KR100433333B1 - 액정조성물 - Google Patents

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KR100433333B1 KR10-1998-0700213A KR19980700213A KR100433333B1 KR 100433333 B1 KR100433333 B1 KR 100433333B1 KR 19980700213 A KR19980700213 A KR 19980700213A KR 100433333 B1 KR100433333 B1 KR 100433333B1
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Abstract

본 발명은 1 내지 10,000ppm의 크라운 에테르를 함유하는 것을 특징으로 하는, 1×1011Ω㎝ 이상의 저항력을 나타내는 네마틱 액정 조성물 및 상기 조성물에 의해 액정 디스플레이 장치의 정전기적 양상을 개선시키는 방법에 관한 것이다.

Description

액정 조성물{LIQUID CRYSTAL COMPOSITION}
높은 저항력을 갖는 액정을 함유하는 액정 디스플레이 장치(LCD)는 다음과 같은 문제점을 나타낸다:
·LCD의 제작 공정에서 정전기는, 예를 들면 보호막이 편광자로부터 박리될 경우, 장치내에 전계(electric field)를 형성한다. 이러한 전계는 액정 화합물 및 장치를 "ON 상태"가 되도록 배열시킨다. 따라서, 디스플레이의 제작은 전기가 방전될 때까지 중단되어야 한다.
·LCD가 세척을 위해 천과 접촉되거나 천으로 문질러질 경우, 동일한 정전기적 효과에 의해 LCD는 "ON 상태"가 될 수 있다.
본 발명의 목적은 상기 단점의 해결책, 즉 액정의 저항력에 역효과를 주지않으면서 LCD의 방전 시간을 감소시키는 방법을 찾아내는 것이다.
일본 공개 특허 출원 제 4-028-788호는 액정을 크립탄드(cryptand)로 도핑하여 이의 비저항력(specific resistivity)을 감소시킴으로써 LCD의 정전기적 양상(electrostatic behavior)을 개선시키는 것을 제안한다.
크라운 에테르를 액정에 가하여 LCD중의 나트륨 이온을 감소시키는 방법이 일본 공개 특허 출원 제 5-088-148호에 개시되어 있다.
일본 공개 특허 출원 제 54-106-084호는 크라운 에테르 또는 크립탄드를 액정에 첨가함으로써 멀티플렉스 LCD의 누화(漏話)가 감소될 수 있음을 개시하고 있다.
10,000ppm 이하의 크라운 에테르로 도핑된, 1×1011Ω㎝의 비저항력을 갖는 네마틱 액정 조성물이 LCD의 정전기적 문제점을 감소시키기에 적절하다는 제안은 어디에도 나타나있지 않다.
발명의 요약
따라서, 본 발명의 목적은 1 내지 10,000ppm의 크라운 에테르를 함유하는 것을 특징으로 하는, 1×1011Ω㎝ 이상의 저항력을 나타내는 네마틱 액정 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 추가의 목적은 상기 조성물에 의해 LCD의 정전기적 양상을 개선시키는 것을 돕는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 1 내지 10,000ppm의 크라운 에테르를 함유하는 것을 특징으로 하는, 1×1011Ω㎝ 이상의 저항력(resistivity)을 나타내는 네마틱 액정 조성물에 관한 것이다.
도 1은 실험 A(정전기적 방전 시뮬레이터, 10kV 전압이 적용됨)가 실시된 조성물 A에서 18-크라운-6의 농도의 함수로서의 방전 시간(τdc)을 나타낸다.
도 2는 실험 A(정전기적 방전 시뮬레이터, 10kV 전압이 적용됨)가 실시된 조성물 A에서 비저항력의 함수로서의 방전 시간(τdc)을 나타낸다.
도 3은 실험 A(정전기적 방전 시뮬레이터, 10kV 전압이 적용됨)가 실시된 조성물 A(-◆-) 및 B(-△-)에서 비저항력의 함수로서의 방전 시간(τdc)을 나타낸다.
도 4는 실험 B(10초간 DC 30V의 전압이 적용됨)가 실시된 조성물 A(-◆-) 및 B(-△-)에서 비저항력의 함수로서의 방전 시간(τdc)을 나타낸다.
도 5는 실험 C(페이퍼로 문지름)가 실시된 조성물 A(-◆-) 및 B(-△-)에서 비저항력의 함수로서의 방전 시간(τdc)을 나타낸다.
본 발명에 따른 네마틱 액정 조성물은 바람직하게 크라운 에테르에 의해 도핑된다. "크라운 에테르"란 표현에는 환식 폴리에테르 및 상응하는 벤조 유도체가 포함된다. 이들은 바람직하게는 하기 화학식 A 또는 B의 환식 화합물, 특히 하기 화학식 Aa 또는 Ba의 화합물이다:
[(CH2)2O]m
[(CH2)2O]m-2
(여기서, m은 4 내지 8의 정수이다)
본 발명에 따른 네마틱 조성물은 매우 높은 값의 비저항을 달성하는 동시에정전기적 전하의 신속한 방전이 수반되고, 이로써 탁월한 LCD가 수득될 수 있다.
본 발명의 조성물의 비저항력은 1×1011Ω㎝보다 크고, 바람직하게는 2×1011내지 1×1014Ω㎝이다.
방전 시간은 첨가된 크라운 에테르의 양에 따라 달라진다. 일반적으로, 단지 1ppm의 크라운 에테르는 30% 이상으로 방전 시간을 단축시키고, 미도핑된 조성물의 유형에 따라 방전 시간은 1ppm의 크라운 에테르에 의해 50 내지 85% 단축된다. 따라서, 조성물중의 크라운 에테르는 바람직하게는 10,000ppm 미만, 더욱 바람직하게는 1 내지 1,000ppm이다.
원칙적으로, 상기 크라운 에테르를 임의의 종류의 네마틱 조성물에 첨가하는 것이 가능하다. 바람직하게는, 본 발명은 TN 또는 STN 장치를 위한 네마틱 조성물, 특히 높은 역치 전압 TN-LCD 또는 활성 매트릭스 LCD를 위한 네마틱 조성물에 응용된다. 이들 유형의 디스플레이는 둘다 구치(C.H. Gooch) 및 타리(H.A. Tarry)의 문헌[Electron. Lett. 10, 2-4, 1974]에서 제안된 바와 같이 바람직하게 제 1 트랜스미션(transmission) 최소값으로 작동한다.
따라서, 본 발명에 따른 네마틱 조성물의 복굴절(Δn)은 바람직하게 0.11 이하, 특히 0.07 내지 0.105이고, 가장 바람직하게는 0.090 내지 0.102이다.
본 발명의 조성물의 20℃에서의 점성은 바람직하게 25mPa 이하이다. 네마틱 상 범위는 바람직하게 70℃ 이상, 특히 80℃ 이상이고, -20℃ 내지 +70℃ 이상으로 연장된다.
네마틱 조성물은 일반적으로 3종 이상, 바람직하게는 5 내지 20종, 특히 8 내지 15종의 메소제닉(mesogenic) 화합물을 함유한다.
본 발명의 조성물의 유전성 비등방성(Δε)은 일반적으로 +1.5를 넘는다. 바람직하게 Δε는 +3.0 내지 +10.0이다.
본 발명에 따른 조성물의 역치 전압은 바람직하게 3.5V 미만, 특히 3.0V 미만이다. 본 발명에 따른 네마틱 액정 조성물은 바람직하게 1종 이상의 화학식 I의 액정 화합물 및 1종 이상의 화학식 II의 화합물을 함유한다.
상기 식에서,
R1, R2및 R3은, 각각 독립적으로, 탄소수 12이하의 알킬, 알콕시 또는 알케닐이고,
X는 -CN, F, Cl, -OCF3또는 -OCF2H이고,
고리 A, B, C 및 D는 각각 독립적으로, 각각이 임의로 하나 또는 2개의 불소 원자에 의해 치환된 1,4-사이클로헥실렌, 1,4-사이클로헥세닐렌 또는 1,4-페닐렌을 나타내고,
Z1및 Z2는 각각 독립적으로 -C≡C-, -CH2CH2-, -COO- 또는 단일 결합이고,
L1및 L2는 각각 독립적으로 H 또는 F를 나타내고,
n은 0 또는 1이고,
o는 0, 1 또는 2이다.
특히 바람직한 태양에서, 본 발명에 따른 네마틱 액정 조성물은 화학식 Ia
내지 Ie로부터 선택된 1종 이상의 화합물 및 화학식 IIa 내지 IIe로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 함유한다.
상기 식에서,
R1, R2, R3, L1, L2, Z1및 고리 B와 C는 상기에 제시된 의미를 갖고,
q는 0 또는 1이고,
L3은 H 또는 F이다.
상기 본 발명의 또다른 양태는 정전기적으로 하전된 액정 디스플레이 장치의 방전 시간을 본 발명의 조성물에 의해 개선시키는 방법이다.
본 발명을 일반적으로 기술하였으므로, 특정한 실시예에 의해 보다 자세히 이해될 수 있고, 이러한 예는 단지 예시할 목적으로 제공된 것으로 별도의 한정이 없는한 본 발명을 제한하려는 것은 아니다. 하기 실시예에서, 메조상의 온도 특성은 상응하는 온도(℃)를 제공함으로써 종래의 방식으로 표시된다.
본 발명의 조성물로 충전된 LCD의 방전 시간에 대한 검사는 하기 세가지 상이한 방법을 사용하여 5.7㎛의 셀 갭(cell gap)을 갖는 트위스트 네마틱 셀(twisted nematic cell; TN)에서 수행되었다.
· 실험 A: 정전기적 방전 시뮬레이터에 의해 10kV를 적용함.
· 실험 B: DC 전력 공급에 의해 10초 동안 10V를 적용함.
· 실험 C: 페이퍼로 셀을 문지름으로써 정전기를 발생시킴.
실시예 1 내지 10의 혼합물의 조성은 하기에 상세히 설명되어 있고, 각각의 화합물은 다음과 같다:
머리글자 일반식
실시예 1
네마틱 조성물 A는 하기의 화합물들을 포함하여 배합된다:
상이한 양의 18-크라운-6를 상기 조성물에 첨가한다. 이들의 농도, 방전 시간(τdc) 및 비저항력(ρ)은 하기 표 I에 나타나 있다.
실험 A의 크라운 에테르의 농도와 방전 시간과의 관계는 도 1에 나타나 있다. 도 2는 비저항력 및 방전 시간 사이의 관계를 나타낸다. 실험 B의 크라운 에테르의 농도와 방전 시간과의 관계는 도 4에 나타나 있다. 실험 C의 크라운 에테르의 농도와 방전 시간과의 관계는 도 5에 나타나 있다.
실시예 2
네마틱 조성물 B는 하기의 화합물들을 포함하여 배합된다:
상이한 양의 18-크라운-6를 상기 조성물에 첨가한다. 이들의 농도, 방전 시간(τdc) 및 비저항력(ρ)은 하기 표 II에 나타나 있다.
실험 A의 크라운 에테르의 농도와 방전 시간과의 관계는 도 3에 나타나 있다. 실험 B의 크라운 에테르의 농도와 방전 시간과의 관계는 도 4에 나타나 있다. 실험 C의 크라운 에테르의 농도와 방전 시간과의 관계는 도 5에 나타나 있다.
실시예 3
네마틱 조성물 C는 하기의 화합물들을 포함하여 배합된다:
상이한 양의 18-크라운-6를 상기 조성물에 첨가한다. 이들의 농도, 방전 시간(τdc) 및 비저항력(ρ)은 하기 표 III에 나타나 있다.

Claims (7)

1 내지 1,000ppm의 크라운 에테르, 1종 이상의 화학식 I의 액정 화합물 및 1종 이상의 화학식 II의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는, 1×1011Ω㎝ 이상의 저항력을 나타내는 네마틱 액정 조성물:
화학식 I
화학식 II
상기 식에서,
R1, R2및 R3은, 각각 독립적으로, 탄소수 12이하의 알킬, 알콕시 또는 알케닐이고,
X는 -CN, F, Cl, -OCF3또는 -OCF2H이고,
고리 A, B, C 및 D는 각각 독립적으로, 각각이 하나 또는 2개의 불소 원자에 의해 치환되거나 치환되지 않은 1,4-사이클로헥실렌, 1,4-사이클로헥세닐렌 또는 1,4-페닐렌을 나타내고,
Z1및 Z2는 각각 독립적으로 -C≡C-, -CH2CH2-, -COO- 또는 단일 결합이고,
L1및 L2는 각각 독립적으로 H 또는 F이고,
n은 0 또는 1이고,
o는 0, 1 또는 2이다.
제 1 항에 있어서,
크라운 에테르가 하기 화학식 A 또는 화학식 B의 환식 화합물인 것을 특징으로 하는
네마틱 액정 조성물:
화학식 A
[(CH2)2O]m
화학식 B
[(CH2)2O]m-2
(여기서, m은 4 내지 8의 정수이다).
제 2 항에 있어서,
크라운 에테르가 하기 화학식 Aa 또는 화학식 Ba의 화합물인 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 조성물:
화학식 Aa
화학식 Ba
제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
복굴절이 0.110 이하인 것을 특징으로 하는
네마틱 액정 조성물.
제 1 항에 있어서,
하기 화학식 Ia 내지 Ie로부터 선택된 1종 이상의 화합물 및 하기 화학식 IIa 내지 IIe로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는
네마틱 액정 조성물:
화학식 Ia
화학식 Ib
화학식 Ic
화학식 Id
화학식 Ie
화학식 IIa
화학식 IIb
화학식 IIc
화학식 IId
화학식 IIe
상기 식에서,
R1, R2, R3, L1, L2, Z1및 고리 B와 C는 제 1 항에 제시된 의미를 갖고,
q는 0 또는 1이고,
L3은 H 또는 F이다.
제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 따른 조성물을 액정 디스플레이 장치에서 유전체로서 사용하는 것을 특징으로 하는, 상기 액정 디스플레이 장치의 정전기적 양상을 개선시키는 방법.
제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 따른 조성물을 정전기적으로 하전된 액정 디스플레이 장치에서 유전체로서 사용하는 것을 특징으로 하는, 상기 정전기적으로 하전된 액정 디스플레이 장치의 방전 시간을 개선시키는 방법.
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