KR100388929B1 - 압전식 구동 ｃｍｐ 캐리어를 구비하는 장치 및 그 구동방법 - Google Patents

압전식 구동 ｃｍｐ 캐리어를 구비하는 장치 및 그 구동방법 Download PDF

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Abstract

화학-기계적 연마(CMP) 콘트롤 시스템은 연마된 반도체 웨이퍼의 뒷면 양단의 압력 분포를 제어한다. 상기 시스템은 반도체 웨이퍼 지지을 위한 캐리어를 구비하는 CMP 장치를 포함한다. 상기 캐리어는 복수의 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함한다. 상기 액추에이터는 상기 반도체 웨이퍼 양단의 압력 변화를 감지하고 개별적으로 제어할 수 있다. 콘트롤은 감지된 압력 변화를 감시하기 위한 액추에이터에 연결되어 상기 액추에이터가 상기 반도체 웨이퍼 양단의 제어된 압력 분포를 제공하도록 제어한다.

Description

압전식 구동 ＣＭＰ 캐리어를 구비하는 장치 및 그 구동 방법{PIEZO-ACTUATED CMP CARRIER}
본 발명은 반도체 웨이퍼의 화학-기계적 연마(CMP)에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 보강 필름의 제어된 구동을 하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
화학-기계적 연마(CMP)는 상용 연마기로 반도체 웨이퍼 및/또는 칩의 공정에 사용된다. CMP 연마기는 원형으로 회전하는 연마 패드 및 웨이퍼를 홀딩하기 위한 회전식 캐리어를 가지고 있으나 시장에 막 진입한 신규 장치에는 패드 및 캐리어가 궤도 또는 선형 운동을 하도록 설계되어 있다. 일반적인 경우에, 슬러리(slurry)는연마 동작 초기에 연마 패드로 공급된다. 그러나, 새로운 장치는 고정 연마제 패드(Fixed Abrasive pads)라고 불리는 것을 사용하며, 이에 따라 연마제는 연마 패드 내에 내장되고 특정한 연마 공정을 위해 바람직한 DI 워터 또는 다른 화학 첨가물에 의해 활성화된다.
이상적으로, CMP 연마기는 국부적으로 평탄한 웨이퍼와 전체적으로 균일한 웨이퍼를 제공한다. 그러나, 웨이퍼 간의 전체 균일도는 달성하기 어렵다. 단단한 패드는 적합한 평탄도를 제공하기 위해 연마 테이블 또는 압판을 사용한다. 그러나, 이러한 패드는 허용 범위의 균일도를 발생하기 위해 층 아래에서는 부드러운 패드를 필요로 한다. 또, 연마가 웨이퍼 휨, 보강 필름의 파손, 연마 패드의 저하 또는 파손, 또는 불량한 슬러리 분포에 기인하여 저하될 수 있어 반경 내의 웨이퍼 뒷면으로의 공기 공급은 웨이퍼 뒷면의 제한된 영역으로 힘을 공급하기 위한 시도로 일반적 실행 방법이다.
최근, "에지 비드(edge bead)"라는 공지된 현상은 허용 생산량을 떨어뜨린다. 에지 비드는 100 ㎜ 웨이퍼의 반경 96 ㎜ 에서 나타나는 링 형태의 두꺼운 산화막이다. 또, 80 내지 90 ㎜ 에서 2 차적인 두께 변화가 관측된다. 예기치 않은 이해 할 수 없는 이유로 이러한 두께 변화의 위치는 웨이퍼 양단을 이동할 수 있다. 이것은 웨이퍼 주변에서 불량한 칩을 발생시키고 웨이퍼 양단에 걸쳐 국부적으로 칩 성능의 변화를 일으킨다. 또한, 연마된 필름을 가진 웨이퍼는 웨이퍼 표면 양단의 도핑, 두께 등 균일성을 변화시킬 수 있다. 이것은 웨이퍼 양단으로 다양하고 제어할 수 없는 연마율을 발생한다. 전술한 문제점은 현재 사용하고 있는 장치로 보상할 수 없다.
여러가지 기계적인 방법이 연마된 웨이퍼의 최종 두께 프로파일을 변화시키기 위해 시도되고 있다. 한 가지 방법은 캐리어 면의 고정된 곡면 또는 모양을 사용한다. 이것은 웨이퍼 중심에서 보다 큰 힘을 공급하도록 중심에서 캐리어면을 휨으로써 가장자리 두께 변화를 중심으로 제어하도록 되어 있다. 이것은 중심에서 가장자리까지 연마율을 증가시킨다.
다른 공지된 방법은 끼임쇠를 웨이퍼 보강 필름 뒤의 캐리어면에 부가한다. 이것은 광범위의 직경 및 폭으로 필요에 따라 편평한 캐리어를 회전될 수 있다.
그러나, 어느 모양으로의 캐리어면에 대한 밀링은 어느 범위의 결과를 제공하기 위해 수 많은 캐리어를 필요로 한다. 이것은 필요에 따라 한 모양의 캐리어에서 다른 모양의 캐리어로 변경하기 위해 상당한 시간을 필요로 한다.
본 발명은 신규하고 간단한 방법으로 전술한 여러가지 문제점을 해결하도록 발명되어 있다.
본 발명은 웨이퍼 간의 곡면성 또는 불균일도를 목표한 결과로 만들기 위한 실제 제어 기구를 제공한다. 본 발명 중 하나의 목적은 국부적이고 비곡면적 불균일성을 해결하는 수단을 제공한다. 본 발명의 다른 하나의 목적은 다이 레벨 범위내로 불균일도 콘트롤하는 수단을 제공하여, 이에 따라 칩 설계에 기인한 필름 연마율 변화를 해결한다.
본 발명의 한 특징은 웨이퍼용 캐리어를 가진 화학 기계적 연마(CMP) 장치로서 반도체 웨이퍼를 연마하는 CMP 장치로 나타낼 수 있다. 상기 캐리어는 캐리어 베이스 및 연마를 위해 상기 웨이퍼를 유지하기 위한 베이스가 장착된 웨이퍼 유지 링을 포함한다. 복수의 이중 기능 압전식 액추에이터는 유지링의 주위 내부로 베이스가 장착되어 있다. 상기 액추에이터는 상기 웨이퍼 양단의 압력 변화를 감지하고 상기 웨이퍼 양단의 제어된 압력 분포를 개별적으로 제어할 수 있다.
본 발명의 한 특징으로 상기 액추에이터는 박막 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함한다. 본 발명의 다른 특징으로 상기 액추에이터 및 상기 웨이퍼 사이의 상기 베이스에 장착된 보강 필름을 제공한다. 본 발명의 또 다른 특징으로 상기 액추에이터는 상기 보강 필름이 내장된다.
본 발명의 다른 특징은 연마되는 반도체 웨이퍼의 뒷면 양단의 압력 분포를 제어하기 위한 CMP 콘트롤 시스템으로 나타낼 수 있다. 상기 시스템은 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 캐리어를 가진 CMP 장치를 포함한다. 상기 캐리어는 복수의 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함한다. 상기 액추에이터는 상기 웨이퍼 양단의 압력 변화를 감지하고 개별적으로 제어할 수 있다. 콘트롤은 감지된 압력 변화를 감시하고 상기 웨이퍼 양단의 제어된 압력 분포를 제공하도록 상기 액추에이터를 제어하기 위해 상기 액추에이터에 연결된다.
본 발명의 한 특징으로 상기 콘트롤은 상기 웨이퍼의 다이 레이아웃에 따른 압력 분포를 제어하는 프로그램 콘트롤을 포함한다. 본 발명의 다른 특징으로 상기 콘트롤은 상기 캐리어에서 상기 웨이퍼의 방향을 결정하기 위한 노치 위치 프로그램(notch location program)을 포함하고 상기 콘트롤은 다이 레이아웃 및 소정의방향에 응답하여 압력 분포를 변화한다.
본 발명의 또 다른 특징은 CMP 시스템에서 반도체 웨이퍼를 연마하는 방법으로 나타낼 수 있다. 상기 방법은 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 캐리어를 가진 CMP 장치를 제공하는 단계들을 포함하고, 상기 캐리어는 복수의 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함하고, 상기 액추에이터는 상기 반도체 웨이퍼 양단의 압력 변화를 감지하고 개별적으로 제어할 수 있으며, 감지된 압력 변화를 감시하고, 상기 반도체 웨이퍼 양단의 제어된 압력 분포를 제공하도록 상기 액추에이터를 제어한다.
본 발명의 부가적인 특징은 CMP 시스템의 반도체 웨이퍼를 연마하는 방법을 수행하기 위한 저장된 명령어를 구비하는 컴퓨터 판독 가능한 스토리지 매체로 나타낼 수 있다. 상기 CMP 시스템은 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 캐리어를 가지고, 상기 캐리어는 복수의 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함하고, 상기 액추에이터는 웨이퍼 양단의 압력 변화를 감지하고 개별적으로 제어할 수 있다. 상기 방법은 감지된 압력 변화를 감시하는 단계와 상기 액추에이터가 상기 웨이퍼 양단의 제어된 압력 분포를 제공하도록 제어하는 단계를 포함한다. 상기 액추에이터는 박막 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함한다. 더우기, 컴퓨터 판독 가능한 스토리지 매체는 상기 웨이퍼의 다이 레이아웃에 관한 정보를 저장하고, 상기 제어하는 단계는 액추에이터가 상기 웨이퍼의 다이 레이아웃에 따라 제어된 압력 분포를 제공하도록 제어하는 단계를 더 포함한다. 더우기, 상기 웨이퍼는 상기 웨이퍼의 방향을 결정하기 위한 노치를 가지고, 상기 매체는 상기 노치의 위치에 따라 상기 웨이퍼의 상기 방향을 결정하기 위한 알고리즘을 저장하고, 상기 제어하는 단계는 상기 캐리어안의 상기 웨이퍼의 방향을 결정하도록 상기 알고리즘을 사용하여 프로그램을 실행하는 단계와 상기 액추에이터가 상기 다이 레이아웃 및 상기 소정의 방향에 응답하여 상기 압력 분포를 변화하도록 제어하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징 및 장점은 명세서 및 첨부되는 도면으로부터 명백하고 용이하다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 보강 필름의 제어된 구동을 위해 선택된 화학 기계적 연마(CMP) 장치 일부를 나타내는 측단면도.
도 2는 도 1 장치의 캐리어 일부를 나타내는 측입면도.
도 3은 보강 필름의 일부를 잘라 도 2 캐리어의 밑면의 일부를 나타낸 도면.
도 4는 도 2 캐리어의 전개도.
도 5는 도 2 캐리어의 액추에이터의 일부를 나타내는 투시도.
도 6은 도 1의 CMP 장치에 사용된 콘트롤 시스템을 나타내는 블록도.
도 7은 본 발명에 따른 압전식 액추에이터에 의해 유발된 국부 압력 변화를 도시하는 도 2 캐리어와 유사한 도면.
도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 다이 영역 내의 제한된 압력 변화를 나타내는 부분 투시도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 >
12 : 연마 테이블
14 : 회전식 캐리어
16 : 캐리어 베이스
18 : 압전식 삽입층
20 : 보강 필름
22 : 웨이퍼 유지링
24 : 제1 원형체
26 : 제2 원형체
30 : 원형 공동
41, 42, 43 : 압전식 액추에이터
50 : 콘트롤 시스템
52 : 입력 회로
54 : 출력 회로
56 : 콘트롤
도 1은 CMP 장치(10)를 나타내고 있다. CMP 장치(10)는 전술한 바와 같은 광범위한 설계 및 혁신 기술을 포함한 경우에도, 전반적으로 종래의 구성으로 원형의 연마 테이블(12) 및 회전식 캐리어(14)를 포함하고 있다. 본 발명에 따라, 상기 캐리어(14)는 후술되는 바와 같이 웨이퍼 보강 필름의 제어된 구동을 위해 선택된다. CMP 장치(10)는 집적회로를 포함하는 반도체 웨이퍼 및 칩을 연마하기 위해 집적회로 제조 공정 중에 사용된다.
도 2 내지 4에 도시한 바와 같이, 상기 캐리어(14)가 좀더 상세히 나타난다. 상기 캐리어(14)는 캐리어 베이스(16), 압전식 삽입층(18), 보강 필름(20) 및 웨이퍼 유지링(22)을 포함한다.
상기 베이스(16)는 제1 원형체(24) 및 제1 원형체보다 작은 직경을 가진 제2 구면 원형체(26)를 포함하고 있다. 상기 제2 원형체(26)는 상기 제1 원형체(24) 하부에 장착되어 있다. 상기 유지링(22)은 상기 제2 원형체의 외경에 대응하는 내경을 가지며, 외경은 제1 원형체(24)의 외경과 실질적으로 동일하다. 상기 유지링(22)의 축 길이는 제2 원형체(26)의 축 길이보다 크다. 상기 유지링은 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 제2 원형체(26)를 둘러싸며 상기 베이스(16)에 장착되며, 그 하부면(28)은 원형 공동(30)을 한정하도록 상기 제2 원형체(26)의 하부면(32) 아래로 확장된다. 압전식 삽입층(18) 및 보강 필름(20)은 도 2에 도시한 바와 같이 원형 공동(30) 내에 놓여진다. 특히, 압전식 삽입층(18)은 이후 압전식 삽입층(18) 하부에 놓여지는 보강 필름(20)을 가진 상기 제2 원형체 하부면(32)에 장착된다. 도 2에 도시한 바와 같이, 원형 공동(30)의 일부는 후술되는 바와 같이 반도체 웨이퍼를 지지하기 위해 상기 보강 필름(20) 하부에 있다.
종래와 같이, 복수의 경로(34)는 진공 연결을 위해 제2 원형체(26)을 통해 제공된다. 보강 필름(20)은 도 3에 도시한 바와 같이, 복수의 구경(36)을 포함한다. 상기 경로(34)는 진공원에 연결되어, 사용중에는 원형 공동(30) 내의 반도체 웨이퍼를 홀딩한다. 다른 대안의 캐리어 설계는 후면 공기 및/또는 진공을 사용하지 않고 있다. 본 발명은 이러한 캐리어 설계에도 적용할 수 있다.
압전식 삽입층(18)은 복수의 박막, 이중 기능 압전식 액추에이터를 사용한다. 도 5에 도시한 바와 같이, 3 개의 압전식 액추에이터(41, 42 및 43)가 나타내져 있다. 도시한 대로, 제1 압전식 액추에이터(41)는 x 방향으로 제1 세트의 도체(44) 및 y 방향으로 제2 세트의 도체(46)를 포함하고 있다. z 방향으로 제1 압전식 액추에이터(41)에 가해진 힘은 x 방향의 대향면인 상기 도체들(44)간에 전압을 발생시킨다. 반대로, y 방향의 상기 제2 세트의 도체들(46)간에 인가된 전압은 z 방향으로 제1 압전식 액추에이터(41)의 팽창을 유발한다. 따라서, 상기 제1 압전식 액추에이터(41)는 단일 패키지내에서 즉각적인 응답 제어를 위한 실시간 피드백을 제공한다. 작은 크기 및 감도 범위는 연마 공정 중 웨이퍼 양단의 변화하는 압력을 감시하고 응답하는 업무에 사용된다.
도시하지 않았더라도, 상기 액추에이터 (42 및 43)는 별도의 도체를 포함하고 상기 액추에이터(41)과 유사하게 동작한다.
상기 캐리어(14) 그대로의 특정한 크기, 모양 및 동작 범위는 상기 웨이퍼 크기, 모양 및 두께로부터 결정된다. 각 액추에이터(41-43)의 특정한 크기 및 모양은 가장 작은 다이 크기 및 칩 치수 즉, 연마되는 패턴 밀도로부터 결정된다. 도 5는 3 개의 액추에이터(41-43)를 나타내었지만, 상기 압전식 삽입층(18)은 수백 개의 액추에이터를 포함할 수 있다.
상기 압전식 삽입층(18)은 상기 보강 필름(20) 하부에 독립적으로 나타내었지만 상기 보강 필름(20)은 제거될 수 있다. 대안으로, 상기 압전식 삽입층(18)은 보강 필름(20)에 내장될 수 있다. 내장 압전식 액추에이터는 상기 보강 필름(20)의 물질 조성에 내재하는 임의의 가변성을 보상한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 콘트롤 시스템(50)이 나타난다. 콘트롤 시스템(50)은 압전식 액추에이터(41)에 연결되어 도시된다. 상기 콘트롤 시스템(50)은 입력 인터페이스 회로(52), 출력 인터페이스 회로(54) 및 콘트롤(56)을 포함한다. 입력 인터페이스 회로는 상기 도체(44) 양단에 연결되지만, 출력 인터페이스 회로(54)는 상기 제2 도체(46) 양단에 접속된다. 도시하지 않았지만, 특별한 캐리어(12)를 사용한 모든 액추에이터는 상기 입력 회로 및 출력 회로(52 및 54)에 각각 접속된다.
상기 콘트롤(56)은 마이크로프로세서, 마이크로콘트롤러, 개인용 컴퓨터 등과 같은 소프트웨어 제어 장치를 포함한다. 상기 콘트롤(56)은 적당한 저장 매체를 포함하고, 상기 액추에이터(41)와 같은 상기 액추에이터 동작을 제어하기 위해 저장된 프로그램에 따라 동작한다. 상기 콘트롤 동작은 필요 또는 목표한 바에 따라 완전 자동, 반자동 또는 수동으로 할 수 있다. 완전 자동 시스템으로 사용 중에, 상기 콘트롤(56)은 모든 상기 액추에이터에 의해 감지됨에 따라 웨이퍼 양단의 압력 변화를 판독하고, 상기 웨이퍼 양단의 균일한 압력 분포에 도달할 때까지 상기 압전식 액추에이터의 하나 또는 그 이상을 활성화함으로써 그 자리(in situ)에서 압력 변화를 보상할 수 있다. 웨이퍼(w)는 상기 캐리어(14)에 장착되며, 도 7에 나타나 있다. 압전식 삽입층(18)은 상기 액추에이터(41 및 42)와 같은 개별의 압전식 액추에이터에 의해 유발된 국부 압력 변화를 나타낸다.
도 8은 단일 칩(61, 62, 63 및 64)을 나타내도록 분할된 상기 웨이퍼(w)의 단편을 나타낸다. 상기 칩(61 및 63)은 낮은 패턴 밀도를 가지며, 관련 액추에이터(41 및 43)가 구동되도록 한다. 상기 다이 (62 및 64)는 높은 패턴 밀도를 가지며, 관련 액추에이터(42 및 66)를 비활성되도록 한다. 따라서, 본 발명에 따른 상기 콘트롤 시스템(50)은 상기 웨이퍼(w) 양단의 균일한 압력 분포를 제공한다.
반자동 모드로, 전술한 상기 콘트롤 시스템은 사용자가 상기 압전식 삽입층(18)의 매트릭스 내의 임의의 소자의 구동을 대신하도록 함으로써 향상된다. 이것은 압력의 함수가 아니고 상기 웨이퍼(w) 양단의 공지된 변화율로 제어하도록사용된다. 이러한 변수는 포함되지만, 연마된 상기 필름의 불균일 도핑 또는 필름 두께의 불균일로 제한되지 않는다. 이러한 조건의 어느 것도 액추에이터로 감지되지 않지만, 양자는 연마율에 상당한 영향을 준다.
웨이퍼(w)는 종래의 수단에 의해 상기 캐리어(14)로 로드된다. 전형적으로, 상기 웨이퍼는 기준 위치를 표시하는 노치를 제공한다. 상기 콘트롤(56)은 직렬로 구동하는 노치 위치 알고리즘을 초기화하고, 각각의 압전식 액추에이터는 상기 층(20)의 최외각부에 놓이고 응답 압력을 판독한다. 상기 소자가 상기 노치가 활성화되는 중에 놓여지는 경우에, 상기 응답 압력은 모든 다른 소자보다 작다. 이것은 전술한 진공 압력을 사용하여 상기 웨이퍼(w)가 항상 상기 노치가 놓여지는 공지된 방향으로 홀딩되도록 허용한다.
상기 콘트롤(56)은 메모리 소자 내의 다이 레이아웃, 크기 및 패턴 밀도로 다양한 웨이퍼 맵이 홀딩될 수 있는 적당한 메모리를 포함한다. 일단 노치가 상기 노치 위치 알고리즘을 사용하여 놓여지는 경우에, 적절한 웨이퍼 맵은 상기 공지된 기준 위치에 따라 적절한 압전식 액추에이터로 다운로드될 수 있다. 이것은 낮은 패턴 밀도의 영역중에 위치한 상기 소자를 활성화함으로써, 다이 패턴 밀도 변화를 효과적으로 복사하며, 도 8에 설명한 바와 같이 상기 영역에 국부 압력 및 연마율을 증가하게 한다. 이것은 상기 제품형에 맞춰 미리 설정되어 제공한다. 콘트롤 시스템(50)은 이후 국부 또는 전체 압력 변화가 국부 평탄성을 개선하기 위해 어떻게든 사전 설정을 유지하도록 판독하고 반응한다.
따라서, 본 발명은 연마 사이클 중 웨이퍼 뒷면 양단의 힘의 동적 재분포를공급하도록 박막 이중 기능 압전식 액추에이터를 사용하는 실제 콘트롤 기구가 제공된다.
본 발명은 특정한 실시예로서 기술하였지만, 전술한 바와 같이 수많은 대안 실시예, 수정 및 변화 실시예가 가능하고 이는 당업자에게도 명백하다. 따라서, 본 발명은 후술하는 청구항 및 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 대안 실시예, 수정 및 변화 실시예가 가능하도록 되어 있다.
화학-기계적 연마(CMP) 콘트롤 시스템은 연마된 반도체 웨이퍼의 뒷면 양단의 압력 분포를 제어한다. 상기 시스템은 반도체 웨이퍼 지지을 위한 캐리어를 구비하는 CMP 장치를 포함한다. 상기 캐리어는 복수의 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함한다. 상기 액추에이터는 상기 반도체 웨이퍼 양단의 압력 변화를 감지하고 개별적으로 제어할 수 있다. 콘트롤은 감지된 압력 변화를 감시하기 위한 액추에이터에 연결되어 상기 액추에이터가 상기 반도체 웨이퍼 양단의 제어된 압력 분포를 공급하도록 제어한다.

Claims (20)

  1. 반도체 웨이퍼를 연마하기 위해 상기 웨이퍼용 캐리어를 구비한 화학기계적 연마 장치(CMP)에 있어서,
    캐리어 베이스와,
    상기 베이스상에 장착되는 보강 필름과,
    상기 웨이퍼를 지지하기 위해 상기 베이스에 장착되는 웨이퍼 지지 링과,
    상기 지지 링 주위에서 상기 보강 필름내에 내장되며 상기 베이스에 장착되는 복수의 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함하며,
    상기 액추에이터는 상기 웨이퍼의 압력 변화를 감지하고, 상기 웨이퍼의 압력 분포를 조절하기 위해 개별적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액추에이터는 박막 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함하는 화학기계적 연마 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 연마되는 반도체 웨이퍼 뒷면 양단의 압력 분포를 제어하기 위한 화학기계적 연마 콘트롤 시스템에 있어서,
    상기 웨이퍼를 지지하기 위한 캐리어와 상기 캐리어에 장착되는 보강 필름을 구비하는 CMP 장치 - 상기 캐리어는 상기 보강 필름내에 내장되는 복수의 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함하고, 상기 액추에이터는 웨이퍼 양단의 압력 변화를 감지하고 개별적으로 제어됨 - 와,
    상기 액추에이터에 연결되며, 상기 웨이퍼의 압력 변화를 감시하고 상기 웨이퍼의 압력 분포를 조절하기 위해 상기 액추에이터를 제어하기 위한 콘트롤을 포함하는 화학기계적 연마 콘트롤 시스템.
  6. 제5항에 있어서, 상기 액추에이터는 박막 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함하는 화학기계적 연마 콘트롤 시스템.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제5항에 있어서, 상기 콘트롤은 상기 웨이퍼의 다이 레이아웃에 따라 압력 변화를 제어하는 프로그램된 콘트롤을 포함하는 화학기계적 연마 콘트롤 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 상기 콘트롤은 상기 캐리어 안의 상기 웨이퍼의 방향을 결정하기 위한 노치 위치 프로그램을 포함하고 상기 콘트롤은 상기 다이 레이아웃 및 상기 결정된 방향에 응답하여 압력 분포를 가변하게 하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 콘트롤 시스템.
  11. 화학기계적 연마 콘트롤 시스템으로 반도체 웨이퍼를 연마하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼를 지지하기 위한 캐리어와 상기 캐리어에 장착되는 보강 필름을 구비하는 CMP 장치 - 상기 캐리어는 상기 보강 필름내에 내장되는 복수의 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함하고, 상기 액추에이터는 웨이퍼 양단의 압력 변화를 감지하고 개별적으로 제어됨 - 를 제공하는 단계와,
    상기 웨이퍼의 압력 변화를 감시하는 단계와,
    상기 웨이퍼의 압력 분포를 조절하기 위해 상기 액추에이터를 제어하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 CMP 장치를 제공하는 단계는 박막 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함하는 액추에이터를 제공하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제11항에 있어서, 상기 제어하는 단계는 상기 웨이퍼의 다이 레이아웃에 따라 압력 변화를 제어하는 프로그램된 콘트롤로 동작하는 단계를 더 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제어하는 단계는 상기 캐리어 안의 상기 웨이퍼의 방향을 결정하기 위한 노치 위치 프로그램을 실행하고 상기 콘트롤은 다이 레이아웃 및 상기 결정된 방향에 응답하여 압력 분포를 가변하게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법.
  17. 화학 기계적 연마 시스템에서 반도체 웨이퍼를 연마하기 위한 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼를 지지하기 위한 캐리어와 상기 캐리어에 장착되는 보강 필름을 구비하는 CMP 장치 - 상기 캐리어는 상기 보강 필름내에 내장되는 복수의 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함하고, 상기 액추에이터는 웨이퍼 양단의 압력 변화를 감지하고 개별적으로 제어됨 - 를 제공하는 단계와,
    컴퓨터 판독 가능한 기록 매체- 상기 기록 매체에는 웨이퍼의 압력 변화를 감시하는 명령을 포함한 반도체 웨이퍼를 연마하는 명령과 상기 웨이퍼의 압력 분포를 제어하기 위해 상기 액추에이터를 제어하는 명령이 저장됨- 를 제공하는 단계와,
    상기 저장된 명령에 따라 상기 액추에이터를 제어하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 액추에이터는 박막 이중 기능 압전식 액추에이터를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 매체는 상기 웨이퍼의 다이 레이아웃에 관한 정보를 저장하고, 상기 제어 단계는 액추에이터가 상기 웨이퍼의 상기 다이 레이아웃에 따라 제어된 압력 분포를 제공하도록 제어하는 단계를 더 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 웨이퍼는 상기 웨이퍼의 방향을 결정하기 위한 노치를 가지고, 상기 기록 매체는 상기 노치의 위치에 따라 상기 웨이퍼의 상기 방향을 결정하기 위한 알고리즘을 저장하며, 상기 제어 단계는,
    상기 캐리어 안의 상기 웨이퍼의 방향을 결정하기 위해 상기 알고리즘을 사용하여 프로그램을 실행하는 단계와,
    상기 다이 레이아웃 및 상기 결정된 방향에 응답하여 상기 압력 분포를 시키기 위해 상기 액추에이터를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법.
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