KR100428972B1 - 전자관용 음극 및 그 제조방법 - Google Patents

전자관용 음극 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자관용 음극 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 금속기체 및 금속기체 상에 피착된 전자방출물질층을 포함하는 전자관용 음극에 있어서, 상기 전자방출물질층이 침상의 전도성 물질을 포함하며, 상기 전자방출물질층 표면상의 최고점과 최저점간의 거리로 실측되는 표면조도가 10㎛이하로 제어된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 전자관용 음극은 침상의 도전성물질을 전자방출물질층에 포함시켜 효과적으로 도전성 경로를 형성함으로써 자체 가열로 인한 주울열 발생을 최소화할 뿐 아니라, 전자방출물질층을 구성하는 입자 및 기공의 크기를 균일하게 제어하고, 전자방출물질층의 밀도 및 공극율을 제어함으로써 종래의 스프레이 방식에 의해 제조된 음극에 비하여 치밀도 및 표면 평탄도가 향상되어 동작시에 음극의 수축현상을 방지하고 음극/G1 전극간의 균일한 간격 유지가 가능하여 수명이 대폭 연장될 뿐만 아니라 안정한 전자방출특성을 갖는다. 따라서, 최근 텔레비젼 브라운관 등의 고정세화 및 대형화 추세에 따른 고전류 밀도 영역하에서도 수명특성을 현저하게 향상시킬 수 있다.

Description

전자관용 음극 및 그 제조방법{Cathode for electron tube and preparing method therefor}
본 발명은 전자관용 음극 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 통상의 브라운관에 널리 채용되고 있는 산화물 피복형 열전자 방출 음극(일명 산화물 음극)의 수명특성 개선에 관한 것이다.
도 1은 통상적인 전자관용 음극의 개략적인 단면도를 나타낸다. 원판상의 금속기체(12)와 이의 하부에서 금속기체(12)를 지지함과 동시에 음극의 가열원인 히이터(14)를 내장하는 원통형의 슬리이브(13) 및 금속기체(12)의 상부에 피착된 전자방출물질층(11)으로 이루어진다. 전자관용 산화물 음극은 일함수가 낮아서 비교적 낮은 온도(700-800℃)에서 사용할 수 있다는 장점이 있어 통상의 브라운관에 널리 채용되고 있다.
종래의 전자관용 산화물 음극은 일반적으로, 니켈(Ni)을 주성분으로 하고 환원제로서 규소(Si), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W) 등을 미량 함유하는 금속기체(12) 위에, 바륨을 주성분으로 하는 알칼리토류 금속 탄산염, 바람직하게는 (Ba, Sr,Ca)CO3를 기본 조성으로 하는 삼원탄산염, 또는 (Ba, Sr)CO3를 기본 조성으로 하는 이원탄산염이 전자방출물질층(11)으로서 도포된 구조를 갖고 있다. 상기 탄산염은 전자관용 음극의 제조공정중 배기 또는 활성화 공정에 의해 산화물 형태로 전환되어 전자방출물질층으로서 작용하게 된다.
산화물 음극의 일반적인 제조과정 및 전자 방출원리는 다음과 같다.
니트로셀룰로즈 등의 바인더 성분을 용해시킨 유기용제에 탄산바륨을 주성분으로 하는 탄산염 분말을 혼합한 뒤 그 혼합물을 스프레이나 전착 등의 방법으로 금속기체상에 피착시킨 후, 전자총에 장착시켜 전자관에 조립하는데, 전자관 내부를 진공으로 하기 위한 배기공정에서 탄산염은 히이터에 의해 약 1000℃로 가열되며, 이 때 탄산바륨은 다음과 같이 산화바륨으로 변환된다.
BaCO3→ BaO + CO2↑ (1)
생성된 상기 산화바륨은 음극 동작중 금속기체와 접촉되는 경계에서 금속기체 중의 환원제인 Si, Mg과 다음 반응식과 같이 환원반응을 일으켜 유리 바륨을 생성하고, 이와 같이 생성된 유리 바륨이 전자방출에 기여하게 된다.
BaO + Mg → MgO + Ba (2)
4BaO + Si → Ba2SiO4+ 2Ba (3)
유리 바륨이 전자를 주는 도너(donor) 역할을 하기 때문에, 음극 동작시 산화물 음극은 물성적으로 N형 반도체가 된다. 통상적으로 반도체는 전류가 많이 흐르면 자체 저항에 의한 주울열이 발생하게 되는데, 이러한 주울열 발생이 장기간계속되면 자기 가열로 인한 재료 증발이나 용융에 의해 음극 자체열화의 원인이 된다. 따라서 전자방출밀도를 높이기 위하여 통상의 산화물 음극을 고전류밀도하에서 사용하게 되면 주울열에 의한 음극 열화로 인하여 수명특성이 급격하게 열화되는 문제점이 있다.
또한, 상기 반응식 (2)와 (3)에서 알 수 있는 바와 같이, 유리 바륨 뿐만 아니라 MgO, Ba2SiO4와 같은 부산물이 생성되며, 이러한 부산물들은 전자방출물질층과 금속 기재의 경계 부근에 축적되어 중간층을 형성한다. 중간층은 Mg 나 Si 등의 환원제의 확산을 방해하는 장벽으로 작용하며 그 결과 전자방출에 기여하는 유리 바륨의 생성이 곤란하여 음극의 수명단축의 또 다른 원인이 된다. 또한 중간층은 고저항을 갖고 전자방출전류의 흐름을 방해하기 때문에 음극 전류밀도를 제한하는 문제점도 갖고 있다.
최근, 텔레비전이나 모니터 등에 사용되는 브라운관은 고정세화 및 대형화에 의한 고휘도화 추세에 따라 고전류 밀도 및 장수명 음극에 대한 요구가 커지고 있으나, 종래의 산화물 음극은 전술한 바와 같은 문제점으로 이하여 이러한 요구에 충분히 부응치 못하고 있다.
고전류밀도 부하에서 장수명 음극으로는 함침형 음극이 알려져 있으나 제조방법이 복잡하고, 동작온도가 1000℃ 정도로 산화물 음극에 비해 높아 전자총의 전극 부품이 고융점 재질로 바뀌어야 하기 때문에 가격이 고가이어서 실용상 문제점이 있다. 이러한 실용적 측면에서 제조원가가 가장 저렴한 산화물 음극을 개량하여 고전류밀도 및 장수명 특성을 갖도록 하려는 연구가 활발히 진행되고 있다.
구체적으로 예를 들면, 대한민국 특허출원공개 1991-17481호(일본특허출원 제2-56855호에 대한 우선권주장출원)는 금속기체 상부에 텅스텐, 몰리브덴 등의 적어도 1종 이상의 금속층이 피착 형성되어 있고, 전자방출물질층에 Sc2O3와 같은 희토류 금속산화물이 포함되어 있는 전자관용 음극을 개시하고 있다. 상기 특허출원은 스칸듐(Sc)과 같은 희토류 금속 산화물이 중간층 생성물의 분해 작용을 하고 텅스텐 자체가 환원제 작용을 하여 유리 바륨의 생성에 기여하기 때문에 고전류밀도 및 수명특성이 향상될 수 있다고 주장한다.
그러나, 텅스텐(W)은 환원제로서 작용하여 유리 바륨을 생성할 뿐 아니라 하기 반응식(4)와 같이 부산물도 생성하므로, 음극 사용시간이 경과할수록 음극특성, 특히 수명특성이 급격하게 저하한다는 문제점이 있다.
2BaO + ⅓W → ⅓Ba3WO6+ Ba↑ (4)
또한 일본특허출원공개 평8-50849호(대응 유럽출원 EP 0685868 A1)는 소위 HIP 음극(hot isotatic press cathode)이라 불리우는 전자관용 음극을 개시하고 있다. 즉, 금속 니켈 분말과 탄산염을 혼합한 후 고온고압에서 성형하여 전자방출층을 제조하여 음극 동작시 전자 방출층 자체가 금속 니켈로 인하여 도전성을 갖게 함으로써 고전류 밀도 부하에서 장수명 특성을 갖도록 한 것이다. 그러나, 이러한 음극은 동작온도가 850℃ 정도로 종래의 산화물 음극에 비해 50℃ 이상 높고, 제조 공정이 매우 복잡하기 때문에 제조 단가가 비싸다는 단점이 있다.
또한, 일본 특허출원공개 평6-28968호(대응 유럽출원 EP0560436 B1)는 종래산화물음극에 사용되는 전자방출물질층에 구형의 입자상 금속을 20∼80 부피%로 첨가하여 퍼콜레이션(percolation) 원리에 의한 전도성 경로를 형성하도록 함으로써 산화물음극의 수명특성을 향상시키고자 하였다. 그러나 구상의 금속입자를 첨가하여 퍼콜레이션 효과를 얻기 위해서는 전자방출물질층내 금속입자의 함량이 적어도 30중량% 이상이어야 하므로 상대적으로 전자방출물질층의 함량이 대폭 줄어들게 되어 음극의 초기 방출특성이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 핫슨(S.N.B. Hodgson) 등의 논문[IDW'99 Proceedings of The Sixth International Display Workshops CRT6-4(Late-News Paper) "Progress on the Percolation Cathode"]은 침상의 니켈 입자를 전자방출물질층에 2.5∼5 부피%로 첨가하여 퍼콜레이션 경로를 형성한 산화물 음극을 개시하고 있다. 그러나, 핫슨 등의 논문에 개시된 산화물 음극은 통상의 스프레이 방법에 의해 전자방출물질층을 형성하고 있어, 음극의 표면 조도가 크다는 단점이 있다.
스프레이 공법은 공기 압력에 의해 분사되는 힘으로 코팅할 뿐 그 이외 어떠한 압력도 주어지지 않는 다는 특성상 균일하고 치밀한 코팅막을 얻을 수 없다는 한계가 있다. 구체적으로, 스프레이 공법에 의해 피착된 전자방출물질층의 구조를 도 2 및 도 3에 도시하였다. 도 2는 스프레이 공법에 의해 피착된 전자방출물질층의 단면을 400배 확대한 전자현미경 사진으로서, 입자간 공극의 크기가 불균일하고 표면이 매우 거칠며, 치밀하지 못한 성긴 조직을 갖고 있음을 알 수 있다. 도 3은 도 2의 전자방출물질층에 대하여 표면조직을 3000배 확대하여 촬영한 전자현미경 사진으로서 입자의 크기 및 입자간 공극의 크기가 매우 불균일하다는 것을 다시 한번 확인할 수 있다.
음극의 표면이 거칠면 음극 동작시 전자 방출빔의 분포가 불균일하게 되어 결국 브라운관의 스크린에 도달하는 전자방출량의 국지적인 차이로 인하여 휘도분포가 불균일해지는 현상, 즉 전자빔과 스크린의 도트(dot) 사이의 간섭에 의해 무늬가 발생하는 "모아레(Moire) 현상"을 초래하게 된다. 또한, 음극선관이 장시간 가동되는 경우 음극의 소결현상이 진행되는데 음극의 구조가 치밀하지 못한 경우에는 초기에 형성된 기공이 함몰 및 수축하게 되어 음극/G1 전극간의 거리가 멀어지게 되고, 결국 방출전자빔의 제어역할을 위해 설정된 음극/G1 전극간의 전위차에 변동이 생기고, 전하방출량의 저하로 인한 수명 특성 저하, 휘도 열화등의 원인이 된다.
이와 같이 입자 크기, 기공크기 및 평탄도가 불균일한 전자방출물질층을 구비한 음극을 전자총에 삽입하는 경우에는 제품의 불량을 야기할 뿐 아니라 품질의 신뢰성으로 저하시키게 되는데, 전술한 자료에 개시된 음극들은 이러한 문제점을 전혀 해결하고 있지 못하다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 산화물 음극의 자체 저항에 의한 주울열 발생을 감소시켜 음극의 자기 가열로 인한 열화를 억제할 수 있고, 음극/G1 전극간의 간격차에 의한 전압편차를 최소화하고, 장시간 가동시 음극 수축현상을 개선함으로써, 궁극적으로 고전류 밀도하에서의 수명특성 및 휘도열화 현상을 개선할 수 있는 산화물 음극을 제공하고자 한다.
도 1은 통상적인 전자관용 음극의 구조를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 종래 음극의 전자방출물질층의 단면구조를 400배 확대한 전자현미경 사진이다.
도 3은 도 2의 음극의 전자방출물질층의 표면을 3000배 확대한 전자현미경 사진이다.
도 4은 본 발명의 일실시예에 의한 음극층의 단면구조를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의함 음극층의 단면구조를 개략적으로 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 의한 음극층의 단면구조를 400배 확대한 전자현미경 사진이다.
도 7은 도 4의 음극층의 표면을 3000배 확대한 전자현미경 사진이다.
도 8은 본 발명의 실시예 및 비교예에 의한 음극의 동작시간 대비 수명특성 변화를 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 실시예 및 비교예에 의한 음극의 수명특성 평가 결과(도8)로부터 추정된 MTTF(Mean Time to Failure Mode)를 나타낸다.
도 10은 본 발명의 실시예 및 비교예에 의한 음극의 컷오프 전압의 변화율을 나타낸다.
도 11에 본 발명의 실시예 및 비교예에 의한 음극의 초기 전자방출 특성을 나타낸다.
본 발명은 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여,
금속기체 및 금속기체 상에 피착된 전자방출물질층을 포함하는 전자관용 산화물 음극에 있어서, 상기 전자방출물질층이 침상의 전도성 물질을 포함하며, 상기 전자방출물질층 표면상의 최고점과 최저점간의 거리로 실측되는 표면조도가 10㎛이하로 제어된 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극을 제공한다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 침상의 전도성 물질이 카본, 인듐주석산화물, 니켈, 마그네슘, 레늄, 몰리브덴 및 백금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질인 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 침상의 전도성 물질이 카본 재질인 것이 더욱 바람직하며, 상기 침상의 전도성 물질이 카본 나노튜브, 카본 파이버 및 그래파이트 파이버로 이루어진 군에서 선택되는 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 전자방출물질층내에 존재하는 침상의 전도성 물질의 함량이, 전자방출물질의 총중량을 기준으로 0.01∼30 중량%인 것이 바람직하고, 전자방출물질층의 두께는 30∼80㎛ 인 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 침상의 전도성 물질이 카본 재질이며, 전자방출물질층 내 침상의 전도성 물질의 함량은 전자방출물질층 총중량을 기준으로 0.01∼30 중량%이고, 전자방출물질층의 도포두께가 30∼80㎛인 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극을 제공한다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 전자방출물질층은 프린팅, 전착 또는 페인팅 공정에 의해 금속기체 상에 피착되는 것이 바람직하고, 상기 전자방출물질층이 스크린인쇄 공정에 의해 금속기체 상에 피착되는 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 금속 기체와 전자방출물질층 사이에, 금속 기체의 그레인 사이즈보다 작은 그레인 사이즈의 니켈을 포함하는 금속층을 더 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 금속층이 니켈의 중량을 기준으로 1∼10 중량%의 텅스텐과 0.01∼1 중량%의 알루미늄을 더 포함하는 것이 바람직하고, 금속층의 두께는 1∼30㎛인 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 금속층이 탄탈(Ta), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 규소(Si) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 더 포함할 수 있으며, 상기 금속층은 망사 패턴 또는 도트 패턴으로 형성될 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 전자관용 음극에 대하여 보다 상세하게 살펴보고자 한다.
본 발명은 종래 산화물 음극이 고전류 밀도 부하에서 수명특성이 열화되는 핵심 요인들을 제거하거나 그 영향을 감소시키고자 개발된 것으로서, 본 발명에 의한 산화물 음극은 전자방출 물질층이 침상의 전도성 물질을 함유함으로써 구상의 전도성 입자 보다 효과적으로 전도성 경로를 형성하고, 전자방출물질층의 표면 조도를 소정 범위로 제어함으로써, 산화물 음극의 자체 저항에 의한 주울열 발생을 감소시켜 음극의 자기 가열로 인한 열화를 억제하고, 음극/G1 전극간의 간격차에의한 전압편차를 최소화하고, 장시간 가동시 음극 수축현상을 개선하여 고전류 밀도하에서의 수명특성 및 휘도열화 현상을 개선한 것을 특징으로 한다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 의한 산화물 음극층의 구조를 개략적으로 도시한 것이다. 구체적으로 도 4는 금속기체 상에 직접 침상의 도전성물질(41)을 함유하는 전자방출물질층이 피착된 산화물 음극의 구조를 나타내고, 도 5는 금속기체와, 침상의 도전성 물질(51)을 함유하는 전자방출물질층 사이에 니켈 금속(52)을 주성분으로 하는 금속층이 형성된 음극의 구조를 나타낸다. 금속층은 니켈금속(52) 외에 음극의 기계적 강도를 보강하기 위한 고융점 금속 또는 환원제(53)를 더 포함할 수 있다.
종래 산화물 음극의 전자방출물질층은 바륨을 주성분으로 하는 탄산염, 예를 들어 (Ba·Sr·Ca)CO3인 삼원 탄산염, 또는 (Ba·Sr)CO3인 이원 탄산염으로 이루어지나, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 산화물 음극은 전자 방출물질층에 침상의 도전성 물질이 포함되어 이루어진다. 침상의 도전성 물질은 비저항이 10-1Ω㎝ 이하인 전기 양도성 물질이며, 구상의 경우보다 전자방출물질층 내에서 전도성 경로를 형성하기에 유리하므로 구상의 경우 보다 훨씬 적은 양의 도전성 물질을 첨가하더라도 음극 동작시 주울열 발생에 의한 열화현상을 충분히 방지할 수 있다. 또한 도전성 물질의 함량이 줄어듦으로 인하여 상대적으로 전자방출물질의 함량이 증가하므로 초기 방출 특성 또한 향상된다.
더욱이, 본 발명의 산화물 음극은 전자방출 물질층의 표면 조도를, 전자방출물질층 표면상의 최고점과 최저점간의 거리로 실측되는 표면조도를 10㎛ 이하로 제어하기 때문에, 음극/G1 전극간의 간격차에 의한 전압편차가 최소화되고, 장시간 가동시 음극 수축현상이 개선되므로, 고전류밀도 하에서의 수명특성 및 휘도열화 현상의 괄목할만한 개선이 가능하다.
본 발명에 의한 산화물 음극의 제조과정을 개략적으로 살펴보면 다음과 같다.
탄산염 페이스트 제조 단계
바륨(Ba)을 주성분으로 하는 탄산염 분말과 침상의 도전성 분말을, 유기바인더 및 액상의 유기 용매와 함께 골고루 혼합하여 탄산염 페이스트를 제조한다. 침상 도전성 분말의 함량은 탄산염 페이스트 총중량을 기준으로 0.01∼30 중량%인 것이 바람직한데, 도전성 분말의 함량이 0.01중량%보다 작으면 전자방출물질층이 충분한 전기전도성을 갖지 못하여 자체 저항에 의한 주울열 발생량을 감소시킬 수 없고, 도전성 분말의 함량이 30중량%를 초과하면 전자방출물질인 바륨 및 바륨 화합물의 양이 상대적으로 감소하기 때문에 전자방출 특성에 악영향을 초래할 수 있기 때문이다.
본 발명에 의한 산화물 음극에 사용되는 침상의 도전성 분말의 재질로는 카본나노튜브, 카본 파이버, 그래파이트 파이버와 같은 카본재질, 침상의 인듐주석산화물, 또는 니켈, 마그네슘, 레늄, 몰리브덴 및 백금과 같은 침상의 금속물질을 사용할 수 있다. 즉, 비저항이 10-1Ω㎝ 이하인 도전성을 갖는 물질로서 침상의 형태라면 어느 것이라도 본 발명에 바람직하게 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 특히 바람직한 것은 카본 나노튜브와 같은 카본 재질이다. 카본 재질은 특히 고온에서 안정된 구조를 갖고, 지름 대 길이의 비율(aspect ratio)이 크다는 점에서 보다 유리하다.
침상 분말의 길이는 길면 길수록 도전성 채널을 보다 효과적으로 형성할 수 있기 때문에 바람직하다. 즉, 침상 분말의 길이가 길면 길수록 도전성 채널 형성이 유리하기 때문에 아주 소량의 도전성 물질을 사용하더라도 효과적으로 전도성을 부여할 수 있다.
상기 탄산염으로는 산화물 음극의 제조에 널리 사용되는 것이라면 어느 것이라도 무방하며, 구체적으로 예를 들면, (Ba, Sr, Ca)CO3또는 (Ba, Sr)CO3를 기본 조성으로 하는 탄산염이 있다. 상기 탄산염 페이스트에 함유되는 탄산염의 양은 페이스트 총중량을 기준으로 40 내지 60 중량%가 바람직하다. 탄산염의 양이 40 중량% 미만이면 원하는 전자방출특성이 얻기 곤란하고 60 중량%를 초과하면 혼합물의 유동성이 저하되어 균일한 도포가 곤란하기 때문이다.
탄산염 페이스트에 첨가되는 바인더로는 통상적으로 바인더로 사용되는 것이라도 무방하며, 구체적으로 예를 들면 니트로셀룰로오스, 에틸셀룰로오스 등이 있다. 바인더의 함량은 페이스트 총중량을 기준으로 1 내지 10 중량%가 바람직하다. 바인더의 함량이 1 중량% 미만이면 건조후 접착력 저하가 발생하고, 10 중량%를 초과하면 음극선관내 진공도 저하 및 잔류카본으로 인해 전자방출특성이 저하되기 때문이다.
인쇄 혼합물에 첨가되는 유기용제는 혼합물이 페이스트 상태를 이루어야 하기 때문에 고휘발성인 것은 바람직하지 않으며, 구체적으로 예를 들면, 테르피놀(terpinol), 부틸 카르비톨 아세테이트 또는 이들의 조합이 바람직하다. 유기 용제의 함량은 페이스트 총중량을 기준으로 30 내지 50 중량%인 것이 바람직한데, 그 이유는 이 범위에서 인쇄에 적합한 페이스트 상태를 만들 수 있기 때문이다.
금속 기체 상부에 금속층 형성단계
다음은 선택적으로 금속층을 형성한다. 즉, 금속 기체의 상부에 직접 전자방출물질층을 피착시킬 수도 있으나, 음극 동작시 중간생성물의 분산생성, 환원제의 확산 경로 확보를 위하여 금속층을 먼저 형성한 후 전자방출물질층을 형성할 수 있다. 금속층의 형성과정을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
니켈 분말과, 선택적으로 환원제 성분인 텅스텐 및/또는 알루미늄을 소정량 혼합한 뒤 유기 바인더와 액상의 유기용매와 다시 골고루 혼합하여 페이스트를 제조한다. 이 페이스트를 음극 기체의 상부 표면에 피착시킨 후 진공 또는 불활성 분위기에서 열처리하여 유기물이 제거된 금속층을 얻는다. 금속층 형성용 페이스트를 금속 기체 상에 피착시키는 방법은 특별히 제한되지는 않으며, 프린팅, 스프레이, 전착, 페인팅 어느 것이라도 무방하나 음극 표면의 조도를 소정 범위로 조절하기 위해서는 프린팅법이 가장 바람직하다.
또한, 금속층과 전자방출물질층과의 결합력 증대를 위하여 금속층의 인쇄 패턴을 망사 또는 도트 패턴으로 하는 것도 가능하다. 이러한 패턴은 스크린 인쇄의 경우에는 인쇄 메쉬 자체가 이러한 패턴으로 형성된 것을 사용함으로써 용이하게얻을 수 있다.
니켈 금속층의 두께는 1∼30㎛인 것이 바람직한데, 30㎛ 이상인 경우에는 환원제의 확산이 오히려 방해되고, 1㎛ 이하인 경우에는 원하는 목적을 달성할 수 없다. 환원제를 사용하지 않는 순수 니켈 금속층의 경우에는 두께가 2∼3㎛인 것이 바람직하고, 환원제를 사용하는 경우에는 이보다 두께가 더 두꺼워도 양호한 특성을 얻을 수 있다.
금속층 형성용 페이스트에 텅스텐이나 알루미늄과 같은 환원제를 첨가하는 이유는, 니켈 금속층에 의해 음극 동작시 반응생성물의 분산효과는 충분히 얻을 수 있으나 금속층의 두께에 따라 금속 기체로부터 전자방출층 까지의 거리가 증대되어 환원제의 확산속도가 느려져 충분한 양의 전자방출을 얻지 못할 우려가 있기 때문이다. 텅스텐의 경우 니켈 분말의 중량을 기준으로 1∼10중량%, 알루미늄의 경우 니켈 분말의 중량을 기준으로 0.01∼1중량%인 것이 안정되면서도 양호한 전자방출특성을 얻을 수 있다. 텅스텐이나 알루미늄 대신, 탄탈, 크롬, 마그네슘, 규소와 같은 환원성 금속을 포함시키더라도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
음극 제조 단계
전술한 바와 같이 제조한 침상의 도전성 물질을 함유한 탄산염 페이스트를 금속기체 상부표면에, 또는 금속기체의 상부에 형성된 니켈 금속층 상에, 도포한 후 건조시켜 음극을 완성한다. 본 발명에 의한 전자관용 음극은 전자방출물질층을 이루는 산화물 입자가 응집없이 분포되며, 기공의 크기는 10㎛ 이하로서 입자 및 기공의 크기 분포가 균일하다. 음극 표면조도는 전자방출물질층 표면상의 최고점과최저점간의 거리로 실측되는 표면조도가 10㎛이하가 되도록 하는 것이 바람직한데, 이와 같은 표면조도를 얻기 위해서는 프린팅, 전착 또는 페인팅 공정에 의해 탄산염 페이스트를 도포할 수 있으며, 특히 스크린 프린팅법이 가장 바람직하다. 즉, 전자방출물질층을 금속기체에 피착시킬 때 소정의 압력이 가해질 수 있는 방법이라면 어느 것이라도 무방하다. 예를 들면, 인쇄, 침전 등의 방법이 있을 수 있는데, 그 중에서 인쇄법이 가장 바람직하다. 또한, 인쇄법으로는 스크린 인쇄, 롤 코팅 등을 예로 들 수 있다.
반면, 침상의 도전성 물질을 함유하는 탄삼염 페이스트를 스프레이 공법을 이용하여 금속기체 상에 도포하는 경우에는 입자간 응집으로 인하여 약 20㎛의 조도를 나타내며, 스프레이 건의 노즐이 막히는 등 실용화에 장애가 많으며, 도포면의 표면이 거칠어 모아레(Moire) 현상에 의한 화질 저하 또는 음극/G1 전극간의 전위차 변동 및 전하방출량의 저하를 피할 수 없게 된다.
전자방출물질층의 도포 두께는 30∼80㎛인 것이, 이후 브라운관 제조 공정 조건의 큰 변화없이 양호한 전자방출특성을 얻는데 바람직하다. 전자방출물질층의 두께가 30㎛ 미만이 되면 음극의 표면온도가 너무 높아져 수명특성이 불량하게 되고, 80㎛을 초과하게 되면 음극의 온도가 너무 낮아져 브라운관 배기공정에서 탄산염의 분해가 충분히 이루어지지 않아 양호한 방출특성을 얻기 힘들다.
본 발명에 의한 전자관용 음극은 종래의 음극에 비해 치밀도가 2-3배 향상되며, 표면조도는 약 2배 이상 향상된 고밀도 고평탄도의 음극을 제공한다. 따라서, 전자방출물질층의 두께를 기존의 경우에 비해 대폭 감소시키면서, 장기간 사용에의한 음극 수축을 방지하여 수명특성 및 휘도 열화 현상을 개선할 수 있고, 음극/G1 전극간의 인가전압 편차로 인한 불량을 방지할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 의하면, 전자방출물질층은 스크린 인쇄법(screen printing)에 의해 금속기체에 피착된다. 스크린 인쇄는 명주, 나일론, 테프론, 스테인리스스틸 등의 재질로 이루어진 망사를 틀에 매어 스크린면에 잉크가 통과하는 부분과 통과하지 않는 부분을 만들어 스퀴지로 피인쇄면에 잉크를 압출시켜 인쇄하는 방법이다. 스크린 인쇄는 판면이 유연하여 인쇄압이 적고, 잉크 피막이 두꺼운 특징이 있기 때문에 피인쇄체의 재질 선택이 자유로우며, 곡면체에도 인쇄가 가능하다는 장점이 있다. 스크린 인쇄는 종이를 비롯하여 플라스틱 시트, 프린트 배선 기판 등 공업 인쇄까지 다방면에 응용될 수 있다. 본 발명의 일실시예에서는 상기와 같은 원리로 작동되는 스크린 인쇄기를 이용하여, 잉크 대신 탄산염이 공침된 분말원료와 침상의 도전성 분말을 적당한 바인더와 유기용제로 반죽한 페이스트를 사용하여 인쇄하였다.
이상과 같이 제조된 음극은 통상의 방법으로 전자총으로 조립된 후 스크린 펀넬에 봉입, 배기, 및 활성화 공정을 거쳐 전자관으로 완성된다.
이하에서는 실시예를 통하여 본 발명에 의한 전자관용 음극의 제반 특성에 대한 효과를 살펴보고자 한다.
<실시예 1>
Ba:Sr:Ca의 중량비가 57:30:4인 삼원탄산염 60 g, 카본나노튜브(CNT) 0.1 g, 니트로셀룰로오스 1 g 및 테르피놀 39 g을 교반 및 롤밀로 혼합하여 인쇄용페이스트를 준비하였다. 스크린 인쇄기(일본 Newlong제, LS-34TV)를 이용하여 상기 페이스트를 니켈로 이루어진 금속기체(캡) 상에 50㎛ 두께로 코팅하였다. 인쇄압력은 2∼3kgf/cm2이며, 스크린 인쇄기의 메쉬와 캡간의 거리는 약 1.5 mm로 하였다. 대기 분위기하 150℃에서 건조하여 음극을 완성하였다.
이상과 같이 제조된 음극의 전자방출물질층에 대하여 그 단부 및 표면조직을 전자현미경 사진으로 관찰하였다. 도 6은 음극의 단부를 400배 확대한 사진이고, 도 7은 음극의 표면을 3000배 확대한 사진이다. 도 2 및 도 3과 비교하여, 입자 및 기공의 크기가 균일하고 치밀한 조직이 형성되었음을 알 수 있다.
<실시예 2>
탄산염 페이스트를 금속 기체 상에 인쇄하기 전에, 니켈 분말 10g, 텅스텐분말 0.4g, 알루미늄 분말 0.01g , 니트로셀룰로오스 0.1g 및 테르피놀 5g을 균일하게 혼합하여 준비한 금속층 형성용 페이스트를 금속기체 상에 2㎛ 두께로 스크린 인쇄하여 금속층을 형성하였다. 실시예 1과 동일한 방법으로 전자방출물질층을 금속층 상에 형성하였다.
<실시예 3>
금속층을 망사 패턴으로 인쇄한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 전자관용 음극을 제조하였다.
<실시예 4>
카본 나노튜브(CNT) 대신 카본 파이버를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자관용 음극을 제조하였다.
<실시예 5>
카본 나노튜브(CNT) 대신 카본 파이버를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 전자관용 음극을 제조하였다.
<실시예 6>
카본 나노튜브(CNT) 대신 침상의 인듐주석 산화물 분말을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 전자관용 음극을 제조하였다.
<실시예 7>
카본 나노튜브(CNT) 대신 니켈 필라멘트를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 전자관용 음극을 제조하였다.
<실시예 8>
카본 나노튜브(CNT) 대신 백금 필라멘트를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 전자관용 음극을 제조하였다.
<비교예 1>
탄산염 분말 40 내지 50중량%, 니트로셀룰로오스 0.3 내지 0.4 중량%, 이소아밀아세테이트 50 내지 55중량% 및 디에틸옥살레이트 5 내지 5.5중량%를 함유하는 통상적으로 사용되는 스프레이용 조성물을 준비하였다. 스프레이 부스실의 온도는 약 80℃로 유지하고 압력은 2 내지 5kgf/cm2으로 하여 스프레이 방식으로 전자방출물질층을 피착시켰다. 대기분위기하 150℃에서 건조하였다. 전자방출물질층의 단면 및 표면조직에 대한 전자현미경 사진은 도 2 및 도 3으로 나타내었다.
<비교예 2>
스프레이용 조성물에 구상의 니켈 입자를 10 중량% 첨가한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 전자관용 음극을 제조하였다.
실시예 및 비교예에서 제조한 음극을 전자관에 적용하여 다음과 같이 특성을 평가하였다.
(1) 수명특성
수명특성은 음극의 히이터 전압 6.3V, 동작온도 760℃, 초기 전류밀도 5 A/cm2의 음극 부하 조건하에서, 음극의 시간 경과에 따른 Ik의 변화를 측정함으로써 일정 시간 동안의 Ik 잔존율로서 평가하였다. 통상적으로 음극의 수명은 Ik 잔존율이 50%에 이를 때까지의 경과시간인 MTTF(Mean Time to Failure Mode)로 정의된다. 도 8은 5 A/cm2의 고전류밀도에서 이루어진 수명특성 평가결과이며, 도 9는 5A/cm2의 전류밀도에서 얻어진 수명특성 평가 결과로부터 추정된 MTTF를 보여준다. 종래의 음극(비교예1) 수명은 4,000 내지 5,000 시간인 반면 본 발명의 음극 수명은 25,000시간 이상으로서, 종래의 음극 수명보다 현저하게 향상된 것을 알 수 있다. 또한, 바륨(Ba)의 증발감소 및 컷오프 드리프트율 감소효과는 거의 영에 달하였는데, 도 10은 음극을 5000시간 동작시킨 후의 0시간 대비 컷오프 전압의 변화율(컷오프 드리프트)을 나타낸 것이다.
본 발명에 의한 실시예의 전자관용 음극은 비교예의 음극에 비해 동작시간 경과에 따른 방출특성의 저하가 현저하게 감소된 것을 알 수 있으며, 5 A/cm2의 고전류밀도하에서 매우 우수한 수명특성을 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.
(2) 초기 전자방출 특성
초기 전자방출 특성은 전자관이 제조된 직후에 전자총의 음극으로 부터의 전자방출 능력이나 양, 불량품을 구분하기 위해 평가하는 것으로, 통상 음극의 정규 동작온도, 즉 히터(heater) 전압 6.3V에서 음극 및 전자총 전극에 각각 정해진 전압을 인가하여 그때의 음극으로부터의 전자방출(emission) 전류를 측정하는 것이다.
도 11에 초기 전자방출 특성의 평가결과를 도시하였다. 도 11에 의하면, 본 발명에 의한 전자관용 음극은 비교예2의 음극보다 적은 양의 도전성물질을 함유함에도 불구하고 수명특성이 향상될 뿐 아니라 비교예2에 비해 상대적인 전자방출물질 함량이 증대되어 초기 전자 방출 특성이 향상되는 것을 확인할 수 있다.
(3) 표면조도
산화물 음극층의 단면을 약 200 내지 500배의 배율로 촬영한 전자현미경 사진으로부터 최고점과 최저점간의 거리를 실측하였다. 그 결과, 실시예 1 및 2의 경우는 5㎛ 이하인데 비해 비교예 1 및 2의 경우는 20㎛이었다.
(4) 기공크기 분포
약 3000배 전자현미경 사진을 촬영하여 소정 면적당 기공이 차지하는 면적간의 비율로 측정하였다. 측정결과, 실시예 1 및 2의 음극은 기공의 크기가 5㎛ 이하, 비교예 1 및 2의 음극은 약 20㎛의 크기를 갖는 것을 알 수 있었다.
(5) 입자응집 크기 분포
약 3000배 전자 현미경 사진을 촬영하여 입자간 응집상태를 관찰하였다.
그 결과, 실시예 1 및 2의 음극은 1개당 약 5 내지 7㎛ 크기를 갖는 탄산염 입자 하나 하나가 응집없이 분포되어 있는 반면, 비교예 1 및 2의 음극은 입자가 서로 응집하여 약 30 내지 50㎛의 크기를 갖는 것을 알 수 있었다.
이상과 같은 수명 특성 및 컷오프 전압특성, 화질의 향상은 침상의 도전성 물질을 함유하는 전자방출물질층의 자체 가열에 의한 주울열 발생이 최소화되고, 전자방출물질층이 보다 치밀하면서도 평탄한 표면조도를 가짐으로써 장시간 사용에도 불구하고 음극/G1 전극간의 간격 불균일로 인한 전압 편차가 최소화되고, 음극내 기공 함몰 및 수축이 방지되는 것에 기인한 것으로 판단된다.
이상에서 살펴 본 바와 같이, 본 발명에 의한 전자관용 음극은 침상의 도전성물질을 전자방출물질층에 포함시켜 효과적으로 도전성 경로를 형성함으로써 자체 가열로 인한 주울열 발생을 최소화할 뿐 아니라, 전자방출물질층을 구성하는 입자 및 기공의 크기를 균일하게 제어하고, 전자방출물질층의 밀도 및 공극율을 제어함으로써 종래의 스프레이 방식에 의해 제조된 음극에 비하여 치밀도 및 표면 평탄도가 향상되어 동작시에 음극의 수축현상을 방지하고 음극/G1 전극간의 균일한 간격 유지가 가능하여 수명이 대폭 연장될 뿐만 아니라 안정한 전자방출특성을 갖는다. 따라서, 최근 텔레비젼 브라운관 등의 고정세화 및 대형화 추세에 따른 고전류 밀도 영역하에서도 수명특성을 현저하게 향상시킬 수 있다.

Claims (14)

  1. 금속기체 및 금속기체 상에 피착된 전자방출물질층을 포함하는 전자관용 산화물 음극에 있어서, 상기 전자방출물질층이 침상의 전도성 물질을 포함하며, 상기 전자방출물질층 표면상의 최고점과 최저점간의 거리로 실측되는 표면조도가 10㎛이하로 제어된 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  2. 제1항에 있어서, 상기 침상의 전도성 물질이 카본, 인듐주석산화물, 니켈, 마그네슘, 레늄, 몰리브덴 및 백금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  3. 제1항에 있어서, 상기 침상의 전도성 물질이 카본 재질인 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  4. 제3항에 있어서, 상기 침상의 전도성 물질이 카본 나노튜브, 카본 파이버 및 그래파이트 파이버로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전자방출물질층내에 존재하는 침상의 전도성 물질의 함량이, 전자방출물질의 총중량을 기준으로 0.01∼30 중량%인 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  6. 제1항에 있어서, 전자방출물질층의 두께가 30∼80㎛ 인 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  7. 제1항에 있어서, 상기 침상의 전도성 물질이 카본 재질이며, 전자방출물질층 내 침상의 전도성 물질의 함량은 전자방출물질층 총중량을 기준으로 0.01∼30 중량%이고, 전자방출물질층의 도포두께가 30∼80㎛인 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전자방출물질층은 프린팅, 전착 또는 페인팅 공정에 의해 금속기체 상에 피착된 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전자방출물질층이 스크린인쇄 공정에 의해 금속기체 상에 피착된 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  10. 제1항에 있어서, 상기 금속 기체와 전자방출물질층 사이에, 금속 기체의 그레인 사이즈보다 작은 그레인 사이즈의 니켈을 포함하는 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  11. 제10항에 있어서, 상기 금속층이 니켈의 중량을 기준으로 1∼10 중량%의 텅스텐과 0.01∼1 중량%의 알루미늄을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  12. 제10항에 있어서, 상기 금속층의 두께가 1∼30㎛인 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  13. 제10항에 있어서, 상기 금속층이 탄탈(Ta), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 규소(Si) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자관용 산화물 음극.
  14. 제10항에 있어서, 상기 금속층이 망사 패턴 또는 도트 패턴으로 형성된 것을 특징으로 하는 전자관용 음극.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050037134A1 (en) * 2003-08-12 2005-02-17 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Process of manufacturing micronized oxide cathode
US9159519B2 (en) 2009-08-11 2015-10-13 Toray Industries, Inc. Paste for electron emission source, and electron emission source
US20170263435A1 (en) * 2016-03-11 2017-09-14 Agilent Technologies, Inc. Filament assembly for generating electrons, and related devices, systems and methods

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03280322A (ja) * 1990-03-28 1991-12-11 Nichia Chem Ind Ltd エミッタ用アルカリ土類炭酸塩
JPH0887950A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Hitachi Ltd 酸化物陰極を備えた電子管
JPH0887952A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Hitachi Ltd 酸化物陰極を備えた電子管
JPH1064404A (ja) * 1996-08-26 1998-03-06 Matsushita Electron Corp 陰極およびその製造方法
US5925976A (en) * 1996-11-12 1999-07-20 Matsushita Electronics Corporation Cathode for electron tube having specific emissive material
JP2000200541A (ja) * 1999-01-06 2000-07-18 Hitachi Ltd 陰極構体
US6222308B1 (en) * 1995-09-21 2001-04-24 Matsushita Electronics Corporation Emitter material for cathode ray tube having at least one alkaline earth metal carbonate dispersed or concentrated in a mixed crystal or solid solution
KR20010039379A (ko) * 1999-10-30 2001-05-15 김순택 전자관용 소결형 음극

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5488059A (en) * 1977-12-26 1979-07-12 Hitachi Ltd Thermion emission cathode
JPS5814017B2 (ja) * 1978-04-05 1983-03-17 株式会社日立製作所 電子管用直熱型陰極
JPS55144631A (en) * 1979-04-28 1980-11-11 Hitachi Ltd Directly-heated cathode for electronic tube
KR910002969B1 (ko) * 1987-06-12 1991-05-11 미쓰비시전기주식회사 전자관음극(cathode for an electron tube)
US5055078A (en) * 1989-12-18 1991-10-08 Samsung Electron Devices Co., Ltd. Manufacturing method of oxide cathode
KR940011717B1 (ko) * 1990-10-05 1994-12-23 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 전자관음극
DE4207220A1 (de) * 1992-03-07 1993-09-09 Philips Patentverwaltung Festkoerperelement fuer eine thermionische kathode
US6020677A (en) * 1996-11-13 2000-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Carbon cone and carbon whisker field emitters
JP2876591B2 (ja) * 1996-11-29 1999-03-31 三菱電機株式会社 電子管用陰極
JP3322183B2 (ja) * 1997-02-07 2002-09-09 三菱電機株式会社 電子銃
JPH11102636A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Matsushita Electron Corp 陰極、陰極の製造方法、受像管
EP0905737B1 (en) * 1997-09-30 2004-04-28 Noritake Co., Ltd. Electron-emitting source
JP3389075B2 (ja) * 1997-10-01 2003-03-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
TW419688B (en) * 1998-05-14 2001-01-21 Mitsubishi Electric Corp Cathod ray tube provided with an oxide cathod and process for making the same
JP2000357464A (ja) * 1999-06-14 2000-12-26 Hitachi Ltd 陰極線管
JP2001229814A (ja) * 2000-02-21 2001-08-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 酸化物陰極の製造方法、およびこの酸化物陰極を備えた陰極線管
KR100696458B1 (ko) * 2000-10-06 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 전자관용 음극 및 그 제조방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03280322A (ja) * 1990-03-28 1991-12-11 Nichia Chem Ind Ltd エミッタ用アルカリ土類炭酸塩
JPH0887950A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Hitachi Ltd 酸化物陰極を備えた電子管
JPH0887952A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Hitachi Ltd 酸化物陰極を備えた電子管
US6222308B1 (en) * 1995-09-21 2001-04-24 Matsushita Electronics Corporation Emitter material for cathode ray tube having at least one alkaline earth metal carbonate dispersed or concentrated in a mixed crystal or solid solution
JPH1064404A (ja) * 1996-08-26 1998-03-06 Matsushita Electron Corp 陰極およびその製造方法
US5925976A (en) * 1996-11-12 1999-07-20 Matsushita Electronics Corporation Cathode for electron tube having specific emissive material
JP2000200541A (ja) * 1999-01-06 2000-07-18 Hitachi Ltd 陰極構体
KR20010039379A (ko) * 1999-10-30 2001-05-15 김순택 전자관용 소결형 음극

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