KR100325073B1 - 박막트랜지스터액정표시소자의게이트형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 액정표시소자의 게이트 재료로서, 비교적 값이 싸고, 저저항을 갖는 알루미늄 금속을 이용할 수 있도록 하는 게이트 형성방법을 개시하며, 개시된 본 발명의 게이트 형성방법은, 인산, 초산, 질산 및 초순수의 혼합용액으로 알루미늄 금속막을 식각하여 게이트를 형성하는 박막 트랜지스터 액정표시소자의 게이트 형성방법에 있어서, 상기 인산 : 초산 : 질산 : 초순수는 60∼65 : 7∼8 : 12∼13 : 17∼18의 중량비(wt%)로 혼합되며, 상기 혼합용액을 스프레이 방식으로 분사하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 박막 트랜지스터 액정표시소자의 게이트 재료로서, 비교적 값이 싸고, 저저항을 갖는 알루미늄 금속을 이용하는 방법에 관한 것이다.
텔레비젼 및 그래픽 디스플레이 등의 표시 장치에 이용되는 액정표시소자(Liquid Crystal Display : 이하, LCD)는 CRT(Cathod-ray tube)를 대신하여 개발되어져 왔다. 특히, 매트릭스 형태로 배열된 각 화소에 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, TFT)가 구비되는 TFT LCD는 고속 응답 특성과 높은 화소수에 적합하다는 잇점을 갖기 때문에 CRT에 필적할만한 표시 화면의 고화질화, 대형화 및 컬러화 등의 실현에 크게 기여하고 있다.
이러한 TFT LCD는 통상 매트릭스 형태로 배열된 각 화소마다 TFT가 배열되어 있는 하부기판과, 컬러필터가 반복·배열된 상부기판이 소정 간격을 두고 대향하게 합착되고, 그들 사이의 공간에 액정이 봉입된 형태를 이루고 있다.
도 1은 상기한 TFT LCD의 하부기판을 도시한 단면도로서, 도시된 바와 같이, 유리기판(1) 상에 게이트 전극(2)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극(2)이 덮혀지도록 유리기판(1) 전면에는 게이트 절연막(3)이 도포되어 있다. 그리고, 게이트 절연막(3) 상에는 패턴의 형태로 반도체층(4)이 형성되어 있으며, 상기 반도체층(4)의 중심부 상에는 에치 스톱퍼(5)가 형성되어 있고, 노출된 반도체층(4) 부분 및 이에 인접된 에치 스톱퍼(5)의 일측 및 타측 상부에는 오믹층(6)이 형성되어 있으며, 상기 오믹층(6) 상에는 TFT의 소오스/드레인 전극(7a, 7b)이 형성되어 TFT(10)가 구성되어져 있다.
또한, 화소영역에 해당하는 게이트 절연막(3) 부분에는 ITO 금속으로된 화소전극(8)이 형성되어 있으며, 이 화소전극(8)은 소오스 전극(7a)과 콘택되어 있다.
한편, 게이트 전극, 즉, 게이트 라인의 재료로서는, 통상, MoW 금속막 또는 Mo/Al의 적층 금속막이 사용되고 있는데, MoW 금속막의 경우에는 몰리브덴 타겟이 고가이기 때문에 제조비용이 증가된다는 단점이 있고, Mo/Al의 적층 금속막의 경우에는 그 식각시에 테이퍼 각(Taper Angle)의 제어가 어렵다는 단점이 있다.
따라서, 최근에는 게이트용 재료로서 저가이면서도 전기 전도도가 우수한 알루미늄 금속막을 사용하고 있다.
그러나, 알루미늄 금속막으로 게이트 라인을 형성하는 종래의 기술에서는 식각액이 담겨져 있는 욕조에 알루미늄 금속막이 증착되어진 유리기판을 담구어 상기 알루미늄 금속막을 패터닝하는 딥(DIP) 방식에 의해서만 상기 알루미늄 금속막의 식각 프로파일을 제어할 수 있는데, 이 경우에는 식각시에 발생하는 수소 가스에 의해 알루미늄 금속막의 표면에 기포(Bubble)가 형성됨으로써, 이러한 기포에 의해 식각해낼 알루미늄 금속 부분과 식각액간의 접촉이 차단됨으로써, 식각이 제대로 이루어지지 못하게 되는 문제점이 있다.
도 2a 및 도 2b는 종래 딥 방식에 따른 알루미늄 금속막의 식각 프로파일을 보여주는 사진이다. 여기서, 도면부호 11은 유리기판, 12은 알루미늄 금속막을 각각 나타낸다.
한편, 상기한 문제를 해결하기 위해, 종래에는 식각해낼 부위에 식각액을 분사시키는 스프레이 방식도 이용하고 있다. 이 방식은 스프레이 압에 의해 기포를 제거할 수 있으며, 이에 따라, 알루미늄 금속막의 찌꺼기가 잔류되는 것은 방지할 수 있다. 그런데, 스프레이 방식을 이용할 경우, 알루미늄 금속막에 대한 식각 프로파일의 제어가 불가능하기 때문에 식각이 완료된 알루미늄 금속막의 테이퍼 각이 거의 90°에 가깝게 되며, 이에 따라, 후속 공정인 ITO 금속층의 식각시에 식각액에 의해 게이트 오픈 등과 같은 결함이 유발되는 또 다른 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 스프레이 방식을 이용하면서, 식각액의 조성비를 최적화시킴으로써, 알루미늄 금속막에 대한 안정된 식각 프로파일을 얻을 수 있는 TFT LCD의 게이트 형성방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래 박막 트랜지스터 액정표시소자의 하부기판을 개략적으로 도시한 단면도.
도 2a 및 도 2b는 종래 딥(DIP) 방식에 따른 알루미늄 금속막의 식각 프로파일을 보여주는 사진.
도 3a 내지 도 3e는 질산 첨가량에 따른 알루미늄 금속막의 식각 프로파일을 보여주는 본 발명의 실시예에 따른 사진.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
11 : 유리기판 l2a,12b,12c,12d,12e : 알루미늄 금속막
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 TFT LCD의 게이트 형성방법은, 인산, 초산, 질산 및 초순수의 혼합용액으로 알루미늄 금속막을 식각하여 게이트를 형성하는 박막 트랜지스터 액정표시소자의 게이트 형성방법에 있어서, 상기 인산 : 초산 : 질산 : 초순수는 60∼65 : 7∼8 : 12∼13 : 17∼18의 중량비(wt%)로 혼합되며, 상기 혼합용액을 스프레이 방식으로 분사하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 스프레이 방식으로 식각 공정을 수행하기 때문에 수소 가스 발생에 기인된 기포에 의해 식각이 제대로 이루어지지 못하는 문제점을 해결할 수 있으며, 아울러, 식각액의 조성비를 최적화시킴으로써, 원하는 정도의 식각 프로파일을 얻을 수 있다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.
본 발명의 실시예에서는 알루미늄 금속막으로 게이트를 형성함에 있어서, 딥방식 대신에 스프레이 방식으로 식각 공정을 수행하며, 아울러, 스프레이 방식을이용할 경우에 알루미늄 금속막의 식각 프로파일이 불량한 단점을 개선하기 위해서 종래와는 다른 조성비의 식각액을 사용한다.
즉, 스프레이 방식으로 알루미늄 금속막에 대한 식각 공정을 수행할 경우에, 종래에는 인산, 초산, 질산 및 초순수(Dl Water)가 75∼80 : 13∼17 : 2∼5 : 5∼10의 중량비(wt%)로 혼합된 식각액을 사용하여 수행하고 있다. 그런데, 이 경우에는 알루미늄 금속막의 식각 프로파일을 제어할 수 없기 때문에 알루미늄 금속막에 대한 양호한 식각 프로파일을 얻을 수 없다.
상기 인산, 초산, 질산 및 초순수가 혼합된 식각액에 있어서, 인산은 알루미늄 금속막의 실질적인 식각이 이루어지게 하는 역할을 하게 되며, 초산은 식각에 필요한 농도를 일정하게 유지시키는 역할을 하게 되고, 질산은 식각 마스크로 사용되는 감광막과 유리기판의 표면에 형성되어 있는 언더 레이어, 즉, 산화막간의 계면에 침투하여 알루미늄 금속막의 식각 프로파일을 조절하는 역할을 하게 된다.
따라서, 본 발명의 실시예에서는 알루미늄 금속막의 식각 프로파일을 조절하게 되는 질산의 혼합비를 변경시켜 단위 면적에서 반응하는 인자의 수를 증가시킴으로써, 알루미늄 금속막의 식각 프로파일을 개선시켰다.
자세하게, 도 3a 내지 도 3e는 질산의 혼합비에 따른 알루미늄 금속막의 식각 프로파일을 보여주는 사진으로서, 도 3a는 인산 : 초산 : 질산 : 초순수의 중량비(wt%)가 66.5 : 13 : 5.5 : 15인 식각액을 사용한 경우에서의 알루미늄 금속막(12a)의 식각 프로파일을 보여주는 사진이고, 도 3b는 인산 : 초산 : 질산 : 초순수의 중량비가 64.7 : 12.6 : 11.1 : 11.6인 식각액을 사용한 경우에서의 알루미늄 금속막(12b)의 식각 프로파일을 보여주는 사진이며, 도 3c는 인산 : 초산 : 질산 : 초순수의 중량비가 62.58 : 7.13 : 12.36 : 17.93인 식각액을 사용한 경우에서의 알루미늄 금속막(12c)의 식각 프로파일을 보여주는 사진이고, 도 3d는 인산 : 초산 : 질산 : 초순수의 중량비가 61.4 : 11.9 : 16.5 : 10.2인 식각액을 사용한 경우에서의 알루미늄 금속막(12d)의 식각 프로파일을 보여주는 사진이며, 도 3e는 인산 : 초산 : 질산 : 초순수의 중량비가 60 : 11.6 : 17.8 : 10.6인 식각액을 사용한 경우에서의 알루미늄 금속막(12a)의 식각 프로파일을 보여주는 사진이다.
사진들에서, 질산의 첨가량이 증가될수록 알루미늄 금속막(12a, 12b, 12c, 12d, 12e)의 테이퍼 각이 감소됨을, 즉, 식각 프로파일이 개선됨을 볼 수 있다.
여기서, 주지된 바와 같이, 공정상에서 원하는 게이트의 테이퍼 각이 대략 30±5° 정도이고, 그리고, 인산 : 초산 : 질산 : 초순수의 중량비가 62.58 : 7.13 : 12.36 : 17.93인 식각액을 사용한 도 3c의 경우가 대략 30±5° 에 가까운 식각 프로파일이 얻어졌으므로, 알루미늄 금속막의 식각액으로서 상기 도 3c의 경우가 가장 바람직한 조성비인 것으로 이해될 수 있다.
한편, 질산의 첨가량이 종래 보다 증가된 것으로 인해, 테이퍼 각은 90° 이하가 되지만, 도 3d 및 도 3e에서 보여지는 바와 같이, 질산의 첨가량이 과하게 되면, 게이트의 표면에 돌출부와 같은 팁(Tip)이 발생되어 오히려 게이트의 특성을 저하시키게 된다.
그러므로, 인산 : 초산 : 질산 : 초순수가 60∼65 : 7∼8 : 12∼13 : 17∼18의 중량비로 혼합되어진 식각액을 사용하는 경우가 양호한 식각 프로파일을 얻을수 있다.
또한, 본 발명은 스프레이 방식으로 알루미늄 금속막을 식가하기 때문에 스프레이 압에 의해 기포를 제거할 수 있으며, 이에 따라, 식각이 불완전하게 이루어지는 것을 해결할 수 있다.
이상에서와 같이, 본 발명은 딥 방식 대신에 스프레이 방식을 이용하기 때문에 알루미늄 금속막의 찌꺼기가 잔류되는 것을 방지할 수 있고, 아울러, 스프레이 방식을 이용함에 있어서는 질산의 첨가량을 적절하게 조절하여 알루미늄 금속막에 대한 양호한 식각 프로파일을 얻을 수 있으며, 따라서, TFT LCD의 전기적 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 비교적 값이 싸고, 저저항의 알루미늄 금속으로 게이트를 형성할 수 있기 때문에 TFT LCD의 제작 비용을 감소시킬 수 있다.
한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.
Claims (2)
- 인산, 초산, 질산 및 초순수의 혼합용액으로 알루미늄 금속막을 식각하여 게이트를 형성하는 박막 트랜지스터 액정표시소자의 게이트 형성방법에 있어서,상기 인산 : 초산 : 질산 : 초순수는 60∼65 : 7∼8 : 12∼13 : 17∼18의 중량비(wt%)로 혼합되며, 상기 혼합용액을 스프레이 방식으로 분사하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시소자의 게이트 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 인산 : 초산 : 질산 : 초순수는62.58 : 7.13 : 12.36 : 17.93의 중량비(wt%)로 혼합된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시소자의 게이트 형성방법.
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