JP4015639B2 - クリーンルーム内で使用する基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、クリーンルーム内で使用する電気絶縁性樹脂を使用した電子・電気部品および基板処理装置に関する。

近年、半導体装置の高集積化に伴い、基板、特にシリコンウエハに対する塵埃の付着に加えて、有機物の吸着も問題されるようになってきている（例えば、藤井「ガス状汚染物とその除去対策の現状」、空気清浄Ｖｏ１．３２、Ｎｏ．３、Ｐ４３（１９９４）、日本空気清浄学会）。

本発明者らが行った研究によれば、クリーンルームの内部雰囲気は高度に清浄化されているにもかかわらず、クリーンルーム内に放置されたシリコンウエハの表面から脂肪族炭化水素、有機カルボン酸、フェノール類およびその酸化物、並びにアミン類など多くの有機化合物が検出されている。これらの有機化合物は樹脂基材に添付された添加剤の成分とよく一致するため、本発明者らはその発生源は電気コード被覆やプリント配線基板のような絶縁性の電子・電気部品ではないかと推察している。

添加剤は、樹脂製品に種々の機能を付与するために添加されるものであり、比較的低分子量の有機物成分を含むため、その使用中に樹脂基材から揮発しやすい傾向にある。具体的には、脂肪族炭化水素は、成形性を高めるために加える滑剤から発生し、有機カルボン酸エステル類は、物性を維持するために加える可塑剤から発生する。また、フェノール類およびその酸化物は、成形加工時やその後の酸化劣化を防止するために加える酸化防止剤から発生し、アミン類は、帯電を防止するために加える帯電防止剤から発生する。

これらの有機化合物がシリコンウエハの表面に吸着すると、例えばゲート酸化膜の膜質が劣化するなどの問題を生じて、歩留りが低下する。

なお、高集積化した半導体デバイスの製造工程では、ケミカルフィルタを用いてクリーンルームの内部雰囲気を浄化するようにしているが、基板表面への有機物の付着を十分に防止しきれてはいない。このため、基板表面への有機物の付着を有効に防止できる技術が需要家から要望されている。

本発明の目的は、クリーンルーム内での使用中において、有機化合物の放出（揮発）量が抑制又は低減されたクリーンルーム内で使用する基板処理装置を提供することである。

本発明者らは、クリーンルーム内で使用される電子・電気部品を構成する難燃性、電気絶縁性を目的とした樹脂材料に含有される添加剤の成分やその分子量に着目し、その使用温度において樹脂基材からアウトガスとして放出されない成分やその分子量の範囲を見出して本発明をするに至った。

具体的には、添加剤の成分として使用されている有機化合物は分子量が大きくなるほど揮発性（有機化合物がアウトガスとして樹脂基材から放出される性質）は小さくなるが、分子量が大きくなるほど基板表面に対する吸着性（有機化合物が基板表面に物理的及び又は化学的に吸着保持される性質）も大きくなる場合がある、ということを本発明者らは見出している。この結果、シリコンウエハヘの有機物の吸着量は、有機化合物の分子量が小さい場合は分子量の増大とともに増大し、ある分子量のところで最大となる。本発明は、このような知見に基づいてなされたものである。

本願発明は、クリーンルーム内で使用する半導体デバイス製造用基板処理装置であって、この基板処理装置は、給電及び信号授受用の電子・電気部品を具備しており、この電子・電気部品として、アウトガスの出ないガラスエポキシ回路基板およびこの回路基板に半導体素子、半導体封止材、トランスを搭載した実装回路基板、および電線を有しており、前記ガラスエポキシ回路基板として、減圧加熱蒸留してケイ素数１０以下の環状シロキサンを除去したシリコーンオイルで処理したガラス繊維に、分子量３００以上の難燃性エポキシ樹脂と硬化剤とを含ませた後、その両面に銅箔を配置して成形したガラスエポキシ基板の前記銅箔をエッチング液でエッチングした後、このエッチング面に主剤がエポキシアクリレートで硬化剤がベンゾフェノン系紫外線硬化剤であるソルダーレジストを塗布して紫外線で硬化した回路基板を使用していることを特徴とする。

また、本願発明は、クリーンルーム内で使用する半導体デバイス製造用基板処理装置であって、この基板処理装置は、給電及び信号授受用の電子・電気部品を具備しており、この電子・電気部品として、アウトガスの出ないガラスエポキシ回路基板およびこの回路基板に半導体素子、半導体封止材、絶縁紙を有する部品を搭載した実装回路基板、および電線を有しており、前記絶縁紙を有する部品に使用する絶縁紙として、減圧加熱蒸留してケイ素数１０以下の環状シロキサンを除去したシリコーンオイルに、分子量３００以上のフェノール系酸化防止材および分子量３００以上の有機りん酸エステルを加えた液を含浸してなる絶縁紙を使用していることを特徴とする。
また、本願発明は、クリーンルーム内で使用する半導体デバイス製造用基板処理装置であって、この基板処理装置は、給電及び信号授受用の電子・電気部品を具備しており、この電子・電気部品として、アウトガスの出ないガラスエポキシ回路基板およびこの回路基板に半導体素子、半導体封止材、トランスを搭載した実装回路基板、および被覆電線には、樹脂基材としてポリ塩化ビニルもしくはポリエチレンを使用し、これに難燃剤として少なくとも三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムのいずれか、もしくは分子量３００以上の有機難燃剤を含む樹脂を電気配線用被覆材もしくは通信配線用被覆材に使用している電線および／または通信配線を使用していることを特徴とする。

以下、添付の図面を参照しながら本発明の実施形態を具体的に説明する。

本発明者らは、半導体デバイス製造工程における雰囲気中の有機物を調べたところ、図１Ａに示す結果を得た。また、半導体製造工程において基板（ウエハ）に付着した有機物を調べたところ、図１Ｂに示す結果を得た。また、図１Ｂにおいて検出されている有機物は、樹脂基材に含まれる通常の添加剤（滑剤、可塑剤、酸化防止剤、帯電防止剤、難燃剤）の成分であることが判明した。

本発明では、これら通常の添加剤よりも高い沸点（例えば、ＤＯＰ（フタル酸ジオクチル）や２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾールよりも高い沸点）を有する、すなわち揮発性の低い（アウトガスとしての発生が少ない）有機物を含む添加剤として、分子量や元素数が規定されて滑剤、シリコーン化合物、難燃剤を含み、さらに必要に応じて可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収を併用して、有機物の発生をできるだけ少なくして、基板に吸着する有機物の量を著しく低減させた。具体的には、炭素数が２０以上の滑剤、ケイ素数が９以下の環状シロキサンを除去したシリコーンオイルやシリコーン樹脂、分子量３００以上の難燃剤の１ないし２以上を使用し、さらに必要に応じて、分子量が４００以上のフタル酸ジエステルや分子量が３００以上の酸化防止剤を含む添加剤を用いる。

このような有機物は、ガス状有機物として樹脂材料から外部に出にくいので、前記有機物を含む添加物を含有する樹脂材料で構成された電子・電気部品からは、ガス状有機物（アウトガス）の発生は著しく少なくなり、基板への影響がなくなる。なお、有機物が電子・電気部品から発揮して基板表面に吸着されるか否かの判定は後述するウエハナライザ等により行うことができる。

本発明における電子・電気部品とは、コンピュータ、駆動用モータ、トランス、または電源用の部品（給電装置の付属品を含む）、半導体素子を搭載した実装回路基板等をいう。また、電子・電気部品には、給電用や信号用の回路だけでなくその周辺の付属品も含むものであり、電線用被覆、半導体素子、半導体素子封止材、等を含む。なお、本発明品の使用温度条件は、べーキングユニットの電源回路構成部材が輻射熱を受けた場合に有害成分ガス（ウエハ表面に付着しやすいガス状の有機化合物）を実質的に放出しにくい温度とする。この場合に、電子・電気部品が使用される環境は様々であり、加熱雰囲気下や冷却雰囲気下で使用されることもありうるので、
その「使用温度」は室温のみに限られない。例えば、給電用電気コードの被覆材料は、ホットプレートから輻射熱を受けて約８０℃程度まで昇温することがあるので、８０℃以下の温度条件下で有機成分ガスを実質的に放出しない材料を用いることが望ましい。

本発明においては、滑剤が炭素数２０以上の脂肪族炭素水素および炭素数１８以上の高級アルコールのうち少なくとも一つであることが好ましい。また、滑剤の主成分がマイクロクリスタリンワックス、天然パラフィン、合成パラフィン、ポリオレフィンワックス等のパラフィン・ワックス類；炭素数１８，２０，２４の合成分岐高級アルコール、天然物のオレイルアルコール等の高級アルコール類のうち少なくとも一つであることが特に好ましい。ここで、滑剤の主成分が炭素数１９以下の脂肪族炭化水素、例えばオクタデカン（Ｃ_１８Ｈ_３８）であると、通常のクリーンルームの温度（２３℃）下で
電子・電気部品から揮発して基板に吸着されて基板表面を汚染するので好ましくない。

本発明において、難燃剤は主成分が分子量３００以上の化合物であることが好ましい。なお、難燃剤に関しては、ガス状有機物として発生しない三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等を使用してもよい。

本発明の電子・電気部品においては、低分子量の環状シロキサンがアウトガスとして放出されると、半導体デバイス製造工程で処理される基板が汚染されるために好ましくない。したがって、低分子量の環状シロキサンの発生を抑制するために、アウトガス（低分子量シロキサン）の発生が少ないシリコーン樹脂（シリコーンオイル）、例えば減圧加熱蒸留法によりケイ素数１０以下の環状シロキサンを除去したシリコーンオイルを用いることが好ましい。このようなシリコーン樹脂に上述した添加剤を添加しても本発明の効果が得られる。

本発明において、必要に応じて可塑剤を併用できるが、前記可塑剤の主成分は、分子量４００以上のカルボン酸エステル（例えば、フタル酸エステル化合物、脂肪族二塩基酸エステル化合物、トリメリット酸エステル化合物）、分子量４００以上のポリエステル、および分子量４００以上のエポキシ系化合物のうちの一つであることが好ましい。また、可塑剤の主成分がフタル酸イソノニル（分子量４１８）、フタル酸オクチルデシル（分子量４１９）、フタル酸イソデシル（分子量４４７）、フタル酸ラウリル（分子量５０２）、フタル酸トリデシル（分子量５３０）等のフタル酸エステル系化合物；アゼライン酸−ジ−２−エチルヘキシル（分子量４１３）、セバチン酸−ジ−２−エチルヘキシル（分子量４２７）等の脂肪族二塩基酸エステル系化合物；トリメリット酸トリス−２−エチルヘキシル（分子量５４７）、トリメリット酸トリオクチル（分子量５４７）、トリメリット酸トリノニル（分子量５８９）、トリメリット酸トリデシル（分子量６３１）等のトリメリット酸エステル系化合物；アジピン酸、アゼライン酸、セバチン酸、もしくはフタル酸等の二塩基酸と、グリコールもしくはグリセリン類との間の反応により得られたポリマーであるポリエステル系化合物、特にアジピン酸プロピレングリコール系化合物もしくはアジピン酸ブチレングリコール類であって、分子量が２０００〜８０００のもの；エポキシ脂肪酸エステル系化合物（分子量４００〜５００）、エポキシ化油（分子量約１０００）等のエポキシ系化合物のうちの少なくとも一つであることが特に好ましい。

ここで、可塑剤の主成分が分子量４００未満のフタル酸ジブチル（分子量２７８）、フタル酸ジオクチル（分子量３９１）、アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル（分子量３７１）であると、通常のクリーンルームの温度（２３℃）下で電子・電気部品から揮発して基板に吸着されるので好ましくない。

なお、本発明においては、酸化防止剤を使用することが出来るが、前記酸化防止剤は分子量３００以上のフェノール系化合物からなることが好ましい。このような高分子量のフェノール系化合物からなる酸化防止剤は、ステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート（分子量５２０．９）等のモノフェノール系化合物；２，２’−メチレンービス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（分子量３４０．５）、２，２‘−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（分子量３６８．８）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（分子量３５８．５）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（分子量３８２．６）等のビスフェノール系化合物；１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェノール）ブタン（分子量５４４．８）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン（分子量７７５．２）、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン
（分子量１１７７．７）、ビス−［３，３’−ビス−（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステル（分子量７９４．４）の高分子フェノール系化合物のうち少なくとも一つであることが特に好ましい。

ここで、酸化防止剤の主成分が分子量３００未満の２，３−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール（分子量２２０．４）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール（分子量２３４．２）であると、通常のクリーンルームの温度（２３℃）下で電子・電気部品から揮発して基板に吸着されるので好ましくない。

上記添加剤の樹脂材料への添加量は、その種類に応じて適宜設定することができる。また、上記添加剤を複数種用いる場合には、少なくとも１種の添加剤が上記条件を満足していれば本発明の効果が得られる。本発明において、樹脂基材としては、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン（例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン）、ポリメチルメタクリレート、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート）、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアセタール、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等を用いることができる。なお、本発明における樹脂材料には、紙等の高分子材料をも含む。

上記樹脂材料のうち熱可塑性樹脂の場合には、樹脂材料に前述した添加剤を加熱混練して、この混練物を押出成形機や射出成形機等で成形して電子・電気部品を得る。例えば、ポリ塩化ビニルの場合には、押出成形により電線の外側に設けた被覆が電子・電気部品となる。一方、樹脂材料のうち熱硬
化性樹脂、例えば２液性エポキシ樹脂の場合には、主剤あるいは硬化剤に前述した添加剤を混合し、主剤と硬化剤を混合して硬化させる。この場合、電子・電気部品としては、ＩＣ封止材、ガラスエポキシ基板、ソルダーレジスト等が挙げられる。また、樹脂材料が紙の場合とは、例えば滑剤としてパラフィンを含浸させたパラフィン紙等が挙げられる。

また、本発明は、電気系統に必要な電子・電気部品を有しており、被処理体に処理を施す処理装置であって、前記電子・電気部品は、樹脂材料と、滑剤、可塑剤、酸化防止剤、帯電防止剤、および難燃剤からなる群より選ばれた少なくとも一つの添加剤とを含む材料で構成され、前記添加剤がガス有機物を発生しないものであることを特徴とする処理装置を提供する。

次に、本発明の効果を明確にするために行った参考例並びに実施例について説明する。

（実施例１）
ポリ塩化ビニル（三井東圧化学社製）１００重量部に対して、滑剤（日本石油社製）２重量部、可塑剤（大八化学工業社製）１０重量部、酸化防止剤（吉富製薬工業社製）１重量部、難燃剤（大八化学工業社製）２重量部を加えて加熱しながら混練した。この材料を用いて押出成形して寸法１００×１００ｍｍ、厚さ２ｍｍの複数のシートを作製した。

このとき、滑剤の主成分はパラフィンとし、可塑剤の主成分はエポキシ化大豆油とし、酸化防止剤の主成分はステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートとし、難燃剤の主成分は三酸化アンチモンおよび炭素数２０以上の塩化パラフィンとした。

このようにして得られたシートを一部切り出し、この試料を用いてシリコンウエハナライザ（ジーエルサイエンス社製、商品名、以下ＳＷＡと省略する）でウエハに吸着した添加剤中の有機物を調べた。

このＳＷＡは、大きく分けて３つの装置から構成されており、具体的には、有機物を吸着したウエハから吸着成分をヘリウム気流中で加熱脱着して、それを再捕集するトラップ装置と、この再捕集された有機成分をヘリウム気流中で加熱脱着しながら、液体窒素で冷却されたキャピラリー管中に導入して捕集、濃縮するＴＣＴ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｃｏｌｄ Ｔｒａｐ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）装置と、この冷却濃縮された成分をヘリウム気流中で急速加熱したものを分析するガスクロマトグラフ／マススペクトル（ＧＣ／ＭＳ）装置とから構成されている。ＧＣ／ＭＳ装置では、ＧＣ装置において有機成分についての分離されたトータルイオンクロマトグラム（ＴＩＣ）が得られる。この各ピークについてＭＳ装置で有機成分を定性分析する。このＳＷＡにより、ウエハに吸着している有機物の含有量および種類を測定することができる。また、ＳＷＡによれば、ウエハ１枚当たり数ｎｇ（１０^−９ｇ）のオーダーまで分析が可能である。

ウエハに吸着した添加剤中の有機物のＳＷＡでの測定は、次のようにして行った。まず、上記シートの一部と表面を清浄した４インチのシリコンウエハとを同じデシケータ内に両者を数ｃｍ離して載置し、デシケータに蓋をして数時間（例えば６時間）放置した。アウトガスとしての有機物が吸着したウエハをＳＷＡに挿入し、ヘリウム気流下で３１５℃で加熱して吸着している有機物を脱着し、一度トラップ装置に捕集した。次いで、この捕集された有機物をヘリウム気流中で加熱脱着し、ＴＣＴ装置において液体窒素で冷却して濃縮した。次いで、この冷却濃縮された有機成分をヘリウム気流中で２８０℃に加熱して、有機成分をＧＣ／ＭＳ装置に導入した。

ここで、ＧＣ／ＭＳ装置には、Ｇ−３０００／Ｍ−８０Ｂ（日立製作所社製、商品名）を使用し、その測定条件は４０℃→昇温（１０℃／分）→２８０℃（４０分放置）とした。また、使用カラムとしては、長さ６０ｍ、内径０．２５ｍｍで膜厚が０．２５μｍのメチルポリシロキサン膜のものを用いた。また、ＭＳ装置のイオン化法は電子衝撃法であり、検出範囲はｍ／ｚで０〜６００とした。なお、定量分析は、ヘキサデカンで検量線を作成し、ヘキサデカン換算の濃度とした。

その結果、ウエハヘの吸着量はヘキサデカン換算で１２ｎｇであった。また、ＴＩＣの各ピークを定性分析したが、各ピークが微小なため（有機物の吸着が非常に少ないため）に定性分析が不可能であった。すなわち、シートからの添加剤の化合物の揮発が少なく、ウエハを汚染するおそれがない。

（実施例２）
可塑剤の主成分としてフタル酸ジイソデシルを用い、酸化防止剤の主成分として１，１，３‐トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェノール）ブタンを用い、難燃剤の主成分としてエトキシ化アミンを用いること以外は参考例１と同様にしてシートを作製した。

このシートについて参考例１と同様にしてウエハにおける有機物吸着量を調べた。その結果、ウエハヘの吸着量は１５ｎｇであり、非常に少なかった。また、ＴＩＣの各ピークを定性分析したが、各ピークが微小なため（有機物の吸着が非常に少ないため）に定性分析が不可能であった。

（比較例１）
市販のポリ塩化ビニル被覆電線（坂東電線社製）を長さ約２００ｍｍ切り出し、銅線を引き抜いてポリ塩化ビニル部分２０ｇを試料とし、上記と同様にしてウエハにおける有機物吸着量を調べた。その結果、ウエハヘの吸着量は３５８ｎｇであり、非常に多かった。また、吸着成分を調べたところ、可塑剤の成分であるＤＯＰ（ジオクチルフタレート）や難燃
剤の成分であるＴＢＰ（リン酸トリブチル）であった。すなわち、樹脂製品を構成する樹脂材料中の添加剤からのガス状有機物がウエハに吸着されていたことが分かった。

（実施例３）
エポキシ樹脂の主剤として臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製）を用い、硬化剤としてジシアンジアミド（日本カーバイド社製）を用い、これらをメチルエチルケトンを主成分とする溶剤に溶解させた。この溶液を３０ｃｍ角のガラスクロス（日東紡社製）に含浸させ、約８０℃の窒素気流中で加熱して溶剤を揮発させた。このようにしてエポキシ含浸ガラスクロスを作製した。

このエポキシ含浸ガラスクロスを８枚重ね合わせて、その両面に回路基板用銅箔（＝井金属社製）を載せ、熱プレスで圧力６０ｋｇ／ｃｍ^２、温度１６０℃、時間３０分でプレスした。このとき、ガラスクロスの添加剤としては、シリコーンオイルとしてケイ素数１０以下の低分子量の環状シロキサンを含有しないもの（東レダウ社製）を使用した。また、可塑剤としては、フタル酸ジトリデシル（分子量５３０）を使用した。このようにしてガラスエポキシ基板を作製した。

一方、主剤がエポキシアクリレートであり、硬化剤がベンゾフェノン系紫外線硬化剤であるソルダーレジストインキ（東亜合成社製）を用意した。

このガラスエポキシ基板を１００ｍ角に切り出し、銅箔を塩化鉄を主体とするエッチング液でエッチングし、表面を洗浄し乾燥した。次いで、上記ソルダーレジストを洗浄したガ
ラスエポキシ基板上に塗布し、紫外線硬化炉において常温で紫外線ランプ３００Ｗ、３０秒の条件で硬化させた。この試料について参考例１と同様にしてウエハにおける有機物吸着量を調べた。その結果、ウエハヘの吸着量は１６ｎｇであり、非常に少なかった。また、ＴＩＣの各ピークを定性分析したが、各ピークが微小なため（有機物の吸着が非常に少ないため）に定性分析が不可能であった。

（比較例２）
市販のガラスエポキシ基板（松下電工社製）を用い、タムラ科研社製のソルダーレジストを用いて参考例３と同様にしてウエハにおける有機物吸着量を調べた。その結果、ウエハヘの吸着量は２１０ｎｇであり、非常に多かった。また、吸着成分を調べたところ、可塑剤の成分であるＤＯＰやシリコーンオイルの成分であるシロキサンであった。すなわち、樹脂製品を構成する樹脂材料中の添加剤からのガス状有機物がウエハに吸着されていたことが分かった。

（実施例４）
電子部品に使用する絶縁紙として、ケイ素数１０以下の上記シリコーンオイル１００重量部に対して酸化防止剤として２，２’−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（吉富製薬社製）０．５重量部および難燃剤としてリン酸トリクレゾール（大八化学工業社製）２重量部を混合したものを含浸させた紙を作製した。このシリコーン含浸絶縁紙を２００ｍｍ角に切り、参考例１と同様にしてウエハにおける有機物吸着量を調べた。その結果、ウエハヘの吸着量は２１ｎｇであり、非常に少なかった。また、ＴＩＣの各ピークを定性分析したが、各ピークが微小なため（有機物の吸着が非常に少ないため）に定性分析が不可能であった。

（比較例３）
市販の絶縁紙を用いて、参考例４と同様にしてウエハにおける有機物吸着量を調べた。その結果、ウエハヘの吸着量は５２０ｎｇであり、非常に多かった。また、吸着成分を調べたところ、シリコーンオイルの成分であるケイ素数６程度のシロキサン、酸化防止剤の成分であるＢＨＴ（ブチルヒドキシトルエン）、難燃剤の成分であるＴＢＰ（リン酸トリブチル）であった。すなわち、樹脂製品を構成する樹脂材料中の添加剤からのガス状有機物がウエハに吸着されていたことが分かった。

（具体例）
図２は電子・電気部品を含む縦型熱処理装置の全体構成を示す外観斜視図であり、図３はその内部を示す側面図である。この装置には、奥側に熱処理炉２１が設けられており、この下方位置においては、ボートエレベータ２２ａの上にウエハボート２２が載置されている。この熱処理炉２２の手前側には、ウエハの移載とキャリアの移載とを行う熱処理炉２３および、例えば８個のキャリアＣが載置されるキャリア収納棚２４が設けられており、移載手段２３によりウエハボート２２とキャリアＣとの間でウエハの受け渡しが行なわれる。

このキャリア収納棚２４は図３中左右方向に移動自在に構
成されており、このキャリア収納棚２４の背面側には、フィルタユニット２５が配設されている。また、キャリア収納棚２４の手前側（図３中左側）には、キャリアＣの入出力ポート２６が設けられており、前記移載手段２３により入出力ポート２６と当該キャリアＣ収納棚２４との間でキャリアＣの受け渡しが行なわれる。

前記入出力ポート２６はウエハＷが載置される空間を構成しており、この入出力ポート２６からその少し奥側（図３中右側）に亘った領域の上方側には通風領域２０が形成されている。この通風領域２０は周囲が装置本体のプレートで囲まれると共に、上面は装置本体の天板の一部で覆われており、この領域２０内には、フィルタユニット３およびダクト部材４と、電子・電気部品を含む電装品ユニット５とが設けられている。

次に、前記フィルタユニット３、ダクト部材４、および電装品ユニット５について図２ないし図４に基づいて説明する。図中３１は通風領域２０の上面を構成する天板であり、この天板３１には多数のスリット３１ａが形成されている。これらスリット３１ａが形成されているエリア３３を便宜上図４に示す鎖線のように第１エリアＡ１、第２エリアＡ２および第３エリアＡ３に分割すると、第１エリアＡ１および第３エリアＡ２のスリット３１ａは、夫々電装品ユニットを冷却するための冷却用気体、例えばクリーンルーム内のクリーンエアを取り込む取り込み口およびエアを排気する排気口に相当するものであり、第２エリアＡ２はダクト部材内に清浄気体、例えばクリーンルーム内のクリーンエアを取り込むための取り込み口に相当するものである。

前記天板３１の下部には、前記第２エリアＡ２のスリット３１ａから取り込まれたエアをフィルタユニット３へ通風させるための流路を形成するダクト部材４が接続されている。このダクト部材４は、例えば水平な箱状部材４１（以下「上側箱状部材」という）の下端奥側に垂直な通風路を形成する垂直路部材４２が接続され、この垂直路部材４２の下端側に水平な箱状部材４３（以下「下側箱状部材」という）の上面奥側が接続されており、全体形状がコ字状になるように構成されている。

前記上側箱状部材４１の上面には、前記スリット３１ａに適合するスリット４１ａが形成されており、ダクト部材４は、上側箱状部材４１の上面が天板３１の第２エリアＡ２のスリット３１ａと重なるように配設されている。また、ダクト部材４の下端側には、スリット３１ａから取り込まれたエアから不純物を除去するフィルタユニット３が、例えば下側箱状部材４３の下面の一部とフィルタユニット３の上面の一部とが重なるように接続されている。

下側箱状部材４３およびフィルタユニット３の重なり合う領域３２（斜線部）においては、下側箱状部材４３の下面に図では見えないスリットが形成されていて、ダクト部材４内を通ってきたエアがフィルタユニット３内に吸い込まれるようになっている。なお、フィルタユニット３の上面における前記領域３２以外の領域は、エアが吸い込まれないようにカバー３３で覆われている。

前記フィルタユニット３は、フィルタ部３４と吸い込みファン３５とを組み合わせてなり、吸い込みファン３５によりダクト部材４内のエアをフィルタ部３４を介して吸い込むように構成されている。また、キャリア収納棚２４の裏側のフィルタユニツト２５についても同様にフィルタ部と吸い込みファンとを組み合わせて構成されている。この例ではダクト部材４とフィルタユニット３とにより、入出力ポート２６およびワーキングエリアへ向けて、不純物を除去した清浄気体を通流させるための清浄気体流路が形成されている。

また、コ字状のダクト部材４で囲まれた空間には、縦型熱処理装置の電気系統に必要な例えば電源ボックス、電子部品搭載基板やケーブル等の電子・電気部品を含む電装品の組み合わせからなる電装品ユニット５が配設されている。

図４に示すように、電装品ユニット５から天板３１の第１エリアＡ１側へ寄った位置には、電装品ユニット５に対応した大きさの仕切り板５１が電装品ユニット５の側部に対向して設けられている。この仕切り板５１は、電装品ユニット５が配置されている領域の側方に、装置本体のプレートとの間に通風領域を形成するためのものであり、多数の通風孔をなす穴５２が穿設されている。この仕切り板５１は、天板３１の第１エリアＡ１のスリット３１ａから吸い込んだエアが、電装品ユニット５の全体に流れるようにするためのものであり、例えば上部領域の穴５２に比べて下部領域の穴５２の方が大きくなっている。

また、前記天板３１の第３エリアＡ３の下側１には、電装品ユニット５が配置されている雰囲気のエアを吸引して当該エリアＡ３のスリット３１ａから排気するための吸い込みファン３６が設けられている。前記エリアＡ３の上側には、スリット３１ａから排気されたエアを工場排気路へ送るための排気ダクト３７が接続されている。

上記電装品における電子・電気部品、例えば駆動用モータ、トランス、電源用の部品、半導体素子を搭載した実装回路基板、前記部品の電線用被覆、半導体素子封止材は、樹脂材料と、ガス状有機物を発生しない添加剤とを含む上述した実施例の材料で構成されている。このため、電子・電気部品からはガス状有機物（アウトガス）が発生しない。したがって、ウエハへの有機物の吸着が防止され、熱処理、例えばゲート酸化膜の成膜処理における歩留りが従来よりも大幅に向上した。

次に、図５ないし図１８を参照しながら種々の電子・電気部品からアウトガスとして放出されて基板の表面に吸着した有機物の量を検出測定した結果につきそれぞれ説明する。なお、以下に示す検出結果は比較例として主に従来品につき調べたものである。

図５は、横軸にＴＥＮＡＸ（ポーラスビーズ状の捕集剤）通過したガスをガスクロマトグラフィーを用いて分析したときのピーク面積（Ａ．Ｕ．）をとり、縦軸に基板表面への有機物の吸着量（ｎｇ）をとって、両者の関係につき調べた結果を示すグラフ図である。横軸の値が大きくなるほどその物質が雰囲気中に多く存在し、縦軸の値が大きくなるほどその物質がウエハ表面に多く吸着することになる。なお、有機物の吸着量は、ガスを１２時間だけ通流させたときに捕集剤（ＴＥＮＡＸ）に吸着した有機物の量（ｎｇ）を６インチのシリコンウエハ１枚あたりの面積（ｃｍ^２）で除算して求めたものである。「ＴＥＮＡＸ」は、ある極性を有する多数のポーラスビーズからなる集合体である。これらの結果はいずれも室温大気圧の条件下で測定したものである。

図５中にて黒丸はプロパン酸エステルを、黒逆三角はジブチルフタレート（ＤＢＰ）を、黒三角はジオクチルフタレート（ＤＯＰ）を、白丸はＮ一ブチルベンゼンサルフォニルアミンを、白三角はエタノール１，２一クロローフォスフェートを、白逆三角はヘキサネジオジック酸ジオクチルエステルを、白四角はケイ素数９の環状シロキサン（Ｄ９）を、白ひし形はケイ素数１０の環状シロキサン（Ｄ１０）を、白星はケイ素数１１の環状シロキサン（Ｄ１１）を、黒四角はベンゼンメチル、黒ひし形はベンゼン１−２一ジメチルをそれぞれ示す。これらの有機化合物はＡ群、Ｂ群、Ｃ群の３つのグループに分かれる結果が得られた。すなわち、Ａ群に属するプロパン酸エステル、ＤＢＰ、ＤＯＰは雰囲気中の濃度にほぼ比例してウエハ表面への吸着量が増大するが、Ｂ群に属するＮ一ブチルベンゼンサルフォニルアミン、エタノール１，２一クロローフォスフェート、ヘキサネジオジック酸ジオクチルエステル、ケイ素数９〜１１の環状シロキサン（Ｄ９，Ｄ１０，Ｄ１１）は雰囲気中ではほとんど検出されないにも拘わらず吸着物としてウエハ表面から検出される。これはＢ群に属する有機化合物が高い吸着特性を有することを意味している。一方、Ｃ群に属するベンゼンメチル、ベンゼン１−２一ジメチルは雰囲気中の濃度が高いにも拘わらずウエハ表面からまったく検出されていない。これはＣ群に属する有機化合物がウエハ表面にまったく吸着しないことを意味している。

以上から明らかなように、環状シロキサン類はシリコンウエハの表面（親水性）に非常に吸着しやすいものであるのに対して、炭化水素系のベンゼン化合物類はシリコンウエハの表面（親水性）にほとんど吸着しないものであることが判明した。

図６は、横軸に沸点（℃）をとり、縦軸にガスクロマトグラフィーのリテンションタイム（分）をとって、各種の有機化合物につき両者の関係を調べたグラフ図である。ここで、「リテンションタイム」とはガスクロマトグラフィーにおける分析対象成分が溶出する時間のことをいう。図中にて白四角はシロキサンを、黒三角はフタル酸エステルを、白三角はリン酸エステルを、黒四角は炭化水素をそれぞれ示す。図から明らかなように、１００〜４００℃の範囲で沸点とりテンションタイムとは比例関係にある。化学工学便覧によれば、有機化合物の「沸点」と「蒸発熱」と「吸着熱」の３者間には次式（１）及び（２）の関係が成り立つことが示されている。なお、これらの式（１），（２）は経験式である。

ＥＱ＝一２９５０＋２３．７ＢＰ
十０．０２（ＢＰ）^２ …（１）
ＡＱ＝１．６×ＥＱ …（２）
ただし、ＢＰは沸点（℃）を、ＥＱは蒸発熱（ｃａ１／ｍｏ１）を、ＡＱは吸着熱（ｃａ１／ｍｏ１）をそれぞれ示す。これらから、高沸点の有機化合物は吸着熱が大きく、低沸点の有機化合物は吸着熱が小さい、ということが導き出される。

図７は、横軸に放置時間（時）をとり、縦軸に６インチ径ウエハの表面に付着した有機物の検出量（ｎｇ）をとって、ウエハの表面状態を種々変えて両者の関係につき調べた結果を示すグラフ図である。ケミカルフィルタを備えたクリーンルーム内に各種表面を有するシリコンウエハを放置して測定した。フッ酸溶液で湿式洗浄されたシリコンウエハをサンプルＩとし、熱酸化法で成膜したシリコン酸化膜をもつシリコンウエハをサンプルIIとし、紫外線照射下のオゾンで乾式洗浄されたシリコンウエハをサンプルIIIとした。図中にて白丸はサンプルＩに吸着した有機物量の結果を、黒四角はサンプルIIに吸着した有機物量の結果を、白三角はサンプルIIIに吸着した有機物量の結果をそれぞれ示す。放置時間を１時間、３時間、１２時間、６９時間としたときに有機物の検出量は、サンプルＩが３３１ｎｇ，５１５ｎｇ，６５４ｎｇ，７５０ｎｇとなり、サンプルIIが５６２ｎｇ，７２４ｎｇ，１０１２ｎｇ，１３９７ｎｇとなり、サンプルIIIが６６５ｎｇ，１０６９ｎｇ，１５３１ｎｇ，１３６７ｎｇであった。このようにケミカルフィルタを備えたクリーンルーム内であっても、いずれのサンプルＩ，II，IIIにも短時間の放置で多くの有機物が吸着することが判明した。また、熱酸化膜面（サンプルII）および乾式洗浄面（サンプルIII）は湿式洗浄面（サンプルＩ）よりも有機物の吸着量が多いことが判明した。また、放置時間が１２時間以上になると有機物の吸着量がほぼ飽和してしまうことが判明した。

図８は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出されるもののうち主要な有機物の検出量の合計値（ｎｇ／リットル）をとって、各樹脂材料からのアウトガス量についてそれぞれ調べたグラフ図である。アウトガスの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを１２０℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気１リットル中に含まれる有機物量を測定した。主要な有機物とはブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、アジピン酸エステル、フタル酸エステル、リン酸エステル、シロキサンの５成分である。主要有機物検出量の合計値は、樹脂Ａが４５．６７ｎｇ、樹脂Ｂが２．６０ｎｇ、樹脂Ｃが２５９．１０ｎｇ、樹脂Ｄが８６．６７７ｎｇ、樹脂Ｅが５９．４９３ｎｇであった。これらのうちでは樹脂Ｃが最も多量のガス状有機物を放出した。そのアウトガスの大部分はシロキサンであった。一方、樹脂Ｂから放出されるガス状有機物の量は極く僅かであった。

図９は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出される総有機物検出量（ｎｇ／６リットル）の最大、最小、平均値をそれぞれとって、各樹脂材料からのアウトガス総量につきそれぞれ調べたグラフ図である。アウトガスの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを１２０℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気６リットル中に含まれる有機物量を測定した。総有機物検出量の最大、最小、平均値は、樹脂Ａが１４７７０ｎｇ，３０２９ｎｇ，８３１１ｎｇ、樹脂Ｂが２９３ｎｇ，３０ｎｇ，１４１ｎｇ、樹脂Ｃが１８６８０ｎｇ，３７５４ｎｇ，６７４２ｎｇ、樹脂Ｄが２１５００ｎｇ，２０１ｎｇ，７１７３ｎｇ、樹脂Ｅが１８２５０ｎｇ，７０７ｎｇ，６４１９ｎｇであった。

図１０は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出されるＢＨＴ検出量（ｎｇ／６リットル）の最大、最小、平均値をそれぞれとって、各樹脂材料からのＢＨＴ放出量につきそれぞれ調べたグラフ図である。ＢＨＴの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを１２０℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気６リットル中に含まれるＢＨＴの量を測定した。ＢＨＴ検出量の最大、最小、平均値は、樹脂Ａが２２０ｎｇ，１６０ｎｇ，１９０ｎｇ、樹脂Ｂが０．５ｎｇ，ゼロ（検出されず），０．１ｎｇ、樹脂Ｃが１２９ｎｇ，０．８ｎｇ，５１ｎｇ、樹脂Ｄが２７９ｎｇ，０．６ｎｇ，６７ｎｇ、樹脂Ｅが６４０ｎｇ，０．２ｎｇ，２１５ｎｇであった。

図１１は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出されるアジピン酸エステル検出量（ｎｇ／６リットル）の最大、最小、平均値をそれぞれとって、各樹脂材料からのアジピン酸エステル放出量につきそれぞれ調べたグラフ図である。アジピン酸エステルの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを１２０℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気６リットル中に含まれるアジピン酸エステルの量を測定した。アジピン酸エステル検出量の最大、最小、平均値は、樹脂Ａが２９ｎｇ，１ｎｇ，９ｎｇ、樹脂Ｂが０．８ｎｇ，ゼロ（検出されず），０．２ｎｇ、樹脂Ｃが９ｎｇ，１ｎｇ，４ｎｇ、樹脂Ｄが３９３ｎｇ，０．１ｎｇ，８５ｎｇ、樹脂Ｅが３６ｎｇ，０．１ｎｇ，１４ｎｇであった。

図１２は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出されるフタル酸エステル検出量（ｎｇ／６リットル）の最大、最小、平均値をそれぞれとって、各樹脂材料からのフタル酸エステル放出量につきそれぞれ調べたグラフ図である。フタル酸エステルの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを１２０℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気６リットル中に含まれるフタル酸エステルの量を測定した。フタル酸エステル検出量の最大、最小、平均値は、樹脂Ａが４０ｎｇ，３ｎｇ，２８ｎｇ、樹脂Ｂが３４ｎｇ，２ｎｇ，１１ｎｇ、樹脂Ｃが１２６ｎｇ，２１ｎｇ，５５ｎｇ、樹脂Ｄが１７０６ｎｇ，３ｎｇ，３１０ｎｇ、樹脂Ｅが１４７ｎｇ，２５ｎｇ，１０４ｎｇであった。

図１３は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出されるリン酸エステル検出量（ｎｇ／６リットル）の最大、最小、平均値をそれぞれとって、各樹脂材料からのリン酸エステル放出量につきそれぞれ調べたグラフ図である。リン酸エステルの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを１２０℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気６リットル中に含まれるリン酸エステルの量を測定した。リン酸エステル検出量の最大、最小、平均値は、樹脂Ａが５８ｎｇ，１０ｎｇ，３３ｎｇ、樹脂Ｂが１．２ｎｇ，ゼロ（検出されず），０．３ｎｇ、樹脂Ｃが１０８ｎｇ，３ｎｇ，５６ｎｇ、樹脂Ｄが１０４ｎｇ，ゼロ（検出されず），２７ｎｇ、樹脂Ｅが４ｎｇ，０．６ｎｇ，２ｎｇであった。

図１４は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出されるシロキサン検出量（ｎｇ／６リットル）の最大、最小、平均値をそれぞれとって、各樹脂材料からのシロキサン放出量につきそれぞれ調べたグラフ図である。シロキサンの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを１２０℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気６リットル中に含まれるシロキサンの量を測定した。シロキサン検出量の最大、最小、平均値は、樹脂Ａが２１ｎｇ，７ｎｇ，１４ｎｇ、樹脂Ｂが９ｎｇ，０．３ｎｇ，４ｎｇ、樹脂Ｃが７４５９ｎｇ，７４３ｎｇ，１３６６ｎｇ、樹脂Ｄが１５１ｎｇ，８ｎｇ，３１ｎｇ、樹脂Ｅが４６ｎｇ，５ｎｇ，２２ｎｇであった。

図１５は、横軸に各種の有機物成分をとり、縦軸に部品サンプル１−１から出てくるガス状有機物成分の放出量（ｎｇ／６リットル）をそれぞれとって、６０℃，９０℃，１２０℃の温度ごとにガス状有機物成分の放出量につきそれぞれ調べた結果を示す立体グラフ図である。調査対象とした有機物成分は、軽いほうから順にトリェチルフォスフェート（ＴＥＰ），環状シロキサン（Ｄ６），ブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ），ジエチルフタレート’（ＤＥＰ），トリブチルフォスフェート（ＴＢＰ），アジピン酸（ＤＢＡ），トリクロロェチルフォスフェート（ＴＣＥＰ），ジブチルフタレート（ＤＢＰ），アジピン酸ジオクチル（ＤＯＡ），トリプロピルフォスフェート（ＴＰＰ），ジジオクチルフタレート（ＤＯＰ），トリクレジルフォスフェート（ＴＣＰ）である。これからＢＨＴとＤＥＰの両者は、ガス状有機物成分の放出量が強い温度依存性をもつことが判明した。すなわち、ＢＨＴの放出量（２サンプルの合計量）は６０℃で６６ｎｇ、９０℃で１４ｎｇ、１２０℃で５７４ｎｇであり、ＤＥＰの放出量（２サンプルの合計量）は６０℃で６ｎｇ、９０℃で９ｎｇ、１２０℃で２９６ｎｇであった。とくに、ＢＨＴ及びＤＥＰはともに１２０℃で高い検出値となった。

図１６は、横軸に各種の有機物成分をとり、縦軸に部品サンプル１−３から出てくるガス状有機物成分の放出量（ｎｇ／６リットル）をそれぞれとって、６０℃、９０℃、１２０℃の温度ごとにガス状有機物成分の放出量につきそれぞれ調べた結果を示す立体グラフ図である。調査対象とした有機物成分は上記と同じである。これからＢＨＴとＤＥＰの両者は、ガス状有機物成分の放出量が強い温度依存性をもつことが判明した。すなわち、ＢＨＴの放出量（２サンプルの合計量）は６０℃で３８ｎｇ、９０℃で３３ｎｇ、１２０℃で１８３ｎｇであり、ＤＥＰの放出量（２サンプルの合計量）は６０℃で６ｎｇ、９０℃で６ｎｇ、１２０℃で２２７ｎｇであった。とくに、ＢＨＴは１２０℃で高い検出値となった。一方、ＤＢＡは各温度で高い検出値であった。すなわち、ＤＢＡの放出量（２サンプルの合計量）は、６０℃で９２ｎｇ、９０℃で１１２ｎｇ、１２０℃で１３８ｎｇであった。

図１７は、横軸に各種の有機物成分をとり、縦軸に部品サンプル９−３から出てくるガス状有機物成分の放出量（ｎｇ／６リットル）をそれぞれとって、６０℃，９０℃，１２０℃の温度ごとにガス状有機物成分の放出量につきそれぞれ調べた結果を示す立体グラフ図である。調査対象とした有機物成分は上記と同じである。これからＴＢＰとＤＢＰの両者は、ガス状有機物成分の放出量が強い温度依存性をもつことが判明した。すなわち、ＴＢＰの放出量（２サンプルの合計量）は６０℃で５ｎｇ、９０℃で６０１ｎｇ、１２０℃で２４６３ｎｇであり、ＤＢＰの放出量（２サンプルの合計量）は６０℃で７ｎｇ、９０℃で６７ｎｇ、１２０℃で４０４ｎｇであった。とくに、ＴＢＰは１２０℃で高い検出値となった。一方、環状シロキサン（Ｄ６）の放出量は逆の温度依存性を示した。すなわち、Ｄ６の放出量（２サンプルの合計量）は、６０℃で４１５ｎｇ、９０℃で４５４ｎｇ、１２０℃で２７ｎｇであった。

図１８は、横軸に各種の有機物成分をとり、縦軸に部品サンプル１４−１５から出てくるガス状有機物成分の放出量（ｎｇ／６リットル）をそれぞれとって、６０℃，９０℃，１２０℃の温度ごとにガス状有機物成分の放出量につきそれぞれ調べた結果を示す立体グラフ図である。調査対象とした有機物成分は上記と同じである。これからＴＢＰとＴＣＥＰとＴＰＰの３者は、ガス状有機物成分の放出量が強い温度依存性をもつことが判明した。すなわち、ＴＢＰの放出量（２サンプルの合計量）は６０℃で４３２８ｎｇ、９０℃で９４０５ｎｇ、１２０℃で１４１０４ｎｇであり、ＴＣＥＰの放出量（２サンプルの合計量）は６０℃で１０９７ｎｇ、９０℃で８０３２ｎｇ、１２０℃で１７１２０ｎｇ、ＴＰＰの放出量（２サンプルの合計量）は６０℃で１１ｎｇ、９０℃で２１８５ｎｇ、１２０℃で３７１４ｎｇであった。とくに、ＴＢＰ及びＴＣＥＰの２者はともに９０℃以上の温度域で高い検出値となった。

各実施例において、帯電防止剤並びに／もしくは酸化防止剤としては、発明を実施するための最良の形態に記載した物質の任意のものが使用され得ることは容易に理解できるであろう。

上記実施例では、被処理基板が半導体ウエハである場合について説明したが、本発明はこれのみに限られず液晶表示装置用のガラス基板などの他の基板についても同様に適用することができる。

また、上記実施例においては、基板処理装置がバッチ方式の縦型熱処理装置である場合について説明したが、本発明はこれのみに限られず枚葉方式の熱処理装置、スパッタリング装置、イオン注入装置、湿式洗浄装置、乾式洗浄装置など他の装置についても同様に適用することができる。

本発明のクリーンルーム内で使用する電子・電気部品及び基板処理装置は、ガス状有機物の放出を抑制しているので、基板の表面に吸着する有機物の量を大幅に低減することができる。とくに、室温より高い温度環境下におかれる部品であってもガス状有機物の放出が抑制されているので、熱酸化炉やＣＶＤ炉の周辺部品や、べ一キングユニットのホットプレートの周辺部品などに最適である。本発明によれば、半導体デバイスの製造において各種基板の有機物汚染を有効に防止でき、製品の歩留りが向上する。

図１Ａは半導体製造工程における雰囲気中の有機物の測定結果を示す図である。 図１Ｂは半導体製造工程においてウエハに付着した有機物の測定結果を示す図である。 図２は、縦型熱処理装置を示す斜視図である。 図３は、縦型熱処理装置の内部を示す透視側面図である。 図４は、 縦型熱処理装置の要部を示す分解斜視図である。 図５は、各種の有機物成分につき雰囲気中濃度とウエハ表面付着量との関係につきそれぞれ調べた結果をプロットして示す特性図である。 図６は、各種の有機物成分につき沸点（℃）と保持時間（分）との関係につきそれぞれ調べた結果をプロットして示す特性図である。 図７は、各種の表面状態につき放置時間（時）と６インチ径ウエハ表面付着有機物の検出量（ｎｇ）との関係につき調べた結果をプロットして示す特性図である。 図８は、各種樹脂材料から放出される主要な有機物（５成分）の検出量の合計につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図である。 図９は、各種樹脂材料から放出される有機物を合計した総有機物検出量（最大、最小、平均）につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図である。 図１０は、各種樹脂材料から放出されるブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）の検出量（最大、最小、平均）につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図である。 図１１は、各種樹脂材料から放出されるアジピン酸エステルの検出量（最大、最小、平均）につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図である。 図１２は、各種樹脂材料から放出されるフタル酸エステルの検出量（最大、最小、平均）につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図である。 図１３は、各種樹脂材料から放出されるリン酸エステルの検出量（最大、最小、平均）につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図である。 図１４は、各種樹脂材料から放出されるシロキサンの検出量（最大、最小、平均）につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図である。 図１５は、樹脂部品サンプル１‐１から放出される各種有機物成分の放出量につき各温度ごとにそれぞれ調べた結果を示すグラフ図である。 図１６は、樹脂部品サンプル１−３から放出される各種有機物成分の放出量につき各温度ごとにそれぞれ調べた結果を示すグラフ図である。 図１７は、樹脂部品サンプル９−３から放出される各種有機物成分の放出量につき各温度ごとにそれぞれ調べた結果を示すグラフ図である。 図１８は、樹脂部品サンプル１４−１５から放出される各種有機物成分の放出量につき各温度ごとにそれぞれ調べた結果を示すグラフ図である。

符号の説明

３…フィルタユニット、２１…熱処理炉、２２…熱処理炉、２３…熱処理炉、Ｗ…ウエハ。

Claims (3)

1. クリーンルーム内で使用する半導体デバイス製造用基板処理装置であって、この基板処理装置は、給電及び信号授受用の電子・電気部品を具備しており、この電子・電気部品として、アウトガスの出ないガラスエポキシ回路基板およびこの回路基板に半導体素子、半導体封止材、トランスを搭載した実装回路基板、および電線を有しており、前記ガラスエポキシ回路基板として、減圧加熱蒸留してケイ素数１０以下の環状シロキサンを除去したシリコーンオイルで処理したガラス繊維に、分子量３００以上の難燃性エポキシ樹脂と硬化剤とを含ませた後、その両面に銅箔を配置して成形したガラスエポキシ基板の前記銅箔をエッチング液でエッチングした後、このエッチング面に主剤がエポキシアクリレートで硬化剤がベンゾフェノン系紫外線硬化剤であるソルダーレジストを塗布して紫外線で硬化した回路基板を使用していることを特徴とするクリーンルーム内で使用する基板処理装置。
2. クリーンルーム内で使用する半導体デバイス製造用基板処理装置であって、この基板処理装置は、給電及び信号授受用の電子・電気部品を具備しており、この電子・電気部品として、アウトガスの出ないガラスエポキシ回路基板およびこの回路基板に半導体素子、半導体封止材、絶縁紙を有する部品を搭載した実装回路基板、および電線を有しており、前記絶縁紙を有する部品に使用する絶縁紙として、減圧加熱蒸留してケイ素数１０以下の環状シロキサンを除去したシリコーンオイルに、分子量３００以上のフェノール系酸化防止材および分子量３００以上の有機りん酸エステルを加えた液を含浸してなる絶縁紙を使用していることを特徴とするクリーンルーム内で使用する基板処理装置。
3. クリーンルーム内で使用する半導体デバイス製造用基板処理装置であって、この基板処理装置は、給電及び信号授受用の電子・電気部品を具備しており、この電子・電気部品として、アウトガスの出ないガラスエポキシ回路基板およびこの回路基板に半導体素子、半導体封止材、トランスを搭載した実装回路基板および被覆電線を有しており、この被覆電線には、樹脂基材としてポリ塩化ビニルもしくはポリエチレンを使用し、これら樹脂に、少なくとも、滑材として炭素数２０以上の炭化水素、主成分の分子量４００以上の可塑剤、分子量３００以上の酸化防止剤、減圧蒸留してケイ素数が１０以下の環状シロキサンを除去したシリコーンオイル、難燃剤として少なくとも三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムのいずれか、もしくは分子量３００以上の有機難燃剤を含む樹脂を電気配線用被覆材もしくは通信配線用被覆材に使用している電線および／または通信配線を使用していることを特徴とするクリーンルーム内で使用する基板処理装置。

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