KR100452686B1 - 어레이도파로 회절격자 및 그 제조방법 - Google Patents
어레이도파로 회절격자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100452686B1 KR100452686B1 KR10-2002-0002415A KR20020002415A KR100452686B1 KR 100452686 B1 KR100452686 B1 KR 100452686B1 KR 20020002415 A KR20020002415 A KR 20020002415A KR 100452686 B1 KR100452686 B1 KR 100452686B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- waveguide
- optical
- diffraction grating
- array waveguide
- array
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 172
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 61
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 15
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000029553 photosynthesis Effects 0.000 description 1
- 238000010672 photosynthesis Methods 0.000 description 1
- 230000000243 photosynthetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
- G02B6/12009—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
적어도 한 개의 제 1광도파로, 제 1슬래브도파로, 어레이도파로, 제 2슬래브도파로 및 복수의 제 2광도파로를 포함하는 어레이도파로 회절격자에 관한 발명을 제공한다.
어레이도파로는 제 1슬래브도파로를 개재하여 제 1광도파로에 접속한다. 어레이도파로는 상이한 길이를 각각 가지는 복수의 채널도파로를 포함한다. 복수의 제 2광도파로는 제 2슬래브도파로를 개재하여 어레이도파로에 접속한다. 크로스토크가 기껏해야 소정의 값으로 되도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정된다.
Description
<발명의 배경>
<발명의 분야>
본 발명은 어레이도파로 회절격자 및 어레이도파로 회절격자를 제조하는 방법에 관한 발명이다.
<배경의 논의>
최근 광통신에 있어서, 전송용량이 비약적으로 증가하는 방식으로서, 광파장분할다중전송의 연구 및 개발이 활발하게 행해져서, 실용화가 진행되고 있다. 광파장분할다중전송은, 예를 들면, 서로 다른 파장을 가지는 복수의 광빔을 다중화하여 전송시킨다. 이러한 광파장분할다중전송시스템은, 서로 상이한 파장을 가지는 광을 분파하거나, 서로 상이한 파장을 가지는 광을 합파하는 광합분파기를 필요로 한다. 이러한 광합분파기의 일예로서, 어레이도파로 회절격자(AWG; Arrayed Waveguide Grating)가 알려져 있다.
종래의 어레이도파로 회절격자의 광전송의 파장의존성에 대하여, 도 10 및 도 11에 도시한 바와 같이, 가우스형 어레이도파로 회절격자 및 평탄형 어레이도파로 회절격자에서 전송된 스펙트럼이 넓어진다.
따라서, 종래의 가우스형 어레이도파로 회절격자 및 종래의 평탄형 어레이도파로 회절격자의 양자에 있어서, 인접채널 사이의 절연은 불량하며 크로스토크는 약-23dB 내지 -24dB이다.
어레이도파로 회절격자를 파장분할다중전송에서 파장합분파기로서 채택하는 경우, 인접채널 사이의 크로스토크의 억제가 실질적으로 중요하다. 일반적으로, 파장분할다중전송시스템은, 예를 들면, 약 -26dB 이하의 인접 크로스토크를 요구한다.
가우스형 어레이도파로 회절격자 및 평탄형 어레이도파로 회절격자의 양자에 있어서, 한 개의 광입력도파로와 제 1슬래브도파로 사이의 계면에서의 광진폭분포는 퓨리에 변환된다. 다음에, 광진폭분포의 퓨리에변환패턴은 나란히 배열된 복수의 채널도파로인 어레이도파로에 형성된다.
상기 설명한 바와 같이, 어레이도파로의 인접 채널도파로의 길이는 소정의 길이 만큼 서로 다르다. 이 때문에, 어레이도파로를 통하여 전파한 후에, 각각 광의 위상에 변동이 발생한다. 이들 광의 동위상파면이 이동량에 따라서 경사지고 광은 각 파장에서 동위상파면과 직교하는 방향으로 집광한다. 이 때문에, 이론적으로, 광입력도파로중의 한 개와 제 1슬래브도파로 사이의 계면에서의 광진폭분포가, 제 2슬래브도파로와 출력도파로 사이의 계면에서 실질적으로 재생한다.
그러나, 한 개의 광입력도파로로부터 광출력도파로까지의 광로에서 광은, 실제로 어레이도파로 회절격자의 제조오차에 의한 영향을 받으면서 전파한다.
어레이도파로 회절격자의 제조오차(제조시의 공정오차)의 영향을 구체적으로 설명하면, 이하의 것이 열거된다. 첫째, 광입력도파로 중의 한 개로부터 회절된 광은, 제 1슬래브도파로 내의 굴절률과 막 두께 변동에 의해 변동한다. 둘째, 위상오차는 어레이도파로 회절격자내의 굴절률, 막의 두께및 폭(채널도파로의 폭)의 변동에 의해 발생한다. 셋째, 어레이도파로 회절격자로부터 방출된 광이 광출력도파로에 집광하는 경우, 제 2슬래브도파로 내의 굴절률과 막 두께 변동에 의해 패턴의 초점이 흐려진다.
어레이도파로 회절격자의 제조시의 이러한 공정오차에 의한 영향으로서, 한 개의 광입력도파로와 제 1슬래브도파로 사이의 계면에서의 광진폭분포는 제 2슬래브도파로와 광출력도파로 사이의 계면에서 완전히 재생되지 않는다. 이 때문에, 종래의 어레이도파로 회절격자는 도 10과 도 11에 도시된 바와 같이 광투과율의 파장의존성을 가지며, 인접크로스토크는 열화한다.
본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하여, 어레이도파로의 채널도파로의 개수를 적절하게 결정함으로써 공정오차의 영향을 억제하고, 어레이도파로 회절격자에서의 인접 크로스토크의 열화를 억제하는 것을 제공할 수 있다.
도 1은 어레이도파로 회절격자의 도파로 패턴의 일예를 도시하는 개략도
도 2는 본 발명의 일실시예(실시예 1)에 있어서 어레이도파로 내부의 광진폭분포를 도시하는 그래프
도 3은 실시예 1의 전송스펙트럼을 도시하는 그래프
도 4는 본 발명의 다른 실시예(실시예 2)에 있어서 어레이도파로 내부의 광진폭분포를 도시하는 그래프
도 5는 실시예 2의 전송스펙트럼을 도시하는 그래프
도 6a 내지 6c는 채널도파로의 개수가 서로 상이한 가우스형 어레이도파로 회절격자에 있어서 어레이도파로 내부의 광진폭분포를 도시하는 그래프
도 7은 채널도파로의 개수가 서로 상이한 가우스형 어레이도파로 회절격자에 있어서 인접크로스토크의 차이를 도시하는 그래프
도 8은 채널도파로의 개수가 서로 상이한 평탄형 어레이도파로 회절격자에 있어서 인접크로스토크의 차이를 도시하는 그래프
도 9a 내지 9c는 채널도파로의 개수가 서로 상이한 평탄형 어레이도파로 회절격자에 있어서 어레이도파로 내부의 광진폭분포를 도시하는 그래프
도 10은 종래의 가우스형 어레이도파로 회절격자의 전송스펙트럼을 도시하는 그래프
도 11은 종래의 평탄형 어레이도파로 회절격자의 전송스펙트럼을 도시하는 그래프
도 12는 주요빔과 사이드 로우브(side lobes)을 설명하는 어레이도파로 내부의 광진폭분포를 도시하는 도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 기판 2: 광입력도파로
3: 제 1슬래브도파로 4: 어레이도파로
4a: 채널도파로 5: 제 2슬래브도파로
6: 광출력도파로(제 2광도파로)
<발명의 요약>
본 발명의 한 측면에 의하면, 어레이도파로형 회절격자는 적어도 한 개의 광도파로, 제 1슬래브 도파로, 어레이도파로, 제 2슬래브도파로 및 복수의 제 2광도파로를 포함한다. 어레이도파로는 제 1슬래브도파로를 개재하여 제 1광도파로에 접속한다. 어레이도파로는 상이한 길이를 각각 가지는 복수의 채널도파로를 포함한다. 복수의 제 2광도파로는 제 2슬래브도파로를 개재하여 어레이도파로에 접속한다. 크로스토크가 기껏해야 소정의 값으로 되도록 복수의 채널의 수가 결정된다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 어레이도파로 회절격자는 적어도 한 개의 제 1광도파로, 제 1슬래브도파로, 어레이도파로, 제 2슬래브도파로 및 복수의 제 2광도파로를 포함한다. 어레이도파로는 제 1슬래브도파로를 개재하여 제 1광도파로에 접속한다. 어레이도파로는 상이한 길이를 각각 가지는 복수의 채널도파로를 포함한다. 복수의 제 2광도파로는 제 2슬래브도파로를 개재하여 어레이도파로에 접속한다. 제 1슬래브도파로와 적어도 하나의 광도파로 사이의 계면에서의 광진폭분포가, 제 2슬래브도파로와 복수의 제 2광도파로 사이의 계면에서 거의 재생되도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정된다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 어레이도파로 회절격자는, 적어도 한 개의 제 1광도파로, 제 1슬래브도파로, 어레이도파로, 제 2슬래브도파로 및 복수의 제 2광도파로를 포함한다. 어레이도파로는 제 1슬래브도파로를 개재하여 적어도 한 개의 광도파로에 접속한다. 어레이도파로는 상이한 길이를 각각 가지는 복수의 채널도파로를 포함한다. 복수의 제 2광도파로는 제 2슬래브를 개재하여 어레이도파로에 접속한다. 어레이도파로 회절격자의 광전송은 가우스형 파장 의존성을 가진다. 어레이도파로에서 전송되는 광진폭분포가 주광선 및 이 주광선의 양측에 나타나는 제 1사이드로우브만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정된다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 어레이도파로 회절격자는 적어도 한 개의 제 1광도파로, 제 1슬래브도파로, 어레이도파로, 제 2슬래브도파로 및 복수의 제 2광도파로를 포함한다. 어레이도파로는 제 1슬래브도파로를 개재하여 제 1광도파로에 접속한다. 어레이도파로는 상이한 길이를 각각 가지는 복수의 채널도파로를 포함한다. 복수의 제 2광도파로는 제 2슬래브도파로를 개재하여 어레이도파로에 접속한다. 어레이도파로 회절격자의 광전송은 직사각형상의 파장 의존성을 가진다. 어레이도파로에서 전송된 광진폭분포는, 주광선과 주광선의 양측에 나타나는 제 1사이드로우브 및 제 1사이드로우브의 각각의 외측에 각각 나타나는 제 2사이드로우브만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정된다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 어레이도파로 회절격자의 제조방법은, 적어도 제 1광도파로를 형성하는 단계와, 제 1슬래브도파로를 형성하는 단계 및 제 1슬래브도파로를 개재하여 적어도 한 개의 제 1광도파로에 접속하는 어레이도파로를 형성하는 단계를 포함한다. 어레이도파로는 상이한 길이를 각각 가지는 복수의 채널도파로를 포함한다. 또한, 상기 제조방법은 제 2슬래브도파로를 형성하는 단계와, 제 2슬래브도파로를 개재하여 어레이도파로에 접속되는 복수의 제 2광도파로를 형성하는 단계를 부가하여 포함한다. 크로스토크가 기껏해야 소정의 값으로 되도록 복수의 채널도파로의 수가 결정된다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 어레이도파로 회절격자의 제조방법은 적어도 한 개의 제 1광도파로를 형성하는 단계와, 제 1슬래브도파로를 형성하는 단계와, 제 1슬래브도파로를 개재하여 적어도 한 개의 제 1광도파로에 접속하는 어레이도파로를 형성하는 단계를 포함한다. 어레이도파로는 상이한 길이를 각각 가지는 복수의 채널도파로를 포함한다. 또한, 제조방법은, 제 2슬래브도파로를 형성하는 단계와, 제 2슬래브도파로를 개재하여 어레이도파로에 접속된 복수의 제 2광도파로를 형성하는 단계를 부가하여 포함한다. 제 1슬래브도파로와 적어도 한 개의 제 1광도파로 사이의 계면에서의 광진폭분포가, 제 2슬래브도파로와 복수의 제 2광도파로 사이의 계면에서 거의 재생되도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정된다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 어레이도파로 회절격자의 제조방법은, 적어도 한 개의 제 1광도파로를 형성하는 단계와, 제 1슬래브도파로를 형성하는 단계와제 1슬래브도파로를 개재하여 적어도 한 개의 광도파로에 접속된 어레이도파로를 형성하는 단계를 포함한다. 어레이도파로는 상이한 길이를 각각 가지는 복수의채널도파로를 포함한다. 또한 상기 제조방법은, 제 2슬래브도파로를 형성하는 단계와, 제 2슬래브도파로를 개재하여 어레이도파로에 접속된 복수의 제 2광도파로를 형성하는 단계를 부가하여 포함한다. 어레이도파로 회절격자는 가우스형의 파장 의존성의 광전송을 가진다. 어레이도파로에서 전송되는 광진폭분포가, 주광선 및 주광선의 양측에 나타나는 제 1사이드로우브 만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정된다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 어레이도파로 회절격자의 제조방법은 적어도 한 개의 제 1광도파로를 형성하는 단계와, 제 1슬래브도파로를 형성하는 단계와 제 1슬래브도파로를 개재하여 적어도 한 개의 제 1광도파로에 접속된 어레이도파로를 형성하는 단계를 포함한다. 어레이도파로는 상이한 길이를 각각 가지는 복수의 채널도파로를 포함한다. 또한, 제조방법은, 제 2슬래브도파로를 형성하는 단계와, 제 2슬래브도파로를 개재하여 어레이도파로에 접속된 복수의 제 2광도파로를 형성하는 단계를 부가하여 포함한다. 어레이도파로 회절격자는 직사각형상의 파장의존성의 광전송을 가진다. 어레이도파로에 전송된 광진폭분포는 주광선과, 주광선의 양측에 나타나는 제 1사이드로우브 및 제 1사이드로우브 각각의 외측에 각각 나타나는 제 2사이드로우브 만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정된다.
한층 더 철저한 본 발명의 이해 및 부수적인 다수의 이점은, 특히 첨부도면과 함께 고려될 때에, 다음의 상세 설명에 대하여 용이하게 명백해 질 것이다.
<실시예의 상세한 설명>
실시예에 대하여, 첨부 도면을 참조하여 이하 설명하고, 여기서 상기 동일한 참조번호는 다수의 도면을 통하여 대응 또는 동일 구성요소를 표시한다.
어레이도파로 회절격자는, 예를 들면, 도 1에 도시한 바와 같은 도파로패턴이 기판(1) 위에 형성된다. 도 1을 참조하면, 도파로패턴은, 나란히 배열된 적어도 한 개의 광입력도파로(적어도 한 개의 제 1광도파로)(2), 광입력도파로(2)의 출사측에 접속된 제 1슬래브도파로(3), 제 1슬래브도파로(3)의 출사측에 접속된 어레이도파로(4), 어레이도파로(4)의 출사측에 접속된 제 2슬래브도파로(5) 및 나란히 배열되고 제 2슬래브도파로(5)의 출사측에 접속된 복수의 광출력도파로(제 2광도파로)(6)를 가지도록 형성된다.
어레이도파로(4)는 제 1슬래브도파로를 개재하여 도입된 광을 전파한다. 어레이도파로(4)는 나란히 배열된 복수의 채널도파로(4a)를 포함한다. 인접채널도파로(4a)의 길이는 소정의 길이(△L) 만큼 서로 차이가 있다.
또한, 광출력도파로(6)는, 예를 들면, 어레이도파로 회절격자에 의해서 분파되고 서로 상이한 파장을 가진 신호광의 개수에 대응하여 배치된다. 어레이도파로(4)를 구성하는 채널도파로(4a)는 일반적으로 300개 등의 다수개로 형성된다. 그러나, 도 1에 있어서, 도면을 간략화하기 위해서, 채널도파로(4a)의 개수, 광출력도파로(6) 및 광입력도파로(2)를 개략적으로 도시하고 있다.
예를 들면, 광파이버의 전송측은 광입력도파로(2)에 접속되어 다중광을 도입한다. 광입력도파로(2) 중의 하나를 통하여 제1슬래브도파로(3)에 도입되어 회절효과에 의해 분산된 광은 어레이도파로(4)에 입사한다.
어레이도파로(4)를 통하여 전파된 광은 제 2슬래브도파로(5)에 도달한 다음에, 상이한 파장을 가진 광이 광출력도파로(6)에 집광되어 출력된다. 이 때에, 어레이도파로(4)의 인접 채널 도파로(4a)의 길이는 소정의 길이 만큼 서로 다르다. 따라서, 어레이도파로(4)를 통하여 전파한 후에 상이한 파장을 가진 각각의 광의 위상에 있어 이동이 발생한다. 상기 이동량에 따라서, 이들 광의 동위상파면이 경사진다. 이 경사각은 광이 집광되는 위치를 결정한다. 따라서, 상이한 파장을 가진 광이 집광되는 위치는 서로 다르다. 이 때문에, 광출력도파로(6)는 광이 집광되는 위치에 형성됨으로써 상이한 파장을 가진 광은 각각의 파장마다 상이한 광도파로(6)로부터 출력할 수 있다.
예를 들면, 도 1에 도시한 바와 같이, 파장 λ1, λ2,λ3, …λn(n은 2이상의 정수임)을 가진 다중광이 광입력도파로(2) 중의 한 개로부터 입력되는 경우, 상기 광은 제 1슬래브도파로(3)에서 회절되어 어레이도파로(4)에 도달한다. 다음에, 그들은 어레이도파로(4) 및 제 2슬래브도파로(5)를 통과하고, 상기한 바와 같이, 파장에 따른 상이한 위치에서 집광되어 서로 상이한 광출력도파로(6)에 입사한다. 다음에, 각각의 광은 각각의 광출력도파로(6)를 통과하여 광출력도파로(6)의 출력단으로부터 출력된다. 광을 출력하는 광파이버는 각각의 광출력도파로(6)의 출력단에 접속됨으로써, 상이한 파장을 가진 각각의 광은 광파이버를 개재하여 제거된다.
어레이도파로 회절격자에서, 회절격자의 파장분해능은 어레이도파로(4)의 각각의 채널도파로(4a)의 길이차(△L)에 비례하여 개선된다. 따라서, △L를 크게설계함으로써 파장간격이 좁은 광합분파광을 형성할 수 있다. 따라서, 복수광의 합파 및 분파의 기능, 즉, 파장간격이 좁은 복수광을 합파 또는 분파하는 기능을 제공할 수 있으며, 이 기능은 고밀도 광파장분할다중전송의 실현하기 위해 필요하다.
도 1에 도시된 어레이도파로 회절격자는, 예를 들면 다음과 같은 방식으로 실리콘(Si)으로 이루어진 기판(1)위에 상기 설명한 도파로패턴을 형성함으로써, 얻을 수 있다.
먼저, 실리콘기판(1)위에 화염 퇴적법에 의해 하부클래딩막층(SiO2가 주성분)과 코어층(예를 들면, GeO2가 도핑된 SiO2가 주성분인 유리)을 순차적층하여 투명유리화한다. 다음에, 코어막을 포토리소그래피와 건식에칭에 의해 패턴화하여, 상기 설명한 도파로를 형성한다. 다음에, 화염가수분해퇴적법에 의해 상부클래딩층을 퇴적하여 코어막의 도파로패턴을 덮은 다음에, 투명유리화하여 어레이도파로 회절격자를 제조한다.
상기 설명한 바와 같은 어레이도파로 회절격자는 "가우스형 어레이도파로 회절격자" 및 "평탄형 어레이도파로 회절격자"를 포함한다. 가우스형 어레이도파로 회절격자는 가우스형상의 파장 의존성의 광전송을 가진다. 평탄형 어레이도파로 회절격자는 직사각형상의 파장 의존성의 광전송을 가진다.
종래에는, 예를 들면, 100GHz의 간격(파장에 의거하여 변화하는 경우 약 0.8nm)에서 16파장을 합파 및 분파하는 가우스형 어레이도파로 회절격자(100GHz-16채널의 가우스형 어레이도파로 회절격자)를 표 1에 나타낸 매개변수를 사용함으로써 제조하였다. 도 10은 표 1의 매개변수에 의해 제조된 가우스형 어레이도파로 회절격자의 광전송의 파장의존성을 표시한다.
| 매개변수 | 설계값 |
| 파장수 | 16 |
| 채널간격 | 100㎓ |
| 자유분광범위(FSR) | 25.86㎚(32파) |
| 제1,2슬래브도파로의 초점거리 | 9245.3㎛ |
| 채널도파로 광통과길이차△L | 63.06㎛ |
| 회절차수 | 59 |
| 채널도파로개수 | 206 |
또한, 예를 들면, 100GHz의 간격에서 16파장을 합파 및 분파하는 평탄형 어레이도파로 회절격자(100GHz-16채널의 평탄형 어레이도파로 회절격자)를, 표 2에 나타낸 매개변수를 사용함으로써 제조한다. 도 11은 표 2의 매개변수에 의해 제조된 평탄형 어레이도파로 회절격자의 광전송의 파장의존성을 표시한다.
| 매개변수 | 설계값 |
| 파장수 | 16 |
| 채널간격 | 100㎓ |
| 자유분광범위(FSR) | 25.86㎚(32파) |
| 제1,2슬래브도파로의 초점거리 | 13580.1㎛ |
| 채널도파로 광통과길이차△L | 63.06㎛ |
| 회절차수 | 59 |
| 채널도파로개수 | 303 |
그러나, 종래의 어레이도파로 회절격자의 광전송의 파장의존성에 대하여, 도 10 및 도 11에 도시한 바와 같이, 가우스형 어레이도파로 회절격자 및 평탄형 어레이도파로 회절격자에서 전송된 스펙트럼이 넓어진다.
따라서, 종래의 가우스형 어레이도파로 회절격자 및 종래의 평탄형 어레이도파로 회절격자의 양자에 있어서, 인접채널 사이의 절연은 불량하며 크로스토크는 약-23dB 내지 -24dB이다.
어레이도파로 회절격자를 파장분할다중전송에서 파장합분파기로서 채택하는 경우, 인접채널 사이의 크로스토크의 억제가 실질적으로 중요하다. 일반적으로, 파장분할다중전송시스템은, 예를 들면, 약 -26dB 이하의 인접 크로스토크를 요구한다.
가우스형 어레이도파로 회절격자 및 평탄형 어레이도파로 회절격자의 양자에 있어서, 한 개의 광입력도파로와 제 1슬래브도파로 사이의 계면에서의 광진폭분포는 푸리에 변환된다. 다음에, 광진폭분포의 푸리에변환패턴은 나란히 배열된 복수의 채널도파로인 어레이도파로에 형성된다.
상기 설명한 바와 같이, 어레이도파로의 인접 채널도파로의 길이는 소정의 길이 만큼 서로 다르다. 이 때문에, 어레이도파로를 통하여 전파한 후에, 각각 광의 위상에 변동이 발생한다. 이들 광의 동위상파면이 이동량에 따라서 경사지고 광은 각 파장에서 동위상파면과 직교하는 방향으로 집광한다. 이 때문에, 이론적으로, 광입력도파로중의 한 개와 제 1슬래브도파로 사이의 계면에서의 광진폭분포가, 제 2슬래브도파로와 출력도파로 사이의 계면에서 실질적으로 재생한다.
그러나, 한 개의 광입력도파로로부터 광출력도파로까지의 광로에서, 광은, 실제로 어레이도파로 회절격자의 제조오차에 의한 영향을 받으면서 전파한다.
어레이도파로 회절격자의 제조오차(제조시의 공정오차)의 영향을 구체적으로 설명하면, 이하의 것이 열거된다. 첫째, 광입력도파로 중의 한 개로부터 회절된광은, 제 1슬래브도파로 내의 굴절률과 막 두께 변동에 의해 변동한다. 둘째, 위상오차는 어레이도파로 회절격자내의 굴절률, 막의 두께 및 폭(채널도파로의 폭)의 변동에 의해 발생한다. 셋째, 어레이도파로 회절격자로부터 방출된 광이 광출력도파로에 집광하는 경우, 제 2슬래브도파로 내의 굴절률과 막 두께 변동에 의해 패턴의 초점이 흐려진다.
어레이도파로 회절격자의 제조시의 이러한 공정오차에 의한 영향으로서, 한 개의 광입력도파로와 제 1슬래브도파로 사이의 계면에서의 광진폭분포는 제 2슬래브도파로와 광출력도파로 사이의 계면에서 완전히 재생되지 않는다. 이 때문에, 종래의 어레이도파로 회절격자는 도 10과 도 11에 도시된 바와 같이 광투과율의 파장의존성을 가지며, 인접크로스토크는 열화한다.
발명자들은, 상기 설명한 바와 같이, 어레이도파로회절격자에 의한 영향이 공정오차중에서 특히 크다고 생각했기 때문에 많은 연구를 했다. 따라서, 발명자들은, 어레이도파로의 채널도파로의 개수를 적합하게 설정함으로써 공정오차의 영향을 감소시킬 수 있다는 것을 발견하였다.
즉, 발명자들은, 어레이도파로의 채널도파로의 개수를 적절하게 결정함으로써 공정오차의 영향을 억제할 수 있다는 것을 발견하였다. 한편, 발명자들은, 채널도파로의 개수를 적절하게 한정함으로써 한 개의 광입력도파로와 제 1슬래브도파로 사이의 계면에서의 광진폭분포가 제 2슬래브도파로와 광출력도파로 사이의 계면에서 실질적으로 재생되고, 어레이도파로 회절격자에서의 인접 크로스토크의 열화를 억제할 수 있다는 것을 확인하였다.
발명자들은, 이하 방법에 의해 가우스형 어레이도파로 회절격자 및 평탄형 어레이도파로 회절격자 양자에 있어서의 채널도파로의 개수에 대한 적절한 값을 결정하였다.
발명자들은, 가우스형 어레이도파로 회절격자에 있어서의 채널도파로의 개수에 대한 결정을 먼저 고려하였다. 발명자들은, 표 1의 매개변수를 가지는 가우스형 어레이도파로 회절격자에 있어서, 채널도파로의 개수만을 변경하여, 175, 110와 70개의 채널을 가진 가우스형 어레이도파로 회절격자를 제조하고 광진폭분포를 측정하였다. 도 6a, 도 6b 및 6c는 각각 측정결과를 도시하고 있다. 또한, 각각의 도면은, 채널도파로의 배열순서를 어레이번호로 하고, 광진폭분포는 피크에서의 값을 1로 하여 규격화하여 도시하고 있다.
이들 3종류의 가우스형 어레이도파로 회절격자 및 약 206개의 채널도파로를 가지는 종래의 가우스형 어레이도파로 회절격자에 대한 인접크로스토크를 구하고, 채널도파로의 개수와 가우스형 도파로 회절격자의 인접 크로스토크와의 사이의 관계를 고려하였다. 도 7은 그 결과를 도시한다.
이들 가우스형 어레이도파로 회절격자에 있어서, 채널도파로의 개수가 예를 들면, 175개를 초과하는 경우, 제 2슬래브도파로와 광출력도파로 사이의 계면에서 재생되는 광진폭 분포는, 상기 설명한 공정오차 때문에 방해되는 광진폭분포의 푸리에변환 패턴의 여분에 의해 큰 영향을 받으며, 도 6a에 도시하고 있다. 이 경우에, 가우스형 어레이도파로 회절격자의 투과율은, 도 10에 도시한 바와 같이, 전송 스펙트럼이 확산된다.
한편, 가우스형 어레이도파로 회절격자에서, 채널도파로의 개수를 예를 들면 70개로 너무 적게하면, 도 6c에 도시한 바와 같이, 광진폭 분포의 푸리에변환 패턴에서 주광선의 일부의 정보가, 고의로 커트되는 것을 발견하였다. 따라서, 광진폭분포의 푸리에변환 패턴은 원래 패턴과 상이한 다른 패턴으로 형성된다.
이에 대해서, 본 발명의 실시예에 의하면, 도 6b에 도시한 바와 같이, 어레이도파로에 전송되는 광진폭 분포가, 주광선 및 이 주광선의 양측에 나타나는 제 1사이드로우브(S1)만을 포함하도록, 광진폭분포 채널도파로의 개수가 결정된다. 어레이도파로에 전송되는 광진폭 분포는 제 1사이드로우브(S1)의 일부 또는 전체(S1o)를 포함하여도 된다. 그러나, 광진폭분포는 제 2사이드로우브(S2)를 포함하지 않는다. 따라서, 한 개의 광입력도파로와 제 1슬래브도파로 사이 계면에서의 광진폭분포는, 가우스형 어레이도파로 회절격자에서의 광출력도파로와 제 2슬래브도파로 사이의 각각의 계면에서 실질적으로 재생된다. 따라서, 가우스형 어레이도파로 회절격자에서의 인접 크로스토크를 개선할 수 있다.
도 12를 참조하면서, 주광선과 사이드로우브를 설명한다. 도 12는 주광선과 사이드로우브를 설명하기 위한 일예이다. 도 12를 참조하면, 최정상 피크를 가진 중앙빔(MB)은 주광선이다. 주광선(MB)의 양측에 나타나고 제 2의 최정상피크를 가진 두 개의 빔(S1)은 제 1사이드로우브이다. 게다가, 주광선(MB)의 위상은 제 1사이드로우브(S1)의 위상과 180°만큼 다르다. 제 1사이드로우브(S1)의 각각의 외부측에 나타나고 제 3의 최정상 피크를 가진 각각의 두 개의 빔(S2)는 제 2사이드로우브이다. 또한, 제 2사이드로우브(S2)의 위상은 제 1사이드로우브(S1)의 위상과 180°만큼 다르다. 제 2사이드로우브(S2)의 각각의 외부측에 나타나고 제 4의 최정상 피크를 가진 각각의 두 개의 빔(S3)은 제 3사이드로우브이다. 또한, 제 3사이드로우브(S3)의 위상은 제 2사이드로우브(S2)의 위상과 180°만큼 다르다.
본 발명의 본 실시예에 의하면, 가우스형 어레이도파로 회절격자에서, 어레이도파로에서의 광진폭분포가 주광선과 제 1사이드로우브(S1) 만을 포함하도록 채널도파로의 개수가 결정된다.
본 발명의 본 실시예에 의하면, 크로스토크가 기껏해야 소정의 값으로 되도록 채널도파로의 개수가 결정된다. 소정의 값은, 예를 들면, 약 -26dB이다.
본 발명의 본 실시예에 의하면, 제 1슬래브도파로와 적어도 한 개의 제 1광도파로중 한 개 사이의 계면에서의 광진폭분포가, 제 2슬래브도파로와 복수의 제 2광도파로 사이의 계면에서 실질적으로 재생하도록 채널도파로의 개수가 결정된다.
따라서, 가우스형 어레이도파로 회절격자에 있어서의 인접크로스토크가 개선될 수 있다.
다음에, 평탄형 어레이도파로 회절격자의 구성을 결정하기 위하여, 발명자들은, 표 2의 매개변수중에서 채널도파로의 개수만이 다른 복수의 평탄형 어레이도파로를 제조하며, 인접 크로스토크의 값이 어떻게 변화하는 가에 대하여 실험적으로 연구하였다. 도 8은 그 결과를 도시한다. 도 8에 도시된 결과에 따라서, 채널도파로의 개수가 표 2에 나타난 종래예의 도파로의 개수 303개 보다 적게 감소되는 경우, 인접 크로스토크의 값은 개선되는 반면에, 채널도파로의 개수가 너무 많이감소되는 경우, 인접크로스토크의 값은 악화된다.
즉, 평탄형 어레이도파로 회절격자에 있어서, 채널도파로의 개수가 또한 최적의 값을 갖는다는 것을 발견하였다. 도 8에 도시된 연구결과에서, 평탄형 어레이도파로 회절격자의 채널도파로의 개수를 거의 200개로 함으로써 인접크로스토크를 최소화할 수 있다.
또한, 표 2에 도시된 매개변수를 가지는 평탄형 어레이도파로 회절격자에 있어서, 채널도파로의 개수만이 225개, 200개, 150개로 변경한 평탄형 어레이도파로 회절격자를 제조하고 광진폭분포를 측정하였다. 도 9a, 9b 및 9c는, 각각 그 측정결과를 나타내고 있다. 또한, 채널도파로의 배열순서를 어레이 번호로 하고 규격화된 광진폭분포를 나타내고 있다.
이들 도면에 나타낸 측정결과에 의하면, 평탄형 어레이도파로 회절격자에 있어서, 채널도파로의 개수가, 예를 들면, 225개를 초과하는 경우, 제 2슬래브도파로와 광출력도파로 사이의 계면에서 재생하는 광진폭분포는, 상기 설명한 공정오차에 의해 방해되는 광진폭분포의 푸리에변환 패턴의 여분에 의해 크게 영향을 받는 다는 것을 발견했으며, 도 9a에서 도시하고 있다. 이 경우에, 평탄형 어레이도파로 회절격자의 광투과율은, 도 11에서 도시하고 있는 바와 같이 전송스펙트럼이 전개된다.
한편, 채널도파로의 개수가, 예를 들면, 150개로 너무 적은 경우, 도 9c에 도시하고 있는 바와 같이, 평탄형 어레이도파로 회절격자에 있어서 광진폭분포의 푸리에변환 패턴에서의 제 1사이드로우브(S1)의 일부 정보가 고의로 커트되는 것이발생한다. 이 때문에, 광진폭 분포의 푸리에변환 패턴은 원래의 패턴과는 상이한 다른 패턴으로 형성된다는 것을 발견하였다.
본 발명의 실시예에 의하면, 도 9b에 도시한 바와 같이, 평탄형 어레이도파로 회절격자에 있어서, 어레이도파로에 전송된 광진폭분포는, 주광선, 주광선의 양측에 나타나는 제 1사이드로우브, 제 1사이드로우브 각각의 외측에 각각 나타나는 제 2사이드로우브만을 포함하도록 채널도파로의 개수가 결정된다. 어레이도파로 회절격자에 전송되는 광진폭분포는 제 2사이드로우브(S2)의 일부 또는 전체(S2o)를 포함하여도 된다. 그러나, 광진폭분포는 제 3사이드로우브(S3)를 포함하지 않는다. 따라서, 한 개의 광입력도파로와 제 1슬래브도파로 사이의 계면에서의 광진폭분포는, 평탄형 어레이도파로 회절격자에서의 광출력도파로와 제 2슬래브도파로 사이의 계면에서 실질적으로 재생한다. 따라서, 평탄형 어레이도파로 회절격자에서의 인접크로스토크는 개선될 수 있다.
본 발명의 본 실시예에 의하면, 평탄형 어레이도파로 회절격자에 있어서, 어레이도파로에 전송된 광진폭분포는 주광선, 제 1사이드로우브 및 제 2사이드로우브만을 포함하도록 채널도파로의 개수가 결정된다.
본 발명의 본 실시예에 의하면, 크로스토크가 기껏해야 소정의 값으로 결정되도록 채널도파로의 개수가 결정된다. 소정의 값은, 예를 들면, 약 -26dB이다.
본 발명의 본 실시예에 의하면, 제 1슬래브도파로와 적어도 한 개의 제 1광도파로 중의 한 개 사이의 계면에서의 광진폭분포가, 제 2슬래브도파로와 복수의 제 2광도파로 사이의 계면에서 실질적으로 재생하도록 채널도파로의 개수가 결정된다.
따라서, 평탄형 어레이도파로 회절격자에서의 인접크로스토크를 개선할 수 있다.
구체적인 실시예는, 예를 들면, 실시예 1 및 실시예 2의 다음의 어레이도파로 회절격자이다. 실시예 1의 어레이도파로 회절격자는 가우스형 어레이도파로 회절격자이다. 어레이도파로에 전송된 광진폭분포가 주광선과 제 1사이드로우브 만을 포함하도록 채널도파로의 개수가 결정된다.
또한, 실시예 2의 어레이도파로 회절격자는 평탄형 어레이도파로 회절격자이다. 어레이도파로에 전송된 광진폭분포는, 주광선, 주광선의 양 측에 나타나는 제 1사이드로우브와 각각의 제 1사이드로우브의 외측에 각각 나타나는 제 2사이드로우브만을 포함하도록 채널도파로의 개수가 결정된다.
이하, 이들 실시예 1 및 실시예 2의 구성예에 대하여 각각 상세하게 설명한다.
(실시예 1)
실시예 1의 어레이도파로 회절격자는 표 3에 도시된 매개변수를 가진다. 실시예 1의 어레이도파로 회절격자는 이전에 설명한 방법을 적용함으로써 제조된다. 실시예 1에 있어서, 포토마스크 패턴을 제조하기 위해 표 3의 매개변수가 채택되었다.
| 매개변수 | 설계값 |
| 파장수 | 16 |
| 채널간격 | 100㎓ |
| 자유분광범위(FSR) | 25.86㎚(32파) |
| 제1,2슬래브도파로의 초점거리 | 9245.3㎛ |
| 채널도파로 광통과길이차△L | 63.06㎛ |
| 회절차수 | 59 |
| 채널도파로개수 | 111 |
도 2는 실시예 1의 어레이도파로 회절격자의 어레이도파로 내의 광진폭분포를 도시한다. 또한, 도 3은 실시예 1의 어레이도파로 회절격자의 투과된 스펙트럼을 도시한다. 도 3으로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1의 어레이도파로 회절격자는 인접크로스토크가 약 -30dB이고 실질적으로 양호한 어레이도파로 회절격자로 되도록 형성되었다.
(실시예 2)
실시예 2의 어레이도파로 회절격자는 표 4에 도시된 매개변수를 가진다. 실시예 2의 어레이도파로 회절격자는 이전에 설명한 방법을 적용함으로써 제조되었다. 실시예 2에서는, 포토마스크 패턴을 제조하기 위해 표 4의 매개변수가 채택되었다.
| 매개변수 | 설계값 |
| 파장수 | 16 |
| 채널간격 | 100㎓ |
| 자유분광범위(FSR) | 25.86㎚(32파) |
| 제1,2슬래브도파로의 초점거리 | 13580.1㎛ |
| 채널도파로 광통과길이차△L | 63.06㎛ |
| 회절차수 | 59 |
| 채널도파로개수 | 200 |
도 4는 실시예 2의 어레이도파로 회절격자의 어레이도파로 내의 광진폭분포를 도시한다. 또한, 도 5는 실시예 2의 어레이도파로 회절격자의 투과된 스펙트럼을 도시한다. 도 5로부터 명백한 바와 같이, 실시예 2의 어레이도파로 회절격자는 인접크로스토크가 약 -31dB이고 실질적으로 양호한 어레이도파로 회절격자로 되도록 형성된다.
본 발명은, 상기 설명한 각각의 실시예에 제한되지 않으며, 다양한 실시예를 채택할 수 있다. 예를 들면, 실시예 1에서는, 채널도파로의 개수는 111로 설정되었고, 실시예 2에서는 채널도파로의 개수는 200으로 설정되었다. 그러나, 채널도파로의 개수는, 어레이도파로 회절격자의 파장의 개수 또는 광투과밴드폭의 양에 따라서 임의적으로 설정되어도 된다.
더욱이, 어레이도파로 회절격자에 있어서의 각각의 매개변수는 실시예 1 및 2에 도시된 매개변수에 제한되지 않고, 임의적으로 설정될 수 있다. 가우스형 및 평탄형의 양자의 경우에 있어서, 채널도파로(4a)의 개수를 적절하게 결정함으로써 크로스토크를 개선할 수 있다.
상기 실시예에 있어서, 어레이도파로 회절격자는 분파기로서 이용되지만, 어레이도파로 회절격자는 합파기로서 또한 이용될 수 있다. 이런 경우에, 광은 제 2광도파로(6)로부터 입력되고 합파된 광은 제 1광도파로(2) 중의 한 개로부터 출력된다.
본 발명은 본 실시예에 의하여 가우스형 어레이도파로 회절격자에 있어서의 인접크로스토크가 개선되며, 평탄형 어레이도파로 회절격자에서의 인접크로스토크가 개선될 수 있다.
본 발명의 다양한 수정 및 변형은 상기 가르침에 비추어 자명하게 가능하다. 따라서, 본 발명은 이 명세서에서 구체적으로 설명된 것 이외의 첨부된 클레임의 범위내에서 실시될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.
Claims (18)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 적어도 하나의 제 1광도파로와;제 1슬래브도파로와;상기 제 1슬래브도파로를 개재하여 상기 적어도 하나의 제 1광도파로에 접속하고, 각각 상이한 길이를 가지는 복수의 채널도파로를 포함하는 어레이도파로와;제 2슬래브도파로와;상기 제 2슬래브도파로를 개재하여 상기 어레이도파로에 접속하는 복수의 제 2광도파로와;를 포함하는 어레이도파로 회절격자에 있어서,상기 어레이도파로 회절격자의 광투과율은 가우스형상의 파장 의존성을 가지며,어레이도파로에 도파된 광진폭분포가 주광선과 이 주광선의 양측에 나타나는제 1사이드로우브 만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정되는 것을 특징으로 하는 어레이도파로 회절격자.
- 제 4항에 있어서,광진폭분포가 주광선과 제1사이드로우브의 일부 만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정되는 것을 특징으로 하는 어레이도파로 회절격자.
- 제 4항에 있어서,광진폭분포가 주광선과 모든 제1사이드로우브의 전체 만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정되는 것을 특징으로 하는 어레이도파로 회절격자.
- 적어도 하나의 제 1광도파로와;제 1슬래브도파로와;상기 제 1슬래브도파로를 개재하여 상기 적어도 하나의 제 1광도파로에 접속하고, 각각 상이한 길이를 가지는 복수의 채널도파로를 포함하는 어레이도파로와;제 2슬래브도파로와;상기 제 2슬래브도파로를 개재하여 상기 어레이도파로에 접속하는 복수의 제 2광도파로와;를 포함하는 어레이도파로 회절격자에 있어서,상기 어레이도파로 회절격자의 광투과율은 직사각형상의 파장의존성을 가지며,어레이도파로에 도파된 광진폭분포가, 주광선과 이 주광선의 양측에 나타나는 제 1사이드로우브와 각각의 제 1사이드로우브의 외측에 각각 나타나는 제 2사이드로우브 만을 포함하도록, 복수의 채널도파로의 개수가 결정되는 것을 특징으로 하는 어레이도파로 회절격자.
- 제 7항에 있어서,광진폭분포가 주광선, 제 1사이드로우브 및 제 2사이드로우브의 일부 만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정되는 것을 특징으로 하는 어레이도파로 회절격자.
- 제 7항에 있어서,광진폭분포가, 주광선, 제 1사이드로우브 및 제 2사이드로우브 전체 만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정되는 것을 특징으로 하는 어레이도파로 회절격자.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 적어도 하나의 제 1광도파로를 형성하는 단계와;제 1슬래브도파로를 형성하는 단계와;상기 제 1슬래브도파로를 개재하여 상기 적어도 하나의 제 1광도파로에 접속하고, 각각 상이한 길이를 가지는 복수의 채널도파로를 포함하는 어레이도파로를 형성하는 단계와;제 2슬래브도파로를 형성하는 단계와;상기 제 2슬래브도파로를 개재하여 상기 어레이도파로에 접속하는 복수의 제 2광도파로를 형성하는 단계와;광투과율이 가우스형의 파장의존성을 가진 어레이도파로 회절격자를 형성하는 단계와;어레이도파로에 도파된 광진폭분포가 주광선과 이 주광선의 양측에 나타나는 제 1사이드로우브 만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수를 결정하는 단계와를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이도파로 회절격자의 제조방법.
- 제 13항에 있어서,광진폭분포가 주광선과 제 1사이드로우브의 일부만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정되는 것을 특징으로 하는 어레이도파로 회절격자의 제조방법.
- 제 13항에 있어서,광진폭분포가 주광선과 제 1사이드로우브 전체 만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정되는 것을 특징으로 하는 어레이도파로 회절격자의 제조방법.
- 적어도 하나의 제 1광도파로를 형성하는 단계와;제 1슬래브도파로를 형성하는 단계와;상기 제 1슬래브도파로를 개재하여 상기 적어도 하나의 제 1광도파로에 접속하고, 각각 상이한 길이를 가지는 복수의 채널도파로를 포함하는 어레이도파로를 형성하는 단계와;제 2슬래브도파로를 형성하는 단계와;상기 제 2슬래브도파로를 개재하여 상기 어레이도파로에 접속된 복수의 제 2광도파로를 형성하는 단계와;광투과율이 직사각형상의 파장의존성을 가지는 어레이도파로 회절격자를 형성하는 단계와;어레이도파로에 도파된 광진폭분포가 주광선과 이 주광선의 양측에 나타나는 제 1사이드로우브와 각각의 제 1사이드로우브의 외측에 각각 나타나는 제 2사이드로우브 만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수를 결정하는 단계와를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이도파로 회절격자의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,광진폭분포가 주광선, 제 1사이드로우브 및 제 2사이드로우브의 일부 만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정되는 것을 특징으로 하는 어레이도파로 회절격자의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,광진폭분포가 주광선, 제 1사이드로우브 및 제 2사이드로우브 전체 만을 포함하도록 복수의 채널도파로의 개수가 결정되는 것을 특징으로 하는 어레이도파로 회절격자의 제조방법.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001007867 | 2001-01-16 | ||
| JPJP-P-2001-00007867 | 2001-01-16 | ||
| JPJP-P-2001-00142859 | 2001-05-14 | ||
| JP2001142859A JP3700930B2 (ja) | 2001-01-16 | 2001-05-14 | アレイ導波路型回折格子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020061177A KR20020061177A (ko) | 2002-07-23 |
| KR100452686B1 true KR100452686B1 (ko) | 2004-10-14 |
Family
ID=26607774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0002415A KR100452686B1 (ko) | 2001-01-16 | 2002-01-16 | 어레이도파로 회절격자 및 그 제조방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6768840B2 (ko) |
| EP (1) | EP1223444A3 (ko) |
| JP (1) | JP3700930B2 (ko) |
| KR (1) | KR100452686B1 (ko) |
| CN (1) | CN1221825C (ko) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007065562A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | アレイ導波路回折格子 |
| JP4748524B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2011-08-17 | 古河電気工業株式会社 | アレイ導波路格子型合分波器 |
| JP5100175B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2012-12-19 | 古河電気工業株式会社 | アレイ導波路格子型の合分波装置 |
| JP2010276639A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | アレイ導波路格子 |
| US20110085761A1 (en) * | 2009-05-26 | 2011-04-14 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Arrayed waveguide grating and method of manufacturing arrayed waveguide grating |
| JP5432047B2 (ja) * | 2010-04-15 | 2014-03-05 | 日本電信電話株式会社 | 光スイッチ及び波長選択スイッチ |
| EP3056933B1 (en) * | 2013-11-13 | 2021-04-07 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Waveguide structures, waveguide coupling structures, and manufacturing methods |
| CN107148561B (zh) * | 2014-09-10 | 2019-01-11 | 电子光子集成电路股份有限公司 | 具有极高波长分辨率的曲线光栅光谱仪和波长复用器或解复用器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3201560B2 (ja) | 1994-06-13 | 2001-08-20 | 日本電信電話株式会社 | 光信号処理回路 |
| FR2743234B1 (fr) | 1995-12-28 | 1998-01-23 | Alcatel Optronics | Demultiplexeur de longueurs d'onde |
| JP2858656B2 (ja) * | 1997-02-14 | 1999-02-17 | 日立電線株式会社 | 光波長合分波器 |
| US6222956B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-04-24 | Hitachi Cable Ltd. | Optical wavelength multiplexer/demultiplexer |
| US6298186B1 (en) * | 2000-07-07 | 2001-10-02 | Metrophotonics Inc. | Planar waveguide grating device and method having a passband with a flat-top and sharp-transitions |
-
2001
- 2001-05-14 JP JP2001142859A patent/JP3700930B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-18 US US10/020,220 patent/US6768840B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-08 EP EP02250100A patent/EP1223444A3/en not_active Withdrawn
- 2002-01-15 CN CNB021016860A patent/CN1221825C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-16 KR KR10-2002-0002415A patent/KR100452686B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002286951A (ja) | 2002-10-03 |
| EP1223444A3 (en) | 2004-08-11 |
| CN1221825C (zh) | 2005-10-05 |
| US6768840B2 (en) | 2004-07-27 |
| CN1366193A (zh) | 2002-08-28 |
| JP3700930B2 (ja) | 2005-09-28 |
| EP1223444A2 (en) | 2002-07-17 |
| KR20020061177A (ko) | 2002-07-23 |
| US20020136492A1 (en) | 2002-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6163637A (en) | Chirped waveguide grating router as a splitter/router | |
| JP2858656B2 (ja) | 光波長合分波器 | |
| JPH116928A (ja) | アレイ導波路格子型波長合分波器 | |
| US6671433B2 (en) | Arrayed waveguide grating type optical multiplexer/demultiplexer | |
| JP3726062B2 (ja) | 光合分波器 | |
| US6591034B1 (en) | Configuration for spatially separating and/or joining optical wavelength channels | |
| US7587112B2 (en) | Optical device and light control method | |
| US6496616B2 (en) | Miniature monolithic optical demultiplexer | |
| JP2002031729A (ja) | アレイ導波路回折格子型光合分波器 | |
| KR100452686B1 (ko) | 어레이도파로 회절격자 및 그 제조방법 | |
| KR20020055445A (ko) | 어레이도파로 회절격자형 광합분파기 | |
| US6229938B1 (en) | WDM filter | |
| US20020176660A1 (en) | Optical wavelength multiplexer/demultiplexer and use method thereof | |
| JP2001221923A (ja) | 光導波回路 | |
| JP3472247B2 (ja) | 導波路型光合分波装置 | |
| JP2000131540A (ja) | 光合分波器 | |
| JP2557966B2 (ja) | 光合分波器 | |
| JP2002258074A (ja) | 光信号処理回路 | |
| JPH10307224A (ja) | 光マルチプレキサ | |
| JP2004145166A (ja) | アレイ型導波路格子 | |
| US20100110546A1 (en) | Photonics device | |
| JPS6184611A (ja) | 回折格子形光合波分波器 | |
| KR20030029326A (ko) | 격자를 구비한 평면 광도파로 소자 | |
| Takahashi | Arrayed Waveguide Grating (AWG) | |
| JP3884287B2 (ja) | アレイ導波路回折格子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120924 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130924 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141001 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |