KR19980079603A - 반도체 웨이퍼의 연마장치 및 방법 - Google Patents

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토마스 에드윈 샌드윅
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Abstract

본 발명에 따른 수직방향으로 배치된 웨이퍼 연마장치 및 방법은 수직방향으로 배치된 연마기와, 반도체 웨이퍼 캐리어와, 웨이퍼에 흠집을 내고 또 웨이퍼 연마장치의 연마율을 감소시킬 수도 있는 오염물을 제거하는 것에 의해서 연마기를 세척하는 세척 모듈을 포함한다. 이 연마기는 웨이퍼 연마장치의 작업 중지 시간을 감소시키므로, 소정의 시간 주기에서 양호하게 연마된 웨이퍼의 수율을 증가시킨다.

Description

반도체 웨이퍼의 연마장치 및 방법
본 발명은 화학 기계적 연마(CMP) 방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 연마기용 세척 모듈을 갖는 수직방향으로 배치된 연마기를 사용하여 반도체 웨이퍼를 연마하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
현재의 화학 기계적 연마기 구조는 통상 하나 또는 그 이상의 수평방향으로 배치된 연마 패드를 포함하는데, 이 연마 패드는 회전되고, 그리고 회전 웨이퍼가 연마 패드와 접촉하도록 가압될 때 슬러리 용액으로 침윤된다. 연마 패드가 회전함에 따라, 웨이퍼는 연마된다. 그러나, 현재의 연마 공정이 진행됨에 따라, 막 잔류물, 슬러리 덩어리, 패드 파편 및 다른 외부 물질들은 슬러리와 혼합되고 그리고 종종 패드 재료내에 매립된다. 그 결과, 잔류물, 덩어리 및 파편들은 웨이퍼에 흠집을 낼 수 있다.
이러한 문제점을 방지하기 위하여, 현재의 패드 세척 및 조절 기법에 의하면, 통상적으로 웨이퍼를 연마한 다음 세척공정과 연마공정간의 상호작용을 방지하기 위하여 웨이퍼를 제거한 후에 웨이퍼에 흠집을 내는 입자를 제거한다. 유감스럽게도, 이러한 기법은 웨이퍼에 흠집을 내는 입자를 제거하기 위해 작업 중지 시간(down-time)을 부여하는 것에 의해 CMP 공정의 전체 속도를 늦춘다. 그 결과, 소정의 연마기에 대한 연마된 웨이퍼의 수율은 매우 감소된다.
본 발명의 장점은 전술한 문제점을 해결하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 있어서, 반도체 웨이퍼의 연마장치는 수직방향으로 배치된 연마기와, 반도체 웨이퍼 홀더와, 연마기용의 세척/조절 모듈(cleaning/conditioning module)을 포함한다.
세척/조절 모듈의 제공에 의하여, 막 잔류물, 슬러리 덩어리, 패드 파편 및 다른 외부 물질이 연마 공정을 돕기 위해 연마기/웨이퍼의 계면에 공급되는 슬러리와 혼합되는 것이 방지된다. 연마기의 세척/조절은 연마기의 수직 배치에 의해 더욱 지원되는데, 그 이유는 중력으로 인해 소망하지 않는 오염물이 연마 표면으로부터 떨어지기 때문이다. 따라서, 본 발명에 따르면, 연마 공정이 계속 진행될 때, 오염물이 연마기내에 초기에 매립되는 것이 방지되므로, 연마장치의 연마율이 증가한다. 또한, 일단 오염물이 세척 모듈에 의해 연마기로부터 제거되면, 오염물들은 연마기로부터 멀리 침하되어 연마공정으로부터 세척공정을 추가로 분리한다는 점에서, 중력은 세척공정을 지원한다. 그 결과, 소정 연마기의 요구되는 작업 중지 시간은 상당히 감소되므로, 양호하게 연마된 웨이퍼의 수율이 증가한다.
연마기는 본 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 형태를 취할 수도 있다. 예를 들면, 바람직한 일 실시예에 있어서, 연마기는 실질적으로 수평축을 중심으로 회전하는 실질적으로 원형의 연마 테이블에 장착된 연마 패드이다. 본 발명에 따라 연마기를 회전시키기 위하여, 다양한 구동 기구를 생각할 수 있다. 예를 들면, 연마 테이블에는 중앙에 위치된 모터 구동 샤프트를 설치할 수도 있다. 변형예로, 연마 테이블은 그 테이블의 외주부와 접촉하는 다수의 휠(wheels)에 의해서 지지될 수도 있으며, 휠 중 적어도 하나는 테이블을 회전시키도록 구동된다.
본 발명에 따른 제 2 변형예로서, 연마 테이블은 그의 외주부상에 다수의 기어 치(gear teeth)가 제공될 수도 있다. 테이블을 이러한 배치로 지지하고 구동하기 위해, 2개의 변형예를 생각할 수 있다. 첫째로, 한 세트의 기어 휠을 연마 테이블에 인접하여 장착하되, 각 기어가 연마 테이블의 기어 치중 적어도 하나와 맞물리게 할 수 있다. 연마 테이블을 회전 구동하기 위하여, 지지 기어중 하나가 구동된다. 둘째로, 테이블을 회전가능하게 지지하고 회전 구동하기 위하여, 프레임에 베어링을 설치할 수도 있다. 이 베어링은 프레임과 연마 테이블의 외주부 사이에 제공된다. 그다음, 연마 테이블의 외주부상의 다수의 기어 치중 적어도 하나와 맞물리는 구동 기어가 제공되어 테이블을 회전시킨다. 이 베어링은 바람직하게는 테이블의 외주부에 형성된 적어도 하나의 베어링 레이스(bearing race)와, 프레임에 형성된 적어도 하나의 베어링 레이스를 구비하여 테이블의 원활한 회전을 보장할 수도 있다.
또한, 연마기는 본 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 벨트 연마기(belt polisher)의 형태로 할 수 있다.
연마기의 유형에 관계없이, 반도체 웨이퍼는 연마기에 평행하게 지지되고 이와 접촉하여 연마된다. 이와 관련하여, 반도체 웨이퍼는 예를 들면 회전가능한 반도체 웨이퍼 캐리어로 지지될 수도 있다. 따라서, 연마기와 웨이퍼가 모두 이동하므로, 연마는 더욱 향상될 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 캐리어가 반도체 웨이퍼에 압력을 제공하여 그 반도체 웨이퍼를 연마기에 대해 가압하도록 하는 것에 의하여, 연마는 향상될 수 있다.
본 발명에 따른 세척 모듈은 또한 오염물의 제거를 보장할 수 있는 다양한 형태를 취할 수도 있다. 예를 들면, 세척 모듈은 유체조(fluid bath), 스프레이 헤드, 조절 판(conditioning plate), 브러시 또는 이들의 조합체일 수 있다. 유체조가 제공된다면, 이 유체조는 초음파 변환기 또는 메가 변환기(meg transducer)와 같은 유체 교반기(fluid agitating mechanism)를 더 포함할 수도 있다. 또한, 원치않는 오염물의 분리를 돕기 위하여, 웨이퍼/연마기의 접촉 영역의 위가 아닌 그의 반대 위치에 세척 모듈을 배치하여 파편이 연마 영역내로 떨어지는 일 없이 연마기를 세척/조절하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 따르면, 세척 모듈은 웨이퍼/연마기의 접촉 영역의 바로 아래에 배치하여 연마 영역으로부터 떨어지는 오염물이 세척 모듈에 의해 포집되도록 할 수 있다.
본 발명에 따른 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 연마에는 웨이퍼를 연마기와 접촉시켜 지지하는 동안 반도체 웨이퍼를 연마기로 연마하고 그리고 연마단계중에 연마기를 세척하는 단계가 제공된다. 고품질의 연마를 보장하기 위해, 본 발명에 따른 방법은 또한 반도체 웨이퍼를 연마기와 접촉시켜 회전가능하게 지지하는 단계를 제공할 수도 있다. 본 발명의 장치에 관하여 언급한 바와 같이, 연마기를 세척하는 단계는 유체조, 분무, 판에 의한 조절, 브러싱 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 공정에 의해 제공될 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 유체조가 제공된다면, 세척단계는 초음파 변환기 또는 메가 변환기에 의해 제공되는 것과 같은 유체 교반단계를 더 포함할 수도 있다.
본 발명의 전술한 것과 다른 특징 및 이점들은 본 발명의 바람직한 실시예의 하기의 보다 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 연마 시스템의 사시도,
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 연마 테이블의 사시도,
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연마 테이블의 사시도,
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 연마 테이블의 측면도,
도 5는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 연마 테이블의 평면도,
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 연마 시스템의 사시도,
도 7은 본 발명에 따른 세척 모듈의 제 2 실시예의 사시도,
도 8은 본 발명에 따른 세척 모듈의 제 3 실시예의 사시도,
도 9는 본 발명에 따른 세척 모듈의 제 4 실시예의 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
5 : 연마기 10 : 연마 패드
20 : 반도체 웨이퍼 캐리어 30 : 반도체 웨이퍼
40 : 연마 테이블 42 : 구동 샤프트
44 : 기어 치 50 : 패드 세척 모듈
70 : 기어 휠 80, 92 : 베어링 레이스
본 발명의 바람직한 실시예가 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명되는데, 유사한 요소는 유사한 부호로 표시되어 있다.
본 발명은 웨이퍼 연마 패드에 관하여 설명할 것이지만, 본 발명은 벨트 연마기와 같은 다른 유형의 연마장치에도 동일하게 유용하다는 것을 이해하여야 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 연마 시스템을 도시한 것이다. 이 웨이퍼 연마 시스템은 연마 공정을 이중으로 하는 2개의 동일한 측면을 구비하지만, 간략하게 하기 위해 한 측면에 대해서만 동작을 설명한다는 점을 이해할 수 있을 것이다.
이러한 바람직한 실시예에 있어서, 연마기(5)는 수직방향으로 배치된 회전가능한 테이블(40)의 형태로 제공되며, 이 테이블은 그의 측면상에 장착된 적어도 하나의 연마 패드(10)를 구비한다. 이 테이블(40)은 후술하는 다양한 구동 시스템에 의해 중앙에 위치한 수평축(12)을 중심으로 회전하도록 구동한다. 테이블과 연마 패드(10)가 회전할 때, 반도체 웨이퍼(30)는 캐리어(20)에 의해 연마 패드(10)와 접촉하게 된다.
회전가능한 테이블(40)은 다양한 장치에 의해 구동될 수도 있다. 도 2의 실시예에 있어서, 테이블(40)에는 중앙에 위치한 구동 샤프트(42)가 설치되는데, 이 구동 샤프트는 테이블의 중앙으로부터 테이블에 부착된 연마 패드(10)를 통해 연장된다. 2개의 샤프트를 도시하였지만, 테이블을 구동시키기 위해 테이블(40)의 양 측면으로부터 연장되는 하나의 구동 샤프트를 용이하게 설치할 수도 있다.
도 3은 회전가능한 테이블(40)의 외주부와 접촉하여 이 테이블을 지지하는 다수의 휠(60)을 포함하는 테이블 구동 시스템을 도시한 것이다. 테이블을 구동하기 위하여, 휠(64)중 적어도 하나가 모터(62)에 의해 구동된다.
도 4는 테이블(40)의 외주부에 기어 치(44)가 제공된 다른 테이블 구동 시스템을 도시한 것이다. 이 테이블(40)은 다수의 기어 휠(70)에 의해 지지되며, 이 다수의 기어 휠은 테이블(40)의 외주부상의 치(44)와 맞물리는 치를 포함한다. 테이블을 회전시키기 위하여, 기어 휠(70)중 적어도 하나는 모터(72)에 의해 회전하도록 구동된다.
도 5는 테이블(40)을 구동시키는 다른 기구를 도시한 것이다. 이 실시예에 있어서, 테이블(40)은 적어도 하나의 베어링 레이스(92)를 포함하는 프레임(90)상에서 회전하도록 지지된다. 적어도 하나의 상보형 베어링 레이스(80)가 테이블(40)의 외주부상에 제공되어, 테이블이 프레임(90)상에서 회전할 수 있도록 한다. 테이블(40)을 구동시키기 위하여, 이 테이블(40)의 외주부에는 기어 치(44)가 더 제공되어, 도 3에 도시된 바와 같이 구동 기어 휠(70)이 테이블(40)과 맞물려 테이블을 회전시킬 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼 캐리어(20)는 웨이퍼(30)를 연마 패드(10)에 평행하게 유지하며, 또한 웨이퍼(30)를 캐리어(20)의 수평축을 중심으로 회전시킬 수도 있다. 연마 패드(10)와 웨이퍼(30)의 이러한 이중 회전은 고품질의 연마를 보장한다. 부가하여, 당업자가 이해할 수 있는 바와 같이, 캐리어(20)는 웨이퍼에 압력을 인가하여 연마를 더욱 도와주도록 구성할 수 있다.
연마공정중에, 또한 연마 슬러리(도시 않됨)가 연마 패드/웨이퍼의 계면에 공급되어 연마공정을 도울 수 있다. 당업자가 이해할 수 있는 바와 같이, 이 슬러리는 연마 테이블(40)을 통해 도입되거나 또는 노즐 조립체(도시 않됨)를 거쳐 웨이퍼 캐리어의 선단부와 연마 테이블의 계면에 도입될 수도 있다.
여기서, 연마기(5)는 회전가능한 테이블(40)로서 제공되지만, 본 발명의 범위에서 벗어남이 없이 수직방향으로 배치된 다른 연마기를 제공할 수도 있음을 주목해야 한다. 예를 들면, 도 6에 도시된 바와 같이 연마기(5)가 수직방향으로 배치된 연마 벨트(45)의 형태를 취할 수도 있다.
연마기에서 막 잔류물, 슬러리 덩어리, 패드 파편 및 다른 외부 물질과 같은 오염물의 축적 또는 매립을 방지하기 위해, 그리고 전술한 오염물들이 슬러리와 혼합되는 것을 방지하기 위해, 패드 세척 모듈(50)이 연마 영역(4)의 반대위치에 제공된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 세척 모듈(50)은 연마 영역(4) 아래의 연마 패드(10)의 하부(16)에 위치될 수도 있다. 이 위치에서, 세척 모듈은 바람직하게는 연마 영역(4)으로부터 낙하하는 오염물을 포집하도록 위치된다. 그러나, 세척 모듈이 또한 연마 영역(4)의 반대쪽 위치에 배치되어, 연마장치가 연마 영역(4)에 진입되기 전에 세척/조절될 수 있다는 것을 주목해야 한다.
본 발명에 따른 세척 모듈은 다양한 형태를 취할 수도 있다. 예를 들면, 도 1 및 도 6은 유체조의 형태로 된 세척 모듈을 도시한 것이다. 도 7은 스프레이 헤드(53) 형태의 세척 모듈을 도시한 것이다. 도 8은 조절 판(54) 형태의 세척 모듈을 도시한 것이다. 도 9는 브러시(55) 형태의 세척 모듈을 도시한 것이다. 주목해야 할 점은 세척 모듈이 연마장치를 만족할만하게 세척, 조절 또는 유지하는데 필요한 것으로 발견될 수도 있는 전술한 장치의 임의의 조합체일 수 있다는 것이다. 또한, 다른 공지된 세척 향상 기법/장치를 전술한 장치와 함께 제공하여 세척을 지원할 수도 있다. 예를 들어, 유체조가 선택된다면, 도 1에 도시된 바와 같이 유체를 교반하기 위한 메가 또는 초음파 변환기(51)를 설치하여 연마기의 세척을 더욱 지원할 수도 있다. 조절 판(54) 또는 브러시(55)를 선택한다면, 이들은 회전가능하게 구동되어 세척/조절을 도울 수 있다.
본 발명은 위에서 개략적으로 언급한 특정 실시예와 관련하여 설명하였지만, 당업자는 본 발명의 많은 변형예, 수정 및 변화를 분명하게 이해하리라는 사실이 명백하다. 따라서, 본 발명의 전술한 바람직한 실시예는 제한적이지 않고 예시적인 것으로 의도되어 있다. 하기의 청구범위에서 규정하는 바와 같이 본 발명의 정신과 범위에서 벗어남이 없이 본 발명을 다양하게 변화시킬 수도 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 연마장치는 연마기를 수직방향으로 배치하는 것에 의하여, 오염물이 연마 표면으로부터 떨어지므로 세척 및 조절 작업이 향상되며, 연마 공정이 계속 진행될 때 오염물이 연마기내에 초기에 매립되는 것이 방지되므로, 연마 장치의 연마율이 증가하고 또 연마된 웨이퍼의 수율이 증가한다.

Claims (49)

  1. 반도체 웨이퍼의 연마장치에 있어서,
    ① 수직방향으로 배치된 반도체 연마기와,
    ② 반도체 웨이퍼를 연마 영역에서 상기 반도체 연마기와 접촉시키고 평행하게 지지하기 위한 반도체 웨이퍼 캐리어와,
    ③ 상기 반도체 연마기를 세척하기 위한 연마기 세척 모듈을 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 캐리어는 반도체 웨이퍼에 압력을 가하도록 구성되어 있는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 세척 모듈은 상기 연마 영역의 반대쪽에 위치되는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 세척 모듈은 상기 연마 영역의 아래에 수직으로 위치되는 반도체 웨이퍼 연마장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 캐리어는 반도체 웨이퍼를 회전시키는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 연마 영역에 인접한 출구를 구비하는 슬러리 공급 시스템을 더 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 연마기는 벨트 연마기인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 연마기는 연마 패드인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 연마 패드는 수직방향으로 배치된 원형 연마 테이블에 장착되며, 상기 연마 테이블은 수평축을 중심으로 회전가능한 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 연마 테이블은 중앙에 위치한 구동 샤프트를 포함하며, 상기 구동 샤프트는 모터에 의해 회전가능하게 구동되어 상기 연마 테이블을 회전시키는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 연마 테이블은 상기 연마 테이블의 외주부와 접촉하는 다수의 휠(wheels)에 의해 지지되고, 상기 다수의 휠중 적어도 하나는 상기 연마 테이블을 회전시키는 구동 휠인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 연마 테이블은 그의 외주부상에 다수의 기어 치를 더 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 연마 테이블에 인접하여 장착되고 또 상기 연마 테이블의 다수의 기어 치중 적어도 하나와 각기 맞물리는 다수의 기어를 더 포함하되, 상기 다수의 기어중 적어도 하나는 모터에 의해 구동되어 상기 연마 테이블을 구동시키는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 연마 테이블을 지지하는 프레임과, 상기 프레임과 상기 연마 테이블의 외주부사이의 베어링과, 상기 연마 테이블의 외주부상의 다수의 기어 치중 적어도 하나와 맞물려 상기 연마 테이블을 회전시키는 구동 기어를 더 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 베어링은 상기 연마 테이블의 외주부에 형성된 적어도 하나의 베어링 레이스와 상기 프레임에 형성된 적어도 하나의 베어링 레이스를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 패드 세척 모듈은 유체조(fluid bath)인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 유체조는 초음파 변환기를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 유체조는 메가 변환기를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  19. 제 1 항에 있어서, 상기 패드 세척 모듈은 스프레이 헤드인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  20. 제 1 항에 있어서, 상기 패드 세척 모듈은 조절 판인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  21. 제 1 항에 있어서, 상기 패드 세척 모듈은 브러시인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  22. 반도체 웨이퍼의 연마방법에 있어서,
    ① 수평축을 중심으로 회전하는 수직방향으로 배치된 연마기로 반도체 웨이퍼를 연마하는 단계와,
    ② 반도체 웨이퍼를 상기 연마기와 접촉시키고 평행하도록 회전가능하게 지지하는 단계와,
    ③ 상기 연마기를 세척 모듈로 세척하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 연마기를 세척하는 상기 단계는 유체조를 통해 상기 연마기를 이동시키는 것을 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 유체조는 초음파 변환기와 메가 변환기중 하나를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
  25. 제 22 항에 있어서, 상기 연마기를 세척하는 상기 단계는 스프레이 헤드를 통해 상기 연마기를 이동시키는 것을 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
  26. 제 22 항에 있어서, 상기 연마기를 세척하는 상기 단계는 상기 연마기를 조절 판과 접촉하도록 이동시키는 것을 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
  27. 제 22 항에 있어서, 상기 연마기를 세척하는 상기 단계는 상기 연마기를 브러시와 접촉하도록 이동시키는 것을 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
  28. 반도체 웨이퍼의 연마장치에 있어서,
    ① 적어도 하나의 수평축을 중심으로 회전하는 것에 의해 반도체 웨이퍼를 연마하는 수단과,
    ② 반도체 웨이퍼를 연마 영역에서 상기 연마 수단과 접촉시키고 평행하게 지지하는 수단과,
    ③ 상기 연마 수단을 세척하는 수단을 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 지지 수단은 반도체 웨이퍼에 압력을 가하도록 구성되어 있는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  30. 제 28 항에 있어서, 상기 세척 수단은 연마 영역의 반대쪽에 위치되는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  31. 제 28 항에 있어서, 상기 세척 수단은 연마 영역의 아래에 수직으로 위치되는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  32. 제 28 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 지지 수단은 반도체 웨이퍼를 회전시키는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  33. 제 28 항에 있어서, 상기 연마 영역에 인접한 슬러리의 공급 수단을 더 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  34. 제 28 항에 있어서, 상기 연마 수단은 연마 벨트인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  35. 제 28 항에 있어서, 상기 연마 수단은 연마 패드인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  36. 제 35 항에 있어서, 상기 연마 패드는 수직방향으로 배치된 원형 연마 테이블이며, 상기 연마 테이블은 수평축을 중심으로 회전가능한 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  37. 제 36 항에 있어서, 상기 연마 테이블은 중앙에 위치한 구동 샤프트를 포함하며, 상기 구동 샤프트는 모터에 의해 회전가능하게 구동되어 상기 연마 테이블을 회전시키는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  38. 제 36 항에 있어서, 상기 연마 테이블은 그의 외주부와 접촉하는 다수의 휠에 의해 지지되며, 상기 다수의 휠중 적어도 하나는 상기 연마 테이블을 회전시키는 구동 휠인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  39. 제 36 항에 있어서, 상기 연마 테이블은 그의 외주부상에 다수의 기어 치를 더 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  40. 제 39 항에 있어서, 상기 연마 테이블에 인접하여 장착되고 또 상기 연마 테이블의 기어 치중 적어도 하나와 각기 맞물리는 다수의 기어를 더 포함하되, 상기 다수의 기어중 하나는 모터에 의해 구동되어 상기 연마 테이블을 구동시키는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  41. 제 39 항에 있어서, 상기 연마 테이블을 지지하는 프레임과, 상기 프레임과 상기 연마 테이블의 외주부사이의 베어링과, 상기 연마 테이블의 외주부상의 다수의 기어 치중 적어도 하나와 맞물려 상기 연마 테이블을 회전시키는 구동 기어를 더 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  42. 제 41 항에 있어서, 상기 베어링은 상기 연마 테이블의 외주부에 형성된 적어도 하나의 베어링 레이스와 상기 프레임에 형성된 적어도 하나의 베어링 레이스를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  43. 제 28 항에 있어서, 상기 세척 수단은 유체조인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  44. 제 43 항에 있어서, 상기 유체조는 초음파 변환기를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  45. 제 43 항에 있어서, 상기 유체조는 메가 변환기를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  46. 제 28 항에 있어서, 상기 세척 수단은 스프레이 헤드인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  47. 제 28 항에 있어서, 상기 세척 수단은 조절 판인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  48. 제 28 항에 있어서, 상기 세척 수단은 브러시인 반도체 웨이퍼의 연마장치.
  49. 반도체 웨이퍼의 연마장치에 있어서,
    ① 제 1 회전축을 가진 반도체 웨이퍼에 근접하여 위치가능하고, 제 2 회전축 및 제 3 회전축을 갖는 무한 컨베이어(endless conveyor)를 구비한 반도체 연마기―상기 제 1 회전축은 상기 제 2 회전축 및 상기 제 3 회전축으로부터 각방향으로 편위됨―와,
    ② 상기 연마기를 세척하기 위한 연마기 세척 모듈을 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마장치.
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