JP2986446B2 - 半導体研磨装置および研磨方法 - Google Patents

半導体研磨装置および研磨方法

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JP2986446B2 JP10902498A JP10902498A JP2986446B2 JP 2986446 B2 JP2986446 B2 JP 2986446B2 JP 10902498 A JP10902498 A JP 10902498A JP 10902498 A JP10902498 A JP 10902498A JP 2986446 B2 JP2986446 B2 JP 2986446B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化学機械的研磨（Ｃ
ＭＰ）方法および機械に関するものであり、さらに具体
的には、研磨域用のクリーニング・モジュールを備える
垂直に配向した研磨機を使用する半導体ウエーハ研磨用
の方法および機械に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在のＣＭＰツールの設計は、通常１個
以上の、回転するウエーハをパッドに押しつけると回転
し、スラリ溶液により飽和される水平に配向した研磨パ
ッドを含んでおり、パッドが回転するにつれて、ウエー
ハが研磨される。しかし、現在の研磨法が進歩するにつ
れて、皮膜の残留物、スラリの凝固物、パッドの破片、
その他の異物がスラリに混ざり合い、時にはパッドの材
料に埋め込まれてしまうようになる。その結果、残留
物、凝固物、破片などがウエーハを傷つけることがあ
る。
【０００３】この問題を解決するため、最近のパッド洗
浄およびコンディショニング技術によれば、通常、ウエ
ーハを研磨し、ウエーハを除去した後に、ウエーハを傷
つける粒子を除去して、洗浄と研磨工程の相互作用を回
避している。残念ながら、この技術ではウエーハを傷つ
ける粒子を除去するための「ダウン・タイム」があるた
め、ＣＭＰ工程全体の速度が低下する。その結果、所定
の研磨装置１台当たりの収量が大幅に減少する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
の問題を解決するための特異な装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、垂直に
配向した研磨装置と、半導体ウエーハのホルダと、研磨
装置のための研磨装置洗浄／コンディショニング・モジ
ュールを具備する半導体ウエーハの研磨装置が提供され
る。
【０００６】洗浄／コンディショニング・モジュールを
設けることにより、皮膜の残留物、スラリの凝固物、パ
ッドの破片、その他の異物が、研磨工程を助けるために
研磨装置とウエーハとの境界面に供給されるスラリに混
ざり合うことが防止される。研磨装置の洗浄／コンディ
ショニングは、重力により望ましくない汚染物質が研磨
面から落下するため、研磨装置を垂直にすることにより
さらに助けられる。したがって、研磨工程を連続して行
う場合、本発明は汚染物質が研磨装置に最初に埋め込ま
れるのを防止するため、研磨装置の研磨速度を上昇させ
る。さらに、洗浄モジュールによって汚染物質が研磨装
置から除去されると、その汚染物質は研磨装置から離れ
て沈降するため、洗浄工程がさらに研磨操作から分離さ
れるという点で、重力が洗浄工程を助ける。その結果、
所定の研磨装置に必要な「ダウン・タイム」は大幅に減
少し、したがって良好に研磨されたウエーハの収量が増
大する。
【０００７】研磨面は、本発明の範囲を逸脱することな
く、種々の形態をとることができる。たとえば、好まし
い実施例のひとつでは、研磨装置はほぼ水平な軸を中心
に回転するほぼ円形の研磨台に取り付けられた研磨パッ
ドである。本発明による研磨装置を回転させるには、種
々の駆動機構が考えられる。たとえば、研磨台の中心位
置に、モータにより駆動されるシャフトを設けることが
できる。また、研磨台は台の外周に接触する複数の車輪
により支持され、車輪の少なくとも１個が台を回転する
ように駆動されるものであってもよい。
【０００８】本発明の第２の変更態様として、研磨台は
その外周に複数の歯車の歯を有するものでもよい。この
態様で台を支持し、駆動するのに、２種類の態様が考え
られる。第１は、１組の歯車を研磨台に隣接して取り付
け、各歯車が研磨台の歯車の少なくとも１個の歯と噛み
合うようにする。台を回転駆動するには、支持歯車の１
個を駆動する。第２は、台を回転可能に支持し、台の回
転を駆動するため、フレームに研磨台の外周とフレーム
との間にベアリングを設けることができる。研磨台の外
周にある複数の歯車の歯のうち、少なくとも１個と噛み
合う駆動歯車が台を回転させる。ベアリングは、台をス
ムースに回転させるため、台の外周に形成した少なくと
も１個のベアリング・レースと、フレームに形成した少
なくとも１個のベアリング・レースを有するものが好ま
しい。
【０００９】また、研磨装置は本発明の範囲を逸脱する
ことなく、ベルト型研磨機とすることも考えられる。
【００１０】研磨装置の種類に関係なく、半導体ウエー
ハを研磨するには、半導体ウエーハは研磨装置に平行に
接触して保持される。この点で、半導体ウエーハは、た
とえば回転可能な半導体ウエーハ・キャリアに保持する
ことができる。したがって、研磨装置とウエーハの両方
が回転するため、研磨はさらに促進される。さらに、キ
ャリアがウエーハを研磨装置に押しつける圧力を与える
ことにより、研磨を促進させることができる。
【００１１】本発明による洗浄モジュールはまた、各種
の形態をとることができる。たとえば、洗浄モジュール
は、流体浴、スプレイ・ヘッド、コンディショニング・
プレート、ブラシ、またはこれらのいずれかを組み合わ
せたものとすることができる。流体浴を使用する場合、
浴はさらに超音波トランスデューサまたはメグ・トラン
スデューサなど、流体を撹拌する機構を有するものでも
よい。さらに、望ましくない汚染物質を分離するのを助
けるため、洗浄モジュールをウエーハと研磨装置の接触
域の反対側で、上ではない位置に置き、破片が研磨域に
落下することなく研磨装置が洗浄／コンディショニング
されるようにするのが好ましい。さらに、本発明によれ
ば、洗浄モジュールはウエーハと研磨装置の接触域の真
下に置き、研磨域から落下する汚染物質が洗浄モジュー
ルにより捕捉されるようにすることができる。
【００１２】本発明による方法では、半導体ウエーハの
研磨は、半導体ウエーハを研磨装置に接触させて保持し
ながら、ウエーハを研磨装置により研磨し、研磨工程中
に研磨装置を洗浄する工程からなる。確実に高品質の研
磨を行うために、本発明による方法はまた、半導体ウエ
ーハを研磨装置に接触させて回転可能に保持する工程も
有する。本発明の装置に関して説明したように、研磨装
置を洗浄する工程には、流体浴、スプレイ、プレートに
よるコンディショニング、ブラッシング、または上記の
いずれかの組み合わせなど、種々の方法がある。また、
上述のように、流体浴を使用する場合、浴による洗浄工
程には、超音波トランスデューサまたはメグ・トランス
デューサなどによる流体撹拌工程を含ませることも考え
られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明をウエーハ研磨パッドに関
して説明するが、本発明はベルト型研磨機など、他の種
類の研磨機にも同様に有用である。
【００１４】図１に本発明の好ましい実施例によるウエ
ーハ研磨システムを示す。このシステムは、研磨工程を
２回行うため、２つの同一な側面を有するが、説明を簡
単にするため、１側面についてのみ説明する。
【００１５】この好ましい実施例では、研磨装置５は、
側面に少なくとも１個の研磨パッド１０を取り付けた、
垂直に配向した形態の回転可能な台４０を有する。台４
０は、後述の各種の駆動システムにより、中央に位置す
る水平軸１２を中心に回転するように駆動される。台お
よび研磨パッド１０が回転すると、１枚または複数の半
導体ウエーハ３０がキャリア２０により研磨パッド１０
に接触する。
【００１６】回転可能な台４０は、各種の装置により駆
動される。図２に示す実施例では、台４０には中央に位
置し、台の中央からそれに取り付けたパッド１０を通っ
て延びるドライブ・シャフト４２が設けられている。２
本のシャフトが示されているが、台４０のいずれかの側
から延びる１本のドライブ・シャフトでも容易に台を駆
動することができる。
【００１７】図３は、回転可能な台４０の外周に接触
し、これを支持する複数の車輪６０を有する台駆動シス
テムを示す。台を駆動するには、少なくとも１個の車輪
６４をモータ６２により駆動する。
【００１８】図４は、台４０の外周に歯車の歯４４を設
けた他の台駆動システムを示す。台４０は、台４０の外
周に設けた歯４４と噛み合う歯を有する複数の歯車７０
により支持されている。台を回転させるため、歯車７０
のうちの少なくとも１個をモータ７２により駆動する。
【００１９】図５は、台４０を駆動する他の機構を示
す。この実施例では、台４０は少なくとも１個のベアリ
ング・レース９２を有するフレーム９０に支持されてい
る。台がフレーム９０上で回転できるように、少なくと
も１個の相補的ベアリング・レース８０が台４０の外周
に設けられている。台４０を駆動するため、台４０の外
周には、図３に示すような被駆動歯車の歯７０が台４０
と噛み合って台を回転させるように、歯車の歯４４がさ
らに設けられている。
【００２０】図１に戻って、半導体ウエーハのキャリア
２０は、１枚ないし複数のウエーハ３０を研磨パッド１
０に平行に維持し、ウエーハ３０をキャリア２０の水平
軸を中心に回転させることができる。この研磨パッド１
０とウエーハ３０との二重の回転により、高品質の研磨
が確実に行われる。さらに、当業者が容易に理解できる
ように、キャリア２０は研磨をさらに助けるための圧力
を与えることができる。
【００２１】研磨工程中に、研磨用スラリ（図示されて
いない）を研磨パッドとウエーハの境界面に供給して研
磨工程を助けることができる。当業者が理解できるよう
に、スラリは研磨台４０を介して、またはウエーハ・キ
ャリアの縁部と研磨台の境界面にノズル・アセンブリ
（図示されていない）を介して供給することができる。
【００２２】研磨台５は本明細書では回転可能な台４０
として示されているが、本発明の範囲から逸脱すること
なく、他の垂直に配向した研磨装置を設けることができ
る。たとえば、図６に示すように、研磨装置５は垂直に
配向した研磨ベルト４５の形態をとることもできる。ま
た、この研磨装置は、エンドレス・コンベアの形態をと
ることもできる。図６では、２つの回転軸によってエン
ドレス・コンベアが形成されている。
【００２３】研磨装置中の皮膜の残留物、スラリの凝縮
物、パッドの破片、その他の異物などの汚染物質の蓄積
または付着を防止するため、また上記汚染物質がスラリ
に混ざり合うのを防止するため、パッド洗浄モジュール
５０を研磨域４の反対側に設ける。図１に示すように、
洗浄モジュール５０を研磨域４の下にある研磨パッド１
０の下部１６に置くことができる。この位置では、洗浄
モジュールは研磨域４から落下する汚染物質を捕捉する
ように配置するのが好ましい。しかし、研磨装置が研磨
域４に入る前に洗浄、コンディショニングされるよう
に、洗浄モジュールは研磨域４の反対側のどの位置に配
置してもよい。
【００２４】本発明により洗浄モジュールは種々の形態
をとることができる。たとえば、図１および図６は、流
体浴の形態の洗浄モジュールを示す。図７はスプレイ・
ヘッド５３の形態の洗浄モジュールを示す。図８はコン
ディショニング・プレート５４の形態の洗浄モジュール
を示す。図９はブラシ５５の形態の洗浄モジュールを示
す。洗浄モジュールは、研磨装置を十分に洗浄し、コン
ディショニングを行い、または維持するのに必要であれ
ば、上記の開示した装置をこのように組み合わせたもの
でもよい。さらに、他の周知の洗浄を促進する技術／装
置を上記装置と併用して、洗浄を助けることができる。
たとえば、流体浴を選択した場合、図１に示すような超
音波トランスデューサ５１またはメグ・トランスデュー
サを設けて流体を撹拌して、研磨装置の洗浄をさらに助
けることもできる。コンディショニング・プレート５４
またはブラシ５５を選択した場合、いずれも回転駆動し
て洗浄／コンディショニングを助けることができる。
【００２５】
【００２６】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例によるウエーハ研磨シス
テムを示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施例による研磨台を示す斜視
図である。
【図３】本発明の第２の実施例による研磨台を示す斜視
図である。
【図４】本発明の第３の実施例による研磨台を示す斜視
図である。
【図５】本発明の第４の実施例による研磨台を示す斜視
図である。
【図６】本発明の第２の実施例によるウエーハ研磨シス
テムを示す斜視図である。
【図７】本発明による洗浄モジュールの第２の実施例を
示す斜視図である。
【図８】本発明による洗浄モジュールの第３の実施例を
示す斜視図である。
【図９】本発明による洗浄モジュールの第４の実施例を
示す斜視図である。
【符号の説明】
４ 研磨域 ５ 研磨装置 １０ 研磨パッド １２ 水平軸 ２０ ウエーハ・キャリア ３０ ウエーハ ４０ 研磨台 ４２ ドライブ・シャフト ４４ 歯車の歯 ４５ 研磨ベルト ５０ パッド洗浄モジュール ５１ 超音波トランスデューサ ５３ スプレイ・ヘッド ５４ コンディショニング・プレート ５５ ブラシ ６０ 車輪 ７０ 被駆動歯車の歯 ７２ モータ ８０ 相補的ベアリング・レース ９０ フレーム ９２ ベアリング・レース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｐ (72)発明者 キャロル・イレーヌ・クリスティー・グ スタフソン アメリカ合衆国12603 ニューヨーク州 ポーキープシー ニクソン・ロード 277 (72)発明者 ウィリアム・フランシス・ランダース アメリカ合衆国12590 ニューヨーク州 ワッピンガーズ・フォールズ ブライア ーウッド・ドライブ 14 (72)発明者 ジョン・カルロ・ミヌンニ アメリカ合衆国12590 ニューヨーク州 ワッピンガーズ・フォールズ サチッ ク・プレース 12 (72)発明者 トマス・エドウィン・サンドウィック アメリカ合衆国12533 ニューヨーク州 フーウェル・ジャンクション ビークマ ン・ロード 585 (72)発明者 アダム・ダン・ティクナー アメリカ合衆国12590 ニューヨーク州 ワッピンガーズ・フォールズ ノース・ ロード 751 (56)参考文献 特開 平８−250457（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−168953（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−69313（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−16371（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B24B 37/00,37/04 H01L 21/304 621 H01L 21/304 622

Claims (24)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】表裏面に研磨面を有する垂直に配向された
    回転式半導体研磨装置と、 各研磨面の少なくとも１つの研磨域に少なくとも１つの
    導体ウエーハを接触させて保持する複数の半導体ウエー
    ハ・キャリアと、 研磨装置を洗浄するためのパッド洗浄モジュールとを具
    備する装置。
  2. 【請求項２】各半導体ウエーハ・キャリアが、ウエーハ
    に圧力を供給する、請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】パッド洗浄モジュールが、研磨域と反対側
    に位置する、請求項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】パッド洗浄モジュールが、研磨域の垂直方
    向の下に位置する、請求項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】各半導体ウエーハ・キャリアが、ウエーハ
    を回転させる、請求項１に記載の装置。
  6. 【請求項６】研磨域に隣接する排出口を有するスラリ分
    配システムをさらに具備する、請求項１に記載の装置。
  7. 【請求項７】研磨装置が研磨パッドである、請求項１に
    記載の装置。
  8. 【請求項８】研磨パッドが、垂直に配向し、実質的に円
    形の研磨台に取り付けられ、上記台が水平軸を中心に回
    転する、請求項７に記載の装置。
  9. 【請求項９】研磨台が、中心に位置するドライブ・シャ
    フトを有し、上記ドライブ・シャフトが、モータにより
    回転可能に駆動され、研磨台を回転させる、請求項８に
    記載の装置。
  10. 【請求項１０】研磨台が、研磨台の外周に接触する複数
    の車輪により支持され、 複数の車輪の少なくとも１個が、研磨台を回転させる駆
    動車輪である、請求項８に記載の装置。
  11. 【請求項１１】研磨台がさらに、研磨台の外周に複数の
    歯車の歯を有し、 複数の歯車が研磨台に隣接して取り付けられ、各歯車が
    研磨台の歯車の歯の少なくとも１個とかみ合い、 複数の歯車のうち１個が、研磨台を駆動するモータによ
    り駆動される、請求項８に記載の装置。
  12. 【請求項１２】研磨台を支持するフレームと、 フレームと研磨台の外周との間にベアリングと、 研磨台を回転させるため、研磨台の周囲にある複数の歯
    車の歯の、少なくとも１個と噛み合う駆動歯車とをさら
    に有する、請求項８に記載の装置。
  13. 【請求項１３】ベアリングが、研磨台の外周に形成され
    た少なくとも１個のベアリング・レースと、フレーム中
    に形成された少なくとも１個のベアリング・レースとを
    有する、請求項１２に記載の装置。
  14. 【請求項１４】パッド洗浄モジュールが、流体浴であ
    る、請求項１に記載の装置。
  15. 【請求項１５】流体浴が、超音波トランスデューサを有
    する、請求項１４に記載の装置。
  16. 【請求項１６】パッド洗浄モジュールが、スプレイ・ヘ
    ッドである、請求項１に記載の装置。
  17. 【請求項１７】パッド洗浄モジュールが、コンディショ
    ニング・プレートである、請求項１に記載の装置。
  18. 【請求項１８】パッド洗浄モジュールが、ブラシであ
    る、請求項１に記載の装置。
  19. 【請求項１９】表裏面に研磨面を有し水平軸を中心に回
    転する垂直に配向した研磨装置により、半導体ウエーハ
    を研磨する工程と、 研磨装置の各研磨面に平行にこれと接触するように半導
    体ウエーハを回転可能に保持する工程と、 研磨装置を洗浄モジュールにより洗浄する工程とを含
    む、 半導体ウエーハを研磨する方法。
  20. 【請求項２０】研磨装置を洗浄する工程が、研磨装置
    を、流体浴を通過させる工程を含む、請求項１９に記載
    の方法。
  21. 【請求項２１】流体浴が、超音波トランスデューサを有
    する、請求項２０に記載の方法。
  22. 【請求項２２】研磨装置を洗浄する工程が、研磨装置
    を、スプレイ・ヘッドを通過させる工程を含む、請求項
    １９に記載の方法。
  23. 【請求項２３】研磨装置を洗浄する工程が、研磨装置
    を、コンディショニング・プレートに接触させながら移
    動させる工程を含む、請求項１９に記載の方法。
  24. 【請求項２４】研磨装置を洗浄する工程が、研磨装置
    を、ブラシに接触させながら移動させる工程を含む、請
    求項１９に記載の方法。
JP10902498A 1997-04-30 1998-04-20 半導体研磨装置および研磨方法 Expired - Fee Related JP2986446B2 (ja)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6059643A (en) * 1997-02-21 2000-05-09 Aplex, Inc. Apparatus and method for polishing a flat surface using a belted polishing pad
US6080042A (en) * 1997-10-31 2000-06-27 Virginia Semiconductor, Inc. Flatness and throughput of single side polishing of wafers
US6290808B1 (en) * 1998-04-08 2001-09-18 Texas Instruments Incorporated Chemical mechanical polishing machine with ultrasonic vibration and method
JP4030247B2 (ja) * 1999-05-17 2008-01-09 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置及びポリッシング装置
US6241226B1 (en) * 1999-09-03 2001-06-05 Speedfam-Ipec Corporation Vacuum system coupled to a wafer chuck for holding wet wafers
US6203412B1 (en) 1999-11-19 2001-03-20 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Submerge chemical-mechanical polishing
US20050004919A1 (en) * 2003-07-03 2005-01-06 Sabre, Inc. Systems, methods, and computer program products providing a generalized inventory system
JP2007290111A (ja) * 2006-03-29 2007-11-08 Ebara Corp 研磨方法および研磨装置
TWI372661B (en) 2007-11-21 2012-09-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning apparatus and cleaning method

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2933437A (en) * 1956-05-29 1960-04-19 Bell Telephone Labor Inc Chemical lapping method
US3182428A (en) * 1959-12-17 1965-05-11 Fafnir Bearing Co Apparatus for grinding a bevel on circular objects
US3748677A (en) * 1970-09-18 1973-07-31 Western Electric Co Methods and apparatus for scrubbing thin, fragile slices of material
US4208760A (en) * 1977-12-19 1980-06-24 Huestis Machine Corp. Apparatus and method for cleaning wafers
US4393628A (en) * 1981-05-04 1983-07-19 International Business Machines Corporation Fixed abrasive polishing method and apparatus
US4934102A (en) * 1988-10-04 1990-06-19 International Business Machines Corporation System for mechanical planarization
JPH04364730A (ja) * 1991-06-12 1992-12-17 Hitachi Ltd 自動ドレッシング装置
US5317778A (en) * 1991-07-31 1994-06-07 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Automatic cleaning apparatus for wafers
US5329732A (en) * 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
US5486129A (en) * 1993-08-25 1996-01-23 Micron Technology, Inc. System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head
US5531861A (en) * 1993-09-29 1996-07-02 Motorola, Inc. Chemical-mechanical-polishing pad cleaning process for use during the fabrication of semiconductor devices
JPH07164312A (ja) * 1993-12-09 1995-06-27 Mitsubishi Materials Corp ウエハ研磨装置
US5456627A (en) * 1993-12-20 1995-10-10 Westech Systems, Inc. Conditioner for a polishing pad and method therefor
US5664987A (en) * 1994-01-31 1997-09-09 National Semiconductor Corporation Methods and apparatus for control of polishing pad conditioning for wafer planarization
JPH07230973A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Toshiba Corp 半導体処理装置
US5422316A (en) * 1994-03-18 1995-06-06 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer polisher and method
US5468302A (en) * 1994-07-13 1995-11-21 Thietje; Jerry Semiconductor wafer cleaning system
JPH08250457A (ja) * 1995-03-14 1996-09-27 Tokyo Seimitsu Co Ltd 縦型ウエハ研磨装置
US5665201A (en) * 1995-06-06 1997-09-09 Advanced Micro Devices, Inc. High removal rate chemical-mechanical polishing

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