JPH0512996A - Manufacture of shadow mask - Google Patents
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- JPH0512996A JPH0512996A JP3161578A JP16157891A JPH0512996A JP H0512996 A JPH0512996 A JP H0512996A JP 3161578 A JP3161578 A JP 3161578A JP 16157891 A JP16157891 A JP 16157891A JP H0512996 A JPH0512996 A JP H0512996A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、カラーＣＲＴ用のシャ
ドーマスクの製造方法に関し、特に、板厚さが２０〜８
０μｍ程度の薄板のシャドーマスクの製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a shadow mask for a color CRT, and more particularly to a plate thickness of 20-8.
The present invention relates to a method for manufacturing a thin shadow mask having a thickness of about 0 μm.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、カラーテレビ等のＣＲＴディスプ
レイ装置の大型化と共に、シャドーマスクにも大型化が
求められるようになってきた。シャドーマスク自体を軽
量化するために２０〜８０μｍ程度の薄板も使用される
ようになってきた。2. Description of the Related Art In recent years, along with the increase in the size of CRT display devices such as color televisions, the shadow mask has also been required to be increased in size. In order to reduce the weight of the shadow mask itself, a thin plate of about 20 to 80 μm has been used.
【０００３】ところで、従来の板厚１３０〜１５０μｍ
の基材を用いたシャドーマスクの製造方法としては、図
２に示すように、電極基材１を洗浄し（ａ）、次に基材
１の両面にレジスト２を塗布し（ｂ）、両面のレジスト
２にガラスマスク３を用いて露光し（ｃ）、その後レジ
スト２を現像してパターンニングし、乾燥してエッチン
グ膜とし（ｄ）、その後、基材１両面から同時にエッチ
ングして開口を形成後（ｅ）、レジスト２を剥離する
（ｆ）１段階エッチングにより製造する方法が知られて
いるが、この方法を２０〜８０μｍ程度の薄板基材に適
用した場合、エッチング時のスプレー圧の影響を受け、
平面性が保てず、できあがったエッチング孔の形状、寸
法精度が劣ってしまうことが知られている。また、別
に、図３に記載されるように、電極基材１を洗浄し
（ａ）、次に基材１の両面にレジスト２を塗布し
（ｂ）、両面のレジスト２にガラスマスク３を用いて露
光し（ｃ）、その後レジスト２を現像してパターンニン
グし、乾燥してエッチング膜とし（ｄ）た後、基材１の
片面側のみにエッチングを行って穴を開け（ｅ）、その
後、その穴に耐エッチング性のバッキング材４を埋め込
み（ｆ）、その穴と反対側の面から再度エッチングし
（ｇ）、レジスト２を剥離する（ｈ）２段階エッチング
により製造する方法が知られているが、この方法を２０
〜８０μｍ程度の薄板基材に適用した場合は、所定の断
面形状を得ることができない。後者については、詳しく
は、特開昭６１−１３０４９２号等に記載がある。By the way, a conventional plate thickness of 130 to 150 μm
As a method of manufacturing a shadow mask using the base material of FIG. 2, as shown in FIG. 2, the electrode base material 1 is washed (a), and then the resist 2 is applied to both surfaces of the base material 1 (b), Of the resist 2 is exposed using the glass mask 3 (c), and then the resist 2 is developed and patterned, and dried to form an etching film (d), and then both sides of the substrate 1 are simultaneously etched to form openings. After the formation (e), the resist 2 is peeled off (f) A method of manufacturing by one-step etching is known, but when this method is applied to a thin plate base material of about 20 to 80 μm, the spray pressure during etching is Affected,
It is known that the flatness cannot be maintained and the shape and dimensional accuracy of the resulting etching hole are deteriorated. Separately, as shown in FIG. 3, the electrode base material 1 is washed (a), then the resist 2 is applied to both surfaces of the base material 1 (b), and the glass mask 3 is applied to the resist 2 on both surfaces. After exposing using (c), the resist 2 is developed and patterned, and dried to form an etching film (d), and then only one side of the substrate 1 is etched to form a hole (e), After that, a method is known in which the hole is filled with an etching resistant backing material 4 (f), the surface opposite to the hole is etched again (g), and the resist 2 is peeled off (h). This method is 20
When applied to a thin plate base material having a thickness of about 80 μm, a predetermined cross-sectional shape cannot be obtained. The latter is described in detail in JP-A-61-130492.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、基材の
厚さが２０〜８０μｍ程度に薄くした場合については、
６０〜２５０μｍの幅のエッチング孔を形成するため、
相対的に板厚が薄すぎ、図３に示した２段階エッチング
方法では、バッキング材を埋め込める程の穴が適切に作
成できず、実用的でない。また、図２に示した上記の基
材両面からの１段階エッチング方法では、基材が薄すぎ
て強度が足りず、エッチング中の平面性が保てず動いて
しまい、エッチング孔の形状、直線性、寸法精度の点で
品質的に満足なものが得られなかった。As described above, when the thickness of the base material is reduced to about 20 to 80 μm,
To form an etching hole having a width of 60 to 250 μm,
The plate thickness is relatively thin, and the two-step etching method shown in FIG. 3 is not practical because a hole enough to embed the backing material cannot be appropriately formed. Further, in the above-described one-step etching method from both sides of the base material shown in FIG. 2, the base material is too thin to have sufficient strength, the planarity during etching cannot be maintained, and the shape of the etching hole, the straight line The quality and dimensional accuracy were not satisfactory.
【０００５】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、電極基板の厚さが２０〜８０
μｍ程度の場合に、エッチング孔の形状、直線性、寸法
精度が良好なシャドーマスクの製造方法を提供すること
である。The present invention has been made in view of such a situation, and an object thereof is to make the thickness of the electrode substrate 20 to 80.
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a shadow mask in which the shape, linearity, and dimensional accuracy of etching holes are good in the case of about μm.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のシャドーマスクの製造方法は、図１に示すように、
板厚２０〜８０μｍの電極基材１を用い、同図（ａ）に
示すように、基材１を洗浄する。次いで、同図（ｂ）に
示すように、基材１の両面にレジスト２を塗布する。そ
して、同図（ｃ）に示すように、その片側の面のレジス
ト２にのみ電極パターンをガラスマスク３を用いて露光
し、その後、同図（ｄ）に示すように、電極パターンを
焼き付けた側のレジスト２を現像してパターンニング、
乾燥を行い、エッチング膜とする。電極パターンを露光
しない反対側のレジスト２は全面に残しておいて、その
後、同図（ｅ）に示すように、耐エッチング性があり、
エッチング時のスプレー圧に対抗できて、基板１の平面
性を保てる程度の補強性のある樹脂層５で電極パターン
を露光しない側のレジスト２を覆い、エッチング時のス
プレー圧による基板１の不安定性を除去する。そして、
同図（ｆ）に示すように、パターニングされたレジスト
２側から基板１片面のみにエッチングを施して、基材１
を腐食貫通する。所定量のエッチング後、同図（ｇ）に
示すように、補強樹脂層５及びレジスト２を剥離して、
エッチング孔の形状、直線性、寸法精度の点で品質的満
足できるシャドーマスクを得ることができる。A method of manufacturing a shadow mask according to the present invention, which achieves the above object, is as shown in FIG.
Using the electrode base material 1 having a plate thickness of 20 to 80 μm, the base material 1 is washed as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 2B, the resist 2 is applied to both surfaces of the base material 1. Then, as shown in FIG. 3C, the electrode pattern was exposed only on the resist 2 on one side using the glass mask 3, and then the electrode pattern was baked as shown in FIG. The resist 2 on the side is developed and patterned,
It is dried to form an etching film. The resist 2 on the opposite side where the electrode pattern is not exposed is left on the entire surface, and thereafter, as shown in FIG.
Instability of the substrate 1 due to the spray pressure during etching is obtained by covering the resist 2 on the side where the electrode pattern is not exposed with a resin layer 5 having a reinforcing property that can withstand the spray pressure during etching and maintain the planarity of the substrate 1. To remove. And
As shown in FIG. 6F, the substrate 1 is etched from the patterned resist 2 side to only one side of the substrate 1.
Penetrates through the corrosion. After a predetermined amount of etching, the reinforcing resin layer 5 and the resist 2 are peeled off, as shown in FIG.
It is possible to obtain a shadow mask that is qualitatively satisfactory in terms of etching hole shape, linearity, and dimensional accuracy.
【０００７】なお、図１（ｅ）において、補強樹脂層５
として、耐エッチング性がないが補強性のある樹脂を用
い、その上を耐エッチング性フィルムで覆うようにして
もよい。さらに、電極パターンを露光しない側のレジス
ト２を補強樹脂層５で覆う代わりに、耐エッチング性が
あり補強性がある粘着フィルムで覆うようにしてもよ
い。なお、基材１の電極パターンを露光しない反対側の
面にはレジスト２は塗布しないで、直接補強樹脂層５で
覆うようにしてもよい。In FIG. 1 (e), the reinforcing resin layer 5
Alternatively, a resin having no etching resistance but a reinforcing property may be used, and the resin may be covered with an etching resistant film. Further, instead of covering the resist 2 on the side where the electrode pattern is not exposed with the reinforcing resin layer 5, an adhesive film having etching resistance and reinforcing property may be covered. Note that the resist 2 may not be applied to the surface of the base material 1 opposite to the side where the electrode pattern is not exposed, and may be directly covered with the reinforcing resin layer 5.
【０００８】樹脂層５としては、上記特性を備えていれ
ばよいのであるが、アルカリ可溶性であることが望まし
く、ニトロセルロース系、ノボラック系等の溶剤可溶型
樹脂、オリゴエステルアクリレート系等の紫外線硬化型
樹脂、ロジン−ポリエステル系等のホットメルト型樹脂
等があげられる。The resin layer 5 has only to have the above-mentioned characteristics, but is preferably alkali-soluble, and is a solvent-soluble resin such as a nitrocellulose-based or novolac-based resin, or an ultraviolet ray such as an oligoester acrylate-based resin. Examples thereof include curable resins and hot-melt resins such as rosin-polyester resins.
【０００９】また、上記の耐エッチング性フィルム又は
耐エッチング性があり補強性がある粘着フィルムとして
は、例えば、粘着剤として合成ゴム系のものを用いたポ
リエステル系、ポリエチレン−ポリプロピレン系等の耐
酸性粘着フィルム等があげられる。Examples of the above-mentioned etching resistant film or an etching resistant and reinforced adhesive film include, for example, polyester-based, polyethylene-polypropylene-based, etc. acid resistant materials using a synthetic rubber-based adhesive as an adhesive. Examples include adhesive films.
【００１０】すなわち、本発明のシャドーマスクの第１
の製造方法は、板厚さが２０〜８０μｍのシャドーマス
クの製造方法において、少なくとも片面にレジスト層が
塗布された電極基材の片面のレジスト層のみをパターニ
ングし、他面の基材面又はその上に塗布されパターニン
グされていないレジスト層を耐エッチング性があり補強
性のある樹脂層で覆い、レジスト層がパターニングされ
た片面のみにエッチングを施して、該基材を腐食貫通さ
せることによりエッチング孔を形成することを特徴とす
る方法である。That is, the first of the shadow mask of the present invention
In the method for producing a shadow mask having a plate thickness of 20 to 80 μm, only one side of the resist layer of the electrode base material coated with the resist layer on at least one side is patterned, and the other side or the base side thereof is used. The resist layer coated on top and not patterned is covered with a resin layer having etching resistance and reinforcement, and etching is performed only on one side where the resist layer is patterned, and the base material is corroded and penetrated to form an etching hole. Is formed.
【００１１】第２の製造方法は、板厚さが２０〜８０μ
ｍのシャドーマスクの製造方法において、少なくとも片
面にレジスト層が塗布された電極基材の片面のレジスト
層のみをパターニングし、他面の基材面又はその上に塗
布されパターニングされていないレジスト層を補強性の
ある樹脂層で覆い、該樹脂層を耐エッチング性がある粘
着性フィルムで覆い、レジスト層がパターニングされた
片面のみにエッチングを施して、該基材を腐食貫通させ
ることによりエッチング孔を形成することを特徴とする
方法である。In the second manufacturing method, the plate thickness is 20 to 80 μm.
In the method for producing a shadow mask according to item m, only the resist layer on one surface of the electrode base material having the resist layer applied on at least one surface is patterned, and the resist surface applied on the other surface of the base material or on the non-patterned resist layer is applied. Cover with a resin layer having a reinforcing property, cover the resin layer with an adhesive film having etching resistance, and perform etching only on one side where the resist layer is patterned, and etch holes are formed by corroding the base material. It is a method characterized by forming.
【００１２】また、第３の製造方法は、板厚さが２０〜
８０μｍのシャドーマスクの製造方法において、少なく
とも片面にレジスト層が塗布された電極基材の片面のレ
ジスト層のみをパターニングし、他面の基材面又はその
上に塗布されパターニングされていないレジスト層を耐
エッチング性があり補強性のある粘着性フィルムで覆
い、レジスト層がパターニングされた片面のみにエッチ
ングを施して、該基材を腐食貫通させることによりエッ
チング孔を形成することを特徴とする方法である。In the third manufacturing method, the plate thickness is 20 to
In a method of manufacturing a shadow mask of 80 μm, only a resist layer on one side of an electrode base material having a resist layer applied on at least one side is patterned, and a base material surface on the other side or an unpatterned resist layer applied thereon By a method characterized in that it is covered with an adhesive film having etching resistance and reinforcement, and etching is performed only on one surface where the resist layer is patterned, and etching holes are formed by corroding the base material. is there.
【００１３】以上の製造方法において、樹脂層はアルカ
リ可溶性の樹脂からなることが望ましく、また、溶剤可
溶型樹脂、紫外線硬化型樹脂、ホットメルト型樹脂から
なることが望ましい。In the above manufacturing method, the resin layer is preferably made of an alkali-soluble resin, and is also preferably made of a solvent-soluble resin, an ultraviolet curable resin, or a hot melt resin.
【００１４】さらに、粘着性フィルムは耐酸性粘着フィ
ルムからなることが望ましい。Further, the adhesive film is preferably made of an acid resistant adhesive film.
【００１５】[0015]
【作用】本発明においては、パターニングしたレジスト
側片面のみからエッチングすることにより、同一の板厚
を基材の両面から１段でエッチングする方法に比べて、
エッチング孔の形状、直線性の点で優れている。これ
は、片面からエッチングするため、両面からエッチング
する場合に比べて、レジストパターン幅とできあがった
製品の貫通孔寸法幅の差（以後、エッチングしろと言
う。）が大きくなり、エッチング時間が相対的に長くな
るので、エッチング面の凹凸が平坦化され、そのため、
直線性がよくなるためと思われる。すなわち、両面から
のエッチングに比べエッチングしろを大としているため
である。In the present invention, etching is performed from only one surface of the patterned resist side, so that the same plate thickness is etched from both surfaces of the base material in one step.
Excellent in shape and linearity of etching holes. Since the etching is performed from one side, the difference between the resist pattern width and the through-hole dimension width of the finished product (hereinafter referred to as the etching margin) becomes larger than that when etching from both sides, and the etching time is relatively long. Since it becomes longer, the unevenness of the etching surface is flattened, so that
It seems that the linearity is improved. That is, the etching margin is larger than the etching from both sides.
【００１６】また、エッチング時のスプレー圧に対抗で
きて基材の平面性を保てる程度の補強性のある層で覆っ
て、エッチング時のスプレー圧による基材の不安定性を
除去することにより、寸法精度がよく、ムラの少ない製
品の製造が可能になる。Further, by covering with a layer having a reinforcing property that can withstand the spray pressure during etching and maintain the flatness of the substrate, the instability of the substrate due to the spray pressure during etching is eliminated, and It is possible to manufacture products with high accuracy and less unevenness.
【００１７】このように、エッチング孔の形状、直線
性、寸法精度がよく、ムラの少ない製品の製造が可能に
なる。特に、エッチング孔がスリット状の場合、スリッ
トに直各な方向の安定性がよくなることにより、品質面
へ大きく寄与する。As described above, it is possible to manufacture a product having good etching hole shape, linearity, and dimensional accuracy and less unevenness. In particular, when the etching hole has a slit shape, the stability in each direction directly to the slit is improved, which greatly contributes to quality.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明のシャドーマスクの製造方法の
実施例について説明する。EXAMPLES Examples of the method for manufacturing a shadow mask according to the present invention will be described below.
【００１９】ＬＣ（Low Carbon）材の軟鋼からなる板厚
６０μｍで１４インチサイズの基材を用い、基材の両面
にカゼインレジストを塗布し、乾燥後、基材の一方の面
側のレジストをパターンニングし、乾燥後、他方のレジ
スト面上にホットメルトタイプのロジン−ポリエステル
系の樹脂を用い、２００〜５００μｍ厚で塗布し、その
後、パターンニングされた面側から、液温６０℃、比重
４６ボーメの塩化第二鉄をエッチング液として用いてス
プレー法にて腐食して、貫通したスリット孔を作成し
た。エッチング後、水洗し、アルカリ溶液により、レジ
スト及び樹脂を剥離し、洗浄、乾燥して、そのスリット
幅及びスリット直線性を測定した。その結果を、従来の
１段階エッチング法による場合と対比して次の表に示
す。Using a base material made of LC (Low Carbon) material mild steel and having a plate thickness of 60 μm and a size of 14 inches, casein resist is applied to both surfaces of the base material, and after drying, the resist on one side of the base material is applied. After patterning and drying, a hot-melt type rosin-polyester resin is applied on the other resist surface in a thickness of 200 to 500 μm, and thereafter, a liquid temperature of 60 ° C. and a specific gravity are applied from the patterned surface side. Using 46 Baume of ferric chloride as an etching solution, it was corroded by a spray method to form a penetrating slit hole. After etching, it was washed with water, the resist and resin were peeled off with an alkaline solution, washed and dried to measure the slit width and slit linearity. The results are shown in the following table in comparison with the case of the conventional one-step etching method.
【００２０】
この表から明らかなように、従来の基材の両面からの１
段階エッチング法に比べて、寸法精度、直線性とも約２
倍優れたものが得られた。[0020] As can be seen from this table, 1 from both sides of the conventional substrate
Dimensional accuracy and linearity are about 2 compared with the step etching method
What was twice as good was obtained.
【００２１】ここで、寸法精度σは、所定の限定された
領域（数本）のスリットの光透過率で表したもので、１
００枚についての標準偏差値である。直線性を表す
ＲZ 、Ｒmax は、ＪＩＳ規格（Ｂ０６０１−１９８２）
で規定されるもので、電極板を破壊し、断面の粗度を測
定したものである。Here, the dimensional accuracy σ is expressed by the light transmittance of slits in a predetermined limited region (several slits), and is 1
This is the standard deviation value for 00 sheets. R Z and R max representing linearity are JIS standards (B0601-1982).
It is the one defined by the above, and the roughness of the cross section is measured by breaking the electrode plate.
【００２２】なお、ここで、レジストパターンのエッチ
ングしろは３０μｍとし、従来の両面からの１段階エッ
チング法でのエッチングしろより大とした。補強用の樹
脂としては、ロジン−ポリエステル系の樹脂を用いた
が、耐エッチング性があり、エッチング時のスプレー圧
力に対抗できて、基材の平面性を保てる程度の補強性の
ある樹脂層で、アルカリ可溶性で、レジスト上への形成
が容易であることが望ましい。ここで使用したロジン−
ポリエステル系の樹脂は、１２０℃程度で溶解するもの
で、溶解した状態でレジスト上に塗布形成した。ロジン
−ポリエステル系の樹脂は、塗布、乾燥後、常温からエ
ッチング処理温度領域では固化状態であり、十分補強性
があり、耐エッチング性もよく、アルカリ可溶性であ
る。Here, the etching allowance of the resist pattern is set to 30 μm, which is larger than the etching allowance of the conventional one-step double-sided etching method. As the resin for reinforcement, a rosin-polyester resin was used, but with a resin layer having etching resistance, and having a reinforcing property that can withstand the spray pressure during etching and maintain the flatness of the base material. It is desirable that it be soluble in alkali and easy to form on a resist. Rosin used here
The polyester resin melts at about 120 ° C., and was applied and formed on the resist in a melted state. The rosin-polyester resin, after being applied and dried, is in a solidified state in a temperature range from room temperature to an etching treatment temperature, has sufficient reinforcing property, has good etching resistance, and is alkali-soluble.
【００２３】また、上記実施例では、エッチング液温度
６０℃、エッチング液比重４６ボーメであったが、液温
５０〜７５℃、液比重４５〜４９ボーメの範囲でも、同
様の結果が得られた。Further, in the above embodiment, the etching solution temperature was 60 ° C. and the etching solution specific gravity was 46 Baume, but similar results were obtained even in the range of the liquid temperature 50 to 75 ° C. and the liquid specific gravity 45 to 49 Baume. .
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のシャドー
マスクの製造方法によると、２０〜８０μｍ厚の薄い基
材からエッチング孔の形状、直線性、寸法精度が良好な
シャドーマスクを製造することができる。As described above, according to the shadow mask manufacturing method of the present invention, it is possible to manufacture a shadow mask having a good etching hole shape, linearity, and dimensional accuracy from a thin base material having a thickness of 20 to 80 μm. You can
【図１】本発明のシャドーマスクの製造方法の１実施例
の製造工程を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a manufacturing process of an embodiment of a method for manufacturing a shadow mask of the present invention.
【図２】従来の両面からの１段階エッチング法について
の図１と同様な図である。2 is a view similar to FIG. 1 for a conventional double-sided one-step etching method.
【図３】従来の両面からの２段階エッチング法について
の図１と同様な図である。FIG. 3 is a view similar to FIG. 1 for a conventional double-sided two-step etching method.
１…電極基材 ２…レジスト ３…ガラスマスク ５…補強樹脂層 1 ... Electrode substrate 2 ... Resist 3 ... Glass mask 5 ... Reinforcing resin layer
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成３年７月８日[Submission date] July 8, 1991
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００４[Correction target item name] 0004
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、基材の
厚さが２０〜８０μｍ程度に薄くした場合については、
６０〜２５０μｍの幅のエッチング孔を形成するため、
相対的に板厚が薄すぎ、図３に示した従来の２段階エッ
チング方法では、所定の断面形状を作成できない。ま
た、図２に示した上記の基材両面からの１段階エッチン
グ方法では、基材が薄すぎて強度が足りず、エッチング
中の平面性が保てず動いてしまい、エッチング孔の形
状、直線性、寸法精度の点で品質的に満足なものが得ら
れなかった。As described above, when the thickness of the base material is reduced to about 20 to 80 μm,
To form an etching hole having a width of 60 to 250 μm,
Since the plate thickness is relatively thin, a predetermined sectional shape cannot be created by the conventional two-step etching method shown in FIG. Further, in the above-described one-step etching method from both sides of the base material shown in FIG. 2, the base material is too thin to have sufficient strength, and the planarity during etching cannot be maintained, resulting in movement of the shape of the etching hole and straight line. The quality and dimensional accuracy were not satisfactory.
Claims (9)
クの製造方法において、少なくとも片面にレジスト層が
塗布された電極基材の片面のレジスト層のみをパターニ
ングし、他面の基材面又はその上に塗布されパターニン
グされていないレジスト層を耐エッチング性があり補強
性のある樹脂層で覆い、レジスト層がパターニングされ
た片面のみにエッチングを施して、該基材を腐食貫通さ
せて作成することを特徴とするシャドーマスクの製造方
法。1. A method of manufacturing a shadow mask having a plate thickness of 20 to 80 μm, in which at least one side of a resist layer coated with a resist layer on at least one side is patterned, and the other side of the substrate surface or its surface is formed. It is prepared by covering the uncoated resist layer coated on the surface with a resin layer having etching resistance and reinforcing property, and etching only one side where the resist layer is patterned to corrode and penetrate the substrate. A method for manufacturing a shadow mask, comprising:
クの製造方法において、少なくとも片面にレジスト層が
塗布された電極基材の片面のレジスト層のみをパターニ
ングし、他面の基材面又はその上に塗布されパターニン
グされていないレジスト層を補強性のある樹脂層で覆
い、該樹脂層を耐エッチング性がある粘着性フィルムで
覆い、レジスト層がパターニングされた片面のみにエッ
チングを施して、該基材を腐食貫通させて作成すること
を特徴とするシャドーマスクの製造方法。2. A method for manufacturing a shadow mask having a plate thickness of 20 to 80 μm, wherein only one side of a resist layer of an electrode base material coated with a resist layer on at least one side is patterned and the other side of the base surface or its surface is patterned. The resist layer coated on top and not patterned is covered with a resin layer having a reinforcing property, the resin layer is covered with an adhesive film having etching resistance, and etching is performed only on one side where the resist layer is patterned, A method for manufacturing a shadow mask, which is characterized in that it is formed by corroding a base material.
クの製造方法において、少なくとも片面にレジスト層が
塗布された電極基材の片面のレジスト層のみをパターニ
ングし、他面の基材面又はその上に塗布されパターニン
グされていないレジスト層を耐エッチング性があり補強
性のある粘着性フィルムで覆い、レジスト層がパターニ
ングされた片面のみにエッチングを施して、該基材を腐
食貫通させて作成することを特徴とするシャドーマスク
の製造方法。3. A method for manufacturing a shadow mask having a plate thickness of 20 to 80 μm, wherein only one side of a resist layer of an electrode base material coated with a resist layer on at least one side is patterned, and the other side base material surface or its surface is formed. It is prepared by covering the non-patterned resist layer coated on the surface with an adhesive film having etching resistance and reinforcing property, and etching only one side where the resist layer is patterned to corrode and penetrate the substrate. A method for manufacturing a shadow mask, comprising:
て、樹脂層がアルカリ可溶性の樹脂からなることを特徴
とするシャドーマスクの製造方法。4. The method of manufacturing a shadow mask according to claim 1, wherein the resin layer is made of an alkali-soluble resin.
て、樹脂層が溶剤可溶型樹脂からなることを特徴とする
シャドーマスクの製造方法。5. The method for manufacturing a shadow mask according to claim 1, wherein the resin layer is made of a solvent-soluble resin.
て、樹脂層が紫外線硬化型樹脂からなることを特徴とす
るシャドーマスクの製造方法。6. The method of manufacturing a shadow mask according to claim 1, wherein the resin layer is made of an ultraviolet curable resin.
て、樹脂層がホットメルト型樹脂からなることを特徴と
するシャドーマスクの製造方法。7. The method of manufacturing a shadow mask according to claim 1, wherein the resin layer is made of hot-melt type resin.
て、粘着性フィルムが耐酸性粘着フィルムからなること
を特徴とするシャドーマスクの製造方法。8. The method for producing a shadow mask according to claim 2, wherein the adhesive film is an acid resistant adhesive film.
スクであることを特徴とする請求項１から８の何れか１
項記載のシャドーマスクの製造方法。9. The shadow mask according to claim 1, wherein the shadow mask is a slit-shaped shadow mask.
A method for manufacturing a shadow mask according to the item.
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