KR100458546B1 - 코너 큐브 역반사기와 같은 광학 요소 및 이러한 광학요소를 포함하는 반사식 디스플레이 장치 - Google Patents

코너 큐브 역반사기와 같은 광학 요소 및 이러한 광학요소를 포함하는 반사식 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 제1 및 제2 부재를 구비하는 광학 요소에 관한 것이다. 제1 부재는 제1 오목부를 구비한 제1 표면을 가진다. 제2 부재는 제2 오목부를 구비한 제2 표면을 가지고 입사광을 투과시킨다. 제1 및 제2 부재는 제1 및 제2 표면이 서로에 대해 대향되도록 배치된다. 제1 및 제2 반사 영역은 각각 제1 및 제2 오목부 상에 형성된다. 제2 부재를 투과하는 입사광의 적어도 일부는 제1 및 제2 반사 영역 중 적어도 하나로부터 반사된다.

Description

코너 큐브 역반사기와 같은 광학 요소 및 이러한 광학 요소를 포함하는 반사식 디스플레이 장치{OPTICAL ELEMENT LIKE CORNER CUBE RETROREFLECTOR AND REFLECTIVE DISPLAY DEVICE INCLUDING SUCH AN OPTICAL ELEMENT}
본 발명은 반사 기능을 갖는 광학 요소 및 이러한 광학 요소를 포함하는 반사식 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근, 렌즈 직경이 매우 작은 마이크로 렌즈와 이러한 마이크로 렌즈열이 개발되어 광통신 및 디스플레이 장치의 분야에 점차 광범위하게 적용되고 있다. 이러한 마이크로 렌즈와 마이크로 렌즈열과 함께, 마이크로 미러와 마이크로 프리즘을 포함한 다양한 다른 마이크로 광학 요소가 잇달아 개발되었다. 그리고 광학 기술과 디스플레이 기술은 이러한 마이크로 광학 요소를 실현시킴으로써 더욱 발전되고 진보될 것으로 예상된다.
마이크로 광학 요소와 같은 역반사기를 포함하는 반사식 액정 디스플레이 장치는, 예컨대 일본 공개 공보 제11-7008 및 2000-19490에 개시된다. 역반사기를 이용하여, 입사 광선은 역반사되거나 또는 입사 광선의 경로와 평행한 경로를 따라 반사된다. 따라서, 반사식 액정 디스플레이 장치에 있어서, 사용자 주변에 위치한 광원으로부터 방출되는 빛의 반사된 일부는 사용자의 눈에 도달하지만, 다른 외광원(예컨대 조명기 또는 태양)의 반사된 일부는 사람의 눈에 도달하지 않는다. 이러한 방식으로, 원치 않는 후방 반사(즉, 섬광)가 최소화되어 시감도(visibility)가 개선된다. 또한, 반사식 액정 디스플레이 장치는 이러한 역반사기를 사용하여 원치 않는 후방 반사를 감소시키기 때문에, 예컨대 반사기의 반사율을 의도적으로감소시켜서 반사광의 강도를 감소시킬 필요가 없다. 그 결과, 선명하고 경조(high-contrast)의 이미지의 디스플레이가 실현된다.
예컨대, 반사식 액정 디스플레이 장치에 사용될 역반사기는 코너 큐브열과 같은 마이크로 광학 요소로 형성될 수도 있다. 코너 큐브는 대개 3개의 수직 대향된 반사 평면을 가진다. 코너 큐브는 입사 광선이 이러한 반사 평면의 각각에 의해 차례로 반사됨으로써 광선을 광원으로 다시 반사시키기 위한 광학 요소이다. 코너 큐브는 항상 입사각에 관계없이 입사광을 광원으로 다시 반사시킬 수 있다. 이후로는, 코너 큐브열로 형성된 역반사기를 포함하는 종래의 반사식 액정 디스플레이 장치(80)가 도1을 참조하여 기술될 것이다.
반사식 액정 디스플레이 장치(80)는 코너 큐브열(83)이 형성된 기판(82)과, 관측자와 밀접하게 위치된 투명 기판(81)과, 이러한 기판들(81, 82) 사이에 개재된 중합체 분산식 액정층(84)을 구비한다. 금속성 반사막(85)은 코너 큐브열(83) 상에 형성된다. 흑색이 디스플레이되면, 광 투과 상태로 제어된 투명 기판(81)과 중합체 분산식 액정층(84)을 통해 투과된 입사광은 원점을 향해 반사될 수 있다. 코너 큐브열(83)의 오목부는 투명 전극(87)이 형성된 투명 평탄 부재(86)로 충전된다. 색상 필터층(88) 및 다른 투명 전극(89)은 액정층(84)에 대향된 투명 기판(81)의 표면에 제공된다. 투명 전극들(87, 89) 사이에 인가된 전압을 조절함으로써, 반사식 액정 디스플레이 장치(80)는 중합체 분산식 액정층(84)의 광 투과율(또는 산란 상태)을 제어하여 그 위에 이미지를 디스플레이한다.
디스플레이 장치(80)에 구비된 각 코너 큐브의 크기(L1)는 각 픽셀의 크기(L2)와 동일하거나 이보다 작은 것이 바람직하다. 따라서, 디스플레이 장치의 픽셀 크기(L2)가 약 100㎛라면, 코너 큐브 크기(L1)는 수십 마이크로미터이하인 것이 바람직하다. 예컨대 일본 공개공보 제11-7008호는 사각뿔 오목부 열이 형성되면 각 사각뿔의 오목부의 상부 정방형은 각 변이 최소 약 5㎛의 크기를 가져야 하는 것으로 기술한다.
종래의 반사식 액정 디스플레이 장치에 있어서, 역반사기는 대개 삼각뿔 오목부, 사각뿔 오목부 또는 구형 오목부를 가진다. 그러나, 수십 마이크로미터 이하의 작은 크기로 매우 정확하게 형성될 수 있는 광학 요소의 형상의 개수는 제한된다. 오목부 또는 볼록부 만을 포함하는 광학 요소는 상대적으로 형상화하기 용이하다. 고해상도를 실현할 수 있을 정도로 감소된 픽셀 크기를 현재 갖는 디스플레이 장치에 대해서, 마이크로 코너 큐브는 형상 정밀도가 충분히 크고 크기가 매우 작게 형성되어야 한다. 그러나, 이러한 마이크로 코너 큐브를 복잡한 형상으로 형성하는 것은 어렵다.
한편, 신호등에 사용되는 상대적으로 크기가 큰 역반사기는, 예컨대 형상이 보다 복잡한 코너 큐브를 구비하는 것으로 공지된다. 이후로는, 이러한 복잡한 형상의 코너 큐브가 도2a 내지 도2c를 참조하여 기술될 것이다.
도2a 내지 도2c에 도시된 바와 같이, 코너 큐브(90)는 서로에 대해 거의 수직으로 대향된 대체로 정방형인 3개의 반사 평면(S1, S2, S3)을 구비한 구조를 가진다. 도2c에 도시된 바와 같이, 코너 큐브(90) 상에 입사된 입사 광선은 광선이 진입한 방향으로 다시 반사되도록, 예컨대 이 3개의 반사 평면(S1, S2, S3) 중 하나에 의해 차례로 각각 반사된다. 코너 큐브(90)에 있어서, 대체로 정방형인 반사 평면(S1, S2, S3)은 큐브의 정점을 공유하는 큐브의 6개의 면들중 3개에 대응한다. 도2a에 도시된 바와 같이, 코너 큐브(90)는 (가위표 ×로 표시되는 중간점보다 높은 수준의) 개방원으로 표시되는 최고점을 각각 갖는 볼록부(92)와, (가위표 ×로 표시되는 중간점보다 낮은 수준의) 중실원으로 표시되는 최저점을 각각 갖는 오목부(94)로 구성된다.
(이후로는 "입방체 코너 큐브"로 기술될) 이러한 코너 큐브(90)는 볼록부(92) 와 오목부(94) 모두를 구비하는 형상이다. 따라서, 예컨대 일본 공개 공보 제11-7008에 개시된 바와 같이 볼록부 또는 오목부(예컨대 삼각뿔부) 만을 구비하는 광학 요소에 비해, 이 입방체 코너 큐브(90)를 제조하는 것은 더 어렵다. 이후로는, 도2a 내지 도2c에 도시된 종래의 입방체 코너 큐브 제조 방법이 기술될 것이다.
핀 형성 방법
핀 형성 방법에 있어서, 육각 기둥의 금속 핀의 단부에는 서로에 대해 수직 대향된 3개의 정방형면을 갖는 프리즘이 제공되고, 이러한 다수의 핀은 프리즘의 콜렉션을 형성하도록 다발로 형성된다. 이러한 방식으로, 입방체 코너 큐브는 3개의 인접한 핀들의 각 단부에 형성되는 3개의 프리즘의 3면으로 형성된다.
그러나, 이러한 방식에 의하면, 코너 큐브열은 상호 다른 핀들로 개별 형성된 복수의 프리즘을 수집함으로써 형성되어야 한다. 따라서, 크기가 작은 코너 큐브를 형성하는 것은 사실상 어렵다. 이 방법으로 형성될 수 있는 (도2b의 L3으로표시되는 바와 같은) 코너 큐브의 가능한 최소 크기는 1mm이다. 즉, 크기가 수십 마이크로미터인 입방체 코너 큐브는 상기 방법으로 제조하기 어렵다.
플레이트 방법
플레이트 방법에 있어서, 2개의 상호 평행한 면을 각각 갖는 다수의 평판은 서로 적층된다. 적층된 이 평판의 측단면에 있어서, V형 홈은 동일한 피치로 평행한 면에 수직으로 절결되어, 약 90도의 정점각을 각각 갖는 일련의 지붕형 돌출부를 형성하게 된다. 다음, 이 평판의 각각은 인접한 판에 대해 수평으로 이동되어 앞판 상에 형성된 일련의 지붕형 돌출부의 상부가 뒷판 상에 형성된 V형 홈의 바닥과 정렬된다. 이러한 방식으로, 입방체 코너 큐브를 제조하는 데에 사용되는 다이가 달성된다.
그러나 이 방법에 의하면, 2개의 판이 요구된 위치 관계에 부합하도록 인접한 평판에 대해 지붕형 돌출부를 갖는 평판을 정확하게 이동시키고 고정할 필요가 있다. 따라서, 이 방법으로 입방체 코너 큐브를 100㎛ 이하의 작은 크기로 제조하는 것은 또한 어렵다.
반사식 액정 장치용 역반사기로 사용되는 코너 큐브열은 픽셀 크기와 동일하거나 또는 이보다 작은 크기를 가져야 한다. 따라서, 종래의 기술에 있어서, 코너 큐브열은 제조하기에 상대적으로 용이한 삼각뿔 오목부 또는 삼각뿔 볼록부만을 구비하도록 형성된다. 그러나, (이후로는 삼각뿔 코너 큐브열로 기술될) 삼각뿔 오목부 또는 삼각뿔 볼록부만을 구비하는 이러한 코너 큐브열이 사용되면, 입사광은 입방체 코너 큐브열만큼 효율적으로 역반사될 수 없다. 이후로는, 입사광이 삼각뿔 코너 큐브 또는 입방체 코너 큐브에 의해 반사되는 방법이 도3a 내지 도3d를 참조하여 기술될 것이다.
도3a 및 도3b는 삼각뿔 코너 큐브(96)를 도시하고 도3c 및 도3d는 입방체 코너 큐브(98)를 도시한다. 도3b에 도시된 바와 같이, 삼각뿔 코너 큐브(96)의 중앙부 상에 입사된 광선(A)은 점선으로 표시된 바와 같이 역반사된다. 그러나, 코너 큐브(96)의 모서리부 상에 입사된 광선(B)은 역반사되지 않는다. 따라서, 삼각뿔 코너 큐브(96)는 도3a에 도시된 바와 같이 3개의 모서리부에 비역반사 영역(96a)을 가진다. 한편, 입방체 코너 큐브(98)의 모서리부 상에 입사된 광선(B)은 또한 도3d에 도시된 바와 같이 역반사된다. 따라서, 입방체 코너 큐브(98)는 각 반사 평면 상에 더 넓은 역반사 영역을 가지며, 높은 비율의 입사광을 적절히 역반사시킬 수 있다.
삼각뿔 코너 큐브는 비역반사 영역을 가진다. 따라서, 이 삼각뿔 코너 큐브를 구비하는 역반사기가 반사식 디스플레이 장치에 사용되면, 흑색이 디스플레이되어야할 때 액정층을 투과된 빛의 일부는 때로 역반사되지 않고 입사광에 평행하지 않게 반사된다. 따라서, 외부의 먼 광원으로부터 방출된 빛의 일부는 사용자의 눈에 도달할 수도 있다. 그 결과, 대비비(contrast ratio)가 감소될 수도 있다.
이와 같은 문제점은 역반사기가 주로 원치 않는 외광 투사를 방지하도록 사용되는 경우에 심각하게 간주되지 않는다. 이는 삼각뿔 코너 큐브를 구비한 역반사기는 대부분으로부터 입사광을 역반사시킬 수 있고 규칙적으로 반사된 대부분의 외광이 사용자의 눈에 도달하는 것을 방지하려는 목적을 달성할 수 있기 때문이다.
반사식 디스플레이 장치의 대비비의 감소를 최소화하기 위해서, 입사광은 입방체 코너 큐브를 구비한 역반사기를 보다 효율적으로 사용하여 역반사되는 것이 바람직하다. 그러나 입방체 코너 큐브를 제조하는 종래의 방법에 의하면, 크기가 상대적으로 큰 입방체 코너 큐브를 제조하는 것은 가능하지만 100㎛이하의 작은 크기의 입방체 코너 큐브를 제조하는 것은 사실상 불가능하다. 따라서, 액정 디스플레이 장치용 역반사기로서 입방체 코너 큐브열을 사용하는 것은 매우 어렵다.
또한, 입방체 코너 큐브열과 다른 마이크로 광학 요소에 있어서, 광학 요소를 복잡한 형상으로, 매우 작은 크기로, 그리고 충분히 높은 형상 정밀도로 제조하는 것은 또한 매우 어렵다.
전술된 문제점을 극복하기 위해서, 본 발명은 소정의 기능을 수행하고 매우 작은 크기로 형성될 수 있는 광학 요소(1)와 이러한 광학 요소를 구비하는 반사식 디스플레이 장치(2)를 제공한다.
본 발명에 의한 광학 요소는 제1 및 제2 부재를 구비한다. 제1 부재는 제1 오목부를 구비한 제1 표면을 가진다. 제2 부재는 제2 오목부를 구비한 제2 표면을 가지고 입사광을 투과시킨다. 제1 및 제2 부재는 제1 및 제2 표면이 서로에 대해 대향되도록 배치된다. 제1 및 제2 반사 영역은 각각 제1 및 제2 오목부 상에 형성된다. 제2 부재를 투과하는 입사광의 적어도 일부는 제1 및 제2 반사 영역 중 적어도 하나로부터 반사된다.
본 발명의 양호한 실시예에 있어서, 제1 표면은 제1 오목부와 평탄부를 구비하고, 제2 표면은 제2 오목부와 평탄부를 구비하고, 제1 및 제2 오목부는 서로에 대해 대향되지 않도록 배치된다.
본 발명의 다른 양호한 실시예에 있어서, 제1 및 제2 오목부는 대체로 동일한 형상이다.
다른 양호한 실시예에 있어서, 제1 및 제2 오목부의 각각은 삼각뿔 형상을 이고, 제1 및 제2 오목부는 코너 큐브의 일부를 구성한다.
양호한 개별 실시예에 있어서, 제2 부재를 투과하는 입사광의 적어도 일부는 입사광이 역반사되도록 제1 및 제2 반사 영역 모두로부터 반사된다.
다른 양호한 실시예에 있어서, 제1 및 제2 반사 영역중 적어도 하나는 금속성 막으로 제조된다.
다른 양호한 실시예에 있어서, 제2 반사 영역은 제2 부재보다 굴절률이 작은 재료로 제조된다.
양호한 개별 실시예에 있어서, 광학 요소는 제1 반사 영역 상의 제1 오목부를 충전하기 위한 부재를 더 구비한다. 제1 반사 영역은 제1 오목부를 충전하기 위한 부재보다 굴절률이 작은 재료로 제조된다.
본 발명에 의한 반사식 디스플레이 장치는 본 발명의 양호한 임의의 실시예에 의한 광학 요소와, 제1 및 제2 부재 사이에 개재된 광 변환층을 구비한다.
본 발명의 양호한 실시예에 있어서, 광 변환층은 산란형 액정층을 구비한다.
양호한 개별 실시예에 있어서, 반사식 디스플레이 장치는 제1 부재의 제1 오목부를 충전하는 제1 평탄 부재와, 제2 부재의 제2 오목부를 충전하는 제2 평탄 부재를 더 포함한다. 산란형 액정층은 제1 평탄 부재에 의해 평탄화되는 제1 부재의 표면과 제2 평탄 부재에 의해 평탄화되는 제2 부재의 표면 사이에 개재된다.
본 발명의 다른 양호한 실시예에 있어서, 산란형 액정층은 제1 부재의 제1 오목부를 충전한다.
본 발명에 의한 다른 반사식 디스플레이 장치는 본 발명의 양호한 임의의 실시예에 의한 광학 요소와, 광학 요소를 대면하도록 배치된 투명 기판과, 광학 요소와 투명 기판 사이에 개재되어 광 산란 상태 또는 광 투과 상태에 있도록 제어되는 광 변환층을 구비한다.
본 발명은 서로에 대해 대체로 수직으로 대향된 3면을 각각 갖는 코너 큐브의 열을 제공한다. 각 코너 큐브의 3면의 각각은 부재에 형성된 오목부의 제1 표면과, 오목부에 근접하도록 부재 상에 형성된 볼록 부재의 제2 표면을 구비한다.
본 발명의 양호한 실시예에 있어서, 부재는 오목부와 이에 인접한 평탄부를 구비하고, 볼록 부재는 평탄부 상에 고정된다.
본 발명의 양호한 실시예에 있어서, 오목부의 제1 표면과 볼록 부재의 제2 표면은 각각 직각 이등변 삼각형의 평면 형상이고, 상기 각 코너 큐브의 3면의 각각은 대체로 정방형이다.
광학 요소를 제조하는 신규한 방법은, 제1 부재에 제1 오목부를 형성하고 제1 오목부 상에 제1 반사 영역을 형성하는 단계와, 제2 부재에 제2 오목부를 형성하고 제2 오목부 상에 제2 반사 영역을 형성하는 단계와, 제1 오목부가 형성되는 제1 부재의 표면이 제2 오목부가 형성된 제2 부재의 표면에 대향하는 방식으로 제1및 제2 부재를 배치하는 단계를 구비한다.
코너 큐브열을 제조하는 신규한 방법은 a) 적어도 하나의 제1 오목부가 삼각뿔 형상으로 형성된 제1 부재를 준비하는 단계를 구비한다. 제1 오목부는 서로에 대해 대체로 수직 대향된 3개의 삼각면으로 구성된다. 방법은 b) 적어도 하나의 제2 오목부가 삼각뿔 형상으로 형성되는 제2 부재를 준비하는 단계를 더 구비한다. 제2 오목부는 서로에 대해 대체로 수직 대향된 3개의 삼각면으로 구성된다. 방법은 c) 제1 오목부가 형성된 제1 부재의 표면이 제2 오목부가 형성된 제2 부재의 표면과 대향되는 방식으로 제1 및 제2 부재를 배치하는 단계를 더 구비한다. 코너 큐브열은 제1 오목부에 의해 한정된 제1 삼각평면 세트와 제2 오목부에 의해 한정된 제2 삼각평면 세트를 각각 포함하는 복수의 입방체 코너 큐브로 구성된다.
본 발명의 양호한 실시예에 있어서, 방법은 제1 오목부의 3개의 삼각면의 각각에 반사 영역을 형성하는 단계와, 제2 오목부의 3개의 삼각면의 각각에 반사 영역을 형성하는 단계를 더 구비한다. 제2 부재는 투명하다. 제1 오목부에 제공된 반사 영역과, 제2 오목부에 제공된 반사 영역은 제1 오목부에 제공된 반사 영역이 오목 반사 영역으로 사용될 때 제2 오목부에 제공된 반사 영역이 볼록 반사 영역으로 사용되도록 서로에 대해 대체로 연속적으로 배열된다.
본 발명의 다른 양호한 실시예에 있어서, 방법은 c) 단계가 수행되기 전에 제1 부재의 제1 삼각뿔 오목부를 제1 오목부의 형상과 대응하는 삼각뿔 형상을 갖는 볼록부로 충전하는 단계와, c) 단계가 수행된 후에 삼각뿔 형상의 볼록 부재를 제2 부재 상에 고정시키는 단계를 더 구비한다.
코너 큐브열을 제조하는 다른 신규한 방법은, a) 3개의 수직 대향된 이등변 삼각면을 각각 갖는 복수의 삼각뿔 오목부를 구비하는 기부 부재를 소정의 표면에 준비하는 단계와, b) 3개의 수직 대향된 이등변 삼각면을 각각 갖는 복수의 삼각뿔 볼록 부재를 기부 부재의 소정 표면 상에 형성하는 단계를 구비한다.
본 발명의 양호한 실시예에 있어서, b) 단계는 볼록 부재를 보유하도록 기부 부재의 소정의 표면 상에 보유 부재를 배치시키는 단계와, 볼록 부재를 보유 부재로부터 기부 부재의 소정의 표면 상에 전사시키는 단계를 구비한다.
코너 큐브열을 제조하는 다른 신규한 방법은, a) 3개의 수직 대향된 이등변 삼각면을 각각 갖는 복수의 삼각뿔 오목부를 구비하는 부재를 준비하는 단계와, b) 3개의 수직 대향된 이등변 삼각면을 각각 갖는 복수의 삼각뿔 볼록 부재를 부재의 소정 표면 상에 형성하는 단계를 구비한다.
본 발명의 양호한 실시예에 있어서, b) 단계는 볼록 부재를 보유하도록 부재의 소정의 표면 상에 보유 부재를 배치시키는 단계와, 보유 부재를 용해시킴으로써 부재의 소정의 표면 상에 볼록 부재를 잔류시키는 단계를 구비한다.
양호한 실시예에 있어서, a) 단계는 기부 재료의 3방향으로 홈을 형성하는 단계와, 홈이 형성되는 기부 재료의 비평활성(uneveness)을 전사 재료에 전사시키는 단계와, 전사 재료에 형성된 오목부 모두를 충전시키는 단계를 구비한다.
양호한 실시예에 있어서, a) 단계는 {111} 입방체 단결정 기판 평면을 이방성 에칭하는 단계를 구비한다.
다른 양호한 실시예에 있어서, a) 단계는 3개의 수직 대향된 이등변 삼각면으로 구성된 삼각뿔 볼록부를 갖는 핀을 기부 재료 상에 가압하는 단계를 구비한다.
본 발명에 의한 다이는 3개의 수직 대향된 이등변 삼각면을 각각 갖는 복수의 삼각뿔 오목부를 소정의 표면에 구비하는 기부 부재와, 3개의 수직 대향된 이등변 삼각면을 각각 갖고 기부 부재의 소정의 표면에 형성된 복수의 삼각뿔 볼록 부재를 구비하는 마이크로 코너 큐브열을 제조하는 데에 사용된다.
본 발명의 다른 특징, 요소, 공정, 단계, 특성 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 양호한 실시예의 상세한 설명으로부터 보다 명백해 질 것이다.
도1은 종래의 반사식 액정 디스플레이 장치의 형상을 도시한 단면도.
도2a는 입방체 코너 큐브열을 도시한 평면도.
도2b는 중간점보다 높은 수준인 열의 일부를 도시한 측면도.
도2c는 열의 다른 일부를 도시한 사시도.
도3a 및 도3b는 각각 삼각뿔 코너 큐브를 도시한 평면도 및 사시도.
도3c 및 도3d는 각각 입방체 코너 큐브를 도시한 평면도 및 사시도.
도4a 및 도4b는 각각 본 발명의 양호한 제1 특정 실시예에 따라 역반사기를 제조하는 데에 사용하기 위한 다이를 도시한 사시도 및 평면도.
도5a는 제1 실시예의 역반사기의 상반부를 도시한 평면도.
도5b는 도5a에 도시된 선Vb-Vb를 따라 취한 단면도.
도5c는 제1 실시예의 역반사기의 하반부를 도시한 평면도.
도5d는 도5c에 도시된 선Vd-Vd를 따라 취한 단면도.
도5e는 상반부 및 하반부가 서로 적층된, 제1 실시예의 역반사기를 도시한평면도.
도5f는 도5e에 도시된 선Vf-Vf를 따라 취한 단면도.
도6a 및 도6b는 각각 본 발명의 양호한 제2 특정 실시예에 따라 역반사기를 제조하는 데에 사용하기 위한 다이를 도시한 사시도 및 평면도.
도7a는 도6a 및 도6b에 도시된 다이를 제조하는 데에 사용하기 위한 절단 툴을 도시하는 평면도.
도7b는 도7a에 도시된 절단 툴로 다이를 제조하는 방법이 도시된 평면도.
도8은 본 발명의 양호한 제3 특정 실시예에 따른 역반사기의 형상을 도시한 단면도.
도9는 본 발명의 양호한 제4 특정 실시예에 따라 반사식 액정 디스플레이 장치의 형상을 도시한 단면도.
도10은 본 발명의 양호한 제5 특정 실시예에 따라 반사식 액정 디스플레이 장치의 형상을 도시한 단면도.
도11은 코너 큐브열의 최소 유닛 구조의 크기가 도10에 도시된 반사식 액정 디스플레이 장치의 색상 필터의 도트 크기와 동일하거나 또는 이보다 작은 경우를 도시한 단면도.
도12는 코너 큐브열의 최소 유닛 구조의 크기가 도10에 도시된 반사식 액정 디스플레이 장치의 색상 필터의 도트 크기보다 큰 경우를 도시한 단면도.
도13은 본 발명의 양호한 제6 특정 실시예에 따라 반사식 액정 장치의 형상을 도시한 단면도.
도14a, 도14b 및 도14c는 본 발명의 양호한 제7 특정 실시예에 따른 광학 요소를 도시한 사시도.
도14a는 서로 접합된 2개의 기판을 도시한 도면.
도14b는 2개의 기판 중 하나를 도시한 도면.
도14c는 다른 기판을 도시한 도면.
도15a, 도15b 및 도15c는 도14a 내지 도14c에 도시된 광학 요소의 평면도.
도15a는 서로 접합된 2개의 기판을 도시한 도면.
도15b는 2개의 기판 중 하나를 도시한 도면.
도15c는 다른 기판을 도시한 도면.
도16a, 도16b 및 도16c는 제7 실시예에 따른 다른 광학 요소를 도시한 사시도.
도16a는 서로 접합된 2개의 기판을 도시한 도면.
도16b는 2개의 기판 중 하나를 도시한 도면.
도16c는 다른 기판을 도시한 도면.
도17a, 도17b 및 도17c는 도16a내지 도16c에 도시된 광학 요소의 평면도.
도17a는 서로 접합된 2개의 기판을 도시한 도면.
도17b는 2개의 기판 중 하나를 도시한 도면.
도17c는 다른 기판을 도시한 도면.
도18a는 본 발명의 양호한 제8 특정 실시예에 따라 코너 큐브열을 제조하는 데에 사용하기 위한 다이를 제조할 때 홈이 형성되는 3방향을 도시하는 평면도.
도18b는 홈을 형성하는 데에 사용하기 위한 절단 툴의 절삭날 각을 도시하는 도면.
도19는 제8 실시예의 코너 큐브열을 제조하기 위한 각각의 공정 단계에 대응하는 단면도.
도20은 제8 실시예의 코너 큐브열을 제조하기 위해 도19에 도시된 각각의 (a) 공정 단계, (b) 공정 단계, (e1) 공정 단계, (e2) 공정 단계, 및 (h) 공정 단계에 대응하는 사시도.
도21은 제8 실시예의 코너 큐브열을 제조하는 데에 사용하기 위한 장치를 도시한 단면도.
도22a 및 도22b는 본 발명의 양호한 제9 특정 실시예에 따라 코너 큐브열을 제조하기 위한 각각의 공정 단계에 대응하는 단면도.
도23a 및 도23b는 본 발명의 양호한 제10 특정 실시예에 따라 코너 큐브열을 제조하기 위한 각각 공정 단계에 대응하는 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
3, 85 : 반사막
8, 84 : 액정층
40, 60, 102 : 다이
50 : 역반사기
72, 74, 80 : 액정 디스플레이 장치
90, 96, 98 : 코너 큐브
이후로는, 본 발명의 양호한 실시예는 대체로 동일한 기능을 갖는 부재가 동일한 도면 부호로 식별되는 첨부 도면을 참조하여 기술될 것이다.
제1 실시예
본 발명의 양호한 제1 특정 실시예는 크기가 매우 작은 입방체 코너 큐브의 열로서 구현되는 역반사기에 관한 것이다.
도4a 및 도4b는 양호한 실시예의 역반사기를 제조하는 데에 사용하기 위한 다이(40)를 도시한다. 이 다이(40)는 다음 방식으로 형성될 수도 있다. 먼저, 3개의 직각면을 갖는 삼각뿔 볼록부를 갖는 고경도 핀은 절단 공정에 의해 준비된다. 다음, 이 핀은 소정의 피치로 금속성 판에 대항하여 여러번 가압된다. 그런 후, 금속성 판은 오목부 및 볼록부가 서로에 대해 반전되는 다이(40)를 제조하도록 전기주조되게 된다. 도4a 및 도4b에 도시된 바와 같이, 크기가 매우 작은 다수의삼각뿔 볼록부(42)와 평탄부(44)는 다이(40)의 표면 상에 교대로 배열된다. 양호한 실시예에 있어서, 삼각뿔의 바닥은 각변의 크기가 예컨대 약 50㎛이다. 또한, 이 삼각뿔 볼록부(42)의 각각은 3개의 수직 대향면을 가지는 것이 바람직하다.
도5a 내지 도5f는 도4a 및 도4b에 도시된 다이(40)를 사용하여 제조된 역반사기(50)를 도시한다. 본 양호한 실시예에 있어서, 역반사기(50)는 도5a 및 도5b에 도시된 상반부(50a)와 도5c 및 도5d에 도시된 하반부(50b)를 도5e 및 도f에 도시된 바와 같이 함께 접합시킴으로써 형성된다. 이후로는, 이 역반사기(50)의 구성이 기술될 것이다.
도5a 및 도5b에 도시된 바와 같이, 상반부(50a)는 예컨대 투명 유리 기판(1) 및 투명 기판(1)의 일면 상에 형성된 투명 수지층(2)을 구비한다. 크기가 매우 작은 삼각뿔 오목부(52) 열은 투명 수지층(2)의 표면에 형성된다. 삼각뿔 오목부(52)가 배열되는 임의의 방향으로, 삼각뿔 오목부(52)는 투명 수지층(2)의 표면 상의 평탄부(54)와 교대로 배치된다.
이 삼각뿔 오목부(52)를 갖는 투명 수지층(2)은 투명 기판(1)의 표면을 자외선 경화성 투명 수지 재료로 코팅하여 도4a 및 도4b에 도시된 다이(40)로 투명 수지를 양각 가공(embossing)을 한 후, 투명 수지를 경화시키도록 수지를 자외선에 노출시킴으로써 형성된다. 투명 수지 재료로는, 아델 코포레이션에서 제조되는(굴절률이 1.52인) V300이 사용될 수도 있다. 투명 수지는 노출 온도가 50℃이고 자외선 노출량이 50mW/㎠×60초인 상태에서 경화될 수도 있다.
다음, 이러한 방식으로 형성된 투명 수지층(2)의 평탄부(54)는 삼각뿔 오목부(52) 상에만 금속성 반사막(3)을 형성하도록 마스킹된다. 금속성 반사막(3)은, 예컨대 증발 장치를 사용하여 알루미늄막을 100nm의 두께로 증착시킴으로써 형성될 수도 있다. 금속성 반사막(3)은 은 또는 임의의 다른 적절한 금속으로 제조될 수도 있다. 이 반사막이 바람직하게는 입사광을 거울 반사시키기에 충분히 작은 표면 거칠기를 가지는 것을 알 것이다.
하반부(50b)는 삼각뿔 오목부(52) 열을 구비하는 수지층(4)이 기판(5)의 일면에 형성된 유사한 구성을 또한 가진다. 따라서, 하반부(50b)는 상반부(50a)를 제조하는 데에 사용되는 방법과 동일한 방법으로도 형성될 수도 있다. 양호한 실시예에 있어서, 상반부(50a)에 형성된 삼각뿔 오목부(52)는 하반부(50b)에 형성된 상응부와 대체로 유사한 형상을 가진다. 그러나, 상반부(50a)의 수지층(2)과 기판(1)과는 달리, 하반부(50b)의 수지층(4)과 기판(5)은 투명할 필요가 없다. 역반사기(50)에 있어서, 역반사될 빛이 입사되어야 하는 부재[즉, 도5a 내지 도5f에 도시된 일예의 상반부(50a)]만 투명하면 된다.
금속성 반사막(3)은 하반부(50b)의 수지층(4)의 삼각뿔 오목부(52) 상에 또한 형성된다. 또한, 하반부(50b)용 금속성 반사막(3)은 상반부(50a)용 금속성 반사막(3)을 형성하는 데에 사용되는 방법과 동일한 방법으로 형성될 수도 있다. 하반부(50b)에 대해, 수지층(4)의 삼각뿔 오목부(52)가 금속성 반사막(3)으로 덮히기만 하면, 수지층(4)의 평탄부(54)는 금속성 반사막(3)으로 덮이거나 또는 덮이지 않을 수도 있다.
다음, 반사막(3)으로 덮인 상반부 및 하반부(50a, 50b)의 오목부(52)는 투명평탄 부재(6)로 충전되어 수지층(2, 4)의 각 표면은 평탄화된다. 이 투명 평탄 부재(6)는 오목부(52)를 자외선 경화성 수지로 코팅하여 수지를 경화시키도록 자외선에 노출시킴으로써 형성될 수도 있다. 이 평탄 부재(6)는 투명 수지층(2)과 동일한 재료로 제조될 수도 있다.
그런 후, 이러한 방식으로 준비되는 상반부 및 하반부(50a, 50b)는 각각의 수지층(2, 4)이 도5e 및 도5f에 도시된 바와 같이 서로에 대해 대향된 방식으로 함께 접합된다. 이 접합 공정 단계에 있어서, 상반부 및 하반부(50a, 50b)는 상반부(50a)의 각 오목부[52, 또는 평탄 부재(6)의 각 부분]가 하반부(50b)의 관련 평탄부(54)와 대향하고 상반부(50a)의 각 평탄부(54)의 하반부(50b)가 관련 오목부[52, 또는 평탄 부재(6)의 관련 부분]와 대향하도록 서로에 대해 정렬된다. 그 결과, 상반부 및 하반부(50a, 50b)의 각각의 오목부(52)는 역반사기(50)가 투명 기판(1)의 표면에 수직 아래에 있는 것으로 보일 때 서로 중첩되지 않도록 배열된다. 상반부 및 하반부(50a, 50b)는 상반부(50a)의 표면을 자외선 경화성 접착제로 코팅하고 자외선 프레스로 상반부 및 하반부(50a, 50b)를 서로에 대해 가압하면서 자외선 경화성 접착제를 자외선에 노출시킴으로써 함께 접합될 수도 있다. 접착제로는, 아델 코포레이션에서 제조된 옵토클렙 M05가 사용될 수도 있다. 상반부 및 하반부(50a, 50b)는 압력이 0.9Kg/㎠이고 자외선 노출량이 8mW/㎠×600초인 상태에서 함께 접합될 수도 있다.
이러한 방식으로, 상반부 및 하반부(50a, 50b)로 구성된 역반사기(50)가 달성된다. 역반사기(50)에 있어서, 도5a 및 도5b에 도시된 바와 같이 상반부(50a)에제공되는 반사 영역(R1)과, 도5c 및 도5d에 도시된 바와 같이 반사 영역(R1)과 대향하지 않도록 하반부(50b)에 제공된 반사 영역(R2)은 도5e 및 도5f에 도시된 바와 같이 입방체 코너 큐브의 반사 영역(R3)을 함께 구성한다. 따라서, 이 양호한 실시예에 의하면, 상반부(50a)의 각 오목부에 제공된 반사 영역은 입방체 코너 큐브의 볼록부를 위한 반사 영역으로 사용되고, 하반부(50b)의 관련 오목부에 제공된 반사 영역은 입방체 코너 큐브의 오목부를 위한 반사 영역으로 사용되어 볼록부 및 오목부를 조합시킴으로써 형상이 복잡한 입방체 코너 큐브를 실현하게 된다.
이러한 방식으로 형성된 반사기(50)는 투명 기판(1)과 투명 수지층(2)을 투과한 입사광을 빛이 진입한 방향으로 다시 반사시킬 수 있다. 금속성 반사막(3)에 의해 적절하게 역반사된 입사광을 얻기 위해서, 투명 수지층(2)과 투명 평탄 부재(6) 사이의 경계로부터의 빛 반사가 감소되는 것이 바람직하다. 이러한 경계 반사는 투명 수지층(2)과 투명 평탄 부재(6)를 위해 적절한 재료 배합을 선택함으로써 억제될 수 있다. 예컨대, 투명 수지층(2)에 대한 투명 평탄 부재(6)의 굴절률비(즉, 상대 굴절률)가 소정치 이상으로 설정되면, 경계로부터의 입사광의 총 반사는 넓은 입사각 범위에서 방지될 수 있다. 또한, 투명 수지층(2)과 투명 평탄 부재(6) 사이의 굴절률의 차이는 가능한 작아야 하기 때문에, 투명 수지층(2)과 투명 평탄 부재(6)는 동일한 재료로 제조되는 것이 바람직하다.
이 양호한 실시예의 역반사기(50)는 삼각뿔 코너 큐브를 구비하는 종래의 역반사기보다 효율적으로 입사광을 역반사시킬 수 있다. 또한, 역반사기(50)의 입방체 코너 큐브는 형상 정밀도가 삼각뿔 코너 큐브와 동일하고 크기가 삼각뿔 코너큐브보다 2배 가량 크게 제조될 수 있다. 따라서, 크기가 매우 작은 입방체 코너 큐브의 열이 매우 정밀하게 제조될 수 있다.
제2 실시예
본 발명의 양호한 제2 특정 실시에는 제1 양호한 실시예와 다른 방법으로 입방체 코너 큐브의 열로서 역반사기를 제조하는 기술에 관한 것이다.
도6a 및 도6b는 양호한 실시예의 역반사기를 제조하는 데에 사용되는 다이(60)를 도시한다. 도6a 및 도6b에 도시되 바와 같이, 크기가 매우 작은 다수의 삼각뿔 볼록부(62)는 다이(60)의 표면 위에 형성된다. 양호한 실시예에 있어서, 삼각뿔의 바닥은, 예컨대 각변의 크기가 약 50㎛이다. 또한, 이 삼각뿔 볼록부(62)의 각각은 3개의 수직 대향면을 가지는 것이 바람직하다.
이와 같은 다이(60)는 다음의 방식으로 형성될 수도 있다. 구체적으로, 도7b에 도시된 바와 같이, 다수의 V형 홈은 도7a에 도시된 것과 같은 절단 툴을 사용하여 금속 또는 다른 적절한 재료로 제조된 평판의 표면에 3방향으로 형성된다. 이러한 방식으로, 도7b에서 개방원으로 표시되는 최고점을 각각 갖는 다수의 삼각뿔 볼록부가 형성된다. 이 방법에 의하면, 바닥의 각변이 수십 마이크로미터인 삼각뿔 볼록부가 형성될 수 있고, 도6a 및 도6b에 도시된 다이(60)가 준비될 수 있다.
이후로는, 이러한 다이(60)로 입방체 코너 큐브열을 제조하는 방법이 기술될 것이다.
먼저, 제1 양호한 실시예로는, 적어도 하나는 투명한, 한 쌍의 기판이 준비된다. 이 기판의 각각은 그 표면들 중 하나가 자외선 경화성 투명 수지로 덮여지고, 이 수지는 다수의 삼각뿔이 형성된 다이(60)로 양각 가공된 후 자외선에 노출되어 자외선에 의해 경화된다. 이 2개의 기판들 중 하나의 표면 상에 형성된 수지층 상에는, 도6b에서 해칭(hatching)에 의해 표시되는 것과 동일한 방향을 가리키는 제1 삼각부군이 선택적으로 마스킹된다. 한편, 도6b에 비해칭부로 도시된 제1 삼각부군의 방향과 대향된 방향을 가리키는 제2 삼각부군은 금속성 반사막으로 선택적으로 덮인다. 다른 기판의 표면 상에 형성된 수지층 상에서, 제2 삼각부군은 선택적으로 마스킹되고, 제1 삼각부군은 금속성 반사막으로 선택적으로 덮인다. 다음, 제1 실시예에 있어서, 일부가 금속성 반사막으로 덮인 오목부는 투명 수지 재료로 충전되어 평탄화된다. 그런 후, 이 기판들은 각각 이 기판들 중 하나의 수지층의 제1 및 제2 삼각부군이 다른 기판의 수지층의 제1 및 제2 삼각부군과 정렬되는 방식으로 함께 접합된다. 이러한 방식으로, 제1 실시예와 동일한 입방체 코너 큐브열이 달성될 수 있다.
제3 실시예
본 발명의 양호한 제3 특정 실시예에 의하면, 반사 영역은 제1 실시예의 반사기(50)와 다르게 금속성 반사막(3)으로 구성되지 않지만 상이한 방법으로 형성된다.
도8은 제3 실시예에 의한 역반사기(64)의 단면 구조를 도시한다. 이 양호한 실시예에 있어서, 기판(1, 5) 상의 수지층(2, 4)의 각 오목부는 반사 영역을 형성하도록 굴절률이 작은 재료로 제조된 막(7)으로 덮인다. 다른 면에서, 제3 실시예의 역반사기(64)는 제1 실시예의 역반사기(50)와 동일하다.
이후로는, 역반사기를 제조하는 방법이 기술될 것이다. 먼저, 제1 실시예와 같이, 표면에 복수의 삼각뿔 오목부를 각각 구비하는 수지층(2, 4)은 도4a 및 도4b에 도시된 다이(40)를 사용하여 기판(1, 5) 상에 각각 형성된다. 양호한 실시예에 있어서, 투명 수지층(2, 4)은 가시광선 경화성 수지 재료(즉, 아델 코포레이션에 의해 제조되는 옵토클렙 HV16)로 제조되어 가시광선에 노출됨으로써 경화된다. 이 수지층(2, 4)은 굴절률(n1)이 약 1.60이다.
다음으로, 이 수지층(2, 4)은 굴절률이 수지층(2, 4)보다 작은 수지 재료로 코팅된다. 수지 재료는 삼각뿔 볼록부를 그 위에 갖는 다이로 양각가공된 후, 자외선에 노출됨으로써 경화된다. 이러한 방식으로, 저굴절률 재료막(7)이 형성된다. 저굴절률 재료막(7)으로는, 제이에스알 코포레이션에 의해 제공되는 옵스타 JM5010이 사용될 수도 있다. 이 저굴절률 재료막(7)의 굴절률(n2)은 약 1.41이다. 필름(7)은 자외선 노출량이 30mW/㎠×60초인 상태에서 경화될 었다.
저굴절률 재료막(7)은 또한 다른 방식으로 제조될 수도 있다. 예컨대, 저굴절률 재료막(7)은 세공 크기가 광파장보다 충분히 작은 다공성 재료인 에어로겔(즉, 실리카 에어로겔)로 제조될 수도 있다. 대개, 에어로겔은 투명도가 매우 높고 약 1.1의 매우 작은 굴절률을 갖는 재료이다. 따라서, 에어로겔은 양호한 실시예의 저굴절률 재료막(7)에 적합하게 사용가능한 재료이다. 선택적으로는, 저굴절률 재료막(7)은 공기층으로 대체될 수도 있다. 이러한 경우에 있어서, 먼저 공기층이형성될 간극은, 예컨대 휘발성 액체로 임시 충전된다. 다음, 액체로 충전된 간극은 수지 또는 임의의 다른 적절한 재료로 밀봉된다. 그런 후, 수지로 둘러싸인 공기층은 액체가 증발할 때 형성될 것이다.
그 이후에, 일부가 수지층(2, 4)에서 저굴절률 재료막(7)으로 덮인 오목부는 수지층(2, 4)과 동일한 수지 재료로 더 충전된다. 그런 후, 수지 재료는 가시광선에 노출되어 가시광선에 의해 경화되고, 이로써 투명 평탄 부재(6)를 형성하게 된다. 이 투명 평탄 부재(6)의 굴절률은 저굴절률 재료막(7) 보다 크다. 다음, 이러한 방식으로 준비된 상반부 및 하반부는 제1 실시예에서 이미 기술된 것과 동일한 방법으로 함께 접합된다. 이러한 방식으로, 입방체 코너 큐브열을 구비한 역반사기(64)가 달성된다.
제1 실시예의 금속성 반사막(3)이 이러한 방식으로 저굴절률 재료막(7)으로 교체되어도, 투명 기판과 투명 수지층을 투과한 빛은 그 광원으로 다시 반사될 수 있다. 저굴절률 재료막(7)의 굴절률은 투명 수지층(2) 또는 투명 평탄 부재(6)보다 작다. 따라서, 투명 수지층(2)과 저굴절률 재료막(7) 사이의 경계 또는 투명 평탄 부재(6)와 저굴절률 재료막(7) 사이의 경계 상에 입사된 임의의 빛은 소정의 입사각 이상으로 전반사된다. 그 결과, 입사광이 반사 평면에 흡수되거나 투과되지 않도록 하면서 고 광학 효율이 높은 전반사형 마이크로 코너 큐브열이 달성될 수 있다.
제4 실시예
본 발명의 양호한 제4 특정 실시예는 제1 실시예의 입방체 코너 큐브열을 구비하는 역반사기(50)를 사용하는 액정 디스플레이 장치에 관한 것이다.
도9는 양호한 제4 실시예에 의한 반사식 액정 디스플레이 장치(70)를 도시한다. 도9에 도시된 바와 같이, 반사식 액정 디스플레이 장치(70)는 제1 실시예의 역반사기(50), 역반사기(50)에 대향하도록 배치된 투명 기판(20), 및 기판(20)과 역반사기(50) 사이에 개재된 산란형 액정층(8)을 구비한다.
액정층(8)에 대향된 (예컨대 유리로 제조된) 투명 기판(20)의 표면 상에는, 색상 필터층(9) 및 투명 전극(10)이 형성된다. 다른 투명 전극(10)은 액정층(8)에 대향된 역반사기(50)의 표면 상에 형성된다. 대향된 투명 전극(10)으로 산란형 액정층(8)에 소정의 전압을 인가함으로써, 이러한 구성을 갖는 반사식 액정 디스플레이 장치(70)는 픽셀 영역(Rp)을 기초로 산란형 액정층(8)을 광 산란 상태 또는 광 투과 상태로 제어할 수 있다. 산란형 액정층(8)은, 예컨대 중합체 분산식 액정 재료, 네마틱-콜레스테릭(nematic-cholesteric) 상변화형 액정 재료 또는 액정 겔로 제조될 수도 있다.
역반사기(50)가 2개의 기판 사이에 액정층을 끼워넣도록 2개의 기판 중 하나로 사용된다면, 양호한 실시예의 반사식 액정 디스플레이 장치(70)는 반사식 액정 디스플레이 장치를 제조하는 종래의 방법과 유사한 방법으로 제조될 수도 있다.
이후로는, 이 반사식 액정 디스플레이 장치(70)가 디스플레이 작동을 수행하는 방법을 기술할 것이다.
먼저, 백색 디스플레이 모드가 기술될 것이다. 백색 디스플레이 모드에 있어서, 액정층(8)은 산란 상태에 있도록 제어된다. 따라서, 외부 입사광은 투명 기판(20)과 색상 필터층(9)을 투과한 후 액정층(8)에 의해 산란된다. 이러한 경우에 있어서, 액정층(8)에 의해 후방-산란된 빛은 관측자에게 복귀한다. 또한, 양호한 실시예의 디스플레이 장치(70)에 있어서, 액정층(8)을 투과한 대부분의 직선광과 전방-산란된 대부분의 빛은 역반사기(50)의 반사막(3)으로부터 반사되어 관측자에게 다시 복귀하도록 산란 상태에서 액정층(8)을 통과한다. 즉, 후방-산란된 빛 뿐만 아니라 대부분의 다른 빛도 관측자에게 복귀한다. 따라서, 입사광은 매우 효율적으로 사용되고 선명한 이미지의 디스플레이가 실현된다.
다음, 흑색 디스플레이 모드가 기술될 것이다. 흑색 디스플레이 모드에 있어서, 액정층(8)은 투과 상태에 있도록 제어된다. 따라서, 투명 기판(20)과 색상 필터층(9)을 투과한 외부 입사광은 액정층(9)을 투과한다. 빛은 액정층(8)을 투과한 후에 역반사기(50)의 반사막(3)으로부터 그 최초 방향을 향해 역반사된다. 따라서, 규칙적으로 반사된 외부 입사광의 일부는 관측자의 눈에 도달하지 않는다. 대신, 관측자의 눈에 도달하는 빛의 대부분은 관측자의 눈 주변에서 방출되는 빛의 반사된 부분이다. 또한, 이 역반사기(50)에 있어서, 코너 큐브의 각 최소 유닛 구조는 크기가 매우 작으며, 이 크기는 픽셀 크기(예컨대 100㎛)와 동일하거나 또는 이보다 작다. 따라서, 관측자의 동공의 이미지가 눈에 형성된다. 그 결과, 양호한 흑색 디스플레이가 실현된다.
또한, 양호한 실시예의 반사식 디스플레이 장치(70)는 입방체 코너 큐브열을 구비하는 역반사기(50)를 사용한다. 따라서, 삼각뿔 코너 큐브열을 구비하는 반사기가 사용되는 경우에 비해, 디스플레이 장치(70)는 관측자 주변에서 방출되는 외광을 보다 효율적으로 최초 방향으로 역반사시킬 수 있다. 따라서, 흑색 디스플레이 모드에 있어서, 관측자의 눈에 도달할 수도 있는, 원치않는 광량이 감소될 수 있다. 그 결과, 높은 대비비가 실현된다.
제5 실시예
본 발명의 양호한 제5 특정 실시예는 제4 실시예와 다르게 구현되는 액정 디스플레이 장치에 관한 것이다.
도10은 양호한 제5 실시예에 의한 반사식 액정 디스플레이 장치(72)를 도시한다. 반사식 액정 디스플레이 장치(72)는 산란형 액정층(8)이 도5f에 도시된 역반사기(50)의 상반부(50a)와 유사한 구조를 갖는 관측자측 기판(72a)과 하반부(50b)와 유사한 구조를 갖는 비관측자측 기판(72b) 사이에 개재되는 구성을 가진다. 산란형 액정층(8)의 산란(또는 투과) 상태를 제어하도록 전압을 인가하기 위한 투명 전극(10)은 액정층(8)에 대향된 관측자측 기판(72a)의 표면 상에 형성된다. 다른 투명 전극(10)은 액정층(8)에 대향된 비관측자측 기판(72b)의 표면 상에 형성된다. 색상 필터층(9)에는 투명 기판(1)과 투명 수지층(2) 사이에 관측자측 기판(72a)이 더 제공된다.
이후로는, 반사식 액정 디스플레이 장치(72)를 제조하는 방법이 기술될 것이다. 먼저, 관측자측 기판(72a)을 제조하기 위해서는, 색상 필터층(9)은, 예컨대 유리로 된 투명 기판(1)의 표면 중 하나 상에 공지된 기술로 형성된다. 다음, 색상 필터층(9)의 표면은 도4a 및 도4b에 도시된 다이로 양각 가공되어 자외선에 노출되어 자외선에 의해 경화된 자외선 경화성 투명 수지 재료로 코팅된다. 이러한방식으로, 복수의 삼각뿔 오목부를 구비한 표면을 갖는 투명 수지층(2)이 형성된다. 투명 수지 재료로는, 니뽄 가야쿠 가부시키가이샤로부터 제공되는 SR35가 사용되었다. 수지 재료는 노출 온도가 50℃이고 자외선 방사량이 50mW/㎠×60초인 상태에서 경화되었다.
이어서, 알루미늄막은 증발 장치를 사용하여 투명 수지층(2)의 전체 표면 위에 100nm의 두께로 증착된다. 그런 후, 삼각뿔 오목부 이외의 평탄부를 덮는 알루미늄막의 초과된 부분은 에칭제(etchant)로서 질산, 인산, 아세트산 및 물의 혼합물을 사용하여 에칭 제거된다. 이러한 방식으로, 금속성 반사막(3)은 삼각뿔 오목부 상에만 선택적으로 형성된다. 다음, 금속성 반사막(3)으로 덮인 삼각뿔 오목부는 이를 평탄화하도록 자외선 경화성 수지 재료로 충전된다. 그런 후, 자외선 경화성 수지 재료는 자외선에 노출되어 자외선에 의해 경화됨으로써 투명 평탄 부재(6)를 형성하게 된다. 이후로는, ITO(인듐 산화 주석)의 전도체막은 스퍼터링 장치를 사용하여 평탄 수지층 상에 형성된 후, 투명 전극(10)을 형성하도록 소정의 형상으로 패턴화된다. 이러한 방식으로, 관측자측 기판(72a)이 달성된다.
한편, 비관측자측 기판(72b)을 제조하도록, 기판(5)은 삼각뿔 볼록부를 그 위에 갖는 다이로 양각가공된 후 자외선에 노출되어 자외선에 의해 경화된 수지 재료로 코팅된다. 이러한 방식으로, 복수의 삼각뿔 오목부를 구비한 표면을 갖는 수지층(4)이 형성된다. 그 이후로, 금속성 반사막(3)과 투명 전극(10)은 비관측자 기판(72b)을 달성하도록 관측자측 기판(72a)에서 사용된 방법과 동일하게 형성된다.
이어서, 관측자측 기판(72a)과 비관측자측 기판(72b)은 각각의 수지층(2, 4)이 서로에 대해 대향되도록 기판들 사이에 개재된 약 10㎛의 간극으로 함께 접합된다. 이러한 경우에 있어서, 이 2개의 기판(72a, 72b)은 기판(72a)의 오목부가 기판(72b)의 상응부와 대면하지 않고 이 기판(72a, 72b)에 제공된 반사막(3)이 입방체 코너 큐브열을 사실상 형성하도록 배치된다. 그런 후, 산란형 액정 재료는 이러한 방식으로 접합된 이 기판(72a, 72b) 사이의 간극 내로 주입되어 산란형 액정층(8)을 형성하게 된다. 기판을 접합하는 공정 단계와 액정 재료를 주입하는 공정 단계는 액정 디스플레이 장치를 제조하기 위한 종래의 방법으로 수행될 수도 있다. 이러한 방식으로, 입방체 코너 큐브열을 대체로 구비하는 반사식 액정 디스플레이 장치(72)가 달성된다.
전술된 바와 같이, 반사식 액정 디스플레이 장치(72)에 있어서, 액정층(8)은 관측자측 기판 및 비관측자측 기판(72a, 72b)에 제공된 반사 영역(R1, R2) 사이에 각각 개재된다. 즉, 이 반사 영역(R1, R2)은 서로에 대해 연속적이지 않다. 그러나, 반사 영역(R1)을 직각으로 교차하는 법선이 반사 영역(R2)을 직각으로 교차하는 법선과 평행하다면, 외부 입사광은 적절하게 역반사될 수 있다. 따라서, 반사 영역(R1, R2) 쌍은 대체로 입방체 코너 큐브의 단일 반사 평면으로서 기능한다.
이후로는, 코너 큐브의 최소 유닛 구조의 크기(S1, S2)와, 이러한 구성을 갖는 반사식 디스플레이 장치를 위한 R(적색), G(녹색), 또는 B(청색)를 표현하는 색상 필터의 영역(또는 도트)의 크기(S0) 사이의 관계가 도11 및 도12를 참조하여 기술될 것이다.
도11에 도시된 디스플레이 장치에 있어서, 코너 큐브열의 최소 유닛 구조의 크기(S1)는 각 색상을 표현하는 도트의 크기(S0)와 동일하거나 또는 이보다 작다. 도11에 도시된 일예에 있어서, S1은 S0과 대략 동일한 것으로 도시된다. 한편, 도12에 도시된 디스플레이 장치에 있어서, 코너 큐브열의 최소 유닛 구조의 크기(S2)는 각 색상을 표현하는 도트의 크기(S0) 보다 크다. 보다 구체적으로는, 양호한 실시예에 있어서, 각각의 색상을 표현하는 도트는 100㎛의 피치로 형성되고, 도11의 코너 큐브열의 최소 유닛 구조는 크기(S)가 100㎛이고 도12의 코너 큐브열의 최소 유닛 구조는 크기(S2)가 200㎛이다.
코너 큐브열의 각각은 역반사된 광선(15)이 입사 광선(14)과 평행하도록 그 광원으로 입사 광선(14)을 다시 역반사시킨다. 동시에, 코너 큐브열은 중심축(16)에 대해 광선(14)에 대칭인 위치로 입사 광선(14)을 변환시킨다.
도11에 도시된 디스플레이 장치에 있어서, 입사 광선(14)은 적색(R) 색상 필터(9)를 투과하고, 그 반사된 일부(15)도 동일한 R 색상 필터(9)를 투과한다. 한편, 도12에 도시된 디스플레이 장치에 있어서, 입사 광선(14)은 R 색상 필터(9)를 투과하지만 그 반사된 일부(15)는 녹색(G) 색상 필터(9)를 투과한다. 즉, 입사 광선(14)과 방출 광선(14)은 상호 다른 색상의 색상 필터를 투과한다.
따라서, 역반사기로서 사용되는 광학 요소의 각 최소 유닛 구조가 각 색상을 표현하는 도트의 크기와 동일하거나 또는 이보다 작다면, 입사 광선 및 방출 광선이 상호 다른 색상의 색상 필터를 투과하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 색상이 혼합되는 것을 피할 수 있고 선명도 또는 색도가 감소하는 것을 억제할 수 있다.
제6 실시예
본 발명의 양호한 제6 특정 실시예는 전술된 제4 및 제5 실시예와 상이하게 구현되는 액정 디스플레이 장치에 관한 것이다.
도13은 제6 실시예에 의한 반사식 액정 디스플레이 장치(74)를 도시한다. 도13에 도시된 바와 같이, 반사식 액정 디스플레이 장치(74)는 관측자측 기판(74a)과 비관측자 기판(74b)이 함께 접합되는 구조를 가진다. 관측자측 기판(74a)은 제5 실시예에서 기술된 관측자측 기판(72a)과 동일한 구성을 가지며 관측자측 기판(72a)을 제조하는 데에 사용되는 방법과 동일한 방법에 의해 형성될 수도 있다.
한편, 비관자측 기판(74b)의 수지층(4)에 형성된 삼각뿔 오목부는 산란형 액정층(8)으로 충전된다. 또한, 이 삼각뿔 오목부는 금속성 반사 전극막(11)으로 덮인다. 양호한 실시예의 반사식 액정 디스플레이 장치(74)에 있어서, 금속성 반사 전극막(11)은 입사광을 반사할 뿐만 아니라 산란형 액정층(8)에 전압을 인가하기 위한 전극으로도 기능한다. 금속성 반사 전극막(11)은 제5 실시예의 비관측자측 기판(72b)을 위한 금속성 반사막(3)을 형성하는 데에 사용되는 것과 유사한 방법으로 형성될 수도 있다.
이러한 구성에 있어서, 액정층(8)은 관측자측 기판과 비관측자측 기판(74a, 74b) 사이에 임의의 간극을 제공하지 않고 배치될 수도 있다. 따라서, 입사광을 보다 확실하게 역반사시킬 수 있고 입사광을 보다 효율적으로 사용할 수 있는 입방체 코너 큐브열이 달성된다. 그 결과, 시감도가 개선되고 보다 선명한 이미지가 디스플레이 된다.
제7 실시예
본 발명의 양호한 제7 특정 실시예는 각각이 복수의 오목부를 구비한 한 쌍의 기판을 함께 접합하여 입방체 코너 큐브열과 다른 형태의 광학 요소를 제조하는 기술에 관한 것이다.
도14a 내지 도14c 및 도15a 내지 도15c는 소정의 방향으로부터 입사된 광선을 규칙적으로 반사하지 않고 다른 방향으로 선택적으로 반사하는 데에 사용되는 반사기를 도시한다. 이러한 반사기를 이용한 반사식 액정 디스플레이 장치는 예컨대 일본 공개 공보 제2000-221497호에 기술된다.
도14a 및 도15a에 도시된 반사기(76)는 도14c 및 도15c에 도시된 비관측자측 기판(76b) 상에 도14b 및 도15b에 도시된 투명 관측자측 기판(76a)을 적층시킴으로써 달성된다.
함께 접합될 때 서로에 대해 대향되는 관측자측 기판 및 비관측자측 기판(76a, 76b)의 표면에는 복수의 삼각뿔 오목부가 각각 제공된다. 도14b 및 도15b에 도시된 바와 같이, 관측자측 기판(76a)의 각 오목부는 반사 평면(R4)과 광 흡수 평면(R6)을 가진다. 한편, 도14c 및 도15c에 도시된 바와 같이, 비관측자측 기판(76b)의 오목부의 관련부는 반사 평면(R5) 및 광 흡수 평면(R7)을 가진다. 따라서, 이 기판(76a, 76b)이 도14a에 도시된 바와 같이 함께 접합될 때, 2개의 반사 평면(R4, R5)이 하나의 반사 영역을 형성하도록 서로 연속적으로 배치되고 2개의광 흡수 평면(R6, R7)도 하나의 광 흡수 영역을 형성하도록 서로 연속적으로 배치된다. 이러한 방식으로 형성된 반사기(76)는 대부분의 입사 광선을 규칙적으로 반사하지 않는 방향으로 선택적으로 반사한다.
도16a 내지 도16c 및 도17a 내지 도17c는 다른 형태의 반사기(78)를 도시한다. 또한, 이 반사기(78)는 소정의 각으로 입사된 입사 광선을 소정의 방향으로 선택적으로 반사하는 데에 사용될 수도 있다. 도16a 내지 도17c에 도시된 바와 같이, 반사기(78)는 한 쌍의 기판(78a, 78b)을 함께 접합시킴으로써 달성될 수 있다. 기판(78a)의 각 오목부에 제공된 광 흡수 평면(R21)과 반사 평면(R11, R12, R13)을, 기판(78b)의 관련 오목부에 제공된 광 흡수 평면(R22)과 반사 평면(R14, R15, R16)과 결합시킴으로써, 복잡한 오목부와 볼록부를 구비한 반사기가 실현된다.
제8 실시예
본 발명의 양호한 제8 특정 실시예는 기판에 형성된 복수의 오목부의 각각을 기판 상에 형성된 볼록부와 결합시킴으로써 입방체 코너 큐브를 제조하는 기술에 관한 것이다.
먼저, 제2 실시예에서 이미 기술된 절단 툴을 사용함으로써(도7a 참조), 다수의 V형 홈은 브라스, 니켈 또는 임의의 다른 적절한 재료의 금속성 판(예컨대 기부 재료)의 표면에서 3방향으로 형성된다. 이 3개의 절단 방향은 도18a에 도시된 바와 같이 한정된다. 구체적으로, 절단 방향(D1)이 기준으로 결정된 후에, 제2 절단 방향(D2)은 기준 절단 방향(D1)과 +60도의 각을 형성하도록 한정되고 제3 절단 방향(D3)은 기준 절단 방향(D1)과 -60의 각을 형성하도록 한정된다. 또한, 절단툴의 절삭날 각(정점 각)은 도18b에 도시된 바와 같이 약 70.5도로 설정되고 홈은 도18a에 도시된 바와 같이 10㎛의 피치로 형성된다.
그 결과, 다수의 삼각뿔 볼록부는 3방향으로 연장한 홈의 내부면에 의해 금속성 판의 표면에 조밀하게 형성된다. 도20의 (a)는 이러한 방식으로 형성된 삼각뿔 볼록부를 도시하는 사시도이다. 절단 툴의 절삭날 각은 전술된 방식으로 조절되기 때문에, 삼각뿔 볼록부를 구성하는 3개의 삼각면은 직각 이등변 삼각형의 형태이고 서로에 대해 수직 대향된다. 각 삼각뿔 볼록부의 바닥은 정삼각형의 형상이다.
또한, 도19의 (a)에 도시된 바와 같이, 정렬 표시기로서 사용되는 절단 홈(104)은 그 삼각뿔 볼록부가 형성되는 영역(106)을 둘러싸도록 형성된다. 이 경우에 있어서, 절단 홈(104)은 정렬 표시기 홈(104)의 바닥이 삼각뿔 볼록부의 바닥과 동일한 수준에 있도록 형성된다. 이러한 방식으로, 다이(102)가 완성된다.
다음, 도19의 (b1)에 도시된 바와 같이, 네가티브(negative, 110)는 이 다이(102)를 사용하여 아크릴 재료(예컨대 미쓰비시 레이온 가부시끼가이샤에 의해 공급되는 마크립펫)로 제조된다. 다이(102)의 삼각뿔 볼록부의 형상에 대응되는 형상을 갖는 다수의 삼각뿔 오목부는 도20의 (b)에 도시된 바와 같이 이 네가티브(110)에 형성된다. 즉, 이 삼각뿔 오목부의 각각을 구성하는 3개의 직각 이등변 삼각면은 또한 상호 수직으로 대향된다.
이어서, 도19의 (c1)에 도시된 바와 같이, 네가티브(110)의 오목부는, 예컨대 포토 경화성 수지 재료(112)로 충전된다. 양호한 실시예에 있어서, 네가티브포토레지스트(예컨대 도쿄 오카 고교 가부시끼가이샤에 의해 제공되는 ONNR-22)는 수지 재료(112)로 사용된다. 이러한 방식으로, 네가티브(110)의 오목부는 평탄화된다. 이 평탄화 공정 단계는 이후에 자세히 기술될 것이다.
한편, 도19의 (b2)에 도시된 바와 같이. 다른 네가티브(120)는 동일한 다이(102)를 사용하여 니켈과 같은 재료로 제조된다. 도20의 (b)에 도시된 바와 같이, 이 네가티브(120)는 서로에 대해 수직 대향된 3개의 직각 이등변 삼각면으로 각각 구성되는 복수의 삼각뿔 오목부를 또한 가진다.
이어서, 도19의 (c2)에 도시된 바와 같이, 네가티브(120)의 오목부는 포토 경화성 수지 재료(122)로 또한 충전된다. 양호한 실시예에 있어서, 네가티브 포토레지스트(예컨대, 도쿄 오카 고교 가부시끼가이샤에 의해 공급되는 ONNR-22)는 또한 수지 재료(122)로 사용된다. 이러한 방식으로, 네가티브(120)의 오목부는 평탄화된다. 이 평탄화 공정 단계는 이후에 자세히 기술될 것이다.
양호한 실시예에 있어서, 네가티브(110, 120)의 오목부는 도21에 도시된 장치(210)를 사용하여 수지 재료(112, 122)로 충전된다. 평탄화 장치(210)에 있어서, 기판[212; 즉 본 경우의 네가티브(110, 120)]의 표면 상에 도포될 액체[214; 즉 경화될 포토 경화성 수지 재료(112, 122)]는 저장소(215)에 저장된 후, 모세관 작용을 이용하여 노즐(216)의 단부를 통해 급송된다. 그런 후, 노즐(216)의 단부와 접촉을 유지하도록 배치된 기판(212)은 수평 이동된다. 이러한 방식으로, 기판(212)의 전체 표면은 액체(214)로 고르게 코팅될 수 있고, 액체(214)로 코팅된 기판(212)의 표면은 평탄화될 수 있다. 표면이 더 평탄화되어야 한다면, 기판 표면은 네가티브(110, 120)의 오목부를 충전한 수지 재료(112, 122)가 경화된 후에 폴리싱될 수도 있다.
다음, 도19의 (d1) 및 (d2)에 도시된 바와 같이, 수지 재료(112, 122)는 불투명부와 투명부(114a, 114b)를 갖는 포토 마스크(114)와, 불투명부와 투명부(124a, 124b)를 갖는 포토 마스크(124)를 통해 빛에 각각 노출된다. 이 포토 마스크(114, 124)의 불투명부(114a, 124a) 및 투명부(114b, 124b)는 수지 재료(112, 122)로 충전된 삼각뿔 오목부의 형상과 대응하는 정삼각 평면 형상을 가진다. 이 포토 마스크(114, 124)에 있어서, 불투명부 및 투명부(114a, 114b, 124a, 124b)는 교대로 배열된다. 그러나, 포토마스크(114)의 불투명부 및 투명부(114a, 114b)의 배열은 포토 마스크(124)의 불투명부 및 투명부(124a, 124b)의 배열과 대향된다.
양호한 실시예에 있어서, 수지 재료(112, 122)는 네가티브 포토레지스트이고, 투명부(114b, 124b)를 투과한 빛에 노출되는 재료(112, 122)의 일부는 경화된다. 따라서, 도19의 (e1) 및 (e2)에 도시된 바와 같이, 포토 마스크(114, 124)의 투명부(114b, 124b)에 대응하는 오목부를 충전하는 수지 재료(112, 122)의 일부는 선택적으로 경화된다. 따라서, 포토레지스트는 이 부분만이 평탄 부재(116, 126)로서 남아있도록 개발된다. 도20의 (e1) 및 (e2)는 이러한 방식으로 선택적으로 충전된 소정의 오목부를 얻음으로써 부분적으로 평탄화된 표면을 갖는 네가티브(110, 120)를 도시한다.
이어서, 아크릴 재료로 제조된 네가티브(110)에 있어서, 평탄 부재(116)로충전되지 않은 잔류 오목부(117)는 박리제(예컨대 다이킨 고교 가부시키가이샤에 의해 공급된 다이프리)로 코팅된 후 포토 경화성 아크릴산 단량체(acrylate monomer)로 충전된다. 단량체는 노출되어, 중합되고 경화되어, 도19의 (f1)에 도시된 바와 같이 삼각뿔 고형체(118)를 형성하게 된다. 이 고형체(119)의 노출면은 평탄한 것이 바람직하다. 따라서, 노출면은 도21에 도시된 평탄화 장치(210)를 사용하여 단량체로 더 충전될 수도 있거나 또는 단량체가 경화된 후에 폴리싱될 수도 있다.
니켈로 제조된 다른 네가티브(120)에 대해서, 접착제(128; 예컨대 미쓰비스 케이칼 가부시끼가이샤에 의해 공급된 스트럭트본드)는 분배기를 사용하거나 또는 스크린 프린팅 방법에 의해 평탄 부재[즉, 네가티브 포토레지스트(126)] 상에 도포된다. 선택적으로, 입자 크기가 약 1㎛인 플라스틱 비드는 접착제(128)의 두께를 적절하게 제어하도록 접착제(128) 내에 혼합될 수도 있다.
그 이후에, 도19의 (g)에 도시된 바와 같이, 도19의 (f1)에 도시된 네가티브(110)는 도19의 (f2)에 도시된 네가티브(120) 상에 접합된다. 이 공정 단계에 있어서, 네가티브(110, 120)는 네가티브(110)에 보유된 고형체(118)가 네가티브(120)의 오목부를 충전하는 평탄 부재(126)를 대면하고 고형체(118)와 평탄 부재(126)가 접착제(128)를 통해 서로 고정되는 방식으로 대향된다. 이 경우에 있어서, 네가티브(110, 120)는 이에 제공된 정렬 표시기(115)를 이용하여 서로 정확히 정렬될 수 있다. 그 결과, 입방체 코너 큐브를 구성하는 대체로 정방형인 각 평면은 양호한 프로파일 불규칙성(또는 평면성)을 가질 수 있다.
이어서, 도19의 (h)에 도시된 바와 같이, 네가티브(110)가 해제된다. 그 결과, 네가티브(110)에 보유된 고형체(118)는 도20의 (h)에 도시된 바와 같이 네가티브(120) 상에 전사된다. 이러한 방식으로, 입방체 마이크로 코너 큐브열이 형성된다. 마이크로 코너 큐브열을 그 위에 갖는 네가티브(120)는, 예컨대 수지층의 표면에 마이크로 코너 큐브열을 제조하기 위한 다이로 사용될 수도 있다. 이 경우에 있어서, 니켈과 같은 재료로 덮이는 다이는 전기주조 기술에 의해 이 네가티브(120)로부터 제조된 후, 이 방법으로 달성된 다이의 표면 형상(또는 비평활성)은 마이크로 코너 큐브열을 형성하도록, 예컨대 다른 수지막 상에 전사될 수도 있다.
제9 실시예
본 발명의 양호한 제9 특정 실시예는 기판에 형성된 오목부와 전술된 제8 실시예와 상이하게 기판 상에 형성된 볼록부의 입방체 코너 큐브를 제조하는 다른 기술에 관한 것이다. 구체적으로는, 제9 실시예에 있어서, 그 표면이 {111} 단결정 평면과 평행한 입방체 단결정 기판이 준비되고 기판의 표면은 입방체 코너 큐브열로서 비평활 표면을 달성하도록 이방성으로 에칭된다.
먼저, 도22a의 (a)에 도시된 바와 같이, 표면이 {111} 결정 평면과 평행한 게르마늄의 2개의 단결정 기판(130)이 준비된다. 다음, 도22a의 (b1) 및 (b2)에 도시된 바와 같이, 각각이 정삼각 평면 형상의 복수의 개구를 갖는 레지스트 마스크(132, 134)는 이 2개의 기판(130) 상에 형성된다. 도22a의 (b1') 및 (b2')는 각각 도22a의 (b1) 및 (b2)에 도시된 기판(130)과 레지스트 마스크(132, 134)의 사시도이다.
이 경우에 있어서, 레지스트 마스크(132, 134)의 정삼각형은 각변의 길이가 11.5㎛이고 각 변이 {100} 게르마늄 단결정 평면과 평행하도록 배열된다. 도22a의 (b1') 및 (b2')에 있어서, 레지스트 마스크 패턴 요소 및 개구는 상호 대향된 패턴을 형성하는 것으로 도시되고, 이 기판(130)은 그 방위가 180도로 서로로부터 이동되었던 것으로 도시된다. 따라서, 이 기판(130) 상에 형성된 레지스트 마스크 패턴은 사실상 동일하다. 도22a의 (b1') 및 (b2')에 있어서, {100} 단결정 평면과 평행한 두 방향은, 예컨대 화살표(135)로 표시된다. 이 레지스트 마스크 패턴은 이 기준 방향에서 관찰될 때, 이 기판 상의 레지스트 마스크 패턴이 동일하다는 것을 알 수 있다.
다음, 이 기판(130)은 에칭된다. 이 에칭 공정 단계에 있어서, 플루오르화 수소산, 과산화수소수 및 물의 혼합물(50wt% HF: 30wt% H2O2: H2O =1:1:4인 경우)은 에칭제로서 사용되고, 에칭 온도는 1도로 설정되고 에칭 시간은 15분으로 설정된다. 그 결과, 도22a의 (c1) 및 (c2)에 도시된 오목부가 형성된다.
이 공정 단계에 있어서, 에칭 공정은 {111} 평면에서 시작한다. 그러나, 수직으로 서로 교차하는 평면을 구비하는 {100} 평면의 에칭율은 {111} 평면보다 작다. 따라서, 에칭 공정은 이 {100} 평면이 노출되도록 이방성으로 진행한다.
그 이후로는, 도22b의 (d1) 및 (d2)에 도시된 바와 같이, 레지스트 마스크(132, 134)는 기판의 표면으로부터 박리된다. 도22b의 (d1') 및 (d2')는 레지스트 마스크(132, 134)가 제거된 기판을 도시한다. 도22b의 (d1') 및 (d2')로부터 알 수 있는 바와 같이, 서로에 대해 대체로 수직으로 대향된 3개의 직각 이등변 삼각면으로 각각 구성되는 복수의 삼각뿔 오목부(136)는 기판의 각각에 형성된다. 평탄부(138)는 인접한 오목부(136)들 사이에 형성된다.
다음, 도22b의 (e2)에 도시된 바와 같이, 2개의 기판들 중 하나의 오목부(136)는 노출되어, 중합되고 경화되는 포토 경화성 아크릴산 단량체로 충전되어 삼각뿔 고형체(140)를 형성한다. 이 고형체(140)의 노출된 표면은 평탄한 것이 바람직하다. 따라서, 노출된 표면은 도21에 도시된 평탄화 장치(210)를 사용하여 단량체로 충전될 수도 있고 단량체가 경화된 후에 폴리싱될 수도 있다.
그 이후에, 도22b의 (f)에 도시된 바와 같이, 도22b의 (e2)에 도시된 기판은 도22b의 (d1)에 도시된 기판 상에 접합된다. 이 공정 단계에 있어서, 기판은 2개의 기판 중 하나에 보유된 고형체(140)가 다른 기판의 평탄부(138)와 대면하여 고형체 및 평탄부(140, 138)가 접착제에 의해 서로 고정되는 방식으로 대향된다.
이어서, 도22b의 (g)에 도시된 바와 같이, 도22b의 (e2)에 도시된 기판은 제거된다. 그 결과, 고형체(140)는 다른 기판의 평탄부(138) 상에 전사되어 도22b의 (g')에 도시된 바와 같이 입방체 마이크로 큐브열을 형성하게 된다.
도22b의 (d1), (d1'), (d2) 및 (d2')에 도시된 바와 같이 그 표면에 오목부(136)와 평탄부(138)를 갖는 부재는 또한 다른 방법으로 준비될 수도 있다. 예컨대, 부재는 서로에 대해 수직 대향된 3개의 이등변 삼각면으로 구성된 삼각뿔 볼록부를 갖는 핀을, 제1 실시예에서 이미 기술된 바와 같이, 예컨대 니켈의 기부재료에 대항하여 직접 가압함으로써 또한 형성될 수도 있다. 이러한 방식으로 달성된 부재가 사용되는 경우에도, 마이크로 코너 큐브열은 도22b의 (e2), (f) 및 (g)에 도시된 공정 단계를 수행함으로써 또한 형성될 수도 있다.
마이크로 코너 큐브열을 갖는 기판(130)은, 예컨대 수지층의 표면에 마이크로 코너 큐브열을 제조하기 위한 다이로 사용될 수도 있다는 것을 알 것이다. 이 경우에 있어서, 니켈과 같은 재료로 덮여진 다이는 전기주조 기술에 의해 이 기판(130)으로부터 제조될 수도 있고, 그런 후 이러한 방식으로 달성된 다이의 표면 형상(또는 비평활성)은 마이크로 코너 큐브열을 형성하도록, 예컨대 다른 수지막 상에 전사될 수도 있다.
제10 실시예
본 발명의 양호한 제10 특정 실시예에 있어서, 표면이 {111} 단결정 평면과 평행한 입방체 단결정 기판은 또한 구비되어 기판의 표면은 입방체 코너 큐브열로서 비평활 표면을 달성하도록 이방성으로 에칭된다.
먼저, 도23a의 (a) 및 (a')에 도시된 바와 같이, 표면이 {111} B 결정 평면과 평행한 비소 갤륨의 단결정 기판(150)이 구비된다. {111} B 비소 갤륨 결정 평면은 비소에 의해 형성된 {111} 평면을 의미한다.
다음, 도23a의 (b) 및 (b')에 도시된 바와 같이, 정삼각 평면 형상의 복수의 개구를 갖는 레지스트 마스크(152)는 기판(150) 상에 형성된다. 이 경우에 있어서, 레지스트 마스크(152)의 정삼각형은 각 변의 길이가 11.5㎛이고 각 변이 {100} 비소 갤륨 단결정 평면과 평행하도록 배열된다.
이어서, 기판(150)은 에칭된다. 이 에칭 공정 단계에 있어서, 암모니아수, 과산화수소수 및 물(이 경우 28wt% NH4OH: 30wt% H2O2: H2O = 8:2:5)은 에칭제로서 사용되고, 에칭 온도는 17도로 설정되고 에칭 시간은 2분으로 설정된다. 그 결과, 볼록부는 도23a의 (c) 및 (c')에 도시된 바와 같이 형성된다.
양호한 실시예에 있어서, 레지스트 마스크(152)로 덮인 기판(150)의 일부는 또한 에칭 제거되며 평탄부는 마스크(152)의 개구(154)에 대응하는 기판(150)의 다른 일부에 형성된다. 이는 전술된 에칭 상태 하에서, {111} B 비소 갤륨 단결정 평면의 에칭율이 {100} 평면의 에칭율보다 그리 크지 않기 때문이다.
즉, {100} 단결정 평면의 에칭율이 에칭 상태 하에서 작기 때문에 에칭 공정은 {100} 평면이 노출되도록 진행한다. 또한, 에칭 공정은 기판 두께 방향(즉 {111} B 평면에 수직인 방향)으로 신속하게 진행하지 않고, 오목부의 바닥은 그 크기가 감소하지 않는다. 알 수 있는 바와 같이, 이방성 에칭 공정에 의해 형성된 기판 표면 형상은 {111} 평면에 대한 {100} 평면의 적절한 에칭 선택을 채택함으로써 변경가능하다.
양호한 실시예에 있어서, 에칭 공정이 진행함에 따라, 레지스트 마스크(152)와 기판 표면 사이의 접촉 영역이 감소한다. 소정의 에칭 공정이 끝나면, 도23a의 (c) 및 (c')에 도시된 바와 같이 레지스트 마스트(152)와 기판 표면 사이의 접촉 영역은 거의 없다. 다라서, 제9 실시예의 레지스트 박리 공정을 수행하지 않더라고, 서로에 대해 대체로 수직 대향된 3개의 직각 이등변 삼각면으로 각각 이루어진복수의 삼각뿔 볼록부(156)를 갖는 기판은 도23a의 (d) 및 (d')에 도시된 바와 같이 달성될 수 있다.
그 이후로, 도23b의 (e)에 도시된 바와 같이, 알루미늄막(160)은, 예컨대 스퍼터링 장치를 사용하여 도23a의 (d) 및 (d')에 도시된 기판(150) 위에 약 20㎛의 두께로 증착된다. 그런 후, 알루미늄막(160)은 기판(150)에서 제거된다. 이러한 방식으로 제거된 알루미늄막(160)에 있어서, 기판(150)의 볼록부(156)의 형상과 대응하는 형상을 갖는 복수의 삼각뿔 오목부가 형성된다.
다음, 도23b의 (f)에 도시된 바와 같이, 알루미늄막(160)에 형성된 오목부는 노출된 후 중합되어 경화된 포토 경화성 아크릴산 단량체로 충전되어 삼각뿔 고형체(162)를 형성하게 된다.
이어서, 도23b의 (h)에 도시된 바와 같이, 도23b의 (f)에 도시된 알루미늄막(160)은 [도22b의 (d1)에 대응하는] 도23b의 (g)에 도시된 제8 실시예에 따라 기판(130) 상에 접합된다. 이 공정 단계에 있어서, 알루미늄막(160)과 기판(130)은 알루미늄막(160)에 보유된 고형체(162)가 기판(130)의 평탄부(138)에 대면하여 고형체(162)와 평탄부(138)가 서로 고정되는 방식으로 대향된다.
다음, 이 방식으로 서로 고정된 알루미늄막(160)과 기판(130)은 알카리 용액에 침지함으로써, 알루미늄막(160)만 선택적으로 용해시킨다. 그 결과, 도23b의 (i) 및 (i')에 도시된 것과 같은 입방체 마이크로 코너 큐브열이 달성된다.
다이는 이 방식으로 달성된 마이크로 코너 큐브열에서 전기주조 기술에 의해 제조될 수도 있고 마이크로 코너 큐브열은 다이를 이용하여, 예컨대 수지막에 형성될 수도 있다
일예 및 비교예
2개의 기판으로 형성된 입방체 코너 큐브열을 사용하여 본 발명의 일예로서 제조되고 단일 기판 상에 형성된 삼각뿔 코너 큐브열을 사용하여 비교예로서 제조된 2개의 반사식 액정 디스플레이 장치의 디스플레이 특성이 각각 측정되었다.
다음의 표1은 이 2가지 형태의 장치를 위한 산광 조명기(diffused illuminator) 하에서 수직으로 측정되었던 반사율을 도시한다.
표1
백색 디스플레이 반사율(%) 흑색 디스플레이 반사율(%) 대비비
일예 30 1.9 15.8
비교예 33 5.5 6.0
표1로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일예로서의 디스플레이 장치는 비교예로서의 디스플레이 장치보다 작은 후방 디스플레이 반사율을 나타내었으며, 흑색을 양호하게 디스플레이할 수 있었다. 이는 본 발명의 일예로서의 디스플레이 장치가 주변광을 보다 효율적으로 역반사할 수 있는 입방체 코너 큐브열로서 구현되는 반사기를 구비하지만, 비교예로서의 디스플레이 장치는 외광의 일부를 역반사할 수 없어 빛의 일부가 관측되게 하기 때문이다. 그 결과, 본 발명의 일예로서의 디스플레이 장치는 대비비가 비교예로서의 디스플레이 장치보다 큰 것으로 나타났다.
본 발명에 의하면, 디스플레이 장치 및 다른 형태의 장치에 적절하게 적용가능하고 크기가 매우 작은 광학 요소가 상대적으로 용이하게 제조될 수 있다. 예컨대, 고효율로 입사광을 역반사시키기 위한 마이크로 코너 큐브열은 매우 용이하게 제조될 수 있다. 이러한 마이크로 코너 큐브열을 구비한 디스플레이 장치는 대비비가 크고 색순도가 크며 양호한 시감도를 갖는 디스플레이를 실현한다.
본 발명은 양호한 실시예에 대해 기술되었지만, 개시된 발명이 여러 방식으로 변경될 수도 있고 구체적으로 전술된 실시예 이외의 다수의 실시예에 있다는 것은 당업자에게 명백하다. 따라서, 본 발명의 사상과 범위 내에 있는 본 발명의 모든 변경 실시예를 포함할 것이 이후의 청구항에 의해 의도된다.
본 발명에 의하면, 디스플레이 장치 및 다른 형태의 장치에 적절하게 적용가능하고 크기가 매우 작은 광학 요소가 상대적으로 용이하게 제조될 수 있다.

Claims (36)

  1. 제1 오목부를 구비한 제1 표면을 갖는 제1 부재와, 제2 오목부를 구비한 제2 표면을 가지고 입사광을 투과시키는 제2 부재를 포함하고,
    제1 및 제2 부재는 제1 및 제2 표면이 서로에 대해 대향되도록 배치되고, 제1 및 제2 반사 영역은 제1 및 제2 오목부 상에 각각 형성되고, 제2 부재를 투과하는 입사광의 적어도 일부는 제1 및 제2 반사 영역 중 적어도 하나로부터 반사되는 것을 특징으로 하는 광학 요소.
  2. 제1항에 있어서, 제1 표면은 제1 오목부와 평탄부를 구비하고, 제2 표면은 제2 오목부와 평탄부를 구비하고, 제1 및 제2 오목부는 서로에 대해 대향되지 않도록 배치되는 것을 특징으로 하는 광학 요소.
  3. 제1항에 있어서, 제1 및 제2 오목부는 대체로 동일한 형상인 것을 특징으로 하는 광학 요소.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 제2 부재를 투과한 입사광의 적어도 일부는 입사광이 역반사되도록 제1 및 제2 반사 영역 모두로부터 반사되는 것을 특징으로 하는 광학 요소.
  6. 제1항에 있어서, 제1 및 제2 반사 영역중 적어도 하나는 금속성 막으로 제조된 것을 특징으로 하는 광학 요소.
  7. 제1항에 있어서, 제2 반사 영역은 제2 부재보다 작은 굴절률을 갖는 재료로 제조된 것을 특징으로 하는 광학 요소.
  8. 제7항에 있어서, 제1 반사 영역 상의 제1 오목부를 충전하기 위한 부재를 더 구비하고, 제1 반사 영역은 제1 오목부를 충전하기 위한 부재보다 작은 굴절률을 갖는 재료로 제조된 것을 특징으로 하는 광학 요소.
  9. 청구항 1의 광학 요소와, 제1 및 제2 부재 사이에 개재된 광 변환층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반사식 디스플레이 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 광 변환층은 산란형 액정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사식 디스플레이 장치.
  11. 제10항에 있어서, 제1 부재의 제1 오목부를 충전하는 제1 평탄 부재와, 제2부재의 제2 오목부를 충전하는 제2 평탄 부재를 더 포함하고, 상기 산란형 액정층은 제1 평탄 부재에 의해 평탄화되는 제1 부재의 표면과 제2 평탄 부재에 의해 평탄화되는 제2 부재의 표면 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 반사식 디스플레이 장치.
  12. 제10항에 있어서, 산란형 액정층은 제1 부재의 제1 오목부를 충전하는 것을 특징으로 하는 반사식 디스플레이 장치.
  13. 청구항 1의 광학 요소와,
    상기 광학 요소를 대면하도록 배치된 투명 기판과,
    상기 광학 요소와 투명 기판 사이에 개재되어 광 산란 상태 또는 광 투과 상태에 있도록 제어되는 광 변환층을
    포함하는 것을 특징으로 하는 반사식 디스플레이 장치.
  14. 서로에 대해 대체로 수직 대향된 3면을 각각 갖는 코너 큐브의 열에 있어서,
    상기 각 코너 큐브의 3면의 각각은 기부 부재에 형성된 오목부의 제1 표면과, 상기 오목부에 근접하도록 기부 부재 상에 형성된 볼록 부재의 제2 표면을 구비하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열.
  15. 제14항에 있어서, 상기 기부 부재는 오목부와 이에 인접한 평탄부를 구비하고, 상기 볼록 부재는 평탄부 상에 고정되는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열.
  16. 제14항에 있어서, 오목부의 제1 표면과 볼록 부재의 제2 표면은 각각 직각 이등변 삼각형의 평면 형상이고, 상기 각 코너 큐브의 3면의 각각은 대체로 정방형인 것을 특징으로 하는 코너 큐브열.
  17. 제1 부재에 제1 오목부를 형성하고 제1 오목부 상에 제1 반사 영역을 형성하는 단계와,
    제2 부재에 제2 오목부를 형성하고 제2 오목부 상에 제2 반사 영역을 형성하는 단계와,
    제1 오목부가 형성되는 제1 부재의 표면이 제2 오목부가 형성된 제2 부재의 표면에 대향하는 방식으로 제1 및 제2 부재를 배치하는 단계를
    포함하는 것을 특징으로 하는 광학 요소 제조 방법.
  18. 코너 큐브열을 제조하는 방법에 있어서,
    a) 서로에 대해 대체로 수직 대향된 3개의 삼각면으로 구성된 적어도 하나의 제1 오목부가 삼각뿔 형상으로 형성된 제1 부재를 준비하는 단계와,
    b) 서로에 대해 대체로 수직 대향된 3개의 삼각면으로 구성된 적어도 하나의 제2 오목부가 삼각뿔 형상으로 형성된 제2 부재를 준비하는 단계와,
    c) 제1 오목부가 형성되는 제1 부재의 표면이 제2 오목부가 형성되는 제2 부재의 표면과 대향되는 방식으로 제1 및 제2 부재를 배치하는 단계를 포함하고,
    상기 코너 큐브열은 제1 오목부에 의해 한정된 제1 삼각 평면 세트와 제2 오목부에 의해 한정된 제2 삼각 평면 세트를 각각 포함하는 복수의 입방체 코너 큐브로 구성되는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 제1 오목부의 3개의 삼각면의 각각에 반사 영역을 형성하는 단계와, 제2 오목부의 3개의 삼각면의 각각에 반사 영역을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    제2 부재는 투명하고, 제1 오목부에 제공되는 반사 영역과, 제2 오목부에 제공되는 반사 영역은 제1 오목부에 제공된 반사 영역이 오목 반사 영역으로 사용될 때 제2 오목부에 제공된 반사 영역이 볼록 반사 영역으로 사용되도록 서로에 대해 대체로 연속 배열된 것을 특징으로 하는 코너 큐브열 제조 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 c) 단계가 수행되기 전에 제1 부재의 제1 삼각뿔 오목부를 제1 오목부의 형상과 대응하는 삼각뿔 형상을 갖는 볼록부로 충전하는 단계와,
    c) 단계가 수행된 후에 삼각뿔 형상의 볼록 부재를 제2 부재 상에 고정시키는 단계를
    더 포함하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열 제조 방법.
  21. 코너 큐브열을 제조하는 방법에 있어서,
    a) 3개의 수직 대향된 이등변 삼각면을 각각 갖는 복수의 삼각뿔 오목부를 구비하는 기부 부재를 소정의 표면에 준비하는 단계와,
    b) 3개의 수직 대향된 이등변 삼각면을 각각 갖는 복수의 삼각뿔 볼록 부재를 기부 부재의 소정 표면 상에 형성하는 단계를
    포함하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 b) 단계는 상기 볼록 부재를 보유하도록 기부 부재의 소정의 표면 상에 보유 부재를 배치시키는 단계와, 상기 볼록 부재를 보유 부재로부터 기부 부재의 소정의 표면 상에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열 제조 방법.
  23. 제21항에 있어서, 상기 b) 단계는 상기 볼록 부재를 보유하도록 기부 부재의 소정의 표면 상에 보유 부재를 배치시키는 단계와, 상기 보유 부재를 용해시킴으로써 기부 부재의 소정의 표면 상에 볼록 부재를 잔류시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열 제조 방법.
  24. 제21항에 있어서, 상기 a) 단계는 기부 재료의 3방향으로 홈을 형성하는 단계와, 상기 홈이 형성되는 기부 재료의 비평활성을 전사 재료에 전사시키는 단계와, 상기 전사 재료에 형성된 오목부 모두를 각각 충전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열 제조 방법.
  25. 제21항에 있어서, 상기 a) 단계는 {111} 입방체 단결정 기판 평면을 이방성 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열 제조 방법.
  26. 제21항에 있어서, 상기 a) 단계는 3개의 수직 대향된 이등변 삼각면으로 구성된 삼각뿔 볼록부를 갖는 핀을 기부 재료 상에 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열 제조 방법.
  27. 마이크로 코너 큐브열을 제조하는 데에 사용되는 다이에 있어서,
    3개의 수직 대향된 이등변 삼각면을 각각 갖는 복수의 삼각뿔 오목부를 소정의 표면에 구비하는 기부 부재와, 3개의 수직 대향된 이등변 삼각면을 각각 갖고 기부 부재의 소정의 표면에 형성된 복수의 삼각뿔 볼록 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이.
  28. 제1항에 있어서, 제1 오목부는 서로에 대해 대체로 수직 대향된 3개의 삼각면으로 구성되고, 제2 오목부는 서로에 대해 대체로 수직 대향된 3개의 삼각면으로 구성되며,
    상기 광학 요소는 각 입방체 코너에 서로에 대해 대체로 수직 대향된 대체로 정방형인 반사 평면을 제공하도록, 제1 오목부에 의해 한정된 제1 삼각 평면 세트와 제2 오목부에 의해 한정된 제2 삼각 평면 세트를 각각 포함하는 복수의 입방체 코너 큐브를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 요소.
  29. 제1항에 있어서, 제1 및 제2 부재는 공통 평면을 따라서 각각 연장되며, 제1 및 제2 반사 영역은 상기 공통 평면에 대해 수직 방향으로 볼 때 서로 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 광학 요소.
  30. 제1항에 있어서, 상기 광학 요소는 복수개의 입방체 코너 큐브를 포함하며, 각각의 입방체 코너 큐브는 서로에 대해 거의 수직으로 대향된 대체로 정방형인 평면을 가지고, 각각의 정방형 평면은 제1 오목부의 하나의 삼각면과 제2 오목부의 하나의 삼각면에 의해 한정되는 것을 특징으로 하는 광학 요소.
  31. 제1항에 있어서, 제1 부재와 제2 부재 사이에 위치된 액정층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 요소.
  32. 제31항에 있어서, 상기 액정층은 산란형 액정층인 것을 특징으로 하는 광학 요소.
  33. 제17항에 있어서, 제1 및 제2 부재를 배치하는 단계에서, 제1 및 제2 부재가 공통 평면을 따라서 연장하며, 제1 및 제2 반사 영역은 상기 공통 평면에 대해 수직 방향으로 볼 때 서로 중첩되지 않는 방식으로 제1 및 제2 부재가 배치되는 것을 특징으로 하는 광학 요소 제조 방법.
  34. 제18항에 있어서, 제1 및 제2 부재는 공통 평면을 따라서 각각 연장되며, 제1 및 제2 오목부는 각각 제1 및 제2 반사 영역을 가지고, 제1 및 제2 반사 영역은 상기 공통 평면에 대해 수직 방향으로 볼 때 서로 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열 제조 방법.
  35. 제18항에 있어서, 각각의 입방체 코너 큐브는 서로에 대해 거의 수직으로 대향된 대체로 정방형인 평면을 가지고, 각각의 정방형 평면은 제1 오목부의 하나의 삼각면과 제2 오목부의 하나의 삼각면에 의해 한정되는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열 제조 방법.
  36. 제18항에 있어서, 제1 부재와 제2 부재 사이에 액정층을 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브열 제조 방법.
KR10-2002-0008689A 2001-02-20 2002-02-19 코너 큐브 역반사기와 같은 광학 요소 및 이러한 광학요소를 포함하는 반사식 디스플레이 장치 KR100458546B1 (ko)

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