KR100466639B1 - 변위 증폭이 가능한 열 마이크로 구동기 및 그의 제조방법 - Google Patents

변위 증폭이 가능한 열 마이크로 구동기 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 변위 증폭이 가능한 열 마이크로 구동기 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 제 1 전극(51), 그라운드 전극(52)과 제 2 전극(53)은 평행하게 일정거리 이격되어 기판(50)에 고정되어 있고; 상기 제 1 전극(51)과 그라운드 전극(52)에 제 1 아치바(54)가 연장되어 있고; 상기 제 2 전극(53)과 그라운드 전극(52)에 제 2 아치바(55)가 연장되고; 상기 제 1 아치바(54)와 제 2 아치바(55)에 제 3 아치바(56)가 연장되어 있고; 상기 제 3 아치바(56)의 중심부(57)에는 선단부(58)가 연장되어 있으며; 상기 제 1 내지 3 아치바(54,55,56)는 상기 기판(50)으로부터 부상되어 이루어져, 본 발명은 저 전압에서도 증폭된 변위로 구동시킬 수 있고, 정밀한 열 마이크로 구동기를 제조할 수 있어, 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다.

Description

변위 증폭이 가능한 열 마이크로 구동기 및 그의 제조방법{Thermal micro actuator capable of amplifying displacement and method of manufacturing the same}
본 발명은 변위 증폭이 가능한 열 마이크로 구동기 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저 전압에서도 증폭된 변위로 구동시킬 수 있고, 정밀한 열 마이크로 구동기를 제조할 수 있어, 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 변위 증폭이 가능한 열 마이크로 구동기 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 마이크로 구동기(Micro actuator)는 마이크로전자기계식 시스템들(Micro Electro Mechanical System, MEMS)의 일종으로 저장 매체인 미디엄(Medium)에 정보를 기록하거나, 저장 매체에 기록된 정보를 판독한다.
그리고, 마이크로 구동기의 선단에는 광학 미러 또는 마이크로 그리퍼(Gripper)가 형성되어, X,Y 방향으로 구동되는 마이크로 구동기에 의해서, 광 반사 및 부품을 잡고 조작할 수 있게 되어 정보통신 및 의료 산업의 핵심 구동장치로 이용되고 있다.
이러한, 마이크로 구동기는 프로젝션 텔레비전의 화상표시장치, 스캐너, 복사기 및 팩시밀리 등에 적용되고 있으며, 특히, 최근에는 광통신이 빠르게 발전되면서, 하나의 광파이버로부터 다른 광파이버로 광을 스위칭하는 광 스위치에 응용되고 있다.
도 1은 종래의 열 마이크로 구동기의 기본적인 구성을 도시한 평면도로써, 기판(20)의 상부에 제 1과 2 전극들(10,11)이 증착되어 고정되어 있고, 이 제 1과 2 전극들(10,11)은 아치바(Arch bar)(12)에 연결되어 있고, 이 아치바(12)의 중심부(13)에는 선단부(13)가 연결되어 있다.
여기서, 아치바(12)와 선단부(13)는 제 1과 2 전극(10,11)과 동일 금속으로 형성되어 있으며, 기판(20) 표면으로부터 부상되어 있다.
이런 종래의 열 마이크로 구동기는 제 1 전극(10)과 제 2 전극(11)에 전압을 인가하면, 부상되어 있는 아치바(12)와 선단부(13)에 열이 발생되고, 아치바(12)와 선단부(13)는 원래 있었던 형상에서, 점선의 형상으로 열팽창하게 되어, 결국, 선단부(13)는 'A'방향으로 변형거리(d1)만큼 전진하게 된다.
이 선단부(13)에 마이크로 미러(Mirror)를 부착하면, 광 스위칭을 수행할 수 있다.
이러한 종래의 열 마이크로 구동기는 제 1과 2 전극(10,11)과 연결된 아치바(12)의 변형으로 직선 이동됨으로써, 변형율이 작아 구동율이 작아지게 되는 문제점이 있었다.
도 2는 일반적인 마이크로 구동기로 광 스위칭을 수행하는 구성도로써, 마이크로 구동기(25)가 동작되지 않은 상태에서는 마이크로 구동기(25)에 연결된 미러(30)는 제 1 광을 반사하여, 제 1 광섬유(31)로 전송한다.
그러나, 마이크로 구동기(25)가 동작되어, 미러(30)가 전진 이동한 경우에는, 미러(30)는 제 2 광을 반사하여, 제 2 광섬유(32)로 전송하게 되므로, 마이크로 구동기에 이동 변위로 광을 선택적인 반사시켜 전송시킬 수 있게 된다.
도 3a 내지 3f는 종래의 열 마이크로 구동기의 제조 공정도로써, 먼저, 기판(40)의 상부에 포토레지스트층(41)을 형성하고(도 3a), 상기 포토레지스트층(41)을 열 마이크로 구동기 형상의 패턴이 있는 마스크(42)를 이용하여, 노광시킨다.(도 3b)
그 후, 상기 노광된 포토레지스트층(41)을 식각하여, 열 마이크로 구동기 형상의 몰드 패턴을 형성하고(도 3c), 상기 몰드 패턴의 개구(45)에 메탈층(44)을 형성한다.(도 3d)
연이어, 상기 포토레지스트층(41)을 제거하면, 기판(40) 상부에 열 마이크로 구동기 형상이 형성된다.(도 3e)
마지막으로, 상기 기판(40)의 일부를 제거하여, 열 마이크로 구동기 형상의 메탈층(44)의 일부를 부상시킨다.(도 3f)
이와 같은, 종래의 열 마이크로 구동기의 제조방법에서는 20 ~ 30㎛의 두께를 갖는 열 마이크로 구동기가 기판(40)의 상부에 메탈층으로 형성되므로, 이 메탈층을 형성하는 몰드 패턴인 포토레지스트층의 두께(도 3b의 't1') 역시, 20 ~ 30㎛로 형성되어야 한다.
그러나, 이러한 두꺼운 포토레지스트층은 노광될 때, 표면은 노광이 원활히 이루어지지만, 기판(40)면 근처의 포토레지스트층 내부에는 노광 잘 되지 않는 문제점이 발생하게 된다.
따라서, 포토레지스트층이 원활히 노광되지 않는 원인으로 현상공정시 정밀한 패턴을 형성할 수 없어, 열 마이크로 구동기 역시 정밀하게 형성되지 않아, 구동 오류가 발생되는 문제점을 야기시켰다.
이에 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 열팽창으로 변위가 발생되는 2개의 아치바(Arch bar)에 선단부를 구비하는 다른 아치바를 연장하여 저 전압에서도 증폭된 변위로 구동시킬 수 있는 열 마이크로 구동기를 제공하는 데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 실리콘층을 열 마이크로 구동기의 몰드로 사용함으로써, 종래의 포토레지스트의 몰드 보다는 공정상 변형이 발생하지 않아, 정밀한 열 마이크로 구동기를 제조할 수 있어, 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 열 마이크로 구동기의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는, 제 1전극(51), 그라운드 전극(52)과 제 2 전극(53)은 평행하게 일정거리 이격되어 기판(50)에 고정되어 있고;
상기 제 1 전극(51)과 그라운드 전극(52)에 제 1 아치바(54)가 연장되어 있고;
상기 제 2 전극(53)과 그라운드 전극(52)에 제 2 아치바(55)가 연장되고;
상기 제 1 아치바(54)와 제 2 아치바(55)에 제 3 아치바(56)가 연장되어 있고;
상기 제 3 아치바(56)의 중심부(57)에는 선단부(58)가 연장되어 있으며;
상기 제 1 내지 3 아치바(54,55,56)는 상기 기판(50)으로부터 부상되어 이루어진 변위 증폭이 가능한 열 마이크로 구동기가 제공된다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는, 글래스 기판(60)의 상부에 실리콘 산화막(61), 실리콘층(62)과 포토레지스트층(63)을 순차적으로 형성하는 제 1 단계와;
상기 포토레지스트층(63)을 사진식각공정을 수행하여 제거한 다음, 남아있는 포토레지스트층(63')으로 실리콘층(62)을 제거하여 개구(64)를 형성하고, 실리콘층(62)에 열 마이크로 구동기의 몰드패턴을 형성한 다음, 상기 포토레지스트층(63')을 제거하는 제 2 단계와;
상기 열 마이크로 구동기의 몰드패턴이 형성된 실리콘층(62')의 개구(64')에 메탈을 증착하여 메탈층(65)을 형성하는 제 3 단계와;
상기 실리콘층(62')을 제거하여 실리콘 산화막(61)의 상부에 메탈층(65)으로 열 마이크로 구동기 형상을 형성하는 제 4 단계와;
상기 메탈층(65) 중 전극부분은 남겨놓고, 실리콘 산화막(61)의 일부를 제거하여 아치부들과 선단부를 부상시키는 제 5 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 변위 증폭이 가능한 열 마이크로 구동기의 제조방법이 제공된다.
도 1은 종래의 열 마이크로 구동기의 기본적인 구성을 도시한 평면도이다.
도 2는 일반적인 마이크로 구동기로 광 스위칭을 수행하는 구성도이다.
도 3a 내지 3f는 종래의 열 마이크로 구동기의 제조 공정도이다.
도 4는 본 발명에 따른 열 마이크로 구동기의 구성도이다.
도 5는 본 발명에 따른 열 마이크로 구동기의 바람직한 아치바의 길이를 도시하기 위한 모식도이다.
도 6a 내지 6g는 본 발명에 따른 열 마이크로 구동기의 제조 공정도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10,51 : 제 1 전극 11,53 : 제 2 전극
12,54,55,56 : 아치바(Arch bar) 13,58 : 선단부
20,40,50: 기판 25 : 마이크로 구동기
30 : 미러 31,32 : 광섬유
41,63 : 포토레지스트층 42 : 마스크
44,65 : 메탈층 45,64' : 개구
52 : 그라운드 전극 57 : 중심부
60 : 글래스 기판 61 : 실리콘 산화막
62 : 실리콘층
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 따른 열 마이크로 구동기의 구성도로써, 제 1 전극(51), 그라운드 전극(52)과 제 2 전극(53)은 평행하게 일정거리 이격되어 기판(50)에 고정되어 있고, 상기 제 1 전극(51)과 그라운드 전극(52)에 제 1 아치바(54)가 연장되어 있고, 상기 제 2 전극(53)과 그라운드 전극(53)에 제 2 아치바(55)가 연장되고, 상기 제 1 아치바(54)와 제 2 아치바(55)에 제 3 아치바(56)가 연장되어 있고, 상기 제 3 아치바(56)의 중심부(57)에는 선단부(58)가 연장되어 있으며, 상기 제 1 내지 3 아치바(54,55,56)는 상기 기판(50)으로부터 부상되어 있다.
이렇게 구성된 본 발명의 열 마이크로 구동기는 제 1 전극(51)과 제 2 전극(53)에 인가된 전압이 그라운드 전극(52)으로 그라운드되도록 전원과 연결하고, 상기 제 1 전극(51)과 제 2 전극(53)에 전압을 인가하면, 제 1 내지 3 아치바(54,55,56)에 열이 발생하면서, 열팽창에 의한 변형이 발생한다.
이런, 제 1 내지 3 아치바(54,55,56)의 변형은 기판(50)에 고정된 제 1전극(51), 제 2 전극(53)과 그라운드 전극(52)에서 전방으로 직선 이동하게 되어, 선단부(58)를 직선 이동시킨다.
이 때, 제 1과 2 아치바(54,55)의 변위는 제 3 아치바(56)의 변위을 더욱 증폭시키는 역할을 하게되고, 제 3 아치바(56)의 이동 변위(d3)는 제 1과 2 아치바(54,55)의 개별 이동 변위(d1,d2) 보다 상대적으로 커지게 된다.
따라서, 본 발명은 종래의 단일 아치바로 구현되는 열 마이크로 구동기에 비하여, 저 전압에서도 증폭된 변위로 구동시킬 수 있는 장점이 있다.
도 5는 본 발명에 따른 열 마이크로 구동기의 바람직한 아치바의 길이를 도시하기 위한 모식도로써, 제 1 전극(51)으로부터 연장된 제 1 아치바의 연장부(54a)의 길이(A)와 제 2 전극(53)으로부터 연장된 제 2 아치바의 연장부(55b)의 길이(D)는 동일하게 구성하고, 그라운드 전극(52)으로부터 연장된 제 1 아치바의 연장부(54b)의 길이(B)와 제 2 아치바의 연장부(55a)의 길이(C)도 동일하게 구성한다.
또한, 제 1 아치바로부터 연장된 제 3 아치바의 연장부(57a)의 길이(E)와 제 2 아치바로부터 연장된 제 3 아치바의 연장부(57b)의 길이(F)도 역시, 동일하게 구성하는 것이 바람직하다.
그리고, 제 1 전극(51)으로부터 연장된 제 1 아치바의 연장부(54a)의 길이(A)와 제 2 전극(53)으로부터 연장된 제 2 아치바의 연장부(55b)의 길이(D)는 그라운드 전극(52)으로부터 연장된 제 1 아치바의 연장부(54b)의 길이(B)와 제 2아치바의 연장부(55a)의 길이(C)보다 길게 구성하는 것이 선단부(58)의 이동 변위를 더욱 증폭되게 할 수 있다.
도 6a 내지 6g는 본 발명에 따른 열 마이크로 구동기의 제조 공정도로써, 우선, 글래스 기판(60)의 상부에 실리콘 산화막(61)을 형성하고(도 6a), 상기 실리콘 산화막(61)의 상부에 실리콘층(62)과 포토레지스트층(63)을 순차적으로 형성한다.(도 6b, 6c)
그 후, 사진식각공정을 수행하여 상기 포토레지스트층(63)을 제거한 다음, 남아있는 포토레지스트층(63')으로 실리콘층(62)을 제거하여 개구(64)를 형성하고, 실리콘층(62)에 열 마이크로 구동기의 몰드패턴을 형성한 다음, 상기 포토레지스트층(63')을 제거한다.(도 6d)
연이어, 상기 열 마이크로 구동기의 몰드패턴이 형성된 실리콘층(62')의 개구(64')에 메탈을 증착하여 메탈층(65)을 형성한다,(도 6e)
그 다음, 상기 실리콘층(62')을 제거하여 실리콘 산화막(61)의 상부에 메탈층(65)으로 열 마이크로 구동기 형상을 완성한다.(도 6f)
마지막으로, 상기 메탈층(65) 중 전극부분은 남겨놓고, 실리콘 산화막(61)의 일부를 제거하여 아치부들과 선단부를 부상시켜, 본 발명의 열 마이크로 구동기의 제조를 완료한다.(도 6g)
이와 같이, 본 발명의 열 마이크로 구동기 제조 방법은 실리콘층을 열 마이크로 구동기의 몰드로 사용함으로써, 종래의 포토레지스트의 몰드 보다는 공정상 변형이 발생하지 않아, 정밀한 열 마이크로 구동기를 제조할 수 있어, 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 열팽창으로 변위가 발생되는 2개의 아치바(Arch bar)에 선단부를 구비하는 다른 아치바를 연장하여 저 전압에서도 증폭된 변위로 구동시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 실리콘층을 열 마이크로 구동기의 몰드로 사용함으로써, 종래의 포토레지스트의 몰드 보다는 공정상 변형이 발생하지 않아, 정밀한 열 마이크로 구동기를 제조할 수 있어, 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (4)

  1. 제 1 전극(51), 그라운드 전극(52)과 제 2 전극(53)은 평행하게 일정거리 이격되어 기판(50)에 고정되어 있고;
    상기 제 1 전극(51)과 그라운드 전극(52)에 제 1 아치바(54)가 연장되어 있고;
    상기 제 2 전극(53)과 그라운드 전극(52)에 제 2 아치바(55)가 연장되고;
    상기 제 1 아치바(54)와 제 2 아치바(55)에 제 3 아치바(56)가 연장되어 있고;
    상기 제 3 아치바(56)의 중심부(57)에는 선단부(58)가 연장되어 있으며;
    상기 제 1 내지 3 아치바(54,55,56)는 상기 기판(50)으로부터 부상되어 있으며,
    상기 제 1 전극(51)으로부터 연장된 제 1 아치바의 연장부(54a)의 길이(A)와 제 2 전극(53)으로부터 연장된 제 2 아치바의 연장부(55b)의 길이(D)는,
    상기 그라운드 전극(52)으로부터 연장된 제 1 아치바의 연장부(54b)의 길이(B)와 제 2 아치바의 연장부(55a)의 길이(C)보다 각각 긴 것, 즉, A＞B, D＞C인 것을 특징으로 하는 변위 증폭이 가능한 열 마이크로 구동기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판(50)은 글래스 기판이며,
    상기 제 1 전극(51), 그라운드 전극(52) 및 제 2 전극(53) 각각과 상기 기판(50)의 사이에는 실리콘 산화막이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 변위 증폭이 가능한 열 마이크로 구동기.
  3. 삭제
  4. 글래스 기판(60)의 상부에 실리콘 산화막(61), 실리콘층(62)과 포토레지스트층(63)을 순차적으로 형성하는 제 1 단계와;
    상기 포토레지스트층(63)을 사진식각공정을 수행하여 제거한 다음, 남아있는 포토레지스트층(63')으로 실리콘층(62)을 제거하여 개구(64)를 형성하고, 실리콘층(62)에 열 마이크로 구동기의 몰드패턴을 형성한 다음, 상기 포토레지스트층(63')을 제거하는 제 2 단계와;
    상기 열 마이크로 구동기의 몰드패턴이 형성된 실리콘층(62')의 개구(64')에 메탈을 증착하여 메탈층(65)을 형성하는 제 3 단계와;
    상기 실리콘층(62')을 제거하여 실리콘 산화막(61)의 상부에 메탈층(65)으로 열 마이크로 구동기 형상을 형성하는 제 4 단계와;
    상기 메탈층(65) 중 전극부분은 남겨놓고, 실리콘 산화막(61)의 일부를 제거하여 아치부들과 선단부를 부상시키는 제 5 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 변위 증폭이 가능한 열 마이크로 구동기의 제조방법.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6132421A (ja) * 1984-07-24 1986-02-15 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5415043A (en) * 1991-08-07 1995-05-16 Robert Bosch Gmbh Acceleration sensor and process for its production
KR20010031838A (ko) * 1997-11-06 2001-04-16 마커스 카렌 더블유. 초소형 정밀기계를 사용한 위치 조정 장치
KR20010048133A (ko) * 1999-11-25 2001-06-15 오길록 마이크로 구조체를 이용한 광스위치
US6303885B1 (en) * 2000-03-03 2001-10-16 Optical Coating Laboratory, Inc. Bi-stable micro switch

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6132421A (ja) * 1984-07-24 1986-02-15 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5415043A (en) * 1991-08-07 1995-05-16 Robert Bosch Gmbh Acceleration sensor and process for its production
KR20010031838A (ko) * 1997-11-06 2001-04-16 마커스 카렌 더블유. 초소형 정밀기계를 사용한 위치 조정 장치
KR100371268B1 (ko) * 1997-11-06 2003-02-06 제이디에스 유니페즈 코오포레이션 초소형 정밀기계를 사용한 위치 조정 장치
KR20010048133A (ko) * 1999-11-25 2001-06-15 오길록 마이크로 구조체를 이용한 광스위치
KR100312432B1 (ko) * 1999-11-25 2001-11-05 오길록 마이크로 구조체를 이용한 광스위치
US6303885B1 (en) * 2000-03-03 2001-10-16 Optical Coating Laboratory, Inc. Bi-stable micro switch

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