TW529133B - Mask ROM, and fabrication method thereof - Google Patents

Description

529133 A7 B7 五、發明説明（1 ) 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於罩幕式唯讀記憶體（mask ROM) 構造及其製造方法；更詳細而言，係關於與邏輯 製程的互換性優異，記憶胞的集積度高的罩幕式 唯讀記憶體構造及其製造方法。 罩幕式唯讀記憶體係一種非揮發性元件，將 必要的資訊，在元件的製造製程中亦即在元件的 隔離製程、金屬（metal)製程或是對記憶胞的通道 區域（channel region)離子植入的製程中，利用罩 幕製程，辨別資料（data)，來記憶必要的資訊。 第1圖係根據習知技術之平坦式晶胞（flat c e 11)型式之罩幕式唯讀記憶體之記憶胞的配置 圖。 利用邏輯製程製作罩幕式唯讀記憶體時，最 常被使用的形態，為第1圖所示的平坦式晶胞型 式之罩幕式唯讀記憶體。 此種平坦式晶胞型式之罩幕式唯讀記憶體， 如第1圖所示，係由包含：被定義有記憶胞陣列 區域（memory array cell region)(I)以及區段選擇 區域（segment select region)(II)的基板（100); 形成在基板（100)之記憶胞陣列區域（I)的外 圍部位的溝渠（trench)(未圖示）；在前述構造的基 板整個面，隔開一定間隔，被配置在第1方向之 各個埋入層（1 1 0);以及被配置在與埋入層（1 1 0) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) %_ 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 529133 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7_ — 、發明説明（2 ) 垂直交叉之第2方向上的各個閘極（1 14)所構成。 當製作前述平坦式晶胞型式之罩幕式唯讀記 憶體時，如第1圖所示，隔離製程，係為了記憶 胞之間的隔離，不進行另外的LOCOS或STI製 程，而在記憶胞陣列區域（I)的外圍部分進行，具 有包圍記憶胞陣列區域（I)全體的構造；記憶胞的 源極/沒極（s o u r c e / d r a i η)接合部，係利用在閘極 製程以前所形成的埋入層（110)，而不需要前述接 合部之間的隔離。 對於前述埋入層（110)接合部的接觸窗 (12 2)，並不存在於記憶胞陣列區域（I)内，而係 僅存在於區段選擇區域（II)内。又，前述閘極（1 14) 的寬度，為記憶胞的通道寬度。 因此，平坦式晶胞型式之罩幕式唯讀記憶 體，如前所述，在記憶胞内，由於沒有隔離膜和 接觸窗，所以記憶胞的尺寸為 4F2(F代表微影 (photolithography)的最小線寬）左右，因而能夠 高集積化，製程單純所以製造成本低。 當製作具有此種優點的平坦式晶胞型式之罩 幕式唯讀記憶體時，當應用〇 · 3 5 // m以前的設計 法則（design rule)的邏輯製程的情況，1)隔離製 程係藉由區域氧化法（LOCOS)來進行；2)閘極形 成用物質，係利用摻雜有N型雜質的多結晶矽和 矽化鈦（Ti-Salicide)、或是複晶矽-金屬矽化鶴 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) - 6 - 529133 A7 B7 五、發明説明（3 ) (tungsten-polycide); 3)在源極 / 汲極（source/drain) 接合部，則利用與閘極形成用物質相同的矽化 鈦。 又，將前述平坦式晶胞型式之罩幕式唯讀記 憶體，利用〇 . 2 5 // m以下的設計法則的邏輯製程 來製作的情況，1)隔離製程，係藉由溝渠（STI) 將記憶胞陣列區域全體包圍的形態來進行；2)閘 極形成用物質，係利用矽化鈦（Ti_Salicide)、或 是矽化鈷（Co-Salicide) ; 3)在源極/汲極 (s 〇 u r c e / d r a i η)接合部，則利用與閘極形成用物質 相同的矽化鈦、或是矽化鈷（Co-Salicide)。 因此，雖然到目前為止，與0 · 3 5 // m以前的 設計法則（d e s i g n r u 1 e)的邏輯具有互換性的平坦 式晶胞型式之罩幕式唯讀記憶體，已經可以被大 量製造；但是，與〇.25/zm以下的邏輯製程具有 互換性的平板賽路製程則尚未開發出來，所以迫 切地須對此進行研究。 第2圖係根據習知技術之平坦式晶胞型式之 罩幕式唯讀記憶體製程的流程圖。 【習知技術】 根據通常進行的習知技術之罩幕式唯讀記憶 體製造方法，如第2圖所示，係區分成：在記憶 胞陣列區域的外圍形成元件分離膜的隔離製 程；阱形成製程；埋入層形成製程；在記憶胞陣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210Χ 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 529133 A7 B7 五、發明説明（4 ) 列區域以及周邊區域，形成閘極絕緣膜以及閘極 之製程；在記憶胞陣列區域，進行記憶胞隔離用 離子植入製程；在周邊區域的閘極，進行源極/ 汲極形成製程；塗佈製程；以及在區段選擇區域 的埋入層，進行接觸窗形成製程和位元線形成製 程。 第3 a圖〜第3 c圖，係沿著第1圖的 A-B 線、B - C線以及C - D線切斷的製程剖面圖。 在第3 a圖〜第3 c圖中所示的圖面符號 a，係代表記憶胞陣列區域的主動區域（active region);符號b則代表主動區域的外圍部分亦即 周邊區域。 以下，一邊參照第3 a圖〜第3 c圖，一邊 更詳細地說明根據習知技術之罩幕式唯讀記憶 體製造方法。 根據習知技術之罩幕式唯讀記憶體製造方 法，如第3 a圖所示，首先，提供被定義有記憶 胞陣列區域（I)和區段選擇區域（II)的基板（100)。 接著，蝕刻前述基板（100)之記憶胞陣列區域 (I)之主動區域（a)的外圍部分，形成溝渠（103)。 然後，在已形成前述溝渠（1 〇 3 )的基板整個面上， 蒸鍍氧化矽等的絕緣膜之後，將前述絕緣膜回蝕 (etch back)、或是藉由化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing)製程，加以#刻，形成埋 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) %· -、可. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .8 · A7

529133 五、發明説明（5 ) 入前述溝渠（1〇3)内的元件隔離膜（1〇4)。 然後’在已形成前述元件隔離膜（丨〇 4)的基板 上’經由雜質植入製程，形成阱（well)(1〇2)。此 時，也可以先進行前述阱（1〇2)製程之後，再進行 元件隔離膜（104)製程。 接著’在已形成味（1〇2)的基板之記憶胞陣列 區域（I)和區段選擇區域（π)上，依序地進行微影 (ph〇t〇lithography)製程以及雜質植入製程形成 往同一方向配列的各個埋入層（110)(111)。 接著，在已形成前述結果的基板上，夾著閘 極絕緣層（112)，形成配置在與前述埋入層 (1 1 0) (1 1 1)成直角的方向上的各個閘極（J J 4)。 然後’雖然未加以圖示出來，在記憶胞陣列 區域（I)的主動區域（a)上，實施袼隔離用離子植入 之後’在其周邊區域（b)上，形成源極/汲極，然 後實施塗佈製程。 接著，如第3 c圖所示，將保護膜（丨2 〇)蒸鑛 在基板整個面上之後，在區段選擇區域（π)的埋 入層（1 1 1)中’形成作為用來與以後要形成的位元 線（未圖示）連結的連結通路之接觸窗（122)。 接著，形成通過前述接觸窗（122)導電地與區 段選擇區域（II)的埋入層（111)連結的位元線，完 成罩幕式唯讀記憶體的製造。 利用〇 · 2 5 β m以下的設計法則之邏輯製程， 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) % -、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 529133 A7 B7 五、發明説明（6 ) 來製作罩幕式唯讀記憶體時，元件隔離膜的形 成，如前所述，係藉由溝渠製程以及化學機械研 磨製程來進行。 通常，記憶胞的一個區段，具有32個的字元 線和1 0 2 4個的位元線。 因此，當要使區段的尺寸變小時，則構成同 一集積度之記憶胞的面積會增加。 若考慮閘極係以最小設計法則來設計，3 2個 的字元線所佔的高度約為 64F ;在此，若使區段 選擇端的高度約為 12F，則一個區段的高度為 76F。而且，該當於1024個的位元線的長度約為 2048F。亦即，一個區段的尺寸為 2048FX76F。 若考慮 0 · 2 5 // m以下的設計法則時，則為 5 1 2 X 1 9 # m 〇 而且，記憶胞係複數個區段的集合體。例如， 為了構成4M位元記憶胞陣列，如此的區段需要 1 2 8個。因此，4 Μ位元記憶胞陣列的尺寸約為 5 1 2 X 2 4 2 3 # m，此為構成構成記憶胞區塊之主動 區域的尺寸。 但是，習知的罩幕式唯讀記憶體的製造方 法，在記憶胞陣列區域寬的主動區域中，由於研 磨速度相對地不均勻，對於尺寸比 2 0 0 # m X 2 0 0 // m大的記憶胞，其研磨均勻度差。 又，埋入層，由於高集積度，微影係以被容 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 529133 A7 B7 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 許的最小尺寸來進行圖案形成，所以會有在記憶 胞陣列區域末端的邊界部處，難以進行圖案形成 的問題點。 【發明所欲解決之課題】 因此，本發明係為了解決上述課題而發明出 來，其目的為提供一種記憶胞製造方法，在形成 元件隔離膜之際，能夠一邊在所進行的研磨製程 中提高研磨均勻度，一邊在區段選擇區域和記憶 胞陣列區域的末端的邊界部，使埋入層容易圖案 形成。 【解決課題所用的手段】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 為了達成前述目的，本發明之罩幕式唯讀記 憶體，其特徵為係由：被定義有記憶胞陣列區域 以及區段選擇區域的基板；在前述記憶胞陣列區 域的外圍部位、以及前述區段選擇區域之埋入層 形成區域的外圍部位，所形成的第1以及第2溝 渠；分別埋入前述第1溝渠以及第2溝渠内之各 個元件隔離膜以及隔離圖案；在前述構造的基板 整個面，隔開一定間隔，被配置在第1方向，藉 由前述隔離圖案而被包圍的各個埋入層；以及 被配置在與前述埋入層垂直交叉之第 2方向 上的各個閘極所構成。 本發明之罩幕式唯讀記憶體的製造方法，其 特徵為包含：提供被定義有記憶胞陣列區域以及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 529133 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 區段選擇區域的基板之階段；在前述基板的記憶 胞陣列區域的外圍部位、以及前述區段選擇區域 之埋入層形成區域的外圍部位，分別形成元件隔 離膜、以及隔離圖案之階段；在已形成前述結果 的基板上，形成隔開一定間隔，被配置在第1方 向，藉由前述隔離圖案而被包圍的各個埋入層之 階段；以及形成被配置在與前述埋入層垂直交叉 之第2方向上的各個閘極之階段。 【本發明之實施形態】 以下，參照圖面來詳細地說明本發明之理想 實施形態。 第4圖係根據本發明之平坦式晶胞型式之罩 幕式唯讀記憶體之記憶胞的配置圖；第5圖係根 據本發明之區段選擇區域的配置圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的罩幕式唯讀記憶體，係由包含：被 定義有記憶胞陣列區域以及區段選擇區域的基 板；在基板（2 0 0)之記憶胞陣列區域的外圍部位以 及區段選擇區域之埋入層形成區域的外圍部 位，分別形成的各個第 1 以及第 2 溝渠 (203 )(20 5);分別埋入第1溝渠（203 )以及第2溝 渠（205)内之各個元件隔離膜（204)以及隔離圖案 (206);在前述構造的基板整個面，隔開一定間 隔，被配置在第1方向，藉由隔離圖案（206)而被 包圍的各個埋入層（210);以及在已形成埋入層 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) -12 - 529133 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (210)的基板上，被配置在與埋入層（210)垂直交 叉之第 2 方向上的各個閘極絕緣層（2 1 2 )以及閘 極（214)所構成。 第8 a圖〜第8 c圖，係沿著第4圖的E — F線、F — G線以及G — Η線切斷的製程剖面 圖。在第8 a圖〜第8 c圖中所示的圖面符號 c ，係代表記憶胞陣列區域的主動區域；符號d 則代表主動區域的外圍部分亦即周邊區域。 前述構成的本發明之罩幕式唯讀記憶體的製 造方法，如第8 a圖所示，首先，提供被定義有 記憶胞陣列區域（III)和區段選擇區域（IV)的基板 (200) 〇 接著，#刻前述基板（2 0 0)之記憶胞陣列區域 (III)之主動區域（c)的外圍部分以及區段選擇區 域（IV)之埋入層形成區域的外圍部分，分別形成 第1溝渠（2 03 )和第2溝渠（20 5)。此時，第1溝 渠（203)和第 2 溝渠（205)，係從基板（200)的表 面，被蝕刻 3000〜4000人的深度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，在已形成前述第1溝渠（2 03 )和第2溝 渠（2 0 5)的基板整個面上，蒸鍍氧化矽等的絕緣膜 之後，將前述絕緣膜回触、或是藉由化學機械研 磨製程，加以蝕刻，形成埋入第1溝渠（2 0 3 )和第 2溝渠（205)内的元件隔離膜（204)以及隔離圖案 (206) 〇 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) -13- 529133 A7 B7 五、發明説明（10 ) (請先閲tls背面之注意事項再填寫本頁} 此時，前述元件隔離膜（2 〇 4)’係被形成在記 憶胞陣列區域（111)之主動區域（c )的外圍部分；用 來隔離主動區域（c)和周邊區域（d)之間；前述隔 離圖案（206)，係被形成在區段選擇區域（IV)，用 來分別隔離以後要形成的區段選擇區域（IV)和記 憶胞陣列區域（III)之一端的埋入層。 然後，在已形成前述元件隔離膜（2 〇4)以及隔 離圖案（206)的基板上，實施雜質植入製程，形成 阱（well)(2〇2)。此時，前述元件隔離膜製程和前 述阱製程，也可以改變順序地進行。 接著，如第8b圖所示，在已形成阱（202)之 基板的整個面上，依序地進行微影製程以及雜質 植入製程，形成往同一方向配列的各個埋入層 (210)(211)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 前述埋入層（210)(211)，雖然未在圖面中表示 出來，係在已形成前述阱（202)之基板的整個面 上，依序地蒸鍍墊氧化膜以及氮化膜。然後，將 感光膜塗佈在前述氮化膜上，進行曝光和顯影， 形成覆蓋住埋入層形成區域的感光膜圖案。然 後，利用前述感光膜，除去前述氮化膜以及前述 墊氧化膜，在使基板露出的狀態下，植入雜質來 形成前述埋入層。 此時，圖面符號2 10係代表被形成在記憶胞 陣列區域（III)内的埋入層；圖面符號211則代表 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐） 14 529133 A7 B7 五、發明説明（η ) 被形成在區段選擇區域（IV)内之隔離圖案（206) 間的埋入層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第6圖係根據本發明之在區段選擇區域中的 埋入層形成用罩幕圖案平面圖；第7圖係根據本 發明之在區段選擇區域中的埋入層平面圖。 前述埋入層（2 1 0 )(2 1 1)圖案形成之際，係利用 具有如第6圖所示形狀的罩幕圖案。但是，實際 植入離子的區域，如第7圖所示，係在前述第6 圖之罩幕圖案區域中之除去隔離圖案（2 0 6)的部 分。 然後，在已形成前述結果的基板上，夾著閘 極絕緣層（212)，形成配置在與前述埋入層 (210)(211)成直角的方向上的各個閘極（214)。 接著，在記憶胞陣列區域（111)的主動區域（c ) 上’實施格隔離用離子植入（未圖示）之後，在其 周邊區域（d)上，形成源極/汲極（23 0)，然後實施 塗佈製程。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，如第8 c圖所示，將保護膜（220)蒸鍍 在基板整個面上之後，蝕刻前述保護膜（2 2 0 )，使 區段選擇區域（IV)的埋入層（211)露出，而形成接 觸窗（222)。前述接觸窗（2 2 2)係作為用來與以後 形成的位元線連結的連結通路。 接著，形成通過前述接觸窗（222)導電地與區 段選擇區域（IV )的埋入層（2 1 1 )連結的位元線（未 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 529133 A7 B7 五、發明説明（12 ) 圖示），完成罩幕式唯讀記憶體的製造。 【發明之效果】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如以上所述，本發明之罩幕式唯讀記憶體製 造方法，係在每個平坦式晶胞型式記憶胞陣列的 最小單位亦即各區段上，藉由增設隔離圖案，區 段選擇區域内的電晶體和在記憶胞陣列區域的 一端形成的記憶胞電晶體，由於不會受到埋入層 的影響，能夠維持全部一樣的元件特性。又，能 夠使用具有 〇 · 2 5 μ m以下的設計法則之邏輯製 程，來進行平坦式晶胞製程。 而且，藉由在各區段内之記憶胞陣列區域 内，主動區域的尺寸變小，使得由於化學機械研 磨所造成的不均勻度，獲得改善。 除此以外，本發明在不脫離其要旨的範圍 内，可以實施各種變更。 【圖式簡單說明】 第1圖係根據習知技術之平坦式晶胞型式之罩 幕式唯讀記憶體之記憶胞的配置圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2圖係根據習知技術之平坦式晶胞型式之罩 幕式唯讀記憶體製程的流程圖。 第3 a圖〜第3 c圖，係沿著第1圖的A — A 線、B — C線以及C — D線截面的製程剖 面圖。 第4圖係根據本發明之平坦式晶胞型式之罩幕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) -16 - 529133 A7 B7 五、發明説明（13 ) 式唯讀記憶體之記憶胞的配置圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第5圖係根據本發明之區段選擇區域的配置圖。 第6圖係根據本發明之在區段選擇區域中的埋 入層形成用罩幕圖案平面圖。 第7圖係根據本發明之在區段選擇區域中的埋 入層平面圖。 第8 a圖〜第8 c圖，係沿著第4圖的E — F 線、F — G線以及G — Η線切斷的製程剖 面圖。 【符號說明】 2 0 0 :基板 202 ：阱 203 > 205 ：溝渠 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 0 4 :元件隔離膜 206 :隔離圖案 2 1 0、2 1 1 ··埋入層 2 1 2 :閘極絕緣層 2 1 4 :閘極 2 2 0 :保護膜（層） 222 :接觸窗 c :主動區域 d ··周邊區域 III :記憶胞陣列區域 IV :區段選擇區域 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐） 17-

Claims (1)

1. 9 2 5 正克多#.¥年 3 t: 8 8 8 8 ABCD 第和从〆號專利案年？月修正 六、申請專利範圍 1 . 一種罩幕式唯讀記憶體構造，其特徵為係 — II — 垂 — IV — — I — 層 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由： 被定義有記憶胞陣列區域以及區段選擇區 域的基板， 在前述記憶胞陣列區域的外圍部位、以及 前述區段選擇區域之埋入層形成區域的外圍 部位，所形成的第1以及第2溝渠； 分別埋入前述第1溝渠以及第2溝渠内之 各個元件隔離膜以及隔離圖案； 在前述構造的基板整個面，隔開一定間 隔，被配置在第1方向上，且被前述隔離圖 案所包圍的各個埋入層；以及 被配置在與前述埋入層垂直交叉之第 2 方向上的各個閘極所構成。 2 .如申請專利範圍第1項所述之罩幕式唯讀記 憶體構造，其中前述第1溝渠和第2溝渠， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 係由前述基板的表面起，具有3000〜4000人的 深度。 3 .如申請專利範圍第1項所述之罩幕式唯讀記 憶體構造，係更有： 覆蓋形成於前述閘極之基板整個面上的保 護膜； 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 529133 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 中 膜 護 保 述 前 在 成 形 被 出 露 層 入 CcuJ 埋 之 域 區 份 部 擇 選及 段以 區 ； 述窗 前觸 使接 ，的 線 元 位 的 窗 接 述 前 蓋 覆 徵 特 其 法 方 造 製 的 體 憶 己 古口 讀 唯 式 幕·· 罩含 么"| 種包 一 為 4 供的前 提^在 區 擇 被 基 述 選 段 區 及 以 域 區 列 胞 隐 部 圍 外 的 域 區 列 胞 •， 立曰心 己段記 有階的 義之板 定板基 區 及 成以 形 、 層膜 入離 埋隔 之件 域元 區成 擇形 選別 段分 ； 區，段 述位階 前部之 及圍案 以外圖 、 的離 位域隔 在 成 S 形被包 已，被 隔 而 間案 定 圖 果 結 述 前 上 板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 Qul 第 個 在 各 置的 配圍 一 離 開隔及 隔述 α 成前 .， 形由段 ,藉階 ， 之 之 叉 交 直 垂 層 入 埋 述 前 與 在 置 配 被 成 形 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 記隔 讀及 唯以 式膜 幕離 罩隔 。 之件 段述元 階所述 之項前 極4中 閘 其 個第 ， 各圍法 的範方 上利造 向專製 方請的 2 申 體 第如憶 5 ，板 成基 形述 的前 案在 圖 離 含 包 係 ΚΓ 立口 圍 外 的 域 區 列 胞 憶 記 的 域溝 區 2 成第 形及 層 以 入渠 埋溝 之 1 域第 區成 擇形 選別 段分 區 ’ 述上 前位 及部 以 圍 、 外 位的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) -19- A B CD 529133 六、申請專利範圍 渠之階段； 在已形成前述第1和第2溝渠的基板上， 形成絕緣層之階段；以及 I虫刻前述絕緣層之階段。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之罩幕式唯讀記 憶體的製造方法，其中前述絕緣層，係藉由 回蝕或化學機械研磨製程，進行蝕刻。 了 .如申請專利範圍第4項所述之罩幕式唯讀記憶 體的製造方法，其中該埋入層的形成係包含： 在已形成前述元件隔離膜和前述隔離圖 案的基板整個面上，形成墊氧化膜以及氮化 膜之階段； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 成 和為中 記 形 膜 作板 讀第 層 化 ，基 唯和 入 氮；案的 式渠 埋 述段圖來 幕溝 蓋 前 階離出 。罩 1 覆 去之隔露 段之第 成 除出述述 階述述 形；，露前前 之所前 ， 段案板和入 案項中 上階圖基案植 圖 4 其 膜的幕 使圖質 幕第， 化案罩 ，幕雜 罩圍法 氮圖述膜罩將及 述範方 述 幕前化it， 以前#1造 前罩用 氧前幕 ·，去 專製 在之利墊將罩段除請的 域 述 蔽階 申體 區 前 屏之 如憶 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) A B CD 529133 六、申請專利範圍 溝渠，係由前述基板的表面起，钱刻 3000〜4000A的深度。 9 .如申請專利範圍第4項所述之罩幕式唯讀記 憶體的製造方法，係更追加有： 在形成前述閘極之後，在已形成前述閘 極之基板整個面上，形成保護膜之階段； 蝕刻前述保護膜，使前述區段選擇區域 的埋入層露出一部份，以形成接觸窗之階 段；以及 形成覆蓋前述接觸窗的位元線之階段。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 21- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 529133 id: 第3a圖 > m C D -100

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