KR100310381B1 - 보정 웨이퍼 - Google Patents

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Abstract

폴리머 소구체(P)를 갖는 보정 웨이퍼(W)에서, 상기 폴리머 소구체(P)는 상기 소구체가 연화되기 시작하는 온도 범위에서 열처리된다.

Description

보정 웨이퍼
본 발명은, 폴리머 소구체를 갖는 보정 웨이퍼 및 폴리머 소구체를 보정 웨이퍼상에 제공하는 상기 보정 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자(예컨대 대체로 실리콘으로 이루어진 집적 회로)의 제조는 소위 클린 룸 조건에서, 즉 소위 최소의 입자(오염 입자)를 갖는 환경에서 공지된 방식으로 이루어진다. 요구되는 각 클린 룸 조건 및 프로세스 조건들의 존재는 규칙적으로 그리고 경우에 따라서는 필요에 따라서(예를 들어 소자 품질의 악화 및/또는 소자 수득율의 악화와 같은 상황) 체크되며, 특별히 소위 표면 입자 측정 장치를 사용하여 체크된다. 상기 측정 장치를 보정하기 위해서, 일반적으로 보정 웨이퍼로서 공지된 특수한 웨이퍼가 사용된다.
선행 기술에 따른 보정 웨이퍼는, 표면에 예정된 양 및 크기를 갖는 폴리머 소구체가 제공되고 반도체 웨이퍼이며, 이 경우 폴리머 소구체는 규정된 얇은 폴리머 소구체의 분산에 의해 제공된다. 상기 방식으로 제조된 보정 웨이퍼는 또한 예정된 량, 예정된 장소 분배(보정 웨이퍼상에) 및 예정된 크기 분배를 갖는 폴리머 소구체를 포함한다. 상기 보정 웨이퍼의 제조 방법은 매우 고가이다. 보정 웨이퍼는 클린 룸 조건의 개별적인 체크 사이 동안에 클린 룸 조건하에 놓인다. 그러나, 기술적으로 최상으로 실현 가능한 클린 룸 조건에서는 항상 예컨대 암모니아, 염산, 불화수소산 및 유사한 물질의 흔적량이 공기 중에 있기 때문에, 상기 물질들은 시간이 흐름에 따라 (또한) 보정 웨이퍼상에도 예를 들어 암모니아염의 형태로 침전된다.
그러나 상기 침전은 시간이 지남에 따라 소위 보정을 변조시키는데, 이러한 변조는 극한 경우에 보정이 더 이상 가능하지 않게 만든다.
더욱이, 침전은 일반적으로 물을 이용해서도 아무런 문제없이 린싱될 수 있지만, 이 경우에는 폴리머 소구체도 마찬가지로 웨이퍼로부터 떨어진다. 따라서 폴리머 소구체는 지금까지 설명한, 매우 비싼 방법에 의해서 새롭게 다시 제공되어야 한다.
본 발명의 목적은, 종래보다 더 자주 사용될 수 있는 폴리머 소구체가 제공된 보정 웨이퍼와, 상기 보정 웨이퍼를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 보정 웨이퍼와 폴리머 소구체를 나타내는 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
P : 소구체 W: 보정 웨이퍼
상기 목적은, 보정 웨이퍼에서 상기 폴리머 소구체가 열처리에 의해서 고정되고, 이 경우 상기 열처리는 폴리머 소구체가 연화되기 시작하는 온도 범위에서 이루어짐으로써 달성된다.
본 발명에 대해 폴리머 소구체(P)와 함께 보정 웨이퍼(W)를 보여주는 도면을 참조하여 하기에서 설명된다. 이 경우, 보정 웨이퍼(W)상에 도시된 폴리머 소구체(P)는 단지 개략적으로만 나타나는데, 그 이유는 일반적으로 웨이퍼상에는 도시된 개수보다 훨씬 더 많은 폴리머 소구체(P)가 존재하기 때문이고, 상기 폴리머 소구체(P)는 상이한 크기를 가지나 각각 도시된 것보다 훨씬 더 작기 때문이다.
본 발명에 따른 보정 웨이퍼(W)에서 폴리머 소구체(P)는 특수한 열처리에 의해 웨이퍼(W)상에 고정되며, 상기 열처리는 폴리머 소구체(P) 연화되기 시작하는 온도 범위에서 이루어진다. 이 때, 더 유리한 온도 범위는 80℃ 내지 95℃의 온도 범위로 나타났다. 물론, 각 온도 범위는 선택된 폴리머의 각각의 종류에 의존한다.
보정 웨이퍼(W)는, 열처리가 선택된 온도 범위, 예컨대 80℃ 내지 95℃에서 이루어지거나, 폴리머 소구체(P)를 보정 웨이퍼(P)상에 제공하는 동안에 또는 상기 소구체의 제공 직후에 이루어짐으로써 제조될 수 있다.
본 발명에 따른 상기 보정 웨이퍼(W) 및 설명된 제조 방법의 장점은, 앞에서 설명한 바와 같은 침전물(예를 들어 언급된 암모니아염)의 린싱시에도 (선행 기술에 대해서 기술된 바와 같이)폴리머 소구체(P)가 본 발명에 따른 보정 웨이퍼(W)로부터 떨어지지 않고, 오히려 열처리가 이루어짐으로써 소구체(P)가 보정 웨이퍼(W)상에 점착되어 있다는 점이다. 이러한 장점에 의해서, 본 발명에 따른 보정 웨이퍼(W)는 선행 기술에 따른 웨이퍼보다 훨씬 더 자주 그리고 훨씬 더 오래 사용될 수 있으며, 이것은 결과적으로 비용을 상당히 절감시킨다: 따라서 폴리머 소구체(P)를 비싼 비용을 들여서 재형성할 필요는 지금까지 보다 훨씬 더 드물게 된다. 테스트에 의하면, 본 발명에 따른 보정 웨이퍼(W)를 제조하고 사용하는 경우에는 매년 지금까지 필요했던 량의 10%만큼 개수가 감소될 수 있다는 사실이 나타났다.

Claims (6)

  1. 폴리머 소구체(P)가 점착된 보정 웨이퍼로서,
    상기 폴리머 소구체(P)는 열처리에 의해서 고정되며, 이 경우 상기 열처리는 상기 폴리머 소구체(P)가 연화되기 시작하는 온도 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 보정 웨이퍼.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 열처리 온도 범위는 80℃ 내지 95℃인 것을 특징으로 하는 보정 웨이퍼.
  3. 폴리머 소구체(P)를 보정 웨이퍼(W)상에 제공하는, 보정 웨이퍼(W)의 제조 방법에 있어서,
    상기 폴리머 소구체(P)를 상기 보정 웨이퍼(W)상에 제공하는 것은 상기 폴리머 소구체(P)가 연화되기 시작하는 온도 범위에서 열처리하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 폴리머 소구체(P)를 보정 웨이퍼(W)상에 제공하는, 보정 웨이퍼(W)의 제조 방법에 있어서,
    상기 폴리머 소구체를 웨이퍼상에 제공한 후에, 상기 폴리머 소구체(P)가 연화되기 시작하는 온도 범위에서 상기 웨이퍼상에 제공된 상기 폴리머 소구체(P)와 함께 보정 웨이퍼(W)를 열처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 열처리를 80℃ 내지 95℃에서 실시하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 열처리를 80℃ 내지 95℃에서 실시하는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1019980034351A 1997-08-27 1998-08-25 보정 웨이퍼 KR100310381B1 (ko)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19932357C2 (de) * 1999-07-10 2003-10-16 Ludwig Niewoehner Verfahren zur Herstellung synthetischer Partikelproben
DE19953465C1 (de) 1999-11-05 2000-12-28 Webasto Systemkomponenten Gmbh Belüftungsvorrichtung für einen Sitz eines Fahrzeugs
WO2006012553A2 (en) * 2004-07-23 2006-02-02 Nextech Solutions, Inc. Reticle particle calibration standards
JP4899560B2 (ja) * 2005-08-11 2012-03-21 富士通セミコンダクター株式会社 欠陥検査装置及びその感度校正方法、欠陥検出感度校正用基板及びその製造方法
CN101246841B (zh) * 2007-02-12 2010-05-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种减少sti hdp制成中蛋卷状颗粒的方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2726667A1 (de) * 1977-06-14 1978-12-21 Licentia Gmbh Oberflaechenpassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen desselben
US4473296A (en) * 1978-05-03 1984-09-25 Ppm, Inc. System and method and apparatus for a continuous aerosol monitor (CAM) using electro-optical weighing for general aerosols
GB2073412B (en) * 1980-03-19 1984-08-15 Karabegov M Calibrating instruments for counting and measuring particles
US4386850A (en) * 1980-12-23 1983-06-07 Rca Corporation Calibration device and method for an optical defect scanner
US4512659A (en) * 1983-08-10 1985-04-23 Tencor Instruments Apparatus for calibrating a surface scanner
US4636073A (en) * 1984-10-31 1987-01-13 International Business Machines Corporation Universal calibration standard for surface inspection systems
US4739177A (en) * 1985-12-11 1988-04-19 High Yield Technology Light scattering particle detector for wafer processing equipment
US4990459A (en) * 1988-04-25 1991-02-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Impurity measuring method
US5144524A (en) * 1988-04-27 1992-09-01 Hewlett-Packard Company Light trap for blocking reflection and scattering of light
US5078492A (en) * 1990-09-24 1992-01-07 Vlsi Standards, Inc. Test wafer for an optical scanner
US5198869A (en) * 1990-10-15 1993-03-30 Vlsi Standards, Inc. Reference wafer for haze calibration
US5383018A (en) * 1992-12-28 1995-01-17 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for calibration of patterned wafer scanners
US5534309A (en) * 1994-06-21 1996-07-09 Msp Corporation Method and apparatus for depositing particles on surfaces

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