KR100457170B1 - 접속핀을갖는파워반도체모듈 - Google Patents

접속핀을갖는파워반도체모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR100457170B1
KR100457170B1 KR1019960022226A KR19960022226A KR100457170B1 KR 100457170 B1 KR100457170 B1 KR 100457170B1 KR 1019960022226 A KR1019960022226 A KR 1019960022226A KR 19960022226 A KR19960022226 A KR 19960022226A KR 100457170 B1 KR100457170 B1 KR 100457170B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor module
power semiconductor
connecting member
pins
housing
Prior art date
Application number
KR1019960022226A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970003876A (ko
Inventor
게르하르트 밀러
마리오 펠트보스
Original Assignee
지멘스 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 지멘스 악티엔게젤샤프트 filed Critical 지멘스 악티엔게젤샤프트
Publication of KR970003876A publication Critical patent/KR970003876A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100457170B1 publication Critical patent/KR100457170B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

파워 반도체 모듈은 벽 밖으로 돌출하는 접속핀(9)을 갖는다. 핀중에 적어도 2개는 하나의 접속 도체(7)에 속하고, 상기 도체의 횡단면은 핀들의 횡단면의 합보다 크다. 따라서 모듈의 전류 부하 능력이 높을 때 유동 납땜 방식에 의해 모듈을 기판과 간단히 접속시킬 수 있다.

Description

접속 핀을 갖는 파워 반도체 모듈
본 발명은
- 하우징 벽을 갖는 하우징,
- 다수의 반도체 부품이 고정된 베이스를 포함하며,
- 하우징 벽의 내부에 배치되고, 각각 하우징 벽으로부터 돌출하는 상부 및하우징 벽으로부터 하우징 내부 공간으로 돌출하는 하부를 갖는 접속 부재를 포함하며,
- 접속 부재의 상부는 접속 핀으로서 형성되며,
- 접속 부재의 하부는 반도체 부품과 전기적으로 접속되는 특징을 갖는 파워 반도체 모듈에 관한 것이다.
상기 방식의 파워 반도체 모듈은 시판되고 있다. 상기 모듈은 예컨대 "SIPMOS-Katalog" 1993/94. 35 페이지에 공지되어 있다. 회로 기판과 파워 반도체 모듈의 접속은 접속 부재의 핀에 의해 흐름 납땜(flow soldering) 방식으로 가능하다. 공지된 파워 반도체 모듈은 모든 접속 부재가 단일 핀으로 끝나도록 구성된다.
그러나, 상기 접속 부재의 전류 전달 능력은 높은 전류에서 부하 전류를 전달하기에 충분하지 않다. 따라서, 단면이 큰 접속 부재를 사용해야 된다. 그러나, 단면이 큰 접속 부재를 흐름 납땜 방식에 의해 회로 기판과 접속하는 것은 불가능하다. 또한, 기판을 간단히 스탬핑(stamping)하는 것으로는 충분치 않고, 접속 부재의 단면에 상응하는 슬롯을 만들어야 한다. 또한, 단면이 큰 접속 부재를 흐름 납땜 방식에 의해 회로 기판과 접속시키려는 시도 결과, 납땜 접합이 매우 불균일했다. 납땜 접합이 불균일하면 접속부재의 전류 전달 능력이 충분히 이용될 수 없다.
본 발명의 목적은, 파워 반도체 모듈이 보다 높은 전류용으로 설계된 경우에도 흐름 납땜 방식으로 회로 기판과의 접속이 가능한, 상기 방식의 파워 반도체 모듈을 형성하는 것이다.
상기 목적은,
a) 모든 접속 부재의 상부를 적어도 2개의 핀으로 구성하고,
b) 접속 부재를 벽 하부 및 내부에서 직사각형으로 형성하고, 핀 각각의 단면적의 합보다 더 큰 단면적을 갖춤으로써 달성된다.
놀랍게도 상기 장치의 전류 전달 능력은, 직사각형의 단면을 갖는 접속 부재가 기판과 납땜된 장치의 전류 전달 능력보다 더 양호하다는 것이 밝혀졌다.
본 발명의 개선예는 종속항에 개시되어 있다. 이하에서는, 제 1도 및 제 2도의 실시예를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
파워 반도체 모듈은 절연물로 구성된 하우징(10)과 결합된 금속 베이스(1)를 포함한다. 도면에서는 하우징(110)의 1개 벽(2)만을 단면으로 도시하였다. 금속 베이스(1) 상에는 세라믹 기판(3)이 구비되고, 기판(3) 상에는 인쇄 도체(4)가 제공된다. 도면에는 인쇄 도체(4) 중 하나를 도시하였다. 인쇄 도체(4) 상에는 반도체 부품(5, 6)이 고정된다.
반도체 모듈은 벽(2)으로 사방이 둘러싸인 중간부(8)를 갖는 접속 부재(7)를 포함한다. 접속 부재(7)의 상부(9)는 벽의 상부면 밖으로 돌출한다. 하부(10)는 벽의 내부면 밖으로 돌출한다. 하부(10)에는 바람직하게 반도체 부품(5, 6)의 표면과 평행한 결합면(11)이 형성된다. 기계적 안정성을 높이기 위해서, 접속 부재(7)의 하부(10)는 플랫폼(12)에 의해 지지될 수 있다. 상기 플랫폼(12)은 하우징 벽(2)의 일부분일 수 있으며, 결합면(11) 상의 결합 압력을 수용한다. 결합면(11)은 본딩 와이어(14)에 의해 반도체 부품(5, 6)과 접속되며, 이를 잘 알아볼 수 있도록 도면에서는 상기 와이어 중에 하나만을 도시하였다.
접속 부재(7)의 상부(9)는 회로 기판의 보어내로 삽입되도록 형성된 적어도 2개의 핀을 갖는다. 이 경우 상기 핀의 단면적 합은 접속 부재(7)의 중간부(8) 및 하부(10)의 단면적보다 작다.
제 2도에는 핀을 갖는 접속 부재(7)가 도시된다. 이 경우에 접속 부재는 벽(2)의 상부면 밖으로 돌출하는 3개의 핀(9)을 갖는다. 상기 핀(9)은 예컨대 1.5mm의 폭과, 1mm의 두께를 갖는다. 핀들의 중심 간격은 바람직하게도 3.83mm의 래스터 치수에 상응한다. 접속 부재(7)의 중간부(8) 전체는 벽 내부에 있다. 오직 핀(9)만이 벽 밖으로 돌출하고, 하부에서는 결합면(11)이 벽 밖으로 돌출한다. 그 밖의 상응하는 부분에 대하여는 제 1도와 동일한 도면 부호가 제공된다. 보다 높은 전류를 수용하기 위해서 접속 부재는 3개 이상의 핀을 가질 수도 있다.
접속 부재(7) 및 핀(9)의 높은 전류 전달 능력에 상응하게 반도체 부품(5)은 다수의, 예컨대 10 내지 20개의 본딩 와이어(14)를 통해 접속 부재(7)와 접속된다.
반도체 부품(5)의 하부면은 본딩 와이어(24)에 의해 인쇄 도체(4)를 통해 접속 부재(7)와 동일한 형태의 접속 부재(17)와 접촉된다. 접속 부재(17)는 마찬가지로 완전히 벽(2)내에 배치되는 중간부(18)를 포함한다. 접속부재(17)의 상부는 3개의 핀(19)을 가지며, 그의 하부(20)는 마찬가지로 반도체 부품의 표면과 평행하고, 하부에는 결합면(21)이 제공된다. 상기 결합면(21)은 10 내지 20개의 다수의 본딩 와이어(24)를 통해 인쇄 도체(4)와 전기적으로 접속된다.
접속 핀은 접속 부재를 스탬핑함으로써 간단한 방식으로 제조된다.
상기 방식의 파워 반도체 모듈로써 하프 브리지, 풀 브리지, 3상 브리지 등이 제조된다. 3상 브리지에서는 개별 교류 상 및 직류 접속용으로 5개의 접속 부재(9, 19)가 필요하다. 다른 회로에서는 상응하는 갯수의 접속부재가 제공된다.
제 1도는 본 발명에 따른 파워 반도체 모듈을 개략적으로 도시한 제 1 측면도.
제 2도는 파워 반도체 모듈을 개략적으로 도시한 제 2 측면도.
＊ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ＊
1 : 금속 베이스 2 : 벽
3 : 세라믹 기판 4 : 인쇄 도체
5, 6 : 반도체 부품 7,17 : 접속 부재
11, 21 : 결합면 12 : 플랫폼
14, 24 : 본딩 와이어

Claims (19)

  1. 하우징 벽이 설치된 하우징, 다수의 반도체 부품이 고정된 베이스, 상기 하우징 벽의 상부로부터 돌출된 상부와 상기 하우징 벽의 내측으로부터 돌출된 하부를 가지며 상기 하우징 벽 내에 배치된 접속 부재를 포함하며,
    상기 접속 부재의 상부가 접속 핀으로서 형성되어 있고 상기 접속 부재의 하부가 상기 반도체 부품에 전기적으로 접속된 파워 반도체 모듈에 있어서,
    a) 상기 각각의 접속 부재의 상부가 적어도 2개의 핀으로 이루어지며,
    b) 상기 접속 부재의 하우징 벽 내에 있는 부분 및 하부의 단면이 직사각형으로 형성되고 상기 접속 부재의 하우징 벽 내에 있는 부분과 하부가 상기 핀들의 단면적 합보다 큰 단면적을 갖는 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  2. 제 1에 있어서, 상기 베이스는 도전성 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 접속 부재의 하부가 적어도 하나의 상기 반도체 부품과 전기적으로 접속되는 수단은 다수의 본딩 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 2개의 접속 핀 사이의 각각의 간격은 예정된콘택 간격과 동일한 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 부품의 상부면과 평행한, 상기 노출된 하부 상의 결합면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  6. 제 5항에 있어서,
    베이스 상의 기판층; 및
    상기 베이스 상에 배열되고 상기 반도체 부품에 전기적으로 접속된 다수의 인쇄 도체를 더 포함하고, 상기 접속 부재의 결합면과 상기 인쇄 도체 중 하나는 다수의 본딩 와이어를 경유하여 접속된 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 결합면 아래에 구성되고 배치된 플랫폼을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 플랫폼은 상기 하우징 벽의 일부인 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 2개의 접속 핀은 상기 접속 부재의 상기 하우징 벽에 있는 부분과 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 2개의 접속 핀은 상기 접속 부재를 스탬핑(stamping)하여 형성된 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  11. 베이스;
    상기 베이스 상의 기판층;
    상기 기판층에 부착된 다수의 인쇄 도체;
    상기 인쇄 도체에 부착된 다수의 반도체 부품;
    내부면이 있는 하우징 벽을 가지며, 상기 금속 베이스의 한쪽 단부상에 구성되고 배치된 하우징; 및
    상기 하우징 벽의 내부면에 구성되고 배치된 다수의 접속 부재를 포함하며, 상기 접속 부재가 각각 상기 하우징의 상부로부터 돌출하고 적어도 2개의 핀을 형성하는 상부 및 상기 하우징의 측면으로부터 돌출하며 상기 반도체 부품과 전기적으로 접속된 하부를 가지며, 상기 하부가 상기 적어도 2개의 접속 핀 각각의 단면적의 합보다 더 큰 직사각형 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 베이스는 도전성 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  13. 제 11항에 있엇, 상기 기판층은 세라믹인 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  14. 제 11항에 있어서, 상기 각각의 접속 부재의 적어도 2개의 접속 핀 사이의 각각의 간격은 예정된 콘택 간격과 동일한 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  15. 제 11항에 있어서, 상기 반도체 부품의 상부면과 평행한, 상기 접속 부재의 하부 상의 결합면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  16. 제 11항에 있어서, 상기 적어도 하나의 접속 부재 및 상기 적어도 하나의 반도체 부품은 다수의 본딩 와이어를 경유하여 접속된 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  17. 제 11항에 있어서, 상기 적어도 하나의 접속 부재 및 상기 적어도 하나의 인쇄 도체는 다수의 본딩 와이어를 경유하여 접속된 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  18. 제 15항에 있어서, 상기 결합면의 하부에 구성되고 배치된 플랫폼을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 플랫폼은 상기 하우징의 일부인 것을 특징으로 하는 파워 반도체 모듈.
KR1019960022226A 1995-06-19 1996-06-19 접속핀을갖는파워반도체모듈 KR100457170B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19522172A DE19522172C1 (de) 1995-06-19 1995-06-19 Leistungs-Halbleitermodul mit Anschlußstiften
DE19522172.9 1995-06-19
DE19522179.9 1995-06-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970003876A KR970003876A (ko) 1997-01-29
KR100457170B1 true KR100457170B1 (ko) 2005-02-07

Family

ID=7764680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960022226A KR100457170B1 (ko) 1995-06-19 1996-06-19 접속핀을갖는파워반도체모듈

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5753971A (ko)
EP (1) EP0750344B1 (ko)
JP (1) JP3499377B2 (ko)
KR (1) KR100457170B1 (ko)
CN (1) CN1050697C (ko)
DE (2) DE19522172C1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6281579B1 (en) * 1997-02-14 2001-08-28 International Rectifier Corporation Insert-molded leadframe to optimize interface between powertrain and driver board
US6828600B2 (en) * 1997-05-09 2004-12-07 Eupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leistungshalbleiter Mbh Power semiconductor module with ceramic substrate
KR20010023983A (ko) * 1997-10-20 2001-03-26 가나이 쓰토무 반도체 모듈 및 이를 이용한 전력 변환 장치
JP2002203942A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
KR100723454B1 (ko) * 2004-08-21 2007-05-30 페어차일드코리아반도체 주식회사 높은 열 방출 능력을 구비한 전력용 모듈 패키지 및 그제조방법
US7061080B2 (en) * 2001-06-11 2006-06-13 Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Power module package having improved heat dissipating capability
KR100867573B1 (ko) 2001-06-11 2008-11-10 페어차일드코리아반도체 주식회사 열방출 능력이 개선된 전력용 모듈 패키지 및 그 제조 방법
US8134838B2 (en) * 2008-07-21 2012-03-13 Infineon Technologies Ag Semiconductor module and method
US9363894B2 (en) * 2010-09-24 2016-06-07 Semiconductor Components Industries, Llc Circuit device
JP6163305B2 (ja) * 2010-09-24 2017-07-12 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 回路装置
EP3104507A1 (en) 2015-06-12 2016-12-14 ABB Technology AG Terminal arrangement for a power semiconductor module
JP6607077B2 (ja) * 2016-02-23 2019-11-20 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6621714B2 (ja) 2016-07-01 2019-12-18 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2018096656A1 (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 三菱電機株式会社 半導体装置
DE102017100528A1 (de) * 2017-01-12 2018-07-12 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungsmodul mit optimierter Anschlussstiftanordnung
US10679929B2 (en) 2017-07-28 2020-06-09 Advanced Semiconductor Engineering Korea, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0334561A (ja) * 1989-06-30 1991-02-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5927563A (ja) * 1982-08-07 1984-02-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS59121860A (ja) * 1982-12-28 1984-07-14 Toshiba Corp 半導体用基板
JPS60239051A (ja) * 1984-05-11 1985-11-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH02187053A (ja) * 1989-01-13 1990-07-23 Nissin Electric Co Ltd 集積回路部品
JP2772184B2 (ja) * 1991-11-07 1998-07-02 株式会社東芝 半導体装置
JP2882143B2 (ja) * 1991-12-10 1999-04-12 富士電機株式会社 半導体装置の内部配線構造
DE9203000U1 (ko) * 1992-03-06 1992-06-17 Eupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leistungshalbleiter Mbh + Co.Kg, 4788 Warstein, De
JP2956363B2 (ja) * 1992-07-24 1999-10-04 富士電機株式会社 パワー半導体装置
CN1092906A (zh) * 1993-03-20 1994-09-28 山东大学 套迭式晶体管电极及其制造技术
DE4325942C2 (de) * 1993-08-03 1995-05-18 Duerrwaechter E Dr Doduco Hybridrahmen

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0334561A (ja) * 1989-06-30 1991-02-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE59611438D1 (de) 2007-08-30
JP3499377B2 (ja) 2004-02-23
KR970003876A (ko) 1997-01-29
US5753971A (en) 1998-05-19
EP0750344A3 (de) 1999-04-21
EP0750344B1 (de) 2007-07-18
CN1146637A (zh) 1997-04-02
CN1050697C (zh) 2000-03-22
DE19522172C1 (de) 1996-11-21
EP0750344A2 (de) 1996-12-27
JPH098192A (ja) 1997-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100457170B1 (ko) 접속핀을갖는파워반도체모듈
US4089575A (en) Connector for connecting a circuit element to the surface of a substrate
US5109320A (en) System for connecting integrated circuit dies to a printed wiring board
US6979204B2 (en) Pressure piece for use in a power semiconductor module
RU2092945C1 (ru) Присоединительная планка для техники связи
US4593463A (en) Method of making a contact assembly
US5131852A (en) Electrical socket
JPH09283222A (ja) 電気コネクタ
US5159530A (en) Electronic circuit module with power feed spring assembly
JP3703521B2 (ja) 基板実装用ピンソケットコネクタ
US4200347A (en) Socket for vertically mounting multi-pin device
KR20010078106A (ko) Ｐｃｂ용 종단 어댑터
US6478586B1 (en) Electrical connector having conductive terminals that are provided with a dielectric coating
US4629267A (en) Circuit terminating device
US4589720A (en) Planar electronic filter element and a connector embodying such a filter
US4530552A (en) Electrical connector for integrated circuit package
US5616034A (en) Power supply apparatus for package
FI116265B (fi) Painettu piirilevy
CN1352473A (zh) 多线栅格连接器
US4702706A (en) Electrical connecting device including socket therefor
KR19980025603A (ko) 반도체 패키지 및 그의 소켓
US4767989A (en) Mounting arrangement for magnetic field detector
GB2269490A (en) Electrical connector
WO2022190189A1 (ja) 端子台及び制御装置
US5995371A (en) Integrated dielectric substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131025

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141024

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151023

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term