KR100273784B1 - Shadow mask and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR100273784B1
KR100273784B1 KR1019920011488A KR920011488A KR100273784B1 KR 100273784 B1 KR100273784 B1 KR 100273784B1 KR 1019920011488 A KR1019920011488 A KR 1019920011488A KR 920011488 A KR920011488 A KR 920011488A KR 100273784 B1 KR100273784 B1 KR 100273784B1
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shadow mask
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resist layer
patterned
manufacturing
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KR1019920011488A
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오사무 나까무라
다께시 이께가미
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기타지마 요시토시
다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 전극기재의 두께가 20 - 80㎛ 정도인 경우에 에칭 구멍의 형상, 직선성, 치수 정밀도가 양호한 샤도우 마스크의 제조방법으로서, 본 발명에 있어서는 기재의 양면에 레지스트를 도포하여 그 한쪽면의 레지스트에만 전극 패턴을 노광하고, 전극 패턴을 인화한 측의 레지스트를 현상하여 패터닝하고, 전극패턴을 노광하지 않는 반대측 레지스트는 전면에 남기어 두고, 그 위를 내에칭성이 있고 에칭시의 스프레이압에 대항할 수 있으며 기재의 평면성을 보호할 정도의 보강성이 있는 수지층으로 덮어 에칭시의 스프레이압에 의한 기재의 불안전성을 제거하고 패터닝된 레지스트측에서 기재의 한쪽면만을 에칭하여 에칭구멍의 형상, 직선성, 치수 정밀도가 양호한 샤도우 마스크를 얻는 것으로, 전극기재의 두께보다 큰 치수의 에칭구멍을 형성하는 방법도 보여주고 있다.The present invention is a method for producing a shadow mask having good shape, linearity, and dimensional accuracy of an etching hole when the electrode base material has a thickness of about 20 to 80 μm. In the present invention, a resist is coated on both sides of a substrate and one side thereof. The electrode pattern is exposed only to the resist of the resist, the resist on the side where the electrode pattern is printed is developed and patterned, and the resist on the opposite side that does not expose the electrode pattern is left on the entire surface. Cover the substrate with a reinforcement resin layer that protects the planarity of the substrate and remove the instability of the substrate by the spray pressure during etching, and etching only one side of the substrate on the side of the patterned resist to form the etching hole. By obtaining a shadow mask having good linearity and dimensional accuracy, an etching hole having a dimension larger than that of the electrode base material can be formed. Method is also shown.

Description

샤도우 마스크 및 그 제조 방법Shadow mask and method of manufacturing the same

제1도는 본 발명 샤도우 마스크의 제조방법 1 - 3의 일실시예의 제조공정을 설명하기 위한 도면.1 is a view for explaining the manufacturing process of one embodiment of the manufacturing method of the present invention shadow mask 1-3.

제2도는 본 발명 샤도우 마스크의 제조방법 4의 실시예의 제조공정을 설명하기 위한 도면.2 is a view for explaining the manufacturing process of the embodiment of the manufacturing method 4 of the present invention shadow mask.

제3도는 종래의 양면에서의 1단계 에칭법에 의한 제조공정을 설명하기 위한 도면.3 is a view for explaining a manufacturing process by a one-step etching method on the conventional both sides.

제4도는 종래의 양면에서의 2단계 에칭법에 의한 제조공정을 설명하기 위한 도면.4 is a view for explaining a manufacturing process by a two-step etching method in the conventional both sides.

본 발명은 칼라 CRT용 샤도우 마스크의 제조방법에 관한 것으로 특히, 판두께가 20-80㎛정도의 박판(薄板)의 샤도우 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a shadow mask for color CRT, and more particularly, to a shadow mask having a sheet thickness of about 20 to 80 µm and a method for producing the shadow mask.

최근, 칼라텔레비젼등의 CRT디스플레이장치의 대형화와 더불어 샤도우 마스크에도 대형화가 요구되어지고 있다. 샤도우 마스크 자체를 경량화시키기 위하여 20 - 80㎛정도의 박판도 사용되고 있다.In recent years, with the increase in the size of CRT display devices such as color televisions, the size of shadow masks has also been required. In order to reduce the shadow mask itself, a thin sheet having a thickness of about 20 to 80 µm is also used.

그런데 종래의 판두께 130 - 150㎛인 기재를 사용한 샤도우 마스크의 제조방법으로는, 제3도에 나타낸 바와 같이 전극기재(1)를 세정하고 (a), 이어 기재( 1)의 양면에 레지스트(2)를 도포하고 (b), 양면의 레지스트(2)에 유리 마스크(3)를 사용하여 노광한 후 (c), 레지스트(2)를 현상하여 패터닝하고, 건조하여 에칭막으로 사용하며 (d), 그후 기재(1)의 양면에서 동시에 에칭하여 개구(開口)를 형성한 후(e), 레지스트(2)를 박리하는 (f) 1단계 에칭에 의하여 제조하는 방법이 알려져 있으나, 이 방법을 20 - 80㎛정도의 박판기재에 적용할 경우, 에칭시 스프레이압()의 영향을 받아 평면성이 유지되지 않고 완성된 에칭구멍의 형상, 치수정밀도가 떨어진다.By the way, in the conventional manufacturing method of the shadow mask using the base material of 130-150 micrometers in thickness, as shown in FIG. 2) is applied (b) and exposed on both sides of the resist (2) using a glass mask (3), (c), the resist (2) is developed and patterned, dried and used as an etching film (d Then, a method is prepared by etching at both sides of the substrate 1 at the same time to form an opening (e) and then removing the resist 2 (f) by one-step etching. When applied to thin plate materials with a thickness of 20-80㎛, ), Flatness is not maintained and the shape and dimensional accuracy of the finished etching hole are poor.

또한, 제4도에 기재된 바와 같이, 전극기재(1)를 세정하고 (a), 이어서 기재(1)의 양면에 레지스트(2)를 도포하고 (b), 양면의 레지스트(2)에 유리 마스크(3)를 사용하여 노광하며 (c), 그 후 레지스트(2)를 현상하여 패터닝하고 건조하여 에칭막으로 한 후 (d), 기재(1)의 한쪽면만을 에칭하여 구멍을 연 다음 (e), 그 구멍에 내에칭성인 패킹재(4)를 채워넣고 (f), 그 구멍과 반대측면에서 다시 에칭하여 (g), 레지스트(2)를 박리하는 (h) 2단계 에칭에 의해 제조하는 방법이 알려져 있으나, 이 방법을 20 - 80㎛정도의 박판기재에 적용할 경우에는 소정의 단면형상(斷面形狀)을 얻을 수 없다. 후자에 대하여는 일본 특개소 61-130492호등에 상세히 기재되어 있다.In addition, as shown in FIG. 4, the electrode substrate 1 is cleaned (a), and then the resist 2 is applied to both surfaces of the substrate 1, (b) and the glass mask is applied to the resist 2 on both sides. After exposure using (3) (c), the resist 2 is then developed, patterned and dried to form an etching film (d), and only one side of the substrate 1 is etched to open a hole (e) (F) and (h) a two-step etching to remove the resist (2) by filling the packing material (4) which is etch-resistant into the hole, and etching again from the opposite side to the hole (g). Although a method is known, a predetermined cross-sectional shape cannot be obtained when the method is applied to a thin plate substrate having a thickness of about 20 to 80 µm. The latter is described in detail in Japanese Patent Laid-Open No. 61-130492.

상기한 바와 같이, 기재의 두께를 20 - 80㎛정도로 얇게 한 경우에 대하여는 60 - 250㎛ 폭의 에칭구멍을 형성하므로 상대적으로 판두께가 너무 얇아 제4도에 나타낸 종래의 2 단계 에칭방법으로는 소정의 단면형상을 형성할 수 없다. 즉, 원하는 단면 형상을 얻기 전에 에칭구멍이 관통되게 된다. 또한, 제3도에 나타낸 상기 기재의 양면에서의 1단계 에칭방법으로는 기재가 너무 얇아서 강도가 부족하고 에칭중에 평면성이 유지되지 않고 움직이게 되어 에칭구멍의 형상, 직선성, 치수 정밀도의 점에서 품질적으로 만족스러운 것을 얻을 수 없다.As described above, in the case where the thickness of the substrate is reduced to about 20 to 80 µm, an etching hole having a width of 60 to 250 µm is formed so that the plate thickness is relatively thin so that the conventional two-step etching method shown in FIG. It is not possible to form a predetermined cross-sectional shape. In other words, the etching holes are penetrated before obtaining the desired cross-sectional shape. In addition, in the one-step etching method on both surfaces of the substrate shown in FIG. 3, the substrate is too thin and the strength thereof is insufficient, and the planarity is not maintained during etching. Never satisfactory.

본 발명은 이와같은 상황을 감안하여 발명된 것으로, 그 목적은 전극기재의 두께가 20 - 80㎛정도인 경우에 에칭구멍의 형상, 직선성, 치수 정밀도가 양호한 샤도우 마스크를 제공하는 것이다.The present invention has been invented in view of such a situation, and an object thereof is to provide a shadow mask having good shape, linearity and dimensional accuracy of an etching hole when the thickness of the electrode base material is about 20 to 80 m.

본 발명의 다른 하나의 목적은 전극기재의 두께가 20 - 80㎛정도인 경우에 단면형상을 제어하면서 직선성, 치수 정밀도를 양호하게 유지하여 상기 전극기재의 두께보다 큰 치수의 에칭구멍을 형성한 샤도우 마스크를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to form an etching hole having a dimension larger than the thickness of the electrode base by controlling the cross-sectional shape and maintaining good linearity and dimensional accuracy when the thickness of the electrode base is about 20-80 μm. To provide a shadow mask.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명 샤도우 마스크의 제조방법은 제1도에 나타낸 바와같이, 판두께 20 - 80㎛인 전극기재(1)를 사용하여 제1(a)도에 나타낸 바와 같이 기재(1)를 세정한다. 이어서 제1(b)도에 나타낸 바와 같이 기재(1)의 양면에 레지스트(21, 22)를 도포한다. 그리고 제1(c)도에 나타낸 바와같이 그 한쪽면의 레지스트(21)에만 전극패턴이 있는 유리 마스크(31)를 사용하고, 다른쪽면의 레지스트(22)에는 전극 패턴이 없는 유리 마스크(32)를 사용하여 노광한 후, 제1(d)도에 나타낸 바와 같이 레지스트(21, 22)를 현상하여 패터닝, 건조하여 에칭막으로 한다. 이때 전극패턴을 노광하지 않는 반대측 레지스트(22)는 전면에 남게 된다. 그 후, 제1(e)도에 나타낸 바와 같이, 내에칭성이 있고, 에칭시의 스프레이압에 대항할 수 있으며 기재(1)의 평면성을 유지할 정도의 보강성이 있는 수지층(5)으로 전극 패턴을 노광하지 않는 측의 레지스트(22)를 덮어 에칭시의 스프레이압에 의한 기재(1)의 불안정성을 제거한다. 그리고 제1(f)도에 나타낸 바와같이 패터닝된 레지스트(21)측에서 기재(1)의 한쪽면만을 에칭하여 기재(1)를 부식 관통한다. 소정량의 에칭후, 제1(g)도에 나타낸 바와같이 보강수지층(5) 및 레지스트(21, 22)를 박리하여 에칭구멍의 형상, 직선성, 치수정밀도의 점에서 품질적으로 만족할 수 있는 샤도우 마스크를 얻을 수 있다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for producing a shadow mask as shown in FIG. 1 (a) using an electrode substrate 1 having a plate thickness of 20 to 80 µm as shown in FIG. )). Next, as shown in FIG. 1 (b), the resists 21 and 22 are applied to both surfaces of the substrate 1. And as shown in FIG. 1 (c), the glass mask 31 with an electrode pattern is used only for the resist 21 of one side, and the glass mask 32 without an electrode pattern is provided for the resist 22 of the other side. After exposure using light source, the resists 21 and 22 are developed, patterned and dried as shown in FIG. 1 (d) to form an etching film. At this time, the opposite resist 22 which does not expose the electrode pattern remains on the entire surface. Thereafter, as shown in FIG. 1 (e), the resin layer 5 has resistance to corrosion, can resist the spray pressure during etching, and has a reinforcement enough to maintain the planarity of the substrate 1. The instability of the base material 1 by the spray pressure at the time of etching is removed by covering the resist 22 of the side which does not expose an electrode pattern. As shown in FIG. 1 (f), only one side of the substrate 1 is etched on the patterned resist 21 side to corrode the substrate 1. After a predetermined amount of etching, as shown in FIG. 1 (g), the reinforcing resin layer 5 and the resists 21 and 22 are peeled off to satisfy quality in terms of the shape, linearity and dimensional accuracy of the etching holes. Get a shadow mask.

그리고 제1(e)도에 있어서, 보강수지층(5)으로 내에칭성은 없으나 보강성이 있는 수지를 사용하여 그 위를 내에칭성 필름으로 덮어도 된다. 또한, 전극 패턴을 노광하지 않는 측의 레지스트(22)를 보강수지층(5)으로 덮는 대신에 내에칭성이 있고 보강성이 있는 점착필름으로 덮도록 하여도 된다.In FIG. 1 (e), the reinforcement resin layer 5 may be covered with a resistive film using a resin having no reinforcement but having reinforcement. In addition, instead of covering the resist 22 of the side which does not expose an electrode pattern with the reinforcement resin layer 5, you may cover with the adhesive film which is etch-resistant and reinforcement.

수지층(5)으로는 상기 특성을 갖추고 있으면 되지만, 알칼리 가용성인 것이 바람직하고, 니트로셀룰로오스계, 노보락계 등의 용제가용형수지(溶劑可溶型樹脂), 올리고에스테르아크릴레이트계등의 자외선경화형수지, 로진-폴리에스테르계 등의 핫멜트(hot melt)형 수지 등을 들 수 있다.Although the resin layer 5 should just have the said characteristic, it is preferable that it is alkali-soluble, and ultraviolet curing type, such as solvent-soluble resins, such as a nitrocellulose type | system | group and a novolak type | system | group, oligoester acrylate type | system | group, And hot melt resins such as resins and rosin-polyesters.

그리고, 상기 내에칭성필름 또는 내에칭성이 있고 보강성이 있는 점착필름으로는, 예를들면 폴리에스테르계, 폴리에틸렌-폴리프로필렌계 등의 내산성점착필름등을 들 수 있다. 이 경우, 점착제로서 박리하기 쉬운 점을 고려하면 가열경화처리, 가열 발포처리, 자외선조사처리에 의해 점착력이 저하되는 것을 사용하는 것이 바람직하다.And as said etch-resistant film or the adhesive film which is etch-resistant and reinforcement, acid-resistant adhesive films, such as polyester type and polyethylene-polypropylene type, are mentioned, for example. In this case, in consideration of the easy peeling as the pressure-sensitive adhesive, it is preferable to use one in which the adhesive force is lowered by heat curing treatment, heat foaming treatment or ultraviolet irradiation treatment.

즉, 본 발명 샤도우 마스크의 제1의 제조방법은 판두께가 20 - 80㎛인 샤도우 마스크의 제조방법에 있어서, 양면에 레지스트층이 도포된 전극기재의 한쪽면의 레지스트층만을 패터닝하고, 다른면에 도포되어 패터닝되어 있지 않은 레지스트층을 내에칭성이 있고 보강성이 있는 수지층으로 덮고, 레지스트층이 패터닝된 한쪽면만을 에칭하여 그 기재를 부식관통시켜 만드는 것을 특징으로 하는 방법이다.That is, according to the first manufacturing method of the shadow mask of the present invention, in the manufacturing method of the shadow mask having a plate thickness of 20 to 80 µm, only the resist layer on one side of the electrode substrate coated with the resist layer on both surfaces is patterned, and the other side. The resist layer applied to the substrate is covered with a resin layer having a resistance to corrosion and reinforcement, and only one side of the resist layer is patterned to be etched to corrode the substrate.

제2의 제조방법은 판두께가 20 - 80㎛인 샤도우 마스크의 제조방법에 있어서, 양면에 레지스트층이 도포된 전극기재의 한쪽면의 레지스트층만을 패터닝하고, 다른면에 도포되어 패터닝되어 있지 않은 레지스트층을 보강성이 있는 수지층으로 덮고 그 수지층을 내에칭성이 있는 점착성 필름으로 덮으며, 레지스트층이 패터닝된 한쪽면만을 에칭하여 그 기재를 부식관통시켜 만드는 것을 특징으로 하는 방법이다.The second manufacturing method is a method of manufacturing a shadow mask having a sheet thickness of 20 to 80 µm, in which only the resist layer on one side of the electrode substrate having the resist layer applied on both sides is patterned, and not coated on the other side. The resist layer is covered with a reinforcing resin layer, the resin layer is covered with a etch-resistant adhesive film, and only one side of the patterned resist layer is etched to corrode the substrate.

그리고 제3의 제조방법은 판두께가 20 - 80㎛인 샤도우 마스크의 제조방법에 있어서, 양면에 레지스트층이 도포된 전극기재의 한쪽면의 레지스트층만을 패터닝하고, 다른면에 도포되어 패터닝되어 있지 않은 레지스트층을 내에칭성이 있고 보강성이 있는 점착성필름으로 덮고, 레지스트층이 패터닝된 한쪽면만을 에칭하여 그 기재를 부식관통시켜 만드는 것을 특징으로 하는 방법이다.The third manufacturing method is a method for manufacturing a shadow mask having a plate thickness of 20 to 80 µm, in which only the resist layer on one side of the electrode base material on which the resist layer is applied is patterned on both sides, and is coated and patterned on the other side. The resist layer is covered with a etch-resistant and reinforcing adhesive film, and only one side of the patterned resist layer is etched to corrode the substrate.

이상의 제조방법에 있어서, 수지층은 알칼리 가용성인 수지로 된 것이 바람직하고, 또 용제가용형수지, 자외선 경화형 수지, 핫멜트형수지등으로 된 것이 바람직하다.In the above production method, the resin layer is preferably made of alkali-soluble resin, and preferably made of a solvent-soluble resin, an ultraviolet curable resin, a hot melt resin, or the like.

또한, 점착성필름은 내산성점착필름으로 된 것이 바람직하다. 이 경우 점착제로서 기열경화처리, 가열발포처리 또는 자외선조사처리에 의해 점착력이 저하되는 것을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the adhesive film is preferably made of an acid-resistant adhesive film. In this case, it is preferable to use the adhesive whose adhesive force falls by a thermosetting process, a heat-foaming process, or an ultraviolet irradiation process.

그리고 이상의 제조방법의 변형인 본 발명의 제4의 제조방법은 판두께가 20 - 80㎛인 강판(鋼板 ; 강철판)에 그 판두께보다 큰 치수(판두께의 3-5배)의 관통구멍을 에칭하여 형성하는 샤도우 마스크의 제조방법에 있어서, 강판의 표리(表裏)양면에 레지스트층을 도포하고, 도포된 표면의 레지스트층에 형성할 구멍의 형상에 대응하는 비교적 큰 사이즈의 개구를 패터닝하고, 도포된 이면(裏面)의 레지스트층에 형성할 구멍의 엣지형상에 대응하는 적어도 하나의 단면에 있어서 2개가 되는 비교적 작은 사이즈의 개구를, 형성할 구멍 1개에 대하여 1개 이상 패터닝하고, 이면의 레지스트층을 통하여 이면에서 강판을 관통하지 않는 깊이로 에칭하여 구멍을 형성한 후, 그 구멍에 내에칭성인 패킹재를 채워넣고, 이어 표면의 레지스트층을 통하여 표면에서 강판을 에칭하여 이면에 형성한 구멍과 연통(連通)하는 구멍을 형성함으로써 관통구멍을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법이다.In the fourth manufacturing method of the present invention, which is a variation of the manufacturing method described above, a through hole having a size larger than the plate thickness (3 to 5 times the plate thickness) is formed in a steel sheet having a sheet thickness of 20 to 80 µm. In the method of manufacturing a shadow mask formed by etching, a resist layer is applied to both front and back surfaces of a steel sheet, and a pattern of a relatively large opening corresponding to the shape of a hole to be formed in the resist layer of the coated surface is patterned. At least one opening of a relatively small size, which becomes two in at least one cross section corresponding to the edge shape of the hole to be formed in the resist layer on the coated back surface, is patterned with respect to one hole to be formed, After forming a hole by etching through the resist layer to a depth that does not penetrate the steel sheet at the rear surface, the hole is filled with a etch-resistant packing material, and then the steel sheet on the surface through the resist layer on the surface. By forming a hole by etching a hole in communication with (連通) formed on the back surface is a way as to form a through hole.

이 경우, 이면에서 에칭하는 구멍의 깊이는 강판두께의 50 - 60%로 하는 것이 적당하다.In this case, the depth of the hole to be etched from the rear surface is preferably set to 50 to 60% of the steel sheet thickness.

본 발명은 이상의 제조방법들에 의해 제조된 샤도우 마스크를 포함한다.The present invention includes a shadow mask produced by the above manufacturing methods.

이하, 본 발명의 작용을 설명하면, 본 발명의 제 1 내지 제 3의 제조방법에 있어서는, 패터닝한 레지스트측 한쪽면에서만 에칭함으로써 동일한 판두께의 기재를 그 양면에서 1단으로 에칭하는 방법에 비하여 에칭구멍의 형상, 직선성의 점에서 우수하다. 이는 한쪽면에서 에칭하기 때문에 양면에서 에칭하는 경우에 비하여 레지스트 패턴의 폭과 완성된 제품의 관통구멍치수폭의 차이(이하, 에칭대라고 칭함)가 커져 에칭시간이 상대적으로 길어지므로, 에칭면의 요철이 평탄화되어 직선성이 좋아지기 때문이라고 생각된다. 즉, 양면에서의 에칭에 비해 에칭대를 크게 하기 때문이다.Hereinafter, the operation of the present invention will be described. In the first to third manufacturing methods of the present invention, by etching only one side of the patterned resist side, the substrate having the same plate thickness is etched in one step on both sides thereof. It is excellent in the shape of an etching hole and a linearity. Since the etching is performed on one side, the difference between the width of the resist pattern and the width of the through hole of the finished product (hereinafter referred to as the etching band) becomes larger than the etching on both sides, so that the etching time is relatively long. It is considered that the unevenness is flattened to improve the linearity. That is, it is because an etching stand is enlarged compared with the etching on both surfaces.

그리고 에칭시의 스프레이압에 대항할 수 있고 기재의 평면성을 유지할 정도의 보강력이 있는 층으로 덮어 에칭시의 스프레이압에 의한 기재의 불안정성을 제거하므로 치수 정밀도가 좋고 일정한 제품의 제조가 가능해진다.In addition, since the insulator of the substrate is prevented by the spray pressure during etching, the coating layer is covered with a layer having a reinforcing force that can resist the spray pressure during etching and maintains the flatness of the substrate.

한편, 다른면에 레지스트층을 도포하지 않고 그 면에 직접 보강성 지지체를 붙여 레지스트 패턴측에서 같은식으로 에칭구멍을 형성하는 방법도 고려할 수 있으나, 이 경우 다른면측에 레지스트층이 없으므로 다른면측의 관통구멍의 엣지 형상이 나빠지고 에칭 구멍의 형상, 직선성, 치수 정밀도가 떨어져서 바람직하지 않다. 그리고 그 경우 보강성 지지체는 레지스트도포, 패터닝현상, 베이킹처리를 거쳐 열처리가 행해지므로, 열팽창, 열수축이 생겨 샤도우 마스크의 변형이 발생한다. 그리고 박리시에 힘이 가해져 마찬가지로 샤도우 마스크의 변형이 발생한다. 샤도우 마스크의 변형은 제품의 휘어짐, 비뚤어짐으로 나타나서 치수 정밀도가 좋고 일정한 제품을 제조하기가 어려워진다.On the other hand, a method of forming an etching hole on the resist pattern side by attaching a reinforcing supporter directly to the surface without applying a resist layer on the other side can be considered, but in this case, there is no resist layer on the other side. It is not preferable because the edge shape of the through hole is worse and the shape, linearity, and dimensional accuracy of the etching hole are poor. In this case, the reinforcing support is subjected to heat treatment through resist coating, patterning, and baking, so that thermal expansion and thermal contraction occur to cause deformation of the shadow mask. A force is applied at the time of peeling and deformation of a shadow mask similarly occurs. The deformation of the shadow mask is manifested by the warping and skewing of the product, which leads to good dimensional accuracy and difficulty in producing a constant product.

이에 대하여 본 발명의 제1에서 제3의 제조방법에 있어서는 레지스트층을 통하여 내에칭성이 있고 보강성이 있는 수지층, 내에칭성이 있는 점착성필름으로 덮은 보강성이 있는 수지층, 또는 내에칭성이 있고 보강성이 있는 점착성 필름을 전극기재의 한쪽면에 덮어 씌우므로 다른면측의 관통구멍의 엣지형상이 좋고, 에칭구멍의 형상, 직선성, 치수정밀도가 우수하다. 그리고 수지층의 경우는 레지스트 제거액으로 레지스트층을 제거할때 동시에 제거되어 가열, 박리력이 기재에 가해지지 않는다. 그리고 점착성필름의 경우는 가열경화처리, 가열발포처리 또는 자외선조사처리를 행한 후 박리하므로 기재에 거의 힘이 가해지지 않는다. 따라서 어떠한 것도 박리시 샤도우 마스크의 변형이 생기지 않고, 제품의 휘어짐, 비뚤어짐이 없어 치수 정밀도가 좋고 일정한 제품의 제조가 가능해진다.On the other hand, in the first to third manufacturing methods of the present invention, a resistive and reinforcing resin layer, a reinforcing resin layer covered with a resistive adhesive film, or an etching resistance through a resist layer Since the adhesive and reinforcing adhesive film is covered on one side of the electrode base material, the edge shape of the through hole on the other side is good, and the etching hole has excellent shape, linearity and dimensional accuracy. In the case of the resin layer, the resist layer is removed at the same time as the resist layer is removed, so that heating and peeling force are not applied to the substrate. In the case of the adhesive film, the substrate is peeled off after the heat curing treatment, the heat foaming treatment, or the ultraviolet irradiation treatment, so that almost no force is applied to the substrate. As a result, no deformation of the shadow mask occurs during peeling, and there is no warpage or skew of the product, so that the dimensional accuracy is good and the production of a constant product is possible.

그리고 본 발명의 제4의 제조방법에 있어서는 종래의 2단 에칭 방법에 있어서, 판두께 20 - 80㎛인 강판의 이면에 도포된 레지스트층에 형성할 구멍의 엣지형상에 대응하는 적어도 1개의 단면에 있어서 2개가 되는 비교적 작은 사이즈의 개구를, 형성할 구멍 1개에 대하여 1개이상 패터닝하고, 제1단의 에칭에 있어서 이면의 레지스트층을 통하여 이면에서 강판을 관통하지 않는 깊이로 에칭하여 구멍을 형성하므로 얇은 강판의 판두께에 비하여 큰 관통구멍을 단면형상을 제어하면서 형성할 수 있다. 그리고 에칭구멍의 지름은 개구간의 간격을 조절함으로써 조절할 수 있다. 또한, 에칭 시간은 설치하는 구멍의 지름에 의존하지 않고 큰 구멍, 작은구멍 모두 거의 같은 시간에 형성할 수 있다.In the fourth manufacturing method of the present invention, in the conventional two-stage etching method, at least one cross section corresponding to the edge shape of the hole to be formed in the resist layer applied to the back surface of the steel sheet having a plate thickness of 20 to 80 µm is used. At least one opening of two relatively small sizes is patterned with respect to one hole to be formed, and in the first stage etching, the hole is etched to a depth that does not penetrate the steel sheet through the resist layer on the back side. As a result, a larger through hole can be formed while controlling the cross-sectional shape as compared with the plate thickness of the thin steel sheet. And the diameter of an etching hole can be adjusted by adjusting the space | interval between openings. Further, the etching time can be formed at almost the same time for both large and small holes without depending on the diameter of the holes to be installed.

그리고 에칭구멍의 형상, 치수 정밀도는 판두께 20 - 80㎛인 박판의 강판이라도 종래의 2단 에칭방법에 의한 경우와 같은 정도로 할 수 있다.The shape and dimensional accuracy of the etching holes can be about the same as in the case of the conventional two-stage etching method even for thin steel sheets having a sheet thickness of 20 to 80 µm.

이 경우도 레지스트층을 통하여 내에칭성인 패킹재를 채워 넣으므로, 패킹재는 레지스트제거액으로 레지스트층을 제거할 때 동시에 제거할 수 있어 가열, 박리력이 가해지지 않는다. 따라서 샤도우 마스크의 변형이 생기지 않고 제품의 휘어짐, 비뚤어짐이 없는 치수정밀도도 좋고 일정한 제품의 제조가 가능해진다.Also in this case, since the etch-resistant packing material is filled through the resist layer, the packing material can be removed at the same time when the resist layer is removed with the resist removal liquid, so that no heating or peeling force is applied. Therefore, the deformation of the shadow mask does not occur, and the dimensional accuracy without warping or skewing of the product is also good, and it is possible to manufacture a constant product.

이하, 본 발명 샤도우 마스크의 제조방법의 실시예에 대하여 설명한다.Hereinafter, the Example of the manufacturing method of the shadow mask of this invention is described.

[실시예 1]Example 1

LC(Low Carbon)재의 연강(軟鋼)으로 된 판두께가 60㎛이고 14인치사이즈인 기판을 사용하여 기판의 양면에 카제인 레지스트를 도포하여 건조한 후, 기재의 한쪽면측의 레지스트를 패터닝하고 건조한 다음 다른쪽의 레지스트면위에 핫멜트타입의 로진-폴리에스테르계의 수지를 사용하여 200 - 500㎛의 두께로 도포한 후, 패터닝된 면측에서 액은 60℃, 비중 46보우메()인 염화제이철을 에칭액으로 사용하여 스프레이법으로 부식시켜 관통한 슬릿구멍을 만들었다. 에칭후 수세하고 알칼리용액으로 레지스트 및 수지를 박리하고 세정, 건조하여 그 슬릿폭 및 슬릿 직선성을 측정하였다. 그 결과를 종래의 1단계 에칭법에 의한 경우와 대비하여 다음 표에 나타낸다.A thin carbon plate made of LC (Low Carbon) is 60 µm thick and is coated with casein resist on both sides of the substrate using a 14-inch sized substrate. On the surface of the resist, hot-melt rosin-polyester-based resin was applied to a thickness of 200-500 μm. Ferric chloride was used as an etching solution to corrode by the spray method to form slit holes. After etching, the resultant was washed with water, the resist and the resin were peeled off with an alkaline solution, washed, and dried to measure the slit width and the slit linearity. The result is shown in the following table compared with the case by the conventional one-step etching method.

상기 표로부터 명백하게 알 수 있는 바와같이, 종래의 기재의 양면에서의 1단계 에칭법에 비하여 치수 정밀도, 직선성이 모두 약 2배 우수한 것을 얻을 수 있었다.As can be clearly seen from the above table, it was obtained that the dimensional accuracy and the linearity were about two times better than the one-step etching method on both surfaces of the conventional substrate.

여기서 치수 정밀도()는 소정의 한정된 영역(여러개)의 슬릿의 광투과율로 표시한 것으로, 100매에 대한 표준편차치이다. 직선성을 나타내는 Rz, Rmax는 JIS규격(B0601 - 1982)으로 규정된 것으로 전극판을 파괴하여 단면의 조도(粗度)를 측정한 것이다.Where dimension precision ( ) Is expressed by the light transmittance of the slit of a predetermined limited area (multiple), and is a standard deviation value for 100 sheets. R z, R max represents the linearity of the standard JIS (B0601 - 1982) is one to destroy the electrode plate to be defined by measuring the roughness (粗度) of the section.

또한 레지스트패턴의 에칭대는 30㎛로 하여 종래의 양면에서의 1단계 에칭법에서의 에칭대보다 크게 하였다. 보강용 수지로서는 로진 - 폴리에스테르계의 수지를 사용하였으나, 내에칭성이 있고 에칭시의 스프레이 압력에 대항할 수 있으며 기재의 평면성을 유지할 정도의 보강성이 있는 수지층이면서 알칼리 가용성이며 레지스트상에서의 형성이 용이한 것이 바람직하다. 여기서 사용한 로진 -폴리에스테르계의 수지는 120℃정도에서 용해되는 것으로 용해한 상태에서 레지스트상에 도포 형성하였다. 로진-폴리에스테르계수지는 도포, 건조후 상온에서부터 에칭 처리온도 영역내에서는 고화상태이고, 보강성이 충분하고 내에칭성도 좋으며 알칼리 가용성이다.Moreover, the etching stand of the resist pattern was 30 micrometers, and it was larger than the etching stand in the conventional one-step etching method on both surfaces. Rosin-polyester-based resin was used as the reinforcing resin. However, the resin layer is alkali-soluble and resistant to etching, resists the spray pressure during etching, and maintains the planarity of the substrate. It is preferable that it is easy to form. The rosin-polyester-based resin used herein was applied and formed on the resist in the dissolved state by being dissolved at about 120 ° C. The rosin-polyester resin is solidified in the etching treatment temperature range from normal temperature after application and drying, and has sufficient reinforcement, good etching resistance and alkali solubility.

또한, 상기 실시예에서는 에칭액 온도가 60℃, 에칭액 비중이 46보우메였으나, 액온이 50 - 75℃, 액비중이 45 - 49보우메의 범위에서도 동일한 효과를 얻을 수 있었다.In the above embodiment, the etching solution temperature was 60 ° C. and the etching liquid specific gravity was 46 Bowme. However, the same effect was obtained even in the range of the liquid temperature of 50 to 75 ° C. and the liquid specific gravity of 45 to 49 Bowme.

[실시예 2]Example 2

본 발명의 제4의 제조방법의 실시예로서 제2도를 참조하여 설명한다.An embodiment of the fourth manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIG.

판두께 20 - 80㎛인, 예를들면 LC(Low Carbon)재로 된 전극기재(1)를 사용하여 제2(a)도에 나타낸 바와같이 기재(1)를 세정한다. 이어 제2(b)도에 나타낸 바와같이 기재(1)의 양면에 레지스트(21, 22)를 도포한다. 그리고 제2(c)도에 나타낸 바와같이 양면의 레지스트(21, 22)에 전극 패턴을 유리 마스크(31, 32)를 사용하여 노광한다. 이 때 표면패턴판(31)은 종래의 2단계 에칭방법의 경우와 같이 기재(1)의 표면에 에칭하는 오목한 구멍의 지름에 대응하는 크기의 차광부(311)를 하나의 구멍에 대하여 1개 가지고 있으나, 이면패턴판(32)은 단면으로 보면 기재(1)의 이면에서 열리는 구멍의 엣지에 대응하는 부분에 작은 치수의 차광부(321, 322)가 2개 설치되어 있다. 따라서, 기재(1)에 열리는 구멍이 원구멍인 경우는 이면패턴판(32)에 설치되는 차광부(321, 322)는 평면도로 보면 그 원구멍의 주위의 형상에 상당하는 링(ring) 형상을 하고 있고, 기재(1)에 열리는 구멍이 슬롯(slot) 내지 슬릿(slit)구멍인 경우의 차광부(321, 322)는 그 슬롯 내지 슬릿 구멍의 양단에 상당하는 위치에 평행으로 위치하는 2개의 얇은 선이다.The base material 1 is cleaned as shown in FIG. 2 (a) using the electrode base material 1 of LC (Low Carbon) material of 20-80 micrometers of plate | board thicknesses, for example. Then, as shown in FIG. 2 (b), the resists 21 and 22 are applied to both surfaces of the substrate 1. As shown in FIG. 2 (c), the electrode patterns are exposed to the resists 21 and 22 on both sides using the glass masks 31 and 32. FIG. At this time, the surface pattern plate 31 has one light shielding portion 311 for each hole having a size corresponding to the diameter of the concave hole to be etched on the surface of the substrate 1 as in the conventional two-step etching method. Although the back surface pattern plate 32 has a cross section, two light shielding portions 321 and 322 having small dimensions are provided at a portion corresponding to the edge of a hole opened on the back surface of the substrate 1. Therefore, when the hole opened in the base material 1 is a circular hole, the light shielding portions 321 and 322 provided in the back pattern plate 32 have a ring shape corresponding to the shape around the circular hole in plan view. And the light shielding portions 321 and 322 in the case where the hole opened in the base material 1 is a slot or a slit hole are located parallel to the positions corresponding to both ends of the slot to the slit hole. Thin lines.

표면패턴판(31), 이면패턴판(32)을 노광, 인화후, 레지스트(21, 22)를 현상하여 패터닝하고 건조하면 제1(d)도에 나타낸 바와 같이 표면의 레지스트(21)에는 표면패턴판(31)의 차광부(311)에 대응하는 개구(211)가 형성되고, 이면의 레지스트(22)에는 이면패턴판(32)의 차광부(321, 322)에 대응하는 개구(221, 222)가 형성된다.After exposing and printing the surface pattern plate 31 and the back pattern plate 32, the resists 21 and 22 are developed, patterned, and dried. As shown in FIG. An opening 211 corresponding to the light blocking portion 311 of the pattern plate 31 is formed, and the openings 221 corresponding to the light blocking portions 321 and 322 of the back pattern plate 32 are formed in the resist 22 on the back surface. 222 is formed.

그 후, 우선 이면 레지스트(22)를 에칭막으로 하여 제1(e)도에 나타낸 바와같이 기재(1)의 이면측만을 에칭하여 개구(221, 222)에 상당하는 부분에 대응하는 형상 즉, 기재(1)에 열리는 구멍이 원구멍인 경우는 링홈형상의 오목한 구멍, 기재(1)에 열리는 구멍이 슬롯 내지 슬릿구멍인 경우는 그 슬롯 내지 슬릿 구멍의 양단에 상당하는 위치에 평행으로 위치하는 2개의 직선홈 형상의 오목한 구멍을 형성한다. 그리고 에칭에 의한 관통구멍의 치수정밀도, 단면형상을 실용 레벨로 유지하는데는 이면에서의 오목한 구멍의 깊이는 기재(1)의 판두께의 50 - 60% 정도가 바람직하다.Thereafter, first, as shown in FIG. 1 (e), using only the back surface resist 22 as an etching film, only the back surface side of the base material 1 is etched, that is, the shape corresponding to the portions corresponding to the openings 221 and 222, namely, If the hole to be opened in the base material 1 is a circular hole, a concave hole of a ring groove shape, and if the hole to be opened in the base material 1 is a slot to a slit hole, the holes are located parallel to the positions corresponding to both ends of the slot to the slit hole. Two concave holes are formed. In order to maintain the dimensional accuracy and cross-sectional shape of the through hole by etching at a practical level, the depth of the concave hole on the back surface is preferably about 50 to 60% of the thickness of the substrate 1.

그 후, 제1(f)도에 나타낸 바와 같이, 그 구멍에 내에칭성인 패킹재(4)를 채워 넣고 그 구멍과 반대측의 표면에서 레지스트(21)의 개구(211)를 통하여 다시 에칭하여 제1(g)도에 나타낸 바와 같은 오목한 구멍을 형성하여 원하는 형상의 관통구멍을 형상한다.Thereafter, as shown in FIG. 1 (f), the hole is filled with a etch-resistant packing material 4 and etched again through the opening 211 of the resist 21 on the surface opposite to the hole. A concave hole is formed as shown in Fig. 1 (g) to form a through hole of a desired shape.

마지막으로 제1(h)도에 나타낸 바와 같이 패킹재(4) 및 레지스트(21, 22)를 박리하여 기재(1)의 두께에 비하여 큰 구멍을 단면형상, 직선성, 치수 정밀도의 점에서 품질적으로 만족할 수 있는 샤도우 마스크를 얻을 수 있다.Finally, as shown in FIG. 1 (h), the packing material 4 and the resists 21 and 22 are peeled off, and a large hole is formed in terms of cross-sectional shape, linearity, and dimensional accuracy compared to the thickness of the base material 1. It is possible to obtain a shadow mask that can be satisfactorily achieved.

한편, 에칭구멍의 지름은 개구(221, 222)사이의 간격을 조절함으로써 조절할 수 있다. 그리고 상기 구멍을 여는 과정에서 명백해진바와 같이 에칭시간은 설치하는 구멍의 지름에 의존하지 않고 큰 구멍, 작은 구멍 모두 거의 같은 시간에 형성할 수 있다.On the other hand, the diameter of the etching hole can be adjusted by adjusting the gap between the openings (221, 222). As apparent from the opening of the hole, the etching time can be formed at about the same time for both large and small holes without depending on the diameter of the hole to be installed.

그리고 개구(221, 222)사이에 별도의 1개이상의 개구를 설치하여, 특히 슬롯 내지 슬릿상의 구멍을 형성할 때에 에칭구멍내에 에칭잔여분이 생기지 않도록 할 수도 있다.In addition, one or more separate openings may be provided between the openings 221 and 222 so as not to cause etching residues in the etching holes, particularly when forming slots or slits.

이상 설명한 바와같이 본 발명 샤도우 마스크의 제조방법에 의하면, 20 - 80㎛ 두께의 얇은 기재로 에칭구멍의 형상, 직선성, 지수 정밀도가 양호한 샤도우 마스크를 제조할 수 있다. 그리고 20 - 80㎛ 두께인 얇은 강판에 형상, 직선성, 치수 정밀도가 양호한 에칭구멍이면서 강판의 판두께에 비하여 큰 관통구멍을 단시간에 형성할 수 있다.As described above, according to the method for producing a shadow mask of the present invention, a shadow mask having a good shape, linearity, and index accuracy of an etching hole can be manufactured from a thin substrate having a thickness of 20 to 80 µm. In addition, a large through hole can be formed in a thin steel sheet having a thickness of 20 to 80 µm in a short time while being an etching hole having good shape, linearity, and dimensional accuracy, compared with the plate thickness of the steel sheet.

Claims (15)

판두께가 20 - 80㎛인 샤도우 마스크의 제조방법에 있어서, 양면에 레지스트층이 도포된 전극기재의 한쪽면의 레지스트층만을 패터닝하고, 다른면에 도포되어 패터닝되어 있지 않은 레지스트층을 내에칭성이 있고 보강성이 있는 수지층으로 덮고, 레지스트층이 패터닝된 한쪽면만을 에칭하여 그 기재를 부식 관통시켜 만드는 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크의 제조방법.In the method of manufacturing a shadow mask having a sheet thickness of 20 to 80 µm, only a resist layer on one side of an electrode substrate having a resist layer coated on both surfaces is patterned, and a resist layer applied on the other side and not patterned is etched. And covering only one surface of the resist layer patterned with a reinforcing resin layer to corrode the substrate to produce a shadow mask. 판두께가 20 - 80㎛인 샤도우 마스크의 제조방법에 있어서, 양면에 레지스트층이 도포된 전극기재의 한쪽면의 레지스트층만을 패터닝하고, 다른 면에 도포되어 패터닝되어 있지 않은 레지스트층을 보강성이 있는 수지층으로 덮고, 그 수지층을 내에칭성이 있는 점착성 필름으로 덮고, 레지스트층이 패터닝된 한쪽면만을 에칭하여 그 기재를 부식 관통시켜 만드는 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크의 제조방법.In the method for producing a shadow mask having a sheet thickness of 20 to 80 µm, only the resist layer on one side of the electrode substrate having the resist layer applied on both sides is patterned, and the resist layer applied on the other side and not patterned is reinforced. A method for producing a shadow mask, wherein the resin layer is covered with a resin layer, the resin layer is covered with a pressure-sensitive adhesive film, and only one side of the resist layer is patterned is etched to corrode the substrate. 판두께가 20 - 80㎛인 샤도우 마스크의 제조방법에 있어서, 양면에 레지스트층이 도포된 전극기재의 한쪽면의 레지스트층만을 패터닝하고, 다른면에 도포되어 패터닝되어 있지 않은 레지스트층을 내에칭성이 있고 보강성이 있는 점착성필름으로 덮고, 레지스트층이 패터닝된 한쪽면만을 에칭하여 그 기재를 부식 관통시켜 만드는 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크의 제조방법.In the method of manufacturing a shadow mask having a sheet thickness of 20 to 80 µm, only a resist layer on one side of an electrode substrate having a resist layer coated on both surfaces is patterned, and a resist layer applied on the other side and not patterned is etched. And covering only one side of the resist layer patterned with a reinforcing adhesive film, and causing the substrate to corrode through the substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 수지층이 알칼리 가용성수지로 된 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크의 제조방법.The shadow mask manufacturing method according to claim 1 or 2, wherein the resin layer is made of an alkali-soluble resin. 제1항 또는 제2항에 있어서, 수지층이 용제가용형수지로 된 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크의 제조방법.The method of manufacturing a shadow mask according to claim 1 or 2, wherein the resin layer is a solvent-soluble resin. 제1항 또는 제2항에 있어서, 수지층이 자외선경화형수지로 된 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크의 제조방법.The shadow mask manufacturing method according to claim 1 or 2, wherein the resin layer is made of an ultraviolet curable resin. 제1항 또는 제2항에 있어서, 수지층이 핫멜트(hot melt)형수지로 된 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크의 제조방법.The shadow mask manufacturing method according to claim 1 or 2, wherein the resin layer is made of a hot melt resin. 제2항 또는 제3항에 있어서, 점착성필름이 내산성점착필름으로 된 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크의 제조방법.The method of manufacturing a shadow mask according to claim 2 or 3, wherein the adhesive film is an acid resistant adhesive film. 제2항 또는 제3항에 있어서, 점착성 필름 점착제로서 가열경화처리, 가열발포처리 또는 자외선조사처리에 의해 점착력이 저하되는 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크의 제조방법.The method of manufacturing a shadow mask according to claim 2 or 3, wherein the adhesive force is lowered by heat curing treatment, heat foaming treatment or ultraviolet irradiation treatment as an adhesive film adhesive. 제1항 내지 제9항중 어느 한항에 있어서, 샤도우 마스크가 슬릿상 샤도우 마스크인 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크의 제조방법.The method for producing a shadow mask according to any one of claims 1 to 9, wherein the shadow mask is a slit shadow mask. 제1항 내지 제9항중 어느 한 항기재의 제조방법에 의해 제조된 샤도우 마스크.The shadow mask manufactured by the manufacturing method of any one of Claims 1-9. 판두께가 20 - 80㎛인 강판에 그 판두께보다 큰 치수의 관통구멍을 에칭하여 형성하는 샤도우 마스크의 제조방법에 있어서, 강판의 표리양면에 레지스트층을 도포하고, 도포된 표면 레지스트층에 형성할 구멍의 형상에 대응하는 비교적 큰 사이즈의 개구를 패터닝하고, 도포된 이면의 레지스트층에 형성할 구멍의 엣지 형상에 대응하는 적어도 하나의 단면에 있어서 2개가 되는 비교적 작은 사이즈의 개구를, 형성할 구멍 1개에 대하여 1개이상 패터닝하고, 이면의 레지스트층을 통하여 이면에서 강판을 관통하지 않는 깊이로 에칭하여 구멍을 형성한 후, 상기 구멍에 내에칭성인 패킹재를 채워 넣고, 이어 표면의 레지스트층을 통하여 표면에서 강판을 에칭하여 이면에 형성한 구멍과 연통(連通)하는 구멍을 형성함으로써 관통구멍을 형성하는 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크의 제조방법.In the method of manufacturing a shadow mask, which is formed by etching through-holes having dimensions larger than the plate thickness on a steel sheet having a sheet thickness of 20 to 80 µm, a resist layer is applied to both front and back surfaces of the steel sheet and formed on the coated surface resist layer. A relatively large sized opening corresponding to the shape of the hole to be patterned is formed, and a relatively small sized opening which becomes two in at least one cross section corresponding to the edge shape of the hole to be formed in the resist layer on the applied back surface can be formed. One or more holes are patterned for one hole, and the hole is formed by etching through the resist layer on the back to a depth that does not penetrate the steel sheet on the back, and then filling the hole with a etch-resistant packing material, and then applying the resist on the surface. Through-holes are formed by etching the steel plate from the surface through the layers to form holes communicating with the holes formed on the back surface. Method of manufacturing a shadow mask for a. 제12항에 있어서, 형성하는 관통구멍의 치수가 강판의 판두께의 3 - 5배이고, 이면에서 에칭하는 구멍의 깊이가 강판의 판두께의 50 - 60%인 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크의 제조방법.The method of manufacturing a shadow mask according to claim 12, wherein the through hole to be formed has a dimension of 3 to 5 times the sheet thickness of the steel sheet, and the depth of the hole to be etched from the back surface is 50 to 60% of the sheet thickness of the steel sheet. . 판두께가 20 - 80㎛인 강판의 표리양면에 레지스트층을 도포하고, 도포된 표면 레지스트층에 형성할 구멍의 형상에 대응하는 비교적 큰 사이즈의 개구를 패터닝하고, 도포된 이면의 레지스트층에 형성할 구멍의 엣지 형상에 대응하는 적어도 하나의 단면에 있어서 2개가 되는 비교적 작은 사이즈의 개구를, 형성할 구멍 1개에 대하여 1개이상 패터닝하고, 이면의 레지스트층을 통하여 이면에서 강판을 관통하지 않는 깊이로 에칭하여 구멍을 형성한 후, 상기 구멍에 내에칭성인 패킹재를 채워 넣고, 이어 표면의 레지스트층을 통하여 표면에서 강판을 에칭하여 이면에 형성한 구멍과 연통(連通)하는 관통구멍을 형성하여 된 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크.A resist layer is applied to both front and back surfaces of a steel plate having a plate thickness of 20 to 80 µm, and a pattern of relatively large openings corresponding to the shape of holes to be formed in the applied surface resist layer is patterned, and formed in the resist layer on the applied back surface. At least one opening of a relatively small size, which is two in at least one cross section corresponding to the edge shape of the hole to be patterned, is patterned for at least one hole to be formed, and does not penetrate the steel sheet from the back side through the resist layer on the back side. After etching to a depth to form a hole, the hole is filled with a etch-resistant packing material, and then, through a resist layer on the surface, the steel sheet is etched from the surface to form a through hole communicating with the hole formed on the back surface. Shadow mask characterized in that. 제14항에 있어서, 형성하는 관통구멍의 치수가 강판의 판두께의 3 - 5배이고, 이면에서 에칭하는 구멍의 깊이가 강판의 판두께의 50 - 60%인 것을 특징으로 하는 샤도우 마스크.15. The shadow mask according to claim 14, wherein the through hole to be formed has a dimension of 3 to 5 times the sheet thickness of the steel sheet, and the depth of the hole to be etched from the back surface is 50 to 60% of the sheet thickness of the steel sheet.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100623419B1 (en) 2005-06-29 2006-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Shadow mask and method for manufacturing of the same
KR101420923B1 (en) * 2012-09-17 2014-07-25 풍원정밀(주) Thin metal substrate

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737492A (en) * 1993-07-21 1995-02-07 Dainippon Printing Co Ltd Manufacture of aperture grill
US5546015A (en) * 1994-10-20 1996-08-13 Okabe; Toyohiko Determining device and a method for determining a failure in a motor compressor system
WO2005076307A1 (en) * 2004-02-07 2005-08-18 Graphion Technologies Usa, Llc Shadow-mask made by electro-forming master of shadow-mask having a pin portion, and the manufacturing method of shadow-mask

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4362595A (en) * 1980-05-19 1982-12-07 The Boeing Company Screen fabrication by hand chemical blanking
US4755257A (en) * 1986-04-17 1988-07-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method of processing thin metal sheets by photoetching
JPH01252788A (en) * 1988-03-30 1989-10-09 Nissha Printing Co Ltd Production of metal mask

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4978477A (en) * 1972-11-30 1974-07-29
JPS63124328A (en) * 1986-11-12 1988-05-27 Toshiba Corp Manufacture of shadow mask for color cathode-ray tube
JPH01243335A (en) * 1988-03-25 1989-09-28 Toshiba Corp Manufacture of shadow mask
JPH01251536A (en) * 1988-03-31 1989-10-06 Toshiba Corp Manufacture of shadow mask
JPH02179887A (en) * 1988-12-29 1990-07-12 Toppan Printing Co Ltd Production of sheet having fine hole

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4362595A (en) * 1980-05-19 1982-12-07 The Boeing Company Screen fabrication by hand chemical blanking
US4755257A (en) * 1986-04-17 1988-07-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method of processing thin metal sheets by photoetching
JPH01252788A (en) * 1988-03-30 1989-10-09 Nissha Printing Co Ltd Production of metal mask

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100623419B1 (en) 2005-06-29 2006-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Shadow mask and method for manufacturing of the same
KR101420923B1 (en) * 2012-09-17 2014-07-25 풍원정밀(주) Thin metal substrate

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