KR100290443B1 - 압력 센서 패키지 제조방법 - Google Patents
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Abstract
공정 신뢰성 향상과 생산성 향상 및 비용 절감을 동시에 이룰 수 있도록 한 압력 센서 패키지 제조방법이 개시된다. 실리콘 웨이퍼의 백면에 '내화성 금속막/우수한 전도성 및 솔더에 젖음성이 좋은 특성을 갖는 금속막/산화방지용 금속막'의 적층 구조를 갖는 제 1 금속막을 형성하고, 다이어프램 형성부를 한정하는 마스크 패턴을 이용하여 상기 제 1 금속막과 상기 실리콘 웨이퍼의 일부를 선택식각하여 압력 센서를 제조한 다음, 소잉 공정을 이용하여 상기 압력 센서를 각각의 단위 센서들로 분리한다. 금형 가공법이나 압축 성형법을 이용하여 내부에는 관통 홀이 구비되고, 단위 센서의 크기를 가지며, 실리콘과 유사한 열팽창 계수를 갖는 임의막을 형성한 다음, 도금 공정을 이용하여 상기 임의막의 전 표면에 제 2 금속막을 형성한다. 메탈 캔 본체에는 솔더를 사이에 두고 제 2 금속막이 구비된 상기 임의막이 놓여지고, 상기 임의막 상의 제 2 금속막 상에는 솔더를 사이에 두고 상기 압력 센서를 이루는 상기 제 1 금속막이 놓여지도록 이들을 각각 위치 정렬하고, 솔더의 융점 이상의 온도에서 상기 메탈 캔 본체에 상기 임의막과 상기 압력 센서를 접합시켜 준다.
Description
본 발명은 양극산화 접합(anodic bonding) 방식을 이용하여 압력 센서 패키지를 제조할 때 야기되는 접합 불량 문제와 공수 및 공정수 증가에 따른 생산성 감소 등과 같은 문제를 해결하여 공정 신뢰성을 증대시키고, 글래스 사용으로 인해 야기되는 비용 증가 문제를 해결할 수 있도록 한 압력 센서 패키지 제조방법에 관한 것이다.
실리콘을 재료로 한 센서는 종래의 기계식 센서에 비해 소형이고 저가격이며, 정확도 및 신뢰도가 우수하다는 장점을 지녀 최근 그 적용 범위가 확대되고 있는데, 그 대표적인 종류로는 압저항형 센서, 온도 센서, 가습/습도 센서, 홀 센서, 광전도 센서 등을 들 수 있다.
이중 압저항형 센서는 실리콘 기판에 확산저항을 형성하여 압력, 힘, 진동 그리고 가속도 등 기계적 특성을 감지하는 센서가 주류를 이루고 있으며, 현재 압력 센서가 가장 먼저 실용화되어 자동차용 MAP(Manifold Absolute Pressure)(엔진제어, 브레이크압, 에어콘압, 에어백 공기압, 타이어압 그리고 오일압) 센서, 산업용(유량, 공기량, 진공압) 압력 측정, 혈압계 및 가전기기 등에 활용되고 있다.
상기 압력 센서는 실리콘 웨이퍼의 다이어프램 위에 브리지 형태로 형성되어 있는 압저항을 이용하여 저항 성분의 변화량을 감지한 뒤, 이 저항 성분의 변화량을 신호 검출부를 통해 검출해 주는 방식으로 압력 측정이 이루어지는 센서로서, 도 1a 내지 도 1c에는 상기 압력 센서가 내장된 메탈 캔 패키지(이하, 압력 센서 패키지라 한다)의 제조방법을 도시한 공정수순도가 제시되어 있다. 상기 공정수순도를 참조하여 그 제조방법을 제 3 단계로 구분하여 살펴보면 다음과 같다.
제 1 단계로서, 도 1a에 도시된 바와 같이 실리콘 웨이퍼(10)의 프론트면(front side)에 집적회로를 설계한 후 그 백면을 그라인딩(grinding)한다. 이와 같이 웨이퍼(10) 백면의 그라인딩 공정을 실시한 것은 웨이퍼 백면의 표면을 매끄럽게 만들어 주어 이후 양극산화 접합시 밀착성을 좋게 하기 위함이다. 이어, 실리콘 웨이퍼(10)의 백면 중앙부가 노출되도록 상기 웨이퍼(10)의 백면에 포토레지스터 재질의 마스크 패턴(12)을 형성하고, 상기 마스크 패턴(12)에 의해 보호되지 못한 부분의 실리콘 웨이퍼(10)를 소정 두께 선택식각하여 다이어프램(10a)을 제작한 뒤, 마스크 패턴(12)을 제거하여 압력 센서를 완성한다. 이때, 실리콘 웨이퍼(10)의 식각 공정은 다이어프램(10a)이 약 10 ~ 30㎛의 두께(d)를 가지도록 진행된다. 바람직한 두께(d)는 20㎛이다.
제 2 단계로서, 도 1b에 도시된 바와 같이 백면에는 금속막(미 도시)이 도포되고 그 내부에는 복수의 관통 홀이 구비되도록 설계된 글래스(14)를 준비한 다음, 압력 센서로 사용되는 실리콘 웨이퍼(10)의 백면과 글래스(14)의 프론트면이 상·하부에서 서로 마주본 상태로 접촉되도록 위치 정렬한다. 이어, 양극산화 접합 기술을 이용하여 실리콘 웨이퍼(10)의 백면과 글래스(14)의 프론트면 간을 접합(bonding)한 후, 소잉(sawing) 공정을 실시하여 이들을 각 단위 센서들로 구분해 준다.
제 3 단계로서, 도 1c에 도시된 바와 같이 복수의 리드(16)가 구비된 메탈 캔의 본체(20)에 글래스(14) 백면의 금속막이 접촉되도록 글래스(14)와 메탈 캔 본체(20) 간을 솔더링(soldering)한다. 이때, 상기 리드(16)는 절연체(18)를 사이에 두고 메탈 캔 본체(20)에 삽입되어져 있으며, 참조부호 16a로 표시된 부분은 내부리드로 사용되고, 참조부호 16b로 표시된 부분은 외부리드로 사용된다. 이어, 실리콘 웨이퍼(10)의 프론트면에 형성된 본딩 패드(미 도시)와 내부 리드(16a) 간을 금속 와이어(22)를 이용하여 본딩처리하고, 본딩 처리된 부분을 외부 환경으로부터 보호하기 위하여 상기 본체(20)에 메탈 캔의 뚜껑(24)을 덮고 진공압착한 후 아크(ARC) 용접을 실시하여 메탈 캔의 본체(20)와 뚜껑(24)을 부착해 주므로써, 본 공정 진행을 완료한다.
그러나, 상기 공정을 거쳐 압력 센서 패키지를 제조할 경우에는 온도, 전압, 전류 등과 같은 공정 변수 조절을 통하여 압력 센서로 사용되는 실리콘 웨이퍼와 글래스 간의 접합이 직접적으로 이루어지게 되므로, 양산을 목적으로 적용할 경우 다음과 같은 몇가지의 문제가 발생된다.
첫째, 실리콘 웨이퍼(10)의 백면과 글래스(14)의 프론트면이 상·하부에서 서로 마주보도록 위치 정렬되기 위해서는 웨이퍼(10)의 백면과 글래스(14)의 프론트면에 각각 얼라인 키(align key)를 제작해 주어야 하므로 공정 진행상의 어려움이 뒤따르게 되고 둘째, 실리콘 웨이퍼(10)와 글래스(14)를 위치 정렬한 후 양극산화 접합 공정을 실시하기 위하여 위치 정렬된 제품을 운송하는 과정에서 미스얼라인(misalign)이 빈번하게 야기되므로 후속 공정 진행시 접합 불량이 발생될 가능성이 있으며 셋째, 양극산화 접합을 실시할 때 안정된 공정 진행을 위하여 400℃ 내외의 고온 공정이 요구될 뿐 아니라 이로 인해 온도 하강시 긴 공정시간이 소요되므로 공수 증가에 따른 생산성 감소가 이루어지게 되고 넷째, 양극산화 접합된 글래스(14)와 실리콘 웨이퍼(10)를 소잉할 때 글래스의 두께가 실리콘 웨이퍼 자체의 두께에 비교하여 약 6 ~ 7배 가량 두껍기 때문에 소잉 블레드(blade) 폭 증가에 의해 칩 이용율이 떨어지게 되며 다섯째, 실리콘 웨이퍼의 프론트면에 직접회로를 설계한 후 별도로 그 백면을 다시 그라인딩해 주어야 하는 불편함이 뒤따르고 여섯째, 글래스 가공에 많은 비용이 들 뿐 아니라 가공 작업 자체가 용이하지 않아 이로 인해 공정 단가 상승과 공정의 복잡화가 초래되며 일곱째, 실리콘 웨이퍼(10)와 글래스(14)가 직접(direct) 접합되므로 양극산화 접합시 이들 간의 열팽창 계수 차이에 따른 스트레스(stress)가 발생하게 되어 공정 신뢰성이 저하되는 문제가 발생하게 된다.
이에 본 발명의 목적은, 압력 센서 패키지 제조시 글래스 대신에 실리콘 웨이퍼와 열팽창 계수가 유사한 특성을 갖는 임의막을 사용하되, 이들 실리콘 웨이퍼와 임의막 간이 솔더 다이 본딩 방식에 의해 접착되도록 공정을 변경해 주므로써, 접합 불량 문제와 공수 및 공정수 증가에 따른 생산성 감소 등과 같은 문제가 발생되는 것을 막을 수 있도록 하여 공정 신뢰성 증대와 생산성 향상을 이룰 수 있도록 하고, 동시에 비용 절감 효과 또한 이룰 수 있도록 한 압력 센서 패키지 제조방법을 제공함에 있다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 압력 센서 패키지 제조방법을 도시한 공정수순도,
도 2a 내지 도 2g는 본 발명에 의한 압력 센서 패키지 제조방법을 도시한 공정수순도이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, 실리콘 웨이퍼의 백면에 '내화성 금속막/우수한 전도성 및 솔더에 젖음성이 좋은 특성을 갖는 금속막/산화방지용 금속막'의 적층 구조를 갖는 제 1 금속막을 형성하는 단계와; 다이어프램 형성부를 한정하는 마스크 패턴을 이용하여 상기 제 1 금속막과 상기 실리콘 웨이퍼의 일부를 선택식각하여 압력 센서를 제조하는 단계와; 소잉 공정을 이용하여 상기 압력 센서를 각각의 단위 센서들로 분리하는 단계와; 금형 가공법이나 압축 성형법을 이용하여 내부에는 관통 홀이 구비되고, 단위 센서의 크기를 가지며, 실리콘과 유사한 열팽창 계수를 갖는 임의막을 형성하는 단계와; 도금 공정을 이용하여 상기 임의막의 전 표면에 솔더에 젖음성이 좋은 재질의 제 2 금속막을 형성하는 단계와; 메탈 캔 본체에는 솔더를 사이에 두고 제 2 금속막이 구비된 상기 임의막이 놓여지고, 상기 임의막 상의 제 2 금속막 상에는 솔더를 사이에 두고 상기 압력 센서를 이루는 상기 제 1 금속막이 놓여지도록 이들을 각각 위치 정렬하는 단계; 및 솔더의 융점 이상의 온도에서 상기 메탈 캔 본체에 상기 임의막과 상기 압력 센서를 접합시키는 단계로 이루어진 압력 센서 패키지 제조방법이 제공된다.
상기와 같이 공정을 진행할 경우, 글래스의 역할을 하는 임의막이 소잉 공정에 의해 단위 센서의 크기를 가지도록 분리되는 것이 아니라 공정 초기 단계에서 처음부터 금형 가공법(또는 압축 성형법)에 의해 단위 센서의 크기를 가지도록 제조되고 이로 인해 실리콘 웨이퍼의 소잉 또한 개별적으로 이루어지게 되므로, 소잉 블레드 폭 증가에 의한 칩 이용율 저하를 막을 수 있게 되고, 실리콘 웨이퍼 백면의 그라인딩이 없이 솔더 다이 본딩 방식에 의해 압력 센서로 사용되는 실리콘 웨이퍼와 임의막 간이 접합되므로 생산성 향상과 공정 신뢰성 향상을 동시에 이룰 수 있게 된다. 또한, 글래스 대신에 실리콘과 열팽창 계수가 유사한 임의막이 사용되므로 비용 절감을 이룰 수 있게 될 뿐 아니라 가공 작업 자체가 용이하여 공정 진행의 복잡화를 피할 수 있게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.
본 발명은 압력 센서 패키지 제조시 글래스 대신에 실리콘 웨이퍼와 열팽창 계수가 유사한 임의막을 사용하되, 이들이 솔더 다이 본딩 방식에 의해 접합되도록 공정을 진행해 주므로써, 생산성 향상과 공정 신뢰성 향상 및 비용 절감 효과를 동시에 얻을 수 있도록 하는데 주안점을 둔 기술로서, 이를 도 2a 내지 도 2g에 제시된 도면을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명에서 제시된 압력 센서 패키지 제조방법을 도시한 공정수순도를 나타낸 것으로, 이를 참조하여 그 제조방법을 제 7 단계로 구분하여 살펴보면 다음과 같다.
제 1 단계로서, 도 2a에 도시된 바와 같이 실리콘 웨이퍼(100)의 프론트면에 집적회로를 설계한 후 기상증착법(evaporation)이나 스퍼터링법(sputtering)을 이용하여 그 백면에 '내화성 금속막(102)/우수한 전도성 및 솔더에 젖음성이 좋은 특성을 갖는 금속막(104)/산화방지용 금속막(106)'의 3층 적층 구조를 갖는 제 1 금속막을 형성한다. 이때, 상기 내화성 금속막(102)으로는 Ti, Cr, W, Ti/W 합금 등이 사용되고, 우수한 전도성과 솔더에 젖음성이 좋은 특성을 갖는 금속막(104)으로는 Ni, Cu, Pt 등이 사용되며, 산화방지용 금속막(106)으로는 Au, Ag 등이 사용된다. 이어, 제 1 금속막의 중앙부가 소정 부분 노출되도록 산화방지용 금속막(106) 상에 포토레지스트 재질의 제 1 마스크 패턴(108)을 형성하고, 상기 마스크 패턴(108)에 의해 보호되지 못한 부분의 제 1 금속막을 식각하여 실리콘 웨이퍼(100)의 표면이 소정 부분 노출되도록 한다.
제 2 단계로서, 도 2b에 도시된 바와 같이 제 1 마스크 패턴(108)을 제거하고, 제 1 마스크 패턴(108)이 제거된 부분에만 선택적으로 질화막 재질의 제 2 마스크 패턴(110)을 형성한다.
제 3 단계로서, 도 2c에 도시된 바와 같이 제 2 마스크 패턴(110)에 의해 보호되지 못한 부분의 실리콘 웨이퍼(100) 백면을 소정 두께 선택식각하여 다이어프램(100a)을 제작한 뒤 제 2 마스크 패턴(110)을 제거하여 압력 센서를 제조하고, 소잉 공정을 이용하여 상기 압력 센서를 각각의 단위 센서들로 분리시켜 준다.
제 4 단계로서, 도 2d에 도시된 바와 같이 금형 가공법이나 압축 성형법을 이용하여 단위 센서의 크기를 가지며, 내부에는 소정 크기의 관통 홀(h)이 구비되어 있는 정육면체 형상의 임의막(112)을 형성한다. 이 경우, 상기 임의막(112)은 실리콘과 유사한 열팽창 계수를 갖는 물질로 형성되며, 그 대표적인 예로는 Mo, Zr, W, 다이아몬드, Al, N, SiC, SiN, 뮬라이트 등을 들 수 있다. 그리고, 관통 홀(h)은 다이어프램(100a)의 선폭보다 작은 크기를 가지도록 형성된다.
제 5 단계로서, 도 2e에 도시된 바와 같이 도금 공정을 이용하여 상기 임의막(112)의 전 표면에 제 2 금속막(114)을 형성한다. 이때, 제 2 금속막(114)은 솔더와 젖음성이 좋은 재질로 형성되며, 그 대표적인 예로는 Au, Ag, Ni, Cu 등을 들 수 있다. 도 2e에서는 편의상, 도 2d의 A-A' 절단면 구조를 보여준 상태하에서 상기 도금 공정이 진행된 경우의 구조를 도시해 놓았다. 여기서는 일 예로서, 제 2 금속막(114)이 임의막(112)의 전표면을 따라 형성되어 있는 경우에 한하여 설명하였으나 임의막(112)의 상면이나 하면에만 제 2 금속막(114)이 형성되도록 공정을 진행해 주어도 무방하다.
제 6 단계로서, 도 2f에 도시된 바와 같이 복수의 리드(116)가 구비된 메탈 캔(120)을 준비한 다음, 상기 메탈 캔 본체(120)에는 솔더(122)를 사이에 두고 제 2 금속막(114)이 구비된 임의막(112)이 놓여지고, 상기 임의막(112) 상의 제 2 금속막(114) 상에는 솔더(122)를 사이에 두고 상기 압력 센서를 이루는 제 1 금속막이 놓여지도록 이들을 각각 위치 정렬한다. 이때, 상기 리드(116)는 절연체(118)를 사이에 두고 메탈 캔 본체(120)에 삽입되어져 있어, 참조부호 116a로 표시된 부분은 내부리드로 사용되고, 참조부호 116b로 표시된 부분은 외부리드로 사용된다.
제 7 단계로서, 도 2g에 도시된 바와 같이 위치 정렬된 상기 결과물을 솔더의 융점 이상의 온도에서 가열하여 상기 메탈 캔(120) 본체에 압력센서로 사용되는 실리콘 웨이퍼(100)와 임의막(112)을 솔더(122)를 매개체로하여 접합시켜 준다. 상기 접합 과정에서 실리콘 웨이퍼(100)의 백면에 형성된 산화방지용 금속막(106)과 임의막(112) 상면의 제 2 금속막(114)이 솔더(122) 내부로 용해되어 들어오므로 접합 공정이 완료되면 상기 결과물이 도 2g에 도시된 형태의 접합 상태를 가지게 된다. 이어, 실리콘 웨이퍼(100)의 프론트면에 형성된 본딩 패드(미 도시)와 내부 리드(116a) 간을 금속 와이어(124)를 이용하여 본딩처리하고, 본딩 처리된 부분을 외부 환경으로부터 보호하기 위하여 메탈 캔의 본체(120)에 뚜껑(126)을 덮고 진공압착한 후 아크 용접을 실시하여 메탈 캔의 본체(120)와 뚜껑(126)을 부착해 주므로써, 본 공정 진행을 완료한다.
상기 공정을 거쳐 압력 센서 패키지를 제조할 경우, 임의막(112)이 별도의 소잉 공정에 의해 단위 센서의 크기를 가지도록 분리되는 것이 아니라 공정 초기 단계에서 처음부터 금형 가공법이나 압축 성형법에 의해 단위 센서의 크기를 가지도록 제조되므로, 압력 센서로 사용되는 실리콘 웨이퍼(100)의 소잉 작업 또한 개별적으로 이루어지게 되어 소잉 블레드 폭 증가에 의한 칩 이용율 저하를 막을 수 있게 되고, 실리콘 웨이퍼(100)와 임의막(112)이 단위 센서의 크기를 가지도록 만들어진 상태하에서 솔더 다이 본딩 방식에 의해 접합되므로 미스얼라인에 기인한 접합 불량 문제가 발생되는 것을 막을 수 있을 뿐 아니라 웨이퍼(100)의 백면과 임의막(112)의 프론트면에 별도의 얼라인 키를 제작할 필요가 없어 공정 진행 자체를 단순화할 수 있게 된다. 뿐만 아니라 글래스 대신에 실리콘 웨이퍼와 열팽창 계수가 유사한 임의막(112)이 사용되므로, 글래스를 사용할 때보다 가공 작업을 용이하게 실시할 수 있게 되고, 가공 작업에 드는 비용 또한 줄일 수 있게 되므로 공정 단가를 절감하는 효과를 얻을 수 있게 된다.
게다가 이 경우에는 메탈 캔 본체(120)에 실리콘 웨이퍼(100)와 임의막(112)을 접합한 후 온도 하강을 위한 긴 공정시간이 요구되지 않으므로 공수 증가에 의한 생산성 감소를 막을 수 있어 양산성 확보가 가능하게 된다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 압력 센서 패키지 제조시 글래스 대신에 실리콘 웨이퍼와 열팽창 계수가 유사한 물질로 구성되며, 단위 센서의 크기를 가지도록 제조된 임의막을 사용하되, 이들 실리콘 웨이퍼와 임의막 간이 솔더 다이 본딩 방식에 의해 접착되도록 공정을 변경해 주므로써, 1) 실리콘 웨이퍼의 백면과 임의막 간을 위치 정렬하기 위한 별도의 얼라인 키 제작이 필요없게 되므로 공정 진행을 단순화할 수 있게 되고, 2) 임의막은 금형 가공법이나 압축 성형법에 의해 공정 초기 단계에서 단위 센서의 크기를 가지도록 제작되고, 실리콘 웨이퍼는 별개의 소잉 공정에 의해 커팅되므로 미스얼라인에 기인한 접합 불량 발생과 소잉 블레드 폭 증가에 의한 칩 이용율 저하를 막을 수 있게 되며, 3) 실리콘 웨이퍼와 임의막 접합후 온도 하강을 위한 긴 공정시간이 요구되지 않으므로 공수 감소에 따른 생산성 향상을 이룰 수 있게 되고, 4) 실리콘 웨이퍼의 백면 그라인딩 공정을 스킵(skip)할 수 있어 공정 단순화를 이룰 수 있게 되고, 5) 글래스 대신에 실리콘 웨이퍼와 열팽창 계수가 유사한 임의막이 사용되므로 가공 작업 자체가 용이할 뿐 아니라 가공 비용을 줄일 수 있게 되어 비용 절감 효과를 얻을 수 있게 되고, 6) 실리콘 웨이퍼와 임의막이 솔더를 매개체로 이용하여 접합되므로 열팽창 계수 차이에 따른 스트레스 발생을 막을 수 있게 되어 공정 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
Claims (7)
- 실리콘 웨이퍼의 백면에 '내화성 금속막/우수한 전도성 및 솔더에 젖음성이 좋은 특성을 갖는 금속막/산화방지용 금속막'의 적층 구조를 갖는 제 1 금속막을 형성하는 단계와;다이어프램 형성부를 한정하는 마스크 패턴을 이용하여 상기 제 1 금속막과 상기 실리콘 웨이퍼의 일부를 선택식각하여 압력 센서를 제조하는 단계와;소잉 공정을 이용하여 상기 압력 센서를 각각의 단위 센서들로 분리하는 단계와;금형 가공법이나 압축 성형법을 이용하여 내부에는 관통 홀이 구비되고, 단위 센서의 크기를 가지며, 실리콘과 유사한 열팽창 계수를 갖는 임의막을 형성하는 단계와;도금 공정을 이용하여 상기 임의막의 전 표면에 솔더에 젖음성이 좋은 재질의 제 2 금속막을 형성하는 단계와;메탈 캔 본체에는 솔더를 사이에 두고 제 2 금속막이 구비된 상기 임의막이 놓여지고, 상기 임의막 상의 제 2 금속막 상에는 솔더를 사이에 두고 상기 압력 센서를 이루는 상기 제 1 금속막이 놓여지도록 이들을 각각 위치 정렬하는 단계; 및솔더의 융점 이상의 온도에서 상기 메탈 캔의 본체에 상기 임의막과 상기 압력 센서를 접합시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 압력 센서 패키지 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 내화성 금속은 Ti, Cr, W, Ti/W 합금 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 패키지 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 우수한 전도성 및 솔더에 젖음성이 좋은 특성을 갖는 금속막은 Ni, Cu, Pt 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 패키지 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산화방지용 금속막은 Au나 Ag로 형성하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 패키지 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 압력 센서를 제조하는 단계는상기 제 1 금속막의 중앙부가 소정 부분 노출되도록 그 위에 제 1 마스크 패턴을 형성하는 단계와;상기 실리콘 웨이퍼의 표면이 소정 부분 노출되도록 상기 제 1 마스크 패턴에 의해 보호되지 못한 부분의 상기 제 1 금속막을 식각한 뒤, 상기 제 1 마스크 패턴을 제거하는 단계와;상기 제 1 마스크 패턴이 제거된 부분에만 선택적으로 제 2 마스크 패턴을 형성하는 단계와;상기 제 2 마스크 패턴에 의해 보호되지 못한 부분의 상기 실리콘 웨이퍼 백면을 소정 두께 선택식각하여 다이어프램을 형성한 뒤, 상기 제 2 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 패키지 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 임의막은 Mo, Zr, W, 다이아몬드, Al, N, SiC, SiN, 뮬라이트 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 패키지 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2 금속막은 Au, Ag, Ni, Cu 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 패키지 제조방법.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 1999-05-17 KR KR1019990017530A patent/KR100290443B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| KR101447114B1 (ko) | 2008-12-30 | 2014-10-06 | 삼성전자주식회사 | 접촉힘 센서 패키지 |
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