통의 출력단을 가지는 복수의 공진회로를 포함하고, 상기 판별수단의 판별결과에 따라 상기 복수의 공진회로의 동작타이밍을 서로 변화시키는 것에 의해 상기 전원펄스의 상승기간과 하강기간을 변화시키는 것을 특징으로 하는 표시패널 구동장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 펄스 생성수단은 상기 판별수단에 의해 상기 셀 데이터 기입시의 전력이 작다고 판별된 때 상기 전원펄스의 상승기간과 하강기간을 짧게 하고, 상기 판별수단에 의해 상기 셀 데이터 기입시의 전력이 크다고 판별된 때 상기 전원펄스의 상승기간가 하강기간을 길게 하는 것을 특징으로 하는 표시패널 구동장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 복수의 공진회로 각각은 일단이 접지된 콘덴서와, 상기 콘덴서의 타단과 상기 출력단과의 사이에 직렬 접속된 제1 스위칭소자 및 제1 인덕턴스소자로 되고 상기 콘덴서의 축적 전하를 방전하는 방전로와, 상기 콘덴서의 타단과 상기 출력단과의 사이에 직렬 접속된 제2 스위칭소자 및 제2 인덕턴스소자로 되고 상기 콘덴서에 전하를 충전하는 충전로를 구비하고,
    상기 펄스발생수단은 상기 출력단에 소정의 최고전위를 인가하는 제3 스위칭소자를 가지는 것을 특징으로 하는 표시패널 구동장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 펄스 생성수단은 상기 제3 스위칭소자를 오프상태로 되게 하고 상기 복수의 공진회로 각각의 상기 제1 스위칭 소자만을 온상태로 되게 하는 상승 행정과, 상기 제3 스위칭 소자를 온상태로 되게 하는 일정 레벨 행정과, 상기 제3 스위칭 소자를 오프상태로 되게 하고 상기 복수의 공진회로 각각의 상기 제2 스위칭 소자만을 온상태로 되게 하는 하강 행정을 주기적으로 반복하는 것을 특징으로 하는 표시패널 구동장치.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 펄스생성수단은 상기 판별수단에 의해 상기 셀 데이터 기입시의 전력이 작다고 판별된 때 상기 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자의 온오프를 복수의 공진회로 각각에서 동일 타이밍으로 행하여 상기 전원펄스의 상승기간 및 하강기간을 짧게 하고, 상기 판별수단에 의해 상기 셀 데이터 기입시의 전력이 크다고 판별된 때 상기 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자의 온오프를 복수의 공진회로 각각에서 다른 타이밍으로 행하여 상기 전원펄스의 상승기간 및 하강기간을 길게 하는 것을 특징으로 하는 표시패널 구동장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 판별수단은 상기 화상신호가 퍼스널컴퓨터 입력인 경우에 상기 셀데이터의 기입시의 전력이 크다고 판별하고, 상기 화상신호가 비디오 입력인 경우에 상기 셀데이터의 기입시의 전력이 작다고 판별하는 것을 특징으로 하는 표시패널 구동장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 판별수단은 상기 셀 데이터 중의 적어도 2비트의 논리레벨이 동일 레벨에서 연속하지 않거나 또는 논리레벨의 반전이 많은 경우에는 상기 셀 데이터의 기입시의 전력이 크다고 판별하고, 상기 셀 데이터 중의 적어도 2비트의 논리레벨이 동일 레벨에서 연속하거나 또는 논리레벨의 반전이 적은 경우에는 상기 셀 데이터의 기입시의 전력이 작다고 판별하는 것을 특징으로 하는 표시패널 구동장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 판별수단은 상기 셀 데이터 기입시에 흐르는 전류에 기초하여 기입전력의 대소를 판별하는 것을 특징으로 하는 표시패널 구동장치.
  10. 청구항 4에 있어서,
    상기 펄스 생성수단은 상기 제3 스위칭소자를 오프상태로 되게 하고 상기 복수의 공진회로 중 제1 공진회로의 상기 제1 스위칭 소자만을 온상태로 되게 하는 상승 행정과, 상기 제3 스위칭소자를 온상태로 되게 하는 일정 레벨 행정과, 상기 제3 스위칭소자를 오프상태로 되게 하고 상기 제1 공진회로의 상기 제2 스위칭 소자만을 온상태로 되게 하는 하강 행정을 포함하는 제1 공진 회로 동작과,
    상기 제3 스위칭소자를 오프상태로 되게 하고 상기 복수의 공진회로 중 제2 공진회로의 상기 제1 스위칭 소자만을 오프상태로 되게 하는 상승 행정과, 상기 제3 스위칭소자를 온상태로 되게 하는 일정 레벨 행정과, 상기 제3 스위칭소자를 오프상태로 되게 하고 상기 제2 공진회로의 상기 제2 스위칭 소자만을 온상태로 되게 하는 하강 행정을 포함하는 제2 공진회로 동작을 교호로 반복하는 것을 특징으로 하는 표시패널 구동장치.
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