KR100401004B1 - 마스크롬 구조 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- 메모리셀 어레이 영역 및 세크먼트 셀렉트 영역이 정의된 기판과,상기 기판의 메모리셀 어레이영역의 외곽부위 및 상기 세크먼트 셀렉트 영역의 매몰층 형성영역의 외곽부위에 형성된 제 1 및 제 2 트렌치와,상기 제 1 및 제 2트렌치를 매립시키는 각각의 소자격리막 및 격리패턴과,상기 구조의 기판 전면에 소정간격을 두고 제 1방향으로 배열되며, 상기 격리패턴에 의해 애워싸여진 각각의 매몰층과,상기 매몰층과 수직 교차하는 제 2방향으로 배열된 각각의 게이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 마스크롬 구조.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2트렌치는 상기 기판 표면으로부터 3000∼4000Å의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크롬 구조.
- 제 1항에 있어서,상기 게이트가 형성된 기판 전면을 덮는 보호막과,상기 보호막에 형성되어, 상기 세크먼트 셀렉트 영역의 매몰층을 일부 노출시키는 콘택과,상기 콘택을 덮는 비트라인을 추가하는 것을 특징으로 하는 마스크롬 구조.
- 메모리셀 어레이영역과 세크먼트 셀렉트 영역이 정의된 기판을 제공하는 단계와,상기 기판의 메모리셀 어레이영역의 외곽부위 및 상기 세크먼트 셀렉트 영역의 매몰층 형성영역의 외곽부위에 각각의 소자격리막 및 격리패턴을 형성하는 단계와,상기 결과물 상에 소정간격을 두고 제 1방향으로 배열되며, 상기 격리패턴에 의해 애워싸여진 각각의 매몰층을 형성하는 단계와,상기 매몰층과 수직 교차되는 제 2방향으로 배열되는 각각의 게이트를 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 마스크롬 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 소자격리막 및 격리패턴 형성은,상기 기판의 메모리셀 어레이영역의 외곽부위 및 상기 세크먼트 셀렉트 영역의 매몰층 형성영역의 외곽부위에 각각의 제 1 및 제 2트렌치를 형성하는 단계와,상기 제 1 및 제 2트렌치가 형성된 기판에 절연층을 형성하는 단계와,상기 절연층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리셀 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 절연층은 에치백 또는 화학기계적 연마 공정에 의해 식각하는 것을 특징으로 하는 메모리셀 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 매몰층 형성은,상기 소자격리막과 상기 격리패턴이 형성된 기판 전면에 패드산화막 및 질화막을 형성하는 단계와,상기 질화막 상에 매몰층 형성영역을 덮는 마스크 패턴을 형성하는 단계와,상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 질화막 및 상기 패드산화막을 제거하여 기판을 노출시키는 단계와,상기 마스크 패턴 및 상기 격리패턴을 블로킹 마스크로 하여 상기 노출된 기판에 불순물을 주입하는 단계와,상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 메모리셀 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2트렌치는 상기 기판 표면으로부터 3000 ∼4000Å 깊이로 식각하는 것을 특징으로 하는 마스크롬 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 게이트를 형성한 후에,상기 게이트가 형성된 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와,상기 보호막을 식각하여 상기 세크먼트 셀렉트 영역의 매몰층을 일부 노출시키는 콘택을 형성하는 단계와,상기 콘택을 덮는 비트라인을 형성하는 단계를 추가하는 것을 특징으로 하는 마스크롬 제조방법.
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