KR100301982B1 - 청정실내에서 이용되는 기구 및 장착구 - Google Patents

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요시히데 와카야마
마사유키 이마후쿠
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야마모토 효조
다이세이 겐세쓰 가부시키가이샤
히가시 데쓰로
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Abstract

실온에서 대기압하에 있는 클린룸내에서 기판을 취급하기 위해서 이용되는 기구으로서, 수지 기재와, 활제, 가소제, 산화 방지제 및 대전 방지제로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 첨가제를 포함하고, 상기 첨가제는 실온 대기압의 조건하에서 가스 형상의 유기물 성분을 발생하지 않는다.

Description

청정실내에서 이용되는 기구 및 장착구{INSTRUMENT AND MOUNTING EQUIPMENT USED IN CLEAN ROOM}
최근, 반도체 디바이스의 고집적화에 따라, 그 회로 패턴의 선폭이 딥 서브미크론 시대를 맞이하기에 이르렀다. 딥 서브미크론 선폭의 회로 패턴을 형성하는 경우에는, 청정실의 내부 분위기를 고 레벨의 청정도로 제어할 필요가 있다. 이 때문에, 종래로부터 문제가 되어 온 입자 형상의 먼지가 웨이퍼 표면에 부착될 뿐만 아니라, 유기물이 웨이퍼 표면에 흡착되는 것이 문제시 되어 왔다(예를 들면, 후지이「가스상 오염물과 그 제거 대책의 현 상태」, 공기 청정, Vol.32, No.3, P43(1994), 일본 공기 청정 학회).
본 발명자들은, 청정실내에서 유기물의 발생원이 될 수 있는 것들에 대하여 정밀하게 연구를 거듭하였다. 그 결과, 종래의 웨이퍼 캐리어나 스미프 포드 등의 수지제 기구로부터 미량의 지방족 탄화수소, 유기 카르복실산 에스테르류, 페놀류 및 그 산화물, 아민류가 발생되고 있는 것이 알려졌다.
또한, 본 발명자 등이 실시한 별도의 연구에 따르면, 종래의 청정실용 신발의 신발창(수지제)으로부터 미량의 유기 카르복실산 에스테르류나, 페놀류 및 그 산화물이, 소위 배출(out) 가스로서 발생하고 있는 것이 알려졌다.
이들의 유기물은 청정실내의 기류를 거쳐 최종적으로는 웨이퍼 표면에 흡착되어, 회로 패턴의 형성에 여러가지 악영향을 미친다. 예를 들어, 유기물이 웨이퍼 표면에 흡착된 상태 그대로 웨이퍼 표면에 게이트 산화막을 성막하는 경우, 막의 성장 개시가 지연되거나, 막의 시트 저항값이 저하되거나, 막의 표면이 요철 형성되어 거칠게 된다.
발명의 개시
본 발명의 목적은, 청정실내에서 이용되는 경우에 유기물의 발생을 가능한 한 억제할 수 있는 기구 및 장착구를 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 반도체 디바이스의 제조 공정의 분위기내에서 유기물을 조사한 바, 도 1a에 나타내는 결과를 얻었다. 또한, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼에 부착된 유기물을 조사한 바, 도 1b에 나타내는 결과를 얻었다. 이들 결과를 종합하면, 검출 유기물이 웨이퍼 카셋트나 스미프 포드 등의 기판 취급 기구를 구성하는 수지 재료에 포함된 통상의 첨가제(활제, 가소제, 산화방지제, 대전 방지제)에 함유되어 있다는 사실이 알려졌다.
각종 기구류로부터 발생하는 유기물은, 수지 기재(樹脂基材)에 첨가된 활제, 가소제, 산화 방지제, 대전 방지제 등에 포함되어 있는 성분으로서, 이들은 비교적 가벼운 분자로 되어 있기 때문에, 사용중에 배출 가스로서 수지 기재로부터 휘발되기 쉽다. 구체적으로, 지방족 탄화수소는 성형성을 높이기 위해서 가하는 활제로부터 발생하고, 유기 카르복실산 에스테르류는, 물성을 유지하기 위해 가하는 가소제로부터 발생하며, 페놀류 및 그 산화물은 성형 가공시나 그 이후의 산화 열화를 방지하기 위해 가하는 산화 방지제로부터 발생하고, 아민류는 대전을 방지하기 위해 가하는 대전 방지제로부터 발생한다.
또한, 신발창으로부터 발생하는 유기물은, 수지 기재에 첨가되어 있는 가소제, 산화 방지제, 대전 방지제 및 자외선 흡수제에 포함되어 있는 성분으로서, 이들은 비교적 가벼운 분자이기 때문에, 사용중에 배출 가스로서 수지 기재로부터 휘발되기 쉽다.
따라서, 본 발명자들은 상술한 바에 근거하여 본 발명을 완성한 것으로서, 이들 유기물보다 높은 비점(예를 들면, DOP(프탈산디옥틸)보다 높은 비점)을 갖는, 즉 휘발성이 낮은 유기물을 포함하는 첨가제(활제, 가소제, 산화 방지제, 대전 방지제)를 이용하여, 기판에 흡착하는 유기물의 양을 현저히 감소시켰다. 또, 유기물이 기판 취급 기구로부터 휘발하여 기판 표면에 흡착되는지 여부의 판정은 후술하는 웨이퍼 분석기(analyzer) 등에 의해서 실행할 수 있다.
본 발명에 있어서, 기판이란 실리콘 웨이퍼, 유리 기판, 마스크 등의 반도체디바이스의 제조에 있어서의 피처리체를 의미한다. 또한, 기판 취급용 기구로서는, 웨이퍼 박스, 스미프 포드, 웨이퍼 트레이, 웨이퍼 카셋트, 웨이퍼 바스켓, 웨이퍼 핸들링 지그 등을 예로 들 수 있다. 이들 웨이퍼 취급용 기구류는, 예를 들면 일본 특허 공개 평성 제 1-222429 호 공보 및 미국 특허 제 4534389 호 공보에 개시되어 있다.
본 발명자들은 반도체 디바이스의 제조 공정의 분위기내에서 유기물을 조사하여, 도 1a에 도시하는 바와 같은 결과를 얻었다. 또한, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼에 부착된 유기물을 조사하여, 도 1b에 도시한 바와 같은 결과를 얻었다. 이들 결과를 종합하면, 검출 유기물은 웨이퍼 카셋트나 스미프 포드 등의 기구를 구성하는 수지 재료에 포함되는 통상의 첨가제(활제, 가소제, 산화 방지제, 대전 방지제)와 잘 일치한다.
따라서, 본 발명자들은 상술한 바에 근거하여 본 발명을 완성한 것으로서, 이들 유기물보다 높은 비점[예를 들면, DOP(프탈산디옥틸)보다 높은 비점]을 갖는, 즉 휘발성이 낮은 유기물을 포함하는 첨가제(활제, 가소제, 산화 방지제, 대전 방지제)를 이용하여, 기판에 흡착하는 유기물의 양을 현저히 감소시켰다. 또, 유기물이 기판 취급 기구로부터 휘발하여 기판 표면에 흡착되는지 여부의 판정은 후술하는 웨이퍼 분석기(analyzer) 등에 의해 실행할 수 있다.
본 발명에 따른 청정실내에서 이용되는 기구는, 실온 대기압하의 청정실내에서 반도체 디바이스 제조용 기판을 취급하기 위한 기구로서, 수지 기재와, 이 수지 기재에 첨가되는 분자량 300 이상의 페놀계 화합물로 이루어지는 산화 방지제와,상기 수지 기재에 첨가되는 분자량 350 이상의 비이온계 화합물로 이루어지는 대전 방지제를 포함하고, 상기 산화 방지제 및 대전 방지제는 모두 실온 대기압의 조건하에서 가스상의 유기물 성분을 상기 수지 기재로부터 방출하기 어려운 것을 특징으로 한다.
분자량 350 이상이 되면, 비 이온계 대전 방지제는 실온 대기압하에서는 수지 기재로부터 배출 가스로서 거의 방출되지 않는다. 또한, 분자량 300 이상이 되면, 페놀계 산화 방지제는 실온 대기압하에서 수지 기재로부터 배출 가스로서 거의 방출되지 않는다. 이러한 비 이온계 대전 방지제와 페놀계 산화 방지제가 수지중에 공존하면, 비 이온계 대전 방지제의 H+기와 페놀계 산화 방지제의 OH-기가 서로 끌어당겨, 상대방을 서로 구속하기 때문에, 수지 기재로부터 배출 가스로서 거의 방출되지 않는다.
또한, 비 이온계 대전 방지제는, 가령 배출 가스로서 방출되어 기판 표면에 흡착되었다고 하더라도 다른 음이온계나 카티온계의 대전 방지제에 비하면, 반도체 디바이스 제조 공정에 미치는 악영향의 정도가 매우 작고, 실질적으로 무해하다고 말할 수 있다. 이에 비하여 타계통의 대전 방지제, 예를 들면 음이온계 대전 방지제이면, 이것에 포함되는 Na나 K 등의 알칼리 금속이 회로의 단락이나 절연 불량 등을 발생시키기 쉽고, 반도체 디바이스에 중대한 악영향을 미칠 가능성이 있다. 이 때문에, 음이온계 대전 방지제를 최근의 반도체 디바이스 제조 프로세스에 이용하는 것은 적절하지 않다. 또한, 대전 방지제가 카티온계 화합물이면, 이것에 포함되는 염소 이온, 초산 이온, 황산 이온 등이 부식의 원인 물질로 되기 때문에, 이것도 최근의 반도체 디바이스 제조 프로세스에 이용하는 것은 적절하지 않다. 이와 같이 비 이온계 대전 방지제는 타계통의 대전 방지제에 비해서 반도체 디바이스 제조 프로세스에 있어서 실질적으로 무해하다고 하는 이점을 갖는다.
본 발명에서 말하는 장착구란, 반도체 디바이스 제조시에 청정실내에서 작업자가 착용하는 신발(신발창에 천으로 된 덮개를 붙인 신발), 장갑, 의복(suit), 안경 등을 포함한다. 이들 장착구의 수지 부분에는, 성형성을 높여 물성을 유지하기 위한 가소제, 성형 가공시나 그 후의 산화 열화를 방지하는 산화 방지제 및 대전 방지성을 부가하기 위한 대전 방지제, 필요에 따라서 자외선 흡수제 등이 첨가제로서 첨가된다.
본 발명자들은, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 웨이퍼에 부착된 유기물 성분을 조사한 바, 청정실용 신발의 신발창을 구성하는 수지 재료에 포함된 첨가제(가소제, 산화 방지제, 대전 방지제, 자외선 흡수제)의 성분인 것을 알아냈다.
따라서, 본 발명자들은, 상기 사실에 근거하여 본 발명을 완성한 것으로, 이들 유기물보다도 높은 비점(예를 들면, 2, 6-디-t-부틸-p-크레졸보다 높은 비점)을 갖는, 즉 휘발성이 낮은(배출 가스의 발생이 적은) 유기물을 포함하는 첨가제(가소제, 산화 방지제, 대전 방지제, 자외선 방지제)를 이용하여, 웨이퍼에 흡착되는 유기물의 양을 현저히 감소시켰다. 또, 유기물이 청정실용 신발로부터 휘발하여 웨이퍼 표면에 흡착되는지 여부의 판정은 후술하는 웨이퍼 분석기에 의해 실행할 수있다.
본 발명에 따른 청정실내에서 이용되는 장착구는, 실온에서 대기압하의 청정실내에서 작업자가 착용하는 장착구로서, 수지 기재와, 이 수지 기재에 첨가되는 분자량 300 이상의 페놀계 화합물로 이루어지는 산화 방지제와, 상기 수지 기재에 첨가되는 분자량 350 이상의 비 이온계 화합물로 이루어지는 대전 방지제와, 상기 수지 기재에 첨가되는 가소제를 포함하고, 상기 산화 방지제, 대전 방지제 및 가소제는 모두 실온 대기압의 조건하에서 가스상의 유기물 성분을 상기 수지 기재로부터 방출하기 어려운 것을 특징으로 한다.
본 발명은 반도체 디바이스 제조 분야의 청정실내에서 이용되는 기구 및 장착구에 관한 것으로, 특히 청정실내에서 반도체 웨이퍼를 취급하기 위한 웨이퍼 캐리어(카셋트) , SMIF POD("Standard Mechanical Interface Pod", 이하 생략하여 「스미프 포드」라고 함), 웨이퍼 박스, 웨이퍼 바스켓, 웨이퍼 핸들링용 지그류 및 청정실내에서 작업자 등이 착용하는 청정실용 신발에 관한 것이다.
도 1a는 반도체 웨이퍼의 처리 분위기(청정실)내에 존재하는 각종 유기물의 측정 결과를 나타내는 특성 선도이고, 도 1b는 반도체 웨이퍼의 표면에 부착된 각종 유기물의 측정 결과를 나타내는 특성 선도이다.
도 2a는 웨이퍼 캐리어(카셋트)를 외부 분위기로부터 차단하기 위해 이용되는 스미프 포드(Standard Mechanical Interface Pod)의 종단면도이고, 도 2b는 스미프 포드의 사용 상태를 설명하기 위한 스미프 포드의 종단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 청정실용 신발의 평면도이다.
도 4는 다른 청정실용 신발의 측면도이다.
이하, 본 발명의 여러가지 바람직한 실시예에 대하여 구체적으로 설명한다.
우선, 도 2a 및 도 2b를 참조하면서, 스미프 포드(Standard Mechanical Interface Pod)에 대하여 설명한다.
일본 특허 공개 평성 제 1-222429 호 공보 및 미국 특허 제 4534389 호 공보에는 웨이퍼(W) 및 캐리어(카셋트)(C)를 외부 분위기로부터 차단하기 위하여 이용되는 가반식(可搬式) 스미프 포드(2)가 각각 개시되어 있다. 도 2a에 도시하는 바와 같이 스미프 포드(2)는 상자형 커버(3)와 기판 형상의 바닥부(10)를 구비한다. 스미프 포드 커버(3)는 투명 또는 반투명 수지의 일체 성형품으로서, 1개의 웨이퍼 카셋트(C)를 수용할 수 있는 용적을 가지며, 그 최상부에는 손잡이(6)가 장착되어 있다.
스미프 포드 커버(3)의 하부에는 플랜지부(4)가 형성되고, 또한 이 플랜지부(4)의 내측에는 환상(環狀)의 오목부(4a)가 형성되어 있다. 스미프 포드 바닥부(10)에는 복수개의 핀(11)이 구비되어 있다. 각 핀(11)은 링크 기구(12)에 각각 연결되어 있다. 예를 들어, 돌기 부재(28)와 같은 것을 링크 기구(12)의 구멍에 꽂고 이것을 회전시키면, 각 핀(11)은 바닥부(10)의 외주연부로 돌출하거나, 또는 외주연부내에 있다. 즉, 스미프 포드 커버(3)를 바닥부(10)에 씌운 다음, 핀(11)을 돌출시키면, 오목부(4a)에 핀(11)이 각각 끼워짐에 따라, 커버(3)와 바닥부(10)가 일체로 연결된다.
또한, 커버(3)의 측벽에는 가요성 호스(flexible hose)(5)가 장착되어 있다. 이 가요성 호스(5)는 밸브(7)를 거쳐 질소 가스 공급원(8)에 연통되어 있어, 스미프 포드(2) 내부로 질소 가스가 도입된다. 또한, 가요성 호스(5)는 연질 수지제로 이루어진다.
도 2b에 도시하는 바와 같이, 테이블(19)의 하방에는 카셋트 탑재 이송 기구(20)가 설치되어 있다. 이 카셋트 탑재 이송 기구(20)는 수직 볼나사 기구(22), 지지 아암(24), 지지대(26), 돌기 부재(28)를 구비한다. 지지대(26)는 수직 볼나사 기구(22)에 의해 승강되도록 되어 있다. 돌기 부재(28)는 지지대(26)로부터 상방으로 돌출되는 1쌍의 돌기(28a)로 이루어지며, 수직축을 중심으로 회전 가능하게 지지되어 있다.
테이블(19)에는 개구(19a)가 형성되어 있다. 개구(19a)의 근방에는 복수개의 척(chuck) 부재(30)가 설치되어 있다.
스미프 포드(2)를 테이블(19) 위에 탑재하면, 척 부재(30)가 플랜지부(4)를 파지(把持)하고, 이에 따라 스미프 포드(2)는 테이블(19)상에 고정된다. 이어서, 지지대(26)를 상승시키면, 개구(19a)를 통해 돌기 부재(28)의 돌기(28a)가 링크 기구(12)의 구멍(12a)에 삽입된다. 또한, 돌기 부재(28)를 회전시키면, 핀(11)이 오목부(4a)에서 빠져 바닥부(10)와 커버(3)의 걸어맞춤 상태가 해제된다. 지지대(26)를 하강시키면, 커버(3)만이 테이블(19)상에 남게 되고, 카셋트(C) 및 바닥부(10)는 지지대(26)와 함께 하강한다.
다음에, 상기 스미프 포드(2) 및 카셋트(C)의 각 구성 부재의 재질에 대하여 설명한다.
스미프 포드(2) 및 카셋트(C)의 각 구성 부재는 경질의 수지를 사출 성형하여 만들어진다. 특히, 카셋트(C)나 스미프 포드 커버(3)는 사출 성형된 경질 수지의 일체 성형품이다. 또, 핀(11), 링크 기구(12), 돌기 부재(28), 척 부재(30) 등은 금속제이더라도 무방하다. 또한, 가요성 호스(5)는 연질의 수지를 금속 섬유로 강화한 복합 재료로 만들어진다.
수지 기재에 첨가하는 각종의 첨가 성분에 대하여 설명한다.
본 발명에 있어서, 활제의 주성분이 탄소수 20 이상의 지방족 탄화수소 및 탄소수 18 이상의 고급 알콜 중 적어도 하나를 포함하고, 또한 활제가 탄소수 20 미만의 지방족 탄화수소 및 탄소수 18 미만의 고급 알콜을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 특히, 활제의 주성분으로서, 마이크로 크리스탈린 왁스, 천연 파라핀, 합성 파라핀, 폴리올레핀 왁스 등의 파라핀·왁스류; 탄소수 18, 20, 24의 합성 분기 고급 알콜, 천연물의 올레일 알콜 등의 고급 알콜류 중 적어도 하나를 포함하는 것이 특히 바람직하다. 여기서, 활제의 주성분이 탄소수 19 이하의 지방족 탄화수소이면, 통상의 청정실의 온도(실온 23℃)에서 기판 취급 기구로부터 휘발하여 기판에 흡착되어 기판 표면을 오염시키기 때문에 바람직하지 못하다.
본 발명에 있어서, 가소제의 주성분이 분자량 420 이상의 카르복실산 에스테르, 분자량 400 이상의 폴리에스테르 및 분자량 400 이상의 에폭시계 화합물 중의 하나인 것이 바람직하다. 또한, 가소제의 주성분이 프탈산 디이소데실(분자량 447), 프탈산 디라우릴(분자량 502) 등의 프탈산 에스테르계 화합물, 아젤라인산 디-2-에틸헥실(분자량 413), 세바친산-디-2-에틸헥실(분자량 427) 등의 지방족 2염기산 에스테르계 화합물, 트리멜리트산 트리스-2-에틸헥실(분자량 547), 트리멜리트산 트리옥틸(분자량 547) 등의 트리멜리트산 에스테르계 화합물; 아디핀산, 아젤라인산, 세바친산, 또는 프탈산 등의 2염기산과, 글리콜 또는 글리세린류와의 사이의 반응에 의해 얻어진 폴리머인 폴리에스테르계 화합물, 특히 아디핀산 프로필렌글리콜계 화합물 또는 아디핀산 부틸렌글리콜류로서, 분자량이 2000 내지 8000인 것; 에폭시 지방산 에스테르계 화합물(분자량 400 내지 500), 에폭시화유(분자량 약 1000) 등의 에폭시계 화합물 중의 적어도 하나인 것이 특히 바람직하다.
여기서, 가소제의 주성분이 분자량 420 미만의 프탈산 디부틸(분자량 278), 프탈산 디옥틸(분자량 391), 아디핀산 디-2-에틸헥실(분자량 371)이면, 통상의 청정실의 온도(23℃)에서 기판 취급 기구로부터 휘발되어 기판에 흡착되기 때문에 바람직하지 못하다.
본 발명에 있어서, 산화 방지제의 주성분이 분자량 300 이상의 페놀계 화합물인 것이 바람직하다. 또한, 산화 방지제의 주성분이 스테아릴-β-(3, 5-디-t-부틸-4-하이드록시 페닐)프로피오네이트(분자량 520.9) 등의 모노페놀계 화합물, 2, 2'-메틸렌-비스-(4-메틸-6-t-부틸페놀)(분자량 340.5), 2, 2'-메틸렌-비스-(4-에틸-6-t-부틸페놀)(분자량 368.5), 4, 4'-티오비스-(3-메틸-6-t-부틸페놀)(분자량 358.5), 4, 4'-부틸리덴비스(3-메틸-6-t-부틸페놀)(분자량 382.6) 등의 비스페놀계 화합물; 1, 1, 3-트리스-(2-메틸-4-하이드록시-5-t-부틸페놀)부탄(분자량 544.8), 1, 3, 5-트리메틸-2, 4, 6-트리스(3, 5-디-t-부틸-4-하이드록시벤질)벤젠(분자량 775.2), 테트라키스-[메틸렌-3-(3', 5'-디-t-부틸-4'-하이드록시페놀)프로피오네이트]메탄(분자량 1177.7), 비스-[3, 3'-비스-(4'-하이드록시-3'-t-부틸페놀)부틸릭액시드]글리콜에스테르(분자량 794.4) 등의 고분자 페놀계 화합물 중 적어도 하나로 되어 있는 것이 특히 바람직하다.
여기서, 산화 방지제의 주성분이 분자량 300 미만의 2, 6-디-t-부틸-p-크레졸(분자량 220.4), 2, 6-디-t-부틸-4-에틸페놀(분자량 234.2)이면, 통상의 청정실의 온도(23℃)에서 기판 취급 기구로부터 휘발되어 기판에 흡착되기 때문에 바람직하지 못하다.
본 발명에 있어서, 대전 방지제의 주성분이 분자량 350 이상의 비(非)이온계 화합물인 것이 바람직하다. 또한, 비 이온계 화합물이 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌알킬아미드, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, N, N'-비스-(디에틸렌글리콜)스테아릴아민 중 적어도 하나인 것이 특히 바람직하다. 대전 방지제의 주성분에 있어서, 분자량은 알킬기의 탄소수 및/또는 폴리옥시에틸렌의 결합수에 의해 산출한다.
여기서, 대전 방지제의 주성분이 분자량 350 미만의 N, N'-비스-(2-하이드록시에틸)라우릴아미드(분자량 273)이면, 통상의 청정실의 온도(23℃)하에서 기판 취급 기구로부터 휘발되어 기판에 흡착되기 때문에 바람직하지 못하다.
이와 같이, 첨가제, 즉 활제, 가소제, 산화 방지제, 대전 방지제의 주성분에 상기 화합물을 이용함으로써, 기판 취급 기구로부터의 휘발을 방지하여 기판의 오염을 막을 수 있다. 또, 활제, 가소제, 산환 방지제, 대전 방지제 중 적어도 하나의 첨가제의 주성분이 상기 화합물이면, 기판의 오염을 감소시킬 수 있다.
본 발명에 있어서, 수지 기재는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀,폴리카보네이트, 테트라플루오로에틸렌-퍼-플루오로알콕시에틸렌 공중합체(PFA) 등의 불소 수지로 이루어지는 군에서 선택된 것이 바람직하다.
본 발명의 기구에 이용하는 바람직한 재료로서는, 예를 들면 수지 재료에 폴리프로필렌을 사용하며, 주성분이 마이크로 크리스탈린 왁스인 활제, 주성분이 디-2-에틸헥실세바게이트인 가소제, 주성분이 테트라키스[메틸렌-3-(3', 5'-디-t-부틸-4'-하이드록시페놀)프로피오네이트]메탄인 산화 방지제, 필요에 따라서 주성분이 스테아릴아미드의 에틸렌옥사이드 부가체인 대전 방지제를 첨가제로서 포함하는 것을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 수지 재료 및 첨가제를 이용하여 기판 취급 기구를 제조하는 경우에는, 수지 재료에 소정량의 첨가제를 부가하여 가열 혼련하여, 이 수지 조성물을 사출 성형한다.
다음에, 본 발명의 효과를 명확히 하기 위하여 실시한 실시예에 대하여 설명한다.
(실시예 1)
폴리프로필렌(평균 분자량 100,000; 미쓰이도아츠화학사 제품) 100 중량부에 대하여, 활제(분자량 420; 니혼석유사 제품) 5 중량부, 가소제(분자량 427; 오하치화학공업사 제품) 3 중량부, 산화 방지제(분자량 521; 요시토미제약공업사 제품) 1 중량부 및 대전 방지제(평균 분자량 440; 라이온사 제품) 2 중량부를 부가하여 가열하면서 혼련하였다. 이 재료를 이용하여 사출 성형하여 세로 208×가로 236×높이 215㎜이고, 웨이퍼간의 피치가 6.35㎜인 웨이퍼 캐리어를 제작하였다. 또, 활제의 주성분은 마이크로 크리스탈린 왁스로 하고, 가소제의 주성분은 세바친산 디-2-에틸헥실로 하며, 산화 방지제의 주성분은 스테아릴-β-(3, 5-디-t-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트로 하고, 대전 방지제의 주성분은 N, N'-비스-(디에틸렌글리콜)스테아릴아민(스테아릴디에틸렌글리콜아민)으로 하였다.
이렇게하여 얻어진 웨이퍼 캐리어를 일부(40g) 잘라내어, 이 시료를 이용해 실리콘 웨이퍼 분석기(디엘사이언스사 제품, 상품명, 이하, 「SWA」이라고 기재함)로 웨이퍼에 흡착된 첨가제중의 유기물을 조사하였다.
이 SWA는, 크게 3개의 장치로 구성되어 있는데, 구체적으로는, 유기물이 흡착된 웨이퍼로부터 흡착 성분을 헬륨 기류중에서 가열 탈착한 다음, 그것을 재포집시키는 트랩 장치와, 이 재포집된 유기 성분을 헬륨 기류중에서 가열 탈착하면서, 액체 질소로 냉각시킨 모세관내로 도입하여 포집, 농축시키는 Thermal Desorption Cold Trap Injector(TCT) 장치와, 이 냉각 농축된 성분을 헬륨 기류중에서 급속 가열시킨 것을 분석하는 가스 크로마토그래피/질량스펙트럼(GC/MS) 장치로 구성되어 있다. GC/MS 장치는, GC 장치에서 유기 성분에 의해 분리된 총 이온 크로마토그램(TIC)을 얻을 수 있다. 이 각 피크에 대하여 MS 장치에 의해 유기 성분을 정성(定性) 분석한다. 이 SWA에 의해, 웨이퍼에 흡착되어 있는 유기물의 함유량 및 종류를 측정할 수 있다. 또한, SWA에 의하면, 웨이퍼 1장당 수 ng(10-9g)의 차수까지 분석이 가능하다.
웨이퍼에 흡착된 첨가제중의 유기물을 SWA로 측정하는 것은, 다음과 같이 하여 실행하였다. 우선, 웨이퍼 캐리어의 일부와 표면을 세정한 4인치의 실리콘 웨이퍼를 동일한 건조자(desiccator)내에 수 cm 분리 탑재하여, 건조자를 덮개로 덮고 수 시간(예를 들면 6시간) 방치하였다. 유기물이 흡착된 웨이퍼를 SWA에 삽입하여, 헬륨 기류하에서 315℃로 가열하여 흡착되어 있는 유기물을 탈착하여, 트랩 장치에 일단 포집하였다. 이어서, 이 포집된 유기물을 헬륨 기류속에서 가열 탈착한 다음, TCT 장치에서 액체 질소로 냉각하여 농축하였다. 이어서, 이 냉각 농축된 유기 성분을 헬륨 기류중에서 280℃로 가열하여, 유기 성분을 GC/MS 장치에 도입하였다.
여기서, GC/MS 장치는, G-3000/M-80B(히타치제작소 제품, 상품명)를 사용하고, 그 측정 조건을 40℃ 내지 280℃(40분 방치)의 범위로 하며, 승온 속도를 (10℃/분)으로 하였다. 또한, 사용 컬럼(column)으로서는, 100% 메틸폴리실록산, 길이 60m, 내경 0.25㎜, 막두께 0.25㎛인 것을 이용하였다. 또한, MS 장치의 이온화 방법은 전자 충격법으로 하며, 검출 범위는 m/z 단위로 0 내지 600으로 하였다. 또, 정량 분석은, 헥사디칸으로 검량선을 작성하여, 헥사디칸 환산의 농도로 하였다.
그 결과, 헥사디칸 환산으로 5ng/웨이퍼였다. 또한, TIC의 각 피크를 정성 분석하였지만, 각 피크가 미소하기 때문(유기물의 흡착이 대단히 적기 때문)에 정성 분석이 불가능하였다. 즉, 기판 취급 기구인 웨이퍼 캐리어로부터의 첨가제 화합물의 휘발이 적어, 웨이퍼를 오염시킬 우려가 없다.
다음에, 상기 웨이퍼 캐리어로부터 45×45㎜의 시험편을 5장 잘라내어, 이 시료를 이용해 정전기 측정 장치 스태틱 오네스트미터(시시드 정전기사 제품, 상품명)로 대전성을 조사하였다. 또, 대전성은 대전압(帶電壓)과 반감기(半減期)로 평가하였다.
이 정전기 측정 장치는 주로, 시험편을 임의로 대전시키는 인가부와, 코로나 방전을 시키기 위한 턴테이블과, 시험편의 전압을 검출하는 전압기부(受電部) 및 증폭기로 구성되어 있다.
우선, 반감기 측정기와 동기 검정기(synchroscope) 또는 기록계를 접속하고, 인가 전압을 ±10kV로 하며, 인가부의 침 전극의 선단에서부터 턴테이블면까지의 거리를 20㎜로 하고, 전압기부의 전극으로부터 턴테이블까지의 거리를 15㎜로 각각 조정하였다. 또, 시험편이 현저히 두꺼운 경우에는, 인가부의 침 선단 및 전압기부의 전극판으로부터 시험편면까지의 거리를 각각 20㎜ 또는 15㎜로 하고, 그 내용을 결과에 부기한다.
이어서, 제전(除電) 장치를 이용하여 시험편을 제전한 후, 표면이 상방을 향하도록 시험편 장착 프레임에 장착하고, 턴테이블을 회전시키면서, 110kV의 전압 인가를 30초 실행한 후에 전압 인가를 정지하고, 턴테이블를 그대로 회전시키면서, 대전압이 초기 대전압의 1/2로 감쇠하는 시간을 측정하였다. 또, 초기 대전압이 마이너스로 감쇠하기까지의 시간이 120초 이상 소요되는 경우에는, 120초에서 측정을 중지한다. 나머지 4장에 대해서도 마찬가지로 측정하였다. 그 결과, 대전성은0V이고, 따라서 반감기는 관측되지 않았다.
(실시예 2)
활제의 주성분으로서 천연 파라핀(탄소수 22이상)을 이용하고, 가소제의 주성분으로서 프탈산디이소디실을 이용하며, 산화 방지제의 주성분으로서 2, 2'-메틸렌-비스-(4-메틸-6-t-부틸페놀)을 이용하고, 대전 방지제의 주성분으로서 N, N'-비스-(디에틸렌글리콜)스테아릴아민을 이용하는 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 웨이퍼 캐리어를 제작하였다.
이 웨이퍼 캐리어에 대하여 실시예 1과 마찬가지로 하여 웨이퍼의 유기물 흡착량 및 대전성을 조사하였다. 그 결과, 웨이퍼의 흡착량은 7ng으로 대단히 적었다. 또한, TIC의 각 피크를 정성 분석하였지만, 각 피크가 미소하기 때문(유기물의 흡착이 대단히 적기 때문)에 정성 분석이 불가능하였다. 또한, 대 전압은 OV이고, 따라서 반감기는 관측되지 않았다.
(실시예 3)
활제의 주성분으로서 합성 파라핀(탄소수 24 이상)을 이용하고, 가소제의 주성분으로서 트리멜리트산디이소디실을 이용하며, 산화 방지제의 주성분으로서 1, 1, 3-트리스-(2-메틸-4-하이드록시-5-t-부틸페놀)부탄을 이용하고, 대전 방지제의 주성분으로서 N, N'-비스-(디에틸렌글리콜)스테아릴아민을 이용하는 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 웨이퍼 캐리어를 제작하였다.
이 웨이퍼 캐리어에 대하여 실시예 1과 마찬가지로 하여 웨이퍼에 있어서의 유기물 흡착량 및 대전성을 조사하였다. 그 결과, 웨이퍼의 흡착량은 3ng로서, 대단히 적었다. 또한, TIC의 각 피크를 정성 분석하였지만, 각 피크가 미소하기 때문(유기물의 흡착이 대단히 적기 때문)에 정성 분석이 불가능하였다. 또한, 대전성을 로터리 스태틱 테스터(rotary static tester)로 측정한 바, 대전압은 0V이고, 따라서 반감기는 관측되지 않았다.
(비교예 1)
플루오로웨어사 제품의 웨이퍼 캐리어를 준비하였다. 이 웨이퍼 캐리어에 대하여 실시예 1과 마찬가지로 하여 웨이퍼의 유기물 흡착량 및 대전성을 조사하였다. 그 결과, 웨이퍼의 흡착량은 173ng으로, 대단히 많았다.
또한, 이 경우, GC/MS 방법에서 TIC의 각 피크에 대하여 정성 분석한 바, 탄소수 18까지의 지방족 탄화수소, 탄소수 16까지의 고급 알콜, 탄소수 12까지의 지방족 알데히드, 2, 6-비스-(1, 1-디메틸에틸)-4-메틸페놀 및 그 산화 생성물, 아디핀산 디옥틸 및 프탈산 디옥틸 등이 확인되었다.
또한, 대전압은 1560V이고, 반감기는 120초 이상이었다.
(비교예 2)
폴리프로필렌(미쓰이도아쓰화학사 제품) 100 중량부에 대하여, 활제(니혼석유사 제품) 3 중량부, 가소제(오하치화학공업사 제품) 3 중량부, 산화 방지제(요시토미제약공업사 제품) 2 중량부 및 대전 방지제(라이온사 제품) 1.5 중량부를 부가하여 가열하면서 혼련하였다. 이 재료를 이용해서 사출 성형하여 세로 208 ×가로 236 ×높이 215㎜이고, 웨이퍼간의 피치가 6.35㎜인 웨이퍼 캐리어를 제작하였다. 또, 활제의 주성분은 유동 파라핀(탄소수 12 내지 18)으로 하고, 가소제의 주성분은 프탈산 디옥틸(분자량 391)로 하며, 산화 방지제의 주성분은 2, 6-비스-t-부틸-p-크레졸(분자량 220)으로 하고, 대전 방지제의 주성분은 N, N'-비스(2-하이드록시에틸)라우릴아미드(분자량 270)으로 하였다. 이 웨이퍼 캐리어에 대하여 실시예 1과 마찬가지로 하여 웨이퍼의 유기물 흡착량 및 대전성을 조사하였다. 그 결과, 웨이퍼의 흡착량은 216ng으로, 대단히 많았다.
또한, 이 경우의 GC/MS 방법에서 TIC의 각 피크에 대하여 정성 분석한 바, 탄소수 12 내지 18의 지방족 탄화수소, 프탈산 디옥틸, 2, 6-디-t-부틸-p-크레졸 및 N, N'-비스(2-하이드록시에틸)라우릴아미드 등이 확인되었다.
또한, 대전압은 OV이고, 따라서 반감기는 관측되지 않았다.
상기 실시예를, 실리콘 웨이퍼를 취급하기 위한 기구 및 장착구에 이용한 경우에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않으며, LCD용 유리 기판이나 노광용 마스크 등의 다른 기판에도 이용할 수 있다.
다음에, 도 3a, 도 3b 및 도 4를 참조하여, 장착구의 실시예중 하나인 청정실용 신발에 대하여 설명한다.
청정실용 신발은 일본 특허 공개 평성 제 7-297257 호 공보에 개시되어 있다. 도 3a, 도 3b에 도시하는 바와 같이 청정실용 신발(50)은, 1쌍의 가요성 터브 부재(51)와, 벨크로 파스너(velcro fastener)(52)와, 가요성 커버(53)와, 통상 파스너(54)와, 신발창(56)을 구비하고 있다. 벨크로 파스너(52)는, 한쪽의 터브 부재(51) 표면과, 다른쪽 터브 부재(51) 이면에 각각 부착되어 있다. 통상 파스너(54)는 가요성 커버(53)가 대향하는 가장자리에 각각 봉제 부착되어 있다.이들 파스너(53, 54)는 가요성 커버(53)를 통합 또는 전개하기 위한 것이다.
또한, 신발창(56)은 가요성 커버(53)의 다른 가장자리에 접착 또는 봉제 접착되어 있다. 이 신발창(56)은, 우레탄 수지와, 이 우레탄 수지를 발포시키는 발포제와, 실질적으로 저분자량의 실록산을 발생하지 않는 실리콘계 정포제(整泡濟)와, 가소제, 산화 방지제, 대전 방지제 및 자외선 흡수제로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 첨가제를 포함하는 재료로 만들어진다. 또, 도 4에 도시하는 바와 같이, 파스너가 없는 가요성 커버(53A)를 신발창(56A)에 장착한 유형의 신발(50A)도 있다.
상기 수지 기재 및 첨가제를 이용하여 청정실용 신발의 신발창(56)을 제조하는 경우에는, 수지 재료에 소정량의 첨가제를 부가하여 가열 혼련함으로써, 이 수지 조성물을 사출 성형한다.
본 발명에 있어서, 가소제의 주성분이 분자량 420 이상의 카르복실산 에스테르, 분자량 400 이상의 폴리에스테르 및 분자량 400 이상의 에폭시계 화합물 중의 하나인 것이 바람직하다. 또한, 가소제의 주성분이 프탈산 이소데실(분자량 447), 프탈산 라우릴(분자량 502) 등의 프탈산 에스테르계 화합물; 아젤라인산 디-2-에틸헥실(분자량 413), 세바친산-디-2-에틸헥실(분자량 427) 등의 지방족 2염기산 에스테르계 화합물; 트리멜리트산트리스-2-에틸헥실(분자량 547), 트리멜리트산 트리옥틸(분자량 547) 등의 트리멜리트산 에스테르계 화합물; 아디핀산, 아젤라인산, 세바친산, 또는 프탈산 등의 2염기산과, 글리콜 또는 글리세린류와의 사이의 반응에 의해 얻어진 폴리머인 폴리에스테르계 화합물, 특히 아디핀산 프로필렌글리콜계 화합물 또는 아디핀산 부틸렌글리콜류로서, 분자량이 2000 내지 8000인 것; 에폭시 지방산 에스테르계 화합물(분자량 400 내지 500), 에폭시화유(분자량 약 1000) 등의 에폭시계 화합물중의 적어도 하나인 것이 특히 바람직하다.
여기서, 가소제의 주성분이 분자량 420 미만의 프탈산 디부틸(분자량 278), 프탈산 디옥틸(분자량 391), 아디핀산 디-2-에틸헥실(분자량 371)이면, 통상의 청정실의 온도(23℃)하에서 청정실용 신발의 신발창으로부터 휘발되어 웨이퍼에 흡착되기 때문에 바람직하지 못하다.
본 발명에 있어서, 산화 방지제의 주성분이 스테아릴-β-(3, 5-디-t-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트(분자량 520.9) 등의 모노페놀계 화합물; 2, 2'-메틸렌-비스-(4-메틸-6-t-부틸페놀)(분자량 340.5), 2, 2'-메틸렌-비스-(4-에틸-6-t-부틸페놀)(분자량 368.5), 4, 4'-티오비스-(3-메틸-6-t-부틸페놀)(분자량 358.5), 4, 4'-부틸리덴-비스-(3-메틸-6-t-부틸페놀)(분자량 382.6) 등의 비스페놀계 화합물; 1, 1, 3-트리스-(2-메틸-4-하이드록시-5-t-부틸페놀)부탄(분자량 544.8), 1, 3, 5-트리메틸-2, 4, 6-트리스(3, 5-디-t-부틸-4-하이드록시벤질)벤젠(분자량 775.2), 테트라키스-[메틸렌-3-(3',5'-디-t-부틸-4'-하이드록시페닐)프로피오네이트]메탄(분자량 1177.7), 비스-[3,3'-비스-(4'-하이드록시-3'-t-부틸페닐)부틸애시드]글리콜에스테르(분자량 794.4) 등의 고분자 페놀계 화합물 중 적어도 하나인 것이 특히 바람직하다.
여기서, 산화 방지제의 주성분이 분자량 300 미만의 2, 6-디-t-부틸-p-크레졸(분자량 220.4), 2, 6-디-t-부틸-4-에틸페놀(분자량 234.2)이면, 통상의 청정실의 온도(23℃)에서 청정실용 신발의 신발창으로부터 휘발하여 웨이퍼에 흡착되기 때문에 바람직하지 못하다.
본 발명에 있어서, 대전 방지제의 주성분이 분자량 350 이상의 비 이온계 화합물인 것이 바람직하다. 또한, 비 이온계 화합물이 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌알킬아미드, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, N, N'-비스-(디에틸렌글리콜)스테아릴아민, N, N'-비스-(디에틸렌글리콜)스테아릴아미드, 폴리에틸렌글리콜-p-노닐페닐에테르, 글리세린지방산 에스테르 중 적어도 하나인 것이 특히 바람직하다. 대전 방지제의 주성분에 있어서, 분자량은 알킬기의 탄소수 및/또는 폴리옥시에틸렌의 결합수에 의해 산출한다.
여기서, 대전 방지제의 주성분이 분자량 350 미만의 N, N'-비스-(2-하이드록시에틸)라우릴아미드(분자량 273)이면, 통상의 청정실의 온도(23℃)하에서 청정실용 신발의 신발창으로부터 휘발하여 웨이퍼에 흡착되기 때문에 바람직하지 못하다.
본 발명에 있어서, 자외선 흡수제의 주성분이 분자량 300 이상의 화합물인 것이 바람직하다. 또한, 자외선 흡수제의 주성분이 p-옥틸페닐살리실레이트(분자량 326) 등의 살리실산계 화합물, 2-하이드록시-4-옥토키실벤조페논(분자량 326), 2-하이드록시-4-도데실옥시벤조페논(분자량 382) 등의 벤조페논계 화합물, 2-(2'-하이드록시-3', 5' 디-t-부틸페닐)벤조트리아졸(분자량 306), 2-(2'-하이드록시-3'-t-부틸-5'-메틸페닐)-5-클로로벤졸트리아졸(분자량 315), 2-(2'-하이드록시-3', 5'-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸(분자량 361), 2-(2'-하이드록시 -3', 5'-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸(분자량 334), 2-(2'-하이드록시-3'-(3", 6", 5", 6"-테트라하이드로프탈이미드메틸)-5'-메틸페닐)벤조트리아졸(분자량 388) 등의 벤조트리아졸계 화합물 중 하나인 것이 바람직하다. 또, 자외선 흡수제는, 폴리염화비닐수지와 같이 내후성(耐候性)이 우수한 수지 재료를 이용하는 경우에는 사용하지 않는 경우가 있다.
본 발명에 있어서, 수지 재료는 폴리염화비닐수지 또는 우레탄 수지인 것이 바람직하다. 이들 수지는, 신발창에 필요한 유연성과 탄력성을 갖을 뿐만 아니라, 각각의 수지 자체의 유기물 배출 가스량이 적기 때문에 바람직하다.
또한, 본 발명은, 우레탄 수지와, 상기 우레탄 수지를 발포시키는 발포제와, 실질적으로 저분자량의 실록산을 발생하지 않는 실리콘계 정포제와, 가소제, 산화 방지제, 대전 방지제 및 자외선 흡수제로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 첨가제를 포함하는 재료로 구성된 신발창을 갖는 청정실용 신발로서, 상기 첨가제가 가스상의 유기물을 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 청정실용 신발을 제공한다.
이 경우, 실리콘계 정포제가 규소수 10 이하의 환상 실록산을 실질적으로 함유하지 않은 디메틸폴리실록산 또는 디메틸폴리실록산-폴리옥시알킬렌 공중합체중 적어도 하나인 것이 바람직하다. 이러한 화합물은, 시판되는 실리콘계 정포제를 진공 탈기하면서 가열함으로써, 규소수 10이하의 환상 실록산을 제거하여 얻어진다.
본 발명의 청정실용 신발에 있어서, 바람직한 재료로서는, 예를 들면 수지 기재에 폴리염화비닐수지, 염화비닐계 엘라스토머, 염소화 폴리에틸렌 등을 사용하며, 주성분이 트리멜리트산트리스-2-에틸헥실인 가소제, 주성분이 2, 2'-메틸렌-비스-(4-에틸-6-t-부틸페놀)인 산화 방지제, 주성분이 스테아릴아미드의 에틸렌옥사이드 부가체인 대전 방지제를 첨가제로서 포함하는 것이나, 수지 재료로서 우레탄 수지를 사용하고, 주성분이 디-2-에틸헥실세바게이트인 가소제, 주성분이 2, 2'-메틸렌-비스-(4-에틸-6-t-부틸페놀)인 산화 방지제, 주성분이 폴리에틸렌글리콜-p-노닐페놀인 대전 방지제, 주성분이 2-(2'-하이드록시-3', 5'-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸인 자외선 흡수제를 첨가물로서 포함하는 것을 들 수 있다. 또, 우레탄 수지를 발포시키는 경우에는, 발포제와 함께 150℃에서 진공도 10㎜Hg로 3시간 처리한 디메틸폴리실록산-폴리옥시알킬렌 공중합체를 사용하는 것이 바람직하다.
다음에, 본 발명의 효과를 명확히 하기 위해서 실시된 실시예에 대하여 설명한다.
(실시예 4)
폴리우레탄용 프리폴리머 및 경화제(평균 분자량 4000, 미쓰이도아쓰화학사 제품) 100 중량부에 대하여, 가소제(분자량 427; 오하치화학공업사 제품) 5 중량부, 산화 방지제(분자량 340; 요시토미제약공업사 제품) 0.5 중량부, 대전 방지제(평균 분자량 450; 라이온사 제품) 1 중량부, 자외선 흡수제(분자량 334; 치바가이기사 제품) 0.5 중량부를 부가하여 가열하면서 혼련하였다. 또한, 이 재료에는 발포제로서 물을 부가하고, 정포제로서 디메틸 폴리실록산-폴리옥시알키렌 공중합체(평균 분자량 1,800; 신에츠화학공업사 제품)를 부가하였다. 또한, 시판의 정포제는 다량의 실록산을 방출하기 때문에 본 발명의 기구, 장착구, 신발에는 이용하지않는다. 본 발명에 있어서 정포제로서의 디메틸 폴리실록산-폴리옥시알키렌 공중합체는 150℃에 있어서 진공도 10㎜Hg에서 3시간 처리한 것을 이용하였다. 이 재료를 이용하여 사출 성형하여 치수 100×100㎜, 두께 10㎜의 판을 제작하였다.
이 때, 가소제의 주성분은 세바친산 디2-에틸헥실로 하고, 산화 방지제의 주성분은 2, 2′-메틸렌-비스-(4-에틸-6-t-부틸페놀)로 하며, 대전 방지제의 주성분은 폴리에틸렌글리콜-p-노닐 페닐 에테르로 하며, 자외선 흡수제의 주성분은 2-(2′-하이드록시-3′, 5′-디-t-아밀페닐) 벤조트리아졸로 하였다.
이렇게 하여 얻어진 평판을 일부(40g) 추출하여, 이 시료를 이용하여 실리콘 웨이퍼 분석기(지엘사이언스사 제품, 상품명, 이하 「SWA」로 약기함)로 웨이퍼에 흡착한 첨가제 중의 유기물을 조사하였다.
이 SWA는 크게 나누어 3 가지의 장치로 구성되고, 구체적으로는 유기물을 흡착한 웨이퍼로부터 흡착 성분을 헬륨 기류속에서 가열 탈착하여, 그것을 재포집하는 트랩 장치와, 이 재포집된 유기 성분을 헬륨 기류속에서 가열 탈착하면서, 액체 질소에 의해 냉각된 모세관중에 도입하여 포집, 농축하는 TCT(Thermal Desorption Cold Trap Injector) 장치와, 이 냉각 농축된 성분을 헬륨 기류속에서 급속 가열한 것을 분석하는 가스 크로마토그래프/매스스펙트럼(GC/MS) 장치로 구성되어 있다. GC/MS 장치에서는 GC 장치의 유기 성분으로부터 분리된 총 이온 크로마토그램(TIC)를 얻을 수 있다. 각 피크에 대하여 MS 장치에 의해 유기 성분을 정성 분석한다. 이 SWA에 의해, 웨이퍼에 흡착되어 있는 유기물의 함유량 및 종류를 측정할 수 있다. 또한, SWA에 의하면, 웨이퍼 한 장당 수 ng(10-9g)의 정도까지 분석이 가능하다.
웨이퍼에 흡착된 첨가제 중의 유기물을 SWA에 의해 측정하는 것은 다음과 같이 하여 실행하였다. 우선, 웨이퍼 캐리어의 일부와 표면을 세정한 4 인치의 실리콘 웨이퍼를 동일한 건조기(desiccator)내에 양자를 수 ㎝ 떨어져서 탑재하고, 건조기에 덮개를 덮어 수 시간(예를 들면 6 시간) 방치하였다. 배출 가스로서의 유기물이 흡착한 웨이퍼를 SWA에 삽입하고, 헬륨 기류에서 315℃로 가열하여 흡착하는 유기물을 탈착하며, 트랩 장치에 한번 포집하였다. 이어서, 이 포집된 유기물을 헬륨 기류속에서 가열 탈착하고, TCT 장치에 있어서 액체 질소에 의해 냉각해서 농축하였다. 이어서, 이 냉각 농축된 유기 성분을 헬륨 기류속에서 280℃로 가열하고, 유기 성분을 GC/MS 장치에 도입하였다.
여기서, GC/MS 장치에는, G-3000/M-80B(히타치제작소사 제품, 상품명)을 사용하고, 그 측정 조건은 매분 10℃의 승온 속도로 40℃에서 280℃(40분 방치)까지 가열하였다. 또한, 사용 컬럼으로서는, 100% 메틸 폴리실록산, 길이 60m, 내경 0.25㎜, 막두께 0.25㎛인 것을 이용하였다. 또한, MS 장치의 이온화법은 전자 충격법이고, 검출 범위는 m/z로 0 내지 600으로 하였다. 또한, 정량 분석은 헥사디칸으로 검량선을 작성하고, 헥사디칸 환산의 농도로 하였다.
그 결과, 헥사디칸 환산으로 10ng/웨이퍼였다. 또한, TIC의 각 피크를 정성 분석하였지만, 각 피크가 미소하기 때문(유기물의 흡착이 대단히 적기 때문)에 정성 분석이 불가능하였다. 즉, 평판으로부터의 첨가제의 화합물의 휘발이 적었다. 본 실시예에 있어서는, 신발창의 형상이 아니라 평판에 의해 평가를 실행하고 있지만, 이것은 어디까지나 분석을 쉽게 하기 위해서이다. 또한, 이 재료가 신발창의 형상으로 문제없이 성형할 수 있다는 것을 따로 확인하였다.
다음에, 상기 재료를 이용하여 45 ×45㎜의 시험편을 5 장을 제작하고, 이 시료를 이용하여 정전기 측정 장치 스태틱 오네스트 미터(시시드정전기사 제품, 상품명)에 의해 대전성을 조사하였다. 또, 대전성은 대전압과 반감기로 평가하였다.
이 정전기 측정 장치는 시험편을 임의로 대전시키는 인가부와, 코로나 방전시키기 위한 턴테이블과, 시험편의 전압을 검출하는 전압기부 및 증폭기로 주로 구성되어 있다.
우선, 반감기 측정기와 동기 검정기 또는 기록계를 접속하여, 인가 전압을 ±1OkV로 하고, 인가부의 침 전극의 선단으로부터 턴테이블면까지의 거리를 20㎜로 하며, 전압기부의 전극으로부터 턴테이블까지의 거리를 15㎜로 각각 조정하였다. 또, 시험편이 현저하게 두꺼운 경우에는, 인가부의 침 선단 및 전압기부의 전극판으로부터 시험편면까지의 거리를 각각 20㎜ 또는 15㎜로 하여, 그 내용을 결과에 기록한다.
이어서, 제전 장치를 이용하여 시험편을 제전한 후, 표면이 상방으로 되도록 시험편 장착 테두리에 장착하여, 턴테이블를 회전시키면서, +10kV의 전압 인가를 30초 실행한 후에 전압 인가를 정지하고, 턴테이블를 그대로 회전시키면서 대전압이 초기 대전압의 1/2로 감쇠하는데 걸리는 시간을 측정하였다. 또, 초기 대전압이 마이너스로 감쇠하기까지의 시간이 120초 이상을 요하는 경우에는, 120초로 측정을 중지한다. 나머지 4 장에 대해서도 마찬가지로 측정을 실행하였다. 그 결과, 대전성은 0V로, 따라서 반감기는 관측되지 않았다.
(실시예 5)
가소제의 주성분으로서 아디핀산-1, 3-부틸렌글리콜을 이용하고, 산화 방지제의 주성분으로서 4, 4′-부틸렌-비스-(3-메틸-6-t-부틸페놀)을 이용하며, 대전 방지제의 주성분으로서 N, N′-비스-(디에틸렌글리콜) 스테아릴아미드를 이용하며, 자외선 흡수제의 주성분으로서 2-(2′-하이드록시3′, 5-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸을 이용하는 것 이외에는 실시예 4와 마찬가지로 하여 평판을 제작하였다.
이 평판에 대하여 실시예 4와 마찬가지로 하여 웨이퍼의 유기물 흡착량 및 대전성을 조사하였다. 그 결과, 웨이퍼의 흡착량은 14ng로, 대단히 적었다. 또한, TIC의 각 피크를 정성 분석하였지만, 각 피크가 미소하기 때문(유기물의 흡착이 대단히 적기 때문)에 정성 분석이 불가능하였다. 또한, 대전압은 0V로, 반감기는 관측되지 않았다.
(실시예 6)
폴리염화비닐 수지(평균 분자량 20,000; 미쓰이도아쯔화학사 제품) 100 중량부에 대하여, 가소제로서 프탈산 디이소데실 25 중량부, 산화 방지제로서 2, 2′-메틸렌-비스-(4-메틸-6-t-부틸페닐) 1 중량부, 대전 방지제로서 N, N′-비스-(디에틸렌글리콜) 스테아릴아민 1 중량부를 부가하여 가열 혼련하고, 이 재료를 이용하여 사출 성형하여 평판을 제작하였다. 이 경우, 자외선 흡수제는 부가하지 않고, 발포제 및 정포제도 부가하지 않았다.
이 평판에 대하여 실시예 4와 마찬가지로 하여 웨이퍼의 유기물 흡착량 및 대전성을 조사하였다. 그 결과, 웨이퍼의 흡착량은 20ng로, 대단히 적었다. 또한, TIC의 각 피크를 정성 분석하였지만, 각 피크가 미소하기 때문(유기물의 흡착이 대단히 적기 때문)에 정성 분석이 불가능하였다. 또한, 대전압은 OV로, 따라서 반감기는 관측되지 않았다.
(실시예 7)
폴리염화비닐수지 100 중량부에 대하여, 가소제로서 아드프산-1, 3-부틸렌글리콜 7 중량부 및 트리멜리트산 트리옥틸 10 중량부, 산화 방지제로서 1, 1, 3-트리스-(2-메틸-4-하이드록시-5-t-부틸페놀)부탄 1 중량부, 대전 방지제로서 글리세린 지방산 에스테르 2 중량부를 부가하여 가열 혼련하여, 이 재료를 이용하여 사출 성형하여 평판을 제작하였다. 이 경우, 자외선 흡수제는 부가하지 않고, 발포제 및 정포제도 부가하지 않았다.
이 평판에 대하여 실시예 4와 마찬가지로 하여 웨이퍼의 유기물 흡착량 및 대전성을 조사하였다. 그 결과, 웨이퍼로의 흡착량은 16ng로서, 대단히 적었다. 또한, TIC의 각 피크를 정성 분석하였지만, 각 피크가 미소하기 때문(유기물의 흡착이 대단히 적기 때문)에 정성 분석이 불가능하였다. 또한, 대전압은 0V로, 따라서 반감기는 관측되지 않았다.
(비교예 3)
폴리우레탄용 폴리폴리머 및 경화제 100 중량부에 대하여, 가소제로서 프탈산디옥틸 5 중량부, 산화 방지제로서 2, 6-디-t-부틸-p-크레졸 2 중량부, 대전 방지제로서 N, N′-비스-(2-하이드록시에틸) 라우릴아민 1.5 중량부, 자외선 흡수제로서 2, (2′-하이드록시-5′-메틸페닐) 벤조트리아졸 0.5 중량부를 부가하여 가열하면서 혼련하였다. 또한, 이 재료에는, 발포제로서 물을 부가하고, 정포제로서 디메틸 실록산-폴리옥시알키렌 공중합체(평균 분자량 1,800; 신에츠 화학 공업사 제품)를 부가하였다. 또, 디메틸 폴리실록산-폴리옥시알키렌 공중합체는 시판인 것을 그대로 이용하였다. 이 재료를 이용하여 사출 성형하여 평판을 제작하였다.
이 평판에 대하여 실시예 4와 마찬가지로 하여 웨이퍼의 유기물 흡착량 및 대전성을 조사하였다. 그 결과, 웨이퍼의 흡착량은 285ng로서, 대단히 많았다. 또한, 이 경우, GC/MS법으로 TIC의 각 피크에 대하여 정성 분석을 실행한 결과, 프탈산디옥틸, 2, 6-디-t-부틸-p-클레졸, N, N′-비스-(2-하이드록시 에틸) 라우릴아민, 2, (2′-하이드록시-5′-메틸페닐) 벤조트리아졸, 헥사데카메틸시클로옥타실록산, 옥타데카메틸시록시클로노나실록산 등이 확인되었다.
또, 대전압은 52V이고, 반감기는 1.04초 이상이었다.
(비교예 4)
폴리염화비닐수지 100 중량부에 대하여, 가소제로서 프탈산 디옥틸 3 중량부, 산화 방지제로서 2, 6-디-t-부틸-p-클레졸 2 중량부, 대전 방지제로서 N, N′-비스-(2-하이드록시 에틸) 라우릴아미드 l.5 중량부를 부가하여 가열 혼련하고, 이 재료를 이용하여 사출 성형하여 평판을 제작하였다. 이 경우, 자외선 흡수제는 첨가하지 않고, 발포제 및 정포제도 첨가하지 않았다.
이 평판에 대하여 실시예 4와 마찬가지로 하여 웨이퍼의 유기물 흡착량 및대전성을 조사하였다. 그 결과, 웨이퍼의 흡착량은 300ng로서, 대단히 많았다. 또한, 이 경우의 GC/MS법으로 TIC의 각 피크에 대하여 정성 분석을 실행한 결과, 프탈산디옥틸, 2, 6-디-t-부틸-p-클레졸, N, N′-비스-(2-하이드록시 에틸) 라우릴아미드 등이 확인되었다.
본 발명의 기구로서의 웨이퍼 캐리어, 스미프 포드, 웨이퍼 박스, 웨이퍼 바스켓, 웨이퍼 트레이, 웨이퍼 핸들링용 지그에 의하면, 수지 기재에 첨가된 첨가제가 실온 대기압의 조건하에서 가스상 유기물을 수지 기재로부터 방출하기 어렵기 때문에, 웨이퍼에 흡착하는 유기물 성분의 양을 종래의 약 1/5까지 감소할 수 있다.
본 발명의 장착구로서의 신발에 의하면, 신발창을 구성하는 수지 기재에 첨가된 첨가제가 가스상 유기물을 발생하지 않기 때문에, 웨이퍼에 흡착하는 유기물을 종래의 약 1/5까지 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 반도체 디바이스의 제조에 있어서, 웨이퍼의 유기물 오염이 방지되어, 양품율을 향상시킬 수 있다.

Claims (21)

  1. 실온 대기압하의 청정실내에서 반도체 디바이스 제조에 관한 기판을 취급하기 위한 기구에 있어서,
    수지 기재와, 이 수지 기재에 첨가되는 분자량 300 이상의 페놀계 화합물로 이루어지는 산화 방지제와, 상기 수지 기재에 첨가되는 분자량 350 이상의 비 이온계 화합물로 이루어지는 대전 방지제를 포함하고,
    상기 산화 방지제 및 대전 방지제는 모두 실온 대기압의 조건하에서 가스상의 유기물 성분을 상기 수지 기재로부터 방출하기 어려운 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 기구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 기재는 활제를 더 포함하고, 이 활제는 탄소수 20 이상의 지방족 탄화수소 및 탄소수 18 이상의 고급 알콜로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 주성분으로서 포함하며, 또한 탄소수 20 미만의 지방족 탄화수소 및 탄소수 18 미만의 고급 알콜을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 기구.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 활제는 마이크로 크리스탈린 왁스, 천연 파라핀, 합성 파라핀, 폴리올레핀 왁스, 탄소수 18 이상의 합성 분기 고급 알콜, 탄소수 20 이상의 합성 분기 고급 알콜, 탄소수 24 이상의 합성 분기 고급 알콜 및 올레일 알콜로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 기구.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 기재는 가소제를 더 포함하고, 이 가소제는 분자량 420 이상의 카르복실산 에스테르로서 분자량 447의 프탈산 디이소데실, 분자량 502의 프탈산 디라우릴, 분자량 413의 알젤라인산 디-2-에틸헥실, 분자량 427의 세바친산 디-2-에틸헥실, 분자량 547의 트리멜리트산 트리스-2-에틸헥시, 분자량 547의 트리멜리트산 트리옥틸과, 분자량 400 이상의 폴리에스테르로 분자량 2000 내지 8000의 아디핀산 프로피렌글리콜과, 분자량 400 이상의 에폭시계 화합물로서 분자량 400 내지 500의 에폭시 지방산 에스테르계 화랍물과, 분자량 1000 이상의 에폭시화유로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나를 주성분으로 포함하고, 또한 분자량 420 미만의 카르복실산 디에스테르, 분자량 400 미만의 폴리에스테르, 분자량 400 미만의 에폭시계 화합물, 분자량 400 미만의 에폭시 지방산 에스테르계 화합물, 분자량 1000 미만의 에폭시화유를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 기구.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화 방지제는 모노페놀계 화합물, 비스페놀계 화합물 및 고분자 페놀계 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 기구.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 대전 방지제로 이루어지는 비 이온계 화합물은 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌알킬아미드, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 및 N, N′-비스-(디에틸렌 글리콜) 스테아릴아민으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 기구.
  7. 제 1 항에 있어서,
    반도체 웨이퍼를 취급하기 위해서 이용되는 카셋트, 스미드 포드, 웨이퍼 박스, 웨이퍼 트레이, 웨이퍼 바스켓, 또는 웨이퍼 핸들링 지그인 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 기구.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 기재는 폴리올레핀, 폴리카보네이트 및 불소 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 기구.
  9. 실온 대기압하의 청정실내에서 작업자가 착용하는 장착구에 있어서,
    수지 기재와, 이 수지 기재에 첨가되는 분자량 300 이상의 페놀계 화합물로 이루어지는 산화 방지제와, 상기 수지 기재에 첨가되는 분자량 350 이상의 비 이온계 화합물로 이루어지는 대전 방지제와, 상기 수지 기재에 첨가되는 가소제를 포함하고,
    상기 산화 방지제, 대전 방지제 및 가소제는 모두 실온 대기압의 조건하에서 가스상의 유기물 성분을 상기 수지 기재로부터 방출하기 어려운 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 장착구.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 가소제는 분자량 420 이상의 카르복실산 에스테르로서 분자량 447의 프탈산 디이소데실, 분자량 502의 프탈산 디라우릴, 분자량 413의 알젤라인산 디-2-에틸헥실, 분자량 427의 세바친산 디-2-에틸헥실, 분자량 547의 트리멜리트산 트리스-2-에틸헥시, 분자량 547의 트리멜리트산 트리옥틸과, 분자량 400 이상의 폴리 에스테르로 분자량 2000 내지 8000의 아디핀산 프로피렌글리콜과, 분자량 400 이상의 에폭시계 화합물로서 분자량 400 내지 500의 에폭시 지방산 에스테르계 화합물과, 분자량 1000 이상의 에폭시화유로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나를 주성분으로서 포함하고, 또한 분자량 420 미만의 카르복실산 디에스테르, 분자량 400 미만의 폴리에스테르, 분자량 400 미만의 에폭시계 화합물, 분자량 400 미만의 에폭시 지방산 에스테르계 화합물, 분자량 1000 미만의 에폭시화유를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 장착구.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 산화 방지제는 모노페놀계 화합물, 비스페놀계 화합물 및 고분자페놀계화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 장착구.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 대전 방지제로 이루어진 비 이온계 화합물은 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌알킬아미드, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 및 N, N′-비스-(디에틸렌글리콜) 스테아릴아민으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 장착구.
  13. 제 9 항에 있어서,
    자외선 흡수제를 더 포함하고, 이 자외선 흡수제는 살리실산계 화합물 및 벤조페논계 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 분자량 300 이상의 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 장착구.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 수지 기재는 폴리염화비닐 수지, 염화비닐계 탄성 중합체, 염소계 폴리에틸렌, 또는 우레탄 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 장착구.
  15. 제 9 항에 있어서,
    우레탄 수지용 부분 중합체 및 경화제와, 이 우레탄 수지를 발포시키는 발포제와, 실질적으로 저분자량의 실록산을 발생하지 않도록 진공 가열 처리된 실리콘계 정포제와, 가소제, 산화 방지제, 대전 방지제 및 자외선 흡수제로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 첨가제를 포함하는 재료로 만들어진 신발창을 갖는 신발인 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 장착구.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 실리콘계 정포제는 규소수 10 이하의 환상 실록산을 함유하지 않는 디메틸 폴리실록산 및 디메틸폴리실록산-폴리옥시알킬렌 공중합체로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 장착구.
  17. 우레탄 수지와, 이 우레탄 수지를 발포시키는 발포제와, 규소수 10 이하의 환상의 실록산을 발생하지 않도록 진공 가열 처리된 실리콘계 정포제와, 가소제, 산화 방지제, 대전 방지제 및 자외선 흡수제로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 첨가제를 포함하는 재료로 만들어진 신발창과,
    이 신발창에 접착 또는 봉재되어 장착된 가요성 커버를 갖는 것을 특징으로하는 청정실내에서 이용되는 장착구.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 가요성 커버를 전개 또는 통합하기 위한 파스너 부재를 더 갖는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 장착구.
  19. 실온 대기압하의 청정실내에서 작업자가 착용하는 신발에 있어서,
    수지 기재와, 이 수지 기재에 첨가되는 활제, 가소제, 산화 방지제, 대전 방지제 및 자외선 흡수제로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 첨가제를 포함하고,
    상기 활제는 마이크로 크리스탈린 왁스, 천연 파라핀, 합성 파라핀, 폴리올레핀 왁스, 탄소수 18 이상의 합성 분기 고급 알콜, 탄소수 20 이상의 합성 분기 고급 알콜, 탄소수 24 이상의 합성 분기 고급 알콜 및 올레일 알콜로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 화합물을 주성분으로서 포함하고, 또한 탄소수 20 미만의 지방족 탄화수소 및 탄소수 18 미만의 고급 알콜을 포함하지 않는 화합물로 이루어지고,
    상기 가소제는 분자량 420 이상의 카르복실산 에스테르로서 분자량 447의 프탈산 디이소데실, 분자량 502의 프탈산 디라우릴, 분자량 413의 알젤라인산 디-2-에틸헥실, 분자량 427의 세바친산 디-2-에틸헥실, 분자량 547의 트리멜리트산 트리스-2-에틸헥시, 분자량 547의 트리멜리트산 트리옥틸과, 분자량 400 이상의 폴리 에스테르로서 분자량 2000 내지 8000의 아디핀산 프로피렌글리콜과, 분자량 400 이상의 에폭시계 화합물로서 분자량 400 내지 500의 에폭시 지방산 에스테르계 화랍물과, 분자량 1000 이상의 에폭시화유로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나를 주성분으로서 포함하고, 또한 분자량 420 미만의 카르복실산 디에스테르, 분자량 400 미만의 폴리에스테르, 분자량 400 미만의 에폭시계 화합물, 분자량 400 미만의 에폭시 지방산 에스테르계 화합물, 분자량 1000 미만의 에폭시화유를 포함하지 않는 화합물로 이루어지며,
    상기 산화 방지제는 분자량 300 이상의 페놀계 화합물로 이루어지며,
    상기 대전 방지제는 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌알킬아미드, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 및 N, N′-비스-(디에틸렌글리콜) 스테아릴아민으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 분자량 350 이상의 비 이온계 화합물로 이루어지며,
    상기 자외선 흡수제는 살리실산계 화합물 및 벤조 페놀계 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 분자량 300 이상의 화합물로 이루어지며,
    상기 첨가제는 실온 대기압의 조건하에서 가스상의 유기물 성분을 상기 수지 기재로부터 방출하기 어려운 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 신발.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 산화 방지제는 모노페놀계 화합물, 비스페놀계 화합물 및 고분자페놀계 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 신발.
  21. 제 17 항에 있어서,
    활제를 더 포함하고, 이 활제는 마이크로 크리스탈린 왁스, 천연 파리핀, 합성 파라핀 및 폴리올레핀 왁스로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어지는 화합물을 주성분으로서 포함하고, 또한 알콜류를 포함하지 않는 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청정실내에서 이용되는 장착구.
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