KR100334809B1 - 씨드-빔을 이용한 광대역 광원 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 희토류첨가 광섬유를 구비한 측정용 광원에 있어서, 미리 설정된 파장 대역의 씨드-빔을 출력하는 씨드-빔 광원과; 상기 씨드-빔과 펌핑광을 결합하여 상기 희토류첨가 광섬유의 전단으로 입사시키는 제1광결합기와; 상기 제1광결합기로 펌핑광을 공급하는 제1펌핑광원과; 입력된 펌핑광을 상기 희토류첨가 광섬유의 후단으로 입사시키는 제2광결합기와; 상기 제2광결합기로 펌핑광을 공급하는 제2펌핑광원과; 상기 희토류첨가 광섬유의 후단을 통해 출력된 광이 방사되는 출력단을 포함하여 구성함을 특징으로 하는 씨드-빔을 이용한 광대역 광원을 제공한다.

Description

씨드-빔을 이용한 광대역 광원{BROAD BAND LIGHT SOURCE BY USE OF SEED BEAM}
본 발명은 광부품의 특성을 측정하는데 사용되는 측정용 광원에 관한 것으로서, 특히 희토류첨가 광섬유를 이용한 광대역 광원에 관한 것이다.
광섬유를 이용한 정보 전송 방식의 하나로서 제시된 파장 분할 다중화 (Wavelength Division Multiplexing System, 이하 WDM) 방식은 서로 다른 파장의 광신호를 하나의 광섬유를 통해 동시에 전송하는 방식으로서, 초대용량의 광전송 시스템에 적용되고 있다.
상기 WDM 방식의 광통신 시스템에는 여러 채널의 광신호를 광전 변화없이 동시에 증폭할 수 있는 희토류첨가 광섬유 증폭기(Rare-earth Ion Doped Fiber Amplifier) 등 여러 종류의 광부품(Optical Device)이 사용된다. 제조자 혹은 시스템 설계자들은 상기 희토류첨가 광섬유 증폭기를 포함한 광부품들이 설계 사양에 부합되도록 제조되었는지 혹은 각각의 특성들이 광통신 시스템의 조건들을 만족하고 있는가 등을 측정한다. 이러한 광부품의 특성 측정은 별도의 측정 장치를 통해 이루어진다.
도 1은 일반적인 희토류첨가 광섬유의 특성을 측정하기 위한 장치를 나타낸 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 희토류첨가 광섬유의 특성을 측정하기 위한 장치는 크게 측정용 광원(10)과 측정부(30)로 구성되며, 상기 측정용 광원(10)과 측정부(30) 사이에 피측정물인 희토류첨가 광섬유(20) 중 하나인 어븀첨가 광섬유의 양단이 각각 연결된다.
상기 측정용 광원(10)은 피측정물인 어븀첨가 광섬유가 적용되는 파장 대역인 1520nm ~ 1620nm 파장대역의 광을 출력할 수 있는 광원이 이용된다. 즉, 상기 측정용 광원(10)은 1520nm ~ 1570nm의 Conventional band(이하, C-band) 광과, 1570nm ~ 1620nm의 Long band(이하, L-band) 광을 포함하여 출력한다. 상기 측정용 광원(10)으로는 광부품 측정을 위해 제작된 할로겐 램프 등의 백색 광원을 이용하기도 하나, 상기 백색 광원은 출력되는 광의 세기가 약해 광부품의 특성 측정에 한계가 있으므로, 희토류첨가 광섬유의 증폭된 자연방출(Amplified Spontaneous Emission)을 이용한 광대역 광원이 이용된다.
상기 측정부(30)는 희토류첨가 광섬유(20)에 입사되기 전의 광 세기와 희토류첨가 광섬유(20)를 지나면서 증폭된 광 세기를 각 파장별로 비교하여, 상기 희토류첨가 광섬유(20)의 흡수 스펙트럼 및 광신호대잡음비(Optical Signal-to-Noise Ratio, OSNR) 등의 동작 특성을 측정한다. 상기 측정부(30)는 광 스펙트럼 분석기(Optical Spectrum Analyzer)와 같은 측정기를 구비한다.
도 2는 종래의 희토류첨가 광섬유 증폭기를 이용한 광대역 광원을 나타낸 구성도이다. 도 2에 도시된 바와 같이 종래의 희토류첨가 광섬유 증폭기를 이용한 광대역 광원(100)은 제1광아이솔레이터(104), 제1광결합기(106), 제1펌핑광원(108), 희토류첨가 광섬유(110), 제2광결합기(112), 제2펌핑광원(114), 제2광아이솔레이터(116)로 구성된다.
상기 광대역 광원(100)은 넓은 파장 대역의 ASE를 출력광으로 이용하는 측정용 광원으로서, C-band의 광과 L-band의 광을 출력한다. 즉, 파장대역 1520nm ~ 1570nm 사이에 해당하는 C-band의 광뿐만 아니라, 파장대역 1570nm ~ 1620nm 사이에 해당하는 L-band의 광을 출력하므로 광대역 광원(Broad band light source)이라 불린다.
상기 제1펌핑광원(108)으로부터 출력된 순방향 펌핑광은 제1광결합기(106)를 통해 희토류첨가 광섬유(110)의 전단으로 입사되며, 상기 제2펌핑광원(114)에서 출력된 역방향 펌핑광은 제2광결합기(112)를 통해 상기 희토류첨가 광섬유(110)의 후단으로 입사된다.
상기 희토류첨가 광섬유(110) 내부에서는 순방향 및 역방향 펌핑광에 의해 여기된 희토류 이온의 유도 방출(Stimulated Emission) 및 자연 방출(Spontaneous Emission)에 의한 광이 발생한다. 상기 자연 방출에 의한 광은 긴 희토류첨가 광섬유를 통과하면서 유도 방출에 의해 증폭되며, 증폭된 광 및 ASE 광은 출력단(118)을 통해 광대역 광원(100) 외부로 출력된다.
상기 제1광아이솔레이터(104)는 희토류첨가 광섬유(110)의 전단에서 출력되는 역방향 ASE가 희토류첨가 광섬유(110)에 재입사되어 증폭효율을 저하시키는 현상을 방지하고, 상기 제2광아이솔레이터(116)는 희토류첨가 광섬유(110)의 후단에서 출력된 후 출력단에 반사되어 되돌아오는 ASE가 희토류첨가 광섬유(110)로 재입사되는 것을 방지하여 희토류첨가 광섬유(110)의 증폭효율이 저하되는 것을 막는다.
상기 광대역 광원(100)은 일반적인 C-band 희토류첨가 광섬유보다 5배에서20배 정도 더 긴 희토류첨가 광섬유를 증폭 매질로 사용한다. 상기 C-band의 ASE는 길이가 긴 희토류첨가 광섬유(110)를 통과하면서 L-band의 광을 증폭시키는 역할을 한다. 상기와 같이 길이가 긴 희토류첨가 광섬유를 사용한 광대역 광원은 C-band의 이득은 감소하는 반면 L-band의 이득은 상대적으로 증가하여 L-band 광의 출력이 향상됨으로써, 광대역 광부품인 희토류첨가 광섬유와 같은 광부품의 특성 측정용 광원으로서 사용할 수 있다. 상기 희토류첨가 광섬유에 첨가되는 희토류 원소에는 어븀(Er), 이터븀(Yb) 및 네오다뮴(Nd) 등이 있다.
한편, 상술한 바와 같은 희토류첨가 광섬유를 이용한 광대역 광원의 출력 세기는 펌프광의 전체 출력(Total Power)보다는 최대 출력(Peak Power)에 비례한다. 따라서, 펌핑 역할을 하는 광의 전체 출력이 크더라도 파장에 따른 최대 출력이 작을 경우에는 광대역 광원의 출력 세기가 떨어진다.
종래의 광대역 광원(100)은 상술한 바와 같이 C-band의 자연방출된 광은 희토류첨가 광섬유를 통과하면서 증폭되고, 그로인해 발생한 C-band의 ASE가 L-band의 광을 증폭시킨다. 상기 L-band 광을 증폭시키는 C-band의 ASE는 파장 대역이 넓어 전체 출력의 세기는 큰 반면, 파장별 최대 출력의 세기는 작은 특성을 가지고 있다.
즉, 증폭매질인 희토류첨가 광섬유(110) 내의 희토류 이온은 L-band에 대한 펌핑광으로 작용하는 ASE의 파장별 최대 출력이 클수록 여기가 많이 되어 L-band의 출력을 효과적으로 증폭할 수 있는데, 종래의 실시예에 따른 광대역 광원(100)은 전체 출력의 세기는 크나 파장별 최대 출력의 세기가 작은 ASE가 L-band 광을 증폭시키는 작용을 하므로, C-band 출력광의 출력 세기에 비해 L-band 출력광의 출력 세기가 떨어진다. 이러한 파장별 출력광 세기의 차이는 상기 광대역 광원을 이용하여 광부품의 특성 측정을 행할 때에 파장에 따른 측정 오차를 발생시킨다.
예를 들어, 종래의 광대역 광원을 이용하여 희토류첨가 광섬유의 흡수 스펙트럼을 측정하고자 할 경우, 상기 광대역 광원에서 출력된 광은 희토류첨가 광섬유의 전단으로 입사된다. 이때, 종래의 광대역 광원은 C-band 광의 출력에 비해 L-band 광의 출력이 현저히 떨어지므로, 측정부에서는 출력광의 세기 차이에 따른 측정 오차가 생긴다. 왜냐하면, 출력광의 세기가 큰 C-band 파장에서는 에너지를 흡수하여 상대적으로 출력광의 세기가 작은 L-band 파장을 여기시키게 되므로, 측정된 L-band 파장에 대한 흡수 스펙트럼을 순수한 L-band 파장의 특성으로 볼 수 없기 때문이다.
또한, 광대역 광원으로부터 출력된 L-band의 출력광 세기가 너무 작을 경우에는 상기 L-band의 출력광이 피측정물인 어븀첨가 광섬유와 같은 광부품을 통과하더라도 광 스펙트럼 분석기 등의 측정기기의 측정 감도를 벗어나 측정 자체가 불가능해지는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명의 목적은 측정용 광원의 L-band에 해당하는 출력광의 세기를 높임으로써 파장별 출력광의 세기 차이를 줄이고, 그에 따라 파장별 측정 오차를 줄일 수 있는 광대역 광원을 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 희토류첨가 광섬유를 구비한 측정용 광원에 있어서, 미리 설정된 파장 대역의 씨드-빔을 출력하는 씨드-빔 광원과; 상기 씨드-빔과 펌핑광을 결합하여 상기 희토류첨가 광섬유의 전단으로 입사시키는 제1광결합기와; 상기 제1광결합기로 펌핑광을 공급하는 제1펌핑광원과; 입력된 펌핑광을 상기 희토류첨가 광섬유의 후단으로 입사시키는 제2광결합기와; 상기 제2광결합기로 펌핑광을 공급하는 제2펌핑광원과; 상기 희토류첨가 광섬유의 후단을 통해 출력된 광이 방사되는 출력단을 포함하여 구성함을 특징으로 하는 씨드-빔을 이용한 광대역 광원을 제공한다.
도 1은 일반적인 희토류첨가 광섬유의 특성을 측정하기 위한 장치를 나타낸 개략도,
도 2는 종래의 희토류첨가 광섬유 증폭기를 이용한 광대역 광원을 나타낸 구성도,
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 씨드-빔을 이용한 광대역 광원의 구성도,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 씨드-빔을 이용한 광대역 광원의 구성도,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 씨드-빔을 이용한 광대역 광원의 출력 특성을 나타낸 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110,210,310 : 희토류첨가 광섬유 206,320 : 씨드-빔 광원
316 : 씨드-빔 결합기
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명은 씨드-빔(Seed-beam) 광원으로부터 출력되는 씨드-빔을 이용하여 광대역 광원의 L-band 출력광 세기를 증가시키고, 그에 따라 출력광의 파장에 따른 세기 차이를 줄일 수 있는 광대역 광원을 제공한다. 도 3 및 도 4에는 각각 본 발명의 특징에 따른 실시예들이 도시되어 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 씨드-빔을 이용한 광대역 광원의 구성도로서, 씨드-빔 광원으로부터 출력되는 씨드-빔이 희토류첨가 광섬유에 대하여 순방향으로 입력되는 형태이다.
도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 광대역 광원(200)은 씨드-빔 광원(202), 제1광아이솔레이터(208), 제1광결합기(210), 제1펌핑광원(212), 희토류첨가 광섬유(214), 제2광결합기(216), 제2펌핑광원(218), 제2광아이솔레이터(220)로 구성된다.
상기 씨드-빔 광원(206)은 미리 설정된 파장 대역의 씨드-빔을 출력한다. 상기 씨드-빔 광원(206)으로는 C-band 내의 파장 대역인 1520nm ~ 1570nm 사이에 해당하는 파장의 씨드-빔을 출력하는 발광 다이오드(LED)나 레이저 다이오드(LD)를 사용한다. 상기 씨드-빔은 희토류첨가 광섬유(210) 내에 입력되어 유도 방출에 의해 증폭된다. 증폭된 씨드-빔은 ASE에 비해 최대 출력이 크므로, 결국 L-band 광에 대한 증폭 효율 및 출력 세기를 높이게 된다.
상기 제1광아이솔레이터(208)는 희토류첨가 광섬유(214)의 전단에서 씨드-빔 광원(206) 쪽으로 출력되는 역방향 ASE를 차단하여 상기 씨드-빔 광원(206)으로부터 출력되는 씨드-빔의 왜곡을 막는다.
상기 제1펌핑광원(212)은 소정 파장의 펌핑광을 출력한다. 상기 제1펌핑 광원(212)으로는 980nm 혹은 1480nm의 파장을 가진 펌핑광을 출력하는 펌프 레이저 다이오드(Pump Laser Diode)를 사용할 수 있다.
상기 제1광결합기(210)는 씨드-빔 광원(206)에서 출력된 씨드-빔을 제1펌핑 광원(212)으로부터 입력된 펌핑광과 결합하여 희토류첨가 광섬유(214)의 전단 방향으로 출력한다.
상기 희토류첨가 광섬유(214)는 광대역 광원(200) 내에서 광을 증폭하여 출력하는 매질이다. 상기 희토류첨가 광섬유(214)는 Silica-based EDF(S-EDF), Fluoride-based EDF(F-EDF) 및 Tellurite-based EDF(T-EDF) 등의 어븀첨가 광섬유를 포함하며, 일반적인 C-band 희토류첨가 광섬유보다 5배에서 20배 정도 더 길게 형성한다. 상기 희토류첨가 광섬유(214) 내에 순방향 및 역방향 펌핑광이 공급되면, 희토류 이온의 여기에 따른 자연 방출된 광이 발생한다. 상기 자연 방출된 광은 길이가 긴 희토류첨가 광섬유를 통과하면서 증폭되어 ASE 광이 된다.
한편, 상기 발생된 광 중 L-band의 광은 C-band의 ASE 및 씨드-빔의 작용에 의해 증폭된다. 즉, 상기 씨드-빔은 희토류첨가 광섬유 전단에서 증폭되어 최대 출력 세기가 커지므로, L-band 광에 대한 증폭 효율을 높이게 되고, 그에 따라 L-band 광의 출력 세기를 높이게 된다.
다시 말해, L-band 광에 대한 증폭 효율 및 출력 세기는 전술한 바와 같이 펌핑 역할을 하는 C-band ASE의 파장에 따른 최대 출력 세기가 높을수록 높아지는데, 본 발명의 특징에 따른 증폭된 C-band의 씨드-빔이 L-band 광을 증폭시키므로써, 결국 L-band 광의 증폭 효율 및 출력 세기를 높이는 것이다. 상기와 같이 희토류첨가 광섬유(214) 내에서 증폭된 C-band 및 L-band 광은 출력단(222)을 통해 외부에 연결된 피측정물로 출력된다.
상기 제2펌핑광원(218)은 소정 파장의 펌핑광을 출력한다. 상기 제2펌핑 광원(218)으로는 980nm 혹은 1480nm의 파장을 가진 펌핑광을 출력하는 펌프 레이저 다이오드를 사용할 수 있다.
상기 제2광결합기(216)는 제2펌핑광원(218)으로부터 입력되는 펌핑광을 희토류첨가 광섬유(214)의 후단으로 역방향 출력한다.
상기 제2광아이솔레이터(220)는 희토류첨가 광섬유(214)의 후단에서 출력된 후 출력단(222)으로부터 반사되어 되돌아오는 ASE가 희토류첨가 광섬유(214)의 후단으로 재입사되는 것을 방지하여 희토류첨가 광섬유(214)의 증폭 효율 저하를 막는다.
한편, 상술한 도 3에서는 두 개의 펌핑 광원을 이용한 양방향 펌핑 방식의 광대역 광원에 적용된 실시예를 나타내고 있으나, 응용예에 따라서는 하나의 펌핑 광원만을 이용한 순방향 혹은 역방향 펌핑 방식의 광대역 광원에도 본 발명을 적용할 수 있음은 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 당연하다 할 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 씨드-빔을 이용한 광대역 광원의 구성도이다. 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 광대역 광원(300)은 제1광아이솔레이터(304), 제1광결합기(306), 제1펌핑광원(308), 희토류첨가 광섬유(310), 제2광결합기(312), 제2펌핑광원(314), 씨드-빔 결합기(316), 제2광아이솔레이터(318), 씨드-빔 광원(320), 제3광아이솔레이터(322)로 구성된다.
상기 제1광아이솔레이터(304)는 희토류첨가 광섬유(310)의 전단에서 출력되는 역방향 ASE를 차단한다.
상기 제1펌핑광원(308)은 소정 파장의 펌핑광을 출력한다. 상기 제1펌핑광원(308)으로는 980nm 혹은 1480nm의 파장을 가진 펌핑광을 출력하는 펌프 레이저 다이오드를 사용한다.
상기 제1광결합기(306)는 제1펌핑 광원(308)으로부터 입력된 펌핑광을 희토류첨가 광섬유(310)의 전단으로 순방향 출력한다.
상기 희토류첨가 광섬유(310)는 광대역 광원(200) 내에서 광을 증폭하는 매질이다. 상기 희토류첨가 광섬유(310)는 Silica-based EDF(S-EDF), Fluoride-based EDF(F-EDF) 및 Tellurite-based EDF(T-EDF) 등의 어븀첨가 광섬유를 포함한다. 상기 희토류첨가 광섬유(310)는 일반적인 C-band 희토류첨가 광섬유보다 10배에서 20배 정도 더 길게 형성한다. 상기 희토류첨가 광섬유(310) 내에 순방향 및 역방향 펌핑광이 공급되면, 희토류 이온의 여기에 따른 자연 방출된 광이 발생한다. 상기 자연 방출된 광은 길이가 긴 희토류첨가 광섬유를 통과하면서 증폭되어 ASE 광이 된다.
한편, 상기 발생된 광 중 L-band의 광은 C-band의 ASE 및 씨드-빔의 작용에 의해 증폭된다. 즉, 상기 씨드-빔은 희토류첨가 광섬유 전단에서 증폭되어 최대 출력의 세기가 커지므로, L-band 광에 대한 증폭 효율을 높이게 되고, 그에 따라 L-band 광의 출력 세기를 높이게 된다.
다시 말해, L-band 광에 대한 증폭 효율 및 출력 세기는 전술한 바와 같이 펌핑 역할을 하는 C-band ASE의 파장에 따른 최대 출력 세기가 높을수록 높아지는데, 본 발명의 특징에 따른 C-band의 씨드-빔이 L-band 광을 증폭시키므로써, 결국 L-band 광의 증폭 효율 및 출력 세기를 높이는 것이다. 상기와 같이 희토류첨가 광섬유(310) 내에서 증폭된 C-band 및 L-band 광은 출력단(324)을 통해 외부에 연결된 피측정물로 출력된다.
상기 제2펌핑광원(314)은 소정 파장의 펌핑광을 출력한다. 상기 제2펌핑 광원(314)으로는 980nm 혹은 1480nm의 파장을 가진 펌핑광을 출력하는 펌프 레이저 다이오드(Pump Laser Diode)를 사용한다.
상기 제2광결합기(312)는 제2펌핑광원(314)으로부터 입력되는 펌핑광을 희토류첨가 광섬유(310)의 후단으로 역방향 출력한다.
상기 씨드-빔 결합기(316)는 씨드-빔 광원(320)으로부터 출력된 씨드-빔을 희토류첨가 광섬유(310)의 후단 방향으로 출력한다.
상기 씨드-빔 광원(320)은 미리 설정된 파장 대역의 씨드-빔을 출력한다. 상기 씨드-빔 광원(320)으로는 C-band 내의 파장 대역인 1520nm ~ 1570nm 사이에 해당하는 파장의 씨드-빔을 출력하는 발광 다이오드(LED)나 레이저 다이오드(LD)를 사용한다. 상기 씨드-빔은 희토류첨가 광섬유(310) 내에 입력되어 증폭되고, 증폭된 씨드-빔은 ASE와 함께 L-band 광을 증폭시키기 위한 펌프 광원으로 사용된다. 즉, 상기 ASE와 씨드-빔에 의해 파장별 최대 출력이 높아진 상태에서 L-band 광을 증폭하게 되므로, 전술한 바와 같이 L-band 광의 출력 세기가 높아진다.
상기 제2광아이솔레이터(318)는 희토류첨가 광섬유(310)의 후단에서 출력된 ASE가 씨드-빔 광원(320)으로 들어가는 것을 방지하여 씨드-빔의 왜곡을 막는다.
상기 제3광아이솔레이터(322)는 출력단(324)으로부터 반사되어 되돌아오는 ASE가 희토류첨가 광섬유(310)로 재입사되는 것을 방지하여 희토류첨가 광섬유(310)의 증폭 효율 저하를 막는다.
한편, 상술한 도 4에서는 두 개의 펌핑 광원을 이용한 양방향 펌핑 방식의광대역 광원에 적용된 실시예를 나타내고 있으나, 도 3의 일실시예에서 언급한 바와 마찬가지로 응용예에 따라 하나의 펌핑 광원만을 이용한 순방향 혹은 역방향 펌핑 방식의 광대역 광원에도 본 발명을 적용할 수 있음은 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 당연하다 할 것이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 씨드-빔을 이용한 광대역 광원의 출력 특성을 나타낸 그래프이다. 가로축은 광대역 광원으로부터 출력되는 광의 파장을, 세로축은 출력광의 세기를 각각 나타내고 있으며, 점선으로 표시된 곡선은 종래의 실시예에 따라 씨드-빔을 이용하지 않은 광대역 광원(이하, 종래의 광대역 광원)의 파장별 출력 특성을, 실선으로 표시된 곡선은 본 발명의 실시예에 따라 씨드-빔을 이용한 광대역 광원(이하, 본 발명의 광대역 광원)의 파장별 출력 특성을 나타내고 있다.
도 5에 도시된 바와 같이 C-band(1520nm ~ 1570nm)에 해당하는 출력광 세기의 변화는 종래의 광대역 광원과 본 발명의 광대역 광원이 거의 유사하다. 반면, L-band(1570nm ~ 1620nm)에 해당하는 출력광의 세기 변화는 종래의 광대역 광원과 본 발명의 광대역 광원이 확연한 차이점을 보인다.
즉, 종래의 광대역 광원은 출력광의 파장이 1570nm 보다 장파장으로 갈수록 출력광의 세기가 -22dBm에서 -44dBm으로 급격히 감소함을 알 수 있다. 그에 반해, 본 발명의 광대역 광원은 출력광의 파장이 1570nm보다 장파장인 경우에도 출력광의 세기가 1600nm까지는 오히려 -22dBm에서 -18dBm으로 다시 증가하는 것을 알 수 있다.
또한, 본 발명의 광대역 광원은 상기와 같이 L-band 출력광의 세기가 커짐에 따라 C-band와 L-band의 출력광 세기 차이도 줄어들게 됨을 관찰할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 씨드-빔을 이용한 광대역 광원은 C-band에 비해 출력광의 세기가 상대적으로 작은 L-band 출력광의 세기를 높임으로써 광대역 광원의 파장별 출력 세기의 차이를 줄일 수 있고, 그에 따라 상기 광대역 광원에 의한 광부품 특성 측정시 발생하던 측정 오차를 줄임으로써 측정 결과에 대한 신뢰도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 희토류첨가 광섬유를 구비한 측정용 광원에 있어서,
    미리 설정된 파장 대역의 씨드-빔을 출력하는 씨드-빔 광원과;
    상기 씨드-빔과 펌핑광을 결합하여 상기 희토류첨가 광섬유의 전단으로 입사시키는 제1광결합기와;
    상기 제1광결합기로 펌핑광을 공급하는 제1펌핑광원과;
    입력된 펌핑광을 상기 희토류첨가 광섬유의 후단으로 입사시키는 제2광결합기와;
    상기 제2광결합기로 펌핑광을 공급하는 제2펌핑광원과;
    상기 희토류첨가 광섬유의 후단을 통해 출력된 광이 방사되는 출력단을 포함하여 구성함을 특징으로 하는 씨드-빔을 이용한 광대역 광원.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 씨드-빔 광원과 제1광결합기 사이에 광아이솔레이터를 추가로 설치함을 특징으로 하는 씨드-빔을 이용한 광대역 광원.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제2광결합기와 출력단 사이에 광아이솔레이터를 추가로 설치함을 특징으로 하는 씨드-빔을 이용한 광대역 광원.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 씨드-빔 광원에서 출력되는 씨드-빔의 파장은 1520nm 내지 1570nm 사이의 파장임을 특징으로 하는 씨드-빔을 이용한 광대역 광원.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 희토류첨가 광섬유는 어븀(Er)첨가 광섬유임을 특징으로 하는 씨드-빔을 이용한 광대역 광원.
  6. 희토류첨가 광섬유를 구비한 측정용 광원에 있어서,
    입력된 제1펌핑광을 상기 희토류첨가 광섬유의 전단으로 입사시키는 제1광결합기와;
    상기 제1광결합기로 제1펌핑광을 공급하는 제1펌핑광원과;
    입력된 제2펌핑광을 상기 희토류첨가 광섬유의 후단으로 입사시키는 제2광결합기와;
    상기 제2광결합기로 제2펌핑광을 공급하는 제2펌핑광원과;
    미리 설정된 파장 대역의 씨드-빔을 출력하는 씨드-빔 광원과;
    상기 씨드-빔을 희토류첨가 광섬유의 후단으로 입사시키는 씨드-빔 결합기와;
    상기 희토류첨가 광섬유의 후단을 통해 출력된 광이 방사되는 출력단을 포함하여 구성함을 특징으로 하는 씨드-빔을 이용한 광대역 광원.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 씨드-빔 광원과 씨드-빔 결합기 사이에 희토류첨가 광섬유의 후단에서 출력된 출력광이 씨드-빔 광원으로 들어가는 것을 방지하는 광아이솔레이터를 추가로 설치함을 특징으로 하는 씨드-빔을 이용한 광대역 광원.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 씨드-빔 광원에서 출력되는 씨드-빔의 파장은 1520nm 내지 1570nm 사이의 파장임을 특징으로 하는 씨드-빔을 이용한 광대역 광원.
  9. 제 6항에 있어서, 상기 제2광결합기와 출력단 사이에 광아이솔레이터를 추가로 설치함을 특징으로 하는 씨드-빔을 이용한 광대역 광원.
  10. 제 6항에 있어서, 상기 희토류첨가 광섬유는 어븀(Er)첨가 광섬유임을 특징으로 하는 씨드-빔을 이용한 광대역 광원.
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