KR100327483B1 - 강유전체의비대칭히스테리시스특성을이용한고밀도데이터저장장치및그데이터기록재생방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성(hysteretic property)을 이용한 고밀도 데이터 저장(high-density data storage) 장치 및 그 데이터 기록 재생 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 데이터 저장 장치는 비대칭 히스테리시스 루프(asymmetric hysteresis loop)를 얻기 위해서는 한쪽 방향으로 DC전압을 일정온도에서 일정시간 가하거나, 한쪽 방향의 전압 펄스를 일정 온도에서 일정회수 인가하거나, 혹은 강유전체 캐패시터의 상부전극과 하부전극의 물질을 서로 다르게 하여주거나, 상부 및 하부전극이 같은 전극물질이라 하더라도 한 쪽 전극과 강유전체 사이에 삽입층(interlayer)를 삽입하고 다른 한 쪽에는 삽입층(interlayer)을 삽입하지 않는다.
Description
본 발명은 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성(hysteretic property)을 이용한 고밀도 데이터 저장(high-density data storage) 장치 및 그 데이터 기록 재생 방법에 관한 것이다.
도 1은 기존의 BOE(Bit on electrode) 기록/재생 방법이 도시되어 있다. 용량성 팁(Capacitive tip)(1)은 도전성 상부 전극(conductive top electrode)(2) 위에 얹혀져 있으며, 기계적으로 상부 전극(2) 위에서 움직이면서 팁(1)과 하부 전극(4) 간의 전압에 의해 정방향 혹은 역방향으로 강유전체를(3) 분극시키면서 비트(bit)를 형성한다. 이것이 "쓰기" 동작이다. 이 때에는 강유전체(3)가 충분히 분극되도록 충분한 전압을 가한다. 비트를 읽을 때에는 팁(1)과 하부 전극(4) 사이에전압원(source)과 단일 전자 트랜지스터(SET; single electron transistor)(5)를 직렬(series)로 연결하여 역분극이나 부분(partial) 분극이 발생하지 않을 정도의 미세 전압을 가하여 단일전자 트랜지스터(SET)의 게이트에 전압이 걸리도록 한다. 게이트에 인가되는 전압은 비트의 용량(capacitance)에 의해서 결정되는데 게이트 전압에 따라 SET의 소스-드레인 전류(Ids)가 차이를 보이게 되어 "0"비트와 "1" 비트의 구별이 가능해진다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 강유전체가 정방향으로 분극된 경우에 비트 용량(bit capacitance)은 분극량 Pp의 변화에 따른 변화 전하량 Qp에 의해 결정되고, 역방향으로 분극된 비트 용량(bit capacitance)은 분극량 Pn의 변화에 따른 변화 전하량 Qn에 의해 결정된다. 도 2에서는 정전압의 읽기 전압(reading voltage) Vr을 표시하였으나 음의 읽기전압 -Vr도 가능하다.
그러나 이 경우에 인가된 전압 Vr에 따른 분극량 Pn의 변화량과 분극량 Pp의 변화량이 비슷하게 된다. 이는 인가된 전압 Vr에 대한 전하량 Qp 및 Qn의 변화량이 비슷함을 의미하므로, C(용량)=Q(전하량)/V(인가전압)의 관계(도 2의 그래프에서 용량은 기울기가 된다.)에 따른 전하량 Qp의 변화량에 따른 용량 Cp=Qp/Vr이고, 전하량 Qn의 변화량에 따른 용량 Cn=Qn/Vr이므로, CpCn 의 관계가 성립한다. 이 때에는 SET(5)의 게이트 전압 차가 별로 없으므로 SET 의 소스-드레인 전류 Ids가 비트의 분극 방향에 따라 확실하게 구별되지 않을 수도 있다. 이와 같은 메모리 비트를 읽는 방법에 있어서, "0" 비트와 "1" 비트의 용량(capacitance ) 차이(도 2에서 기울기 차이)를 구별하는 것은 인가 전압이 작을수록 "0"비트와 "1"비트의 구별이 어려워지는 문제점을 갖고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안된 것으로, 작은 분극량의 변화에도 "0"비트와 "1"비트를 강유전체 캐패시터의 용량 검출로 용이하게 구별할 수 있는 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 고밀도 데이터 저장 장치 및 그 데이터 기록 재생 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 강유전체 캐패시터를 이용한 데이터 저장 장치의 개략적 구성도,
도 2는 도1 강유전체 캐패시터의 히스테리시스 루프,
도 3은 본 발명에 따른 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 데이터 저장 장치의 개략적 구성도,
도 4는 본 발명에 따른 또 다른 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 데이터 저장 장치의 개략적 구성도,
도 5는 도 3 혹은 도 4의 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 나타내는 히스테리시스 루프(탈분극 혹은 임프린트가 없는 경우),
그리고 도 6은 도 3 혹은 도 4의 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 나타내는 히스테리시스 루프이다(탈분극 혹은 임프린트가 있는 경우).
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1. 팁 2. 상부전극
3. 강유전체 4. 하부전극
5. 단일 전자 트랜지스터(single electron transistor)
11. 팁 12. 상부전극
13. 강유전체 14. 하부전극
15. 단일 전자 트랜지스터(single electron transistor)
21. 팁 22. 상부전극
23. 강유전체 24. 하부전극
25. 단일 전자 트랜지스터(single electron transistor)
26. 삽입층
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성(hysteretic property)을 이용한 고밀도 데이터 저장(high-density data storage) 장치는, 강유전체 캐패시터를 데이터 저장 매체로 사용하는 고밀도 데이터 저장 장치에 있어서, 상기 강유전체 캐패시터를 이루는 강유전체층이 서로 다른 물질로 형성된 상부전극과 하부전극을 포함하거나, 동일한 물질로 형성된 상부전극 및 하부전극을 갖되, 상기 상부전극과 강유전체층 사이 혹은 상기 하부전극과 강유전체층 사이에 삽입층을 삽입하여 히스테리 루프가 한 쪽 전압 방향으로 이동하도록 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 강유전체층은 탈분극 혹은 임프린트가 유발되는 것이 바람직하다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성(hysteretic property)을 이용한 고밀도 데이터 기록 재생 방법은, 비대칭 히스테리시스 특성을 얻기 위하여 서로 다른 물질로 형성된 상부전극과 하부전극을 갖는 강유전체 캐패시터를 데이터 저장 매체로 사용하는 고밀도 데이터 저장 장치의 기록 재생 방법에 있어서, (가) 상기 강유전체 캐패시터에 한쪽 방향의 DC전압을 일정온도에서 일정시간 인가하여 기록하는 단계; 및 (나) 상기 강유전체 캐패시터의 히스테리시스 루프가 이동되는 전압 방향과 동일한 방향의 읽기 전압을 인가하여 상기 기록된 정보를 읽는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 있어서, 상기 (가) 단계는 상기 강유전체 캐패시터에 한쪽 방향의 전압 펄스를 일정온도에서 일정 회수 만큼 인가하여 기록하는 단계인 것도 바람직하다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 또 다른 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성(hysteretic property)을 이용한 고밀도 데이터 기록 재생 방법은, 비대칭 히스테리시스 특성을 얻기 위하여, 동일한 물질로 형성된 상부전극 및 하부전극을 갖되, 상기 상부전극과 강유전체층 사이 혹은 상기 하부전극과 강유전체층 사이에 삽입층을 삽입한 강유전체 캐패시터를 데이터 저장 매체로 사용하는 고밀도 데이터 저장 장치의 기록 재생 방법에 있어서, (가) 상기 강유전체 캐패시터에 한쪽 방향의 DC전압을 일정온도에서 일정시간 인가하여 기록하는 단계; 및 (나) 상기 강유전체 캐패시터의 히스테리시스 루프가 이동되는 전압 방향과 동일한 방향의 읽기 전압을 인가하여 상기 기록된 정보를 읽는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 (가) 단계는 상기 강유전체 캐패시터에 한쪽 방향의 전압 펄스를 일정온도에서 일정 회수 만큼 인가하여 기록하는 단계인 것도 바람직하다.
이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성(hysteretic property)을 이용한 고밀도 데이터 저장(high-density data storage) 장치 및 그 데이터 기록 재생 방법을 상세하게 설명한다.
본 발명에서는 "0" 비트와 "1" 비트의 용량(capacitance) 차이를 극대화하는 강유전체 캐패시터 및 그 기록 재생 방법을 제시한다.
도 3은 본 발명에 따른 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 데이터 저장 장치의 개략적 구성도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 데이터 저장 장치는 강유전체층(13)의 상하에 배치된 상부전극(12) 및 하부전극(14)을 각각 다른 물질로 형성하여 강유전체 캐패시터의 히스테리시스 루프를 비대칭으로 한 점에 특징이 있다. 여기서, 팁(11) 및 단일 전자 트랜지스터(single electron transistor)(15)를 이용하여 비트의 용량(capacitance)을 읽는 방법은 앞서 설명한 기존의 방법과 유사하게 용량성 팁(Capacitive tip)(11)은 도전성 상부전극(conductive top electrode)(12) 위에 얹혀져 있으며, 기계적으로 상부전극(12) 위에서 움직이면서 팁(11)과 하부전극간(14)의 전압에 의해 정방향 혹은 역방향으로 강유전체층(13)을 분극시키면서 비트를 형성한다. 이러한 "쓰기" 동작시에는 강유전체층(13)이 충분히 분극되도록 충분한 전압을 가한다. 예로써, PZT는 3V-5V, SBT는 1V정도이다. 비트를 읽을 때에는 팁(11)과 하부전극(14) 사이에 전압원(source)과 SET(15)를 직렬(series)로 연결하여 역분극이나 파생(partial) 분극이 발생하지 않을 정도의 미세전압, 예로써 0.1V 정도의 전압을 가하여 SET 게이트에 전압이 인가되도록 한다. 게이트에 인가되는 전압은 기록 비트의 용량(capacitance)에 의해서 결정되는데 게이트의 전압에 따라 SET의 소스-드레인 전류(Ids)가 차이를 보이게 되어 "0"비트와 "1" 비트의 구별이 가능해 진다. 즉 도 5에 도시된 바와 같이, 강유전체가 정방향으로 분극된 경우에 비트 용량(bit capacitance)은 분극량 P'p의 변화에 따른 변화 전하량 Q'p에 의해 결정되고, 역방향으로 분극된 비트 용량(bit capacitance)은 분극량 P'n의 변화에 따른 변화 전하량 Q'n에 의해 결정된다. 도 5에서는 정전압의 읽기 전압(reading voltage) Vr'을 표시하였으나 음의 읽기전압 -Vr'도 가능하다. 이 경우에 인가된 전압 Vr'에 따른 분극량 P'n의 변화량과 분극량 P'p의 변화량이 차이가 나타난다. 이는 인가된 전압 Vr'에 대한 전하량 Q'p 및 Q'n의 변화량에 차이가 있음을 의미하므로, C(용량)=Q(전하량)/V(인가전압)의 관계(도 5의 그래프에서도 역시 용량은 기울기가 되므로)에 따른 전하량 Q'p의 변화량에 따른 용량 Cp=Q'p/V'r이고, 전하량 Q'n의 변화량에 따른 용량 Cn=Q'n/V'r이므로, Cp 과 Cn은 큰 차이를 보인다. 따라서 SET(15)의 게이트 전압 차가 별로 없을 경우이더라도 SET 의 소스-드레인 전류 Ids가 비트의 분극 방향에 따라 확실하게 구별된다. 이와 같은 메모리 비트를 읽는 방법에 있어서, "0" 비트와 "1" 비트의 용량(capacitance ) 차이(도 5에서 기울기 차이)가 뚜렷하므로 인가 전압이 작더라도 "0"비트와 "1"비트의 구별이 용이하게 된다.
도 4는 본 발명에 따른 또 다른 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 데이터 저장 장치의 개략적 구성도이다. 이 실시예는, 도시된 바와 같이, "0"비트와 "1" 비트의 용량(capacitance) 차이를 확실하게 해주기 위하여 비대칭 히스테리시스 특성(asymmetric hysteretic property)을 갖도록 강유전체 캐패시터에 삽입층(26)을 삽입한 점에 특징이 있다. 즉, 강유전체 캐패시터의 하부전극(14)과 강유전체층(23) 사이에 히스테리시스 루프(hysteresis loop)가 한쪽 전압 방향으로 이동(shift)하도록 삽입층(26)을 삽입한 점에 특징이 있다. 이러한 삽입층(26)은 상부전극(22)과 강유전체층(23) 사이에 삽입하여도 마찬가지로 히스테리시스 루프(hysteresis loop)가 한쪽 전압 방향으로 이동(shift)하는 효과를 얻는다. 이러한, 강유전체 구조에서도, 도 5에 도시된 바와 같이, 히스테리 시스 루프(hysteresis loop)가 음전압 방향으로 이동(shift)된 것은 동일한 Vr의 인가전압에 대해 P'p>P'n의 효과가 보다 현저해 진다.
이러한 비대칭 히스테리시스 루프(asymmetric hysteresis loop)을 얻기 위해서는 한쪽 방향으로 DC전압을 일정온도에서 일정시간 가하거나, 한쪽 방향의 전압 펄스를 일정 온도에서 일정회수 인가하는 방법도 있다.
이상과 같은 방식으로 강유전체 캐패시터 히스테리시스 특성의 비대칭(Asymmetry)성을 심하게 하는 경우에는 탈분극(depolarization 혹은 消極)이나 임프린트(imprint)가 발생하여 분극량이 작은 한 쪽 분극이 아예 더 소실하기도 한 다. 도 6은 이러한 경우를 나타내는 것으로, 히스테리시스 루프(hysteresis loop)가 음전압 방향으로 이동(shift)되었을 때 음분극이 소실되어 히스테리시스 루프가 불연속선이 되는 것을 보여준다. 이 때에는 "0" 비트와 "1" 비트의 구별이 훨씬 더 용이해진다. 단, 이 때에는 Vr전압의 방향이 중요하다. 즉, 음전압 쪽으로 히스테리시스 루프가 이동되면 Vr도 음방향인 것이 바람직하다. 이 경우 P'p값은 정상적인 값을 유지하고 P'n값은 소실된 분극량까지 회복되어 외형상 큰 값의 기울기(즉, 용량(capacitance))가 얻어진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 데이터 저장 장치는 비대칭 히스테리시스 루프(asymmetric hysteresis loop)를 얻기 위해서는 한쪽 방향으로 DC전압을 일정온도에서 일정시간 가하거나, 한쪽 방향의 전압 펄스를 일정 온도에서 일정회수 인가하거나, 혹은 강유전체 캐패시터의 상부전극과 하부전극의 물질을 서로 다르게 하여주거나, 상부 및 하부전극이 같은 전극물질이라 하더라도 한 쪽 전극과 강유전체 사이에 삽입층(interlayer)를 삽입하고 다른 한 쪽에는 삽입층(interlayer)을 삽입하지 않는다. 이와 같이 함으로써, "0" 비트와 "1" 비트의 구별이 훨씬 용이해진다.
Claims (8)
- 강유전체 캐패시터를 데이터 저장 매체로 사용하는 고밀도 데이터 저장 장치에 있어서,상기 강유전체 캐패시터를 이루는 강유전체층이 서로 다른 물질로 형성된 상부전극과 하부전극을 포함하여 히스테리 루프가 한 쪽 전압 방향으로 이동하도록 형성된 것을 특징으로 하는 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 고밀도 데이터 저장 장치.
- 제1항에 있어서,상기 강유전체층은 탈분극 혹은 임프린트가 유발되는 것을 특징으로 하는 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 고밀도 데이터 저장 장치.
- 강유전체 캐패시터를 데이터 저장 매체로 사용하는 고밀도 데이터 저장 장치에 있어서,상기 강유전체 캐패시터를 이루는 강유전체층이 비대칭 히스테리시스 특성을 얻기 위하여, 동일한 물질로 형성된 상부전극 및 하부전극을 갖되, 상기 상부전극과 강유전체층 사이 혹은 상기 하부전극과 강유전체층 사이에 삽입층을 삽입한 것을 특징으로 하는 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 고밀도 데이터 저장 장치.
- 비대칭 히스테리시스 특성을 얻기 위하여 서로 다른 물질로 형성된 상부전극과 하부전극을 갖는 강유전체 캐패시터를 데이터 저장 매체로 사용하는 고밀도 데이터 저장 장치의 기록 재생 방법에 있어서,(가) 상기 강유전체 캐패시터에 한쪽 방향의 DC전압을 일정온도에서 일정시간 인가하여 기록하는 단계; 및(나) 상기 강유전체 캐패시터의 히스테리시스 루프가 이동되는 전압 방향과 동일한 방향의 읽기 전압을 인가하여 상기 기록된 정보를 읽는 단계;를포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 고밀도 데이터 저장 장치의 기록 재생 방법.
- 제4항에 있어서,상기 (가) 단계는 상기 강유전체 캐패시터에 한쪽 방향의 전압 펄스를 일정온도에서 일정 회수 만큼 인가하여 기록하는 단계인 것을 특징으로 하는 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 고밀도 데이터 저장 장치의 기록 재생 방법.
- 비대칭 히스테리시스 특성을 얻기 위하여, 동일한 물질로 형성된 상부전극 및 하부전극을 갖되, 상기 상부전극과 강유전체층 사이 혹은 상기 하부전극과 강유전체층 사이에 삽입층을 삽입한 강유전체 캐패시터를 데이터 저장 매체로 사용하는 고밀도 데이터 저장 장치의 기록 재생 방법에 있어서,(가) 상기 강유전체 캐패시터에 한쪽 방향의 DC전압을 일정온도에서 일정시간 인가하여 기록하는 단계; 및(나) 상기 강유전체 캐패시터의 히스테리시스 루프가 이동되는 전압 방향과 동일한 방향의 읽기 전압을 인가하여 상기 기록된 정보를 읽는 단계;를포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 고밀도 데이터 저장 장치의 기록 재생 방법.
- 제6항에 있어서,상기 (가) 단계는 상기 강유전체 캐패시터에 한쪽 방향의 전압 펄스를 일정온도에서 일정 회수 만큼 인가하여 기록하는 단계인 것을 특징으로 하는 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 고밀도 데이터 저장 장치의 기록 재생 방법.
- 제3항에 있어서,상기 강유전체층은 탈분극 혹은 임프린트가 유발되는 것을 특징으로 하는 강유전체의 비대칭 히스테리시스 특성을 이용한 고밀도 데이터 저장 장치.
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Publications (2)
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| KR19990074261A KR19990074261A (ko) | 1999-10-05 |
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| KR (1) | KR100327483B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010049864A2 (en) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Nxp B.V. | Generating and exploiting an asymmetric capacitance hysteresis of ferroelectric mim capacitors |
| US10903363B2 (en) | 2018-06-22 | 2021-01-26 | SK Hynix Inc. | Ferroelectric semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668529A (ja) * | 1992-04-13 | 1994-03-11 | Sharp Corp | 強誘電性素子のための多層電極 |
-
1998
- 1998-03-09 KR KR1019980007733A patent/KR100327483B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668529A (ja) * | 1992-04-13 | 1994-03-11 | Sharp Corp | 強誘電性素子のための多層電極 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010049864A2 (en) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Nxp B.V. | Generating and exploiting an asymmetric capacitance hysteresis of ferroelectric mim capacitors |
| WO2010049864A3 (en) * | 2008-10-27 | 2010-07-08 | Nxp B.V. | Generating and exploiting an asymmetric capacitance hysteresis of ferroelectric mim capacitors |
| CN102197482A (zh) * | 2008-10-27 | 2011-09-21 | Nxp股份有限公司 | 对铁电mim电容器的非对称电容滞后的产生和使用 |
| US8531862B2 (en) | 2008-10-27 | 2013-09-10 | Nxp B.V. | Generating and exploiting an asymmetric capacitance hysteresis of ferroelectric MIM capacitors |
| US10903363B2 (en) | 2018-06-22 | 2021-01-26 | SK Hynix Inc. | Ferroelectric semiconductor device |
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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