KR100361643B1 - 고전압 전해축전지용 양극 전극의 제조방법 - Google Patents
고전압 전해축전지용 양극 전극의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100361643B1 KR100361643B1 KR1020000001537A KR20000001537A KR100361643B1 KR 100361643 B1 KR100361643 B1 KR 100361643B1 KR 1020000001537 A KR1020000001537 A KR 1020000001537A KR 20000001537 A KR20000001537 A KR 20000001537A KR 100361643 B1 KR100361643 B1 KR 100361643B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide film
- etching
- aluminum
- surface area
- mol
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 23
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 abstract 2
- COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N aluminium sulfide Chemical compound [Al+3].[Al+3].[S-2].[S-2].[S-2] COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 abstract 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 abstract 1
- 235000010210 aluminium Nutrition 0.000 description 25
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 229940075397 calomel Drugs 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical compound Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- UPIXZLGONUBZLK-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt].[Pt] UPIXZLGONUBZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- -1 sulfuric acid ion Chemical class 0.000 description 1
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/139—Processes of manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S205/00—Electrolysis: processes, compositions used therein, and methods of preparing the compositions
- Y10S205/917—Treatment of workpiece between coating steps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
본 발명은 고전압 전해축전지용 전극의 고면적 알루미늄 산화물 제조방법에 관한 것이다. 종래에 차세대 에너지 저장장치의 하나인 알루미늄 전해 축전지의 표면적 증가에 따른 축전용량을 증가시키는 방법으로서 산화(anodizing)를 통한 산화피막이 형성되어 있지 않은 순수한 알루미늄 박표면을 염화이온이 함유된 용액내에서 에칭(etching)하는 방법은 박표면에 형성된 자연피막의 영향으로 균일한 두께의 산화피막을 얻기 힘들고, 에칭 후 산화면적이 크므로 산화시간이 오래 걸리는 단점이 있다. 또한 황산이온을 첨가하여 표면적 증대를 기대한 다른 기존방법에서는 황산이온이 알루미늄 박의 전체표면에 흡착되므로 음극에 수화알루미늄황화물 침전물이 형성되어 전기적 특성을 감소시키는 영향이 있다. 본 발명은 에칭하기 전, 균일한 두께의 산화피막을 얻고, 선택적으로 에칭된 부분만 재산화하여 표면적이 증가된 산화피막을 제조하였다. 본 발명은 선택적으로 에칭된 부분만 재산화하므로서, 산화시간이 비교적 짧고, 산화피막이 노출된 부분에만 흡착되므로 터널 형성반응이 효과적으로 발생하는 장점이 있다. 또한 실제로 에칭후 재산화 공정을 첨가하므로써 초기 두께의 산화피막을 형성하면 교류임피던스 장치를 이용하여 증가된 정전용량 및 표면적을 단시간에 정확하게 알 수 있다. 본 발명은 균일한 두께와 넓은 표면적의 특성을 지니는 유전체 산화피막의 제조할 수 있게 되어 전해축전지의 정전용량을 증대시킬 수 있을 것으로 기대된다.
Description
본 발명은 고전압 전해축전지(high volt electrolytic capacitor)용 전극의 고면적 알루미늄 산화물 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세히 설명하자면 염화이온 (chloride ion)과 황산이온(sulfate ion)이 동시에 함유되어 있는 용액에서 부식 시킨후 표면적이 증가된 순수한 알루미늄 산화피막(pure aluminum oxide film)을 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 알루미늄 전해 축전지는 양극(anode) 재료로 알루미늄 박(foil)을 사용하고 유전체(dielectric material)로서 양극 표면에 산화피막을 형성시키고, 음극(cathode) 전해질로는 알루미늄 박을 사용하며 두 전극사이에 전해질로서 유기용매나 고체전해질을 사용하여 구성된다. 전해 축전지의 축전용량(capacitance )을 증가시키기 위해서는 유전체의 높은 정전용량(dielectric constant), 넓은 표면적 및 얇은 두께를 가져야 한다. 현재까지 사용되고 있는 전해축전지용 알루미늄박의 제조공정은 원재료인 고순도(99.99 % 이상) 알루미늄 박의 표면을 조면화함으로써 표면적의 증대를 꾀하는 에칭공정과 유전체 피막을 형성하는 화성공정의 두단계로 이루어진다. 따라서 정전용량을 증가시키기 위하여 알루미늄박에 적당한 원소를 첨가시켜 주거나, 표면을 조면화시키는 방법으로 수용액내에 다른 이온들을 첨가하여 전기화학적 또는 화학적방법으로 에칭(etching)하고 있다.
지금까지 알려진 전해 축전지용 알루미늄 전극의 표면적 증가방법은 모두 산화피막을 형성시키기 전 알루미늄 박표면을 우선적으로 에칭하는 방법으로서 표면을 조면화하기 위하여 황산이온을 첨가하여 에칭률(etchability)을 증가시킨 경우도 있었다. 그러나 알루미늄 박을 에칭한 후 산화피막을 형성한 경우에는 피막형성 중에 황산이온에 의해 형성되었던 작은 터널(tunnel) 들이 차단되어 버리므로 표면적 증가효과가 감소되었다. 또한 산화피막 형성시간이 길기 때문에 산화피막내에 수분함량이 높게되므로, 탈수화(dehydration)에 오랜 시간이 필요하게 된다.
본 발명과 관련된 종래기술은 알윗(Electrochemical Tunnel Etching of Alum inium, R. S. Alwitt, H. Uchi, T. R. Beck and R. C. Alkire, Journal of the ele ctrochemical society, V. 131, p13-17, 1984)과 플리스(Effect of Sulphate Anios on Tunnel Etching of Aluminium, J. Flis and K. Kowalczyk, Journal of Applied Electrochemistry, V. 25, p501-507, 1995)의 연구가 있으나 전자는 수산화이온을 첨가하여 40℃의 NaCl용액에서 산화막이 형성되어 있지 않은 알루미늄 박 표면에 터널 에칭하는 방법이고, 후자는 황산이온을 첨가하여 100℃의 NaCl 용액에서 역시 산화막이 형성되어 있지 않은 알루미늄 박의 터널 형성이 가속화되는 것에 관한 것으로 본 발명과는 기술적 구성이 다른 것이다. 또한 미국특허 3,316,164호는 NaCl 용액내에 황산이온을 첨가하여 초기면적에 비해 20 배 증가된 알루미늄 박을 제조하는 방법으로서 에칭공정시 황산이온이 박의 전체표면에 흡착되므로 음극에 수산화알루미늄황하물 침전물이 형성되는 단점이 있다. 또 다른 미국특허 5,062,025는 알루미늄과 다른 금속의 필라멘트를 복합시켜 표면적이 증가된 전해축전지를 제조하는 방법으로서 표면적증가에 의하여 증가된 정전용량은 기존 장치(universal imp edance bridge)를 이용하여 측정한 것으로 본 발명과는 기술적 구성이 다른 것이다.
본 발명은 우선 알루미늄표면에 산화피막을 균일하게 형성하고, 염화이온과 황산이온이 동시에 함유되어있는 용액내에서 공식(pitting)을 통해 표면적을 증가시킨후, 재산화를 이용하여 황산이온의 첨가 효과가 극대화 된 전극을 제조함을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 전 공정을 도식적으로 나타낸 플로우챠트이다.
도 2는 피막형성전압에 대하여 형성된 알루미늄 산화피막의 두께를 측정한 것이다.
도 3은 산화피막이 형성된 알루미늄전극을 25℃ 온도의 용액내에 위치시키고, 개회로 포텐셜(open circuit potential)에서 애노딕포텐셜 +1.0 VSCE으로 점핑 (jumping)한 후 100 초간 유지하면서 에칭할 때 얻어진 전류와 시간 사이의 곡선이다.
도 4는 산화피막이 형성된 알루미늄전극을 60℃ 온도의 용액내에 위치시키고, 개회로 포텐셜에서 애노딕포텐셜 +1.0 VSCE으로 점핑한 후 100 초간 유지하면서 에칭할 때 얻어진 전류와 시간 사이의 곡선이다.
도 5는 산화피막이 형성된 알루미늄전극을 80℃ 온도의 용액내에 위치시키고, 개회로 포텐셜에서 애노딕포텐셜 +1.0 VSCE으로 점핑한 후 100 초간 유지하면서에칭할 때 얻어진 전류와 시간 사이의 곡선이다.
도 6은 재산화(reanodizing)후 형성된 알루미늄 전극의 정전용량을 25℃, 60℃, 80℃온도의 수용액에 첨가한 황산이온의 농도에 따라 나타낸 것이다.
본 발명을 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다. 도 1은 본 발명의 전 공정을 도식적으로 나타낸 플로우차트이다. 전극으로서 130㎛ 두께의 99.99% 순수한 알루미늄 박을 사용하였고, 이를 0.5 몰의 H3BO3과 0.05 몰의 Na2B4O7혼합용액내에서 전류밀도 1 mA cm-2으로 전압이 30V가 되도록 산화피막을 형성하였다. 이 전극을 황산이온이 0 몰, 0.01 몰 (1420 ppm), 0.1 몰(14200 ppm) 함유된 25℃, 60℃, 80℃ 의 0.01 몰 염화나트륨(NaCl) 용액에서 전위를 1 VSCE로 300 초간 인가하여 에칭하였다. 여기에 산화피막의 두께가 일정하도록 초기 산화피막형성시와 동일한 조건하에서 재산화(re-anodizing)시킨 후, 교류임피던스(ac impedance) 장치를 이용하여 정전용량을 측정한다.
도 2는 피막형성전압에 대하여 형성된 알루미늄 산화피막의 두께를 타원편광계(ellipsometry) 와 교류임피던스법(EIS)으로 각각 측정한 것이다. 10V, 20V, 30V의 전압용 산화피막에 대하여 교류임피던스법으로 측정된 정전용량으로부터 계산된 두께는 타원편광계로 직접 측정한 두께와 서로 잘 일치하고 있음을 알 수 있다. 이로부터 교류임피던스법을 통해 두께 측정하는 방법의 신뢰성을 얻을 수 있다.
도 3, 4, 5는 산화피막이 형성된 알루미늄전극을 각각 25℃, 60℃, 80℃ 온도의 용액내에 위치시키고, 개회로 포텐셜(open circuit potential)에서 애노딕포텐셜 +1.0 VSCE으로 점핑(jumping)한 후 100 초간 유지하면서 에칭할 때 얻어진 전류와 시간 사이의 곡선이다. 이를 얻기 위한 전극시스템의 구성요소인 기준전극(re ference electrode)과 보조전극(counter electrode)은 각각 포화칼로멜전극(satura ted calomel electrode : SCE) 과 백금(platinum)을 사용하였다. 도 3 에서는 모든 용액에서 시간에 따라 애노딕 전류밀도는 증가하다가 최대점에 도달하는 것이 관찰되었다. 이때 황산이온이 함유되지 않은 용액에 비해서, 함유된 용액에서는 전류밀도가 보다 천천히 증가하는 것이 관찰되는데, 이는 황산이온존재로 전극표면에 형성되는 핏트(pit)의 수가 감소하기 때문이다. 따라서 핏팅(pitting) 초기 단계에서는 염화이온함유 수용액내에 첨가된 황산이온이 핏팅의 억제제로 작용함을 알 수 있다. 그러나 용액의 온도가 증가함에 따라 0.1 몰의 황산용액 첨가시 전류가 시간에 따라 급격히 증가함이 관찰되었고, 전류 대 시간곡선의 면적도 증가하는 것으로부터 알루미늄 전극표면의 에칭이 상당히 증가하였음을 알 수 있다.
도 6은 표면이 에칭된 알루미늄전극을 0.5 몰의 H3BO3과 0.05 몰의 Na2B4O7혼합용액내에서 전류밀도 1 mA cm-2으로 전압이 30V가 되도록 재산화시킨후, 형성된 알루미늄 산화피막의 정전용량을 여러 온도의 수용액에 첨가한 황산이온의 농도에 따라 나타낸 것이다. 전류 대 시간곡선에서 예상한 바와 같이 측정된 정전용량은 0.1 몰 황산용액이 함유된 염화나트륨 수용액에서 급격히 증가된 값을 나타내고 있다.
표 1 은 측정된 정전용량 값으로부터 계산된 표면적을 종합하여 나타낸 것이다. 에칭용액의 온도가 80℃ 이고 첨가한 황산이온의 농도가 0.1 몰인 경우, 시편의 초기면적 (1 cm2) 에 비하여 약 33 배의 면적증가효과를 얻었다.
표 1. 측정된 정전용량 값으로부터 계산된 표면적(단위: cm2, 시편의 초기면적: 1 cm2)
| 용액온도 (℃)첨가된SO4 2-이온농도 (몰) | 25 | 60 | 80 |
| 0 | 2.58 | 3.79 | 6.22 |
| 0.01 | 1.21 | 3.41 | 6.82 |
| 0.1 | 1.29 | 7.28 | 33.35 |
본 발명은 고전압 전해축전지용 전극으로 사용되었던 기존의 알루미늄박에서 획득할 수 없었던 균일한 두께와 넓은 표면적의 특성을 지니는 유전체 산화피막을 제조할 수 있게 됨에 따라 전해축전지의 정전용량을 증대시킬 수 있을 것으로 기대된다.
Claims (4)
- 붕산 용액내에서 알루미늄박을 산화하여 균일한 두께의 산화피막을 형성시킨 후, 0.01 ~ 0.1몰의 황산이온이 함유된 NaCl 용액내에서 에칭하여 표면을 국부적으로 용해시키고, 이를 재산화하여 표면이 거친 산화피막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 고전압 전해축전지용 아노드 전극의 제조방법
- 제 1항에 있어서, 붕산용액은 0.5 mol의 H3BO3와 0.05 mol의 Na2B4O7혼합 용액으로 산화피막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 고전압 전해축전지용 아노드 전극의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,에칭시 용액의 온도는 25℃∼80℃ 임을 특징으로 하는 고전압 전해축전지용 아노드 전극의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,황산이온을 첨가하여 에칭한 직후, 0.5 몰의 H3BO3과 0.05 몰의 Na2B4O7혼합용액내에서 전류밀도 1 mA cm-2로 전압이 30V가 되도록 산화피막을 재형성시키는 것을 특징으로 하는 고전압 전해축전지용 아노드 전극의 제조방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000001537A KR100361643B1 (ko) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | 고전압 전해축전지용 양극 전극의 제조방법 |
| US09/691,153 US6440288B1 (en) | 2000-01-13 | 2000-10-19 | Method for preparing anode electrode for high voltage electrolytic capacitor |
| DE10053736A DE10053736B4 (de) | 2000-01-13 | 2000-10-30 | Verfahren zur Herstellung einer Anode für einen elektrolytischen Hochspannungs-Kondensator |
| JP2000333646A JP3600519B2 (ja) | 2000-01-13 | 2000-10-31 | 高電圧電解蓄電器用陽極電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000001537A KR100361643B1 (ko) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | 고전압 전해축전지용 양극 전극의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010073279A KR20010073279A (ko) | 2001-08-01 |
| KR100361643B1 true KR100361643B1 (ko) | 2002-11-21 |
Family
ID=19638333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000001537A KR100361643B1 (ko) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | 고전압 전해축전지용 양극 전극의 제조방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6440288B1 (ko) |
| JP (1) | JP3600519B2 (ko) |
| KR (1) | KR100361643B1 (ko) |
| DE (1) | DE10053736B4 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014081085A1 (ko) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 전극의 제조 방법, 상기 방법에 따라 제조된 전극, 및 상기 전극을 포함하는 리튬 이차 전지 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4793957B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2011-10-12 | ニチコン株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 |
| KR100840218B1 (ko) * | 2007-02-09 | 2008-06-23 | 한국기계연구원 | ＮａＣｌ이나 소금으로 코팅된 산화물을 볼밀링하여 13.9 ㎡／ｇ 이상의 비표면적을 갖는 산화물의 제조방법 및 그 사용방법 |
| CN100527300C (zh) * | 2007-07-13 | 2009-08-12 | 厦门大学 | 铝电极箔表面的改性方法 |
| US8192605B2 (en) * | 2009-02-09 | 2012-06-05 | Applied Materials, Inc. | Metrology methods and apparatus for nanomaterial characterization of energy storage electrode structures |
| CN104726846B (zh) * | 2015-03-06 | 2017-03-29 | 西安电子科技大学 | 基于高密度有序铜纳米线催化的大面积石墨烯制备方法 |
| CN105336499A (zh) * | 2015-08-03 | 2016-02-17 | 肇庆华锋电子铝箔股份有限公司 | 一种电解电容器阳极铝箔腐蚀的前处理方法 |
| CN106340404B (zh) * | 2016-09-12 | 2018-11-27 | 肇庆华锋电子铝箔股份有限公司 | 一种低压铝电解电容器用高介电纳米复合氧化膜阳极箔的制备方法 |
| CN107634227B (zh) * | 2017-08-21 | 2020-07-03 | 清华大学 | 铝集流体及其制备方法，以及锂二次电池及其制备方法 |
| CN110428972A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-08 | 南通赛克斯电子有限公司 | 一种铝电解电容器氧化膜贴敷成形设备 |
| CN113327771B (zh) * | 2021-05-11 | 2022-08-23 | 东莞顺络电子有限公司 | 一种片式导电聚合物电容器封装方法及电容器 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4671858A (en) * | 1983-10-06 | 1987-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making anode foil for an aluminum electrolytic capacitor |
| JPH01212423A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JPH02114620A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| US5078845A (en) * | 1988-08-24 | 1992-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for preparing an electrode foil for use in aluminum electrolytic capacitors |
| JPH04196305A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Elna Co Ltd | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JPH07176454A (ja) * | 1993-10-28 | 1995-07-14 | Kobe Steel Ltd | 電解コンデンサ電極材料用アルミニウム箔および電解コンデンサ陰極材料 |
| KR19990086418A (ko) * | 1998-05-28 | 1999-12-15 | 권호택 | 알루미늄 전해콘덴서용 양극포일 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3316164A (en) * | 1964-04-23 | 1967-04-25 | Sprague Electric Co | Etching of aluminum foil |
| US4276129A (en) * | 1980-06-25 | 1981-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing foil electrodes for electrolytic capacitor |
| JPH07119152B2 (ja) * | 1987-12-18 | 1995-12-20 | 富士写真フイルム株式会社 | 平版印刷版用アルミニウム支持体の電解粗面化処理方法 |
| US5062025A (en) * | 1990-05-25 | 1991-10-29 | Iowa State University Research Foundation | Electrolytic capacitor and large surface area electrode element therefor |
| US5194127A (en) * | 1992-01-24 | 1993-03-16 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for etching an aluminum foil for an electrolytic capacitor |
| US5660737A (en) * | 1995-05-17 | 1997-08-26 | Ventritex, Inc. | Process for making a capacitor foil with enhanced surface area |
-
2000
- 2000-01-13 KR KR1020000001537A patent/KR100361643B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-19 US US09/691,153 patent/US6440288B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-30 DE DE10053736A patent/DE10053736B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-31 JP JP2000333646A patent/JP3600519B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4671858A (en) * | 1983-10-06 | 1987-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making anode foil for an aluminum electrolytic capacitor |
| JPH01212423A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| US5078845A (en) * | 1988-08-24 | 1992-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for preparing an electrode foil for use in aluminum electrolytic capacitors |
| JPH02114620A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JPH04196305A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Elna Co Ltd | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JPH07176454A (ja) * | 1993-10-28 | 1995-07-14 | Kobe Steel Ltd | 電解コンデンサ電極材料用アルミニウム箔および電解コンデンサ陰極材料 |
| KR19990086418A (ko) * | 1998-05-28 | 1999-12-15 | 권호택 | 알루미늄 전해콘덴서용 양극포일 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014081085A1 (ko) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 전극의 제조 방법, 상기 방법에 따라 제조된 전극, 및 상기 전극을 포함하는 리튬 이차 전지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6440288B1 (en) | 2002-08-27 |
| DE10053736A1 (de) | 2001-08-02 |
| KR20010073279A (ko) | 2001-08-01 |
| JP3600519B2 (ja) | 2004-12-15 |
| JP2001196275A (ja) | 2001-07-19 |
| DE10053736B4 (de) | 2006-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100361643B1 (ko) | 고전압 전해축전지용 양극 전극의 제조방법 | |
| Alwitt | The anodic oxidation of aluminum in the presence of a hydrated oxide | |
| JP2663544B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| Di Paola et al. | Anodic oxide films on tungsten—I. The influence of anodizing parameters on charging curves and film composition | |
| JPH0235443B2 (ko) | ||
| WO1999065043A1 (fr) | Feuille electrode pour condensateur electrolytique solide, son procede de fabrication, et condensateur electrolytique solide | |
| El-Basiouny et al. | Kinetic studies of the dissolution behaviour of anodic oxide films on Zr in H2SO4 | |
| CN109791850B (zh) | 电极用铝部件及电极用铝部件的制造方法 | |
| US3190822A (en) | Process for electrolytically etching valve metal surfaces | |
| JP2663541B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| CN1805088A (zh) | 一种铝电解电容器介电质膜的制备方法 | |
| JPS61210191A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ箔のエツチング法 | |
| Carr et al. | The differential capacitance of polycrystalline gold in aqueous solutions | |
| JP3478039B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法 | |
| Olthuis et al. | Preparation of iridium oxide and its application in sensor-actuator systems | |
| JP3480311B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP3453984B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 | |
| Koshel et al. | Nonstationary processes that occur on nonpolarizable lead surface in sulfuric acid | |
| KR20080084218A (ko) | 나노 다공성 전극을 이용한 고감도 마이크로밸런스 및 그제조방법 | |
| JP3544768B2 (ja) | 電解コンデンサ用電極箔の化成方法 | |
| SU655746A1 (ru) | Анод дл электрохимического получени двуокиси марганца | |
| JP2785565B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| US3471378A (en) | Method of manufacturing elemental part for dry type electrolytic condenser | |
| JP2000260665A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP3722466B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20061101 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |