KR100311181B1 - 세정된피건조물을건조시키기위한건조방법및건조장치 - Google Patents

세정된피건조물을건조시키기위한건조방법및건조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100311181B1
KR100311181B1 KR1019970072197A KR19970072197A KR100311181B1 KR 100311181 B1 KR100311181 B1 KR 100311181B1 KR 1019970072197 A KR1019970072197 A KR 1019970072197A KR 19970072197 A KR19970072197 A KR 19970072197A KR 100311181 B1 KR100311181 B1 KR 100311181B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
organic solvent
steam bath
vapor
phase interface
gas phase
Prior art date
Application number
KR1019970072197A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990013267A (ko
Inventor
이꾸히로 이치코
카즈토시 와타나베
Original Assignee
오노다 하지메
가부시키가이샤 김몬코르쯔
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오노다 하지메, 가부시키가이샤 김몬코르쯔 filed Critical 오노다 하지메
Publication of KR19990013267A publication Critical patent/KR19990013267A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100311181B1 publication Critical patent/KR100311181B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B19/00—Machines or apparatus for drying solid materials or objects not covered by groups F26B9/00 - F26B17/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

건조장치(1)는 증기욕(7)를 구비하는 장치본체(4)와 반도체웨이퍼(3)를 지지하는 지지장치(5)와, 액회수부(6)와, 불활성가스 공급장치(2)와, 냉각관(16)과, 배기장치(41)와, 반송장치(43)와, 제어장치(44)등을 구비하고 있다. 증기욕(7)의 상부 개구부(9)와 마주 향하게 하여 송풍기(42)의 취출구(45)가 설치되어 있다. 증기욕(7)에 유기용제(Y)가 수용되어 있다. 유기용제(Y)를 가열함으로써 증기(V)가 발생한다. 증기(V)와 그 상측에 존재하는 공기와의 경계에 증기와 공기와의 기상계면(vapor phase boundary surface)(B)이 형성된다. 저온의 웨이퍼(3)가 반송장치(43)에 의해 증기욕(7)내에 삽입되면 웨이퍼(3)의 표면에 유기용제 증기가 응축된다. 불활성 가스 공급장치(2)는 증기욕(7)내의 증기(V)에 불활성 가스를 공급한다. 웨이퍼(3)는 반송장치(43)에 의해 증기(V)내에서 천천히 끌어올려져 그 도중에 기상계면(B)을 통과한다.

Description

세정된 피건조물을 건조시키기 위한 건조방법 멎 건조장치
본 발명은 예를 들면 세정후의 반도체 웨이퍼(wafer of a semiconductor), 액정표시장치용 기판(substrate for a liquid crystal display) 및 기록디스크용 기판(substrate for a recording disk)등의 피건조물(object to-be-dried)을 건조시키기 위한 건조방법 및 건조장치에 관한 것이다.
수세된 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼(wafer)라고 한다)등의 피건조물을 건조시키기 위한 장치로서, 예를 들면, 도 10에 나타나 있는 건조장치(drying apparatus)(70)가 알려져 있다. 증기건조장치(70)는 그 외곽(outer hull)을 구성하는 장치본체(71) 웨이퍼(3)를 지지하는 지지장치(72) 및 액회수부(73)등을 구비하고 있다. 장치 본체(71)는 유기 용제(Y)를 수용하는 증기욕(vapor vessel)(74)와 증기욕(74)를 둘러싸는 외조(outer vessel)(75)를 구비한 이중구조로 되어 있다. 유기용제(Y)의 일예는 이소프로필 알콜(isoprpyl alcoho1)(이하, IPA라고 한다)이다. 증기욕(74)의 저부(76)와 외조(75)사이에 발열장치(77)가 설치되어 있다. 유기용제(Y)는 발열장치(77)에 의해 가열됨으로써 증발되어 증기(V)를 발생한다.
건조시켜야 할 웨이퍼(3)는 증기욕(74)에 삽입되기 전에 세정 공정시에 물 등으로 세정하므로 증기욕(74)에 삽입된 직후의 웨이퍼(3)는 그 표면에 세정액이 부착되고 비교적 온도가 낮아진다. 세정액이 부착된 웨이퍼(3)는 도시되지 않은 보존·유지장치에 의해 보존·유지되어, 증기욕(74) 내로 삽입됨으로써 증기(V)에 쐬여진다, 이 상태가 되면 웨이퍼(3) 표면에 유기용제 증기(V)가 응축되어 웨이퍼(3) 표면에 유기용제가 부착된다. 이로 인해 웨이퍼(3) 표면에 부착되어 있던 세정액으로서의 물이 웨이퍼 표면의 유기용제와 치환된다. 이때 치환된 물은 웨이퍼(3) 표면에서 흘러내려, 액화수부(73)에 의해 회수된다. 그리고 웨이퍼(3) 표면의 유기용제가 증발됨으로써, 웨이퍼(3)가 단시간에 건조된다. 또한, 웨이퍼(3) 표면에 부착되어 있던 이물질(foreign matter)인 파티클(particle)은 웨이퍼(3) 표면에서 세정액(물)이 흘러내릴 때에 세정액과 함께 흘러내린다. 그러나, 단지 세정액이 흘러내리는 것만으로는 파티클이 웨이퍼(3) 표면에서 충분히 제거되지 않는 경우가 있으므로 바람직하지 않다.
물 등의 세정액으로 세정된 웨이퍼(3)는 증기욕(74)에 삽입된 직후는 비교적 저온이므로, 웨이퍼(3)표면(obverse surface)과 내면(reverse surface)에서 증기(V)가 동시에 응축된다, 이 응축현상은 웨이퍼(3)의 온도가 증기(V)의 온도에 이를 때까지 계속된다. 이하, 이 응축현상을 초기 응축(initial condensation)이라 한다.
증기욕(74)에 삽입된 웨이퍼(3)는 그 온도가 점차 상승되어 최종적으로 증기(V)의 온도와 거의 같은 열평균점(heat balance point)에 이른다. 이 상태에 이르면 웨이퍼(3)의 한쪽 면(예를 들면, 표면(obverse surface))에 응축된 증기(V)의 잠열(latent heat)과 동량의 열이 웨이퍼(3)에 흡수된다. 이 웨이퍼(3)는 증기(V) 내에서 열적평형을 유지하기 때문에, 상기 잠열(latent heat)과 동량의 열이 웨이퍼(3) 내면(reverse surface)으로 전달된다. 이로 인해 웨이퍼(3) 내면에서는 거기에 응축하려고 하는 증기(V) 또는 응축된 증기(V)에 기화열(heat of vaporization)이 주어진다. 이 때문에 웨이퍼(3)의 내면측에서는 증기(V)가 응축되지 않고 건조상태가 유지된다. 이하, 이 응축을 열평형시의 응축이라 한다.
증기조(74)의 내부에서 증기(V)는 웨이퍼(3) 표면(obverse surface)과 내면(reverse surface) 쌍방에 존재하므로, 상기한 열평형시의 응측에서, 표면(obverse surface) 또는 내면(reverse surface)중에 어느쪽이든 한쪽에 증기(V)가 응축되면, 그 다른쪽면이 건조되는 현상이 일어난다. 즉, 웨이퍼(3) 표면(obverse surface) 또는 내면(reverse surface)은 증기(V)의 응축과 건조 중의 어느쪽으로나 이행되기 쉬운 매우 불안정한 상태가 된다. 이로 인해 웨이퍼(3) 표면과 내면 양면이 서로 증기(V)의 응축과 건조를 반복하게 되어 다음에 기술할 문제점이 발생한다.
발열장치(77)에 의해 가열된 증기욕(74) 내의 유기용제(Y)는 증기(V)를 발생한다. 그러나, 웨이퍼(3)가 증기욕(74)에 삽입됨으로써, 웨이퍼표면에 증기(V)가 응축되면 증기(V)의 체적이 급격히 감소된다. 발열장치(77)는 유기용제(Y)를 계속 가열하므로, 유기용제(Y)는 증기(V)를 계속 발생시키지만, 웨이퍼 전체가 다시 증기(V)에 의해 덮여질 때까지 예를 들면 수십초 정도가 걸리는 경우가 있다. 그 경우, 웨이퍼(3) 전체가 증기(V)에 의해 덮여지기 전에 웨이퍼(3)의 온도가 증기(V)의 온도에 이르러서 상기한 열평형시의 응축으로 이행된다. 이로 인해 웨이퍼(3) 표면과 내면의 어느쪽 중 한쪽면에 건조된 부분이 생겨나서 거기에 부착된 파티클이 제거되지 않고 남겨지는 경우가 있다. 또한, 증기(V)가 다시 웨이퍼(3) 전체를 덮을 동안 웨이퍼(3)는 공기에 노출되어 있기 때문에, 웨이퍼(3)는 자연건조(airdrying)되는 상태가 된다. 이로 인해 웨이퍼(3)에 부착되어 있던 세정액방울(drop)의 윤곽을 따라 자연산화막(natural oxide film), 즉, 워터마크(water mark)라고 하는 얼룩(spot)이 발생하므로 바람직하지 않다.
따라서 본 발명의 목적은, 웨이퍼 등의 피건조물 표면과 내면 양면에서 확실하게 파티클을 제거할 수 있고, 또한, 피건조물에 워터마크를 생기게 하지 않는 건조방법 및 건조장치를 제공하는 데에 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태의 건조장치를 나타내는 종단면도.
도 2는 도1에 나타나 있는 건조장치에 있어서, 웨이퍼를 증기욕(건조조)에 삽입하기 전의 상태를 나타내는 종단면도.
도 3은 도1에 나타나 있는 건조장치에 있어서, 웨이퍼가 기상계면에 접한 상태를 나타내는 종단면도.
도 4는 도 1에 나타나 있는 건조장치에 있어서, 웨이퍼가 증기로 둘러싸인 상태를 나타내는 종단면도.
도 5는 도 1에 나타나 있는 건조장치에 있어서, 웨이퍼의 표면에 유기용제가 응축된 상태를 나타내는 종단면도.
도 6은 도 1에 나타나 있는 건조장치에 있어서, 웨이퍼 상승시의 종단면도.
도 7은 도 1에 나타나 있는 건조장치에 있어서, 웨이퍼에 부착된 유기용제가 기상계면을 따라 떨어지는 모양을 나타내는 종단면도.
도 8은 도 1에 나타나 있는 건조장치에 있어서, 웨이퍼가 기상계면의 상방으로 이동한 상태를 나타내는 종단면도.
도9는 도 1에 나타나 있는 건조장치에 있어서, 웨이퍼가 반송장치에 의해 다음 공정(next stage of process)으로 이송되기 직전의 상태를 나타내는 종단면도.
도 10은 종래의 건조장치를 나타내는 종단면도.
도 11은 도 10에 나타나 있는 건조장치에 있어서, 웨이퍼를 증기욕(건조조)에 삽입하기 전의 상태를 나타내는 종단면도.
도 12는 도10에 나타나 있는 건조장치에 있어서, 웨이퍼가 증기욕(건조조)에 삽입된 상태를 나타내는 종단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 건조장치 2 : 불활성가스 공급장치
3 : 피건조물(웨이퍼) 7 : 증기욕
12 : 발열장치 16 : 냉각수단
22 : 캐리어부재 41 : 배기수단
42 : 크린에어 공급수단 43 : 반송장치
44 : 제어수단
B : 기상계면(vapor phase boundary surface)
C : 크린에어 N : 불활성 가스
V : 증기 Y : 유기용제
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 건조방법은, 증기욕 내에 유기용제의 증기를 발생시키고 또한, 이 증기와 그 상측에 존재하는 공기와의 경계에 기상계면(vapor phase boundary surface)를 형성하는 증기 발생공정과, 상기 증기보다 온도가 낮은 피조건물을 상승시키고 또한, 그 상승 도중에 상기 기상계면에 상기 피건조물을 통과시킴으로써, 피건조물의 표면에 부착되어 있는 유기용제 증기를 응축시키는 응축공정과, 상기 증기욕 내에 삽입된 상기 피건조물을 상승시키고 또한, 그 상승 도중에 상기 기상계면에 상기 피건조물을 통과시킴으로써, 피건조물의 표면에 부착되어 있는 유기용제를 상기 기상계면에서 쓸려 내리는 상승공정을 구비한다.
물 등으로 세정된 저온상태의 피건조물이 상승 응축 공정시에 증기욕에 삽입되면 피건조물이 유기용제 증기에 의해 덮여진 시점에서 피건조물 표면에 유기용제는 상기 상승공정에서 피건조물이 기상계면을 통과할 때에 기상계면에서의 표면장력(surface tension)에 의해 쓸려 내려간다.
상기 응축공정은, 상기 피건조물 표면에 상기 증기가 응축될 때에 상기 증기욕 내의 증기에 불활성가스를 불어넣는 공정을 구비하면 된다, 이로써 증기의 응축시에 불활성가스에 의해 증기가 희석되어 증기의 체적이 증가되므로 피건조물 표면에 유기용제 증기가 계속 응축된다해도, 기상계면(vapor phase boundary surface)의 높이가 유지되어 피건조물 전체를 증기로 둘러쌀 수 있다.
본 발명의 건조장치는, 피건조물을 통과시킬 수 있는 크기의 개구부를 상부에 구비하고 또한, 내부에 유기용제가 수용되는 증기욕와, 상기 증기욕 내의 유기용제를 가열함으로써 증기를 발생시키는 발열장치, 상기 증기욕 내의 유기용제 증기와 그 상측에 존재하는 공기와의 경계에 증기와 공기의 기상계면을 형성하는 계면형성수단과, 상기 피건조물을 보존·유지하는 캐리어부재와, 상기 캐리어부재에 의해 보존·유지된 피건조물을 상기 기상계면의 하측에 삽입한 후 이 피건조물을 상승시킴으로써, 상기 기상계면에 피건조물을 통과시키는 반송장치를 구비한다. 상기 계면형성수단은 상기 증기조의 상부로부터 증기욕 내부의 기체를 배출하는 배기수단과, 상기 증기조의 상기 개구부를 향하여 크린에어를 토출하는 크린에어공급수단과, 상기 증기조의 상기 개구부의 근방에 설치되어 상기 증기를 응축시키는 냉각수단을 포함한다.
이와 같이 구성된 본 발명의 건조장치에 있어서는, 증기욕 내에서 유기용제증기와 그 상측에 공기와의 경계에 증기와 공기의 기상계면이 형성된다.
본 발명의 건조장치는 피건조물 표면과 내면의 양면에 단시간에 유기용제 증기를 응축시키기 위한 수단으로서 불활성가스 공급장치를 구비하고 있다. 상기 불활성가스 공급장치는 피건조물이 증기욕 내에 삽입되었을 때에 예를 들면, 질소 등의 불활성가스를 증기욕 내로 불어넣기 위한 가스 분사구를 구비하고 있다. 증기욕내의 증기는 이 불활성가스에 의해 희석되어 그 체적이 증가된다.
물 등에 의해 세정된 저온상태의 피건조물이 증기욕에 삽입되어 피건조물이 유기용제 증기에 의해 둘러싸였을 때, 피건조물의 표면에 유기용제 증기가 응축된다. 상기 응축시에 상기 불활성가스 공급장치에 의해 증기욕 내로 불활성가스가 공급되므로, 증기가 희석되어 증기의 체적이 증가한다. 이로 인해 피건조물의 표면에 유기용제 증기가 응축된다해도 기상계면(vapor phase boundary surface)의 높이가 유지되어 피건조물 전체를 증기로 둘러쌀 수 있으므로, 피건조물 표면에 빈틈없이 유기용제가 부착된다. 피건조물에 부착된 유기용제는 피건조물을 증기욕 내에서 끌어올릴 때에 기상계면에 형성되는 유기용제액층의 표면장력(surface tension)에 의해 쓸려 내려간다(sweep). 본 발명에 의하면 피건조물이 공기중에서 자연 건조되지 않기 때문에 피건조물의 표면에 워터마크가 생기는 것을 피할 수 있다.
본 발명의 건조장치는 증기욕 내에 크린에어(clean air)를 공급하기 위한 크린에어 공급장치와 증기욕 내의 기체를 흡입하기 위한 배기장치를 구비하고 있다. 동요(turbulence)가 없는 안정된 기상계면을 형성시키기 위해서 크린에어 공급장치로 크린에어 공급량과, 배기장치로 배기량을 제어한다. 즉, 피건조물이 기상계면을 통과하여 공기중으로 끌어올려질 때에 배기장치에 의한 증기욕 내의 기체배출을 정지하고 또한, 크린에어 공급장치로 크린에어의 공급량을 감소시킨다. 이로써 기상계면이 안정되기 때문에 피건조물 표면에 부착되어 있는 유기용제와 파티클을 기상계면에서 표면장력(surface tension)으로 확실하게 쓸어낼 수 있다.
본 발명에서 말하는 불활성가스란 질소를 비롯하여 헬륨 등의 희가스류 원소(inert-gas element)와 같이 화학적으로 불활성이며 유기용제와 반응하지 않는 가스를 의미한다. 또한, 크린에어는 먼지(dust)나 파티클 등의 이물질의 혼입량을 상당히 줄인 기체를 의미하므로 반드시 대기(atmospheric air)에 한정되지 않는다. 질소등의 불활성가스를 크린에어로 사용해도 된다.
이하, 본 발명의 일실시형태에 관해서 도 1 부터 도 9를 참조하여 설명한다.
도 1에 나타나 있는 건조장치(1)는 그 외곽(outer hull)을 구성하는 장치본체(4)와, 지지장치(5) 및 액회수부(6)와, 불활성가스 공급장치(2)와, 냉각수단으로서 기능을 하는 냉각관(16)과, 배기 수단으로 기능하는 배기장치(41)와, 반송수단으로 기능하는 반송장치(43)와, 제어수단으로 기능하는 제어장치(44) 등을 구비한다.
지지장치(5)는 피건조물의 일예로서의 세정후의 웨이퍼(3)를 지지한다.
액회수부(6)는 웨이퍼(3) 표면에서 흘러내리는 세정액(예를 들면, 물)을 회수하는 기능을 구비한다. 불활성가스 공급장치(2)는 장치본체(4)의 내부에 불활성가스(예를 들면, 질소가스)를 공급한다, 배기장치(41)는 증기욕(7) 내의 기체(주로, 증기와 공기)를 장치본체(4)의 외부로 배출하는 기능을 구비한다.
장치본체(4)는 증기욕(7)와 외조(outer vessel)(8)를 구비하는 이중구조로 되어 있다. 증기욕(7)는 건조(drying vessel)로서 기능한다. 증기욕(7)의 내부에는 IPA(isopropyl alcoho1) 등의 유기용제(organic so1vent)(Y)가 수용된다. 외조(8)는 증기조(7)의 외주를 둘러싸고 있다. 상기 외조(8)에 의해 증기욕(7)의 내부는 장치본체(4)의 외부와 열적으로 차단된다. 증기욕(7)와 외조(8)의 상부에는 지지장치(5)와 웨이퍼(3)가 통과할 수 있는 크기의 상부 개구부(9),(10)가 형성되어 있다. 증기욕(7)의 상부 개구부(9)는 본 발명에서 말하는 개구부에 상당한다.
증기조(7)는 유기용제(Y)에 의해 부식되기 어려운 재료(예를 들면, 석영(quartz) 등)로 구성되어 있다,
외조(8)는 증기욕(7)의 내부열이 장치본체(4)의 외부로 전달되기 어렵게 하기 위해서 예를 들면, 스텐레서강판(stainless steel plate) 등과 같이 열전도율이 비교적 낮은 재료로 구성된다. 증기조(7)와 외조(8)는 모두 상자형태로 형성된다.
발열장치(12)가 증기욕(7)의 저부(11)와 외조(8)의 사이에 설치된다. 이 발열장치(12)는 증기욕(7) 내의 유기용제(Y)를 가열하는 기능을 구비하고 있다. 발열장치(12)의 일예는 주지한 플레이트 히터(plate heater)이다.
증기욕(7)에 용제공급관(14)이 접속되어 있다. 용제공급관(14)은 외조(8)를 관통하여 장치본체(4)의 외부로 도출된다. 용제공급관(14)은 증기욕(7)의 내부에 유기용제(Y)를 공급하는 기능을 가지고 있으며, 상기 증기욕(7)의 하부(13)에는 배출관(40)이 접속되어 있으며 상기 배출관(40)은 외조(8)를 관통하여 장치본체(4)의 외부로 도출된다. 배출관(40)은 증기욕(7)의 내의 유기용제(Y)를 배출하는 기능을 지닌다.
증기욕(7)의 상부 개구부(9) 근방에 냉각관(16)이 설치되어 있다. 냉각관(16)의 내부에 냉각매체로서 냉각수가 순환한다. 냉각관(16)은 증기욕(7)의 내측벽(15)을 따라 코일형상(coil - like)으로 형성되어 있다. 도 2에 나타나 있듯이 증기욕(7)의 상부 개구부(9) 근방에 존재하는 증기(V)는, 상기 냉각관(16)에 의해 냉각되어 액화(liqueaction)된다. 따라서, 상기 냉각관(16)은 증기욕(7) 내의 증기(V)가 상부 개구부(9)에서 외부로 나오는 것을 방지하는 기능을 지닌다.
액회수부(6)는 증기욕(7)의 내부에 설치된 수조(receiver)(17)와, 이 수조(17)의 저부에 연통되는 배액관(18)을 구비하고 있으머 상기 수조(17)는 유기용제(Y)의 액면(R)보다 높은 곳에 위치 하고 있다. 상기 수조(17)는 상부에 개구부부(19)를 구비한다. 개구부(19)는 지지장치(5)에 의해 지지된 웨이퍼(3)에서 흘러 내려오는 액체(주로 물 및 IPA)를 받아들일 수 있는 크기이다. 배액관(18)의 일단(20)은 수조(17)의 저부에 접속되어 있다. 배액관(18)의 타단(21)은 증기욕(7)와 외조(8)를 관통하여 장치본체(4)의 외부로 도출된다. 수조(17) 내로 흘러 내려온 상기 액체는 배액관(18)을 거쳐 장치본체(4)의 외부로 배출된다.
증기욕(7)의 상부 개구부(9)의 상방에 크린에어 공급수단으로 기능하는 송풍기(42)가 설치되어 있다. 송풍기(42)의 취출구(45)는 장치본체(4)의 상부 개구부(9),(10)와 마주 향하고 있다. 이 송풍기(42)는 크린에어 공급원(미도시)에서 공급되는 크린에어(clean air)를 상부 개부구(9),(10)를 향하여 송풍된다. 송풍기(42)는 건조장치(1)와 일체로 구성되어도 되고, 또는 건조장치(1)와 별개로 구성되어도 된다. 또한 상기 송풍기(42)는 웨이퍼(3)를 수세하는 세정기(미도시)에 설치해도 된다. 송풍기(42)와 건조장치(1)가 세정기에 조립되어 있는 경우, 송풍기(42)에 의해 가압된 크린에어가 상부 개부구(9),(10)를 향하여 토출된다. 이로써 세정기 및 건조장치(1)의 내압이 대기압보다 높아지기 때문에, 파티클 등의 이물질이 세정기 및 건조장치(1)내로 침입하는 것을 방지할 수 있다.
배기장치(41)는 증기욕(7)의 상부에 일단이 개구부되는 배기관(46)과, 배기관(46)의 타단측에 접속된 배기밸브(47)를 포함하고 있다. 배기관(46)은 도시되어 있지 않은 흡인장치(suction system), 예를 들면 베큠펌프(vacuum pump)에 접속되어 있다. 배기장치(41)는 배기밸브(47)가 열렸을 때에 증기욕(7) 내의 기체를 장치본체(4)의 외부로 배출한다. 상기 배출장치(41)는 냉각관(16)에 의해 완전히 액화되지 않은 상부 개구부(9),(10) 부근의 증기(V)를 흡입한다, 이로 인해 증기(V)가 상부개부구(9),(10)에서 외부로 나오는 것을 보다 확실히 방지할 수 있다.
크린에어 공급수단으로 기능하는 상기 송풍기(42)와 크린에어 공급원은 상기한 배기장치(41) 및 냉각관(16) 등과 함께 후술할 기상계면을 형성하기 위한 계면 형성수단을 구성한다.
증기욕(7)의 내측 상부 개부구(9) 근방에, 온도검출기(temperature sensor)(48)의 검출부(detecting element)(49)가 설치되어 있다. 온도검출기(48)는 검출부(49) 계측부(measuring portion)(50)로 구성되어 있다. 검출부(49)는 상부 개부구(9)에서 하방으로 연장되어 있고, 검출부(49)의 하단은 냉각관(16)의 하단권회부(16a)와 거의 같은 높이에 이른다. 상기 온도검출기(48)는 하단권회부(16a) 근방의 온도를 검출한다. 계측부(50)는 제어장치(44)에 전기적으로 접속되어, 검출부(49)에 의해 검출된 온도에 관한 전기신호를 제어장치(44)에 출력한다.
도 1에 나타나 있듯이, 지지장치(5)는 원판형상의 복수매의 웨이퍼(3)를 동시에 보존·유지할 수 있는 캐리어부재(carrier member)(22)와, 캐리어부재(22)를 매단 한 쌍의 현수부재(suspender)(23),(24)를 구비하고 있다. 캐리어부재(22)는 복수매의 웨이퍼(3)를 수직으로 세운 자세로 서로 평행하게 동 간격으로 보존·유지된다. 상기 캐리어부재(22)는 도 1의 바로 앞쪽(정면방향)에서 안쪽에 걸쳐 연속되는 한쌍의 걸림부(25)를 구비하고 있다.
현수부재(suspender)(23),(24)는 상하방향으로 연장되어 있다. 현수부재(23),(24)의 하단에서 서로 마주보는 한쌍의 플랜지부(flange portion)(27)가 설치되어 있다. 현수부재(23),(24)가 반송장치(43)에 의해 도 1 중의 화살표 K1방향으로 이동하면, 플랜지부(27)가 캐리어부재(22)의 걸림부(25)에 걸린다. 캐리어부재(22)는 플랜지부(27)의 상면(26)에 의해 지지된다. 현수부재(23),(24)는 캐리어부재(22)의 치수등에 따라 도 1에서 바로 앞쪽에서 안쪽으로 복수개의 쌍이 설치되어도 된다.
현수부재(23),(24)의 상단에는 도 1 중에 한 점 쇄선P로 나타나 있듯이 반송장치(43)가 접속되어 있다. 반송장치(43)는 현수부재(23),(24)를 화살표K로 나타내는 방향으로 이동시킬 수 있다. 더욱이 이 반송장치(43)는 현수부재(23),(24)를 상하방향(화살표 J로 나타내는 방향) 및 수평방향(화살표 H로 나타내는 방향)으로 이동시킬수 있다. 따라서 캐리어부재(22)는 반송장치(43)에 의해 원하는 위치로 이동시킬 수 있다. 상기 캐리어부재(22)는 상부 개부구(9)를 통하여 증기욕(7)의 내부로 강하할 수 있고, 또한, 증기욕(7)의 내부에서 상부 개부구(9)를 통하여 상승될 수도 있다.
반송장치(43)는 캐리어부재(22)를 상기한 상하방향과 수평방향으로 이동시킴으로써, 웨이퍼(3)를 세정기(미도시)에서 건조장치(1)까지 이동시킨다. 상기 웨이퍼(3)는 반송장치(43)에 의해 증기욕(7) 내로 삽입된 후에 후술할 기상계면(B)을 통하여 공기중으로 끌어올려져 다음 공정(next stage of process)으로 반송된다.
불활성가스 공급장치(2)는 가스공급관(30)과, 환상관(circular pipe)(31)과, 상기 환상관(31)에 설치한 복수개의 가스 분사구(gas injection nozzle)(32)와, 불활성가스 공급원(33) 등을 포함하고 있다. 가스 공급관(30)의 일단은 불활성가스 공급원(33)에 접속되어 있다, 가스 공급관(30)의 타단은 환상관(circular pipe)(31)에 접속되어 있다. 환상관(31)은 증기욕(7)의 내측벽(15)을 따라 환상으로 형성된다. 이 환상관(31)은 유기용제(Y)의 액면(R)과 수조(receiver)(17)와의 사이에 위치한다.
복수개의 가스 분사구(32)는 환상관(31)의 둘레방향(관의 긴 쪽방향)으로 소정간격으로 설치된다. 이들 가스분사구(32)는 오리피스형상(orifice - like)을 이루어 서로 마주 향하도록 환상관(31)의 내측을 향한다. 도 3에 나타나 있듯이 불활성 가스공급원(33)에서 가스공급관(30)을 거쳐 환상관(31)에 공급된 불활성가스(N)는 가스분사구(32)로부터 증기욕(7) 내로 분출된다.
마이크로컴퓨터(microcomputer) 등을 사용한 제어장치(44)는 연산기능과 제어기능 등을 지니는 CPU(central processing unit)와 ROM(read only memory) 및 RAM(random access memory) 등을 포함한다. 제어 장치(44)는 반송장치(43)와, 송풍기(42)와, 불활성가스공급원(33)과, 온도검출기(48)와 배기장치(41)등에 전기적으로 접속되어 이들 각 기기의 동작을 제어함으로써 건조장치(1) 전체를 제어한다.
예를 들면, 제어장치(44)가 내보내는 신호에 의해 배기밸브(47)가 열리면 증기조(7)내의 기체가 배기된다. 그때 제어장치(44)는 송풍기(42)를 회전시키는 신호를 내보냄으로써, 소정량의 크린에어를 상부 개부구(9),(10)를 향하여 토출한다. 제어장치(44)가 내보내는 신호에 의해 배기밸브(47)가 닫히면 증기욕(7) 내의 배기는 정지된다. 그때 제어장치(44)는 송풍기(42)의 회전수를 배기밸브(47)가 열려 있을 때보다 감소시키는 신호를 내보냄으로써, 크린에어의 유량을 반정도로 감소시킨다.
게다가 상기 제어장치(44)는 배기밸브(47)가 닫힌 시점에서부터 배기밸브(47)가 완전히 열릴 때까지 배기장치(41)에 의해 배출되는 기체량에 거의 비례하는 양의 크린에어를 증기욕(7) 내로 보내도록 송풍기(42)를 제어한다. 그럼으로써, 증기욕(7) 내로 유입되는 크린에어의 유량과 증기욕(7) 내에서 배출되는 기체의 유량이 거의 일치되기 때문에 기상계면(B)(도 2 등에 나타내는)이 동요되는 것(turbulence)을 방지할 수있다.
다음으로, 상기 건조 장치(1)의 작용에 관해서 설명한다.
세정공정시에 물 등의 세정액을 세정된 웨이퍼(3)는 도 1에 나타나 있듯이, 지지장치(5)에 의해 지지된 상태로 장치본체(4)의 상방으로 반송된다. 유기용제(Y)는 용제공급관(14)을 거쳐 증기욕(7) 내로 공급된다.
증기발생공정시에 도 2에 나타나 있듯이 유기용제(Y)가 발열장치(12)에 의해 가열됨으로써 유기용제(Y)의 증기(V)가 발생한다. 증기(V)는 증기욕(7) 내에서 기체·액체 평형상태(vapor-liquid equilibrium)가 된다. 증기(V)의 상방에는 공기가 존재하기 때문에 증기(V)와 공기의 경계에 기상계면(vapor phase boundary surface)(B)이 형성된다. 또한 송풍기(42)가 작동됨으로써 크린에어(C)가 상부 개부구(9),(10)를 향하여 공급된다. 배기밸브(47)가 열림으로써, 증기욕(7) 재의 기체(주로 증기(V)와 크린에어)가 장치본체(4)의 외부로 배기된다.
냉각관(16)의 근방에서는 냉각관(16)에 의해 증기(V)가 냉각되기 때문에, 냉각관(16)의 표면 등에서 증기(V)가 응축된다. 응축되어 액화된 증기(V), 즉, 유기용제(Y)는 도 2부터 도 9에 Y2로 나타내고 있듯이 증기욕(7) 내로 삽입된다. 도 3p 나타나 있듯이 웨이퍼(3)의 하단부가 기상계면(B)에 접했을 때, 불활성 가스공급원(33)으로부터 불활성 가스(N)를 환상관(circular pipe)(31)으로 공급함으로써, 불활성가스(N)를 가스분사구(32)에서 증기욕(7) 내로 분사한다.
상기 웨이퍼(3)는 반송장치(43)에 의해 더 강화되어 도 4에 나타나 있듯이 기상계면(B)의 하방에 위치한다. 이때 웨이퍼(3)는 아직 저온상태에 있기 때문에 웨이퍼(3)의 표면전체에서 증기(V)가 급냉된다. 이로써 순식간에 유기용제 증기(V)가 웨이퍼(3)의 표민에 응축(condense)되어 웨이퍼(3)의 표면에 유기용제막이 부착되므로 증기(V)의 체적이 감소된다.
그러나 증기욕(7) 내에는 가스 분사구(32)에서 불활성가스(N)가 분사되어 있으므로 증기(V)는 상기 가스(N)에 의해 희석되므로 체적이 증가한다. 게다가 이 가스(N)는 서로 마주 향하는 복수개의 가스 분사구(32)에서 동시에 분사되므로 각 분사구(32)에서 나온 불활성가스(N)가 서로 층돌되므로, 도 4 중에 화살표N1로 나타내고 있듯이 증기욕(7) 내에 증기(V)의 상승기류가 생겨 증기(V)와 가스(N)가 거의 균일되므로, 웨이퍼(3)는 증기(V)에 충분히 싸여진 상태가 되어, 웨이퍼(3)를 삽입하기 전과 거의 같은 레벨(level)로 유지되므로, 웨이퍼(3)의 전표면에 증기(V)의 응축이 단시간에 이루어진다.
유기용제 증기(V)가 웨이퍼(3) 표면전체에 응축될 때까지 가스 분사구(32)에서 증기조(7) 내로 불활성가스(N)가 계속 공급된다.
상기한 바와 같이, 웨이퍼(3)의 표면에서 유기용제 증기(V)가 응축됨으로써 유기용제막이 웨이퍼(3) 표면에 형성되면, 웨이퍼(3) 표면에 부착된 세정책(물)이 유기용제와 치환된다, 도 4에 나타나 있듯이 유기용제와 치환된 세정액(S)은 수조(receiver)(17)를 향하여 흘러내린다. 이 흘러내리는 세정액(S)과 함께 웨이퍼(3)의 표면에 부착되어 있던 파티클도 수조(17) 내로 흘러내린다. 수조(17)에 들어간 세정액(S)은 배액관(18)을 거쳐 증기조(7)의 외부로 배출되므로, 증기조(7) 내의 유기용제(Y)의 순도는 거의 일정하게 유지된다.
웨이퍼 표면(surface of the water 3)에서의 유기용제의 응축이 웨이퍼 전면에 이르고 또한 응축은 계속되지만, 가스 분사구(32)에서 증기욕(7) 내로 불활성가스(N)가 공급되기 때문에 기상가면(B)이 상승되기 시작한다. 기상계면(B)이 온도검출기(48)의 검출부(49)의 높이에 이르면, 검출부(49)에 의해 증기(V)의 열이 검출된다. 그러면 제어장치(44)는 도 5에 나타나 있듯이 불활성 가스 공급장치(2)에 의한 불활성가스(N)의 공급을 정지한다. 도 5에서부터 도 7에 나타나 있듯이 해칭(hatching)(Q)은 웨이퍼(3) 표면에 유기용제가 부착된 영역을 나타낸다.
기상계면(B)이 상승되어 증기욕(7)의 상부 개부구(9)에 근접하면, 증기(V)가 냉각관(16)에 의해 냉각됨으로써 냉각관(16)의 표면에 증기(V)가 응축된다. 그러므로, 기상계면(B)이 냉각관(16)보다 높은 위치까지 상승되는 것이 억제됨으로써 증기욕(7) 내의 증기(V)가 상부 개부구(9),(10)에서 장치본체(4)의 외부로 넘쳐 나오는 것을 회피할 수 있다.
불활성가스(N)의 공급을 정지하고 나서 소정시간(예를 들면, 20초정도) 경과한 후, 재기밸브(47)를 닫음으로써 증기욕(7) 내로부터 기체배출이 정지된다. 이것과 동시에 송풍기(42)에 의한 크린에어(C)의 공급량을 배기밸브(47)를 닫기 전의 약 반으로 감소시킨다. 이렇게 함으로써 증기욕(7) 내의 기상계면(B)의 동요(turbulence)가 억제되어 안정된 기상계면(B)이 얻어진다.
그 중에서 상승공정시에 반송장치(43)에 의해 지지장치(5)를 상승시킴으로써, 웨이퍼(3)를 캐리어부재(22)와 함께 증기욕(7) 내에서 천천히 추출한다. 즉, 웨이퍼(3)는 도 5에 나타나 있는 위치에서 도 6, 도 7 및 도 8에 나타나 있는 위치를 거쳐, 도 9에 나타나 있는 위치까지 상승한다. 이 상승 도중에 웨이퍼(3)는 도 6에 나타나 있듯이 기상계면(B)을 통과한다. 기상계면(B)을 통과할 때의 웨이퍼(3)의 바람직한 상승속도는 5mm/sec에서 10mm/sec의 범위이고, 더욱 바람직한 상승속도는 7mm/sec전후이다.
웨이퍼(3)가 기상계면(B)을 통과할 때, 웨이퍼(3) 표면에 응축되어 있던 유기용제는 기상계면(B)에 형성되어 있는 IPA액층의 표면장력에 의해 쓸려내려 수조(17) 내로 떨어진다. 이로 인해, 기상계면(B)상에 나온 웨이퍼(3)는 단시간에 건조된다. 또한, 웨이퍼(3)의 표면에 부착되어 있던 파티클은 웨이퍼(3)의 표면에서 쓸려 내려진 유기용제와 함께 수조(17)로 낙하되어 배액관(18)을 거쳐 증기조(7)의 외부로 배출된다.
도 8에 나타나 있듯이, 웨이퍼(3)의 하단의 기상계면(B)상에 나온 시점에서 재기밸브(47)를 열음으로써, 증기욕(7) 내의 기체를 장치본체(4)의 외부로 배출된다. 이와 동시에 송풍기(42)에 의한 크린에어(C)의 공급량을 증기욕(7)에 웨이퍼(3)를 삽입하기 전의 양으로 되돌린다. 웨이퍼(3)는 도 9에 나타나 있는 위치까지 상승된 시점에서 반송장치(43)에 의해 캐리어부재(22)와 함께 다음 공정으로 이송된다.
이 실시형태에 의하면 수세된 저온상태의 웨이퍼(3)에 증기(V)가 응축되는 추기응축시에 불활성가스 공급장치(2)에 의해 증기욕(7) 내에 불활성가스(N)를 공급함으로써, 증기(V)의 체적을 증가시킬 수 있다. 게다가 가스 분사구(32)에서 증기욕(7) 내로 분출하는 불활성가스(N)에 의해 증기(V)의 상승기류를 발생시킬 수 있다. 그러므로 웨이퍼(3) 표면에서 증기(V)의 유기용제 성분이 계속 응축된다해도 기상계면(B)의 높이가 저하되는 것을 회피할 수 있고, 그 결과 증기로 웨이퍼(3)를 충분히 뒤덮을 수 있다.
따라서, 웨이퍼(3)에 부착되어 있는 물 등의 세정액은 상기한 초기응축시에 단시간에 확실히 유기용제와 치환되므로, 웨이퍼(3)의 전표면에 유기용제가 덩어리지지 않게 부착된다. 그리고 이 상태로 웨이퍼(3)가 기상계면(B)을 통과하도록 하고 있기 때문에 웨이퍼(3)에 부착되어 있던 유기용제Y1를 기상계면(B)의 표면장력에 의해 확실히 쓸어낼 수 있다, 웨이퍼(3)에 부착되어 있던 파티클도 유기용제Y1와 함께 웨이퍼(3)로부터 확실히 제거된다. 또한 증기욕(7) 내에서는 웨이퍼(3)의 표면에 자연산화막인 워터마크가 생기는 것을 확실히 방지할 수 있다.
도 6 및 도 7 등에 나타나 있듯이, 웨이퍼(3) 표면에 응축된 유기용제를 기상계면(B)에 의해 쓸어 내릴 때에는, 배기밸브(47)를 닫고 송풍기(42)에 의한 크린에어의 공급량을 감소시키므로, 기상계면(B)이 안정되어 이 기상계면(B)에 의해 웨이퍼(3) 표면의 유기용제와 파티클을 확실히 제거할 수 있다.
본 발명의 건조장치 및 건조방법은 상기한 실시형태로 제약된 것은 아니다. 본 발명은 반도체웨이퍼 이외의 피건조물, 예를 들면, 액정표시장치용 유리기판이나 광기록디스크 및 자기기록디스크 등의 기록디스크용기판 등의 각종 기판을 건조하는 용도로도 적용할 수 있다.
세정된 피건조물을 건조시키기 위한 건조방법 및 건조장치는, 웨이퍼 등의 피건조물 표면과 내면의 양쪽면에 서 파티클을 제거할 수 있고, 피건조물에 워터마크를 생기지 않게 하는 이점이 있다.

Claims (7)

1. 세탁된 건조대상물을 건조하는 방법에 있어서, 상기 방법은, 증기욕 내에서 유기용매증기를 발생시켜 유기용매증기와 그 유기용매증기상부의 공기사이의 경계에 기상계면을 형성시키는 증기발생 단계와, 유기용매증기보다 낮은 온도의 건조대상물을 증기욕 속에 넣고 그 대상물을 기상계면아래에 위치시켜 건조대상물의 표면상에서 유지용매증기를 응축시킬 수 있게 하는 응축단계와, 유기용매증기가 건조대상물의 표면상에서 응축하면 상기 기상계면아래의 지점에서 유기용매증기 속에 불활성가스를 주입하는 주입단계와, 증기욕 속의 건조대상물을 들어올려 건조대상물이 기상계면을 횡단하게 하는데, 건조대상물이 기상계면을 횡단할 때 건조대상물의 표면상에 응축된 유기용매가 건조대상물로부터 제거되게 하는 상승단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
청구항 제 1항에 있어서, 상기 응축단계 및 상기 상승단계의 각각은 배기수단을 갖는 증기욕의 외측지점으로 기상계면 상부의 가스를 방출하고 기상계면위로부터 증기욕 속으로 청정공기를 제공하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
세정된 건조대상물을 건조하는 장치에 있어서, 건조대상물의 통과하기에 충분한 크기의 개부구를 구비하는 상단부를 가지며 내부에 유기용매를 담고있는 증기욕과; 증기욕 속의 유기용매를 가열하여 그 속에 유기용매증기롤 발생시킬 수 있게 하는 히트블록과; 유기용매증기와 유기용매증기상부의 공기사이의 경계에서 기상계면을 발생시키는 계면형성수단과; 상기 기상계면아래의 지점에서 유기용매 증기욕 속에 불활성가스를 주입하는 불활성가스 공급부와; 건조대상물을 지지하는 캐리어부재와; 건조대상물을 캐리어부재로 지지하여 기상계면을 횡단할 수 있게 하는 운반부로 구성되는 것을 특징으로 하는 세정된 건조대상물을 건조하는 장치.
제3항에 있어서, 상기 계면형성수단은 증기욕으로부터 그 상부를 통하여 가스를 방출하는 배기수단과, 증기욕의 개구부 쪽으로 신선한 공기를 공급하는 청정공기공급수단과, 증기욕의 개구부에 인접 배치되어 증기를 응축시킬 수 있게 하는 냉각수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
제 3항에 있어서, 상기 장치는 또한 배기수단과 청정공기공급수단을 제어하는 제어수단으로 구성되는데, 상기 제어수단은 청정공기공급수단을 제어하여 청정공기의 양이 배기수단에 의해 증기욕으로부터 방출되는 가스와 일치하도록 하는 것을 특징으로 하는 장치.
제 4항에 있어서, 상기 제어수단은 청정공기수단을 제어하여 건조대상물이 기상계면을 통과하는 동안 배기수단에 의해 가스의 방출이 정지되도록 하고 증기욕에 공급된 청정공기의 양이 감소하게 하는 것을 특징으로 하는 장치.
세탁된 건조대상물을 건조하는 방법에 있어서, 상기 방법은, 세정 증기욕내에서 유기용매증기를 발생시켜 유기용매증기와 그 유기용매증기상부의 공기사이의 경계에 기상계면을 형성시키는 증기발생 단계와, 유기용매증기보다 낮은 온도의 건조대상물을 증기욕 속에 넣고 그 대상물을 기상계면아래에 위치시켜 건조대상물의 표면상에서 유지용매증기를 옹축시킬수 있게 하는 응축단계와, 유기용매증기가 건조대상물의 표면상에서 응축하면 상기 기상계면아래의 지점에서 유기용매증기 속에 불활성가스를 주입하는 주입단계와, 증기욕 속의 건조대상물을 들어올려 건조대상물이 기상계면을 횡단하게 하는데, 건조대상물이 기상계면을 횡단할 때 건조대상물의 표면상에 응축된 유기용매가 기상계면에 의해 제거되게 하는 상승단계로 구성되는데, 상기 응축단계는 기상계면상부의 공기를 배기수단을 갖는 증기욕의 외부로 방출하고 기상계면위로부터 증기욕 속으로 청정공기를 제공하는 것을 포함하며, 상기 청정공기의 양은 증기욕에서 방출되는 가스와 일치하는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1019970072197A 1997-07-22 1997-12-23 세정된피건조물을건조시키기위한건조방법및건조장치 KR100311181B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19597097A JP3897404B2 (ja) 1997-07-22 1997-07-22 ベーパ乾燥装置及び乾燥方法
JP?9-195970 1997-07-22
JP9195970 1997-07-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990013267A KR19990013267A (ko) 1999-02-25
KR100311181B1 true KR100311181B1 (ko) 2001-12-17

Family

ID=16350034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970072197A KR100311181B1 (ko) 1997-07-22 1997-12-23 세정된피건조물을건조시키기위한건조방법및건조장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5950328A (ko)
JP (1) JP3897404B2 (ko)
KR (1) KR100311181B1 (ko)
TW (1) TW348282B (ko)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3230051B2 (ja) * 1997-05-16 2001-11-19 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理方法及びその装置
KR19990010200A (ko) * 1997-07-15 1999-02-05 윤종용 감압식 건조 장치를 이용하는 반도체장치 건조방법
US6158141A (en) * 1998-05-07 2000-12-12 Sony Corporation Apparatus and method for drying semiconductor substrate
US6096135A (en) * 1998-07-21 2000-08-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system
US6219936B1 (en) * 1998-11-24 2001-04-24 Toho Kasei Co., Ltd. Wafer drying device and method
US6128830A (en) * 1999-05-15 2000-10-10 Dean Bettcher Apparatus and method for drying solid articles
WO2001042727A2 (en) * 1999-12-10 2001-06-14 Caltek Sales Method, apparatus, and composition for drying solid articles
US6289605B1 (en) * 2000-02-18 2001-09-18 Macronix International Co. Ltd. Method for drying a semiconductor wafer
US6519869B2 (en) * 2001-05-15 2003-02-18 United Microelectronics, Corp. Method and apparatus for drying semiconductor wafers
US20020195201A1 (en) * 2001-06-25 2002-12-26 Emanuel Beer Apparatus and method for thermally isolating a heat chamber
KR100456527B1 (ko) * 2001-12-11 2004-11-09 삼성전자주식회사 마란고니 효과를 증대시키기 위한 건조 장비 및 건조 방법
DE10216786C5 (de) * 2002-04-15 2009-10-15 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
US6658764B2 (en) * 2002-05-10 2003-12-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Apparatus and method for preventing droplets on wafers during solvent drying process
KR100447285B1 (ko) 2002-09-05 2004-09-07 삼성전자주식회사 기판 건조 장치
JP3592702B1 (ja) * 2003-08-12 2004-11-24 エス・イー・エス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US20050158198A1 (en) * 2003-12-21 2005-07-21 Albers Walter F. Micro-cycle energy transfer systems and methods
TWI282586B (en) * 2004-02-24 2007-06-11 Innolux Display Corp Etching system and de-ion water adding set
KR100645042B1 (ko) * 2004-09-07 2006-11-10 삼성전자주식회사 반도체 기판 세정 장치
US7637029B2 (en) * 2005-07-08 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Vapor drying method, apparatus and recording medium for use in the method
KR100697288B1 (ko) 2005-07-20 2007-03-20 삼성전자주식회사 반도체 기판 건조 장치
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
JP4758846B2 (ja) * 2005-11-18 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置、乾燥方法、及び乾燥プログラム、並びに、これらを有する基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム
JP4762835B2 (ja) 2006-09-07 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体
US7980000B2 (en) * 2006-12-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Vapor dryer having hydrophilic end effector
JP5109376B2 (ja) * 2007-01-22 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
JP4805862B2 (ja) 2007-02-21 2011-11-02 富士通セミコンダクター株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法
CA2594220C (en) * 2007-06-15 2008-11-18 Joao Pascoa Fernandes Moisture removal system
JP5104174B2 (ja) 2007-10-01 2012-12-19 富士通株式会社 洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法
JP2009124025A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Fujitsu Ltd 洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法
US8075300B2 (en) * 2008-06-30 2011-12-13 Stratasys, Inc. Vapor smoothing surface finishing system
US20130081300A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Donald J. Gray Vacuum cycling drying
KR102042635B1 (ko) 2012-07-02 2019-11-08 삼성전자주식회사 매엽식 건조 장치 및 이를 포함하는 매엽식 세정 시스템
JP6543481B2 (ja) * 2015-02-23 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 蒸気供給装置、蒸気乾燥装置、蒸気供給方法および蒸気乾燥方法
US9829249B2 (en) * 2015-03-10 2017-11-28 Mei, Llc Wafer dryer apparatus and method
JP6430870B2 (ja) * 2015-03-20 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 クランプ装置及びこれを用いた基板搬入出装置、並びに基板処理装置
KR101860631B1 (ko) * 2015-04-30 2018-05-23 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6367763B2 (ja) * 2015-06-22 2018-08-01 株式会社荏原製作所 ウェーハ乾燥装置およびウェーハ乾燥方法
JP5924850B1 (ja) * 2015-11-26 2016-05-25 ジャパン・フィールド株式会社 水分付着部品からの水分除去方法及びその装置
US10890377B2 (en) * 2018-05-01 2021-01-12 Rochester Institute Of Technology Volcano-shaped enhancement features for enhanced pool boiling
US10801777B2 (en) * 2018-09-30 2020-10-13 HKC Corporation Limited Baking device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0574753A (ja) * 1991-09-11 1993-03-26 Hitachi Ltd 乾燥方法および装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2902222B2 (ja) * 1992-08-24 1999-06-07 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置
TW301761B (ko) * 1994-11-29 1997-04-01 Sharp Kk

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0574753A (ja) * 1991-09-11 1993-03-26 Hitachi Ltd 乾燥方法および装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3897404B2 (ja) 2007-03-22
US5950328A (en) 1999-09-14
TW348282B (en) 1998-12-21
KR19990013267A (ko) 1999-02-25
JPH1140536A (ja) 1999-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100311181B1 (ko) 세정된피건조물을건조시키기위한건조방법및건조장치
JP4296090B2 (ja) 枚葉式のウエハ乾燥装置及び乾燥方法
KR100236411B1 (ko) 기판 건조장치
KR100483715B1 (ko) 세정물의 건조장치 및 건조방법
TWI490938B (zh) A substrate processing apparatus and a heater cleaning method
KR100361331B1 (ko) 건조장치
US20010017146A1 (en) Thermocapillary dryer
US20050229426A1 (en) Single wafer dryer and drying methods
JP2003297795A (ja) 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法
US20040226186A1 (en) Apparatus for drying semiconductor substrates using azeotrope effect and drying method using the apparatus
US20080210261A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100447285B1 (ko) 기판 건조 장치
JP2018163992A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3923193B2 (ja) ベーパ乾燥装置
JPS63182818A (ja) 乾燥装置
US6658764B2 (en) Apparatus and method for preventing droplets on wafers during solvent drying process
JP4777322B2 (ja) 洗浄処理方法および洗浄処理装置
JPH06163508A (ja) 基板の乾燥方法および装置
JP4906198B2 (ja) イソプロピルアルコール蒸気乾燥装置及びシリコンウエハの乾燥方法
KR20070068089A (ko) 반도체 기판 건조 장치 및 방법
JPH11340187A (ja) 洗浄乾燥装置および洗浄乾燥方法
JP3831469B2 (ja) ベーパ乾燥装置
KR100647485B1 (ko) 기판의 건조방법
JP3910182B2 (ja) 蒸気乾燥装置
KR19980015771A (ko) 반도체 웨이퍼의 ipa 건조장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080818

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee