KR100302969B1 - 탄성표면파장치의제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따르면, 압전기판 및 이 압전기판 상에 형성된 인터디지탈 트랜스듀서(interdigital transducer)를 가지고 있는 탄성 표면파 장치의 제조방법은, 이 인터디지탈 트랜스듀서를 피복하기 위해, 압전기판 상에 무기 재료 또는 유기 재료로 구성된 피복층(coating layer)을 형성하는 공정; 및 이 피복층을 레이저광에 의해 에칭하여(etching) 탄성 표면파 장치의 작동 주파수를 조정하는 공정을 포함하고 있다.

Description

탄성 표면파 장치의 제조방법{Method of manufacturing surface acoustic wave device}
본 발명은 탄성 표면파 필터, 탄성 표면파 공진자 등의 탄성 표면파 장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세히하면 주파수의 조정 공정이 개선된 탄성 표면파 장치의 제조방법에 관한 것이다.
탄성 표면파 장치는 필터, 공진자 등의 각종 소자를 형성하는데 사용된다. 이러한 탄성 표면파 장치의 제조에서는, 압전기판에 적어도 하나의 인터디지탈 트랜스듀서(interdigital transducer) (이하, IDT라 한다)가 형성되어 있다. 이 탄성 표면파 장치에서, IDT의 개수, 다른 전극들의 형상 및 개수가 원하는 소자에 맞게 적당하게 선택된다.
필터 또는 공진자로서 사용되는 경우에는, 필요한 주파수 특성을 달성하도록 탄성 표면파 장치가 제조되어야 한다. 그러나, 각종 압전기판과 IDT의 형성시에 양호하지 않은 제조 정밀도간의 물리적 특성의 변화에 의해 탄성 표면파 장치의 주파수 특성이 설계된 주파수 특성으로부터 벗어난다는 문제가 있다.
그러므로, 탄성 표면파 장치에 형성된 폴리이미드계(polyimide) 수지 피복층의 막두께를 제어함으로써, 주파수 조정이 가능한 탄성 표면파 장치의 제조방법이 제안되고 있다(예를 들어, 일본특허공개 61-208916호 공보 또는 일본특허공개 8-32392호 공보 참조).
보다 상세히하면, 일본특허공개 61-208916호 공보에는, 탄성 표면파 기판 상에 폴리이미드계 수지 피복층을 소정의 두께로 도포함으로써 탄성 표면파 장치의 작동 주파수를 조정할 수 있는 방법이 개시되어 있다.
또한, 일본특허공개 8-32392호 공보에는, 탄성 표면파가 전달되는 기판의 표면 상에 불소화 폴리이미드계 수지 피복이 스핀(spin) 코팅법에 필요한 주파수 조정량에 상응하는 두께를 가지도록 형성되는 방법이 개시되어 있다. 게다가, 일본특허공개 8-32392호 공보에서는, 불소화 폴리이미드계 수지 피복이 주파수 조정을 위해 산소가스를 함유하고 있는 플라즈마(plasma)에 의해 에칭(etching)되어도 된다.
그러나, 폴리이미드계 수지 피복을 이용하는 상술한 종래 방법들은 탄성 표면파 장치의 작동 주파수를 저하시킬 수만 있다. 즉, 탄성 표면파 장치의 작동 주파수가 증가하도록 작동 주파수를 조정하는 것이 불가능하다.
게다가, 불소화 폴리이미드계 수지 피복이 산소 가스를 함유하고 있는 플라즈마를 사용하여 에칭되는 경우에는, 진공 장치를 사용할 필요가 있다. 따라서, 주파수 조정이 요구되는 각 탄성 표면파 장치는 진공 체임버(chamber) 내에 적재되어야 하고, 그 후에 진공 체임버를 비워야 한다. 그 결과, 다수개의 탄성 표면파 장치의 주파수를 조정하는데 상당한 시간이 소요되고, 주파수 조정 공정의 처리량이 낮아진다는 문제가 있다.
상술한 문제점을 극복하기 위해서, 본 발명의 바람직한 구현예들은 탄성 표면파 장치의 작동 주파수를 고주파측과 저주파측 양측으로 이동시킴으로써, 탄성 표면파 장치의 작동 주파수를 조정하는 것이 가능하고, 탄성 표면파 장치의 작동 주파수의 조정을 높은 처리량으로 실행하는 탄성 표면파 장치의 제조방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 구현예에서 레이저광을 조사시켜 탄성 표면파 장치의 주파수를 조정하는 공정을 설명하는 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 구현예에 따라 얻어진 탄성 표면파 장치로서 단면 반사형 표면파 공진자를 보여주는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 구현예의 한 실험예에서, 피복층(coating layer)을 SiO2막으로 형성하는 경우에 SiO2막의 에칭량(etching amount) H/λ와 중심 주파수로부터의 주파수 변동량 Δfo 사이의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 구현예의 다른 실험예에서, 피복층을 SiO막으로 형성하는 경우에 SiO막의 에칭량 H/λ와 중심 주파수로부터의 주파수 변동량 Δfo 사이의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 구현예의 한 실험예에서, 피복층을 폴리이미드막으로 형성하는 경우에 폴리이미드막의 에칭량 H/λ와 중심 주파수로부터의 주파수 변동량 Δfo 사이의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 구현예의 한 실험예에서, 피복층을 파릴렌막으로형성하는 경우에 파릴렌막의 에칭량 H/λ와 중심 주파수로부터의 주파수 변동량 Δfo 사이의 관계를 보여주는 그래프이다.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
1 ... 탄성 표면파 장치 2 ... 압전기판
2a, 2b ... 단면 3 ... 인터디지탈 트랜스듀서
3a, 3b ... 빗형상의 전극 4 ... 피복층
5 ... 레이저 장치 6 ... 레이저광
본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 압전기판 및 상기 압전기판 상에 형성된 인터디지탈 트랜스듀서를 가지고 있는 탄성 표면파 장치의 제조방법은, 상기 압전기판 상에서 상기 인터디지탈 트랜스듀서를 피복하기 위해, 무기 재료 또는 유기 재료로 구성된 피복층을 형성하는 공정; 및 상기 탄성 표면파 장치의 작동 주파수를 조정하기 위해 상기 피복층을 레이저광에 의해 에칭하는 공정을 포함하고 있다.
상기 제조방법은 작동 주파수의 증감을 결정하는 공정; 및 작동 주파수가 증가되어야 하는 경우에는 피복층의 형성에 특정한 무기 재료를 선택하고, 작동 주파수가 감소되어야 하는 경우에는 피복층의 형성에 특정한 유기 재료를 선택하는 공정을 더 포함하여도 된다. 따라서, 피복층을 형성하는 공정은 선택 공정의 결과를 토대로 실행된다.
에칭 공정은 바람직하게 대기 압력에서 실행된다. 무기 재료는, 바람직하게 SiO2, SiO, ZnO, Ta2O5, TiO2및 WO3로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이다. 유기 재료는 바람직하게 폴리이미드, 파릴렌 및 실리콘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종이다.
본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 작동 주파수는 종래 주파수 조정방법에 비하여 고정밀도로 용이하게 조정될 수 있고, 원하는 주파수 특성을 정확하게 가지고 있는 탄성 표면파 장치가 신뢰성있게 저가로 제공될 수 있다.
본 명세서에서는, 본 발명을 보다 용이하게 설명하기 위해서, 바람직한 여러 형태의 도면이 도시되어 있다. 그러나, 본 발명이 본 명세서에 도시된 도면으로만 한정되지 않는다는 것이 이해될 것이다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 탄성 표면파 장치의 제조방법을 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 탄성 표면파 장치의 제조방법에서, 레이저에 의해 피복층을 에칭하는 공정을 설명하는 개략적인 단면도이다. 도 2는 본 발명의 바람직한 구현예에 따라 얻어진 탄성 표면파 장치 1을 보여주는 사시도이다.
이 바람직한 구현예에서, 탄성 표면파 장치 1은 단면 반사형 표면파 공진자이다. 탄성 표면파 장치 1은 압전기판 2 및 이 압전기판 2 상에 형성된 IDT 3을 포함하고 있다. 압전기판 2는 LiTaO3, LiNbO3등의 압전 단결정으로 구성되어도 된다. 또 다른 방법으로, 납티타네이트지르코네이트세라믹 등의 압전 세라믹을 사용하여도 된다. 또한, 절연성 재료로 구성된 기판과 이 기판 상에 형성된 ZnO 박막 등의 압전 박막을 포함하고 있는 기판이 사용되어도 된다.
압전기판 2 상에는, 빗형상의 전극 3a, 3b의 전극지가 서로 맞물려 있게 배열되어서, IDT 3을 형성한다. 다른 전극지들의 각 폭의 약 1/2과 실질적으로 동일한 폭을 가지고 있는 IDT 3의 한쌍의 최외측 전극지는 압전기판의 단면 2a, 2b와 동일 평면에 있다. 절연기판과 기판 상의 압전박막을 포함하고 있는 압전기판을 사용하는 경우에, IDT 3은 압전 박막, 또는 압전 박막과 절연성 재료로 구성된 기판 사이에 형성되어도 된다.
탄성 표면파 장치 1은, 예를 들어 BGS(Bleustein-Gulyaev-Shimizu)파를 이용한다. 이 IDT 3에 여기된 BGS파는 도 2에 도시된 X방향으로 전파되고, 단면 2a, 2b에서 BGS파의 반사에 의해 단면 2a, 2b 사이에 가두어지게 된다.
탄성 표면파 장치 1에서, IDT 3을 피복하기 위해서 피복층 4(도 2에서 가상선(imaginary line)으로 나타내어 있다)가 배열되어 있다. 피복층 4를 무기 또는 또는 유기 재료로 구성하여, IDT 3의 보호 및 주파수 조정을 위해 형성, 배열한다. 본 발명의 필수적인 특징 중의 하나는 무기 재료 또는 유기 재료 중의 하나로 구성된 피복층 4를 선택적으로 사용한다는 것이다. 무기 재료로 구성된 피복층은 탄성 표면파 장치의 작동 주파수를 증가시키는데 사용되고, 유기 재료로 구성된 피복층은 탄성 표면파 장치의 작동 주파수를 감소시키는데 사용된다.
이 바람직한 구현예에서, IDT 3이 형성된 후에 피복층 4가 형성되고, 그 다음으로 레이저를 사용하는 에칭 공정이 작동 주파수의 조정을 위해 실행된다.
탄성 표면파 장치의 제조방법을 일반적으로 다음과 같이 설명한다.
먼저, 압전기판 2 상에 IDT 3을 형성한다. 압전기판 2 상에 IDT 3을 형성하는 공정은 종래 탄성 표면파 장치의 제조방법에 관용적으로 사용되는 적절한 방법에 의해 실행될 수 있다. 예를 들어, 압전기판 2의 전면에, Al 등의 금속재료를 도금(plating), 증착 또는 스퍼터링(sputtering)에 의해 형성하고, 그 후에 패턴에 의해 IDT 3을 형성한다.
그 다음으로, 실질적인 작동 주파수를 결정하기 위해서, 탄성 표면파 장치 1을 적합한 주파수 특성 측정기구를 사용하여 시험한다. 측정된 실측 작동 주파수를 탄성 표면파 장치 1의 설계된(또는 원하는) 작동 주파수와 비교하며, 이 비교에 따라 탄성 표면파 장치 1의 실측 작동 주파수의 증감이 결정된다.
그 후에, 압전기판 2 상에 피복층 4가 형성된다. 탄성 표면파 장치의 실측 작동 주파수가 증가되어야 하는 경우에는, 피복층 4의 형성에 무기 재료가 선택된다. 이와는 반대로, 탄성 표면파 장치의 실측 작동 주파수가 감소되어야 하는 경우에는, 피복층 4의 형성에 유기 재료가 선택된다. 피복층 4는 종래 방법에 따라 형성될 수 있다. 예를 들어, 피복층 4는 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 스퍼터링, 진공 증착 등의 적절한 방법으로 형성될 수 있다.
피복층 4를 형성하기 위한 재료로서, 각종 무기 재료 및 유기 재료가 사용될수 있다. SiO2, SiO, ZnO, Ta2O5, TiO3, WO3등의 무기 재료와, 폴리이미드, 파릴렌, 실리콘 등의 유기 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
피복층 4의 두께는 실측 작동 주파수와 원하는 작동 주파수 사이의 차이에 상응하는 주파수를 변화시키는 두께 보다 두껍게 결정된다. 피복층의 두께와 주파수 변동량 간의 관계는 미리 측정된 값에 따라 결정된다는 것을 주지한다. 피복층 4의 두께는 각 탄성 표면파 장치의 조절되어야 하는 필요량에 따라 변화되어도 된다. 또 다른 방법으로, 피복층 4의 두께는 모든 단면 반사형 표면파 공진기 1를 조절하기에 충분하게 주파수를 변화시키는 소정치로 고정되어도 된다.
다음으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 피복층 4를 에칭하기 위해서 레이저 장치 5를 사용하여 레이저광 6을 피복층 4에 조사시켜, 피복층 4의 일부분이 연소되거나 증발된다. 이 에칭 공정시에, 피복층 4의 상면 4a는 피복층 4의 두께를 줄이기 위해서 전면이 에칭되어도 되고, 또는 피복층 4의 상면 4a가 부분적으로 에칭되어도 된다. 에칭량은 레이저광의 전력 조절에 의해 제어된다. 어떠한 경우에도, 에칭 공정은 레이저 장치 5를 사용하여 실행되기 때문에, 에칭은 고정밀도로 실행될 수 있다.
이 에칭 공정 중에, 탄성 표면파 장치는 임의의 진공 체임버 내에 적재될 필요가 없고, 피복층 4의 에칭은 대기 압력에서 실행된다. 그 결과, 이 공정 중에 체임버를 비워야하는 시간이 필요없게 된다.
게다가, 레이저광은 재료의 종류에 상관없이 어떠한 종류의 재료에도 적합하다. 따라서, 무기 재료로 구성된 피복층과 유기 재료로 구성된 피복층은 레이저 광원을 변화시키지 않고 동일한 레이저 광원 또는 에칭 방법에 의해 에칭될 수 있다.
상기 이유에 의해서, 탄성 표면파 장치의 주파수 특성은 에칭 공정 전에 탄성 표면파 장치 1의 주파수 특성의 변화에 상관없이 에칭 공정에 의해 원하는 주파수 특성과 정확하게 합치될 수 있다. 게다가, 주파수 조절의 처리량도 대폭 향상될 수 있다.
이하에서, 실험예를 설명한다.
탄성 표면파 장치 1로서, 압전 세라믹(piezoelectric ceramic: PZT)으로 구성되고, 대략 50×50×1㎜의 치수를 가지고 있는 압전기판 2를 포함하고 있는 탄성 표면파 장치를 준비하였다. 이렇게 형성됨에 따라 IDT 3은 20쌍의 전극지를 가지고 있고, 파장에 비해 두께는 무시될 수 있는 알루미늄 박막으로 구성되었다.
탄성 표면파 장치 1의 실측 작동 주파수를 측정한 후에, 압전기판 2의 상면 2a의 전면을 RF 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)에 의해 피복하도록 SiO2박막을 형성함으로써, 막두께가 H/λ = 0.35를 만족하였다. 여기에서, H는 SiO2박막의 두께를 나타내고, λ는 탄성 표면파 장치에 의해 여기된 BGS파의 파장을 나타낸다.
SiO2박막을 포함하고 있는 피복층은 두께를 줄이기 위해서 레이저 장치에 의해 에칭되었고, 중심 주파수 fo의 변동량 Δfo가 결정되었다. 그 결과는 도 3에 나타낸다.
도 3에서, 세로좌표축은 중심 주파수에서의 변동량 Δfo(ppm)를 나타낸다. 여기에서, 피복층 4가 형성되어 있지 않은 탄성 표면파 장치의 중심 주파수는 fo이고, 중심 주파수로부터의 주파수 차이는 Δfo로 나타낸다.
도 3은, SiO2박막을 포함하고 있는 피복층을 도포함으로써 중심 주파수가 증가하였고, SiO2박막의 두께를 줄이기 위해서 레이저광에 의해 피복층을 에칭함으로써 중심 주파수가 감소되었다. 따라서, 피복층의 두께를 줄이기 위해서 레이저광에 의해 피복층을 에칭함으로써, 탄성 표면파 장치 1의 중심 주파수를 고정밀도로 조정할 수 있다는 것을 발견하였다.
상기 실험예에서, SiO2박막 대신에 SiO 박막이 막두께가 H/λ = 0.21를 만족하도록 형성되었고, 이 박막은 상술한 방법과 동일한 방법으로 에칭되었다. 그 결과는 도 4에 나타낸다. 또한, 도 4는, SiO 피복층의 형성시에도, SiO 피복층은 레이저광에 의해 에칭됨으로써 SiO 박막의 두께가 줄어들어, 중심 주파수가 조정될 수 있다는 것을 나타낸다.
또한, 상기 SiO2박막과 SiO 박막 대신에 유기 재료로서 폴리이미드의 피복층이 막두께가 H/λ = 0.11을 만족하도록 스피너(spinner)를 사용하여 형성된다는 것을 제외하고는, 상기 실험예와 동일한 방법으로 주파수 조정이 시도되고 있었다. 그 결과는 도 5에 나타낸다. 도 5는, 폴리이미드 박막을 포함하고 있는 피복층을 형성함으로써 중심 주파수가 감소되었고, 레이저광을 조사시킨 피복층을 에칭함으로써, 에칭량이 증가함에 따라, 즉 폴리이미드 박막을 포함하고 있는 피복층의 두께가 줄어듬에 따라, 주파수가 증가하는 방향으로 주파수 조정이 행해진다는 것을 나타낸다.
유사하게, 동일한 실험이 폴리이미드 대신에 파릴렌을 사용하여 실행되었다. 그 결과는 도 6에 나타낸다. 도 6은, 파릴렌을 포함하고 있는 피복층을 형성한 후에, 레이저광을 조사시킨 피복층을 에칭함으로써, 폴리이미드의 경우와 마찬가지로, 에칭량이 증가함에 따라, 즉 피복층의 두께가 줄어듬에 따라, 주파수가 증가하는 쪽으로 주파수 조정이 행해진다는 것을 나타낸다.
그러므로, 도 3 내지 도 6에 나타난 결과로부터, 무기 재료로 구성된 피복층을 형성하는 경우에는, 에칭량을 증가시킴으로써, 즉 피복층의 두께가 줄어듬으로써, 주파수가 저하되는 쪽으로 주파수 조정이 행해질 수 있고, 폴리이미드 또는 파릴렌을 사용하는 경우에는, 에칭량을 증가시킴으로써, 즉 피복층의 막두께를 얇게함으로써, 주파수가 증가되는 쪽으로 조파수 조정이 행해질 수 있다는 것을 알 수 있다.
어떠한 경우에도, 레이저광을 조사시킨 피복층을 에칭하여 피복층의 두께를 줄임으로써, 확실하고 정확하게 주파수 조정이 행해질 수 있어서 목적하는 주파수 특성을 얻게 된다.
상기 바람직한 구현예에서, 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치의 제조방법이 BGS파를 이용하는 단면 반사형 탄성 표면파 장치의 제조방법에 적용되는 구현예를 기술하고 있지만, 상기 제조방법은 BGS파 이외의 다른 탄성 표면파, 예를 들면 러브파 등의 다른 SH-타입(type)의 탄성 표면파, 레일리파(Rayleigh wave) 등의 다른탄성 표면파를 이용하는 탄성 표면파 장치의 제조방법에도 작용될 수 있다. 게다가, 상기 제조방법은 탄성 표면파 공진자뿐만 아니라 횡형(transversal type) 또는 공진자형 탄성 표면파 필터, 탄성 표면파 지연선 등의 임의의 원하는 탄성 표면파 장치의 제조방법에도 적용될 수 있다.
이제까지 상술한 바와 같이, 종래 주파수 조정방법에 비하여, 간단하고 고정밀도로 주파수를 조정하여 원하는 주파수 특성을 가지고 있는 탄성 표면파 장치를 안정하고 저렴하게 제공하는 것이 가능하다.
또한, 무기 재료로 구성된 피복층을 형성하는 경우에는, 에칭량을 증가시킴으로써, 즉 피복층의 두께가 줄어듬으로써, 주파수가 저하되는 쪽으로 주파수 조정이 행해지고, 폴리이미드 또는 파릴렌의 유기 재료로 구성된 피복층을 형성하는 경우에는, 에칭량을 증가시킴으로써, 즉 피복층의 막두께를 얇게함으로써, 주파수가 증가되는 쪽으로 조파수 조정이 행해진다.
이제까지, 본 발명의 바람직한 구현예들이 기술되었지만, 본 발명은 본 발명의 범위 내에서 본 명세서에 기술된 본 발명의 원리를 시행하는 각종 모드를 실행할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 범위가 하기에서 청구되는 본 발명의 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다는 것을 알 수 있다.

Claims (16)

  1. 압전기판 및 상기 압전기판 상에 형성된 인터디지탈 트랜스듀서를 구비하고 있는 탄성 표면파 장치의 제조방법은,
    상기 탄성 표면파 장치의 작동 주파수의 증감을 결정하는 공정;
    작동 주파수가 증가되어야 하는 경우에는 피복층의 형성에 무기 재료를 선택하고, 작동 주파수가 감소되어야 하는 경우에는 피복층의 형성에 유기 재료를 선택하는 공정;
    상기 선택 공정의 결과를 토대로, 상기 압전기판 상에서 상기 인터디지탈 트랜스듀서를 피복하도록 무기 재료 또는 유기 재료로 구성된 피복층을 형성하는 공정; 및
    상기 탄성 표면파 장치의 작동 주파수를 조정하기 위해, 상기 피복층을 에칭하는 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 에칭 공정이 대기 압력에서 실행되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 무기 재료는 SiO2, SiO, ZnO, Ta2O5, TiO2및 WO3로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종임을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 유기 재료는 폴리이미드, 파릴렌 및 실리콘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종임을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 탄성 표면파 장치는 단면 반사형 탄성 표면파 장치임을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 탄성 표면파 장치가 BGS(Bleustein-Gulyaev-Shimizu)파를 이용하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 에칭 공정은 레이저를 사용하여 시행되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서, 작동 주파수의 상기 증감을 결정하는 공정은 상기 탄성 표면파 장치의 주파수 특성을 시험하여, 실측 작동 주파수를 결정하는 공정; 및 상기 실측 작동 주파수와 원하는 작동 주파수를 비교하는 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  9. 압전기판을 형성하는 공정;
    상기 압전기판의 표면 상에 인터디지탈 트랜스듀서를 형성하는 공정;
    탄성 표면파 장치의 작동 주파수의 증감을 결정하는 공정;
    작동 주파수가 증가되어야 하는 경우에는 피복층의 형성에 무기 재료를 선택하고, 작동 주파수가 감소되어야 하는 경우에는 피복층의 형성에 유기 재료를 선택하는 공정;
    상기 선택 공정의 결과를 토대로, 상기 압전기판 상에서 상기 인터디지탈 트랜스듀서를 피복하도록 무기 재료 또는 유기 재료로 구성된 피복층을 형성하는 공정; 및
    탄성 표면파 장치의 작동 주파수가 증가 또는 감소되도록 상기 피복층을 에칭하는 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 에칭 공정이 대기 압력에서 실행되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 무기 재료는 SiO2, SiO, ZnO, Ta2O5, TiO2및 WO3로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종임을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  12. 제 9항에 있어서, 상기 유기 재료는 폴리이미드, 파릴렌 및 실리콘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종임을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  13. 제 9항에 있어서, 상기 탄성 표면파 장치가 단면 반사형 탄성 표면파 장치임을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  14. 제 9항에 있어서, 상기 탄성 표면파 장치가 BGS(Bleustein-Gulyaev- Shimizu)파를 이용하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  15. 제 9항에 있어서, 상기 에칭 공정은 레이저를 사용하여 시행되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
  16. 제 10항에 있어서, 작동 주파수의 상기 증감을 결정하는 공정은 상기 탄성 표면파 장치의 주파수 특성을 시험하여, 실측 작동 주파수를 결정하는 공정; 및 상기 실측 작동 주파수와 원하는 작동 주파수를 비교하는 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조방법.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3712035B2 (ja) * 1999-04-28 2005-11-02 株式会社村田製作所 表面波装置の製造方法
JP3317274B2 (ja) * 1999-05-26 2002-08-26 株式会社村田製作所 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法
DE19949738A1 (de) * 1999-10-15 2001-05-23 Karlsruhe Forschzent Verfahren zur Herstellung von Oberflächenwellensensoren und Oberflächenwellensensor
DE19949739C1 (de) * 1999-10-15 2001-08-23 Karlsruhe Forschzent Massesensitiver Sensor
JP3435639B2 (ja) * 2000-04-13 2003-08-11 株式会社村田製作所 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置
JP3485067B2 (ja) 2000-05-22 2004-01-13 株式会社村田製作所 ラッピング加工方法およびラッピング装置
JP2002217672A (ja) * 2001-01-12 2002-08-02 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置およびそれを用いた通信機装置
US6650205B2 (en) * 2001-03-29 2003-11-18 Clarisay, Inc. Wafer-scale package for surface acoustic wave circuit and method of manufacturing the same
JP4063000B2 (ja) * 2001-08-14 2008-03-19 株式会社村田製作所 端面反射型表面波フィルタ
JP3945363B2 (ja) * 2001-10-12 2007-07-18 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP4704660B2 (ja) * 2002-12-18 2011-06-15 株式会社日立製作所 記憶デバイス制御装置の制御方法、記憶デバイス制御装置、及びプログラム
JP3969311B2 (ja) * 2003-01-20 2007-09-05 株式会社村田製作所 端面反射型弾性表面波装置
JP2005033379A (ja) 2003-07-09 2005-02-03 Tdk Corp 薄膜バルク波振動子およびその製造方法
JP2009130806A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子及びその製造方法
JP2009281887A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Fujitsu Ltd 気圧測定装置および気圧測定方法
DE102009019523B4 (de) * 2009-04-30 2014-02-13 Epcos Ag Verfahren zum Trimmen eines SAW Bauelements
JP2011023929A (ja) * 2009-07-15 2011-02-03 Panasonic Corp 弾性波素子とこれを用いた電子機器
US8959734B2 (en) * 2010-12-16 2015-02-24 Palo Alto Research Center Incorporated Method of fabricating a card with piezo-powered indicator by printed electronics processes
US8976093B2 (en) 2010-12-16 2015-03-10 Palo Alto Research Center Incorporated Printed interactive card with piezo-powered indicator
US20180329271A1 (en) * 2017-05-11 2018-11-15 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Surface Acoustic Wave (SAW) Spatial Light Modulator Device Providing Varying SAW Speed
JP7195758B2 (ja) * 2018-04-19 2022-12-26 株式会社ディスコ Ｓａｗデバイスの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4243960A (en) * 1978-08-14 1981-01-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method and materials for tuning the center frequency of narrow-band surface-acoustic-wave (SAW) devices by means of dielectric overlays
US4442574A (en) * 1982-07-26 1984-04-17 General Electric Company Frequency trimming of saw resonators
US4435441A (en) * 1982-12-30 1984-03-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of frequency trimming surface acoustic wave devices
US4539847A (en) * 1984-01-03 1985-09-10 Texaco Inc. Acoustic method and apparatus for measuring thickness of a coating layer on a substrate
JPH0763131B2 (ja) 1985-03-13 1995-07-05 株式会社村田製作所 表面波装置の周波数調整方法
FR2646309B1 (fr) * 1989-04-24 1997-01-31 Technomed Int Sa Procede de fabrication d'un capteur acoustique et capteur acoustique ainsi obtenu, a couche de protection indecollable
JPH0832392A (ja) 1994-07-19 1996-02-02 Meidensha Corp 弾性表面波素子及びその製造方法

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DE19854729A1 (de) 1999-06-10
TW404090B (en) 2000-09-01
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