KR100437627B1 - 전력 증폭기용 임피던스 정합 회로 - Google Patents

전력 증폭기용 임피던스 정합 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR100437627B1
KR100437627B1 KR10-1999-7012533A KR19997012533A KR100437627B1 KR 100437627 B1 KR100437627 B1 KR 100437627B1 KR 19997012533 A KR19997012533 A KR 19997012533A KR 100437627 B1 KR100437627 B1 KR 100437627B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
frequency band
delete delete
output port
series
Prior art date
Application number
KR10-1999-7012533A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010014372A (ko
Inventor
보이쉬로날드디
콘로이케빈피
Original Assignee
에릭슨 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에릭슨 인크. filed Critical 에릭슨 인크.
Publication of KR20010014372A publication Critical patent/KR20010014372A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100437627B1 publication Critical patent/KR100437627B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02Transmitters
    • H04B1/04Circuits
    • H04B1/0458Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/403Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency
    • H04B1/406Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency with more than one transmission mode, e.g. analog and digital modes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/28Impedance matching networks
    • H03H11/30Automatic matching of source impedance to load impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

다중-대역 전력 증폭기용 임피던스 정합 회로는 증폭기로부터 RF 신호를 수신하는 입력 포트와, 제1 주파수 대역 내의 RF 신호를 제1 출력 포트로 전송하는 제1 경로와, 제2 주파수 대역 내의 RF신호를 제2 출력 포트로 전송하는 하나이상의제2 경로를 가지고 있다. 제1 경로는, 제1 주파수 대역 내에서 제1 출력 포트 및 입력 포트의 임피던스를 정합하는 임피던스 정합 회로를 포함하고, 제2 경로는, 제2 주파수 대역 내에서 제2 출력 포트 및 입력 포트의 임피던스를 정합하는 임피던스 정합 회로를 포함한다. 제1 경로는 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 차단하는 회로를 포함하고, 제2 경로는 제1 주파수 대역 내의 RF 신호를 차단하는 회로를 포함한다. 다중 대역 전력 증폭기는 다중 전력 증폭기용 임피던스 정합 회로와 결합된 다중-대역 증폭기를 포함하고 있다.

Description

전력 증폭기용 임피던스 정합 회로{IMPEDANCE MATCHING CIRCUIT FOR POWER AMPLIFIER}
미합중국에 있어서, 셀룰라 운영 허가증은 국토를 지리적 서비스 시장으로 분할하는 허가 계획에 준하여 연방 통신 위원회(Federal Communication Commission)에 의해 부여된다. 두 개의 셀룰라 허가증은 각 시장내 시스템의 운영을 위해 주어진다. 이들 두 시스템은 초기에 800 ㎒ 범위 내에서 두개의 서로 다른 무선 주파수(RF) 블록으로 할당된다. 증가하는 이동가입자 수의 요구에 부응하기 위해, FCC는 800 ㎒ 범위 내의 추가적인 스펙트럼 블록을 개방하였다.
이용 가능한 스펙트럼의 증가에도 불구하고, 셀룰라 서비스에 대한 요구는 계속해서 공급을 앞질러 왔다. 게다가, 아날로그 기술의 사용은, 셀-분리(cell-splitting)와 같은 종래의 기술로 달성될 수 있는 용량 증가(capacity gains)를 제한하였다. 이에 따라, "개인 통신 서비스(personal communication service)", 즉 PCS 환경 하에서, 음성, 데이터, 팩스 및 문자 메시지의 효율적인 디지털 통신을 제공하기 위하여 다수의 디지털 공중 인터페이스(digital air interface) 표준이 개발되었다.
최근, FCC는 PCS 시스템에 이용하기 위하여 1900 ㎒ 범위 내의 스펙트럼을 경매하였다. 6개의 주파수 대역은 1900 MHz 범위 내에서 규정되는데, 각각의 대역은 셀룰라 시스템에 의해 이용되는 800 MHz 범위에 대한 채널 할당과 유사한 방법으로 30 kHz 간격의 이중 채널로 분할된다.
운영중인 PCS 시스템은 현재 미합중국에서 출현하기 시작하고 있다. 반면에, 기존의 셀룰라 시스템은 계속해서 운영 중에 있다. 따라서, 많은 시장에서, 현재 800 MHz 범위에서는 셀룰라 시스템이 운영중이고, 1900 MHz 범위에서는 PCS 시스템이 운영중이다. 이들 두 타입의 시스템으로부터 서비스를 수신하길 원하는 이동 가입자는 셀룰라 대역 및 PCS 대역 각각 내에서 운영될 수 있는 두 개의 상이한 이동 송수신기를 사용하거나, 바람직하게는 두 대역에서 운영될 수 있는 단일의 "이중 대역" 이동 송수신기를 사용해야 한다. 게다가, 개인 위성 통신의 출현으로, 미래에는, 이동 가입자가 상이한 주파수 대역을 사용하여 3개 이상의 시스템으로부터 서비스를 수신하기를 원하게 될 것이다.
이중 대역 송수신기와 같은 다중-대역 이동 송수신기 설계에 대한 한가지 방법은, 셀룰라 대역 및 PCS 대역 각각으로 완전히 분리된 무선 하드웨어를 이용하는 것이다. 그러나, 이 방법은 이동 송수신기의 크기와 비용을 증가시킬 것이다. 이중 대역 이동 송수신기의 크기 및 비용을 최소화하기 위해, 셀룰라 대역에서 운영하기 위해 사용된 하드웨어만큼 PCS 대역에서의 운영을 위해 재사용되어야 한다.
특히, 셀룰라 대역 및 PCS 대역 둘다 에서 RF 신호를 증폭하기 위해 이중 대역 송수신기 내에 단지 하나의 증폭기만을 포함하는 것이 바람직하다. 그렇지 않으면, 두 개의 분리된 증폭기 체인(chain)이 요구되는데, 이는 비용이 많이 들고 비효율적일 수 있다.
그러나, 단지 하나의 증폭기만이 사용되면 문제가 있다. 상기 증폭기가 효율적인 전력 증폭기로서 작용하기 위해선, 증폭기의 출력에서의 임피던스는 전송에 앞서 안테나의 임피던스와 전력 정합되어야 한다. 이 문제에 대한 가능한 한가지 해결 방법은, 출력단에서 분리되어 스위칭되는 고역-통과(high-pass) 및 저역 -통과(low-pass) 정합 네트워크를 증폭기에 제공하는 것이다. 그러나, 이 스위치는 고전력을 처리할 수 있어야 하는데, 이로 인해 크고 값비싼 스위치를 필요로 하는 경향이 있다.
또 다른 해결책은, 두 개의 소망 주파수 대역을 커버하고 송신 대역에서 첨두값을 가지는 광대역 전력 정합 회로(broadband power matching circuit)를 제공하는 것이다. 그러나, 이와 같은 구성은 소망의 정합 주파수들이 한 옥타브(octave) 이상만큼 상이하고 각 대역 내의 소망 대역폭이 상대적으로 좁을 경우, 대역폭을 낭비하는 경향이 있다. 널리 공지된 화노의 제한(Fano's limit)은, 리액티브 소자(reactive element)(가령, 트랜지스터의 드레인-소오스간 커패시턴스와 같은)가 존재할 때 광대역 정합에 있어 물리적 제한이 있다는 것을 보여준다.
따라서, 다중-대역 전력 증폭기에 있어서 전력 정합을 제공하는 개선된 전력 정합 회로에 대한 기술이 필요하다.
본 발명은 일반적으로 전력 증폭기용 임피던스 정합 회로(impedance matching circuit)에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 다중 대역 전력 증폭기용 임피던스 정합 회로에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예의 블록도,
도 2는 본 발명의 실시예의 회로도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예의 회로도,
도 4는 본 발명의 제3 실시예의 회로도,
도 5는 본 발명의 제4 실시예의 회로도.
따라서, 본 발명의 목적은 다중-대역 전력 증폭기용 개선된 임피던스 정합 회로를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 효율적이고, 신뢰성 있으며, 비용-효율적인 다중-대역 전력 증폭기용 임피던스 정합 회로를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 넓은 범위의 주파수에 걸쳐 양호한 정합을 제공하는 다중-대역 전력 증폭기용 임피던스 정합 회로를 제공하는 것이다.
전술한 목적들은, 다중-대역 전력 증폭기용 임피던스 정합 회로로 달성된다. 상기 정합 회로는, 증폭기로부터 RF 신호를 수신하는 입력 포트와, 제1 주파수 대역 내의 RF 신호를 제1 출력 포트로 전송하는 제1 경로 및, 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 제2 출력 포트로 전송하는 하나이상의 제2 경로를 가지고 있다. 제1 경로는, 제1 주파수 대역에서, 제1 출력 포트 및 입력 포트의 임피던스를 정합하는 임피던스 정합 회로를 포함할 수 있고, 또한 제2 경로는, 제2 주파수 대역에서, 제2 출력 포트 및 입력 포트의 임피던스를 정합하는 임피던스 정합 회로를 포함할 수 있다. 제1 경로는 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 차단하는 회로를 포함할 수 있고, 또한 제2 경로는 제1 주파수 대역 내의 RF 신호를 차단하는 회로를 포함할 수 있다. 본 발명의 한가지 양상은, 제1 경로에 있어서의 하나이상의 리액티브 회로 소자가 제2 경로의 임피던스 정합에 기여할 수 있고, 또한 제2 경로에 있어서의 하나이상의 리액티브 회로 소자가 제1 경로의 임피던스 정합에 기여할 수 있다.
본 발명의 임피던스 정합 회로는 다중 대역 증폭기와 결합하여 개선된 전력 증폭기를 제공할 수 있다.
본 발명의 특징 및 장점과 함께 본 발명의 이들 목적 및 그외 다른 목적이 첨부한 도면을 참조한 이하의 상세한 설명으로부터 명백하게 될 것이다. 전체 도면에서 동일 요소에 대해 동일한 참조 부호가 병기되어 있다.
본 발명이 지금부터 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 첨부한 도면을 참조하여 서술될 것이다. 그러나, 본 발명은, 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있고, 도시된 특정 실시예로 제한되어 해석되어서는 안된다. 오히려, 본 실시예는, 이 설명을 철저하고 완벽하게 하고, 당업자가 본 발명의 범위를 충분히 알수 있도록 하기 위하여 제공된 것이다.
지금부터, 도 1을 참조하면, 다중-대역 전력 증폭기용 정합 회로(100)를 갖는 전력 증폭기(175)가 블록도 형태로 도시되어 있다. 무선 주파수(RF) 신호는 RF 입력 포트(110)에서 다중-대역 증폭기(120)로의 입력이다. 증폭기(120)는 RF 신호를 증폭하여, 증폭된 RF 신호를 포트(125)에서 전력 정합 회로(100)로 출력한다.
도 1에 도시된 실시예에서, 증폭된 RF 신호는 3개의 주파수 대역중 하나의 대역 내에 있을 수 있다. 그러나, 3개 이상의 주파수 대역에 포함된 RF 신호를 증폭할 수 있는 전력 증폭기와 관련하여 사용하기 위하여 본 발명을 수정할 수 있다는 것이 당업자에는 명백하다.
제1 주파수 대역 내에 있는 RF 신호는 필터/정합 회로(130)에 의해 포트(135)에서 멀티플렉서(160)로 전달될 것이다. 마찬가지로, 제2 주파수 대역 내에 있는 RF 신호는 필터/정합 회로(140)에 의해 포트(145)에서 멀티플렉서(160)로 전달되고, 제3 주파수 대역 내에 있는 RF 신호는 필터/정합 회로(150)에 의해 포트(155)에서 멀티플렉서(160)로 전달될 것이다.
필터/정합 회로(130)는 제1 주파수 대역 내의 신호에 대해서 임피던스 정합을 제공하면서 제2 및 제3 주파수 대역 내의 RF 신호를 차단한다. 마찬가지로, 필터/정합 회로(140)는 제2 주파수 대역 내의 신호에 대해서 임피던스 정합을 제공하면서 제1 및 제3 주파수 대역 내의 RF 신호를 차단한다. 최종적으로, 필터/정합 회로(150)는 제3 주파수 대역 내의 신호에 대해서 임피던스 정합을 제공하면서 제1 및 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 차단한다.
도 2는 800 ㎒(셀룰라 또는 AMPS) 범위 및 1900 ㎒(PCS) 범위 내의 RF 신호를 증폭하는 전력 증폭기의 경우에서의 본 발명의 실시예를 도시한 것이다. 다이플렉스 전력 정합 회로(diplex power matching circuit)(200)는 AMPS 대역 내의 RF 신호를 출력 포트(215)로 전송하기 위한 제1 경로(210) 및 PCS 대역 내의 RF 신호를 출력 포트(225)로 전송하기 위한 제2 경로(220)를 가지고 있다.
경로(210)는 인덕터(L1) 및 커패시터(C1)를 포함하는 병렬 공진 회로(230)를 포함하고 있다. 인덕터(L1) 및 커패시터(C1)의 회로 값은 병렬 공진 회로(230)가 실질적으로 PCS 전송 대역 내의 RF 신호들에 대해 병렬 공진 개방 회로(parallel resonant open circuit)를 제공하도록 선택됨으로써, PCS 대역 내의 어떤 RF 에너지도 출력 포트(215)로 전송되지 않도록 한다. PCS 대역 주파수에서 회로(230)에 의해 제공된 공진 개방 회로는 포트(215)에 접속된 부하가 경로(220)의 PCS 대역 정합 회로에 의해 포트(125)에 제공된 임피던스에 영향을 미치지 않도록 한다. 본질적으로, 회로(230)는 PCS 전송 대역 부근 또는 그 내의 소정 주파수에서의 밴드스톱 널(bandstop null)을 경로(210)에 제공한다. 대부분의 장치에 있어서, 밴드스톱 널은 설계 고려사항에 따라 PCS 전송 대역내 주파수의 약 20%내 주파수에서 발생되어야 한다.
AMPS 대역에서, 회로(230)는 실질적으로 직렬 인덕턴스로서 나타난다. 커패시터(C4 및 C5)에 의해 제공된 커패시턴스와 결합된 이 직렬 인덕턴스는 저역 통과 정합 네트워크를 제공하여, AMPS 대역 주파수에서 소망의 전력 부하에 50 Ohm의 임피던스 정합을 제공한다.
경로(220)에서, 인덕터(L2) 및 커패시터(C2)는 실질적으로 AMPS 전송 대역 주파수에서 단락 회로를 제공하는 직렬 공진 회로를 형성한다. 이것은 AMPS 대역 전송 주파수에 높은 반사를 제공하여, 어떤 AMPS 대역 에너지도 출력 포트(225)로 전송되지 않도록 하고, 또한 포트(225)에 접속된 부하가 경로(210)의 AMPS 대역 정합 회로에 의해 포트(125)에 제공되는 임피던스에 영향을 미치지 않도록 한다.
AMPS 대역에서, 인덕터(L2) 및 커패시터(C2)로 형성된 공진 회로는 커패시터(C6)를 접지함으로써, 커패시터(C6)는 커패시터(C4)에 병렬 커패시턴스를 제공하도록 AMPS 대역에 나타난다. 이것은 경로(210)의 저역 통과 정합에 기여한다. 본질적으로, 인덕터(L2) 및 커패시터(C2)는 AMPS 전송 대역 근처 또는 그 내의 소정의 주파수에서의 밴드스톱 널을 경로(220)에 제공한다. 대부분의 애플리케이션에 있어서, 밴드스톱 널은 설계 고려사항에 따라 AMPS 전송 대역내 주파수의 약 20%내 주파수에서 발생되어야 한다.
PCS 대역에서, 인덕터(L2) 및 커패시터(C2)로 형성된 공진 회로는 접지로의 분로 인덕터(shunt inductor)로서 작용한다. 직렬 커패시터(C6, C7)와 결합하는 이 분로 인덕터는 PCS 대역 주파수에서 소망의 전력 부하에 50 Ohm 임피던스 정합을 제공하는 고역 통과 정합 네트워크를 형성한다.
커패시터(C3) 및 인덕터(L3)로 형성된 회로는 AMPS 전송 대역 주파수의 제2 고조파에서 직렬 공진한다. AMPS 대역 전송 주파수의 제2 고조파에 순수한 리액티브(즉, 비-저항성) 부하를 제공함으로써, 경로(220)는 증폭기 효율을 저하시킴 없이 AMPS 대역 주파수의 제2 고조파를 최대 반사시킨다. 이것은 경로(220)를 통해서 안테나로 제2 고조파 에너지가 누설되는 것을 방지하여, 고조파 에너지 레벨에 대한 FCC 규정을 준수하도록 한다.
인덕터(L3) 및 커패시터(C3)로 이루어진 회로는 AMPS 대역에서 접지로의 분로 커패시터로서 작용함으로써, AMPS 모드에서, 인덕터(L3) 및 커패시터(C3)는 커패시터(C4)에 병렬 커패시턴스를 제공한다. 인덕터(L3) 및 커패시터(C3)의 회로 값은, PCS 대역 내의 신호에 대한 어떤 영향을 최소화하도록 선택되어 최적화된다. 특히, L3 및 C3 값은 PCS 대역에서의 삽입손실을 최소화하도록 선택된다.
본 발명의 제2 실시예가 도3에 도시되어 있다. 경로(310)는 도 2에 도시된 경로(210)와 동일하다. 경로(320)는, 직렬 커패시터(C7)가 직렬 인덕터(L4) 및 분로 커패시터(C8)의 결합으로 대체되는 것을 제외하면, 실질적으로 도 2에 도시된 경로(220)와 유사하다. 이를 행함에 있어서, PCS 대역 정합의 최종 그먼트(segment)는 고역 통과 구조로부터 저역 통과 구조로 변경된다. 인덕터(L2) 및 커패시터(C2)로 형성된 직렬 공진 회로의 작용과, 인덕터(L3) 및 커패시터(C3)로 형성된 "제2 고조파 트랩(trap)"의 작용은 도 2와 관련한 이전의 설명과 동일하다.
본 발명의 제3 실시예가 도4에 도시되어 있다. 경로(410)는 도 2에 도시된 경로(210)와 동일하다. 경로(420)는 인덕터(L5) 및 커패시터(C10)를 포함하는 분로 회로(440)와, 인덕터(L9) 및 커패시터(C9)로 형성된 병렬 공진 회로(430)를 포함한다. 회로(430)는 실질적으로 병렬 공진 개방 회로를 제공함으로써, AMPS 전송 대역에서 RF 에너지에 대해 높은 반사를 제공한다. 이것은 어떤 AMPS 대역 에너지도 출력 포트(225)로 전송되지 못하도록 하고, 또한 포트(225)에 접속된 부하가 경로(410)의 AMPS 대역 정합 회로에 의해 포트(125)에 제공된 임피던스에 영향을 미치지 못하도록 한다. PCS 대역에서, 회로(430)는 직렬 커패시터로서 작용한다.
인덕터(L5) 및 커패시터(C10)의 직렬 결합은 특정 공진 주파수를 성취하고자 하는 아니라, 오히려 PCS 전송 대역 주파수에서 DC 차단 커패시터를 가진 분로 인덕터로서 작용하도록 설계되었다. 회로(430)의 "직렬 커패시터"와 결합하는 이 "분로 인덕터"는 PCS 대역 내의 포트(225)에서 50 Ohm 임피던스 정합을 제공하는 고역 통과 구조를 발생시킨다.
[적절한 소자 값이 이용될 수 있으면, 인덕터(L5) 및 커패시터(C10)의 직렬 결합에 있어서의 공진 주파수는 AMPS 전송 대역 주파수를 추가 반사시키도록 선택될 수 있는 한편, 이와 동시에 PCS 전송 대역 주파수에 있어서 소망 량의 분로 인덕턴스를 제공한다는 것을 주지하여야 한다.]
더욱이, 인덕터(L3) 및 커패시터(C3)로 형성된 직렬 공진 회로는 도 2에 있어서의 제2 고조파 트랩에 대한 설명과 동일한 작용을 하는 "제2 고조파 트랩"으로서 작용한다.
본원에서 설명될 최종 실시예가 도 5에 도시되어 있다. 경로(510)는 도 2에 도시된 경로(210)와 동일하다. 경로(520)는, 인덕터(L5) 및 커패시터(C10)의 (접지로의)직렬 결합이 직렬 인덕터(L6) 및 분로 커패시터(C11)의 결합으로 대치되는 것을 제외하면, 실질적으로 도 4에 도시된 경로(420)와 유사하다. 이를 행함에 있어, PCS 대역 정합의 최종 세그먼트는 고역 통과 구조로부터 저역 통과 구조로 변경된다. 인덕터(L9) 및 커패시터(C9)로 형성된 병렬 공진 회로의 작용 및 인덕터(L3) 및 커패시터(C3)로 형성된 "제2 고조파 트랩"의 작용 둘다는 도 4와 관련한 이전의 설명과 동일하다.
시분할 다중 접속(TDMA) 시스템에 사용하기 위해 설계된 이중 대역 이동 송수신기에서, 고주파수 출력 경로에 이미 포함된 스위치가 있을 수 있다. 이 경우에 있어서, 상기 스위치가 AMPS 대역 고조파를 반사하기 때문에, 커패시터(C3) 및 인덕터(L3)는 생략될 수 있다.
본 발명은 각 전송 경로 내에 제2 밴드스톱 필터를 포함함으로써, 두 주파수 대역 이상에 대해 전력 정합을 용이하게 제공할 수 있다.
본 발명을, 바람직한 실시예에 따라 설명하였으나, 당업자는 본 발명이 본원에 설명되고 예시된 특정 실시예에 제한되지 않는 것을 알 수 있을 것이다. 본원에 도시되고 설명된 것 이외의 다른 실시예 및 변형예 뿐만 아니라, 각종 변형, 수정및 이와 등가의 장치는 본 발명의 요지 및 범위를 벗어남이 없이 상술된 설명 및 도면에 의해서 명백하게 이해할 수 있거나 지지될 수 있다, 따라서, 본 발명은 첨부된 청구범위의 사상과 영역에 의해서만 단지 제한된다.
다중-대역 전력 증폭기를 위한 다이플렉스 전력 정합이 공개되어 있다. 전력 정합 회로는 특히 이중 대역 이동 송수신기에 사용하는데 적합하다.

Claims (38)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 임피던스 정합 회로로서,
    제1 주파수 대역 및 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 수신하는 입력 포트, 제1 출력 포트 및 제2 출력 포트;
    상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호를 상기 제1 출력 포트로 전송하는 제1 경로 및;
    상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 상기 제2 출력 포트로 전송하는 제2 경로를 포함하는데,
    상기 제1 경로는:
    상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 실질적으로 개방 회로를 제공하고, 상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 직렬 인덕턴스를 제공하도록 동조되는 병렬 공진 회로,
    상기 입력 포트에 결합되는 제1 분로 커패시터 및,
    상기 제1 출력 포트에 결합되는 제2 분로 커패시터를 포함하는데;
    상기 병렬 공진 회로와 상기 제1 및 제2 분로 커패시터는 상기 제1 주파수 범위 내의 RF 신호에 대해서 저역 통과 임피던스 정합 네트워크를 동작가능하게 형성하며,
    상기 제2 경로는:
    상기 입력 포트에 결합되는 제1 직렬 커패시터,
    상기 제2 출력 포트에 결합되는 제2 직렬 커패시터 및,
    상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 실질적으로 단락 회로를 제공하고, 상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 분로 인덕턴스를 제공하도록 동조되며, 상기 제1 직렬 커패시터와 제2 직렬 커패시터 사이에 결합되는 분로 직렬 공진 회로를 포함하는데;
    상기 제1 및 제2 직렬 커패시터, 상기 제1 분로 커패시터 및 상기 분로 직렬 공진 회로는 상기 제2 주파수 범위 내의 RF 신호를 위한 고역 통과 임피던스 정합 네트워크를 동작가능하게 형성하며,
    상기 제1 직렬 커패시터는 상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 상기 저역 통과 임피던스 정합 네트워크의 임피던스 정합에 동작가능하게 기여하는, 임피던스 정합 회로.
  26. 임피던스 정합 회로로서,
    제1 주파수 대역 및 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 수신하는 입력 포트, 제1 출력 포트 및 제2 출력 포트;
    상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호를 상기 제1 출력 포트로 전송하는 제1 경로 및;
    상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 상기 제2 출력 포트로 전송하는 제2 경로를 포함하는데,
    상기 제1 경로는:
    상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 실질적으로 개방 회로를 제공하고, 상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 직렬 인덕턴스를 제공하도록 동조되는 병렬 공진 회로,
    상기 입력 포트에 결합되는 제1 분로 커패시터 및,
    상기 제1 출력 포트에 결합되는 제2 분로 커패시터를 포함하는데;
    상기 병렬 공진 회로와 상기 제1 및 제2 분로 커패시터는 상기 제1 주파수 범위 내의 RF 신호를 위한 저역 통과 임피던스 정합 네트워크를 동작가능하게 형성하며,
    상기 제2 경로는:
    상기 입력 포트에 결합되는 제1 직렬 커패시터,
    상기 제2 출력 포트에 결합되는 제3 분로 커패시터,
    상기 제2 출력 포트에 결합되는 제1 직렬 인덕터 및,
    상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 단락 회로를 제공하고, 상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 분로 인덕턴스를 제공하도록 동조되며, 상기 제1 직렬 커패시터 및 제1 직렬 인덕터 사이에 결합되는 분로 직렬 공진 회로를 포함하는데;
    상기 제1 직렬 커패시터, 상기 제1 및 제3 분로 커패시터, 상기 직렬 인덕터 및 상기 분로 직렬 공진 회로는 상기 제2 주파수 범위 내의 RF 신호를 위한 임피던스 정합 네트워크를 동작가능하게 형성하며,
    상기 제1 직렬 커패시터는 상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 상기 저역 통과 정합 네트워크의 임피던스 정합에 동작가능하게 기여하는, 임피던스 정합 회로.
  27. 임피던스 정합 회로로서,
    제1 주파수 대역 및 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 수신하는 입력 포트, 제1 출력 포트 및 제2 출력 포트;
    상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호를 상기 제1 출력 포트로 전송하는 제1 경로 및;
    상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 상기 제2 출력 포트로 전송하는 제2 경로를 포함하는데,
    상기 제1 경로는 :
    상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 실질적으로 개방 회로를 제공하고, 상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 직렬 인덕턴스를 제공하도록 동조되는 병렬 공진 회로,
    상기 입력 포트에 결합되는 제1 분로 커패시터 및,
    상기 제1 출력 포트에 결합되는 제2 분로 커패시터를 포함하는데;
    상기 병렬 공진 회로와 상기 제1 및 제2 분로 커패시터는 상기 제1 주파수 범위 내의 RF 신호를 위한 저역 통과 임피던스 정합 네트워크를 동작가능하게 형성하며,
    상기 제2 경로는 :
    상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 실질적으로 개방 회로를 제공하고, 상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 직렬 커패시턴스를 제공하도록 동조되는 병렬 공진 회로 및,
    상기 제2 출력 포트에 결합되는 인덕터 및 커패시터를 포함하는 분로 회로를 포함하는데;
    상기 제1 분로 커패시터, 상기 분로 회로 및 상기 병렬 공진 회로는 상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 위한 임피던스 정합 네트워크를 동작가능하게 형성하는, 임피던스 정합 회로.
  28. 임피던스 정합 회로로서
    제1 주파수 대역 및 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 수신하는 입력 포트, 제1 출력 포트 및 제2 출력 포트;
    상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호를 상기 제1 출력 포트로 전송하는 제1 경로 및 ;
    상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 상기 제2 출력 포트로 전송하는 제2 경로를 포함하는데,
    상기 제1 경로는 :
    상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 실질적으로 개방 회로를 제공하고, 상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 직렬 인덕턴스를 제공하도록 동조되는 병렬 공진 회로,
    상기 입력 포트에 결합되는 제1 분로 커패시터 및,
    상기 제1 출력 포트에 결합되는 제2 분로 커패시터를 포함하는데;
    상기 병렬 공진 회로와 상기 제1 및 제2 분로 커패시터는 상기 제1 주파수 범위 내의 RF 신호를 위하여 저역 통과 임피던스 정합 네트워크를 동작가능하게 형성하며;
    상기 제2 경로는 :
    상기 제1 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 실질적으로 개방 회로를 제공하고, 상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호에 대해 직렬 커패시턴스를 제공하도록 동조되는 병렬 공진 회로 및,
    상기 병렬 공진 회로에 결합되는 직렬 인덕터 및 상기 제2 출력 포트에 결합되는 분로 커패시터를 포함하는데;
    상기 제1 및 제3 분로 커패시터, 상기 직렬 인덕터 및 상기 병렬 공진 회로는 상기 제2 주파수 대역 내의 RF 신호를 위한 임피던스 정합 네트워크를 동작가능하게 형성하는, 임피던스 정합 회로.
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 삭제
  37. 삭제
  38. 삭제
KR10-1999-7012533A 1997-07-03 1998-06-24 전력 증폭기용 임피던스 정합 회로 KR100437627B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/888,168 US5969582A (en) 1997-07-03 1997-07-03 Impedance matching circuit for power amplifier
US08/888,168 1997-07-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010014372A KR20010014372A (ko) 2001-02-26
KR100437627B1 true KR100437627B1 (ko) 2004-06-26

Family

ID=25392652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1999-7012533A KR100437627B1 (ko) 1997-07-03 1998-06-24 전력 증폭기용 임피던스 정합 회로

Country Status (11)

Country Link
US (1) US5969582A (ko)
EP (1) EP0995264B1 (ko)
JP (1) JP2002508134A (ko)
KR (1) KR100437627B1 (ko)
CN (1) CN1143428C (ko)
AU (1) AU740939B2 (ko)
BR (1) BR9810509A (ko)
EE (1) EE9900618A (ko)
HK (1) HK1044861B (ko)
MY (1) MY120331A (ko)
WO (1) WO1999001931A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150073712A (ko) 2013-12-23 2015-07-01 전자부품연구원 T형 이중 대역 정합 회로 및 그 설계 방법

Families Citing this family (134)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6298244B1 (en) * 1997-07-03 2001-10-02 Ericsson Inc. Dual-band, dual-mode power amplifier
US6188877B1 (en) 1997-07-03 2001-02-13 Ericsson Inc. Dual-band, dual-mode power amplifier with reduced power loss
DE19823060C2 (de) * 1998-05-22 2001-02-22 Ericsson Telefon Ab L M Leistungsverstärker-Ausgangsschaltung
KR20010106398A (ko) * 1998-07-08 2001-11-29 가나이 쓰토무 고주파 전력 증폭기 모듈
JP2000312122A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Fujitsu Quantum Devices Ltd 高周波入力整合回路装置及び高周波出力整合回路装置及び、半導体集積回路
FR2794308A1 (fr) * 1999-05-28 2000-12-01 Thomson Csf Circuit d'adaptation d'impedance pour amplificateur
DE19948964C2 (de) * 1999-10-11 2001-10-04 Texas Instruments Deutschland Schaltungsanordnung zum Herstellen einer unidirektionalen Verbindung zwischen Sende- und/oder Empfangsgeräten und einer Antenne
GB2357635B (en) * 1999-12-21 2003-09-10 Nokia Mobile Phones Ltd A circuit for interfacing a balanced radio frequency power amplifier with an unbalanced load
US7075389B1 (en) * 2000-05-25 2006-07-11 Motorola Inc. Method and apparatus for achieving broadband matching of narrow-band resonator filter impedances to loads and sources
US6389269B1 (en) * 2000-06-15 2002-05-14 Motorola, Inc. Method and apparatus for multiple band transmission
US6469590B1 (en) * 2000-06-20 2002-10-22 Shakespeare Company Marine antenna with an integral filter
US8064188B2 (en) 2000-07-20 2011-11-22 Paratek Microwave, Inc. Optimized thin film capacitors
US8744384B2 (en) * 2000-07-20 2014-06-03 Blackberry Limited Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit
US6362606B1 (en) 2000-09-12 2002-03-26 Silicon Laboratories, Inc Method and apparatus for regulating a voltage
US6448847B1 (en) 2000-09-12 2002-09-10 Silicon Laboratories, Inc. Apparatus and method for providing differential-to-single ended conversion and impedance transformation
US6549071B1 (en) 2000-09-12 2003-04-15 Silicon Laboratories, Inc. Power amplifier circuitry and method using an inductance coupled to power amplifier switching devices
US6917245B2 (en) 2000-09-12 2005-07-12 Silicon Laboratories, Inc. Absolute power detector
US6392488B1 (en) 2000-09-12 2002-05-21 Silicon Laboratories, Inc. Dual oxide gate device and method for providing the same
US6462620B1 (en) 2000-09-12 2002-10-08 Silicon Laboratories, Inc. RF power amplifier circuitry and method for amplifying signals
US6587019B2 (en) * 2001-04-11 2003-07-01 Eni Technology, Inc. Dual directional harmonics dissipation system
US7594249B2 (en) * 2001-05-04 2009-09-22 Entropic Communications, Inc. Network interface device and broadband local area network using coaxial cable
US6980051B2 (en) * 2001-05-08 2005-12-27 Nokia Corporation Gain adjusting and circuit arrangement
US6587018B1 (en) * 2001-05-25 2003-07-01 Tropian, Inc. Notch filter and method
US6865376B2 (en) * 2001-07-03 2005-03-08 Kyocera Wireless Corp. System and method for a GPS enabled antenna
US6667723B2 (en) * 2001-07-03 2003-12-23 Kyocera Wireless Corp. System and method for a GPS enabled antenna
TW486861B (en) * 2001-07-04 2002-05-11 Ind Tech Res Inst Impedance matching circuit for a multi-band power amplifier
US6828859B2 (en) * 2001-08-17 2004-12-07 Silicon Laboratories, Inc. Method and apparatus for protecting devices in an RF power amplifier
ES2291286T3 (es) * 2001-09-07 2008-03-01 U-Blox Ag Amplificador gps de bajo nivel de ruido, filtro duplex y microtelefono celular gps.
US6819941B2 (en) * 2001-10-11 2004-11-16 Rf Micro Devices, Inc. Single output stage power amplification for multimode applications
US6985698B2 (en) * 2001-11-14 2006-01-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Impedeance matching circuit for a multi-band radio frequency device
US6741140B2 (en) 2001-12-12 2004-05-25 Nortel Networks Limited Circuit for receiving an AC coupled broadband signal
US6894565B1 (en) 2002-12-03 2005-05-17 Silicon Laboratories, Inc. Fast settling power amplifier regulator
TW200501613A (en) * 2002-12-20 2005-01-01 Globespan Virata Inc Harmonic suppression for a multi-band transmitter
US20040150489A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-05 Sirenza Microdevices, Inc On-carrier impedance transform network
US6897730B2 (en) * 2003-03-04 2005-05-24 Silicon Laboratories Inc. Method and apparatus for controlling the output power of a power amplifier
US7376440B2 (en) * 2003-04-16 2008-05-20 Kyocera Wireless Corp. N-plexer systems and methods for use in a wireless communications device
US7135720B2 (en) 2003-08-05 2006-11-14 Nitronex Corporation Gallium nitride material transistors and methods associated with the same
US7030717B2 (en) * 2004-05-19 2006-04-18 Soontai Tech Co., Ltd Impedance-matching wave filter
US7660562B2 (en) * 2004-06-21 2010-02-09 M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. Combined matching and filter circuit
CN100397798C (zh) * 2004-11-08 2008-06-25 佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司 多频天线的阻抗匹配电路
WO2006054148A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-26 Acco An integrated ultra-wideband (uwb) pulse generator
DE112006001884B4 (de) 2005-09-12 2018-09-27 Snaptrack, Inc. Elektrisches Bauelement
DE102005046452B4 (de) * 2005-09-28 2021-02-25 Snaptrack, Inc. Multiband-Schaltung
EP1935026A1 (en) 2005-10-12 2008-06-25 Acco Insulated gate field-effet transistor having a dummy gate
US9406444B2 (en) 2005-11-14 2016-08-02 Blackberry Limited Thin film capacitors
FR2895151B1 (fr) * 2005-12-20 2008-02-08 Thales Sa Dispositif d'adaptation, notamment d'amplificateur de puissance
US7711337B2 (en) 2006-01-14 2010-05-04 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching module (AIMM) control architectures
US8125399B2 (en) 2006-01-14 2012-02-28 Paratek Microwave, Inc. Adaptively tunable antennas incorporating an external probe to monitor radiated power
US8325097B2 (en) 2006-01-14 2012-12-04 Research In Motion Rf, Inc. Adaptively tunable antennas and method of operation therefore
DE102006022580B4 (de) * 2006-05-15 2014-10-09 Epcos Ag Elektrisches Bauelement
US7839234B2 (en) * 2006-10-02 2010-11-23 Skyworks Solutions, Inc. Switching module with harmonic phase tuning filter
US7808342B2 (en) * 2006-10-02 2010-10-05 Skyworks Solutions, Inc. Harmonic phase tuning filter for RF switches
JP4843455B2 (ja) * 2006-10-30 2011-12-21 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 整合回路、マルチバンド増幅器
US7714676B2 (en) 2006-11-08 2010-05-11 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching apparatus, system and method
US8299867B2 (en) 2006-11-08 2012-10-30 Research In Motion Rf, Inc. Adaptive impedance matching module
US7535312B2 (en) 2006-11-08 2009-05-19 Paratek Microwave, Inc. Adaptive impedance matching apparatus, system and method with improved dynamic range
US7917104B2 (en) 2007-04-23 2011-03-29 Paratek Microwave, Inc. Techniques for improved adaptive impedance matching
US8213886B2 (en) 2007-05-07 2012-07-03 Paratek Microwave, Inc. Hybrid techniques for antenna retuning utilizing transmit and receive power information
JP5081742B2 (ja) * 2007-06-29 2012-11-28 日本電波工業株式会社 アンテナ分波器
US7817966B2 (en) * 2007-07-13 2010-10-19 Skyworks Solutions, Inc. Switching device with reduced intermodulation distortion
US7646260B2 (en) * 2007-07-13 2010-01-12 Skyworks Solutions, Inc. Switching device with selectable phase shifting modes for reduced intermodulation distortion
CN101953081B (zh) * 2007-08-03 2013-10-30 夏普株式会社 通信装置
US7991363B2 (en) 2007-11-14 2011-08-02 Paratek Microwave, Inc. Tuning matching circuits for transmitter and receiver bands as a function of transmitter metrics
US7863645B2 (en) * 2008-02-13 2011-01-04 ACCO Semiconductor Inc. High breakdown voltage double-gate semiconductor device
US7969243B2 (en) * 2009-04-22 2011-06-28 Acco Semiconductor, Inc. Electronic circuits including a MOSFET and a dual-gate JFET
US9240402B2 (en) 2008-02-13 2016-01-19 Acco Semiconductor, Inc. Electronic circuits including a MOSFET and a dual-gate JFET
US8928410B2 (en) 2008-02-13 2015-01-06 Acco Semiconductor, Inc. Electronic circuits including a MOSFET and a dual-gate JFET
DE102008024482B4 (de) * 2008-05-21 2016-10-06 Qualcomm Technologies, Inc. (N.D.Ges.D. Staates Delaware) Schaltungsanordnung zur Impedanzanpassung, elektronisches Bauelement und Mobilfunkgerät
US8271028B2 (en) * 2008-06-26 2012-09-18 Sige Semiconductor Inc. Dual band amplifier
JP5083125B2 (ja) * 2008-08-27 2012-11-28 株式会社村田製作所 分波器、半導体集積回路装置および通信用携帯端末
US8072285B2 (en) 2008-09-24 2011-12-06 Paratek Microwave, Inc. Methods for tuning an adaptive impedance matching network with a look-up table
US7808415B1 (en) * 2009-03-25 2010-10-05 Acco Semiconductor, Inc. Sigma-delta modulator including truncation and applications thereof
US9143172B2 (en) * 2009-06-03 2015-09-22 Qualcomm Incorporated Tunable matching circuits for power amplifiers
US8963611B2 (en) * 2009-06-19 2015-02-24 Qualcomm Incorporated Power and impedance measurement circuits for a wireless communication device
KR101010214B1 (ko) 2009-06-25 2011-01-21 유파인테크놀러지스 주식회사 비대칭 임피던스 필터를 이용한 다이플렉서
JP2011015242A (ja) * 2009-07-02 2011-01-20 Panasonic Corp 高周波電力増幅器
US8750810B2 (en) * 2009-07-24 2014-06-10 Qualcomm Incorporated Power amplifier with switched output matching for multi-mode operation
US8072272B2 (en) 2009-08-19 2011-12-06 Qualcomm, Incorporated Digital tunable inter-stage matching circuit
US9559639B2 (en) * 2009-08-19 2017-01-31 Qualcomm Incorporated Protection circuit for power amplifier
US8472888B2 (en) 2009-08-25 2013-06-25 Research In Motion Rf, Inc. Method and apparatus for calibrating a communication device
US7952431B2 (en) * 2009-08-28 2011-05-31 Acco Semiconductor, Inc. Linearization circuits and methods for power amplification
US9026062B2 (en) 2009-10-10 2015-05-05 Blackberry Limited Method and apparatus for managing operations of a communication device
US8803631B2 (en) 2010-03-22 2014-08-12 Blackberry Limited Method and apparatus for adapting a variable impedance network
US8643449B2 (en) * 2010-03-26 2014-02-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance matching circuit capable of efficiently isolating paths for multi-band power amplifier
JP5901612B2 (ja) 2010-04-20 2016-04-13 ブラックベリー リミテッド 通信デバイスにおける干渉を管理するための方法および装置
US8532584B2 (en) 2010-04-30 2013-09-10 Acco Semiconductor, Inc. RF switches
US8421547B2 (en) * 2010-05-20 2013-04-16 Csr Technology Inc. System and method for retaining a desired return loss when dynamically varying a number of active paths
US9379454B2 (en) 2010-11-08 2016-06-28 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning antennas in a communication device
CN103348590B (zh) * 2011-02-02 2016-08-10 株式会社村田制作所 功率放大电路
US9391650B2 (en) 2011-02-11 2016-07-12 Qualcomm Incorporated Front-end RF filters with embedded impedance transformation
US8712340B2 (en) 2011-02-18 2014-04-29 Blackberry Limited Method and apparatus for radio antenna frequency tuning
US8655286B2 (en) 2011-02-25 2014-02-18 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US8626083B2 (en) 2011-05-16 2014-01-07 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
US8594584B2 (en) 2011-05-16 2013-11-26 Blackberry Limited Method and apparatus for tuning a communication device
EP2713505B1 (en) * 2011-05-30 2018-12-12 Huawei Technologies Co., Ltd. Doherty power amplifier and signal processing method
CN102355221A (zh) * 2011-06-17 2012-02-15 雷良军 多频带功率放大器及输出匹配电路
US9769826B2 (en) 2011-08-05 2017-09-19 Blackberry Limited Method and apparatus for band tuning in a communication device
US8639286B2 (en) * 2011-12-23 2014-01-28 Broadcom Corporation RF transmitter having broadband impedance matching for multi-band application support
US20130178168A1 (en) * 2012-01-10 2013-07-11 Chunjie Duan Multi-Band Matching Network for RF Power Amplifiers
US8773204B2 (en) * 2012-02-14 2014-07-08 Qualcomm Incorporated Amplifier with reduced source degeneration inductance
KR101919115B1 (ko) * 2012-02-29 2018-11-15 삼성전자주식회사 Bawr 을 이용한 필터
US8948889B2 (en) 2012-06-01 2015-02-03 Blackberry Limited Methods and apparatus for tuning circuit components of a communication device
US9853363B2 (en) 2012-07-06 2017-12-26 Blackberry Limited Methods and apparatus to control mutual coupling between antennas
US9246223B2 (en) 2012-07-17 2016-01-26 Blackberry Limited Antenna tuning for multiband operation
US9413066B2 (en) 2012-07-19 2016-08-09 Blackberry Limited Method and apparatus for beam forming and antenna tuning in a communication device
US9350405B2 (en) 2012-07-19 2016-05-24 Blackberry Limited Method and apparatus for antenna tuning and power consumption management in a communication device
US9362891B2 (en) 2012-07-26 2016-06-07 Blackberry Limited Methods and apparatus for tuning a communication device
US9431473B2 (en) 2012-11-21 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Hybrid transformer structure on semiconductor devices
KR101422950B1 (ko) 2012-12-13 2014-07-23 삼성전기주식회사 하나의 권선으로 구현되는 직렬 인덕터 어레이 및 이를 포함하는 필터
US9374113B2 (en) 2012-12-21 2016-06-21 Blackberry Limited Method and apparatus for adjusting the timing of radio antenna tuning
US10404295B2 (en) 2012-12-21 2019-09-03 Blackberry Limited Method and apparatus for adjusting the timing of radio antenna tuning
US10002700B2 (en) 2013-02-27 2018-06-19 Qualcomm Incorporated Vertical-coupling transformer with an air-gap structure
US9634645B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate
EP2804314B1 (de) * 2013-05-16 2016-07-13 Airbus Defence and Space GmbH Schaltungsanordnung und Verfahren zur frequenzabhängigen Anpassung einer Hochfrequenzverstärkerstufe
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
KR20150035279A (ko) * 2013-09-27 2015-04-06 삼성전기주식회사 다이플렉서 및 그 제조 방법
US9166534B2 (en) 2013-12-17 2015-10-20 Qualcomm Incorporated Tunable loadline
US9906318B2 (en) * 2014-04-18 2018-02-27 Qualcomm Incorporated Frequency multiplexer
US9537452B2 (en) * 2014-04-29 2017-01-03 Skyworks Solutions, Inc. Broadband power amplifier systems and methods
US9231550B2 (en) 2014-06-09 2016-01-05 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Output matching network for wideband power amplifier with harmonic suppression
TWI561003B (en) * 2014-07-11 2016-12-01 Advanced Semiconductor Eng Diplexer with electrostatic discharge protection
DE102014113910A1 (de) * 2014-09-25 2016-03-31 Huf Hülsbeck & Fürst Gmbh & Co. Kg Antennenschaltung für Nahfeld-Antennen
US9438319B2 (en) 2014-12-16 2016-09-06 Blackberry Limited Method and apparatus for antenna selection
US10382004B2 (en) 2015-10-21 2019-08-13 Mediatek Inc. Matching network circuit, and associated apparatus with shared matching network circuit
US10091606B2 (en) * 2015-11-18 2018-10-02 Honeywell International Inc. System and method of enrolling sensors with a control panel using a mobile device
CN105977614B (zh) 2016-05-30 2020-02-07 北京小米移动软件有限公司 通信天线、通信天线的控制方法、装置及终端
JP2019083476A (ja) 2017-10-31 2019-05-30 株式会社村田製作所 電力増幅回路
CN108427339A (zh) * 2018-02-07 2018-08-21 厦门芯阳科技股份有限公司 一种台体熨斗锅炉水位状态检测电路及方法
CN109167582B (zh) * 2018-07-23 2021-09-03 华南理工大学 基于频率选择性耦合的宽带带通滤波功率放大器
CN108964621A (zh) * 2018-10-12 2018-12-07 深圳飞骧科技有限公司 一种射频功率放大器及其匹配强化滤波架构
CN109510606A (zh) * 2018-12-29 2019-03-22 北京小米移动软件有限公司 级联电路
US11595063B2 (en) * 2020-04-05 2023-02-28 Skyworks Solutions, Inc. Bridge combiners having resonator
CN114245508A (zh) * 2020-09-09 2022-03-25 广东美的厨房电器制造有限公司 功率放大器、微波源和微波加热装置
CN112737538B (zh) * 2020-12-15 2023-06-02 上海博昂电气有限公司 杂讯吸收器、具有滤波功能的取电装置及其高杆灯

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2247898A (en) * 1939-09-29 1941-07-01 Hazeltine Corp Band-pass filter, including trap circuit
GB1049412A (en) * 1964-02-14 1966-11-30 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to electric circuits for use in signalling systems
US4085405A (en) * 1976-11-09 1978-04-18 Mhz Enterprises, Inc. Antenna matching network
JPS55149518A (en) * 1979-05-09 1980-11-20 Nec Corp Three terminal pair branching filter
US5258728A (en) * 1987-09-30 1993-11-02 Fujitsu Ten Limited Antenna circuit for a multi-band antenna
US5060294A (en) * 1990-07-05 1991-10-22 Motorola, Inc. Dual mode power amplifier for radiotelephone
JPH06507775A (ja) * 1992-03-13 1994-09-01 モトローラ・インコーポレイテッド 電力増幅器結合回路
US5926466A (en) * 1995-05-16 1999-07-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Time division multiple access FDD wireless unit and time division multiple access FDD/TDD dual mode wireless unit
US5652599A (en) * 1995-09-11 1997-07-29 Qualcomm Incorporated Dual-band antenna system
US6366564B1 (en) * 1996-09-26 2002-04-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diplexer duplexer and two-channel mobile communications equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150073712A (ko) 2013-12-23 2015-07-01 전자부품연구원 T형 이중 대역 정합 회로 및 그 설계 방법

Also Published As

Publication number Publication date
AU740939B2 (en) 2001-11-15
CN1349681A (zh) 2002-05-15
EP0995264B1 (en) 2003-03-12
EE9900618A (et) 2000-08-15
JP2002508134A (ja) 2002-03-12
CN1143428C (zh) 2004-03-24
EP0995264A1 (en) 2000-04-26
WO1999001931A1 (en) 1999-01-14
BR9810509A (pt) 2000-09-05
AU8159598A (en) 1999-01-25
US5969582A (en) 1999-10-19
MY120331A (en) 2005-10-31
KR20010014372A (ko) 2001-02-26
HK1044861B (zh) 2004-10-21
HK1044861A1 (en) 2002-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100437627B1 (ko) 전력 증폭기용 임피던스 정합 회로
US6298244B1 (en) Dual-band, dual-mode power amplifier
US6091966A (en) Dual-band, dual-mode power amplifier
US6188877B1 (en) Dual-band, dual-mode power amplifier with reduced power loss
EP1433253B1 (en) Apparatus for impedance matching in an amplifier using lumped and distributed inductance
US7903592B2 (en) Systems and methods of efficient band amplification
US7142884B2 (en) Combined front-end circuit for wireless transmission systems
JP4278868B2 (ja) デュアルバンド携帯電話における高調波除去
US5815804A (en) Dual-band filter network
US6496083B1 (en) Diode compensation circuit including two series and one parallel resonance points
KR101594192B1 (ko) 멀티 밴드 전력 증폭기를 위하여 효율적으로 경로를 아이솔레이팅 시킬 수 있는 임피던스 정합 회로
US20100091690A1 (en) Distribution diplexer
US20060261911A1 (en) Matching circuit
KR100470582B1 (ko) 다중 대역 전송을 위한 방법 및 장치
WO2008014029A2 (en) Re-configurable impedance matching and harmonic filter system
GB2322491A (en) A multiband receiver with filters to combine the rf and LO signals for input to a mixer
WO2001005028A1 (en) A dual-band, dual-mode power amplifier
US20220255570A1 (en) Radio frequency module and communication device
CA2990482A1 (en) Duplexer with signal cancellation
KR20010062576A (ko) 무선 시스템 결합 장치 및 그 방법
US20080169878A1 (en) Low loss combiner for narrowband and wideband rf signals
JP2001512642A (ja) 通信のためのデバイスおよび方法
KR20000014980A (ko) 무선 통신시스템의 수신 결합기
KR20070017356A (ko) 다중 대역 신호 처리를 이용한 출력 임피던스 정합 장치,방법 및 구성품

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080613

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee