KR100320372B1 - 유해가스의정화방법 - Google Patents

Abstract

본발명은 암모니아, 아민류등의 유해성분인 염기성가스를 함유하는 가스를, 동(II)염을 실리카, 알루미나등의 급속산화불이나, 산화동(II)및 산화망간(IV)로된 금속산화물의 혼합물등으로된 무기질담체에 담지시켜된 정화제와 접촉시켜 이 가스로부터 상기 유해성분인 염기성가스를 제거하는 유해가스의 정화방법이다.

본발명의 가스정화방법에 따르면, 반도체제조공정의 배기가스중에 함유되는 암모니아, 트리메틸아민등의 염기성가스나 이들염기성가스를 충전한 봄베로부터 이들유해가스가 사고로인해 급속히 누출하여 공기나 질소등에 희석함유된 가스중의 염기성가스등, 염기성유해가스를 효율적으로 제거할 수 있다.

더구나, 실란등 다른가스가 공존해도 화재 발생을 막을 수 있어 제해에 우수한 효과가 얻어진다.

Description

유해가스의 정화방법

본발명은 유해가스의 정화방법에 관하여, 좀더 상세하게는 암모니아, 아민류등, 반도체제조공정등에서 사용되는 염기성 유해가스의 정화방법에 관한 것이다.

근년에, 반도체공업이나 전자공업, 정밀기기공업의 발전과 더불어 암모니아, 아민류등의 염기성가스의 사용량이 증가하고 있다.

이들 염기성가스는 화학기체상성장법등을 이용한 반도체제조, 장식, 보호막 제조나 초경기기제조 기타 제조에 있어서 불가결한 재료이나, 모두 독성이 크고 대기중에 방출된 경우는 자극성의 냄새를 방출하여 인체나 환경에 악영향을 준다.

인체나 환경에 대한 이들가스의 허용농도에 대해서는 예를 들면 암모니아는 25ppm, 트리메틸아민은 10ppm으로, 전술한 반도체제조등에서 사용후 대기로 방출하기 앞서 이들 유해성분을 제거할 필요가 있다.

한편, 이들 염기성가스는 통상은 용량이 0.1-501정도의 가스봄베에 충전하여 시판되고 있다.

이들 가스봄베는, 가스가 누설한 경우에 주변의 대기를 광활히 오염시키는 것을 방지하기 위해 통상은 환기용수송관에 접속된 봄베박스라 불리는 봄베수납용기내에 수납되고 그 상태에서 반도체 제조 공정등에의 가스의 공급배관에 접속되어 사용되나, 봄베박스내에 수납되어 있어도 위험한 사고등에 의해 예를들면 5-10분정도의 단시간에 봄베가 텅비어버리게 되는 급격한 대량누출이 발생할 위험성이 없다고는 말할수 없어 이런 사고에 대처할 수 있는 가스의 무해화방법등 만전의 대책이 강력히 요망되고 있다.

대기등에 배출된 염기성가스를 제거하는 방법으로서는 가스세정기로 흡수시키는 습식법이 있고, 흡수액으로서 주로 산성성분을 함유한 수용액이 사용되고 있다.

또한, 같은 목적을 위한 건식법에서는 활성탄이나 무기화합물계의 다공질 흡착제를 사용하는 예도 있다.

그러나, 습식법은 장치가 대형화할뿐아니라 흡수액의 후처리에 어려움이 있으며, 사용장치의 보수비용도 크게 되는 결점이 있다.

또한, 흡수효율이 항시높지않고 고농도의 유해가스의 경우에는 즉시 완전히 처리하지 못하고 있는 실정이다.

또한, 암모니아계 가스에서만 아니라 다른 유해가스, 예를들면 반도체 공업에서는 실란을 대표로하는 실리콘화합물계의 가스도 동시에 사용되기때문에 산화물분체의 발생으로 슬러지가 발생하는 문제점도 있다.

건식법으로서 상기와 같이 활성탄에 의한 흡착처리의 방법이 있으나, 처리능력이 낮고 또 실란등의 가연성가스가 공존하는 경우에는 화재발생의 위험성에 대한 대책도 필요하다.

따라서, 봄베의 이상등으로 대량의 가스가 누출하는 경우뿐아니라, 통상 반도체제조공정에서의 유해가스 사용후에 농도가 높은 상태에서 배출되는 경우에도 유해가스의 처리속도 및 처리용량이 클 필요가 있기 때문에 어느 경우에도 제거능력이 우수하고 화재발생등의 위험성이 없으며 슬러지등의 생성물에 의한 정화통의 폐쇄등이 생길염려가 없는 정화방법의 출현이 요망되고 있다.

본발명자들은 이들 반도체제조공정등에서 사용후에 배출되어 공기, 질소 또는 수소등에 함유되는 암모니아, 아민류등의 유독한 염기성가스나, 봄베로부터 누출되어 공기등에 함유되는 이들과 같은 유해가스를 효율적으로 제거하는 방법을 발견하고자 예의 연구를 거듭한 결과, 무기질 담체에 동(Ⅱ)염을 담지시킨 정화제를 사용함으로써, 상기 염기성유해가스를 매우 효율적으로 그리고 완전히 제거할수있다는것을 발견하고 본발명을 완성하게 되었다.

즉, 본발명은, 유해성분인 염기성가스를 함유하는 가스를, 동(Ⅱ)염을 무기질담체에 담지시켜된 정화제와 접촉시켜, 그 가스로부터 상기유해성분을 제거하는 것을 특징으로하는 유해가스의 정화방법이다.

본발명에 있어서는, 동(Ⅱ)염을 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 산화동(Ⅱ), 산화망간(Ⅳ)등의 무기산화물의 1종 또는 2종 이상으로된 무기질 담체에 담지시킨 정화제가 사용된다.

본발명에서 사용되는 동(Ⅱ)염으로서는, 무기산 또는 유기산의 동염이다.

무기산의 염으로서는 옥소산의 염, 할로겐화물등이 있고, 이 옥소산의 염으로서는 탄산, 규산, 질산, 황산, 인산, 비산, 붕산, 염소산, 과염소산, 아염소산, 차아염소산등의 옥소산의 동(Ⅱ)염을 들수 있고, 또한 상기 할로겐화물로서는 염화동(Ⅱ), 브롬화동(Ⅱ), 요오드화동(Ⅱ)등의 할로겐화 제 2동을 들수 있다.

한편, 유기산의 염으로서는, 포름산, 초산, 프로피온산, 올레인산, 스테아린산등의 지방족모노카르복시산, 옥살산, 아디핀산, 세바신산등의 지방족카르복시산, 젖산, 주석산등의 옥소산, 안식향산, 톨루일산 등의 방향족카르복시산이나 나프텐산과 같은 여러가지 산의 동(Ⅱ)염을 들수 있다.

이들 가운데 질산동, 황산동, 염화동. 브롬화동및 초산동은 수용성이며 취급이 용이한점에서 적합하다.

또한, 상기동(Ⅱ)염에는, 무수물에서부터 다수화물까지 각종수화물이 알려져 있으나, 취급이 용이하고 공기중에서의 안정성의 정도및 정화능력에는 차이가 없는점에서 무수물에 비해 수화물이 일반적으로 적합하다.

본발명에서 사용되는 무기질담체로서는, 실리카, 알루미나, 티다니아, 지르코니아, 산화동(Ⅱ), 산화망간(Ⅳ)등에서 선택되는 1종 또는 2종이상의 무기산화물이 적합하나 특히 실리카겔, 실리카알루미나, 알루미나, 산화동(Ⅱ)와 산화망간 (Ⅳ)과의 혼합물등이 바람직하다.

담체의 비표면적에 관해서는, 본발명에서 사용되는 무기질담체중에서도 비표면적이 적은것이 실란등 다른 유해가스를 흡착하지 않고 따라서 암모니아, 아민등 염기성가스의 제거능력에 악영향을 주지않는점에서 바람직하며 전기한 무기질담체중에서 특히 α-알루미나가 바람직하다.

이 α-알루미나로서는 시판품으로서 일반적인, 실리카를 0.1-15중량% 함유하고 비표면적이 1-100㎡/g 정도의 것도 사용할 수 있으나, 보다 낮은 비표면적, 바람직하게는 1㎡/g이하, 보다 바람직하게는 0.001-0.5㎡/g의 것이 사용된다.

2성분계에서는 산화동(Ⅱ)및 산화망간(Ⅳ)로된 계가 적합하나, 이 계를 주성분으로 하고 다시 다른 금속산화물이 첨가혼합되어 있어도 좋고 산화코발트(II), 산화은(I),(II), 산화알루미늄(III), 산화규소(Ⅳ)의 1종 또는 2종이상의 산화물의 첨가가 예시된다.

산화동 (Ⅱ)및 산화망간(Ⅳ)를 주성분으로 하는 계에서의 산화동 (Ⅱ) 및 산화망간(Ⅳ)의 합계의 함유량은, 통상은 60중량%이상, 바람직하게는 70 중량% 이상이다.

또한, 산화동(Ⅱ)에 대한 산화망간(Ⅳ)의 비율(산화동(Ⅱ):산화망간(Ⅳ)는, 통상은 1:0, 8-5, 바람직하게는 1:1, 2-3정도이다.

상기 산화동(Ⅱ)및 산화망간(Ⅳ)를 주성분으로 하는 금속산화물계의 조성물은, 각성분의 혼합기타 공지의 각종방법으로 제조할 수도 있으나, 흡칼라이트 (Hopkalite)로서 시판도 되고 있으므로 그들을 사용하면 편리하다.

이 흡칼라이트는 산화동(Ⅱ)40중량%, 산화망간(Ⅳ)60중량%와 같은 2성분계의 것이 중심으로서 시판되고 있으나, 산화동(Ⅱ)-산화망간(Ⅳ)계에 칼륨, 마그네슘, 알루미늄, 규소등의 산화물이 30중량% 정도 첨가물로서 혼합되어 있는것도 있어, 그들을 그대로, 또는 여기에 다시 전기한 각종 금속산화물을 혼합해 사용해도 좋다.

본발명에서 사용되는 무기질담체의 형태는 파쇄품, 압출성형품, 타정성형품등이 바람직하며 그 크기는 파쇄품이면 4-20메시정도, 압출성형품이면 1.5-4㎜φ × 3-20㎜정도, 타정성형품이면 통상은 원통상으로 그 크기는 3-6㎜φ×3-6㎜정도의 것이 바람직하다.

무기질담체에 담지되는 동(Ⅱ)염의 양에는 특별히 제한되어 있지 않고 염기성가스의 종류, 농도등에 따라 적절히 선택된다.

전기한 α-알루미나의 경우, α-알루미나 100중량부에 대해 동 (Ⅱ)염에서 3-100중량부, 바람직하게는 10-80중량부정도이다.

동(Ⅱ)염이 3중량부미만이면 유해가스의 정화효율이 낮게 되고 한편 100중량부를 넘으면 α-알루미나에 충분히 담지되지 않고 값도 비싸게 되어 역시 좋지 않다.

또 흡칼라이트 (산화동(Ⅱ)와 산화망간(Ⅳ)의 경우, 홉칼라이트 100중량부에 대하여 동(Ⅱ)염으로서 3-100중량부, 바람직하게는 5-50중량부정도이다.

동(Ⅱ)염이 3중량부미만이면 유해가스의 정화효율이 낮게되고 한편 100 중량부를 넣으면 홉칼라이트등의 금속수산화물에 충분히 유지되지 않고 값도 비싸게 된다.

본발명에서, 유해성분의 제거효율을 좀더 높힐 목적에서 정화제에 동(Ⅱ)염의 결정수에 기초해 수분외에 다시 소량의 유리수분을 보유시키는 것이 바람직하다.

유리수분의 보유량으로서는 통상은 정화제전체중량에 대해 1-50중량%가 바람직하나 보다 바람직하게는 5-30중량%이다.

본발명에서 사용되는 정화제의 제조방법은 특별히 한정되어 있는것이 아니고, 예를들면 동(Ⅱ)염을 온수에 용해하고 이것을 전기한 α-알루미나등의 담체에 포함(함침)시킨후 30-100 ℃정도에서 소정의 수분함유량으로 될때까지 건조하여 제조할수 있다.

이렇게 해서 얻어진 정화제는, 특히 산화동 (Ⅱ)및 산화망간 (Ⅳ)를 담체로 하는 정화제는, 염기성가스와 동시에 반도체제조공정에 사용되고 배출가스에 혼입되어온 모노실란을 분해하여 무해화할 수 있는 이점도 겸비하고 있다.

본발명이 적용되는 유해가스의 농도는 특별히 제한되어 있지 않고 통상은 1(용량)%이하, 바람직하게는 1,000ppm(용량)이하이다.

또한, 정화제와 유해가스 함유가스와의 접촉온도는 바람직하게는 0-90℃정도이나 통상은 실온(10-50℃)에서 조작하고 특히 가열이나 냉각을 필요로 하지 않는다.

또한, 접촉개시후는 반응열에 의해 유해가스의 농도에 따라 온도상승이 발견된다.

정화제와 유해가스함유가스와의 접촉시의 압력은, 통상은 상압이나 감암내지 1㎏/㎠G와 같은 가압하에 조작하는 것도 가능하다.

본발명의 대상이되는 염기성가스는 그대로 제해공정에 도입되거나 또는, 공기, 질소, 수소등의 가스로 희석시키는 것이 바람직하다.

이들 염기성가스 또는 공기등에 의한 희석가스는, 통상은 건조상태이나 습윤상태여도 결로가 생기지 않을 정도면 좋다.

일반적으로는 통상의 대기중의 습도에 상당하는 30-100%의 상대습도에서 사용되는 일이 많고 이러한 경우에는 정화제중의 유리수분이 5-30중량%정도의 것이 적합하다.

또한, 본발명에서의 정화방법은, 공기중등의 탄산가스에 의해 악영향을 주는 일은 없고 탄산가스의 존재는 상황에 따라서는 오히려 정화능력을 높히는 것도 있다.

본발명의 정화방법에 있어서, 처리용가스중의 유해가스농도와 그 처리용가스의 유속과의 사이에는 특별히 제한은 없으나, 일반적으로 농도가 높을수록 유속을느리게 하는 것이 바람직하다.

정화제와의 접촉에 의해 제거가 쉬운농도는 통상은 1용량%이하이나 유량이 적은 경우에는 더 고농도의 염기성가스의 처리도 가능하다.

정화제는 통상 정화통에 충전되고 처리대상가스를 정화통의 한쪽으로부터 다른쪽으로 흘려보내는 방법이 채택된다.

정화통은 유해가스농도, 처리대상가스의 량등에 따라 설계되나, 유해가스농도가 0.1용량% 미만과같이 비교적 저농도에서는 공통신속도 (LV)는 0.5-50Cm/sec, 이 농도가 0.1-1용량%정도에서는 0.05-20Cm/sec, 그 농도가 1용량%를 넘는 고농도에 에서는 10Cm/sec이하의 범위에서 설계하는 것이 바람직하다.

따라서, 반도체 제조공정으로부터 정상적으로 배출되는 농도가 높은 유해가스와 같은 경우에는 10Cm/sec이하, 유해가스가 가스봄베로부터 급속히 누출하여 다량의 공기등에서 희석되는 경우에는 LV는 0.5-50Cm/sec가 일반적인 기준으로 된다.

또한, 정화제는 상기와 같이 통상은 유해가스의 정화통에 충전되고, 고정상으로 사용되나 이동상, 유동상으로 사용하는 것도 가능하다.

고정상의 경우의 충전밀도는 1.0-1.5g/㎖정도가 적당하다.

정화통내의 정화제의 충전장은 처리대상가스의 유량및 유해가스의 농도등에 따라 다르나, 실용상통상은 50-500㎜ 정도로 되고 정화통의 내경은 통내를 흐르는 가스의 LV로 0.5-50Cm/sec정도로 하도록 설계되고 충전층의 압력손실, 가스의 접촉효율및 유해가스의 농도등에 따라 정해진다.

이하, 도면을 통해 본발명의 정화방법의 공정을 설명한다.

제 1도는, 반도체제조장치로 부터 나오는 배출가스의 정화방법에 관한 플로우챠트를 나타내며, 반도체제조장치(2)로부터 배출되는 배출가스는 수송관(6)으로 정화통(1)로 유입되어 정화된 가스는 배출된다.

제 2도는, 가스봄베로 부터의 누출가스의 처리에 관한 플로우챠트를 나타내고, 정화통(1)은 유해가스의 봄베(3)이 수납된 봄베박스(4)와 공기를 연속적으로 흡인환기하기 위한 흡인기(5)를 접속하는 수송관(6)과의 사이에 개재시켜 사용된다.

이경우, 흡인기(5)의 흡인에 의해 봄베박스(4), 수송관(6)내를 부압으로 하여 가스봄베로 부터의 누출가스를 수송관(6)을 통해 정화통(1)로 유입시키고 통과시켜 유해가스를 정화하고 정화통의 다른쪽 끝으로 부터 정화된 가스가 배출된다.

정화제는 유해가스의 농도가 1용량%를 넘는 고농도에서는 발열이 크게 되기 때문에 제열수단이 필요하게 되는 경우가 있다.

그러나, 제 2도와 같은 설비에서는 통상, 유해가스의 급격한 누출이 발생해도 공기 또는 질소등의 희석가스와의 혼합에 따라 그 농도가 1용량% 이하로 희석되는데 충분한 크기의 용량의 흡인기가 설치되는게 좋다.

본발명의 가스의 정화방법에 따르면, 반도체제조공정의 배기가스중에 함유되는 암모니아, 트리메틸아민등의 염기성가스나 봄베로부터 급속하게 누출하는 등으로 공기, 질소및 수소등에 함유되는 이들 유해가스를 효율적으로 제거할 수 있어 우수한 효과가 얻어진다.

보다 구체적으로는 고농도, 저농도에 관계없이 다량의 유해가스를 신속하고상온에서 효과적으로 제거할 수 있고 또 실란등 다른가스가 공존해도 화재의 발생을 막고 정화능력에 악영향을 주는 일이 없다.

실시예 1-4

황산동5수화물 25-250g을 400-800㎖의 온수에 용해하고 황산동의 농도가 다른 4종류의 용액을 조제하여 큰통 (vat)중에서 이들 용액에 α-알루미나 86wt%, 실리카 12wt%의 조성비를 유지해, 비표면적 0.005-0.040㎡/g, 충전밀도 1.1g/㎖, 직경 3/16인치의 구형 α-알루미나(노톤사제품) 500g을 첨가혼합한후, 100℃에서 건조시켜 황산동의 함유량및 유리수분함유량이 다른 4종류의 정화제를 얻었다.

이 4종류의 정화제를 사용하여 각각 유해가스의 정화시험을 했다.

정화제 85㎖를 내경 19㎜, 길이 500㎜의 석영유리제 정화통에 충전하고 암모니아를 1용량%함유하는 건조질소를 20℃, 상압하에서 170㎖/min(LV=1.0Cm/sec)의 유량으로 유통시켰다.

정화통의 출구가스의 일부를 시료채취하여 가스검지관(가스텍사 제품, 검지하한 2ppm)및 가스 검지기(바이오닉스기기(주)제품, TG-2400BA)로 측정하고 암모니아가 허용농도의 상한(25ppm)에 도달할때까지의 시간(유효처리시간)을 측정했다.

그결과를 제 1표에 나타낸다.

실시예 5-8

실시예 1-4에서 구형 α-알루미나대신에 산화동 (11) 40wt%, 산화망간(IV) 60wt%의 2성분계 홈런라이트(니싼가들러제품)을 사용한 외는 실시예 1-4와 같이 실시했다.

그 결과를 제 1표에 나타낸다.

제 1 표

실시예 9-12

실시예 3과 같은 정화제 (황산동함유율 20wt%, 유리수분함유율 5wt%)을 사용하고 암모니아 농도및 가스의 공통선속도(LV)를 여러가지로 바꾼외는 실시예 3과 같이하여 정화시험했다.

그결과를 제 2표에 나타낸다.

실시예 13-15

실시예 7과 같은 정화제 (황산동함유율 40wt%, 유리수분함유율 8wt%)를 사용하고 암모니아농도및 가스의 공통선속도 (LV)를 여러가지로 바꾼외는 실시예 7과 같이하여 정화시험했다.

그 결과를 제 2표에 나타낸다.

제 2 표

실시예 16-17

실시예 3과 같은 정화제를 사용하고, 암모니아 대신에 트리메틸아민을 사용하고, 공통선속도 (LV)를 바꾸어 실시예 3과 같이하여 정화시험을 하고 트리메틸아민의 농도가 허용농도상한(10ppm)에 달할때까지의 시간을 측정했다.

그 결과를 제 3표에 나타낸다.

실시예 18, 19

실시예 7과 같은 정화제를 사용하고, 암모니아 대신에 트리메틸아민을 사용하고, 공통선속도(LV)를 바꾸어 실시예 7과 같이하여 정화시험을 하고 트리메틸아민의 농도가 허용농도상한(10ppm)에 달할때까지의 시간을 측정했다.

그 결과를 제 3표에 나타낸다.

제 3 표

실시예 20-22

다른가스가 공존하는 경우의 염기성가스의 정화능력에 미치는 영향을 보기위해, 실시예 3과 같은 정화제를 사용하고, 모노실란 1용량%를 함유한 질소를 유통속도를 일정하게 하여 100분, 1000분, 5000분흘린후, 사용후의 각각의 정화제에 대해서 실시예 3과 같이하여 암모니아의 정화능력을 측정했다.

그 결과를 제 4표에 나타낸다.

실시예 23-34

다른가스가 공존하는 경우의 염기성가스의 정화능력에 미치는 영향을 보기위해, 모노실란 1용량%를 함유한 질소를 유통속도를 일정하게 하여 각각 100분및 1000분 흘린후 사용후의 각각의 정화제에 대하여 실시예 9와 같이하여 암모니아의 제거능력을 측정했다.

결과를 제 4표에 나타낸다.

제 4 표

실시예 25

실시예 7과 같은 정화제를 사용하고 암모니아 1용량%및 모노실란 1용량%를 함유한 질소를 공통선속도를 일정(1.0Cm/sec)하게 하여 실시예 7과 같이하여 암모니아및 모노실란의 제거능력을 측정했다.

그결과, 모노실란의 유효처리시간은 1600min이고 암모니아의 유효처리 시간은 8985min였다.

이점에서 암모니아및 모노실란이 동시에 제거할 수 있다는 것이 확인되었다.

비교예 1

실시예 5에서 사용한 흡칼라이트를, 동(11)염을 담지시키지 않고 정화제로써 사용한 외는 실시예 5와 같이하여 암모니아의 제거능력을 측정했다.

그결과 유효처리시간은 18min였다.

제 1도는, 반도체제조장치(2)로부터 배출되는 유해한 염기성가스를, 수송관(6)을 통해서 특정의 정화제를 충전한 정화통(1)로 통과시켜 정화시키는 방법의 1예를 나타내는 플로우차트.

제 2도는, 유해한 염기성가스를 충전한 봄베(3)을 봄베박스(4)에 수납하고 누설되는 유해가스의 염기성가스를 함유하는 공기를 수송관(6)및 정화제를 충전한 정화통(1)을 통하여 흡인기(5)에 의해 흡인배출하여 유해성분을 정화통에서 정화하는 방법의 1예를 나타내는 플로우챠트.

*도면중의 주요부분에 대한 부호의 설명

1. 정화통 2. 반도체제조장치

3. 봄베 4. 봅베박스

5. 흡인기 6. 수송관

Claims (7)

1. 유해성분인 염기성가스를 함유하는 가스를, α-알루미나, 산화동(II), 산화망간(IV) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 무기산화물로부터 선택된 무기질담체에 담지시켜서 된 정화제와 접촉시켜 이 가스로부터 유해성분을 제거하는 것을 특징으로 하는 유해가스의 정화방법.
2. 제1항에 있어서,

   염기성가스가 암모니아, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 히드라진 및 디메틸 히드라진 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유해가스의 정화방법.
3. 제1항에 있어서,

   동(11)염이 탄산, 규산, 질산, 황산, 인산, 붕산, 염소산, 과염소산, 아염소산 및 차아염소산으로 구성된 무기산염 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 염인 것을 특징으로 하는 유해가스의 정화방법.
4. 제1항에 있어서,

   무기질 담체가 산화동(11) 및 산화망간(IV)을 주성분으로 하는 금속산화물인 것을 특징으로 하는 유해가스의 정화방법.
5. 제4항에 있어서,

   무기질 담체의 비표면적이 0.001-0.5㎡/g인 것을 특징으로 하는 유해가스의 정화방법.
6. 제4항에 있어서,

   무기질 담체 중의 산화등(II) 및 산화망간(IV)의 합계량이 60중량% 이상인 것을 특징으로 하는 유해가스의 정화방법.
7. 제1항에 있어서,

   유해가스가 염기성가스와 실란가스 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 유해가스의 정화방법.