KR100431178B1 - 압전 트랜스의 제조방법 - Google Patents
압전 트랜스의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100431178B1 KR100431178B1 KR10-2001-0070217A KR20010070217A KR100431178B1 KR 100431178 B1 KR100431178 B1 KR 100431178B1 KR 20010070217 A KR20010070217 A KR 20010070217A KR 100431178 B1 KR100431178 B1 KR 100431178B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ceramic sheet
- electrode
- piezoelectric transformer
- chamfered
- chamfering
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/02—Forming enclosures or casings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/04—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/085—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining
- H10N30/086—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining by polishing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/40—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and electrical output, e.g. functioning as transformers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
본 발명은 압전 트랜스를 성형 제조시 별도의 모서리부 면취 가공등을 삭제하여 압전 트랜스 제조공정을 단순화할 수 있도록한 압전 트랜스의 제조방법에 관한 것이다.
그 방법은, 금형 내부의 모서리부를 사전에 면취처리하여 모서리부가 미리 면취 가공된 세라믹 시이트를 성형 제작하며, 면취가공된 세라믹 시이트를 일정 온도로 소성 및 연마하고, 상기와같이 연마처리가 완료된 세라믹 시이트의 상,하면 양측으로 스크린 인쇄에 의해 전극을 인쇄한 후, 상기 전극인쇄가 완료된 전극 및 세라믹 시이트는 열처리작업 및 전극 분극공정을 수행하며, 분극처리가 완료된 세라믹 시이트의 전극 표면에는 솔더링을 통한 리드선 부착 및 절연수지로된 케이스내에 장입하여 제조하는 것이다.
Description
본 발명은 소형, 박형화가 가능하고, 고절연성 및 불연성등의 특징을 이용하여 칼라 액정 디스플레이(LCD)의 백 라이트용 인버터등에 사용하는 압전 트랜스를 성형 제조시 별도의 모서리부 면취 가공등을 삭제하여 압전 트랜스 제조공정을 단순화할 수 있도록한 압전 트랜스의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 알려져있는 압전 트랜스는, 권선형의 코일 트랜스포머에 비하여 소형 및 박형화가 가능하며, 고효율화가 용이함은 물론, 고 절연성, 불연성등의 특징이 있는 관계로, 칼라 LCD를 점등하는 백-라이트용 인버터나, 고전압 전원에의 응용이 되고 있는 실정이며, 상기 고 전압 전원용으로는 제전기, 공기 청정기, 오존 발생기등에 이용되고 있는 것이다.
이와같은 종래의 압전 트랜스의 제조방법에 있어서는 도 1에 도시한 바와같이, 장방형 세라믹 시이트(10)를 프레스 가공에 의해 성형한 후, 이를 소성하여 상,하 양측면을 연마하고, 상기 세라믹 시이트의 각 모서리부를 지그를 이용하여 고정하면서 면취(모따기)가공(20)하여 모서리부의 버어(Burr)를 제거한다.
계속해서, 상기 면취가공(20)이 완료된 세라믹 시이트(10)는, 그 상하측으로 일정한 두께의 전극(30)을 인쇄함으로써, 칩 형태의 압전 트랜스(40)가 완성되는 것이다.
그러나, 상기와같이 금형내에서 성형 가공된 장방형의 세라믹 시이트(10)를 소성 및 연마한 후, 상기 세라믹 시이트의 모서리부를 재차 별도의 지그를 이용하여 고정시킨 상태에서 면취가공(20)을 함으로 인한 작업공수의 증가와, 작업성 및 생산성이 저하되는 단점이 있으며, 또한, 면취가공시 제품의 불량을 유발하게 됨은 물론, 이로 인한 제품의 신뢰성이 저하될수있는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점들을 개선시키기 위하여 안출된 것으로서 그 목적은, 압전 트랜스를 성형 제조시 사전에 모서리부가 면취처리된 금형을 통해 별도의 면취가공이 필요없이 압전 트랜스를 제작토록 하여, 상기 압전 트랜스 제조공정을 단순화할 수 있도록 함은 물론, 이로 인한 제품의 특성을 가일층 향상시키면서 신뢰성이 우수한 압전트랜스의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
도 1은 종래의 압전 트랜스를 도시한 개략 사시도.
도 2(a) ∼ (g)는 본 발명에 따른 압전 트랜스의 제조방법을 설명하기 위한 개략 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110...세라믹 시이트 120...면취가공
130...전극 140...리드선
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로서 본 발명은, 압전 트랜스를 성형하는 금형 내부의 모서리부를 사전에 면취처리하여 모서리부가 면취가공된 세라믹 시이트를 성형 제작하는 단계와, 상기 면취가공되어 성형된 세라믹 시이트를 일정온도로 소성하고, 소성 완료된 세라믹 시이트의 상,하면을 양면래핑(Lapping)가공하여 일정두께를 가지도록 연마작업을 수행하는 소성 및 연마단계와, 상기 세라믹 시이트의 상,하면 양측으로 스크린 인쇄에 의해 전극을 인쇄하고, 전극인쇄가 완료된 전극 및 세라믹 시이트를 일정온도로 열처리하는 열처리 단계와, 열처리가 완료된 세라믹 시이트의 전극에 전압을 인가하여 분극공정을 수행하는 전극 분극단계와, 분극처리가 완료된 세라믹 시이트 및 전극을 오일로 세정한 후, 별도의 면취가공공정 없이 이를 150 ~ 200℃의 온도로 건조하고 에이징(AGING)처리하여, 양극 표면에 솔더링을 통한 리드선을 부착하는 리드선 부착단계 및, 상기 리드선이 부착된 전극 표면을 절연수지로서 도포하고 케이스내에 내장하여 구성됨을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2(a) ∼ (g)는 본 발명에 따른 압전 트랜스의 제조방법을 설명하기 위한 개략 공정도로서, 압전 트랜스를 성형 제작하기 위한 성형금형 내부의 모서리부를 사전에 면취(모따기)처리하여 모서리부가 미리 면취 가공된 세라믹 시이트(110)를 성형 제작하며(도 2a 참조), 이때 상기 세라믹 시이트(110)의 모서리부는 사전에 금형을 통해 라운드부가 형성될 수 있도록 하여도 좋다.
상기와같이 면취가공(120)되어 성형된 세라믹 시이트(110)를 1000 ∼ 1300℃바람직 하게로는 1100 ∼ 1200℃로 1.5 ∼ 2.5시간 바람직하게로는 약 2시간 정도 소성하며, 소성 완료된 세라믹 시이트(110)의 상,하면의 표면에 형성된 거칠기를 제거하고 일정두께를 제공하기위하여 래핑 머신을 이용하여 양면래핑(Lapping)가공하여 표면 연마작업을 수행한다.(도 2b 참조)
계속해서, 상기와같이 연마처리가 완료된 세라믹 시이트(110)의 상,하면 양측으로 도 2(c)에서와 같이 스크린 인쇄에 의해 전극(130)을 인쇄하고, 상기 전극인쇄가 완료된 전극(130) 및 세라믹 시이트(110)는 600 ∼ 850℃ 바람직하게로는 650℃로 약 10분간 열처리작업을 수행하여 상기 세라믹 시이트의 양측 표면에 전극(130)이 고착되는 상태로 형성한 후, 상기와같이 열처리가 완료된 세라믹 시이트(110)의 전극(130)에 일정한 전압을 인가하여 분극공정을 수행한다.(도 2d 참조)
상기 분극처리가 완료된 세라믹 시이트(110) 및 전극(130)은 세정작업을 수행한 후, 이를 150 ∼ 200℃의 온도로 약 30분간 건조처리하여 전극 및 세라믹 시이트를 건조(도 2e 참조)시켜서 에이징(AGING) 처리를 실시한후, 상기 양측 전극(130)의 표면에 솔더링을 통한 리드선(140)을 부착한다.(도 2f 참조)
또한, 상기 리드선(140)이 부착된 전극(130)은 도 2(g)에서와 같이, 전극의 절연을 위하여 케이스내에 장입하여 제조한다.
이상과 같이 본 발명인 압전 트랜스의 제조방법에 의하면, 압전 트랜스를 성형 제조시 사전에 모서리부가 면취처리된 금형을 통해 별도의 면취가공이 필요없이 압전 트랜스를 제작 하여, 상기 압전 트랜스 제조공정을 단순화할 수 있게 됨은 물론, 상기 세라믹 시이트 상,하면에 전극의 인쇄시 이를 열처리 및 분극공정을 통해 별도의 면취가공공정이 생략될수 있으므로 이로인해서 발생될수있는 세라믹 시이트의 표면으로부터 전극의 박리 현상이 발생하는 것을 미연에 예방하며, 이로 인한 제품의 특성을 가일층 향상할 수 있는 우수한 효과가 있다.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구의 범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자는 용이하게 알수 있음을 밝혀두고자 한다.
Claims (4)
- 압전 트랜스의 제조방법에 있어서,압전 트랜스를 성형하는 금형 내부의 모서리부를 사전에 면취 처리하여 모서리부가 면취가공된 세라믹 시이트를 성형 제작하는 단계;상기 면취가공되어 성형된 세라믹 시이트를 일정온도로 소성하고, 소성 완료된 세라믹 시이트의 상,하면을 래핑(Lapping)가공하여 연마작업을 수행하는 소성 및 연마단계;상기 세라믹 시이트의 상,하면 양측으로 스크린 인쇄에 의해 전극을 인쇄하고, 전극인쇄가 완료된 전극 및 세라믹 시이트를 일정온도로 열처리하는 열처리 단계;열처리가 완료된 세라믹 시이트의 전극에 전압을 인가하여 분극공정을 수행하는 전극 분극단계;분극처리가 완료된 세라믹 시이트 및 전극을 오일로 세정한 후, 별도의 면취가공공정 없이 이를 150 ~ 200℃의 온도로 건조하고 에이징(AGING)처리하여, 양극 표면에 솔더링을 통한 리드선을 부착하는 리드선 부착단계; 및상기 리드선이 부착된 세라믹 시이트를 절연수지로 구성된 케이스내에 장입하는 케이스 장입단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 압전 트랜스의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 면취 가공되어 성형된 세라믹 시이트는, 1000 ∼1300℃로 1.5 ∼ 2.5시간 소성하는 것을 특징으로 하는 압전 트랜스의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 전극인쇄가 완료된 전극 및 세라믹 시이트는, 600 ∼ 850℃로 10분간 열처리작업을 수행하는 것을 특징으로 하는 압전 트랜스의 제조방법.
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0070217A KR100431178B1 (ko) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 압전 트랜스의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0070217A KR100431178B1 (ko) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 압전 트랜스의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030039242A KR20030039242A (ko) | 2003-05-17 |
| KR100431178B1 true KR100431178B1 (ko) | 2004-05-12 |
Family
ID=29569038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0070217A KR100431178B1 (ko) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 압전 트랜스의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100431178B1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980048565U (ko) * | 1996-12-30 | 1998-09-25 | 박병재 | 자동차용 캠샤프트 스프로켓 치부 및 금형의 구조 |
| KR20010049376A (ko) * | 1999-05-20 | 2001-06-15 | 무라타 야스타카 | 압전 세라믹 재료 및 이를 사용하여 얻은 압전 세라믹소결체 |
-
2001
- 2001-11-12 KR KR10-2001-0070217A patent/KR100431178B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980048565U (ko) * | 1996-12-30 | 1998-09-25 | 박병재 | 자동차용 캠샤프트 스프로켓 치부 및 금형의 구조 |
| KR20010049376A (ko) * | 1999-05-20 | 2001-06-15 | 무라타 야스타카 | 압전 세라믹 재료 및 이를 사용하여 얻은 압전 세라믹소결체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030039242A (ko) | 2003-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0734055B1 (en) | Method of manufacturing an electrostatic chuck | |
| CN1188918C (zh) | 压电陶瓷材料、烧结的压电陶瓷压块和压电陶瓷器件 | |
| KR100431178B1 (ko) | 압전 트랜스의 제조방법 | |
| EP1453114B1 (en) | Laminated electronic part | |
| JP2671871B2 (ja) | 圧電トランスとその製造方法 | |
| US6392332B1 (en) | Laminated piezo ceramic transformer device | |
| JP2017054997A (ja) | コア及びその製造方法 | |
| JP2001316181A (ja) | 圧電セラミック組成物及びこれを用いた高出力圧電トランス | |
| KR100258491B1 (ko) | 압전트랜스포머 | |
| JP2000133852A (ja) | 積層圧電素子及びその製造方法 | |
| KR20030042277A (ko) | 노드점 인식패턴을 구비한 압전트랜스포머 | |
| JP3008831B2 (ja) | 圧電トランスの製造方法 | |
| JP2682473B2 (ja) | 圧電トランスの分極方法 | |
| JP2602402Y2 (ja) | 圧電トランス | |
| TWI624969B (zh) | Piezoelectric element, piezoelectric actuator and piezoelectric transformer | |
| JP2007258597A (ja) | 圧電体の分極方法 | |
| JP3082726B2 (ja) | 積層型圧電トランスとその実装構造 | |
| JP3551089B2 (ja) | 積層型圧電トランスとこれを用いた電子機器 | |
| JP3028083B2 (ja) | 積層型圧電トランスおよびその製造方法 | |
| JP3144376B2 (ja) | 圧電トランス及びその製造方法 | |
| JP3055490B2 (ja) | 圧電トランスおよびその駆動方法 | |
| KR920006146Y1 (ko) | 압전부저용 진동자 | |
| JPH10125971A (ja) | 圧電トランス | |
| JPH11163430A (ja) | 圧電トランス | |
| JP2002185057A (ja) | 圧電トランスとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110414 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |