KR100444920B1 - 액정표시장치의제조방법 - Google Patents

액정표시장치의제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100444920B1
KR100444920B1 KR10-1998-0049341A KR19980049341A KR100444920B1 KR 100444920 B1 KR100444920 B1 KR 100444920B1 KR 19980049341 A KR19980049341 A KR 19980049341A KR 100444920 B1 KR100444920 B1 KR 100444920B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
electrode
forming
film
Prior art date
Application number
KR10-1998-0049341A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990045355A (ko
Inventor
노리오 고마
기요시 요네다
데쯔지 오무라
Original Assignee
산요덴키가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 산요덴키가부시키가이샤 filed Critical 산요덴키가부시키가이샤
Publication of KR19990045355A publication Critical patent/KR19990045355A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100444920B1 publication Critical patent/KR100444920B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133742—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers for homeotropic alignment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133765—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers without a surface treatment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

기판(10) 상에 게이트 전극(11), 이것을 덮는 게이트 절연막(12), 이 위에 p-Si 막(13), 이것을 덮는 층간 절연막(15), 이 위에 드레인 전극(16) 및 소스 전극(17)이 순차 형성되어 박막 트랜지스터가 형성되고, 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화 절연막(18), 이 위에 화소 전극(19), 이것을 덮는 수직 배향막(31)이 형성된다. 수직 배향막(31)에는 러빙 처리를 하지 않고, 음의 유전율 이방성을 갖는 액정은 프리틸트를 갖지 않아 기판의 법선 방향으로 초기 배향 제어된다. 전압을 인가함에 따라, 화소 전극(19)단에 있어서 경사 전계에 의해 경사 방향이 제어되어 화소 분할이 행해진다. 러빙 처리를 하지 않았기 때문에 박막 트랜지스터의 정전파괴가 방지되는 광시야각의 액정 표시 장치를 제조한다.

Description

액정 표시 장치의 제조 방법 {MANUFACTURING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 광시야각화를 달성한 수직 배향 방식의 액정 표시 장치(LCD)의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, LCD, 유기 일렉트로 루미네선스(EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등의 평판 패널 디스플레이의 개발이 왕성하게 행해지고 실용화가 진전되고 있다. 그 중에서도 LCD는 박형, 저소비 전력 등의 점에서 우수하고, 이미 OA 기기, AV 기기의 분야에서 주류를 이루고 있다. 특히 화소 정보의 개서 타이밍을 제어하는 스위칭 소자로서 TFT를 각 화소에 배치한 액티브 매트릭스형 LCD는 대화면, 고정밀의 동화상 표시가 가능하기 때문에 각종 텔레비젼, 퍼스널 컴퓨터, 또는 휴대 컴퓨터, 디지털 스틸 카메라, 비디오 카메라 등의 모니터에 많이 이용되고 있다.
TFT는 절연성 기판 상에 금속층과 함께 반도체 층을 소정의 형상으로 형성하는 것에 의해 얻어지는 전계 효과형 트랜지스터(FET: field effect transistor)이다. 액티브 매트릭스형 LCD에 있어서 TFT는 액정을 사이에 둔 1쌍의 기판간에 형성된, 액정을 구동하기 위한 각 커패시턴스에 접속되어 있다.
도 10은 LCD의 표시 화소부의 확대 평면도, 도 11은 그 B-B선에 따른 단면도이다. 기판(50) 상에 Cr, Ti, Ta 등의 게이트 전극(51)이 형성되고, 이것을 덮어서 게이트 절연막(52)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(52) 상에는 비정질 실리콘 즉 a-Si막(53)이, 게이트 전극(51)의 윗쪽을 통과하도록 섬 모양으로 형성되어 있다. a-Si막(53) 상에는 양단에 불순물이 도핑된 N+형 a-Si막(53N)이 형성되어 저항층으로 되어 있다. a-Si막(53)의 채널 영역 상에는 에지 스토퍼(edge stopper;54)가 남겨져 있다. N+ a-Si막(53N) 상에는 각각 드레인 전극(56) 및 소스 전극(57)이 형성되어 있다. 이들을 덮어서 층간 절연막(58)이 형성되고 층간 절연막(58) 상에는 ITO(indum tin oxide), 또는 Al으로 이루어지는 화소 전극(59)이 형성되고, 층간 절연막(58)에 개구된 접촉 홀을 통해서 소스 전극(57)에 접속되어 있다. 이 위에는 폴리이미드 등의 배향막(71)이 형성되고, 도 12에 도시한 것처럼 러빙 처리가 시행되어 있다. 이상과 같이 TFT 기판이 구성되어 있다.
TFT 기판(50)에 대향해서 배치된 기판(60) 상에는 피막 저항(film resist)으로 이루어지는 R, G, B의 칼라 필터(61)가 형성되고, 각각의 화소 전극(59)에 대향하는 위치에 설치되어 있다. 또 화소 전극(59)의 간극 및 TFT에 대응하는 위치에는 차광성의 피막 저항으로 이루어지는 블랙 매트릭스(61BM)가 형성되어 있다. 이들 칼라 필터(61) 및 블랙 매트릭스(61BM) 상에는 ITO등의 공통 전극(62)이 형성되어 있다. 공통 전극(62) 상에는 기판(50)측과 동일한 배향막(72)이 설치되고 러빙 처리가 시행되어 있다. 이상과 같이 대향 기판이 구성되어 있다.
이들 TFT 기판(50) 및 대향 기판(50)의 사이에는 액정층(80)이 장진되고, 화소 전극(59)과 공통 전극(62) 사이에 인가된 전압에 따라 형성된 전계 강도에 응답해서 액정 분자(81)의 방향 즉 배향이 제어된다. 기판(50) 및 기판(60)의 외측에는, 도시하지 않았지만, 편광판이 설치되어 있고, 편광축이 직교하도록 배치되어 있다. 이들 편광판 사이를 통과하는 직선 편광은 각 표시 화소마다 다른 배향으로 제어된 액정층(80)을 통과할 때 변조되고, 원하는 투과율로 제어된다.
도 13 및 도 14에 대향 기판의 제조 방법을 도시한다. 우선 도 13의 (a)의공정에서는 기판(60) 상에 R, G, B의 칼라 필터(61R, 61G, 61B)를 형성한다. R의 칼라 필터(61R)는 우선 R의 피막 저항을 붙이고, 이것을 R의 표시 화소에 대응한 형상으로 감광해서 현상함으로써 형성된다. G의 칼라 필터(61G) 및 B의 칼라 필터(61B)도 동일하게 형성된다. 이들 칼라 필터(61R, 61G, 61B)는 각각 대응하는 화소 전극(59)보다도 약간 작게 형성되어 있다.
계속해서 도 13의 (b)의 공정에서, 차광성의 피막 저항을 붙이고, 다음 도 13의 (c)의 공정에서 피막 저항을 화소간에 대응한 형상으로 감광해서 현상하는 것에 의해 칼라 필터(61R, 61G, 61B)의 간극에 블랙 매트릭스(61BM)를 형성한다. 이 블랙 매트릭스(61BM)는 화소 전극(59)간 보다도 약간 크게 형성되어 있다.
다음 도 14의 (d)의 공정에서, ITO를 성막해서 공통 전극(62)을 형성한다. 또 도 14의 (e)의 공정에서, 폴리이미드를 인쇄에 의해 성막하고 베이킹해서 건조한 후 러빙 처리, 즉 액정에 프리틸트를 부여하는 포 등을 이용해서 화살표 방향으로 문지르는 것에 의해 배향막(72)을 형성한다.
여기에서 제기한 예에서는 액정은 음의 유전율 이방성을 가지고 있고, 배향막(71, 72)은 액정의 초기 배향을 기판의 수직 방향으로 제어한 수직 배향막이다. 이 경우, 전압 무인가시에는 한 쪽의 편광판을 통과한 직선 편광은 액정층(80)을 통과해서 다른 쪽의 편광판에 의해 차단되어 표시는 흑색으로 인식되고, 전압 인가시에는 한 쪽의 편광판을 통과한 직선 편광은 액정층(80)에서 복굴절을 받아 타원 편광으로 변화해서 다른 쪽의 편광판을 통과하고 표시는 백색에 가까워진다. 이런 방식은 노멀리 블랙(NB) 모드라고 불려진다. 특히 수직 배향막(71, 72)은 러빙 처리가 시행되어 액정 분자(81)의 초기 상태에서의 방향이 법선 방향으로부터 매우 작은 경사(pretilt)를 갖게 제어되어 있다. 이 프리틸트 각(θ)은 통상 1°로부터 5°로 되어 있다. 액정 분자(81)는 전기적으로 단축성이고, 전계 방향과의 성립 각도는 전계 강도에 의해 결정되지만, 전계 방향을 축으로 한 방위각은 제어되지 않는다. 음의 유전율 이방성을 갖는 액정 분자(81)는 전계 방향과 다른 방향을 향해서 기울지만, 프리틸트를 부여함으로써 전압 인가에 의해 프리틸트 방향을 향해서 일률적으로 경사지도록 작용한다. 이와 같이, 프리틸트 각을 부여해서 액정 분자(81)가 경사지는 방향이 가지런하도록 제어함으로써 액정의 배향이 평면 방향에 대해서 흐트러지는 것을 방지하고, 표시 품질이 저하하는 것을 방지하고 있다.
또 블랙 매트릭스(61BM)는 표시 화소 간의 전압이 인가되지 않은 영역에 있어서, 프리틸트가 부여된 액정에 의해 복굴절이 생겨 불필요한 빛이 통과해서 컨트러스트비를 저하시키는 것을 방지하는 목적으로 설치되어 있다.
음의 유전율 이방성을 갖는 액정은 전계 방향에 대해서 배향 방향이 전계 방향과 수직이 되도록 배향을 변화한다. 이 때, 액정은 전계에 대항하는 작용을 발생하지만 이와 같은 액정의 수직 배향으로부터의 변화는 일반적으로 TN 등의 정의 유전율 이방성을 갖는 액정이 평행 배향으로부터 변화하는 경우보다도 안정성이 나쁘다. 특히 TFT 나 칼라 필터층의 단차에 기인한 배향막(71, 72)과 접촉 계면에 서의 요철은 배향 변화에 영향을 미치고 표시 품질의 악화를 초래한다.
또 도 12 및 도 14의 (e)에 도시한 것처럼, 종래에는 수직 배향막(71, 72)에 러빙 처리를 시행하는 것에 의해 도 11에 도시한 것처럼 액정의 초기 배향에 프리틸트(θ)를 부여하고 있기 때문에 전압 인가시에는 전체 액정 분자(81)는 프리틸트의 방향(도 11에서는 우측 방향)으로 경사진다. 이 때문에 예를 들면, 도 11의 우측 윗쪽 방향으로부터의 시인(視認)과 좌측 윗쪽 방향으로부터의 시인의 경우에서는 액정 분자(81)의 경사 각도가 상대적으로 달라 투과율이 다르게 보인다. 이 때문에 휘도 혹은 컨트러스트비가 보는 방향에 따라서 변화하는 소위 시각 의존성의 문제가 있다.
또 대향 기판(60)측에 형성된 블랙 매트릭스(61BM)는 화소 전극(59)간의 영역을 빠뜨리지 않고 덮지 않으면 안되기 때문에 TFT 기판(50)측과의 접합시 어긋남을 고려해서 크게 형성되어 있다. 이 때문에 유효 표시 영역이 축소하고 개구율이 저하하는 문제도 있다.
또한 TFT 기판측의 수직 배향막(71)을 형성하기 위한 러빙 처리는 TFT의 정전 파괴를 초래해서 표시 불량이 되어 생산량(yield)의 저하 원인이 되어 왔다. 또 러빙 처리 공정은 러빙 처리, 러빙 후 세정등의 공정으로 이루어지므로 제조 비용의 증가를 초래해 왔다.
본 발명은 이 문제를 해결하기 위해 구성되어지고, 대향 배치된 제1 기판과 제2 기판의 사이에 액정이 봉입되고, 상기 제1 기판 또는/및 상기 제2 기판의 외측면에는 편광판이 설치되어지고, 상기 편광판을 투과한 편광을 상기 액정에서 변조함으로써 표시를 행하는 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 기판이 되는 지지 기판의 대향면 상에 복수의 박막 트랜지스터 및 그 전극 배선을 형성하는 공정과, 상기 박막 트랜지스터 및 그 전극 배선을 덮고 표면이 평탄화된 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막에 개구부를 형성해서 대응하는 박막 트랜지스터의 일부를 노출시키는 공정과, 상기 절연막 상에 상기 개구부를 통해서 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 접속하는 액정 구동용 화소 전극을 형성하는 공정과, 상기 화소 전극을 덮고 액정의 초기 배향을 제어하는 수직 배향막이 되는 재료막을 성막하는 공정과, 가열에 의해 상기 재료막을 건조함으로써 액정의 초기 배향을 기판의 법선 방향 혹은 법선 방향으로부터 1°의 범위내에서 제어하는 수직 배향막을 형성하는 공정과, 상기 제2 기판이 되는 지지 기판의 대향면 상에 액정 구동용 공통 전극 및 상기 공통 전극 중 상기 화소 전극에 대향하는 영역내에 소정의 형상을 갖는 전극 부재부(不在部)인 배향 제어창을 형성하는 공정과, 상기 공통 전극을 덮고 액정의 초기 배향을 제어하는 수직 배향막이 되는 재료막을 성막하는 공정과, 가열에 의해 상기 재료막을 건조함으로써 액정의 초기 배향을 기판의 법선 방향, 혹은 법선 방향으로부터 1°의 범위 내로 제어해야 할 수직 배향막을 형성하는 공정과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 소정의 간극을 가지고 접합시키는 공정과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 간극에 유전율 이방성이 음인 액정을 주입하고 이것을 밀폐하는 공정과, 상기 제1 기판 또는/및 상기 제2 기판의 외측면에 편광판을 부착하는 공정으로 이루어지는 구성이다.
또, 대향 배치된 제1 기판과 제2 기판의 사이에 액정이 봉입되고, 상기 제1 기판 또는/및 상기 제2 기판의 외측면에는 편광판이 설치되어지고, 상기 편광판을 투과한 편광을 상기 액정에서 변조함으로써 표시를 행하는 액정 표시 장치의 제조방법에 있어서, 상기 제1 기판이 되는 지지 기판의 대향면 상에 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 그 배선을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막 상에 비정질 반도체층을 성막하는 공정과, 상기 비정질 반도체층에 레이저 어닐을 시행해서 다결정화함으로써, 다결정 반도체층을 형성하는 공정과, 상기 다결정 반도체 층의 소정 영역에 불순물을 소정의 농도로 주입하는 공정과, 상기 다결정 반도체층을 박막 트랜지스터의 필요한 영역에 패터닝하는 공정과, 상기 다결정 반도체층 상에 제1 층간 절연막을 형성하고, 상기 불순물이 주입된 영역 윗 부분을 제거해서 개구부를 형성하는 공정과, 상기 제1 층간 절연막 상에 상기 개구부를 통해서 상기 다결정 반도체 층의 상기 불순물이 주입된 영역에 각각 접속하는 박막 트랜지스터의 드레인 전극 또는/및 소스 전극과 그 배선을 형성하는 공정과, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 표면이 평탄화된 제2 층간 절연막을 형성하고 상기 박막 트랜지스터의 소정의 윗부분을 제거해서 개구부를 형성하는 공정과, 상기 제2 층간 절연막 상에 상기 개구부를 통해서 상기 박막 트랜지스터에 접속하는 액정 구동용 화소 전극을 형성하는 공정과, 상기 화소 전극을 덮고 액정의 초기 배향을 제어하는 수직 배향막이 되는 재료막을 섬막하는 공정과, 가열에 의해 상기 재료막을 건조함으로써 액정의 초기 배향을 기판의 법선 방향, 혹은 법선 방향으로부터 1°의 범위내로 제어하는 수직 배향막을 형성하는 공정과, 상기 제2 기판이 되는 지지 기판의 대향면 상에 액정 구동용 공통 전극 및 상기 공통 전극 중 상기 화소 전극에 대향하는 영역내에 소정의 형상을 갖는 전극 부재부인 배향 제어창을 형성하는 공정과, 상기 공통 전극을 덮고 액정의 초기 배향을 제어하는 수직 배향막이 되는 재료막을 성막하는 공정과, 가열에 의해 상기 재료막을 건조함으로써 액정의 초기 배향을 기판의 법선 방향, 혹은 법선 방향으로부터 1°의 범위 내로 제어해야 할 수직 배향막을 형성하는 공정과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 소정의 간극을 가지고 접합하는 공정과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 간극에 액정을 주입하고 이것을 밀봉하는 공정과, 상기 제1 기판 또는/및 상기 제2 기판의 외측면에 편광판을 부착하는 공정으로 이루어지는 구성이다.
이것에 의해, 화소 전극의 단부에 생기는 경사 방향 전계 및 배향 제어창에 생기는 무전계 영역에 있어서, 액정의 배향 경사 방향이 양호하게 제어되고 화소 분할이 행해져 시각 의존성이 저감된다.
특히 상기 수직 배향막에는 러빙 처리를 시행하지 않은 구성이다.
이것에 의해, 액정의 초기 배향 방향이 기판의 법선 방향, 또는 법선 방향으로부터 1°의 범위내에 들어서 화소 전극의 단부 및 배향 제어창에 있어서 전계 작용에 의한 액정 배향의 제어가 방해받지 않고 양호하게 행해진다.
특히 상기 절연막은 두께가 1㎛이상인 구성이다.
이것에 의해, 화소 전극 단부 및 배향 제어창에 있어서 전계에 의해 액정의 배향 제어 작용이 박막 트랜지스터 및 그 전극 배선으로부터의 전극의 영향에 의해 방해되는 것을 막고 양호한 화소 분할이 행해진다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도.
도 8은 도 7의 A-A선에 따른 단면도.
도 9는 액정 표시 장치의 구성도.
도 10은 종래의 액정 표시 장치의 평면도.
도 11은 도 10의 B-B선에 따른 단면도.
도 12는 종래의 액정 표시 장치의 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
도 13은 종래의 액정 표시 장치의 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
도 14는 종래의 액정 표시 장치의 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 게이트 라인
2 : 드레인 라인
10 : 기판
11 : 게이트 전극
13 : p-Si
16 : 드레인 전극
17 : 소스 전극
18 : 평탄화 절연막
19 : 화소 전극
20 : 기판
21 : 칼라 필터
22 : 보호막
23 : 공통 전극
24 : 배향 제어 전극
31, 32 : 수직 배향막
40 : 액정층
41 : 액정 분자
42 : 전계
도 1 내지 도 4에 본 발명의 실시예에 따른 LCD의 TFT 기판의 제조 방법을 도시한다. 우선, 도 1의 (a)의 공정에 있어서, 기판(10) 상에 Cr, Ti, Ta 등을 스퍼터링에 의해 성막하고 이것을 에칭함으로써 게이트 전극(11)을 형성한다.
도 1의 (b)의 공정에 있어서, 게이트 전극(11)을 덮는 전면에 플라즈마 CVD에 의해 SiNx 및 SiO2로 이루어지는 게이트 절연막(12)을 형성하고, 연속해서 플라즈마 CVD에 의해 비결정성 실리콘(a-Si: 13a)을 성막한다. a-Si(13a)는 재료 가스인 모노실란(monosilane, SiH4), 혹은 디실란(disilane, Si2H4)을 400°정도의 열 및 플라즈마에 의해 분해 퇴적함으로써 형성된다.
도 1의 (c)의 공정에 있어서, 레이저 어닐을 통해 a-Si(13a)를 결정화해서 p-Si(13)를 형성한다. 레이저 어닐은 예를 들면 펄스 레이저의 라인 빔 주사에 의해 행해지지만 기판 온도가 600℃ 이하의 비교적 저온에서 행할 수 있기 때문에, 비교적 저렴한 무 알카리 유리 기판을 기판(10)으로 이용할 수 있어서 저 비용의 공정을 실현할 수 있다.
도 2의 (d)의 공정에 있어서, p-Si(13)가 형성된 기판상에 SiO2를 성막하고, 이것을 이면노광법을 이용해서 에칭함으로써 게이트 전극(11)의 상방에 주입 스토퍼(14)를 형성한다. 이면 노광은 SiO2상에 레지스트를 도포하고 이것을 기판(10)의 하방으로부터 노광한 그림자를 이용한 형상으로 게이트 전극(11)을 감광해서 현상하는 것이다. 이 주입 스토퍼(14)를 마스크로서 p-Si(13)에 대해서 N형의 도전형을 나타내는 인(P) 이온 주입을 10의 13승 정도의 낮은 도즈로 행하고, 주입 스토퍼(14)가 형성된 영역 이외를 저농도로 도핑한다(N-). 이 때 주입 스토퍼(14) 바로 밑 즉 게이트 전극(11)의 바로 윗 영역은 진성층으로 유지되어, TFT의 채널영역(CH)이 된다. 주입 스토퍼(14)를 에칭한 경우의 레지스트는 이온 주입시에는 남겨두고 이온 주입후에는 박리해도 좋다.
도 2의 (e)의 공정에 있어서, 게이트 전극(11)보다도 적어도 채널 장방향으로 큰 레지스트(RS)를 형성하고 이것을 마스크로서 p-Si(13)에 대하는 인(P) 이온 주입을 10의 15승 정도의 높은 도즈로 행하고 레지스트(RS) 이외의 영역을 고농도로 도핑한다(N+). 이 때, 레지스트(RS)의 바로 밑 영역에는 저농도 영역(N-) 및 채널 영역(CH)이 유지되어 있다. 이것에 의해, 채널 영역(CH)의 양측에 각각 저농도의 LD 영역(LD)을 사이에 두고 고농도의 소스 및 드레인 영역(NS, ND)이 위치한 LDD 구조가 형성된다.
레지스트(RS)의 박리 후 불순물 이온의 도핑을 행한 p-Si막의 결정성의 회복과 불순물의 격자 치환을 목적으로 해서 가열 또는 레이저 조사등의 활성화 어닐을 행한다.
도 3의 (f)의 공정에 있어서, 이 p-Si(13)를 에칭하는 것에 의해 TFT의 필요 영역만을 남겨 섬 모양화한 후 SiNx등으로 이루어지는 층간 절연층(15)을 형성하고, 소스 및 드레인 영역(NS, ND)에 대응하는 부분을 에칭으로 제거하는 것에 의해 접촉홀(CT)을 형성해서 p-Si(13)를 일부 노출시킨다.
도 3의 (g)의 공정에 있어서, Al/Mo를 스퍼터링에 의해 성막하고 이것을 에칭하는 것에 의해 각각 접촉 홀(CT)을 통해서 소스 영역(NS)에 접속하는 소스 전극(17) 및 드레인 영역(ND)에 접속하는 드레인 전극(16)을 형성한다. TFT는 이렇게 완성한다.
또한, 도 4의 (h)의 공정에 있어서, TFT를 덮는 두께 1㎛의 감광성 아크릴 수지를 피복해서 평탄화 절연막(18)을 형성하고 이것을 노광 또는 현상하는 것에 의해 표시 화소부에 접촉 홀을 형성해서 소스 전극(17)의 상방을 노출한 후 ITO 또는 Al을 스퍼터링에 의해 성막하고 이것을 에칭함으로써 소스 전극(17)에 접속하는 화소 전극(19)을 형성한다. 평탄화 절연막(18)은 이외에 SOG, BPSG 등을 이용하는 것도 가능하고, 이 경우 접촉 홀은 에칭에 의해 형성할 수 있다.
도 4의 (i)의 공정에 있어서, 폴리이미드를 인쇄에 의해 도포 성막하고 80℃에서 10분 동안 프리베이크를 행하고 계속해서 180℃에서 30분 동안 본베이크를 행하여 건조하는 것에 의해 수직 배향막(31)을 형성한다.
이상의 공정에 의해 TFT 기판을 완성한다.
계속해서, 도 5 및 도 6을 이용해서 대향 기판측의 제조 방법을 설명한다. 우선 도 5의 (a)의 공정에 있어서, 기판(20) 상에 R, G, B의 칼라 필터(21R, 21G, 21B)를 형성한다. R의 칼라 필터(21R)는 우선 감광성의 피막 저항을 붙이고, 이것을 R의 표시 화소에 대응한 형상으로 감광해서 현상하는 것에 의해 형성한다. G의 칼라 필터(21G) 및 B의 칼라 필터(21B)를 동일하게 형성한다. 이 칼라 필터(21R, 21G, 21B)는 적어도 각각 대응하는 화소 전극(19) 보다도 크게 형성되어 있다.
도 5의 (b)의 공정에 있어서, 이들 칼라 필터(21R, 21G, 21B)를 덮어서 아크릴 수지를 형성하는 것으로 이들 칼라 필터(21R, 21G, 21B)의 보호막(22)을 형성한다. 보호막(22)은 공통 전극(23)의 기초인 평탄화막도 겸하고 있다.
도 6의 (c)의 공정에 있어서, ITO를 스퍼터링에 의해 성막하고 이것을 에칭하는 것에 의해 공통 전극(23) 및 공통 전극(23) 중에 전극 부재부인 배향 제어창(24)을 형성한다.
도 6의 (d)의 공정에서, 폴리이미드를 인쇄에 의해 도포 성막하고 80℃에서 10분 동안 프리 베이크를 행하고, 계속해서 180℃에서 30분 동안 본 베이크를 수행해서 건조하는 것에 의해 수직 배향막(32)을 형성한다.
이상의 공정에 의해 대향 기판이 완성된다.
상술한 것과 같이 제조된 TFT 기판과 대향 기판은 4㎛ 정도의 간극을 가지고 주변부에 설치된 실(seal) 재료에 의해 접합되고, 사이에 액정층(40)이 밀봉된다. 도 7은 본 발명의 제조 방법에 따라 제조된 LCD의 표시 화소부의 평면도이고 도 8은 그 A-A 선에 따른 단면도이다. 대향 기판측의 칼라 필터(21R, 21G, 21B)는 TFT 기판측의 화소 전극(19)에 각각 대향하는 위치에 있다. 또 배향 제어창(24)은 도 7에 도시되어 있는 것처럼 화소 전극(19)에 대향하는 영역내에 있어서 화소의 중앙부를 종단함과 동시에 거기로부터 45°정도의 각도를 갖고서 2갈래로 갈라져 화소의 모서리 부분을 향하는 형상으로 되어 있다.
또 도시는 하지 않았지만, 기판(10) 및 기판(20)의 외측면에는 편광판이 부착된다.
여기에 거론한 TFT는 능동층에 이용하는 반도체층으로서 지금까지 사용되어왔던 비정질 실리콘(a-Si) 대신에 다결정 실리콘(p-Si)을 이용하고 있다. 이 p-Si TFT는 온 전류가 크고 TFT 크기의 소형화가 얻어지며 개구율의 향상이나 고정밀도가 달성된다. 또 p-Si TFT는 동작 속도가 빠르고 화소부 뿐만 아니라 주변의 구동회로(드라이버)를 동일 기판상에 일체 형성하는 것이 가능하게 되어 드라이버 내장형 LCD를 제작 가능하게 한다.
도 9에 드라이버 내장형 LCD의 구성을 도시한다. 중앙부에는 게이트 전극(11)에 접속된 게이트 라인(1)과 드레인 전극(16)에 접속된 드레인 라인(2)이 교차 배치되고 그 교차부에는 TFT(3) 및 TFT(3)에 접속된 화소 전극(4)이 형성되어, 표시부가 된다. 표시부의 주변에는 게이트 라인(1)에 주사 신호를 공급하는 게이트 드라이버(5) 및 드레인 라인(2)에 화소 신호를 공급하는 드레인 드라이버(6)가 형성되어 있다. 이들 표시부, 게이트 드라이버(5) 및 드레인 드라이버(6)는 동일 기판상에 형성되어 있다. 한편, 액정을 사이에 둔 다른 기판상에는 공통 전극(7)이 형성되어 있다. 이들 공통 전극(7) 및 액정이 화소 전극(4)에 의해 구획되는 형태로 표시 화소가 구성되어 있다. 또 주변 드라이버부는 도 8과 동일 구조의 TFT의 N-ch과 P-ch로 이루어지는 CMOS로 구성된다. 다만, P-ch TFT에 대해서는 LD영역(LD)은 형성되지 않는다.
본 발명에서는 도 4의 (i) 및 도 6의 (d)에 도시한 공정으로부터 명확하게 된 것과 같이, 수직 배향막(31, 32)에는 러빙 처리가 시행되어 있지 않고 도 8에 도시하고 있는 것처럼, 프리틸트각은 1°이내, 이상적으로는 0°로 되어 있다. 즉 미소 범위내의 평균적인 배향을 도시하는 배향 벡터는 초기 상태에 있어서 법선 방향에 일치하거나 또는 1°의 범위내에 있다. 따라서, 전압 인가시에 있어서도 표시 화소간에서는 액정 분자(41)가 법선 방향, 또는 법선 방향으로부터 1°의 범위내로 향하고 있다.
이 구성에서 전압을 인가하면, 화소 전극(19)과 공통 전극(23) 사이에 전계(42)가 형성되어, 액정 분자(41)는 경사지지만, 화소 전극(19)의 단부에서는 전계(42)는 화소 전극(19)으로부터 공통 전극(23) 측을 향해서 비스듬히 경사진 형상이 된다. 이 때문에 액정 분자(41)는 최단으로 전계(42)로부터 경사지도록 배향을 변화한다. 즉 종래의 것과 동일하게 프리틸트에 의해 부여된 지향성에 의존하지 않고 경사 전계의 작용에 의해 화소 전극(19)의 내측 방향을 향해서 경사진다. 도 7에 도시한 것처럼 화소 전극(19)의 4변에 대해서 동일하게 내측을 향해서 경사진다.
또 배향 제어창(24)에는 공통 전극(23)이 없기 때문에 전압 인가에 의해서도 전계가 형성되지 않고 배향 제어창(24)의 영역내에서 액정 분자(41)는 초기 배향 상태로 고정된다. 화소 전극(19)의 4변에서 제어된 배향은 액정의 연속체성 때문에 화소 전극(19)의 중앙 영역에까지 미치지만 이들 액정의 배향이 다른 영역의 경계는 배향 제어창(24) 상에서 고정된다. 즉 도 7에 있어서 배향 제어창(24)에 의해 구분된 표시 화소내의 각 소영역에서는 액정의 배향은 각각 다른 4개의 방향을 향해 있고 소위 화소 분할이 행해지고 있다. 따라서 1개의 표시 화소에 대해서 투과율이 다른 각 소영역이 평균화되어 인식되기 때문에 소위 시각에 대해서도 일정한 휘도로 인식되어 시각 의존성의 문제가 해결된다.
특히, 본 발명에서는, TFT 기판의 평탄화 절연막(18) 및 대향 전극 기판 측의 평탄화 보호막(22)은 각각 화소 전극(19) 및 공통 전극(23)의 기초로서 평탄성을 높이는 역할을 하고 있고, 상술한 배향 제어창을 더 양호하게 하는 역할을 한다. 특히, 음의 유전율 이방성을 갖는 액정이 수직 배향으로부터 변화할 때, 전계와의 상호 작용, 즉 전계에 대항하는 작용을 발생할 때에 양호한 배향 변화를 촉진한다. 또 고정밀도 LCD에 있어서 TFT 혹은 칼라 필터층(61)의 요철이 상대적으로 크게 되는 것을 고려해서 이들 단차를 완화하는 것으로 액정층(40)과의 접촉 계면의 평탄성을 높히고 배향의 균일성을 높혀 표시 품질을 향상하고 있다.
또, 평탄화 절연막(18)은 막 두께가 1㎛정도로 두껍게 형성되어 있어 액정은 그 밑의 TFT 및 그 전극 라인(1, 2, 16, 17)의 전계의 영향을 받기 어렵고 전술한 바와 같이 화소 전극(19)의 단부에 있어서 경사 방향 전계(42) 및 배향 제어창(24)에 있어서 무전계와의 합동 작용에 의한 화소 분할이 극히 양호하게 행해진다.
여기에서, 배향 제어창(24)의 폭을 충분히 크게 함으로써 도 8에 도시한 것처럼 배향 제어창(24)의 단부에 있어서도 경사 방향 전계(42)가 생긴다. 이 경우 도 7에 도시한 것과 같은 배향 제어창(24)의 형상에 있어서는 화소 전극(19)의 단부에 있어서 액정 분자(41)의 경사 방향과 배향 제어창(24)의 단부에 있어서 액정 분자(41)의 경사 방향과는 임의의 영역에 대해서 동일 혹은 적어도 45°이내에 들어 있고 화소 전극(19)의 단부에 있어서 배향 제어 작용과 배향 제어창(24)의 단부에 있어서 배향 제어 작용과는 대체로 동일하게 되어 제어성이 향상된다. 즉 배향 제어창(24)에서 구분된 표시 화소의 각 소영역에서는 화소 전극(19) 단부 및 배향 제어창(24) 단부로부터 동일 배향 제어를 받아 높은 균일성을 가져서 배향이 가지런하게 된다.
한편, 대향 기판(20) 측에는 종래 도 10 및 도 11에 도시한 것과 같은 블랙매트릭스(61BM)는 설치되어 있지 않다. 이것은, 본 발명에 있어서, 액정 분자(41)가 초기 상태에 있어서 법선 방향 혹은 법선 방향으로부터 1°이내에 있기 때문에 화소 전극(19) 간에 있어서 프리틸트 각에 의한 광투과가 억제되어, 액정과 편광판에 의해 완전히 차광되기 때문이다. 이 때문에 대향 기판(20) 측에 접합 어긋남을 고려한 크기의 차광막을 형성할 필요가 없게 되기 때문에 차광막에 의해 유효 표시 영역이 축소해서 개구율이 저하하는 것을 방지할 수 있다.
또, TFT 기판 제조의 도 4의 (i)의 공정, 즉 수직 배향막(31)의 형성에 있어서, 러빙 처리를 수행하지 않는다. 이 때문에, 드라이버 내장형에 있어서는, 드라이버부(5, 6)에는 TFT가 밀집하고 있고 화소부에 비례해서 대단히 많아지므로 이 중 1개의 TFT라도 정전 파괴되면 표시 불량이 되지만, 러빙 처리를 하지 않았으므로 이러한 문제가 방지되고 생산량이 향상된다.
이상의 설명으로부터 명확하게 된 것처럼, 본 발명에서 전계 제어에 의해 양호한 화소 분할이 행해지고 시각 의존성이 저감하고 표시 품질이 향상된다. 또 러빙 처리 공정이 삭제됐기 때문에 제조 비용이 삭감됨과 동시에 정전기의 발생이 방지되어 생산량이 향상된다. 또한 차광막이 불필요하게 되었기 때문에 개구율이 향상된다. 러빙 공정을 없앴으므로 제조 비용을 절감할 수 있다.

Claims (9)

  1. 대향 배치된 제1 기판과 제2 기판의 사이에 액정이 봉입되고, 상기 제1 기판 또는/및 상기 제2 기판의 외측면에는 편광판이 설치되어 있고, 상기 편광판을 투과한 편광을 상기 액정에서 변조함으로써 표시를 행하는 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 제1 기판이 되는 지지 기판의 대향면 상에 복수의 박막 트랜지스터 및 그 전극 배선을 형성하는 공정;
    상기 박막 트랜지스터 및 상기 전극 배선을 덮는, 표면이 평탄화된 절연막을 형성하는 공정;
    상기 절연막에 개구부를 형성해서 대응하는 박막 트랜지스터의 일부를 노출시키는 공정;
    상기 절연막 상에 상기 개구부를 통해서 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 접속하는 액정 구동용 화소 전극을 형성하는 공정;
    상기 화소 전극을 덮어 상기 액정의 초기 배향을 제어하는 수직 배향막이 되는 재료막을 성막하는 공정;
    상기 재료막을 제1 온도로 가열하고 그 후에 상기 제1 온도 보다 높은 제2 온도로 가열함으로써 상기 액정의 초기 배향을 기판의 법선 방향으로부터 0°에서부터 1°까지의 범위내로 제어하는 상기 수직 배향막을 형성하는 공정;
    상기 제2 기판이 되는 지지 기판의 대향면 상에, 액정 구동용 공통 전극 및상기 공통 전극 중 상기 화소 전극에 대향하는 영역내에 소정의 형상을 가지는 전극 부재부(不在部)인 배향 제어창을 형성하는 공정;
    상기 공통 전극을 덮고 상기 액정의 초기 배향을 제어하는 수직 배향막이 되는 재료막을 성막하는 공정;
    가열에 의해 상기 재료막을 건조함으로써 상기 액정의 초기 배향을 기판의 법선 방향으로부터 0°에서부터 1°까지의 범위내로 제어하는 상기 수직 배향막을 형성하는 공정;
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 소정의 간극을 두고 접합시키는 공정;
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 간극에 유전율 이방성이 음인 액정을 주입하고 이것을 밀봉하는 공정; 및
    상기 제1 기판 또는/및 상기 제2 기판의 외측면에 편광판을 부착하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  2. 대향 배치된 제1 기판과 제2 기판의 사이에 액정이 봉입되고, 상기 제1 기판 또는/및 상기 제2 기판의 외측면에는 편광판이 설치되어 있고, 상기 편광판을 투과한 편광을 상기 액정에서 변조함으로써 표시를 행하는 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 제1 기판이 되는 지지 기판의 대향면 상에 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 그 배선을 형성하는 공정;
    상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 공정;
    상기 게이트 절연막 상에 비정질 반도체 층을 성막하는 공정;
    상기 비정질 반도체 층에 레이저 어닐을 실시해서 다결정화함으로써, 다결정 반도체 층을 형성하는 공정;
    상기 다결정 반도체 층의 소정의 영역에 불순물을 소정의 농도로 주입하는 공정;
    상기 다결정 반도체 층을 박막 트랜지스터에 필요한 영역에 패터닝하는 공정;
    상기 다결정 반도체 층 상에 제1 층간 절연막을 형성하고, 상기 불순물이 주입된 영역 위의 부분을 제거해서 개구부를 형성하는 공정;
    상기 제1 층간 절연막 상에 상기 개구부를 통해서 상기 다결정 반도체층의 상기 불순물이 주입된 영역에 각각 접속하는 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극 또는/및 소스 전극과 그 배선을 형성하는 공정;
    상기 박막 트랜지스터를 덮는, 표면이 평탄화된 제2 층간 절연막을 형성하고 상기 박막 트랜지스터의 소정 부분의 위를 제거해서 개구부를 형성하는 공정;
    상기 제2 층간 절연막 상에 상기 개구부를 통해서 상기 박막 트랜지스터에 접속하는 액정 구동용 화소 전극을 형성하는 공정;
    상기 화소 전극을 덮어, 상기 액정의 초기 배향을 제어하는 수직 배향막이 되는 재료막을 성막하는 공정;
    가열에 의해 상기 재료막을 건조함으로써 상기 액정의 초기 배향을 기판의 법선 방향으로부터 0°에서부터 1°까지의 범위내로 제어하는 상기 수직 배향막을형성하는 공정; 표
    상기 제2 기판이 되는 지지 기판의 대향면 상에 액정 구동용 공통 전극 및 상기 공통 전극 중 상기 화소 전극에 대향하는 영역내에 소정의 형상을 갖는 전극 부재부인 배향 제어창을 형성하는 공정;
    상기 공통 전극을 덮어, 상기 액정의 초기 배향을 제어하는 수직 배향막이 되는 재료막을 성막하는 공정;
    상기 재료막을 제1 온도로 가열하고 그 후에 상기 제1 온도 보다 높은 제2 온도로 가열함으로써 상기 액정의 초기 배향을 기판의 법선 방향으로부터 0°에서부터 1°까지의 범위 내로 제어하는 상기 수직 배향막을 형성하는 공정;
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 소정의 간극을 두고 접합시키는 공정;
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 상기 간극에 상기 액정을 주입하고 이것을 밀봉하는 공정; 및
    상기 제1 기판 또는/및 상기 제2 기판의 외측면에 편광판을 부착하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 기판이 되는 지지 기판의 대향면 상에 변조광을 착색하기 위한 칼라 필터층을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 공통 전극 및 상기 배향 제어창은 상기 칼라 필터층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제3에 있어서, 상기 칼라 필터층 상에 상기 칼라 필터의 보호막을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 공통 전극 및 상기 배향 제어창은 상기 보호막 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수직 배향막에는 러빙 처리가 실시되지 않는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연막은 두께가 1㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  7. 수직 배향형 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
    기판 상의 액정층과 접촉하는 표면 상에 액정의 초기 배향을 제어하는 수직 배향막이 되는 재료막을 성막하는 공정;
    상기 재료막을 제1 온도로 가열하고 그 후에 상기 제1 온도 보다 높은 제2 온도로 가열함으로써 상기 액정의 초기 배향을 기판의 거의 법선 방향으로 하는 수직 배향막을 형성하는 공정;
    상기 수직 배향막에 러빙을 행하지 않은 상태에서 수직 배향막이 형성된 기판과 다른 기판을 소정의 간격을 두고 접합시키는 공정; 및
    양 기판의 간격에 액정을 봉입하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 다른 기판의 액정측의 표면에 액정의 초기 배향을 기판의 거의 법선 방향으로 하는 수직 배향막을 형성하는 공정을 포함하며, 러빙을 행하지 않은 상태의 수직 배향막이 형성된 2개의 기판을 소정의 간격을 두고 접합시키는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 수직 배향막은 액정의 초기 배향을 기판의 법선 방향에 대하여 1°의 범위 내로 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
KR10-1998-0049341A 1997-11-18 1998-11-17 액정표시장치의제조방법 KR100444920B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31717097A JP4049422B2 (ja) 1997-11-18 1997-11-18 液晶表示装置の製造方法
JP97-317170 1997-11-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990045355A KR19990045355A (ko) 1999-06-25
KR100444920B1 true KR100444920B1 (ko) 2004-12-17

Family

ID=18085247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0049341A KR100444920B1 (ko) 1997-11-18 1998-11-17 액정표시장치의제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6246458B1 (ko)
JP (1) JP4049422B2 (ko)
KR (1) KR100444920B1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU6912798A (en) 1997-06-10 1998-12-30 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it
US6750933B1 (en) 1998-08-06 2004-06-15 Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. Liquid-crystal display and the method of its fabrication
JP2001053283A (ja) 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR100595295B1 (ko) 2000-06-27 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100595296B1 (ko) 2000-06-27 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법
CN1423841A (zh) * 2000-12-21 2003-06-11 皇家菲利浦电子有限公司 薄膜晶体管
US6977704B2 (en) 2001-03-30 2005-12-20 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display
TWI319505B (en) * 2006-05-12 2010-01-11 Taiwan Tft Lcd Ass A liquid crystal display device, method of manufacturing the same
JP2007027773A (ja) * 2006-08-28 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP5303119B2 (ja) * 2007-06-05 2013-10-02 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置
JP5604087B2 (ja) * 2009-11-27 2014-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI493685B (zh) 2012-02-10 2015-07-21 E Ink Holdings Inc 主動陣列基板上之靜電防護結構
CN107003569A (zh) * 2014-11-20 2017-08-01 夏普株式会社 液晶显示装置以及其制造方法
TWI618229B (zh) * 2016-03-15 2018-03-11 友達光電股份有限公司 可撓式畫素陣列基板以及顯示面板
US11415844B2 (en) 2019-08-14 2022-08-16 Himax Technologies Limited Liquid crystal display
TWI710819B (zh) * 2019-08-29 2020-11-21 奇景光電股份有限公司 液晶顯示器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0922028A (ja) * 1995-06-06 1997-01-21 Ois Opt Imaging Syst Inc 液晶ディスプレイ

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3307150B2 (ja) 1995-03-20 2002-07-24 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
US4472027A (en) * 1980-12-25 1984-09-18 Canon Kabushiki Kaisha Method for the orientation of liquid crystal and liquid crystal display device
JPS61141174A (ja) 1984-12-13 1986-06-28 Seiko Epson Corp 固体撮像装置
JPH01156725A (ja) 1987-12-15 1989-06-20 Seiko Epson Corp 表示装置
CA1313563C (en) 1988-10-26 1993-02-09 Makoto Sasaki Thin film transistor panel
US5051570A (en) 1989-01-20 1991-09-24 Nec Corporation Liquid crystal light valve showing an improved display contrast
JPH02234134A (ja) 1989-03-07 1990-09-17 Nec Corp 液晶表示装置用アクティブマトリクス基板
KR950001360B1 (ko) 1990-11-26 1995-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기 광학장치와 그 구동방법
US5307189A (en) 1991-03-05 1994-04-26 Oki Electric Industry Co., Ltd. Active-matrix-addressed liquid crystal with conductor collecting lines of force emanating from data electrode
US5414442A (en) 1991-06-14 1995-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of driving the same
US5309264A (en) 1992-04-30 1994-05-03 International Business Machines Corporation Liquid crystal displays having multi-domain cells
EP0603866B1 (en) 1992-12-25 2002-07-24 Sony Corporation Active matrix substrate
US5477359A (en) * 1993-01-21 1995-12-19 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal projector having a vertical orientating polyimide film
JPH06301036A (ja) 1993-04-12 1994-10-28 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
US5539545A (en) * 1993-05-18 1996-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making LCD in which resin columns are cured and the liquid crystal is reoriented
US5844538A (en) 1993-12-28 1998-12-01 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix-type image display apparatus controlling writing of display data with respect to picture elements
JPH07302912A (ja) 1994-04-29 1995-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2643835B2 (ja) 1994-06-06 1997-08-20 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその駆動方法
JP2968171B2 (ja) 1994-06-09 1999-10-25 シャープ株式会社 液晶表示素子
JPH08122768A (ja) 1994-10-19 1996-05-17 Sony Corp 表示装置
JP3085633B2 (ja) 1994-11-08 2000-09-11 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
JP2864464B2 (ja) 1994-12-22 1999-03-03 日本ビクター株式会社 反射型アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・パネル及びその製造方法
JPH08201761A (ja) 1995-01-26 1996-08-09 Sharp Corp 液晶表示素子
US5706064A (en) 1995-03-31 1998-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba LCD having an organic-inorganic hybrid glass functional layer
JP3027541B2 (ja) 1995-09-27 2000-04-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
JPH09105941A (ja) 1995-10-13 1997-04-22 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示装置
KR970062775A (ko) 1996-02-03 1997-09-12 구자홍 액정표시소자의 블랙매트릭스 및 그 제조방법
JP3332773B2 (ja) 1996-03-15 2002-10-07 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法
JP3317637B2 (ja) 1996-07-30 2002-08-26 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板およびその製造方法並びにそれを用いた液晶表示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0922028A (ja) * 1995-06-06 1997-01-21 Ois Opt Imaging Syst Inc 液晶ディスプレイ

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990045355A (ko) 1999-06-25
JP4049422B2 (ja) 2008-02-20
US6246458B1 (en) 2001-06-12
JPH11149093A (ja) 1999-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100560020B1 (ko) 액정 표시 장치
KR100500613B1 (ko) 액정 표시 장치
US11036098B2 (en) Liquid crystal display device having rectangular-shaped pixel electrodes overlapping with comb-shaped counter electrodes in plan view
KR100270127B1 (ko) 액정표시장치
US8455870B2 (en) Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
KR100444920B1 (ko) 액정표시장치의제조방법
KR20050000129A (ko) 액정 표시 장치
US7242451B2 (en) Thin film transistor array panel
JP4916522B2 (ja) 液晶表示装置
JP4290150B2 (ja) 液晶表示装置
JP5507738B2 (ja) 液晶表示装置
JP5318269B2 (ja) 液晶表示装置
JP4211349B2 (ja) 液晶表示素子
JP5159936B2 (ja) 液晶表示装置
KR20080045879A (ko) 표시 기판 및 이를 갖는 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120724

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130722

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee