KR100352086B1 - 반도체웨이퍼의연마장치및연마방법 - Google Patents
반도체웨이퍼의연마장치및연마방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100352086B1 KR100352086B1 KR1019980000742A KR19980000742A KR100352086B1 KR 100352086 B1 KR100352086 B1 KR 100352086B1 KR 1019980000742 A KR1019980000742 A KR 1019980000742A KR 19980000742 A KR19980000742 A KR 19980000742A KR 100352086 B1 KR100352086 B1 KR 100352086B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- semiconductor wafer
- cleaning
- semiconductor
- machine
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 157
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 14
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 11
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 24
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 1
- 238000007494 plate polishing Methods 0.000 claims 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 수직방향으로 배치된 웨이퍼 연마장치 및 방법은 수직방향으로 배치된 연마기와, 반도체 웨이퍼 캐리어와, 웨이퍼를 손상시키고 또 웨이퍼 연마장치의 연마율을 감소시킬 수도 있는 오염물을 제거하는 것에 의해서 연마기를 세정하는 세정 모듈을 포함한다. 이 연마기는 웨이퍼 연마장치의 "작업 중지 시간"을 감소시키므로, 소정의 시간 주기에서 양호하게 연마된 웨이퍼의 수율을 증가시킨다.
Description
본 발명은 화학 기계적 연마(CMP) 방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 연마기용 세정 모듈을 갖는 수직방향으로 배치된 연마기를 사용하여 반도체 웨이퍼를 연마하는 방법 및 장치(기계)에 관한 것이다.
현재의 화학 기계적 연마기의 설계는 통상 하나 또는 그 이상의 수평방향으로 배치된 연마 패드를 포함하는데, 이 연마 패드는 회전되고 그리고 회전 웨이퍼가 연마 패드와 접촉하도록 가압될 때 슬러리 용액으로 포화된다. 연마 패드가 회전함에 따라, 웨이퍼는 연마된다. 그러나, 현재의 연마 방법이 진보함에 따라서, 피막의 잔류물, 슬러리의 응집물, 패드의 파편 및 다른 이물질이 슬러리와 혼합되고 그리고 종종 패드의 재료내에 매립된다. 그 결과, 잔류물, 응집물 및 파편이 웨이퍼를 손상시킬 수 있다.
이러한 문제점을 방지하기 위하여, 현재의 패드 세정 및 컨디셔닝(conditioning) 기법에 의하면, 통상적으로 웨이퍼를 연마한 다음, 웨이퍼를 제거한 후에 웨이퍼를 손상시키는 입자를 제거하여, 세정공정과 연마공정간의 상호작용을 회피하고 있다. 유감스럽게도, 이러한 기법은 웨이퍼를 손상시키는 입자를 제거하기 위해 "작업 중지 시간(down-time)"을 부여하는 것에 의해 CMP 공정의 전체 속도를 저하시킨다. 그 결과, 소정의 연마기에 대한 연마된 웨이퍼의 수율은 매우 감소된다.
본 발명의 장점은 전술한 문제점을 해결하기 위한 특이한 장치 및 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 있어서, 수직방향으로 배치된 연마기와, 반도체 웨이퍼의 홀더와, 연마기용 세정/컨디셔닝 모듈(cleaning/conditioning module)을 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치가 제공된다.
세정/컨디셔닝 모듈의 설치에 의하여, 피막의 잔류물, 슬러리의 응집물, 패드의 파편 및 다른 이물질이 연마 공정을 돕기 위해 연마기와 웨이퍼의 계면에 공급되는 슬러리에 혼합되는 것이 방지된다. 연마기의 세정/컨디셔닝은 연마기의 수직 배치에 의해 더욱 지원되는데, 그 이유는 중력으로 인해 소망하지 않는 오염물이 연마 표면으로부터 낙하되기 때문이다. 따라서, 본 발명에 따르면, 연마 공정이 계속 진행될 때, 오염물이 연마기내에 초기에 매립되는 것이 방지되므로, 연마장치의 연마율이 증가한다. 또한, 일단 오염물이 세정 모듈에 의해 연마기로부터 제거되면, 그 오염물은 연마기로부터 멀리 침하되어 세정공정을 연마작업으로부터 더욱 분리한다는 점에서, 중력은 세정공정을 지원한다. 그 결과, 소정의 연마기에요구되는 "작업 중지 시간"은 상당히 감소되므로, 양호하게 연마된 웨이퍼의 수율이 증가한다.
연마기는 본 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 형태를 취할 수도 있다. 예를 들면, 바람직한 일 실시예에 있어서, 연마기는 실질적으로 수평축을 중심으로 회전하는 실질적으로 원형의 연마 테이블에 장착된 연마 패드이다. 본 발명에 따라 연마기를 회전시키기 위하여, 다양한 구동 기구를 생각할 수 있다. 예를 들면, 연마 테이블에는 중앙에 위치된 모터 구동 샤프트를 설치할 수도 있다. 변형예로, 연마 테이블은 그 테이블의 외주부와 접촉하는 다수의 휠(wheels)에 의해서 지지될 수도 있으며, 휠 중 적어도 하나는 테이블을 회전시키도록 구동된다.
본 발명에 따른 제 2 변형예로서, 연마 테이블은 그의 외주부상에 다수의 기어 치(gear teeth)가 제공될 수도 있다. 테이블을 이러한 구성으로 지지하고 구동하기 위해, 2개의 변형예를 생각할 수 있다. 첫째로, 한 세트의 기어 휠을 연마 테이블에 인접하여 장착하되, 각 기어가 연마 테이블의 기어 치중 적어도 하나와 맞물리게 할 수 있다. 연마 테이블을 회전 구동하기 위하여, 지지 기어중 하나가 구동된다. 둘째로, 테이블을 회전가능하게 지지하고 회전 구동하기 위하여, 프레임에 베어링을 설치할 수도 있다. 이 베어링은 프레임과 연마 테이블의 외주부 사이에 제공된다. 그 다음, 연마 테이블의 외주부상의 다수의 기어 치중 적어도 하나와 맞물리는 구동 기어가 제공되어 테이블을 회전시킨다. 베어링은 바람직하게는 테이블의 외주부에 형성된 적어도 하나의 베어링 레이스(bearing race)와, 프레임에 형성된 적어도 하나의 베어링 레이스를 구비하여 테이블의 원활한 회전을 보장할 수도 있다.
또한, 연마기는 본 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 벨트 연마기(belt polisher)의 형태로 할 수 있다.
연마기의 유형에 관계없이, 반도체 웨이퍼는 연마기에 평행하게 지지되고 이와 접촉하여 연마된다. 이와 관련하여, 반도체 웨이퍼는 예를 들면 회전가능한 반도체 웨이퍼 캐리어로 지지될 수도 있다. 따라서, 연마기와 웨이퍼가 모두 회전하므로, 연마는 더욱 촉진될 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 캐리어가 반도체 웨이퍼에 압력을 제공하여 그 반도체 웨이퍼를 연마기에 대해 가압하도록 하는 것에 의하여, 연마는 촉진될 수 있다.
본 발명에 따른 세정 모듈은 또한 오염물의 제거를 보장할 수 있는 다양한 형태를 취할 수도 있다. 예를 들면, 세정 모듈은 유체조(fluid bath), 스프레이 헤드, 컨디셔닝 플레이트(conditioning plate), 브러시 또는 이들의 조합일 수 있다. 유체조를 사용하는 경우, 이 유체조는 초음파 변환기 또는 메그 변환기(meg transducer)와 같은 유체 교반기(fluid agitating mechanism)를 더 포함할 수도 있다. 또한, 원치않는 오염물의 분리를 돕기 위하여, 웨이퍼/연마기의 접촉 영역의 위가 아닌 그의 반대 위치에 세정 모듈을 배치하여 파편이 연마 영역내로 떨어지는 일 없이 연마기를 세정/컨디셔닝하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 따르면, 세정 모듈은 웨이퍼/연마기의 접촉 영역의 바로 아래에 배치하여 연마 영역으로부터 떨어지는 오염물이 세정 모듈에 의해 포집되도록 할 수 있다.
본 발명에 따른 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼의 연마에는 반도체 웨이퍼를연마기와 접촉시켜 지지하는 동안 반도체 웨이퍼를 연마기로 연마하고 그리고 연마단계중에 연마기를 세정하는 단계가 제공된다. 고품질의 연마를 보장하기 위해, 본 발명에 따른 방법은 또한 반도체 웨이퍼를 연마기와 접촉시켜 회전가능하게 지지하는 단계를 제공할 수도 있다. 본 발명의 장치에 관하여 언급한 바와 같이, 연마기를 세정하는 단계는 유체조, 스프레이, 플레이트에 의한 컨디셔닝, 브러싱 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 공정에 의해 제공될 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 유체조를 사용하는 경우, 세정단계는 초음파 변환기 또는 메그 변환기에 의해 제공되는 것과 같은 유체 교반단계를 더 포함할 수도 있다.
본 발명의 전술한 것과 다른 특징 및 이점들은 본 발명의 바람직한 실시예의 하기의 보다 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 연마 시스템의 사시도,
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 연마 테이블의 사시도,
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연마 테이블의 사시도,
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 연마 테이블의 측면도,
도 5는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 연마 테이블의 평면도,
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 연마 시스템의 사시도,
도 7은 본 발명에 따른 세정 모듈의 제 2 실시예의 사시도,
도 8은 본 발명에 따른 세정 모듈의 제 3 실시예의 사시도,
도 9는 본 발명에 따른 세정 모듈의 제 4 실시예의 사시도.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
5: 연마기10: 연마 패드
20: 반도체 웨이퍼 캐리어
30: 반도체 웨이퍼40: 연마 테이블
42: 구동 샤프트44: 기어 치
50: 패드 세정 모듈70: 기어 휠
80, 92: 베어링 레이스
본 발명의 바람직한 실시예가 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명되는데, 유사한 요소는 유사한 부호로 표시되어 있다.
본 발명은 웨이퍼 연마 패드에 관하여 설명할 것이지만, 본 발명은 벨트 연마기와 같은 다른 유형의 연마장치에도 동일하게 유용하다는 것을 이해하여야 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 연마 시스템을 도시한 것이다. 이 웨이퍼 연마 시스템은 연마 공정을 이중으로 하는 2개의 동일한 측면을 구비하지만, 설명의 간결성을 위해 한 측면에 대해서만 동작을 설명한다.
이러한 바람직한 실시예에 있어서, 연마기(연마장치)(5)는 수직방향으로 배치된 회전가능한 테이블(40)의 형태로 제공되며, 이 테이블은 그의 측면상에 장착된 적어도 하나의 연마 패드(10)를 구비한다. 이 테이블(40)은 후술하는 다양한 구동 시스템에 의해 중앙에 위치한 수평축(12)을 중심으로 회전하도록 구동한다. 테이블과 연마 패드(10)가 회전할 때, 반도체 웨이퍼(30)는 캐리어(20)에 의해 연마 패드(10)와 접촉하게 된다.
회전가능한 테이블(40)은 다양한 장치에 의해 구동될 수도 있다. 도 2의 실시예에 있어서, 테이블(40)에는 중앙에 위치한 구동 샤프트(42)가 설치되는데, 이 구동 샤프트는 테이블의 중앙으로부터 테이블에 부착된 연마 패드(10)를 통해 연장된다. 2개의 샤프트를 도시하였지만, 테이블을 구동시키기 위해 테이블(40)의 어느 한측면으로부터 연장되는 하나의 구동 샤프트를 용이하게 설치할 수도 있다.
도 3은 회전가능한 테이블(40)의 외주부와 접촉하여 이 테이블을 지지하는 다수의 휠(60)을 포함하는 테이블 구동 시스템을 도시한 것이다. 테이블을 구동하기 위하여, 휠(64)중 적어도 하나가 모터(62)에 의해 구동된다.
도 4는 테이블(40)의 외주부에 기어 치(44)가 제공된 다른 테이블 구동 시스템을 도시한 것이다. 이 테이블(40)은 다수의 기어 휠(70)에 의해 지지되며, 이 다수의 기어 휠은 테이블(40)의 외주부상의 치(44)와 맞물리는 치를 포함한다. 테이블을 회전시키기 위하여, 기어 휠(70)중 적어도 하나는 모터(72)에 의해 회전하도록 구동된다.
도 5는 테이블(40)을 구동하는 다른 기구를 도시한 것이다. 이 실시예에 있어서, 테이블(40)은 적어도 하나의 베어링 레이스(92)를 포함하는 프레임(90)상에서 회전하도록 지지된다. 적어도 하나의 상보형 베어링 레이스(80)가 테이블(40)의 외주부상에 제공되어, 테이블이 프레임(90)상에서 회전할 수 있도록 한다. 테이블(40)을 구동시키기 위하여, 이 테이블(40)의 외주부에는 기어 치(44)가 더 제공되어, 도 4에 도시된 바와 같이 구동 기어 휠(70)이 테이블(40)과 맞물려 테이블을 회전시킬 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼 캐리어(20)는 웨이퍼(30)를 연마 패드(10)에 평행하게 유지하며, 또한 웨이퍼(30)를 캐리어(20)의 수평축을 중심으로 회전시킬 수도 있다. 연마 패드(10)와 웨이퍼(30)의 이러한 이중 회전은 고품질의 연마를 보장한다. 부가하여, 당업자가 이해할 수 있는 바와 같이, 캐리어(20)는 웨이퍼에 압력을 인가하여 연마를 더욱 도와주도록 구성할 수 있다.
연마공정중에, 또한 연마 슬러리(도시 않됨)가 연마 패드/웨이퍼의 계면에 공급되어 연마공정을 도울 수 있다. 당업자가 이해할 수 있는 바와 같이, 이 슬러리는 연마 테이블(40)을 통해 도입되거나 또는 노즐 조립체(도시 않됨)를 통해 웨이퍼 캐리어의 선단부와 연마 테이블의 계면에 도입될 수도 있다.
여기서, 연마기(5)는 회전가능한 테이블(40)로서 제공되지만, 본 발명의 범위에서 벗어남이 없이 수직방향으로 배치된 다른 연마기를 제공할 수도 있음을 주목해야 한다. 예를 들면, 도 6에 도시된 바와 같이 연마기(5)가 수직방향으로 배치된 연마 벨트(45)의 형태를 취할 수도 있다.
연마기내에 피막의 잔류물, 슬러리의 응집물, 패드의 파편 및 다른 이물질과같은 오염물의 축적 또는 매립을 방지하기 위해, 그리고 전술한 오염물이 슬러리와 혼합되는 것을 방지하기 위해, 패드 세정 모듈(50)이 연마 영역(4)의 반대위치에 제공된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 세정 모듈(50)은 연마 영역(4) 아래의 연마 패드(10)의 하부(16)에 위치될 수도 있다. 이 위치에서, 세정 모듈은 바람직하게는 연마 영역(4)으로부터 낙하하는 오염물을 포집하도록 위치된다. 그러나, 세정 모듈이 또한 연마 영역(4)의 반대쪽 위치에 배치되어, 연마장치(연마기)가 연마 영역(4)에 진입되기 전에 세정/컨디셔닝될 수 있다는 것을 주목해야 한다.
본 발명에 따른 세정 모듈은 다양한 형태를 취할 수도 있다. 예를 들면, 도 1 및 도 6은 유체조(52)의 형태로 된 세정 모듈을 도시한 것이다. 도 7은 스프레이 헤드(53) 형태의 세정 모듈을 도시한 것이다. 도 8은 컨디셔닝 플레이트(54) 형태의 세정 모듈을 도시한 것이다. 도 9는 브러시(55) 형태의 세정 모듈을 도시한 것이다. 세정 모듈은 연마장치를 만족할만하게 세정, 컨디셔닝 또는 유지하는데 필요한 것으로 발견될 수도 있는 전술한 장치의 임의의 조합일 수 있다. 또한, 다른 공지된 세정 향상 기법/장치를 전술한 장치와 함께 제공하여 세정을 지원할 수도 있다. 예를 들어, 유체조가 선택된다면, 도 1에 도시된 바와 같이 유체를 교반하기 위한 메그 또는 초음파 변환기(51)를 설치하여 연마기의 세정을 더욱 지원할 수도 있다. 컨디셔닝 플레이트(54) 또는 브러시(55)를 선택한다면, 이들은 회전가능하게 구동되어 세정/컨디셔닝을 도울 수 있다.
본 발명은 위에서 개략적으로 언급한 특정 실시예와 관련하여 설명하였지만, 당업자는 본 발명의 많은 변형예, 수정 및 변화를 분명하게 이해하리라는 사실이명백하다. 따라서, 본 발명의 전술한 바람직한 실시예는 제한적이지 않고 예시적인 것으로 의도되어 있다. 하기의 청구범위에 기재된 바와 같이 본 발명의 정신과 범위에서 벗어남이 없이 본 발명을 다양하게 변화시킬 수도 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 연마장치는 연마기를 수직방향으로 배치하되, 연마기용 세정 모듈을 설치하여 반도체 웨이퍼의 연마 공정중에 연마 패드를 세정/컨디셔닝함으로써, 오염물이 연마기(연마 패드)내에 축적 또는 매립되는 것을 방지하고 또한 슬러리와 혼합되는 것을 방지할 수 있으므로 반도체 웨이퍼를 손상시키는 일이 없게 되며, 그에 따라 연마된 웨이퍼의 수율이 증가되고, 또한 별도로 연마기를 세정하기 위해 연마작업을 중지시킬 필요성이 없으므로 작업 중지 시간을 감소시킬 수 있으며, 그에 따라 연마 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
Claims (18)
- 반도체 웨이퍼의 연마장치에 있어서,① 서로 떨어져 반대측에 있는 적어도 2개의 연마 표면을 구비하되, 수직방향으로 배치된 회전가능한 반도체 연마기와,② 각기 적어도 하나의 반도체 웨이퍼를 상기 연마 표면중 한 연마 표면의 연마 영역에 접촉시키고 평행하게 지지하는 적어도 2개의 반도체 웨이퍼 캐리어와,③ 상기 회전가능한 반도체 연마기를 세정하기 위한 연마기 세정 모듈을 포함하는반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 연마 영역에 인접한 출구를 구비하는 슬러리 공급 시스템을 더 포함하는반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체 연마기는 연마 패드인반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 연마 패드는 수직방향으로 배치된 원형 연마 테이블에 장착되며, 상기 연마 테이블은 수평축을 중심으로 회전가능한반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 연마 테이블은 상기 연마 테이블의 외주부와 접촉하는 다수의 휠(wheels)에 의해 지지되고,상기 다수의 휠중 적어도 하나는 상기 연마 테이블을 회전시키는 구동 휠인반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 연마 테이블은 그의 외주부상에 다수의 기어 치를 더 포함하는반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 연마 테이블에 인접하여 장착되고 또 상기 연마 테이블의 다수의 기어 치중 적어도 하나와 각기 맞물리는 다수의 기어를 더 포함하되,상기 다수의 기어중 적어도 하나는 모터에 의해 구동되어 상기 연마 테이블을 구동시키는반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 연마기 세정 모듈은 유체조(fluid bath)인반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 유체조는 초음파 변환기(ultrasonic transducer)를 포함하는반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 유체조는 메그 변환기(meg transducer)를 포함하는반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 연마기 세정 모듈은 스프레이 헤드인반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 연마기 세정 모듈은 컨디셔닝 플레이트(conditioning plate)인반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 연마기 세정 모듈은 브러시인반도체 웨이퍼의 연마장치.
- 반도체 웨이퍼의 연마방법에 있어서,① 수평축을 중심으로 회전하고, 또한 반대방향에 있는 적어도 2개의 연마 표면을 구비한 수직방향으로 배치된 연마기로 적어도 하나의 반도체 웨이퍼를 연마하는 단계와,② 상기 적어도 하나의 반도체 웨이퍼를 상기 연마기의 각각의 연마 표면과 접촉시키고 평행하도록 회전가능하게 지지하는 단계와,③ 상기 연마기를 세정 모듈로 세정하는 단계를 포함하는반도체 웨이퍼의 연마방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 연마기를 세정하는 단계는 상기 연마기를 유체조를 통해 이동시키는 것을 포함하는반도체 웨이퍼의 연마방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 연마기를 세정하는 단계는 상기 연마기를 스프레이 헤드를 통해 이동시키는 것을 포함하는반도체 웨이퍼의 연마방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 연마기를 세정하는 단계는 상기 연마기를 컨디셔닝 플레이트와 접촉하여 이동시키는 것을 포함하는반도체 웨이퍼의 연마방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 연마기를 세정하는 단계는 상기 연마기를 브러시와 접촉하여 이동시키는 것을 포함하는반도체 웨이퍼의 연마방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/846,976 US5897425A (en) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | Vertical polishing tool and method |
| US8/846,976 | 1997-04-30 | ||
| US08/846,976 | 1997-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980079603A KR19980079603A (ko) | 1998-11-25 |
| KR100352086B1 true KR100352086B1 (ko) | 2002-11-18 |
Family
ID=25299475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980000742A KR100352086B1 (ko) | 1997-04-30 | 1998-01-13 | 반도체웨이퍼의연마장치및연마방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5897425A (ko) |
| JP (1) | JP2986446B2 (ko) |
| KR (1) | KR100352086B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101340769B1 (ko) | 2007-11-21 | 2013-12-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 세정 장치 및 세정 방법 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6059643A (en) * | 1997-02-21 | 2000-05-09 | Aplex, Inc. | Apparatus and method for polishing a flat surface using a belted polishing pad |
| US6080042A (en) * | 1997-10-31 | 2000-06-27 | Virginia Semiconductor, Inc. | Flatness and throughput of single side polishing of wafers |
| US6290808B1 (en) * | 1998-04-08 | 2001-09-18 | Texas Instruments Incorporated | Chemical mechanical polishing machine with ultrasonic vibration and method |
| JP4030247B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2008-01-09 | 株式会社荏原製作所 | ドレッシング装置及びポリッシング装置 |
| US6241226B1 (en) * | 1999-09-03 | 2001-06-05 | Speedfam-Ipec Corporation | Vacuum system coupled to a wafer chuck for holding wet wafers |
| US6203412B1 (en) | 1999-11-19 | 2001-03-20 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Submerge chemical-mechanical polishing |
| US20050004919A1 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-06 | Sabre, Inc. | Systems, methods, and computer program products providing a generalized inventory system |
| JP2007290111A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-11-08 | Ebara Corp | 研磨方法および研磨装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04364730A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Hitachi Ltd | 自動ドレッシング装置 |
| JPH07164312A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-27 | Mitsubishi Materials Corp | ウエハ研磨装置 |
| JPH07230973A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Toshiba Corp | 半導体処理装置 |
| US5531861A (en) * | 1993-09-29 | 1996-07-02 | Motorola, Inc. | Chemical-mechanical-polishing pad cleaning process for use during the fabrication of semiconductor devices |
| JPH08250457A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 縦型ウエハ研磨装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2933437A (en) * | 1956-05-29 | 1960-04-19 | Bell Telephone Labor Inc | Chemical lapping method |
| US3182428A (en) * | 1959-12-17 | 1965-05-11 | Fafnir Bearing Co | Apparatus for grinding a bevel on circular objects |
| US3748677A (en) * | 1970-09-18 | 1973-07-31 | Western Electric Co | Methods and apparatus for scrubbing thin, fragile slices of material |
| US4208760A (en) * | 1977-12-19 | 1980-06-24 | Huestis Machine Corp. | Apparatus and method for cleaning wafers |
| US4393628A (en) * | 1981-05-04 | 1983-07-19 | International Business Machines Corporation | Fixed abrasive polishing method and apparatus |
| US4934102A (en) * | 1988-10-04 | 1990-06-19 | International Business Machines Corporation | System for mechanical planarization |
| US5317778A (en) * | 1991-07-31 | 1994-06-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Automatic cleaning apparatus for wafers |
| US5329732A (en) * | 1992-06-15 | 1994-07-19 | Speedfam Corporation | Wafer polishing method and apparatus |
| US5486129A (en) * | 1993-08-25 | 1996-01-23 | Micron Technology, Inc. | System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head |
| US5456627A (en) * | 1993-12-20 | 1995-10-10 | Westech Systems, Inc. | Conditioner for a polishing pad and method therefor |
| US5664987A (en) * | 1994-01-31 | 1997-09-09 | National Semiconductor Corporation | Methods and apparatus for control of polishing pad conditioning for wafer planarization |
| US5422316A (en) * | 1994-03-18 | 1995-06-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer polisher and method |
| US5468302A (en) * | 1994-07-13 | 1995-11-21 | Thietje; Jerry | Semiconductor wafer cleaning system |
| US5665201A (en) * | 1995-06-06 | 1997-09-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | High removal rate chemical-mechanical polishing |
-
1997
- 1997-04-30 US US08/846,976 patent/US5897425A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-13 KR KR1019980000742A patent/KR100352086B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-04-20 JP JP10902498A patent/JP2986446B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04364730A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Hitachi Ltd | 自動ドレッシング装置 |
| US5531861A (en) * | 1993-09-29 | 1996-07-02 | Motorola, Inc. | Chemical-mechanical-polishing pad cleaning process for use during the fabrication of semiconductor devices |
| JPH07164312A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-27 | Mitsubishi Materials Corp | ウエハ研磨装置 |
| JPH07230973A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Toshiba Corp | 半導体処理装置 |
| JPH08250457A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 縦型ウエハ研磨装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101340769B1 (ko) | 2007-11-21 | 2013-12-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 세정 장치 및 세정 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5897425A (en) | 1999-04-27 |
| JPH10296625A (ja) | 1998-11-10 |
| KR19980079603A (ko) | 1998-11-25 |
| JP2986446B2 (ja) | 1999-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0184991B1 (ko) | 평면 연마장치 | |
| US5860181A (en) | Method of and apparatus for cleaning workpiece | |
| JP3778594B2 (ja) | ドレッシング方法 | |
| JP2003151943A (ja) | スクラブ洗浄装置 | |
| JPH08168953A (ja) | ドレッシング装置 | |
| US20020007840A1 (en) | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and substrate processing apparatus | |
| KR20010050233A (ko) | 연마 장치 및 연마 방법, 연마 패드의 컨디셔닝 방법 | |
| KR100352086B1 (ko) | 반도체웨이퍼의연마장치및연마방법 | |
| KR100474365B1 (ko) | 웨이퍼연마장치 및 그 연마방법 | |
| JP2845238B1 (ja) | 平面研磨装置 | |
| JPH07230973A (ja) | 半導体処理装置 | |
| KR19980042416A (ko) | 평면 피가공물의 폴리싱과 세정 방법 및 장치 | |
| US6678911B2 (en) | Multiple vertical wafer cleaner | |
| US5928062A (en) | Vertical polishing device and method | |
| KR20000065895A (ko) | 화학 기계적 폴리싱 장치 | |
| KR20100005474A (ko) | Ｃｍｐ 장치의 폴리싱패드 컨디셔닝 드레서 세정장치 | |
| JP3058274B1 (ja) | 平面研磨装置 | |
| JP2001121407A (ja) | 研磨装置 | |
| JP4803167B2 (ja) | 研磨装置 | |
| KR100826590B1 (ko) | 화학적 기계적 연마장치 | |
| JP2000326209A (ja) | 平面研磨装置 | |
| JP3393459B2 (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
| EP0750968B1 (en) | Apparatus for conditioning a polishing pad | |
| CN113751417B (zh) | 一种晶圆研磨清洗设备 | |
| JPH0847857A (ja) | ワーク回転式処理装置における廃液分離方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |