KR100354873B1 - 모드 레지스터 세팅 제어장치 - Google Patents

모드 레지스터 세팅 제어장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 메모리장치에서 사용되는 모드 레지스터 세팅 제어장치에 관한 것으로, 특히 외부입력 명령신호를 전달받아 버퍼링하며 디스에이블시 모드 레지스터 세팅 명령신호의 인가시와는 상보 전위레벨을 갖는 출력신호를 발생시키는 커맨드 버퍼링수단과, 상기 커맨드 버퍼링수단으로부터 내부 명령신호를 전달받아 이를 디코딩하며 상기 커맨드 버퍼링수단의 디스에이블시 전달받은 내부 명령신호를 마스킹하는 커맨드 디코딩수단을 구비하므로써, 커맨드 버퍼의 디스에이블시 모드 레지스터 세팅신호가 불필요하게 활성화되어 새로운 모드 레지스터를 오동작을 일으켜 세팅시키는 것을 방지하여 전체적인 회로동작의 안정화를 도모하도록 한 모드 레지스터 세팅 제어장치에 관한 것이다.

Description

모드 레지스터 세팅 제어장치{Mode register setting controller}
본 발명은 반도체 메모리장치에서 사용되는 모드 레지스터 세팅 제어장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 커맨드 버퍼의 디스에이블시 모드 레지스터 세팅신호가 불필요하게 활성화되어 새로운 모드 레지스터를 오동작을 일으켜 세팅시키는 것을 방지하므로써 전체 회로동작의 안정화를 도모하도록 한 모드 레지스터 세팅 제어장치에 관한 것이다.
일반적으로, 모드 레지스터 세팅(Mode Register Setting: MRS) 명령신호는 카스 레이턴시(Cas Latency)나 버스트 길이(Burst Length)를 결정하는 명령신호로, 비정상적으로 모드 레지스터가 세팅될 경우 메모리 칩은 동작을 하지않게 되거나 잘못된 데이타를 출력하게 되어 전체적인 회로동작의 안정화를 저하시키게 된다.
도 1 은 일반적으로 사용되는 모드 레지스터 세팅 제어장치의 블럭 구성도를 도시한 것으로, 내부적으로 모드 레지스터 세팅 명령신호가 인에이블되는 과정을 동 도면을 참조하며 설명하면, 우선 각종 명령신호(예를들어, rasb, casb, web, csb 등)가 커맨드 버퍼(10)를 거쳐 버퍼링되어진 후 커맨드 디코더(20)를 거쳐 선택된 명령신호가 래치(30)를 거쳐 세팅되는 경우와, 상기 커맨드 버퍼(10)를 거쳐 버퍼링된 내부 명령신호가 일차적으로 래치(30)를 거쳐 래치된 후 후단의 커맨드 디코더(20)를 거쳐 선택되어 세팅되는 경우가 있다.
도 2 는 종래에 사용된 모드 레지스터 세팅 제어장치내 커맨드 버퍼(10)의 회로 구성도를 도시한 것으로, p-type 전류-미러 구조를 갖는 차동 증폭기로 이루어진다.
상기 p-type 전류-미러 구조의 차동 증폭기는 이미 공지된 사항이므로, 자세한 구성 설명은 생략하기로 한다.
상기 구성을 갖는 커맨드 버퍼의 활성화 여부를 결정짓는 인에이블 제어신호(ckeb_com)는 셀프 리프레쉬 모드(self refresh mode)나 파워-다운 모드(power-down mode)에서는 커맨드 버퍼내 소모 전류량을 줄이기 위해 '로직하이'의 상태로 인가되는 한편, 상기 커맨드 버퍼를 동작시키는 동작모드에서는 '로직로우'의 상태로 인가되어 진다.
따라서, 커맨드 버퍼(10)를 동작시키지 않을 때에는 상기 인에이블 제어신호(ckeb_com)가 '로직하이'로 인가되면서 출력 데이타신호(Vout)를 '로직하이'로 제어하게 된다.
한편, 상기 인에이블 제어신호(ckeb_com)가 '로직로우'로 인가되어 상기 커맨드 버퍼(10)를 인에이블시키게 되면 입력 데이타신호(Vin)가 '로직하이'인 경우에는 그 출력 데이타신호(Vout)를 '로직로우'로, 또한 상기 입력 데이타신호(Vin)가 '로직로우'인 경우에는 그 출력 데이타신호(Vout)를 '로직하이'로 발생시키게 된다.
상기한 바와 같이 동작하는 커맨드 버퍼(10)를 거쳐 버퍼링된 내부 명령신호는 도 3 에 도시된 회로 구성을 갖는 커맨드 디코더(20)를 거쳐 래치되거나, 래치되어진 후 커맨드 디코더를 거쳐 디코딩되어 진다.
그런데, 종래기술에 따른 모드 레지스터 세팅 제어장치에서는 도 2 에 도시된 구성을 갖는 커맨드 버퍼(10)의 출력 데이타신호(Vout)가 모드 레지스터 세팅 명령신호가 인가되는 경우와 상기 커맨드 버퍼(10)의 디스에이블을 위해 상기 인에이블 제어신호(ckeb_com)가 '로직하이'로 인가되어지는 경우 모두 '로직하이'로 출력되면서 동작상의 문제가 발생하게 된다.
상기한 두 경우의 차이점은 상기 래치(30)의 인에이블 제어를 위해 인가되는 클럭신호(clkp2)가 상기한 모드 레지스터 세팅 명령신호의 인가시에는 활성화되어 인가되는 한편, 상기 커맨드 버퍼(10)가 디스에이블되는 경우에는 비활성화되어야 한다는 데 있다.
그런데, 이 경우 내부 노이즈 발생에 의해 상기 래치(30)의 인에이블 제어를 위해 인가되는 클럭신호(clkp2)가 잠시라도 활성화되어 인가되어지게 되면, 명령신호를 받아들이지 않기 위해 상기 커맨드 버퍼(10)를 디스에이블시킨 경우에도 새로운 모드 레지스터를 세팅시킬 수 있게 된다.
이로 인해, 메모리 칩이 오동작을 일으키도록 하는 원인을 제공하게 되는 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 커맨드 버퍼의 디스에이블시 모드 레지스터 세팅신호가 불필요하게 활성화되어 새로운 모드 레지스터를 오동작을 일으켜 세팅시키는 것을 방지하므로써 전체 회로동작의 안정화를 도모하도록 한 모드 레지스터 세팅 제어장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 모드 레지스터 세팅 제어장치는 외부입력 명령신호를 전달받아 버퍼링하며 디스에이블시 모드 레지스터 세팅 명령신호의 인가시와는 상보 전위레벨을 갖는 출력신호를 발생시키는 커맨드 버퍼링수단과,
상기 커맨드 버퍼링수단으로부터 내부 명령신호를 전달받아 이를 디코딩하며 상기 커맨드 버퍼링수단의 디스에이블시 전달받은 내부 명령신호를 마스킹하는 커맨드 디코딩수단를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 커맨드 버퍼링수단은 n-type 전류-미러 구조를 갖는 차동 증폭기로 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 커맨드 버퍼링수단을 종래와 같이 p-type 전류-미러 구조를 갖는 차동 증폭기로 구성하는 경우, 그 출력단에 출력신호와 버퍼 인에이블 제어신호를 조합하여 디스에이블시 모드 레지스터 세팅 명령신호의 인가시와는 상보 전위레벨을 갖는 출력신호를 발생시키는 출력 구동부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 커맨드 디코딩수단은 각 출력단으로부터 발생되는 각각의 내부 명령신호와 상기 커맨드 버퍼링수단의 인에이블 제어신호를 조합하여 상기 내부 명령신호들의 마스킹 여부를 제어하는 마스킹 제어부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.
도 1 은 일반적으로 사용되는 모드 레지스터 세팅 제어장치의 블럭 구성도
도 2 는 종래에 사용된 모드 레지스터 세팅 제어장치내 커맨드 버퍼의 회로 구성도
도 3 은 종래에 사용된 모드 레지스터 세팅 제어장치내 커맨드 디코더의 회로 구성도
도 4 는 본 발명에 따른 모드 레지스터 세팅 제어장치에서 사용되는 커맨드 버퍼의 일 실시예를 도시한 회로 구성도
도 5 는 본 발명에 따른 모드 레지스터 세팅 제어장치에서 사용되는 커맨드 버퍼의 다른 실시예를 도시한 회로 구성도
도 6 은 본 발명에 따른 모드 레지스터 세팅 제어장치에서 사용되는 커맨드 버퍼의 또 다른 실시예를 도시한 회로 구성도
도 7 은 본 발명에 따른 모드 레지스터 세팅 제어장치에서 사용되는 커맨드 디코더의 일 실시예를 도시한 회로 구성도
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
1, 3: 출력 구동부 5: 마스킹 제어부
10: 커맨드 버퍼 20: 커맨드 디코더
30: 래치
상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4 는 본 발명에 따른 모드 레지스터 세팅 제어장치에서 사용되는 커맨드 버퍼의 일 실시예를 도시한 회로 구성도로, 디스에이블시 모드 레지스터 세팅 명령신호의 인가시와는 상보 전위레벨을 갖는 출력신호를 발생시키기 위해 n-type 전류 -미러 구조를 갖는 차동 증폭기로 구성하게 된다.
상기 n-type 전류-미러 구조의 차동 증폭기는 이미 공지된 사항이므로, 자세한 구성 설명은 생략하기로 한다.
상기 구성에 의해, 인에이블 제어신호(ckeb_com)가 '로직로우'로 인가되어 커맨드 버퍼를 인에이블시키게 되면, 최종 출력 데이타신호(Vout)는 입력 데이타신호(Vin)가 '로직하이'로 인가되는 경우 '로직로우'로 출력되며, 상기 입력 데이타신호(Vin)가 '로직로우'로 인가되는 경우에는 '로직하이'로 출력되면서 커맨드 버퍼(10)의 디스에이블시와는 반대의 위상을 갖게 되면서, 상기 커맨드 버퍼(10)의 디스에이블시에는 모드 레지스터 명령신호를 오동작으로 세팅시키는 것을 방지할 수 있게 되는 것이다.
도 5 와 도 6은 본 발명에 따른 모드 레지스터 세팅 제어장치에서 사용되는 커맨드 버퍼의 다른 실시예를 각각 도시한 회로 구성도로, 도 2 에 도시된 바와 같이 p-type 전류-미러 구조를 갖는 차동 증폭기로 구현하는 경우 그 출력단에 출력신호와 상기 커맨드 버퍼(10)의 인에이블 제어신호(ckeb_com)를 조합하여 상기 커맨드 버퍼(10)의 디스에이블시 모드 레지스터 세팅 명령신호의 인가시와는 상보 전위레벨을 갖는 출력신호를 발생시키는 출력 구동부(1, 3)를 각각 추가로 구비하여 구성된다.
상기 구성에 의해, 커맨드 버퍼(10)의 디스에이블시 최종 출력 데이타신호(Vout)를 '로직로우'로 출력하게 되므로써, 모드 레지스터 명령신호가 세팅상태로 진입하는 것을 차단하게 되는 것이다.
도 7 은 본 발명에 따른 모드 레지스터 세팅 제어장치에서 사용되는 커맨드 디코더의 일 실시예를 도시한 회로 구성도로, 도 3 에 도시된 기본 커맨드 디코더의 구성에 각 출력단으로부터 발생되는 각각의 내부 명령신호(rasc, casc, testmc, pcgc, mrsc, rdc, wrtc 등)와 상기 커맨드 버퍼(10)의 인에이블 제어신호(ckeb_com)를 각각 노아조합하여 상기 내부 명령신호들의 마스킹 여부를 제어하는 마스킹 제어부(5)를 추가로 구비하여 구성한다.
상기 구성에 의해, 커맨드 버퍼(10)의 디스에이블시 상기 인에이블 제어신호(ckeb_com)의 조합에 의해 커맨드 버퍼(10)를 거쳐 전달된 내부 명령신호가 상기 커맨드 디코더(20)를 거쳐 마스킹되도록 제어하므로써, 새로운 모드 레지스터 명령신호의 세팅을 차단하게 되는 것이다.
이상에서 설명한 바와같이 본 발명에 따른 모드 레지스터 세팅 제어장치에 의하면, 커맨드 버퍼의 디스에이블시 모드 레지스터 세팅신호가 불필요하게 활성화되어 새로운 모드 레지스터를 세팅시키므로써 야기되는 오동작을 방지하게 되므로써, 전체적인 회로동작의 안정화를 도모할 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (4)

  1. 외부입력 명령신호를 전달받아 버퍼링하며, 디스에이블시 모드 레지스터 세팅 명령신호의 인가시와는 상보 전위레벨을 갖는 출력신호를 발생시키는 커맨드 버퍼링수단과,
    상기 커맨드 버퍼링수단으로부터 내부 명령신호를 전달받아 이를 디코딩하며, 상기 커맨드 버퍼링수단의 디스에이블시 전달받은 내부 명령신호를 마스킹하는 커맨드 디코딩수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 모드 레지스터 세팅 제어장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 커맨드 버퍼링수단은 n-type 전류-미러 구조를 갖는 차동 증폭기로 구성하는 것을 특징으로 하는 모드 레지스터 세팅 제어장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 커맨드 버퍼링수단은 p-type 전류-미러 구조를 갖는 차동 증폭기로 구성하되, 그 출력단에 출력신호와 버퍼 인에이블 제어신호를 조합하여 디스에이블시 모드 레지스터 세팅 명령신호의 인가시와는 상보 전위레벨을 갖는 출력신호를 발생시키는 출력 구동부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 모드 레지스터 세팅 제어장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 커맨드 디코딩수단은 각 출력단으로부터 발생되는 각각의 내부 명령신호와 상기 커맨드 버퍼링수단의 인에이블 제어신호를 조합하여 상기 내부 명령신호들의 마스킹 여부를 제어하는 마스킹 제어부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 모드 레지스터 세팅 제어장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09259582A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Fujitsu Ltd モードレジスタ制御回路およびこれを有する半導体装置
KR19990051397A (ko) * 1997-12-19 1999-07-05 윤종용 반도체 메모리 장치의 멀티비트 제어 회로
KR19990057715A (ko) * 1997-12-30 1999-07-15 윤종용 반도체장치의 모드 레지스터 셋 회로 및 동작 모드설정방법
KR19990074904A (ko) * 1998-03-16 1999-10-05 윤종용 동기식 반도체 기억 장치를 위한 어드레스 래치장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09259582A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Fujitsu Ltd モードレジスタ制御回路およびこれを有する半導体装置
KR19990051397A (ko) * 1997-12-19 1999-07-05 윤종용 반도체 메모리 장치의 멀티비트 제어 회로
KR19990057715A (ko) * 1997-12-30 1999-07-15 윤종용 반도체장치의 모드 레지스터 셋 회로 및 동작 모드설정방법
KR19990074904A (ko) * 1998-03-16 1999-10-05 윤종용 동기식 반도체 기억 장치를 위한 어드레스 래치장치 및 방법

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