KR100404697B1 - 고콘트라스트 방전 패널용 전극과 이 전극을 제조하기위한 방법 - Google Patents

고콘트라스트 방전 패널용 전극과 이 전극을 제조하기위한 방법 Download PDF

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Abstract

개스 방전 패널은 투명판, 개스 방전 전극 그리고 상기 투명판과 상기 개스 방전 전극 사이에 위치하며 크롬/탄소/불소막을 갖는 블랙 매트릭스층을 포함하고 있다.

Description

고콘트라스트 방전 패널용 전극과 이 전극을 제조하기 위한 방법{ELECTRODE FOR HIGH CONTRAST GAS DISCHARGE PANEL AND THE METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
Cr-Cu-Cr(Chromium-copper-chromium) 다층막 적층은 개스 방전 패널 또는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 전극용으로 상당히 바람직한 구조로서 인식되어 왔다. 이러한 전극에서, Cu층은 중요한 전류 운반체의 역할을 하고 있다. 하부 Cr층은 Cu층과 유리 기판, 패널 또는 판간의 접착을 개선하기 위해 사용되고 있으며, 상부 Cr층은 이후의 열적 제조 공정 동안의 산화로부터 Cu층을 보호하고 있으며 다시 전극에 의해 차단되는 이미지 광을 플라즈마 셀내로 반사시키는 반사면의 역할을 하고 있다.
Cr-Cu-Cr 다층막은 스퍼터 증착 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 그러나,스퍼터된 Cr막은 금속성 화이트 컬러를 갖기 때문에, 하부 Cr층은 관측자의 눈에 다시 주변광을 반사하는 경우에는 플라즈마 디스플레이의 이미지 콘트라스트를 감소시킨다. 플라즈마 디스플레이의 콘트라스트를 개선하기 위해서는 블랙 매트릭스층이라고 당해 분야에서 불려지고 있는 안티반사층(anti-reflective layer)이 Cr접착층의 증착에 앞서 유리 패널상에 증착될 수 있다. 블랙 매트릭스층의 목적은 Cr 표면으로부터 반사되는 광량을 감소시키는 것이다.
효과적인 블랙 매트릭스층은 낮은 반사율과 높은 광 흡수율을 갖는 다크 컬러층이어야 한다. 블랙 매트릭스층은 적절한 화학적 에천트를 사용하여 에칭되는 것이 바람직하며, 안티반사층이 Cr접착층과 함께 에칭되도록 Cr접착층을 에칭하는데 사용되는 에천트나 혹은 금속성 Cr과 Cu층을 에칭하는 데 적당한 선택도를 부여하는 에천트 중 어느 하나를 사용하는 것이 가장 바람직하다. 또한, 블랙 매트릭스층은 유리기판, 패널 또는 판 그리고 Cr 접착층 모두와 양호한 접착을 해야한다.
비록 상기 요건에 부합하는 어떠한 막도 블랙 매트릭스층으로서 사용될 수 있지만, Cr계 화합물로 형성되는 막을 사용하는 것이 가장 유리하다. Cr계 화합물을 사용하면, 반응성 스퍼터링과 순수한 Cr 타겟을 이용하여 막을 증착하는 것이 가능하다. 이것은 블랙 매트릭스층과 Cr접착층이 동일 챔버내에 순차적으로 증착될 수 있도록 해줌으로써 별도로 블랙 매트릭스층을 증착해야할 필요성을 없애준다. 또한, 일반적으로 Cr계 화합물로 형성된 막은 순수한 Cr막의 특성과 유사한 에칭 특성을 제공하게 된다. 이것은 단일 공정 단계로 블랙 매트릭스층과 접착층 모두를 에칭할 수 있도록 해주며, 추가적인 에칭 단계의 필요성과 이러한 추가적인에칭 단계를 수행하는데 요구되는 설비를 필요없게 해준다.
Cr 금속 타겟과 다양한 비율로 아르곤-헥사플루우르탄(C2F6)개스 혼합물을 사용하는 반응성 스퍼터링에 의해 일련의 Cr, C 및 F 막을 증착하는 방법이 O'keefe 등의 미국 특허 제5,628,882호에 개시되어 있으며, 그 주제는 본 명세서에서 참조된다 ( Material Letters 18(1994)251-256, O'Keefe 등의Reactive Sputter Deposition of Crystalline Cr/C/F 박막참조). 박막의 조성(원자비)은 (35-55)Cr, (20-25)C, (20-45)F의 범위였으며, Ar:C2F6비를 변화시킴으로써 조절되었다. 막들은 결정질(crystalline)인 것으로 판명되었으며, 그 조성은 기판의 선택과는 무관하였다. PDP 전극의 응용이 상기 특허에서는 고려되지 않았기 때문에 막 특성은 블랙 매트릭스층으로서의 사용에 적합한 것인지에 대해서는 평가되지 않았다.
따라서, Cr/Cu/Cr 막 적층을 포함하고 있는 PDP 전극과 호환되는 효과적인 블랙 매트릭스층을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
본 발명의 또다른 목적은 Cu계 PDP 전극의 접착층과 통합될 수 있는 블랙 매트릭스층을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 단일의 진공 챔버에서 수행될 수 있는 연속적인 스퍼터링 증착 공정으로 통합된 블랙 매트릭스 접착층을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 개스 방전 패널에 관한 것으로, 특히 관측자의 눈으로 반사되는 주변광을 감소시켜 콘트라스트를 향상시키는 블랙 매트릭스층을 포함하고 있는 개스 방전 패널용 전극에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 블랙 매트릭스층과, 블랙 매트릭스층을 포함하고 있는 전극과, 이 전극이 통합되어 있는 개스 방전 패널을 형성하는 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 Cr/Cu/Cr 다층막 적층 플라즈마 디스플레이 패널 전극의 부분도이다.
도 2는 Cr-C-F 막 #1의 파장함수로서의 광학적 투과율을 나타내는 도면.
도 3은 Cr-C-F 막 #2의 파장함수로서의 광학적 투과율을 나타내는 도면.
도 4는 Cr-C-F층, 계조화 Cr-C-F 전이층, 및 순수한 Cr층을 포함하고 있는 통합된 블랙 매트릭스/접착층으로 형성되는 본 발명의 1실시예에 따른 Cr/Cu/Cr 다층 PDP 전극의 단면도.
상기한 원리와 목적을 고려하여 본 발명은 결정화 Cr-C-F 막으로 형성되는 블랙 매트릭스층과 통합되는 Cr/Cu/Cr PDP 전극을 제공한다. 더욱이, 본 발명은 블랙 매트릭스층의 기능을 하는 Cr-C-F 막과, 계조화(gradated) Cr-C-F 전이층(transition layer), 그리고 Cu PDP 전극의 접착층의 역할을 하는 순수 Cr막을 포함하는 적층막을 제공한다. 본 발명은 또한 다른 진공 챔버에서 수행될 수 있는 연속적인 스퍼터링 증착 공정으로 상기 적층막을 증착하는 방법을 제공한다.
본 발명은 투명판, 개스 방전 전극 그리고 상기 투명판과 상기 개스 방전 전극 사이에 위치하며 크롬/탄소/풀루우르의 박막을 갖는 블랙 매트릭스층을 포함하고 있는 개스 방전 패널을 제공한다.
개스 방전 전극은 산화에 대해 저항성인 재료로 이루어진 박막과 상기 블랙 매트릭스층에 부착될 수 있는 재료로 형성되는 박막 사이에 놓여지는 도전성 재료로 이루어진 박막으로 형성되는 도전층을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전성 재료는 구리이고, 산화에 대해 저항성인 상기 재료는 크롬이며, 상기 블랙 매트릭스층에 부착될 수 있는 상기 재료는 크롬이다. 본 발명의 개스 방전 패널은 상기 블랙 매트릭스층과 이 블랙 매트릭스층에 부착될 수 있는 크롬 박막 사이에 전이 영역을 더 포함할 수도 있으며, 상기 전이 영역은 상기 블랙 매트릭스층에 부착될 수 있는 크롬막으로부터의 거리가 감소함에 따라 탄소와 플루우르 성분이 감소하는 크롬/탄소/플루우르로 이루어진 계조화 영역을 포함하고 있다.
상기 블랙 매트릭스층의 각각의 바람직한 실시예에서, 상기 전이층, 상기 접착층, 상기 도전층 및 산화에 저항성인 상기 층이 투명판상에 순서대로 증착된다.적절한 증착 방법은 스퍼터링을 포함하고 있다. 예를들어, 상기 각각의 블랙 매트릭스층과, 상기 전이층 및 상기 접착층은 연속적인 스퍼터링 동작에 의해 순서대로 형성될 수도 있고, 상기 도전층 및 산화에 저항성인 상기 층이 별도의 스퍼터링 동작에 의해 상기 접착층상에 순서대로 증착될 수도 있다.
예를들어, 투명판은 유리로 형성될 수도 있다. 본 발명의 개스 방전 패널의 블랙 매트릭스층의 두께는 대략 1000 내지 5000Å이 바람직하다.
본 발명은 개스 방전 패널의 사용에 적합하고 크롬/탄소/플루우르로 이루어진 박막을 포함하는 블랙 매트릭스층도 제공한다.
본 발명의 블랙 매트릭스층은
(a) 상기 블랙 매트릭스층의 제1 측면으로부터 연장하여 실질적으로 균일한 조성을 갖는 제1 부분(즉, 상기 제1 부분의 조성은 이 제1 부분 전반에 걸쳐 필연적으로 균일하게 분포함);
(b) 개스 방전 전극의 도전층이 접착되는 접착면;
(c) 상기 제1 부분과 상기 접착면 사이로 연장하는 계조화 전이 영역, 상기 접착면으로부터의 거리가 감소함에 따라 탄소와 플루우르 성분이 점진적으로 감소하며, 예를 들어 접착면의 조성은 순수한 Cr이다 (즉, 전이 영역의 조성이 Cr-C-F로부터 순수 Cr로 변화함). 특히, 상기 제1 부분과 상기 전이 영역은 크롬/탄소/플루우르를 포함하고, 상기 접착면은 실질적으로 순수한 크롬이다.
예를 들어, 본 발명의 블랙 매트릭스층은 한 번의 스퍼터링 공정으로 얻어질 수 있으며, 상기 공정은 다음 단계 즉,
(a) 그안에 기판이 배치되고 크롬 스퍼터 타겟이 제공되는 스퍼터링 챔버에 실질적으로 일정한 비율로 아르곤원과 헥사플루우르에탄원을 제공하는 단계;
(b) 실질적으로 균일한 조성을 갖는 크롬/탄소/플루우르막을 상기 기판상에 소정의 두께로 증착하여 상기 제1 부분을 제공하는 단계;
(c) 상기 크롬/탄소/플루우르막을 연속적으로 증착하고 상기 스퍼터링 챔버에 공급되는 헥사플루우르에탄의 양을 서서히 줄여 제로로 함으로써 전이 영역을 형성하는 단계;
(d) 실질적으로 순수한 크롬의 연속적인 증착에 의해 소정의 두께로 상기 접착면을 형성하는 단계를 포함한다.
따라서, 본 발명은 블랙 매트릭스층을 제공하며, 상기 제1 부분과 상기 전이 영역은 크롬/탄소/플루우르를 포함하고, 상기 접착면은 한 번의 스퍼터링 동작으로 형성되는 실질적으로 순수한 크롬이며, 상기 동작은
(a) 그안에 기판이 배치되고 크롬 스퍼터 타겟이 제공되는 스퍼터링 챔버에 실질적으로 일정한 비율로 아르곤원과 헥사플루우르에탄원을 제공하는 단계;
(b) 실질적으로 균일한 조성을 갖는 크롬/탄소/플루우르막을 상기 기판상에 소정의 두께로 증착하여 상기 제1 부분을 제공하는 단계;
(c) 상기 크롬/탄소/플루우르막을 연속적으로 증착하고 상기 스퍼터링 챔버에 공급되는 헥사플루우르에탄의 양을 서서히 줄여 제로로 함으로써 전이부를 형성하는 단계;
(d) 실질적으로 순수한 크롬의 연속적인 증착에 의해 소정의 두께로 상기 접착면을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 공정에서 사용되는 기판은 예를 들어 개스 방전 패널의 투명한 판이 될 수 있다. 상기 투명판은 통상 유리로 형성된다.
본 발명에 따른 블랙 매트릭스층의 제1 부분의 두께는 대략 1000 내지 5000Å이 바람직하다.
본 발명은 개스 방전 패널의 사용에 적합한 블랙 매트릭스층을 형성하는데 적합한 방법을 제공하며, 이 방법은,
(a) 그안에 투명한 판인 기판이 배치되고 크롬 스퍼터 타겟이 제공되는 스퍼터링 챔버에 실질적으로 일정한 비율로 아르곤원과 헥사플루우르에탄원을 제공하는 단계;
(b) 실질적으로 균일한 조성을 갖는 크롬/탄소/플루우르막을 상기 기판상에 소정의 두께로 증착하여 블랙 매트릭스부를 형성하는 단계;
(c) 상기 크롬/탄소/플루우르막을 연속적으로 증착하고 상기 스퍼터링 챔버에 공급되는 헥사플루우르에탄의 양을 서서히 줄여 제로로 함으로써 전이부를 형성하는 단계;
(d) 실질적으로 순수한 크롬층의 연속적인 증착에 의해 소정의 두께로 상기 접착면을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명은 크롬/탄소/플루우르로된 박막을 포함하는 적층막을 제공하며, 상기 박막은
(a) 실질적으로 균일한 조성을 갖는 제1 부분;
(b) 상기 제1 부분으로부터의 거리의 증가에 따라 감소하게 되는 탄소/플루우르 함유물을 갖는 계조화 전이 영역; 및
(c) 실질적으로 순수한 크롬막도 제공하며, (a), (b) 및 (c) 각각의 두께는 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.
본 발명의 적층막은 다음의 단계,
(a) 그안에 기판이 배치되고 크롬 스퍼터 타겟이 제공되는 스퍼터링 챔버에 실질적으로 일정한 비율로 아르곤원과 헥사플루우르에탄원을 초기에 제공하는 단계;
(b) 실질적으로 균일한 조성을 갖는 크롬/탄소/플루우르막을 증착하는 단계;
(c) 스퍼터링 챔버에 공급되는 헥사플루우르에탄의 양을 서서히 제로로 감소시키고 상기 크롬/탄소/플루우르막을 연속적으로 증착하는 단계; 및
(d) 실질적으로 순수한 크롬층을 증착하는 단계를 포함하는 방법에 의해 형성될 수도 있다.
도 1에는 통상적인 Cu계 PDP 전극이 도시되어 있다. 예시된 전극(1)은 전극의 주요 전류 운반체의 역할을 하는 도전성 Cu층(2)을 포함하고 있다. 도전성 Cu층(2)은 산화로부터 Cu층을 보호하는 상부 Cr층(3)과, 기판(5)에 전극(1)을 부착시킬 수 있는 접착층의 기능을 하는 하부 Cr층(4)을 포함하는 2개의 Cr층 사이에 위치한다.
2개의 Cr-C-F 막이 USP 제 5,628,882호에 설명된 방법으로 증착된다. 막의 화학적 성질 및 미세 구조는 참조된 특허에 의해 특성지워진다. 본 발명에 따르면, 블랙 매트릭스층으로 사용하기에 적합한 막은 다음과 같다.
막의 두께는 Dektak II 표면 프로필로미터(Veeco Instruments, Inc)를 이용하여 측정되었다. 막의 색은 육안으로 검사되었다. 가시광 영역에 대한 막의 광학적 투과율은 하마마츠 R928 포토멀티플라이어 튜브와 조합하여 SpectraPro 275 0.275 Meter Focal Length 모노크로미터(Acton Research Corp.)를 사용하여 측정되었다. 도 2와 도 3은 광파장의 함수로서 막의 광학적 투과율을 나타내는 도면이다. 막의 에칭성은 순수한 Cr에 대해 통상적인 에천트로 테스트되었다. 접착성은 스코치 테이프(Scotch tape)(3M)를 사용하는 필링 테스트에 의해 평가되었다. 그 결과를 표1에 나타낸다.
이러한 결과는 상기 막들이 PDP 전극과 결합하여 사용하기 위한 블랙 매트릭스층으로서의 용도에 적합한 것임을 보여주고 있다.
Cr-C-F 블랙 매트릭스막과 Cr접착층 모두는 Cr 타겟을 사용하여 스퍼터링에 의해 증착되기 때문에 2개의 층은 동일한 진공 챔버내에서 순차적으로 연속적인 공정에 의해 제조될 수 있다. Cr-C-F 층은 적절한 비율의 아르곤(Ar) 및 헥사플루우르에탄(C2F6) 개스의 혼합물을 이용하여 먼저 증착될 수 있다. 막이 소정의 두께, 바람직하게는 대략 1000 내지 5000Å에 도달하는 경우, C2F6개스의 흐름은 점진적으로 제로로 감소하여, 조성이 Cr-C-F로부터 순수한 C로 변화하는 전이 영역을 발생시킨다. 이러한 전이 영역의 두께는 C2F6개스 흐름이 감소되는 비율을 제어함으로써 조절될 수 있다. 순수한 Cr막층은 C2F6개스의 부재시 스퍼터링 동작을 계속함으로써 증착된다.
본 발명의 방법은 별도의 2개의 증착 과정을 하나의 통합된 과정으로 조합하여 블랙 매트릭스층(Cr-C-F막)과 전극의 접착층(Cr막) 모두의 기능을 하며 막들 사이에 급격한 계면이 전혀 발생하지 않는 적층 증착막을 생성한다. 상기한 공정에 따라 통합된 블랙 매트릭스/접착층을 형성함으로써 블랙 매트릭스층과 전극의 접착층간의 접착 결함과 관련된 문제를 피할 수 있다. 블랙 매트릭스막의 증착을 위해 추가로 진공 챔버가 요구되는 경우는 전혀 없다.
통합된 블랙 매트릭스/접착층은 Cu의 증착을 위해 제2 진공 챔버에 놓여질 수 있으며, 전극/블랙 매트릭스층을 제공하기 위해 통상적인 기술을 이용하여 상부 Cr층의 증착이 이어진다. 그 결과적인 전극/블랙 매트릭스층을 도 4에 도시한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 전극/블랙 매트릭스층은 블랙 매트릭스층(6)과, 접착 하부 Cr층(4)을 따라 연속적인 스퍼터링 증착 공정으로 기판(5)상에 증착되는 전이 영역(7)을 포함하는 통합된 블랙 매트릭스/접착층으로 형성된다. 도전성 Cu층(2)과 상부 Cr층(3)은 별도의 스퍼터링 동작으로 하부 Cr층(4)상에 연속적으로 증착된다.
상술한 설명은 단지 본 발명의 예시일 뿐이며, 당업자라면 다양한 대안 및 변형 실시가 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 행해질 수 있음을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부한 청구범위의 범위에 있는 상기 대안, 수정 및 변형 실시를 모두 포함하고 있는 것이다.

Claims (20)

  1. 투명판과, 개스 방전 전극 및 상기 투명판과 상기 개스 방전 전극 사이에 위치하고 크롬/탄소/플루우르의 막을 갖는 블랙 매트릭스층을 포함하는 것을 특징으로 하는 개스 방전 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 개스 방전 전극은 산화에 저항성인 재료의 막과 상기 블랙 매트릭스층에 부착될 수 있는 재료로 형성되는 막 사이에 위치하는 도전성 재료의 막으로 형성된 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 개스 방전 패널.
  3. 제2항에 있어서, 상기 도전성 재료는 구리이고, 산화에 저항성인 상기 재료는 크롬이며, 상기 블랙 매트릭스층에 부착될 수 있는 상기 재료는 크롬인 것을 특징으로 하는 개스 방전 패널.
  4. 제3항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층과 이 블랙 매트릭스층에 부착될 수 있는 상기 크롬 막 사이에 전이 영역을 더 구비하고, 상기 전이 영역은 상기 블랙 매트릭스층에 부착될 수 있는 크롬막으로부터의 거리가 감소함에 따라 탄소 및 플루우르의 함유량이 감소하는 크롬/탄소/플루우르의 계조화 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 개스 방전 패널.
  5. 제4항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층, 상기 전이 영역, 상기 접착층, 상기 도전층, 산화에 저항성인 상기 층은 상기 투명판에 순서대로 증착되는 것을 특징으로 하는 개스 방전 패널.
  6. 제5항에 있어서, 상기 층들은 스퍼터링에 의해 각각 증착되는 것을 특징으로 하는 개스 방전 패널.
  7. 제6항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층, 상기 전이층, 상기 접착층은 연속적인 스퍼터링 동작으로 순서대로 형성되고, 상기 도전층과 산화에 저항성인 상기 층은 순서대로 별도의 스퍼터링 동작에 의해 상기 접착층에 순서대로 증착되는 것을 특징으로 하는 개스 방전 패널.
  8. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명판은 유리로 형성되는 것을 특징으로 하는 개스 방전 패널.
  9. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스층의 전체 두께는 1000 내지 5000Å인 것을 특징으로 하는 개스 방전 패널.
  10. 개스 방전 패널에 사용하기에 적합하며 크롬/탄소/플루우르의 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스층.
  11. 제10항에 있어서,
    (a) 상기 블랙 매트릭스층의 제1 측면으로부터 연장되고 실질적으로 균일한 조성을 갖는 제1 부분;
    (b) 개스 방전 전극의 도전층이 부착될 수 있는 접착면; 및
    (c) 상기 제1 부분과 상기 접착면 사이로 연장되는 계조화 전이 영역(gradated transition region)을 구비하며, 상기 탄소 및 플루우르 함유물은 상기 접착면으로부터의 거리가 감소함에 따라 점진적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스층.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 부분과 상기 전이 영역은 크롬/탄소/플루우르를 포함하고 상기 접착면은 실질적으로 순수한 크롬인 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스층.
  13. 제12항에 있어서,
    (a) 크롬 스퍼터 타겟이 제공되는 스퍼터링 챔버 - 상기 스퍼터링 챔버 내에 기판이 배치됨 -에 실질적으로 일정한 비율로 아르곤원과 헥사플루우르에탄원을 제공하는 단계;
    (b) 실질적으로 균일한 조성을 갖는 크롬/탄소/플루우르막을 상기 기판상에 증착하여 상기 제1 부분을 제공하는 단계;
    (c) 상기 크롬/탄소/플루우르막을 연속적으로 증착하고 상기 스퍼터링 챔버에 공급되는 헥사플루우르에탄의 양을 서서히 줄여 제로로 함으로써 전이 영역을 형성하는 단계; 및
    (d) 실질적으로 순수한 크롬의 연속적인 증착에 의해 상기 접착면을 형성하는 단계를 포함하는 한 번의 스퍼터링 동작으로 얻어지는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스층.
  14. 제12항에 있어서,
    (a) 크롬 스퍼터 타겟이 제공되는 스퍼터링 챔버 - 상기 스퍼터링 챔버 내에 기판이 배치됨 -에 실질적으로 일정한 비율로 아르곤원과 헥사플루우르에탄원을 제공하는 단계;
    (b) 실질적으로 균일한 조성을 갖는 크롬/탄소/플루우르막을 상기 기판상에 증착하여 상기 제1 부분을 제공하는 단계;
    (c) 상기 크롬/탄소/플루우르막을 연속적으로 증착하고 상기 스퍼터링 챔버에 공급되는 헥사플루우르에탄의 양을 서서히 줄여 제로로 함으로써 전이 영역을 형성하는 단계; 및
    (d) 실질적으로 순수한 크롬의 연속적인 증착에 의해 상기 접착면을 형성하는 단계를 포함하는 한 번의 스퍼터링 동작으로 형성되는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스층.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 기판은 개스 방전 패널의 투명판인 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스층.
  16. 제15항에 있어서, 상기 투명판은 유리로 형성되는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스층.
  17. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 부분의 두께는 1000 내지 5000Å인 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스층.
  18. 개스 방전 패널에 이용하기에 적합한 블랙 매트릭스층을 형성하는 방법에 있어서,
    (a) 크롬 스퍼터 타겟이 제공되는 스퍼터링 챔버 - 상기 스퍼터링 챔버 내에 기판이 배치됨 -에 실질적으로 일정한 비율로 아르곤원과 헥사플루우르에탄원을 제공하는 단계;
    (b) 실질적으로 균일한 조성을 갖는 크롬/탄소/플루우르막을 상기 기판상에 증착하여 블랙 매트릭스부를 형성하는 단계;
    (c) 상기 크롬/탄소/플루우르막을 연속적으로 증착하고 상기 스퍼터링 챔버에 공급되는 헥사플루우르에탄의 양을 서서히 줄여 제로로 함으로써 전이 영역을 형성하는 단계; 및
    (d) 실질적으로 순수한 크롬층의 연속적인 증착에 의해 상기 접착면을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스층 형성 방법.
  19. (a) 실질적으로 균일한 조성의 크롬/탄소/플루우르막을 갖는 제1 부분;
    (b) 상기 제1 부분으로부터의 거리가 증가함에 따라 연속적으로 감소하는 탄소/플루우르 함유물을 갖는 계조화 전이 영역; 및
    (c) 실질적으로 순수한 크롬막을 가지며, (a), (b), (c)의 각각의 두께는 동일하거나 상이한 것을 특징으로 하는 크롬/탄소/플루우르의 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층막.
  20. 제19항 기재의 적층막 형성 방법에 있어서,
    (a) 크롬 스퍼터 타겟이 제공되는 스퍼터링 챔버 - 상기 스퍼터링 챔버 내에 기판이 배치됨 -에 실질적으로 일정한 비율로 아르곤원과 헥사플루우르에탄원을 초기에 제공하는 단계;
    (b) 실질적으로 균일한 조성을 갖는 크롬/탄소/플루우르막을 증착하는 단계;
    (c) 상기 스퍼터링 챔버에 공급되는 헥사플루우르에탄의 양을 서서히 줄여 제로로 하고 상기 크롬/탄소/플루우르막을 연속하여 증착하는 단계; 및
    (d) 실질적으로 순수한 크롬층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층막 형성 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100430664B1 (ko) * 1997-10-03 2004-06-16 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 가스방전형표시장치의제조방법
JP2001160361A (ja) * 1999-09-21 2001-06-12 Mitsubishi Electric Corp プラズマディスプレイパネル用基板及びプラズマディスプレイパネル
KR100456144B1 (ko) * 2002-02-28 2004-11-08 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널용 블랙매트릭스 및 이를 이용한플라즈마 디스플레이 패널
JP4329817B2 (ja) * 2004-12-27 2009-09-09 旭硝子株式会社 パターン形成方法および電子回路
WO2006070649A1 (ja) * 2004-12-27 2006-07-06 Asahi Glass Co., Ltd. パターン形成方法および電子回路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5628882A (en) * 1995-02-17 1997-05-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for sputter deposition of a chromium, carbon and fluorine crystalline films

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS609029A (ja) * 1983-06-27 1985-01-18 Fujitsu Ltd ガス放電表示パネルの製造方法
US4556620A (en) * 1983-12-27 1985-12-03 Rca Corporation Image display including a light-absorbing matrix of zinc-iron sulfide and method of preparation
JP3122482B2 (ja) * 1991-05-22 2001-01-09 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
US5477105A (en) * 1992-04-10 1995-12-19 Silicon Video Corporation Structure of light-emitting device with raised black matrix for use in optical devices such as flat-panel cathode-ray tubes
WO1994020975A1 (en) * 1993-03-11 1994-09-15 Fed Corporation Emitter tip structure and field emission device comprising same, and method of making same
JP3647498B2 (ja) * 1995-02-20 2005-05-11 パイオニア株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP3163563B2 (ja) * 1995-08-25 2001-05-08 富士通株式会社 面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネル及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5628882A (en) * 1995-02-17 1997-05-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for sputter deposition of a chromium, carbon and fluorine crystalline films

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