KR101014186B1 - 네마틱 액정 조성물 - Google Patents

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Abstract

네마틱 액정 화합물을 포함하는 네마틱 액정 조성물이 개시되어 있다. 상기 네마틱 액정 화합물은 하기 식 (1)로 표기된다.
Figure 112010056268709-pat00041
상기 식 (1)으로 표기된 네마틱 액정 화합물을 포함하는 액정 조성물은 액정 표시 장치를 제조하는데 적용되며, 액정 표시 장치의 응답속도 및 상전이 온도를 향상시킬 수 있다.

Description

네마틱 액정 조성물{Nematic liquid crystal composition}
본 발명은 액정 화합물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 상전이 온도와 응답속도를 더욱 향상시킬 수 있는 네마틱 액정 화합물을 포함하는 네마틱 액정 조성물에 관한 것이다.
최근 들어, 정보 처리 기술의 개발 및 정보 처리를 수행하는 정보 처리 장치의 기술 개발과 함께 방대한 데이터를 단 시간 내 처리하는 것이 가능하게 되었다. 이와 함께, 처리된 데이터를 사용자가 인식할 수 있도록 가시적으로 표현하기 위해 다양한 응용 분야에 걸쳐 디스플레이 장치의 개발이 함께 이루어지고 있다.
특히, 반도체 기술의 급속한 진보에 의해 각종 전자 장치의 고체화, 저 전압 및 저 전력화와 함께 전자 기기의 소형 및 경량화에 따라 새로운 환경에 적합한 전자 디스플레이 장치, 즉 얇고 가벼우면서도 낮은 구동 전압 및 낮은 소비 전력의 특징을 갖춘 평판 디스플레이(plat panel display) 장치에 대한 요구가 급격히 증대되고 있다.
그중, 액정 표시 장치는 낮은 소비 전력 및 낮은 구동 전압을 갖추고 있을 뿐 아니라 기존에 많은 연구가 진행되었고 음극선관(cathode ray tube; CRT)에 가 까운 화상 표시가 가능하기 때문에 그 요구가 급증하고 있으며 다양한 전자 장치에 광범위하게 사용되고 있다.
현재, 상기 액정 표시 장치는 노트북(note book), 모니터 및 가정용 TV 뿐만 아니라, 각종 중소형의 디스플레이 장치로 영역을 확대하고 있다. 특히 모니터 및 새로운 LCD의 큰 시장으로 주목받는 LCD-TV의 시장의 점차 형성, 확산되면서, 고휘도, 고속 응답기술에 대한 요구가 매우 중요한 사항으로 대두되고 있는 실정이다.
가정용 TV에 대한 연구가 활발히 진행됨에 따라 TN(Twist Nematic), IPS (CE) 및 VA모드 등이 가정용 TV의 구동 방식으로 거론되고 있다.
그러나, IPS (CE) 및 VA 모드는 넓은 시야각을 갖는 장점이 있으나 응답속도가 느려 동화상을 구현하기 어려울 뿐만 아니라 공정 상의 수율을 확보하는데 어려움이 있으며, 제조원가가 다소 높다는 문제점이 있다.
반면, TN 모드는 공정 수율 확보 및 제조원가에 있어서는 경쟁력이 있으나, 시야각이 협소하며, 응답속도가 느리다는 문제점이 있다. 즉, 액정 표시 장치에 특성을 만족시킬 수 있는 액정은 응답속도를 향상시키기 위해 낮은 점도 특성을 갖고 있어야 하며, 구동전압을 낮추기 위해 유전율 이방성(△ε)을 증가시켜야 한다. 또한, 넓은 온도 범위에서 네마틱 상을 가져야 하며, 복굴절율(△n) 값이 약 0.20 (약, 25℃) 이상이어야 한다.
그러나, 일반적인 TN, IPS 및 VA 모드 용 네마틱 액정의 응답속도는 약 20 내지 30ms로써, 원활한 동영상 구현을 위해서는 상기 액정의 응답속도를 단축시켜야 한다.
상기 시야각에 대한 보상 문제는 보상필름 등의 개발로 차츰 개선되고 있으나, 응답속도는 액정 자체의 문제점으로써 액정 개발이 시급한 시점이다.
또한, 기존의 CRT 와 같은 성능을 갖도록 액정 표시 장치를 이용하여 고휘도의 디스플레이를 실현하기 위해서는 백라이트의 광량을 증가시켜야 한다. 이로 인해, 백라이트의 관전류 등에 의해 높은 열이 발생한다.
일반적으로 액정 표시 장치는 전극이 형성된 2개의 기판사이에 액정을 주입하여 제작되며, 전극이 형성된 2개의 기판에 외부에서 전압을 인가함으로써 기판 사이에 존재하는 액정이 외부 광원을 선택적으로 투과 혹은 차단하여 데이터를 가시적으로 표시하는 장치이다. 이때, 백라이트는 상기 액정과 매우 근접하여 직접적으로 광이 전달되게 된다. 따라서, 상기 백라이트의 관전류에 의해 발생한 열은 곧 액정 표시 장치의 액정에 전달되게 된다.
그러므로, 높은 상전이 온도를 갖는 액정이 필요하다. 그러나, 현재 상용화되고 있는 TN, IPS 및 VA 모드 용 네마틱 액정의 상전이 온도는 약 70 내지 80℃로 낮기 때문에 고휘도의 디스플레이를 실현의 어려움이 따르고 있는 실정이다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 액정의 굴절 이방성 증가 및 상전이 온도를 높여 고속고온액정을 형성할 수 있는 네마틱 액정 화합물을 포함하는 네마틱 액정 조성물을 제공하는데 있다.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은,
하기식 (1)로 표기되는 네마틱 액정 화합물 및 호스트 혼합물을 포함하는 네마틱 액정 조성물을 제공하는데 있다.
Figure 112010056268709-pat00042
상기 식 (1)에서 R은 CnH2n+1O, CnH2n+1 , CnH2n-1중에서 선택된 하나이고, 이때 n은 1 내지 10이다. L은
Figure 112010056268709-pat00003
,
Figure 112010056268709-pat00004
,
Figure 112010056268709-pat00005
,
Figure 112010056268709-pat00006
중에서 선택된 하나이고, 이때 a는 0 또는 1이다. M은
Figure 112010056268709-pat00007
,
Figure 112010056268709-pat00008
,
Figure 112010056268709-pat00009
,
Figure 112010056268709-pat00010
중에서 선택된 하나이고, 이때 b는 0 또는 1이다. N은 -CF2O-, -CH2CH2-, -C = C-, -C ≡C-중에서 선택된 하나이고, 이때 c는 0 또는 1이다. X 는 H, F, Cl, Br, NCS , CN중에서 선택된 하나이고, Y는 H, F, Cl, Br, NCS , CN중에서 선택된 하나이다. Z는 NCS, SCN 또는 F중에서 선택된 하나이다.
이와 같이, 네마틱 액정 화합물을 포함하는 액정 조성물을 이용하여 액정을 제조할 경우 기존의 액정에 비해 상전이 온도를 약 30℃정도를 상승시킬 수 있을 뿐만 아니라 응답속도가 개선되어 고속고온의 액정을 제조할 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 네마틱 액정 화합물을 포함하는 액정 조성물은 고속응답, 고휘도 기술을 목표로 액정의 굴절률 이방성 증가 및 상전이 온도를 높여 고속고온액정을 형성할 수 있다. 여기서, 네마틱 액정 화합물은 하기 식 (1)로 표기된다.
Figure 112010056268709-pat00043
상기 식 (1)에서 R은 CnH2n+1O, CnH2n+1 , CnH2n-1중에서 선택된 하나이고, 이때 n은 1 내지 10이다. L은
Figure 112010056268709-pat00012
,
Figure 112010056268709-pat00013
,
Figure 112010056268709-pat00014
,
Figure 112010056268709-pat00015
중에서 선택된 하나이고, 이때 a는 0 또는 1이다. M은
Figure 112010056268709-pat00016
,
Figure 112010056268709-pat00017
,
Figure 112010056268709-pat00018
,
Figure 112010056268709-pat00019
중에서 선택된 하나이고, 이때 b는 0 또는 1이다. N은 -CF2O-, -CH2CH2-, -C = C-, -C ≡C-중에서 선택된 하나이고, 이때 c는 0 또는 1이다. X 는 H, F, Cl, Br, NCS , CN중에서 선택된 하나이고, Y는 H, F, Cl, Br, NCS , CN중에서 선택된 하나이다. Z는 NCS, SCN 또는 F중에서 선택된 하나이다.
보다 바람직한 본 발명의 네마틱 액정 화합물은 예컨대 3CC-CF2O-PFS 화합물로서, 상기 식 (1)에서 R은 프로필(propyl)이고, L은
Figure 112010056268709-pat00020
(a=1), M은
Figure 112010056268709-pat00021
이고(b=1), N은 -CF2O-(c=1)이고, X는 플루오르(F)이고, Y는 수소(H)이고, Z는 NCS이다.
또한, 5CC-CF2O-PFS 화합물로서, 상기 식 (1)에서 R은 프로필(pentyl)이고, L은
Figure 112010056268709-pat00022
(a=1), M은
Figure 112010056268709-pat00023
이고(b=1), N은 -CF2O-(c=1)이고, X는 플루오르(F)이고, Y는 수소(H)이고, Z는 NCS이다.
상술한 네마틱 액정 화합물을 포함하는 액정 조성물은 네마틱 액정 화합물과 호스트 혼합물로 구성된다. 이때, 상기 호스트 혼합물은 G1+ G2+ G3 + G4혼합물질로 구성되며, 액정의 응답속도는 셀갭 4.6 ㎛에서 16.2 ms로 측정되었으며, 복굴절률은 0.075이며, 유전율이방성 5.6이고, 상전이 온도는 80℃를 갖는다.
Figure 112003025039747-pat00024
여기서, 상기식 (2)는 3CCO1, 상기식 (3)은 3CC3", 상기식 (4)는 5CC2", 상기식 (5)는 5CC3으로 명기되고, G1 혼합물은 3CC01(6.6%) +3CC3"(5.4%) +5CC2"(20.8%)+ 5CC3(4.1%)이루어진다.
Figure 112003025039747-pat00025
여기서, 상기식 (6)은 2"CCPFF, 상기식 (7)은 3CCPOCF3, 상기식 (8)은 3CCPFFF으로 명기되고, 상기 G2는 2"CCPFF(11.07%)+ 3CCPOCF3(2.5%)+ 3CCPFFF (2.5%)로 이루어진다.
Figure 112003025039747-pat00026
여기서, 상기식 (9)는 2CCesPx, 상기식 (10)은 3CPFesPx, 상기식 (11)은 3CCesPx,으로 명기되며, 상기 G3은 2CCesPx(3.4%)+ 3CPFesPx(9.0%)+ 3CCesP x(9.4%)로 이루어진다.
Figure 112003025039747-pat00027
상기식 (12)는 2CCPOCF3, 상기식 (13)은 2CCPFFF, 상기식 (14)는 2CCPF,OCF3 , 상기식 (15)는 2CPFPFFF로 명기되며, 상기 G4는 2CCPocf3(8.66%)+ 2CCPFFF(8.0%)+ 2CCPF,OCF3(3.6%)+ 2CPFPFFF(4.97%)로 이루어진다.
즉, 본 발명의 조성물에 포함되는 호스트 혼합물은 전체 혼합물의 기준으로 약 6.6 중량% 3CCO1, 약 5.4 중량%의 3CC3", 약 20.8 중량%의 5CC2", 약 4.1 중량%의 5CC3을 포함하고, 약 11.07 중량%의 2"CCPFF, 약 2.5 중량%의 3CCPOCF3, 약 2.5 중량%의 3CCPFFF를 포함하며, 약 3.4 중량%의 2CCesPx, 약 9 중량%의 3CPFesPx, 약 9.4 중량%의 3CCesPx를 포함하고, 약 8.66 중량%의 2CCPOCF3, 약 8 중량%의 2CCPFFF , 약 3.6 중량%의 2CCPF,OCF3, 약 4.97 중량%의 2CPFPFFF을 포함하고 있다.
그리고, 본 발명의 네마틱 액정 조성물에 포함되는 화합물은 식 (1)의 액정 화합물인 3CC-CF2O-PFS 및 5CC-CF2O-PFS이며, 상기 복굴절율, 유전율의 측정은 호스트(Host) 혼합물)에 3CC-CF2O-PFS 또는 5CC-CF2O-PFS을 17중량% 혼합하여 혼합 액정의 복굴절율, 유전율을 측정한 후 외삽법으로 단일의 액정 화합물의 복굴절율(Δn), 유전율을 측정하였다.
본 발명의 네마틱 액정 화합물인 3CC-CF2O-PFS의 물성은 결정상에서 액정상 또는 등방성 액체상으로 상전이하는 온도인 m.p가 약 109℃이며, 액정상에서 등방 성 액체상으로 상전이하는 온도인 TNI가 약 206℃이였다. 또한, 복굴절율(Δn)은 약 0.178이였으며, 유전율이방성(△ε)은 약 12.4이였다.
또한, 5CC-CF2O-PFS의 물성은 액정 상에서 등방성 액체상으로 상전이하는 온도인 TNI가 약 204℃이고, 복굴절율(Δn)이 약 0.172이였으며, 유전율 이방성(△ε)이 약 9.2이였다.
이와 같은 특성을 갖는 본 발명의 네마틱 액정 화합물을 포함하는 액정 조성물은 복굴절율(Δn) 및 유전율 이방성(△ε)이 크며, 특히 상전이 온도가 높고 응답속도가 빠른 특성을 가지고 있다.
따라서, 본 발명의 액정 조성물은 액정을 필요로 하는 여러 가지의 LCD 제품군의 소자, 예컨대 트위스트 네마틱(TN) 디바이스 장치, 수퍼 트위스트 네마틱(STN) 디바이스 장치, 박막트랜지스터(TFT)-트위스트 네마틱(TN) 디바이스 장치, IPS(in plane switching)디바이스 장치, VA(Vertically align)디바이스 장치등의 제조에 사용되어 고휘도 및 고속응답기술 등의 물성을 가지는 LCD를 얻을 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예 기재하여 상세히 설명하기로 한다. 여기서, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1
호스트 혼합물에 3CC-CF2O-PFS으로 명기된 네마틱 액정 화합물을 혼합하여 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 상기 호스트 혼합물과 3CC-CF2O-PFS 물질을 포함하는 액정 조성물에서 상기 3CC-CF2O-PFS 물질이 5중량%일 경우, 상기 액정 혼합물의 TNI는 약 86.3℃ 이고, 복굴절율(Δn)은 약 0.0802이며, 유전율이방성(△ε)은 약 5.9(약, 20℃)이였다.
실시예 2
호스트 혼합물에 3CC-CF2O-PFS으로 명기된 네마틱 액정 화합물을 혼합하여 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 상기 호스트 혼합물과 3CC-CF2O-PFS물질을 포함하는 네마틱 액정 조성물에서 상기 3CC-CF2O-PFS 물질이 10중량%일 경우, 상기 네마틱 액정 조성물의 TNI는 약 92.6℃이고, 복굴절율(Δn)은 약 0.0853이며, 유전율이방성(△ε)은 약 6.3(약, 20℃)이였다.
실시예 3
호스트 혼합물에 3CC-CF2O-PFS으로 명기된 네마틱 액정 화합물을 혼합하여 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 상기 호스트 혼합물과 3CC-CF2O-PFS물질을 포함 하는 네마틱 액정 조성물에서 상기 3CC-CF2O-PFS 물질이 15중량%일 경우, 상기 네마틱 액정 조성물의 TNI는 약 98.9℃이고, 복굴절율(Δn)은 약 0.0905이며, 유전율이방성(△ε)은 약 6.6(약, 20℃)이였다.
실시예 4
호스트 혼합물에 3CC-CF2O-PFS으로 명기된 네마틱 액정 화합물을 혼합하여 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 상기 호스트 혼합물과 3CC-CF2O-PFS물질을 포함하는 네마틱 액정 조성물에서 상기 3CC-CF2O-PFS 물질이 17.4중량%일 경우, 상기 액정 조성물의 TNI는 약 101.9℃이고, 복굴절율(Δn)은 약 0.094이며, 유전율이방성(△ε)은 약 6.7(약, 20℃)이였다.
실시예 5
호스트 혼합물에 3CC-CF2O-PFS으로 명기된 네마틱 액정 화합물을 혼합하여 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 상기 호스트 혼합물과 3CC-CF2O-PFS물질을 포함하는 네마틱 액정 조성물에서 상기 3CC-CF2O-PFS 물질이 20중량%일 경우, 상기 액정 조성물의 TNI는 약 105.2℃이고, 복굴절율(Δn)은 약 0.0956이며, 유전율이방성(△ε)은 약 7.0(약, 20℃)이였다.
실시예 6
호스트 혼합물에 3CC-CF2O-PFS으로 명기된 네마틱 액정 화합물을 혼합하여 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 상기 호스트 혼합물과 3CC-CF2O-PFS물질을 포함하는 네마틱 액정 조성물에서 상기 3CC-CF2O-PFS 물질이 25중량%일 경우, 상기 네마틱 액정 조성물의 TNI는 약 111.3℃이고, 복굴절율(Δn)은 약 0.1008이며, 유전율이방성(△ε)은 약 7.3(약, 20℃)이였다.
실시예 7
호스트 혼합물에 3CC-CF2O-PFS으로 명기된 네마틱 액정 화합물을 혼합하여 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 상기 호스트 혼합물과 3CC-CF2O-PFS물질을 포함하는 네마틱 액정 조성물에서 상기 3CC-CF2O-PFS 물질이 40중량%일 경우, 상기 네마틱 액정 조성물의 TNI는 약 130℃이고, 복굴절율(Δn)은 약 0.1162이며, 유전율이방성(△ε)은 약 8.3(약, 20℃)이였다.
실시예 8
호스트 혼합물에 5CC-CF2O-PFS으로 명기된 네마틱 액정 화합물을 혼합하여 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 상기 호스트 혼합물과 5CC-CF2O-PFS물질을 포함하는 액정 조성물에서 상기 5CC-CF2O-PFS 물질이 10중량%일 경우, 상기 액정 조성물의 TNI는 약 92.4℃이고, 복굴절율(Δn)은 약 0.0847이며, 유전율이방성(△ε)은 약 6.0(20℃)이였다.
실시예 9
호스트 혼합물에 5CC-CF2O-PFS으로 명기된 네마틱 액정 화합물을 혼합하여 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 상기 호스트 혼합물과 5CC-CF2O-PFS물질을 포함하는 네마틱 액정 조성물에서 상기 5CC-CF2O-PFS 물질이 15중량%일 경우, 상기 네마틱 액정 조성물의 TNI는 약 98.6℃이고, 복굴절율(Δn)은 약 0.0896이며, 유전율이방성(△ε)은 약 6.1(20℃)이였다.
실시예 10
호스트 혼합물에 5CC-CF2O-PFS으로 명기된 네마틱 액정 화합물을 혼합하여 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 상기 호스트 혼합물과 5CC-CF2O-PFS물질을 포함하는 네마틱 액정 조성물에서 상기 5CC-CF2O-PFS 물질이 17.5중량%일 경우, 상기 네마틱 액정 조성물의 TNI는 약 101.7℃이고, 복굴절율(Δn)은 약 0.093이며, 유전율 이방성(△ε)은 약 7.2(20℃)이였다.
실시예 11
호스트 혼합물에 5CC-CF2O-PFS으로 명기된 네마틱 액정 화합물을 혼합하여 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 상기 호스트 혼합물과 5CC-CF2O-PFS물질을 포함하는 네마틱 액정 조성물에서 상기 5CC-CF2O-PFS 물질이 20중량%일 경우, 상기 네마틱 액정 조성물의 TNI는 약 104.8℃이고, 복굴절율(Δn)은 약 0.0944이며, 유전율이방성(△ε)은 약 6.3(20℃)이였다.
실시예 12
호스트 혼합물에 5CC-CF2O-PFS으로 명기된 네마틱 액정 화합물을 혼합하여 네마틱 액정 조성물을 제조하였다. 상기 호스트 혼합물과 5CC-CF2O-PFS물질을 포함하는 네마틱 액정 조성물에서 상기 5CC-CF2O-PFS 물질이 40중량%일 경우, 상기 네마틱 액정 조성물의 TNI는 약 129.6℃이고, 복굴절율(Δn)은 약 0.1138이며, 유전율이방성(△ε)은 약 7.0(20℃)이였다.
이와 같이, 실시예 1 내지 12에 적용되는 네마틱 액정 화합물의 첨가량에 따라 액정 조성물의 물성이 조절되며, 액정 디바이스 용도 (TN, IPS, OCB)에 따라 혼합물의 첨가량을 선택적으로 조절할 수 있다.
[비교 실시예]
기존의 액정 화합물인 NCS와 호스트 혼합물로 이루어진 네마틱 액정 조성물의 경우, 상전이 온도인 TNI가 약 70℃이고, 복굴절율(Δn)이 약 0.15이며, 응답속도가 14.6ms인 물성을 가지고 있어, 상기 액정 조성물로 제조된 상전이온도가 낮고, 굴절률이 높다.
또한, 기존의 액정 화합물인 NCS를 포함하는 네마틱 액정 조성물은 TNI가 약 95℃이고, 복굴절율(Δn)이 약 0.089이며, 응답속도가 21.3ms인 물성을 가지고 고속 고온액정으로는 적용하기 어려운 문제점을 가지고 있다.
반면에, 본 발명의 실시예 4의 물성을 갖는 네마틱 액정 조성물의 액정의 응답 속도는 11.8ms이고, 문턱전압(Threshold voltage)은 1.6V이며, 전압 보지율은 99.0을 나타낸다. 이는 호스트 혼합물 대비 응답속도가 73%로 줄었으며, 상전이온도가 127%로 증가하였으며 전압 보지율이 99.0으로 동영상 대응 고속 고온액정으로 사용할 수 있음을 나타낸다.
또한, 실시예 10의 물성을 갖는 네마틱 액정 조성물의 액정의 응답 속도는 12ms이고, 문턱전압(Threshold voltage)이 1.5V이며, 전압 보지율이 99.0을 나타낸다. 이는 호스트 혼합물 대비 응답속도가 75%로 줄었으며, 상전이온도가 127%로 증가하였으며 전압 보지율이 99.0으로 동영상 대응 고속 고온액정으로 사용할 수 있음을 나타낸다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 네마틱 액정 조성물에 적용되는 네마틱 액정 화합물은 TN 디바이스에 제품화가 가능한 동화상 대응 목적의 고속응답 및 고온특성을 동시에 충족시켜 줄 수 있다.
따라서, 본 발명의 네마틱 액정 화합물을 포함하는 액정 조성물은 액정을 필요로 하는 여러 가지의 LCD 제품군의 소자, 예컨대 트위스트 네마틱(TN) 디바이스 장치, 수퍼 트위스트 네마틱(STN) 디바이스 장치, 박막트랜지스터(TFT)-트위스트 네마틱(TN) 디바이스 장치, IPS(in plane switching)디바이스 장치, VA(Vertically align)디바이스 장치등의 제조에 사용되어 고휘도 및 고속응답기술 등의 물성을 가지는 LCD를 얻을 수 있다.

Claims (9)

  1. 하기 식 (1)로 표기되는 네마틱 액정 화합물; 및
    하기 식 (2) 내지 하기 식 (15)로 나타내는 화합물들을 포함하는 호스트 혼합물을 포함하는 네마틱 액정 조성물;
    Figure 112010056268709-pat00044
    Figure 112010056268709-pat00045
    Figure 112010056268709-pat00046
    Figure 112010056268709-pat00047
    Figure 112010056268709-pat00048
    식 (1)에서 R은 CnH2n+1O, CnH2n+1 및 CnH2n-1으로 이루어진 군에서 선택된 하나이고, 이때 n은 1 내지 10이며, L은
    Figure 112010056268709-pat00029
    ,
    Figure 112010056268709-pat00030
    ,
    Figure 112010056268709-pat00031
    및
    Figure 112010056268709-pat00032
    으로 이루어진 그룹 중 선택된 어느 하나이고, 이때 a는 0 또는 1이며, M은
    Figure 112010056268709-pat00033
    ,
    Figure 112010056268709-pat00034
    ,
    Figure 112010056268709-pat00035
    및
    Figure 112010056268709-pat00036
    으로 이루어진 그룹 중 선택된 어느 하나이고, 이때 b는 0 또는 1이며, N은 -CF2O-, -CH2CH2-, -C = C- 및 -C ≡C-으로 이루어진 군에서 선택된 하나이고, 이때 c는 0 또는 1이며, X는 H, F, Cl, Br, NCS 및 CN으로 이루어진 군에서 선택된 하나이고, Y는 H, F, Cl, Br, NCS 및 CN으로 이루어진 군에서 선택된 하나이며, Z는 NCS, SCN 및 F로 이루어진 군에서 선택된 하나이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식 (1)에서 R은 프로필(propyl)이고, L은
    Figure 112010056268709-pat00037
    이고, M은
    Figure 112010056268709-pat00038
    이고, N은 -CF2O-이고, X는 플루오르(F)이고, Y는 수소(H)이고, Z는 NCS인 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 식 (1)에서 R은 펜틸(pentyl)이고, L은
    Figure 112010056268709-pat00039
    이고, M은
    Figure 112010056268709-pat00040
    이고, N은 -CF2O-이고, X는 플루오르(F)이고, Y는 수소(H)이고, Z는 NCS인 것을 특징으로 하는 네마틱 액정 조성물.
  4. 삭제
  5. 상기 1항의 네마틱 액정 조성물을 포함하여 제조되는 트위스트 네마틱(TN) 디바이스 장치.
  6. 상기 1항의 네마틱 액정 조성물을 포함하여 제조되는 수퍼 트위스트 네마틱(STN) 디바이스 장치.
  7. 상기 1항의 네마틱 액정 조성물을 포함하여 제조되는 박막트랜지스터-트위스트 네마틱(TFT-TN) 디바이스 장치.
  8. 상기 1항의 네마틱 액정 조성물을 포함하여 제조되는 IPS(In Plane Switching)디바이스 장치.
  9. 상기 1항의 액정 조성물을 포함하여 제조되는 VA(Vertically Align)디바이스 장치.
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