KR100345400B1 - A trench formation method with tick edge oxide - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 공정기술에 있어서 소자의 격리, 커패시터 및 트렌치 게이트 제조시에 이용되는 트렌치(trench) 형성방법에 관한 것으로, 트렌치 코너에서 성장되는 산화막 두께를 기존의 방법으로 성장시킨 두께보다 두껍게 성장시켜 전체적으로 트렌치 내면에 균일한 산화막을 성장시키거나 코너 부분의 열산화막을 더 두껍게 성장시키는 트렌치 형성방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a trench formation method used in isolation of a device, in the manufacture of capacitors and trench gates, in which the thickness of the oxide film grown in the trench corners is thicker than that of the conventional method. The present invention relates to a trench formation method for growing a uniform oxide film on the entire inner surface of a trench by growing it or growing a thicker thermal oxide film at a corner portion.
본 발명은 (100) 실리콘 기판 위에 트렌치를 형성하고 난 후 트렌치 코너 상부 코너 부분의 산화막 혹은 질화막을 300Å ~ 3000Å 정도 습식식각한 후 1000℃~1200℃ 의 고온에서 수소를 주입하여 열처리함으로써 트렌치 내벽 및 코너 부분의 결정면을 재배열 시켜 각각의 재배열된 면에 각각 다른 산화막 성장속도를 갖게 하는 것이다. 즉 트렌치 코너 부분은 산화막 성장속도가 가장 빠른 (111) 결정면이 생성되어 단위 시간당 다른 면보다 두꺼운 산화막이 성장된다. 따라서, 열산화막 성장시간을 조절함으로써 트렌치 내부에 균일한 산화막 혹은 트렌치 코너에 더 두꺼운 산화막을 성장시킬 수 있게 된다. 그 결과 전기적 특성 특히 소자의 신뢰성은 크게 향상시킬 수 있다The present invention is to form a trench on the (100) silicon substrate and then wet etching the oxide film or nitride film in the upper corner portion of the trench corner by about 300 kPa to 3000 kPa and injecting heat at a high temperature of 1000 ° C to 1200 ° C to heat the inner wall of the trench and By rearranging the crystal planes of the corner parts, each of the rearranged planes has a different oxide growth rate. That is, in the trench corner portion, a (111) crystal plane having the fastest oxide film growth rate is formed, and an oxide film thicker than the other surface per unit time is grown. Therefore, by adjusting the thermal oxide growth time, it is possible to grow a uniform oxide film in the trench or a thicker oxide film in the trench corners. As a result, the electrical properties, especially the reliability of the device, can be greatly improved.
Description
본 발명은 반도체 소자의 공정기술에 있어서 소자의 격리, 커패시터 및 트렌치 게이트 제조시에 이용되는 트렌치(trench) 형성방법에 관한 것으로, 트렌치 코너에서 성장되는 산화막 두께를 기존의 방법으로 성장시킨 두께보다 두껍게 성장시켜 전체적으로 트렌치 내면에 균일한 산화막을 성장시키거나 코너 부분의 열산화막을 더 두껍게 성장시키는 트렌치 형성방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a trench formation method used in isolation of a device, in the manufacture of capacitors and trench gates, in which the thickness of the oxide film grown in the trench corners is thicker than that of the conventional method. The present invention relates to a trench formation method for growing a uniform oxide film on the entire inner surface of a trench by growing it or growing a thicker thermal oxide film at a corner portion.
반도체 소자가 매우 다양하게 발전되면서 공정 기술도 소자의 요구에 따라 매우 다양하게 변하고 있다. 나아가 통신과 컴퓨터의 발달로 중전압 고전류 소자의 수요가 급증하면서 트렌치를 이용한 소자 개발이 활발히 진행되고 있다.As the semiconductor devices are developed in various ways, the process technology is also changed in various ways according to the needs of the devices. Furthermore, with the development of communication and computers, the demand for medium voltage high current devices has increased rapidly, and the development of devices using trenches is actively progressing.
트렌치 공정의 장점은 소자의 면적을 줄일 수 있고, 고전압 소자의 격리성을 향상시킬 수 있는 것이다. 때문에 반도체 소자 제조에서 소자 격리용이나 커패시터, 트렌치 산화막을 이용한 게이트 전극 구조로 많이 사용된다.The advantage of the trench process is that it can reduce the area of the device and improve the isolation of high voltage devices. Therefore, the semiconductor device is widely used as a gate electrode structure using device isolation or capacitors and trench oxides.
트렌치 공정은 (100) 실리콘 기판 위에 산화막이나 질화막 혹은 감광막을 사용하여 패터닝을 하고 건식식각에 의해 트렌치를 형성한다.In the trench process, an oxide film, a nitride film, or a photosensitive film is patterned on a (100) silicon substrate to form a trench by dry etching.
건식식각시 주로 공정 가스에 의해 트렌치 모양을 조정하게 된다. 공정 가스로는 주로 HBr, SiF4, He, O2, CF4, Cl2, NF3가스 등을 혼합하여 사용한다. 트렌치형성 기술과 열산화막 성장 기술은 서로 다른 기술로서 트렌치 형성 후 트렌치 코너 부분의 코너 라운딩 기술, 트렌치 내벽에 균일한 박막 형성 기술, 트렌치 채움 기술이 중요한 기술적 과제이다.During dry etching, the trench shape is mainly controlled by the process gas. As the process gas, HBr, SiF 4 , He, O 2 , CF 4 , Cl 2 , and NF 3 gas are mixed and used. The trench forming technique and the thermal oxide growth technique are different technologies, and corner rounding technique of the trench corner portion after forming the trench, uniform thin film formation technique on the trench inner wall, and trench filling technique are important technical problems.
트렌치를 이용한 소자를 만들기 위해 트렌치 공정을 할 때 공정 가스의 선택과 트렌치 공정 후에 트렌치 내부를 채우는 기술에서는 트렌치 내부의 산화막 두께의 균일도가 크게 문제시되지 않는다. 그러나 트렌치 내벽을 전극으로 사용할 경우 트렌치 내벽의 산화막 균일도는 매우 중요하게 작용한다.When the trench process is performed to make the device using the trench, the uniformity of the thickness of the oxide layer inside the trench is not a problem in the process of selecting the process gas and filling the trench after the trench process. However, when the trench inner wall is used as an electrode, the oxide uniformity of the trench inner wall is very important.
트렌치를 이용한 전력소자의 핵심 기술은 트렌치 형성 후 트렌치 코너를 둥글게 하는 코너 라운딩 기술과 트렌치 내부의 열산화막을 균일하게 성장시키는 기술이다.The core technology of power devices using trenches is a corner rounding technique that rounds the trench corners after trench formation and a technique for uniformly growing a thermal oxide film inside the trench.
일반적으로 열산화막은 실리콘 기판과 산소의 반응에 의해 산화막이 성장되는데, 열산화막이 성장될 때 실리콘 표면의 결정 방향에 따라 성장 속도가 다르다. 즉 (100) 방향의 성장속도가 가장 느리며 (111) 방향의 성장속도가 가장 빠르다. 때문에 트렌치 표면에 열산화막을 성장시킬 때 실리콘 측벽의 산화막 성장이 실리콘 코너에서의 산화막 성장보다 빨라서 트렌치 벽면보다는 트렌치 코너부분에 열산화막이 얇게 성장된다.In general, an oxide film is grown by a reaction between a silicon substrate and oxygen, and the growth rate is different depending on the crystal direction of the silicon surface when the oxide is grown. That is, the growth speed in the (100) direction is the slowest and the growth speed in the (111) direction is the fastest. Therefore, when the thermal oxide film is grown on the trench surface, the oxide film growth on the silicon sidewall is faster than the oxide film growth on the silicon corner, so that the thermal oxide film is thinly grown on the trench corner portion rather than the trench wall surface.
도 1은 종래의 방법에 의한 트렌치가 형성된 단면을 나타낸 것으로, 트렌치 내벽중 트렌치 코너 부분의 열산화막이 얇게 성장되어 있음을 볼 수 있다.1 is a cross-sectional view showing a trench formed by a conventional method, and it can be seen that a thermal oxide film of a trench corner portion of a trench inner wall is thinly grown.
이와 같이 종래의 기술로는 전체적으로 균일한 산화막을 얻기는 매우 어렵다. 그 결과 열산화막이 소자의 절연막으로 사용될 경우 누설전류, 신뢰성 등에서 많은 문제점을 유발시킨다.As described above, it is very difficult to obtain a uniform oxide film as a whole by the conventional technique. As a result, when the thermal oxide film is used as the insulating film of the device, it causes many problems in leakage current, reliability, and the like.
이러한 문제점을 해결하기 위해 이온주입 후 산화막 형성방법, 질화막을 이용하는 방법 등 여러 가지 방법들을 사용하고 있지만 이러한 방법들은 공정상 복잡하거나 추가적인 마스크가 요구되므로 생산성 저하와 제조원가 상승이라는 문제점을 안고 있다.In order to solve this problem, various methods such as an oxide film formation method and a method using a nitride film after ion implantation are used, but these methods have problems such as productivity reduction and manufacturing cost increase because they are complicated in process or require an additional mask.
이와 같은 종래의 트렌치 형성방법이 갖는 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 목적은 트렌치 형성 후 트렌치 상부 코너 부분의 산화막 혹은 질화막을 300Å ~ 3000Å 정도 습식식각한 후 1000℃ ~ 1200℃의 수소 분위기에서 30초에서 30분 동안 급속열처리 혹은 전기로에서 열처리하여 트렌치 내부의 결정구조를 변화시킴으로써 트렌치 형성 후 균일한 열산화막 또는 코너 부분이 더 두꺼운 열산화막 형성과 코너의 라운딩 효과를 동시에 해결하는 트렌치 형성방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention devised to solve the problems of the conventional trench forming method is to wet-etch an oxide film or nitride film in the upper corner portion of the trench after forming the trench in a hydrogen atmosphere of 1000 ° C. to 1200 ° C. After forming trenches by heat-treatment for 30 seconds to 30 minutes or by heat treatment in an electric furnace, a trench formation method is performed in which a uniform thermal oxide layer or a corner portion of the trench forms a thicker thermal oxide layer and a corner rounding effect simultaneously after trench formation. To provide.
도 1은 종래의 방법으로 트렌치가 형성된 후 열산화막 성장 단면도1 is a cross-sectional view of a thermal oxide growth after the trench is formed by a conventional method
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 트렌치 형성방법을 이용하여 형성된 트렌치의 단면도2 is a cross-sectional view of a trench formed using a trench forming method according to an embodiment of the present invention.
도 3a 내지 도 3f는 도 2의 트렌치 형성 과정을 순차적으로 나타낸 각 공정 단면도3A to 3F are cross-sectional views of the processes sequentially illustrating the trench formation process of FIG. 2.
도 4는 종래의 방법으로 트렌치를 형성한 후의 SEM 사진Figure 4 is a SEM photograph after the trench is formed by a conventional method
도 5는 본 발명의 방법으로 트렌치를 형성한 후 트렌치 코너의 결정면이 재배열된 것을 보여주는 SEM 사진5 is a SEM photograph showing that the crystal plane of the trench corners are rearranged after forming the trench by the method of the present invention
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
20, 30 : 실리콘 기판 23, 33 : 트렌치 내벽20, 30: silicon substrate 23, 33: trench inner wall
24, 34 : 열산화막 25, 35 : 다결정 실리콘24, 34: thermal oxide film 25, 35: polycrystalline silicon
31 : 질화막 혹은 산화막 32 : 감광막31 nitride film or oxide film 32 photosensitive film
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 실리콘 기판 위에 산화막 혹은 질화막을 증착하는 공정, 상기 공정에서 증착된 산화막 혹은 질화막 위에 감광막을 증착한 다음 트렌치가 형성될 부분을 패터닝(patterning) 하는 공정, 패터닝된 부분의 산화막 혹은 질화막을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정, 형성된 트렌치 내부에 열산화막을 성장시키는 공정, 열산화막이 성장된 트렌치 내부를 다결정 실리콘으로 채우는 공정을 포함하는 트렌치 형성방법에 있어서,The present invention for achieving the above object is a process for depositing an oxide film or a nitride film on a silicon substrate, a process of patterning a portion where a trench is formed after depositing a photosensitive film on the oxide film or nitride film deposited in the process, patterning A trench forming method comprising etching a portion of an oxide film or a nitride film to form a trench, growing a thermal oxide film inside the formed trench, and filling a trench inside the thermal oxide film with polycrystalline silicon.
상기 트렌치 형성 공정 후, 트렌치 내부에 열산화막을 성장하기 전에 트렌치 상부 코너 부분의 산화막 혹은 질화막을 300Å ~ 3000Å 정도 습식식각한 다음 1000℃~1200℃의 수소 분위기에서 30초 ~ 30분간 열처리 공정을 수행하여 자연스런 트렌치 코너 라운딩과 함께 트렌치 코너에서의 열산화막 성장속도가 다른 내벽에서의 성장속도 보다 빨라지도록 트렌치 내부의 결정구조가 재배열되도록 함으로써 이후의 열산화막 성장 공정에서 트렌치 내부에 균일한 산화막 혹은 트렌치 코너에 더 두꺼운 산화막을 성장시킬 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.After the trench forming process, before the thermal oxide film is grown in the trench, the oxide or nitride film of the upper corner portion is wet-etched about 300 kPa to 3000 kPa, and the heat treatment is performed for 30 seconds to 30 minutes in a hydrogen atmosphere of 1000 ° C to 1200 ° C. By rearranging the crystal structure inside the trench so that the thermal oxide growth rate in the trench corners is faster than the growth rate in the other inner wall along with the natural trench corner rounding, the uniform oxide film or trench inside the trench in the subsequent thermal oxide growth process. It is characterized in that to grow a thicker oxide film in the corner.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 트렌치 형성방법을 이용하여 형성된 트렌치의 단면을 나타낸 것이고, 도 3a 내지 도 3f는 도 2의 트렌치 형성 과정을 순차적으로 나타낸 각 공정 단면도이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 2 is a cross-sectional view of a trench formed by using a trench forming method according to an embodiment of the present invention, Figure 3a to 3f is a cross-sectional view of each process sequentially showing the trench forming process of FIG.
트렌치 형성과정을 공정에 따라 상세하게 설명한다.The trench formation process will be described in detail according to the process.
먼저, 도 3a와 같이 트렌치를 형성하기 위해 실리콘 기판(30) 위에 산화막 혹은 질화막(31)을 증착한다.First, an oxide film or a nitride film 31 is deposited on the silicon substrate 30 to form a trench as shown in FIG. 3A.
그런 다음, 도 3b와 같이 증착된 산화막 혹은 질화막(31) 위에 감광막(32)을 증착한 다음 트렌치를 형성할 부분의 감광막(32)을 패터닝한다.Then, the photoresist film 32 is deposited on the deposited oxide film or nitride film 31 as shown in FIG. 3B, and then the photoresist film 32 of the portion where the trench is to be formed is patterned.
그리고, 도 3c와 같이 감광막에 의해 패터닝된 산화막 혹은 질화막(31) 및 실리콘 기판(30)을 식각하여 트렌치를 형성한 다음 감광막(32)을 제거한다. 도 3c에서 도면 부호 33은 트렌치 형성 후의 트렌치 측벽면이다.3C, the oxide film or nitride film 31 and the silicon substrate 30 patterned by the photoresist film are etched to form a trench, and then the photoresist film 32 is removed. In FIG. 3C, reference numeral 33 is a trench sidewall surface after trench formation.
이렇게 트렌치를 형성한 후, 종래의 트렌치 형성방법과는 달리 트렌치 내부에 열산화막을 성장하기 전에 트렌치 코너 라운딩과 함께 트렌치 내부의 결정구조가 재배열되어 트렌치 코너에서의 열산화막 성장속도가 다른 내벽에서의 성장속도 보다 빨라지도록 하기 위하여 다음과 같은 공정을 수행한다.After the trench is formed in this manner, unlike the conventional trench formation method, before the thermal oxide film is grown in the trench, the trench structure is rearranged along with the trench corner rounding, so that the thermal oxide growth rate at the trench corner is different from the inner wall. In order to be faster than the growth rate of the following process is carried out.
트렌치 코너 부분의 산화막 혹은 질화막(31)을 약 300Å~3000Å 이내로 습식으로 식각하면 도 3d와 같이 산화막 혹은 질화막이(31)이 후퇴(pull-back)이 된다. 그런 다음, 전기로나 급속열처리 장치 혹은 진공 급속열처리 장치 등을 사용하여 1000℃~1200℃ 이상 고온의 수소 분위기에서 약 30초 ~ 30분간 열처리한다.When the oxide film or nitride film 31 in the trench corner portion is wet-etched within about 300 kV to 3000 kW, the oxide film or nitride film 31 is pull-back as shown in FIG. 3D. Then, heat treatment is performed for about 30 seconds to 30 minutes in a high-temperature hydrogen atmosphere of 1000 ° C. to 1200 ° C. or more using an electric furnace, a rapid heat treatment device, or a vacuum rapid heat treatment device.
그러면 산화막 혹은 질화막(31) 부분이 트렌치 코너에서 약 300Å~3000Å 이내로 식각 되었기 때문에 이것이 수소분위기에서 1000℃~1200℃ 이상 고온으로 열처리되면서 트렌치 표면의 자연 산화막은 수소의 환원반응에 의해 제거된다. 그리고, 특히 트렌치 코너 부분이 많은 응력을 받아 코너의 결정면들이 도 3e의 단면도와 같이 재배열이 일어난다.Then, since the portion of the oxide film or nitride film 31 is etched to within about 300 mW to 3000 mW at the trench corner, it is heat-treated at a high temperature of 1000 ° C to 1200 ° C or more in a hydrogen atmosphere, and the natural oxide film on the trench surface is removed by hydrogen reduction. In particular, the trench corner portion is subjected to a lot of stress, so that the crystal planes of the corner are rearranged as shown in the cross-sectional view of FIG. 3E.
상세하게 설명하면, 사용한 (100) 실리콘 기판에 트렌치를 형성했을 초기에는 트렌치 내부의 결정면이 주로 (110), (100) 면 이었으나 트렌치 내부를 고온 열처리하고 난 후에는 트렌치 측벽은 (110) 면들이고, 트렌치 코너 부분은 (111), (311), (220) 면 등으로 재배열 일어난다. 이때 실리콘 격자들의 어긋나기(dislocation)나 결함(defects) 등이 생성된다.Specifically, when the trenches were formed on the used (100) silicon substrate, the crystal planes inside the trenches were mainly (110) and (100) planes, but after the high temperature heat treatment inside the trenches, the trench sidewalls were (110) planes. The trench corners are rearranged to (111), (311), (220) planes and the like. At this time, dislocations or defects of silicon gratings are generated.
트렌치 코너부분은 결정면들이 (111), (311), (220) 등으로 (100) 면과 비교하여 (111), (311), (220), (110) 면 순으로 열산화막(34)이 빨리 성장된다. 따라서 주로 (111) 결정면이 존재하는 트렌치 코너부분은 다른 부분보다 열산화막(34)이 코너에 두껍게 성장하여 트렌치 코너가 완만하게 된다.In the trench corner portion, the thermal oxide film 34 is formed in the order of (111), (311), (220), and (110) planes as compared with the (100) plane with the crystal planes (111), (311), (220), etc. It grows quickly. Therefore, in the trench corner portion where the (111) crystal plane exists, the thermal oxide film 34 grows thicker at the corner than the other portion, so that the trench corner is smooth.
또한 결정구조 재배열로 인해 발생하는 결함들은 (111) 면의 빠른 산화막 성장속도 외에 열산화막 성장시 산화막성장을 촉진하는 또 다른 근원이 되어 트렌치 코너 부분이 다른 부분보다 열산화막이 두껍게 성장되도록 한다.In addition, defects caused by the rearrangement of the crystal structure may be another source of promoting oxide growth during thermal oxide growth in addition to the rapid oxide growth rate of the (111) plane, so that the trench corner portion may grow thicker than the other portions.
다시 한번, 설명하면 트렌치 형성후 고온에서 수소를 주입하여 열처리함으로써 트렌치 내벽의 결정면들이 재배열이 일어나게 된다. 이때 트렌치 코너 부분에 재배열된 (111) 결정면에서의 열산화막이 다른 트렌치 내벽에서 보다 빨리 성장된다. 따라서 열산화막을 성장시키는 시간을 조절하면 트렌치 내벽과 취약한 코너 부분에 열산화막이 균일하게 성장되게 하거나 코너 부분을 더 두껍게 성장시킬 수 있게 된다.In other words, after the trench is formed, the crystal planes of the inner wall of the trench may be rearranged by injecting and heat-processing hydrogen at a high temperature. At this time, the thermal oxide film on the (111) crystal plane rearranged in the trench corner portion grows faster than other trench inner walls. Therefore, by controlling the growth time of the thermal oxide film, the thermal oxide film may be uniformly grown on the trench inner wall and the weak corner portion or the corner portion may be thicker.
이와 같이 트렌치 내부에 열산화막을 균일하게 또는 코너 부분이 두껍게 성장시킨 후 도 3f와 같이 트렌치 내부를 다결정 실리콘(35)으로 채워 트렌치를 완성한다.As described above, after the thermal oxide film is grown uniformly or the corner portion is thickly grown in the trench, the trench is filled with polycrystalline silicon 35 as shown in FIG. 3F to complete the trench.
도 4는 종래의 방법으로 트렌치를 형성한 후의 SEM(Scanning Electron Microscope,주사 전자 현미경) 사진이고, 도 5는 본 발명에 따른 방법으로 형성된 트렌치의 SEM 사진이다.4 is a SEM (Scanning Electron Microscope) after forming the trench by a conventional method, Figure 5 is a SEM photograph of the trench formed by the method according to the present invention.
도 5를 도 4와 비교하여 보면, 트렌치 코너에서의 결정면이 재배열된 것을 쉽게 확인할 수 있다.When comparing FIG. 5 with FIG. 4, it can be easily confirmed that the crystal planes in the trench corners are rearranged.
앞서 설명한 바와 같이 본 발명은 트렌치 형성 후 트렌치 내부에 열산화막을 성장하기 전에 고온의 수소분위기에서 열처리함으로써 트렌치 코너의 결정구조가 다른 내벽의 결정구조 보다 열산화막의 성장속도가 빠른 결정구조로 재배열되어 코너 부분에 열산화막이 얇게 성장되는 것을 막고, 트렌치 코너부도 둥글게 형성하게 된다.As described above, according to the present invention, after the trench is formed, the heat treatment is performed in a high-temperature hydrogen atmosphere before the thermal oxide film is grown in the trench, so that the crystal structure of the trench corners is rearranged to have a faster growth rate of the thermal oxide film than that of other inner walls. As a result, the thermal oxide film is prevented from being thinly grown in the corner portion, and the trench corner portion is rounded.
따라서, 본 발명은 열산화막 성장시간을 조절함으로써 트렌치 내벽 및 코너에 열산화막을 균일하게 또는 트렌치 코너에 더 두꺼운 열산화막을 성장시킬 수 있게 되어 소자의 누설전류 및 항복 전압의 특성을 향상시킬 수 있다.Therefore, according to the present invention, the thermal oxide film can be grown uniformly in the inner walls and corners of the trench or thicker thermal oxide films can be grown in the trench corners, thereby improving the leakage current and breakdown voltage characteristics of the device. .
또한 트렌치 코너부분이 둥글게 형성되므로 고전압 격리 소자에 활용할 경우 전기장의 영향을 감소시킬 수 있다.In addition, the trench corners are rounded, which can reduce the effects of electric fields when used in high voltage isolation devices.
이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.The technical spirit of the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings, but this is by way of example only and not intended to limit the present invention. In addition, it is obvious that any person skilled in the art can make various modifications and imitations without departing from the scope of the technical idea of the present invention.
Claims (3)
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| KR1019990043377A KR100345400B1 (en) | 1999-10-08 | 1999-10-08 | A trench formation method with tick edge oxide |
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