KR100417553B1 - 에폭시수지장착플립칩장치용경화방법및장치 - Google Patents

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Abstract

제공된 기판(10)에 반도체 다이(14)와 같은 구성 요소를 장착하기 위한 장치 및 방법이 제공된다. Z-축 이방성 접착제(12)가 기판(10)에 제공되며, 구성 요소는 이방성 접착제(12) 상에 배치된다. 경화 처리 중에 이방성 접착제(12)를 압축 상태로 유지하기 위해 구성 요소와 기판(10) 위로 커버 필름(30)이 흡인된다. 컨베이어 벨트가 설치된 경화 장치는 기판(10)을 가열된 처리 챔버(22)를 통해 이동시키는 컨베이어 벨트(26)를 포함한다. 다이(14)와 기판(10)이 처리 챔버(22)를 통해 이동될 때, 진공 플리넘(28)이 구성 요소 상에서 균일한 힘을 발휘하도록 다이(14)와 기판(10) 위로 커버 필름(30)을 흡인한다.

Description

에폭시수지 장착 플립 칩 장치용 경화 방법 및 장치
하이브리드 또는 멀티 칩 모듈로 불리는 초소형 전자 패키지 제조에서, 패키지되지 않은 반도체 다이는 인쇄 회로 보드와 같은 기판 상에 아래로 향하도록 장착된다. 이와 같은 장착 형태는 각각의 패키지되지 않은 다이가 기판 상에서 회로측면 아래로 플립되기 때문에 플립 칩 장착이라고도 한다. 플립 칩 장착에 있어서, 다이 상의 접촉 패드는 기판 상에서 대응되는 접촉 패드와 직접 전기적으로 접촉된다.
반도체에 장착된 플립 칩을 기판에 부착하는 한가지 방법은 이방성 접착제를 사용하는 것이다. 이방성 접착제는 종래의 땜납용으로 사용되며 다이를 기판에 부착시키는 소켓 연결부도 되고 또한 전기 경로가 되기도 한다.
이방성 접착제는 다양한 형태로 제공된다. 이방성 접착제는 재료를 통한 한 방향에서의 전기 저항이 다른 방향에서 측정된 전기 저항과 다르도록 형성된다. 통상적으로 높은 저항이 하나 이상의 직교 방향(예를 들면, x-y 방향)에서 제공되며, 낮은 저항은 다른 직교 방향(예를 들면, z 방향)에서 제공된다. 한 방향에서의 도전성은 통상적으로 재료가 그 방향에서 압축되는데 필요한 민감성 압력이다.
이방 도전성 접착제의 한 형태는 z-축 이방성 접착제로서 공지이다. Z-축 이방성 접착제는 낮은 레벨까지 도전성 미립자로 가득 차 있기 때문에 미립자가 x-y 평면에서 서로 접촉하지 않는다. Z-방향에서의 압축은 전기 경로를 제공한다. Z-축 이방성 접착제는 점착성 페이스트 또는 제공되면 경화되는 필름으로서 형성된다. z-축 이방성 접착제의 2 가지 형태(필름 또는 페이스트)는 열가소성 물질 또는 열경화성 수지 종류이다. 열가소성인 이방성 접착제는 사용하기 위해 부드러워지도록 가열되며, 다음에 경화시키기 위해 냉각된다. 열경화성 수지인 이방성 접착제는 열 경화가 필요하다. 이방성 접착제를 사용하여 다이를 기판에 부착시킬 수 있으며, 복수의 접속이 단일 피스 재료로 된 다이 상에서 접촉 패드에 형성될 수 있다.
z-축 이방성 접착제를 사용하는 플립 칩 장착의 문제점은 재료의 도전성이 압력에 민감하다는 점에 있다. 따라서 이방성 접착제는 경화 처리 중에 재료를 통한 영구적인 전기 접속을 형성하기 위하여 압축되어야만 한다. 종래에는, z-축 이방성 접착제의 압축은 경화 처리 중에 다이 상에 부하를 유지시킴으로서 달성되었다. 상기 부하는 일반적으로 여러 형태의 기계 공구 고정구를 사용함으로써 제공되었다.
그와 같은 장치가 갖는 한가지 문제점은 기계적 구조물이 복잡하며 그 값이 비싸다는 점에 있다 기계적 고정구는 또한 다이와 기판을 손상시키는 경향이 있다.또한, 압축 부하는 엘라스토머를 충분히 경화시키기 위해 비교적 장시간(예를 들면, 20분 내지 30분) 동안 유지되어야만 한다. 큰 체적의 제조 공정에 있어서는 상기 경화 공정의 형태를 오래 지속되는 것이 바람직하지 않다. 또한, 하나 이상의 플립 칩이 부착되었을 때, 칩이 계속 경화 및 부착됨으로써 하나의 칩이 부착되고 경화되는 연속적인 공정이 사용된다. 상기 연속적인 공정은 칩이 복수의 높은 온도에 노출되게 한다.
따라서, 본 발명의 목적은 이방성 접착제를 사용하여 기판에 구성 요소들을 장착하는 개선된 장치 및 방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 기판에 반도체 다이를 장착하는 플립 칩용의 개선된 장치 및 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 큰 체적의 제조 공정과도 양립할 수 있는 플립 칩 장착 반도체 다이용 장치 및 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 이하 후술되는 명세서에 상세히 기술될 것이다.
본 발명은 일반적으로 전자공학적 제조에 관련된 것으로 특히, 이방 도전성 접착제(conductive anisotropic adhesives)를 이용하여 기판에 구성 요소를 장착하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 상기 방법 및 장치는 특히 기판 상에 패키지되지 않은 반도체 다이를 플립 칩 장착되도록 적용된다.
도 1A 내지 도 1C는 이방성 접착제를 개재시킨 다이와 기판의 어셈블리를 개략적으로 나타낸 다이어그램.
도 2는 이방성 접착제의 경화 처리 중에 힘의 적용을 나타내는 2-2를 따라 취한 단면도.
도 3은 경화된 이방성 접착제 및 다이에서 기판까지의 도전성 경로를 도시하는 확대 개략도.
도 4는 이방성 접착제를 사용하여 압축 부하 하에 반도체 다이를 장착하는 플립 칩을 위해 본 발명에 따른 구조로 제조된 컨베이어 벨트가 설치된 장치를 나타낸 개략도.
도 5는 다이와 기판 위로 흡인되는 도 4의 장치의 커버 필름을 나타낸 확대 개략도.
도 6은 복수의 진공 개구를 한정하는 컨베이어의 부분 평면도.
도 7은 본 발명에 따른 이방성 접착제를 사용하여 반도체 다이를 장착하는 플립 칩의 개략도.
본 발명에 따르면, 이방성 접착제를 사용하여 기판에 구성 요소를 장착하는 향상된 방법 및 향상된 경화 장치가 제공된다. 도면에 도시된 실시예에서 상기 장치와 방법은 반도체 다이를 기판에 장착하는 플립 칩용으로 사용된다. 초기에는, 이방성 접착제가 기판에 적용되었으며 다이가 이방성 접착제 상에 배치되었다. 열경화 처리 중에, 커버 필름은 다이와 기판 위로 흡인된다. 커버 필름은 다이 상에서 균일한 힘을 발휘하며 이방성 접착제를 압축 상태로 유지시킨다.
도시된 실시예에서, 경화 장치는 가열 소스(heat source) 및 메시 컨베이어벨트를 포함한다. 다이와 기판이 경화 장치를 통해 컨베이어 벨트에 의해 이동될 때, 커버 필름의 무한 로울(roll)이 기판과 다이를 덮는다. 컨베이어 벨트와 관련된 진공 플리넘(plenum)은 이방성 접착제 상으로 압축 부하를 발생시키고 구성 요소들을 함께 묶는 다이와 기판 상으로 커버 필름을 흡인한다. 다이와 가판이 가열 소스를 따라 이동할 때, 이방성 접착제는 압축된 상태로 경화된다. 다이와 기판이 일단 진공 플리넘을 지나 이동되면, 커버 필름이 분리되고, 조립된 구성 요소는 경화 장치를 빠져나온다. 다른 실시예에서는, 경화 장치가 컨베이어 벨트 형태보다는 벤치 탑 유닛(bench top unit)으로서 형성된다. 벤치 탑 경화 장치는 기판용 열이 가해진 압반(platen), 진공 플리넘 및, 진공 플리넘에 의해 다이와 기판 상으로 흡인하는 커버 필름을 포함한다.
플립 칩 접합 방법은 대략적으로 이방성 접착제를 개재하여 기판 상에 구성 요소를 배치하는 단계와; 상기 구성 요소와 기판을 컨베이어 상에서 챔버를 통해 이동시키는 단계와; 상기 이방성 접착제를 압축시키기 위해 이동하는 커버 필름을 상기 구성 요소와 기판 위로 흡인하는 단계와; 압축하는 동안 상기 이방성 접착제를 경화시키는 단계; 및 상기 구성 요소 및 기판으로부터 상기 커버 필름을 분리하는 단계를 포함한다.
플립 칩 장착용의 경화 장치는 대략적으로, 처리 챔버와; 상기 처리 챔버를 가열하기 위한 가열 소스와; 상기 처리 챔버를 통해 상기 기판을 이동시키기 위한 컨베이어와; 기판 및 다이와 같은 속도로 상기 처리 챔버를 통해 이동시키도록 구성된 커버 필름의 무한 벨트; 및 진공 소스와 유동적으로 연통하며, 상기 구성 요소 상에 힘을 가하고 경화되는 동안 이방성 접착제를 압축하기 위해 상기 커버 필름을 상기 기판과 구성 요소 위로 흡인하도록 구성된 진공 플리넘을 포함한다.
도 1A 내지 도 1C에서는, 기판(10)이 멀티 칩 모듈을 제조하는데 사용된다. 기판(10)은 일반적으로 다양한 회로와 전기 장치로 형성된 인쇄 회로 보드이다. 도전성, 저항성 및, 유전성을 갖는 회로는 스크린 인쇄나 다른 적절한 공정에 의해 기판(10) 상에 형성될 수 있다.
기판(10)은 하나 이상의 다이 장착 영역(도 1A)을 포함한다. 다이 장착 영역(11)은 반도체 다이(14)(도 1C) 상에서 대응되는 접촉 위치와 전기적으로 접속된 접촉 패드(13)를 포함한다. 예를 들면, 기판(10) 상의 접촉 패드(13)는 기판(10)상에서 회로 트레이스(도시되지 않음)와 전기적 관련이 있는 금속 패드일 수 있다. 반도체 다이(14)(도 1C)는 금속 융기부(15)(도 3)로 형성된 대응 접촉 위치를 포함한다. 상기 다이(14)의 형태는 융기된 다이로서 공지된다.
도 1B에 도시된 바와 같이, z-축 이방성 접착제는 다이 장착 영역(11)에 적용된다. -축 이방성 접척제는 열가소성 접착제로서 형성될 수 있다. 이방성 접착제에 기초한 열경화성 에폭시 수지는 종종 z-축 도전성 에폭시 수지로 언급된다. 적절한 z-축 이방성 접착제는 미국 뉴져지, 트랜톤 소재의, 에이. 아이. 테크놀로지사(NJ,Trenton, A.I. Technology)의 "x-폴리"와 "z-폭시"; 엠엔, 노스필드, 쇨달(MN, Northfield, Sheldahl)사의 "쉘-젝(Shel-Zac)"이라는 상표로 팔리고 있다. z-축 이방성 접착제는 또한 미국 미네소타 엠엔, 세인트 파운 소재의, 3엠(MN, St.Paul, 3M)사에 의해 제공된다.
z-축 이방성 접착제(12)는 적절한 공정을 이용하여 다이 장착 영역(11) 상에 증착될 수 있다. 점착성 페이스트로 형성된 z-축 이방성 접착제(12)를 위해서는, 이방성 접착제(12)를 소정의 패턴으로 기판(10) 상에 분배하기 위해서는 스크린 인쇄 공정이 이용될 수 있다. 필름으로 형성된 z-축 이방성 접착제(12)를 위해서는,필름을 절단해서 다이 장착 영역(11)에 접촉되도록 배치시킬 수 있다. z-축 이방성 접착제(12)는 증착 공정 중에 가열된다.
도 1C에 도시된 바와 같이, 다이(14)는 z-축 이방성 접착제(12) 위에 배치되며, 엘라스토머(elastomer)가 경화된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 경화 처리 중에 힘(F)이 다이(14)에 제공된다. 힘(F)은 다이(14)를 다이 장착 영역(11)에 유지시키며 z-축 이방성 접착제(12)를 압축시킨다. 열가소성 z-축 이방성 접착제는 냉각시켜서 경화시킨다. 열경화성 이방성 접착제는 열로 경화된다.
일반적으로, z-축 이방성 접착제(12)는 경화된 어셈블리에 도전성을 제공하기 위해 경화 처리 중에 압축되어야만 한다. 도 3에 도시된 바와 같이, z-축 이방성 접착제(12)는 다이(14) 상의 융기부(15)와 기판(10) 상의 접촉 패드(13) 사이를 도전시키는 도전성 입자(18)를 포함한다. 다이(14) 상의 융기부(15)는 기판(10)상에서 접촉 패드(13)를 압축하는 z-축 이방성 접착제(12)를 압축한다. 비록 도전성이 z-방향에서 제공된다고 할지라도, z-축 이방성 접착제(12)는 x 및 y 방향에서 절연을 제공한다.
융기부(15)와 접촉 패드(13)의 피치 및 스페이싱은 대략적으로 동일하다. 상기 배열을 이용하면, z-축 이방성 접착제(12)의 단일의 연속적인 세그먼트로된 복수의 낮은 저항성 전기 접촉이 형성될 수 있다. 또한, 도전성 제공에 추가하여, z-축 이방성 접착제(12)는 다이(14)를 기판(10)에 부착시킬 수 있다.
도 4 및 도 5에서는, 본 발명에 따른 컨베이어 벨트가 설치된 경화 장치(20)가 도시된다. 컨베이어 벨트가 설치된 경화 장치(20)는 대략적으로 폐쇄된 처리 챔버(22), 처리 챔버(22)를 소정의 온도로 가열하는 가열 소스(24), 기판(10)을 이동시키기 위한 개구된 메시 컨베이어(26)와 처리 챔버(22)를 통해 다이(14)에 장착된 플립 칩, 컨베이어(26)와 같은 속도로 이동하도록 된 커버 필름(30)의 벨트, 및 커버 필름(30)을 기판(10)과 다이(14) 위로 흡인되도록 채택된 진공 플리넘(28)을 포함한다.
컨베이어 벨트가 설치된 경화 장치(20)는 컨베이어 벨트가 설치된 경화 오븐의 구조와 유사하다. 경화 장치(20)용 처리 챔버(22)는 입구 개구(32)와 출구 개구(34)를 갖는다. 가열 소스(24)는 처리 채버(22)를 소정의 온도까지 가열하기 위해 제공된다. 이방성 접착제에 따라서, 상기 온도는 바람직하게는 100℃ 내지 300℃의 범위에 있게 된다. 가열 소스(24)는 가스나 전기가 될 수 있다.
개구된 메시 컨베이어(26)는 화살표(40 및 42) 방향으로 회전하는 구동 롤러(36, 38) 상에 장착된다. 컨베이어(26)는 기판(10)과 다이(14)를 처리 챔버(22)를 통해 입구 개구(32)에서 경화 장치(20)의 출구 개구(34)로 이동시키기 위해 제공된다. 컨베이어(26)의 속도는 처리 챔버(22) 안에서 소정의 경화 시간(예를 들면, 20 내지 30 분)이 제공되도록 선택된다.
진공 플리넘(28)과 커버 필름(30)은 기판(10)과 다이(14)를 통해 균일한 압력이 제공되도록 협동한다. 이것은 기판(10)과 다이(14)가 컨베이어(26)에 의해 처리 챔버(22)를 통해 이동될 때 달성된다. 커버 필름(30)은 컨베이어(26)와 같은 속도로 이동한다. 상기의 균일한 압력은 각각의 다이(14)와 기판(10)에 적용되며, 그 사이에 있는 z-축 이방성 접착제(12)를 압축한다.
커버 필름(30)은 한쌍의 구동 롤러(44, 46)에 장착된 재료의 무한 루프로 형성된다. 구동 롤러(44, 46)는 화살표(48, 50) 방향으로 회전하며, 커버 필름(30)을 컨베이어 벨트(26)와 같은 속도 및 같은 방향으로 이동시킨다.
커버 필름(30)은 유연하며 열 저항성 재료로 형성될 수 있다. 적절한 재료로는 폴리에스테르, 실리콘, 고무(자연 또는 인조), 또는 테플론(사플루오르화에틸렌 플루오르화탄소 중합체, 플루오르화 에틸렌 프로필렌)과 같은 박막 중합체 또는 엘라스토머 재료를 포함한다. 커버 필름(30)은 또한 금속 포일로 형성될 수 있다. 다른 조건으로서는 커버 필름이 기판(10)의 폭보다 약간 넓어야 한다는 점이다.
커버 필름(30)은 진공 플리넘(28)에 의해 기판(10)과 다이(14) 위로 흡인된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 진공 플리넘(28)은 진공 소스(52)와 연통한다. 게다가, 도 6에 도시된 바와 같이, 진공 플리넘(28)은 컨베이어(26)에 대해 커버 필름(30)을 흡인하기 위한 진공 개구(54)를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 컨베이어(26)는 개구된 메시 체인으로 형성되어 있어, 진공 소스(52)가 필름(30)을 커버하기 위해 차단되지 않은 경로를 갖는다.
커버 필름(30)을 위한 구동 롤러(44, 46)의 위치 및 구조는, 경화되지 않은 구성 요소가 처리 챔버를 위해 입구 개구(32)를 통해 통과함에 따라, 상기 커버 필름(30)이 기판(10)과 다이(14) 위로 흡인되도록 형성된다. 유사하게는, 완전히 경화된 구성 요소가 처리 챔버(22)를 위해 출구 개구(34)를 통해 통과할 때, 구동 롤러(44, 46)는 커버 필름(30)이 기판(10)과 다이(14)로부터 분리되도록 구성된다.
도 5에 명확하게 도시된 바와 같이, 커버 필름(30)은 기판과 다이와 같은 결합된 구성 요소가 경화 장치(20)를 통해 이송될 때 미리-조립된 기판(10)과 다이(14)를 완전히 감싼다. 진공 소스(52)는 커버 필름(30) 상에서 소정의 힘을 발생시키도록 선택되는 네가티브 압력을 발생시킨다. 커버 필름(30)은 다이(14) 상에서 평방 미터당(1lb/in2) 6,895 뉴턴 내지 평방 미터당(20lbs/in2) 137,900 뉴턴 사이의 힘을 발생시킨다. 또한, 상기 힘은 다이(14)의 뒤쪽을 통해 균일하게 발생된다.
따라서 커버 필름(30)은 경화 처리 중에 이방성 접착제(12)(도 2)를 압축하게 된다. 기판(10) 및 다이(14)와 같이, 경화 장치(20)를 통해 이동을 계속하는 이방성 접착제(12)도 경화된다. 경화 시간은 컨베이어(26) 속도에 의해 결정된다. 출구 개구(34)에서 커버 필름(30)은 기판(10)과 다이(14)로부터 당겨지도록 제공된다. 따라서 각각의 다이(14) 상에서의 힘은 제거되고, 완전히 경화된 구성 요소가 경화 장치(20)에 존재하게 된다.
도 7에는 벤치 탑 경화 장치(60)가 도시되어 있다. 벤치 탑 경화 장치(60)는 하나 이상의 기판(10)을 지지하기 위한 가열된 압반(62)을 포함한다. 가열된 압반(62)은 진공 플리넘(64)과 유동적으로 연통된다. 진공 플리넘(62)은 진공 소스(68)와 유동적으로 연통되며, 커버 필름(30)을 기판(10)과 플립 칩이 장착된 다이(14) 위로 흡인한다. 따라서, 상술된 바와 같이 이방성 접착제(12)가 다이(14)와 기판(10) 사이를 실질적으로 경화시키게 된다.
따라서, 본 발명은 특히 반도체 다이를 기판 상에 장착하는 플립 칩용으로제공하는 기판에 구성 요소를 장착하기 위한 향상된 장치 및 방법을 제공한다. 본 발명이 바람직한 특정 실시예를 참조로 하여 설명되었지만, 당업자들에게는 오직 첨부된 청구범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 사상과 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 많은 개조와 변경이 가능하다.

Claims (23)

  1. 구성 요소를 기판에 장착하기 위한 방법에 있어서,
    이방성 접착제를 개재하여 기판 상에 구성 요소를 배치하는 단계와;
    상기 구성 요소와 기판을 컨베이어 상에서 챔버를 통해 이동시키는 단계와;
    상기 이방성 접착제를 압축시키기 위해 이동하는 커버 필름을 상기 구성 요소와 기판 위로 흡인하는 단계와;
    압축하는 동안 상기 이방성 접착제를 경화시키는 단계; 및
    상기 구성 요소 및 기판으로부터 상기 커버 필름을 분리하는 단계를 포함하는, 구성 요소를 기판에 장착하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 이방성 접착제는 열가소성 z-축 이방성 접착제들과 열경화성 z-축 이방성 접착제들로 구성된 종류에서 선택된 접착제인, 구성 요소를 기판에 장착하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 커버 필름은 챔버의 입구에서 상기 구성 요소와 기판을 커버하고 상기 챔버의 출구에서 상기 구성 요소와 기판으로부터 분리되도록 구성된 무한 벨트로 구성되는, 구성 요소를 기판에 장착하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 커버 필름은 중합체 및 엘라스토머 재료들로 구성된그룹으로부터 선택된 재료로 구성되는, 구성 요소를 기판에 장착하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 커버 필름을 상기 구성 요소와 기판 위로 흡인하는 단계는 상기 컨베이어를 통과하도록 지향된 진공으로 수행되는, 구성 요소를 기판에 장착하는 방법.
  6. 반도체 다이를 기판에 장착하기 위한 방법에 있어서,
    z-축 이방성 접착제를 기판 또는 다이에 제공하는 단계와;
    상기 다이를 기판 상에 배치하는 단계와;
    상기 다이 상에 힘을 가하여 상기 다이와 기판 사이의 이방성 접착제를 압축하도록, 상기 컨베이어와 같은 속도로 상기 다이와 기판 위를 이동하는 커버 필름을 흡인하면서, 컨베이어 벨트 상의 다이와 기판을 챔버를 통해 이동시키는 단계와;
    압축하는 동안 상기 이방성 접착제를 경화시키는 단계; 및
    상기 다이 및 기판으로부터 상기 커버 필름을 분리하는 단계를 포함하는, 반도체 다이를 기판에 장착하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 z-축 이방성 접착제는 열가소성 이방성 접착제들과 열경화성 이방성 접착제들로 구성된 종류에서 선택된 접착제인, 반도체 다이를 기판에 장착하는 방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 z-축 이방성 접착제는 페이스트로서 다이 또는 기판에 제공되는, 반도체 다이를 기판에 장착하는 방법.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 z-축 이방성 접착제는 필름으로서 다이 또는 기판에 제공되는, 반도체 다이를 기판에 장착하는 방법.
  10. 제 6 항에 있어서, 평방 미터당 6,895 뉴턴(1lb/in2) 내지 평방 미터당 137,900 뉴턴(20lbs/in2) 사이의 힘을 상기 다이 상에 가하도록 구성되는, 반도체 다이를 기판에 장착하는 방법.
  11. 제 6 항에 있어서, 상기 다이와 기판은 20 내지 30분 의 경화 시간을 제공하도록 선택된 속도로 상기 챔버를 통해 컨베이어 벨트에 의해 이동되는, 반도체 다이를 기판에 장착하는 방법.
  12. 제 6 항에 있어서, 상기 커버 필름은 상기 컨베이어 벨트와 인접 위치되고 진공 소스와 유동적으로 연통하는 진공 플리넘에 의해 제공된 진공에 의해 상기 다이와 기판 위로 흡인되는 반도체 다이를 기판에 장착하는 방법.
  13. 제 6 항에 있어서, 상기 커버 필름은 챔버 입구에서 상기 다이와 기판을 커버하고 상기 챔버의 출구에서 상기 다이와 기판으로부터 분리되도록 구성된 무한벨트를 포함하는, 반도체 다이를 기판에 장착하는 방법.
  14. 제 6 항에 있어서, 상기 커버 필름은 중합체 및 엘라스토머 재료들로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 구성되는, 반도체 다이를 기판에 장착하는 방법.
  15. 제 6 항에 있어서, 상기 챔버는 100℃ 내지 300℃ 사이의 온도로 가열되는, 반도체 다이를 기판에 장착하는 방법.
  16. 반도체 다이를 기판에 플립 칩 장착하기 위한 방법에 있어서,
    접촉 패드가 구비된 기판을 제공하는 단계와;
    z-축 이방성 접착제를 상기 접촉 패드에 제공하는 단계와;
    상기 다이를 상기 이방성 접착제 상에 배치하는 단계와;
    상기 다이와 기판을 가열된 처리 챔버를 통해 이동하도록 구성된 컨베이어 벨트 상에 배치하는 단계와;
    상기 다이에 힘을 인가하여 상기 다이 상의 접촉 위치와 상기 기판 상의 접촉 패드 사이에 전기 접속을 형성하기 위해 이방성 접착제를 압축하도록 구성된 커버 필름을, 상기 컨베이어 벨트를 통과하도록 지향되는 진공을 이용하여 상기 다이와 기판 위로 흡인하는 단계와;
    압축하는 동안 상기 이방성 접착제를 경화시키는 단계; 및
    상기 다이 및 기판으로부터 상기 커버 필름을 분리하는 단계를 포함하는, 반도체 다이를 기판에 플립 칩 장착하는 방법
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 커버 필름은 구동 롤러들에 의해 구동되는 무한 벨트를 포함하는, 반도체 다이를 기판에 플립 칩 장착하는 방법
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 커버 필름은 상기 컨베이어 벨트와 같은 속도로 이동되는, 반도체 다이를 기판에 플립 칩 장착하는 방법
  19. 제 16 항에 있어서, 상기 진공은 컨베이어 벨트와 인접 위치된 진공 플리넘에 의해 상기 컨베이어 벨트를 통과하여 지향되는, 반도체 다이를 기판에 플립 칩 장착하는 방법
  20. 구성 요소와 기판 사이에 배치된 이방성 접착제를 경화시키기 위한 장치에 있어서,
    처리 챔버와;
    상기 처리 챔버를 가열하기 위한 가열 소스와;
    상기 처리 챔버를 통해 상기 기판을 이동시키기 위한 컨베이어와:
    기판 및 다이와 같은 속도로 상기 처리 챔버를 통해 이동하도록 구성된 커버필름의 무한 벨트; 및
    진공 소스와 유동적으로 연통하며, 상기 구성 요소 상에 힘을 가하여 경화되는 동안 이방성 접착제를 압축하기 위해 상기 커버 필름을 상기 기판과 구성 요소 위로 흡인하도록 구성된 진공 플리넘을 포함하는, 구성 요소와 기판 사이에 배치된 이방성 접착제 경화 장치.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 이방성 접착제는 열가소성 및 열경화성 z-축 이방성 접착제들로 구성된 종류에서 선택된 접착제인, 구성 요소와 기판 사이에 배치된 이방성 접착제 경화 장치.
  22. 제 20 항에 있어서, 상기 커버 필름은 한쌍의 롤러 상에 장착되는, 구성 요소와 기판 사이에 배치된 이방성 접착제 경화 장치.
  23. 제 20 항에 있어서, 상기 커버 필름은 중합체 및 엘라스토머 재료들로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 구성되는, 구성 요소와 기판 사이에 배치된 이방성 접착제 경화 장치.
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US410,889 1995-03-27

Publications (2)

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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7158031B2 (en) * 1992-08-12 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Thin, flexible, RFID label and system for use
US5612513A (en) * 1995-09-19 1997-03-18 Micron Communications, Inc. Article and method of manufacturing an enclosed electrical circuit using an encapsulant
US5981076A (en) * 1996-12-09 1999-11-09 3M Innovative Properties Company UV protected syndiotactic polystyrene overlay films
US6534724B1 (en) * 1997-05-28 2003-03-18 International Business Machines Corporation Enhanced design and process for a conductive adhesive
US6228206B1 (en) * 1997-07-30 2001-05-08 Drug Delivery Technologies, Inc. Bonding agent composition containing conductive filler and method of bonding electrode to printed conductive trace with same
US6339385B1 (en) 1997-08-20 2002-01-15 Micron Technology, Inc. Electronic communication devices, methods of forming electrical communication devices, and communication methods
US6541872B1 (en) 1999-01-11 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Multi-layered adhesive for attaching a semiconductor die to a substrate
US6273339B1 (en) 1999-08-30 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Tamper resistant smart card and method of protecting data in a smart card
US6513236B2 (en) * 2000-02-18 2003-02-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing bump-component mounted body and device for manufacturing the same
DE10019443A1 (de) * 2000-04-19 2001-10-31 Texas Instruments Deutschland Vorrichtung zum Befestigen eines Halbleiter-Chips auf einem Chip-Träger
TW556232B (en) * 2000-10-24 2003-10-01 Nanopierce Technologies Inc Method and materials for printing particle-enhanced electrical contacts
DE10140661C1 (de) * 2001-08-24 2003-01-16 Orga Kartensysteme Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Flip-Chip-Modulen
DE10200538B4 (de) * 2002-01-09 2004-01-08 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum flächigen Zusammendrücken zu verbindender scheibenförmiger Elemente
JP3772983B2 (ja) * 2003-03-13 2006-05-10 セイコーエプソン株式会社 電子装置の製造方法
DE102004030383A1 (de) * 2004-06-23 2006-01-12 Infineon Technologies Ag Bondfolie und Halbleiterbauteil mit Bondfolie sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE102005006978B3 (de) * 2005-02-15 2006-06-08 Mühlbauer Ag Verfahren und Vorrichtung zum Verbinden von Halbleiterelementen oder Interposern mit einem Trägerband und Verwendung einer derartigen Vorrichtung
KR100747336B1 (ko) * 2006-01-20 2007-08-07 엘에스전선 주식회사 이방성 도전 필름을 이용한 회로기판의 접속 구조체, 이를위한 제조 방법 및 이를 이용한 접속 상태 평가방법
DE102007025380A1 (de) * 2007-05-30 2008-12-04 Robert Bürkle GmbH Mehretagen-Laminierpresse
DE102012012879B3 (de) 2012-06-28 2013-09-19 Mühlbauer Ag Thermokompressionsvorrichtung und Verfahren zum Verbinden elektrischer Bauteile mit einem Substrat
SG11201600268YA (en) * 2013-07-16 2016-02-26 Agency Science Tech & Res Method and apparatus for chip-to-wafer integration
US10319890B2 (en) * 2015-01-26 2019-06-11 Cooledge Lighting Inc. Systems for adhesive bonding of electronic devices
JP2022092661A (ja) * 2020-12-11 2022-06-23 日本航空電子工業株式会社 デバイス及びデバイスの製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5365656A (en) * 1991-09-06 1994-11-22 At&T Corp. Surface mount assembly of devices using AdCon interconnections

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4382833A (en) * 1981-08-25 1983-05-10 Rca Corporation Vacuum lamination fixture
ATE29235T1 (de) * 1983-07-01 1987-09-15 Roland Melzer Verfahren zum herstellen von kunststoffkarten.
US4729166A (en) * 1985-07-22 1988-03-08 Digital Equipment Corporation Method of fabricating electrical connector for surface mounting
US4933042A (en) * 1986-09-26 1990-06-12 General Electric Company Method for packaging integrated circuit chips employing a polymer film overlay layer
DE3819027A1 (de) * 1988-06-03 1989-12-14 Meyer Herbert Gmbh Co Kg Verfahren und anordnung zum verkleben flaechiger werkstuecke
US5107586A (en) * 1988-09-27 1992-04-28 General Electric Company Method for interconnecting a stack of integrated circuits at a very high density
FR2659344A1 (fr) * 1990-03-09 1991-09-13 Thomson Csf Procede de collage instantane, sans bulles, notamment de surfaces d'elements rigides et non poreux, et dispositif de mise en óoeuvre.
US5367253A (en) * 1991-06-04 1994-11-22 Micron Semiconductor, Inc. Clamped carrier for testing of semiconductor dies
US5495179A (en) * 1991-06-04 1996-02-27 Micron Technology, Inc. Carrier having interchangeable substrate used for testing of semiconductor dies
IT1250461B (it) * 1991-08-09 1995-04-07 Morton Int Inc Procedimento ed apparecchio per applicare in modo continuo in particolare maschere di saldatura su pannelli di circuiti stampati.
US5352629A (en) * 1993-01-19 1994-10-04 General Electric Company Process for self-alignment and planarization of semiconductor chips attached by solder die adhesive to multi-chip modules
DE4310685C2 (de) * 1993-04-01 1995-01-26 Held Kurt Verfahren zur kontinuierlichen Direktbeschichtung von Spanplatten und Vorrichtung zur Vorbereitung der Spanplattenoberfläche
US5467253A (en) * 1994-06-30 1995-11-14 Motorola, Inc. Semiconductor chip package and method of forming

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5365656A (en) * 1991-09-06 1994-11-22 At&T Corp. Surface mount assembly of devices using AdCon interconnections

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980703315A (ko) 1998-10-15
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WO1996030937A1 (en) 1996-10-03

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