KR100260965B1 - 증폭기와그증폭기를사용한휴대전화기 - Google Patents

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가타오카 마사타카
알프스 덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 상이한 주파수에 대응하여 공진 회로가 별개로 구성됨과 동시에, 트랜지스터의 접지 단자의 바이패스 캐패시터가 각각의 주파수로 적절하게 전환되도록 하는 것을 목적으로 한다.
증폭용 트랜지스터의 출력 단자에 접속되는 병력 공진 회로용의 직렬 접속된 2개의 캐패시터를 높은 쪽의 주파수에 대한 공진 캐패시터로서 사용하고, 낮은 쪽의 주파수에 대해서는, 2개의 캐패시터 중 그라운드 측 캐패시터가 트랜지스터의 접지 단자를 고주파적으로 접지하는 바이패스 캐패시터로서 사용됨과 동시에, 그 주파수에서는 2개의 캐패시터 중 나머지 1개를 공진 캐패시터로 한다.

Description

증폭기 및 그 증폭기를 사용한 휴대 전화기{AMPLIFIER AND PORTABLE TELEPHONE APPARATUS USING THE SAME}
본 발명은 발진 신호의 증폭기, 더욱 구체적으로는 수신부의 국부 발진 신호 혹은 송신부의 반송파 신호를 증폭하는 증폭기 및 이 증폭기를 사용한 휴대 전화기에 관한 것이다.
휴대 전화기에서 사용되는 통신 주파수대는 통신 방식에 따라 다르기 때문에, 예컨대 PDC (퍼스널 디지털 셀룰러) 시스템에서는 800 MHz 대와 1600 MHz 대가 사용되고 있다. 이들 주파수대는 지역에 따라 나뉘어 사용되고 있으며, 예를 들면 800 MHz 대의 전화기를 휴대한 사람이 먼 지역으로 이용하였을 경우, 그곳이 1600 MHz 대의 방식을 채택하고 있으면 사용할 수 없게 된다. 따라서, 쌍방의 방식에 대응할 수 있는 휴대 전화기 요망되어지고 있다.
도 3 은 종래 휴대 전화기의 수신부의 구성 중 일부를 나타낸다. 1 은 안테나, 2 는 수신 신호의 증폭기, 3 은 혼합기, 4 및 5 는 국부 발진 신호를 발생시키는 국부 발진기 (이하, 간단히 발진기라 함), 6 은 국부 발진 신호를 증폭하는 증폭기이다. 상기 구성에서, 안테나 (1) 로 수신된 수신 신호는 증폭기 (2) 로 증폭된 후에 혼합기 (3) 로 안내되어, 혼합기 (3) 에서 증폭기 (6) 를 통하여 입력된 국부 발진 신호와 혼합되어 중간 주파 신호로 주파수 변환된다. 발진기 (4 및 5) 는 도시하지 않은 PLL 회로에 의하여 제어되는 전압 제어 발신기로서, 각각 상이한 주파수, 예를 들면 800 MHz, 1600 MHz 로 발진한다. 증폭기 (6) 는 증폭용 트랜지스터 (7) 와 병렬 공진 회로 (8) 를 가진다. 트랜지스터 (7) 는 입력 단자로 되는 베이스 (9), 출력 단자로 되는 콜렉터 (10), 고주파적으로 접지 단자로 되는 에미터 (11) 를 가진다. 12 및 13 은 베이스 바이어스 저항, 14 는 에미터 바이어스 저항, 15 는 에미터 (11) 를 고주파적으로 접지하는 바이패스 캐패시터, 16 은 전원 라인 (17) 의 디커플링 캐패시터이다.
마이크로 스트립 라인 (18) 과 캐패시터 (19) 각각의 일단에는 콜렉터 (10) 가 접속되며, 다른 단자에는 각각 전원 라인 (17) 과 그라운드에 접속되어 있고, 마이크로 스트립 라인 (18) 과 캐패시터 (19) 로 병렬 공진 회로 (8) 를 구성하고 있다. 여기서, 마이크로 스트립 라인 (18) 은 인덕턴스로서 작용한다. 전원 라인 (17) 에는 전원 단자 (20) 를 통하여 전압 (Vcc) 이 인가되어 있다. 전원 라인 (17) 과 그라운드는 고주파적 신호에 대하여 동전위 (同電位) 로 되어 있다. 그리고, 21 및 22 는 각각 증폭기 (6) 의 입력 및 출력의 결합 캐패시터, 23 은 발진기 (4 및 5) 중 어느 하나의 국부 발진 신호를 선태하는 스위칭 수단이다.
발진기 (4 및 5) 로부터의 발진 출력은 그 중 어느 일측이 스위칭 수단 (23) 으로 선택되어, 다음 단계의 증폭기 (6) 로 증폭되고, 다시 다음 혼합기 (3) 에서 증폭기 (2) 로부터의 수신 신호와 혼합됨으로써 주파수 변환되어 후단의 검파 회로등으로 출력된다.
여기서, 증폭기 (6) 는 상이한 주파수 800MHz 및 1600MHz 쌍방의 발진 신호를 증폭할 필요가 있지만, 800MHz 에서 1600MHz 까지의 광대역에서 증폭시키기가 어렵기 때문에, 동조(同調) 증폭기로 구성되어 있다. 따라서, 마이크로 스트립 라인 (18) 과 캐패시터 (19) 에 의한 병렬 공진 회로 (8) 의 공진 주파수는 800MHz 와 1600MHz 의 거의 중간, 예를 들면, 1200 MHz 로 설정되어 있다. 그 결과, 이 증폭기 (6) 는 1200 MHz 에 대해서는 최대의 증폭도 (이득) 를 얻을 수 있지만, 실제로 사용하는 주파수인 800MHz 또는 1600MHz 에서는 1200MHz 보다 증폭도가 낮다.
도 4 에 제 2 종래예를 나타낸다. 도 4 에서 24 및 25 는 각각 발진기 (4 및 5) 의 국부 발진 신호를 전용으로 증폭하는 증폭기, 26 은 증폭기 (24 및 25) 중 어느 일측의 출력신호를 선택하는 스위칭 수단이다. 이 종래예의 경우, 증폭기 (24) 는 발진기 (4) 의 800MHz, 25 는 발진기 (5) 의 1600 MHz 의 주파수에 동조하는 병렬 공진 회를 각각 가지고 있으며, 회로 구성은 기본적으로 도 3 의 증폭기 (6) 과 동일하다. 이와 같이 함으로써, 각각의 주파수에 대하여 적절한 공진 회로를 구비한 증폭기를 구성할 수 있게 된다.
이상의 2 가지 종래예에서는 다음과 같은 문제가 있다. 우선, 제 1 종래예에서는 증폭기 (6) 를 주파수가 상이한 2개의 발진기 (4 및 5) 의 발진 신호의 증폭기로서 공용하기 때문에, 병렬 공진 회로의 공진 주파수는 상술한 바와 같이 발진기 (4 및 5) 각각의 발진 주파수의 거의 중간인 주파수 1200MHz 로 설정되어 있다. 따라서, 증폭기 (6) 는 800MHz, 1600MHz 에서는 증폭도 (이득) 가 최대 증폭도보다 저하된 상태에서 사용하게 되므로, 충분한 증폭도를 얻을 수 없다는 문제가 있다.
또, 바이패스 캐패시터 (15) 는 종래의 경우라면 취급하는 주파수가 낮은 800MHz에서 바이어스 저항 (14) 의 저항치에 대하여 저항치에 값이 충분히 작아지는 용량치의 것을 사용하면 되지만, 이와 같은 캐패시터를 사용하면 높은 주파수 1600MHz 에서는 캐패시터의 전극이 가지는 인덕턴스에 의해 리액턴스가 커져서 바이패스 효과가 저하된다. 따라서, 실제로 바이패스 캐패시터 (15) 는 1200MHz에 자기 공진 주파수를 가지는 것을 선택함으로써 중간적인 성능을 얻고 있다.
즉,캐패시터는 전극이 가지는 인덕턴스의 영향으로, 일반적으로 도 5 의 리액턴스 특성도에 나타낸 바와 같이 대용량치의 것 (C1) 은 자기 공진 주파수가 낮고 (예를 들면, 800MHz), 소용량치의 것 (C2) 은 자기 공진 주파수가 높아 (예를 들면, 1600MHz) 진다. 따라서, 이 종래예에서는 전술한 병렬 공진 회로와 마찬가지로 1200MHz 에 자기 공진 주파수를 가지는 캐패시터 (C3) 를 바이패스 캐패시터 (15) 로서 사용하게 된다. 이 때문에, 800MHz 또는 1600MHz 에서는 용량에 의한 리액턴스 또는 전극의 인덕턴스에 의한 리액턴스를 무시할 수 없으며, 증폭기에 부궤환 (negative feedback) 이 걸림으로써, 증폭도가 더욱 저하된다는 문제가 있다. 따라서, 혼합기 (3) 에 충분한 레벨의 국부 발진 신호를 보낼 수 없으므로 혼합기의 주파수 변환 이득이 저하된다는 문제가 있다.
또한, 제 2 종래예에 있어서, 증폭기 (24 및 25) 는 발진기 (4 및 5) 에 대하여 각각 전용으로 사용되고 있기 때문에, 상기 제 1 종래예에서와 같은 문제는 나타나지 않지만, 증폭기가 2개 필요하게 되어 경제적으로 불리해진다는 문제가 있다. 그리고, 증폭기를 2개 사용하기 때문에 휴대 전화기의 소형화, 경량화를 저해한다는 문제도 발생한다.
도 1 은 본 발명에 관한 증폭기 및 휴대 전화기의 제 1 실시예를 나타내는 회로 구성도.
도 2 는 본 발명에 관한 증폭기의 제 2 실시예를 나타내는 회로 구성도.
도 3 은 종래 휴대 전화기의 수신부의 일부를 나타내는 회로 구성도.
도 4 는 종래 국부 발진기와 증폭기의 접속을 나타내는 회로 구성도.
도 5 는 캐패시터의 리액턴스 특성을 나타내는 특성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 안테나
2 : 증폭기
3 : 혼합기
4, 5 : 국부 발진기
6 : 증폭기
7 : 증폭용 트랜지스터
8, 36, 37 : 병렬 공진 회로
9 : 베이스
10 : 출력 단자 (콜렉터)
11 : 접지 단자 (에미터)
15, 34 : 바이패스 캐패시터
18, 31 : 마이크로 스트립 라인
19, 32, 33 : 캐패시터
23, 26 : 스위칭 수단
35 : 스위칭 수단
따라서, 본 발명에서는 상기 문제를 해결하기 위하여, 증폭용 트랜지스터와, 상기 증폭용 트랜지스터의 출력 단자에 일단이 접속된 병렬 공진 회로로서, 직렬 접속된 2개 이상의 캐패시터를 포함하는 병렬 공진 회로와, 상기 트랜지스터의 접지 단자와 그라운드 사이에 접속된 바이패스 캐패시터와, 상기 2개의 캐패시터의 접속점과 그라운드 또는 상기 접지 단자를 접속 상태 및 비접속 상태 중 어느 일측으로 전환하는 개폐 수단으로 이루어지고, 상기 2개의 캐패시터 중 그라운드 측 캐패시터를 주파수가 낮은 제 1 주파수에 대하여 충분히 작은 리액턴스로 하고, 상기 바이패스 캐패시터를 주파수가 높은 제 2 주파수에 대하여 충분히 작은 리액턴스로 하여 증폭기를 구성한다.
또, 이 증폭기를 개폐 수단의 전환에 대응하여 주파수가 상이한 발진기에 택일적으로 접속하도록 하여 휴대 전화기를 구성한다.
본 발명은 공진 주파수를 결정하는 캐패시터를 2개 이상으로 구성하여, 서로 다른 2개의 주파수에 대응하여 캐패시터를 1개 또는 2개를 사용하도록 하고 있다. 또한, 2개의 캐패시터 중 1개를 일측 주파수에 있어서 증폭용 트랜지스터의 접지 단자를 고주파적으로 접지하는 바이패스 캐패시터로서 사용하도록 한다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 1 은 본 발명의 증폭기를 휴대 전화기에 적용한 제 1 실시예를 나타내는 것으로서, 도 3 과 동일한 구성 부분에는 동일한 번호를 붙이고, 그 설명을 생략한다. 도 1 에 있어서, 30 은 본 발명의 증폭기이다. 31 은 마이크로 스트립라인, 32 및 33 은 캐패시터, 34 는 트랜지스터 (7) 의 접지 단자인 에미터 (11) 의 바이패스 캐패시터, 35는 스위칭 수단이다. 마이크로 스트립 라인 (31) 은 트랜지스터 (7) 으 출력 단자인 콜렉터 (10) 와 전원 라인 (17) 사이에 접속되고, 캐패시터 (32 및 33) 는 직렬 접속됨과 동시에 콜렉터 (10) 와 에미터 (11) 사이에 접속되어 있다. 스위칭 수단 (35) 은 2개의 캐패시터 (32 및 33) 의 접속점과 그라운드 사이에 설치되어 있으며, 상기 스위칭 수단 (35) 이 열린 (비접속) 상태에서는, 직렬 접속된 캐패시터 (32 및 33) 가 바이패스 캐패시터 (34) 를 통하여 그라운드에 접속되기 때문에, 2개의 캐패시터 (32 및 33) 가 마이크로 스트립 라인 (31) 과 함께, 예를 들면 1600MHz 에 동조하는 병렬 공진 회로 (36) 를 구성하고 있다. 이 경우, 바이패스 캐패시터 (34) 는 상기 주파수에서 에미터 (11) 가 충분히 낮은 리액턴스로 그라운드에 접속되도록 그 용량치가 도 5 의 C2 와 같이 선택되어 있다. 스위칭 수단 (35) 이 닫친 (접속) 상태에서는 2개의 캐패시터의 접속점은 그라운드에 접속되며, 캐패시터 (32) 는 마이크로 스트립 라인 (31) 과 함께 다른 주파수, 예를 들면 800MHz 에 동조하는 병렬 공진 회로 (37) 를 구성한다. 이 때, 캐패시터 (33) 는 에미터 (11) 와 그라운드 사이에 접속된다. 캐패시터 (33) 의 용량치는 800MHz 에서는 충분히 작은 리액턴스로 되도록 도 5 의 C1 과 같이 선택되어 있기 때문에, 에미터 (11) 는 800MHz 로 고주파적으로 접지된다. 즉, 이 경우, 캐패시터 (33) 는 바이패스 캐패시터의 역할을 한다.
여기서, 공진 회로를 구성하는 마이크로 스트립 라인 (31), 2개의 캐패시터 (32 및 33), 바이패스 캐패시터 (34) 의 설정법은 다음과 같다. 우선, 높은 주파수 1600MHz 에 자기 공진 주파수를 가지는 캐패시터 (도 5 의 C2 에 상당) 를 바이패스 캐패시터 (34) 로서 설정한다. 이어서, 낮은 주파수 800MHz 에 자기 공진 주파수를 가지는 캐패시터 (도 5 의 C1 에 해당) 를 직렬 접속된 2개의 캐패시터 중 그라운드 측 캐패시터 (33) 로서 설정한다. 다른 캐패시터 (32) 의 용량치와 마이크로 스트립 라인 (31) 의 인덕턴스 값은 다음 2개의 식에 의하여 구해진다.
Figure pat00001
Figure pat00002
단, 여기서 Fh 는 높은 쪽의 주파수, Fl 은 낮은 쪽의 주파수, C32는 캐패시터 (32) 의 용량치, C33은 캐패시터 (33) 의 용량치, L 은 마이크로 스트립 라인 (31) 의 인덕턴스 값이다. 실제로는, 프린트 기판상의 배선 도체 길이를 고려하여 용량치를 결정하여야 하지만, 이 수학식을 근거로 캐패시터의 용량치를 구하고, 실험에 의하여 수정한 결과, 캐패시터 (32,33 및 34) 의 값은 각각 47Pf, 18Pf 및 10Pf 로 되었다. 그리고, 여기에서는 소위 칩 캐패시터라 불리는 리드리스 (leadless) 형 적층 캐패시터를 사용하고 있다. 그 이유는 이러한 종류의 캐패시터는 용량치의 대소에 관계없이 일정한 외형 치수로 제조되어 있으며, 따라서 전극의 치수도 일정해서 전극이 가지는 인덕턴스가 거의 일정하기 때문에, 용량치와 자기 공진 주파수가 일정한 관계에 있으므로 (용량치가 커지면 자기 공진 주파수가 낮아진다), 특히, 에미터에 접속되는 바이패스용 캐패시터 (C33및 C34) 에 사용하는 경우에 용량치를 쉽게 설정할 수 있기 때문이다.
도 2 는 본 발명에 관한 증폭기의 제 2 실시예를 나타내며, 도 1 의 구성과는 캐패시터 (33) 와 스위칭 수단 (35) 이 설치되는 위치가 반대로 되어 있다는 점에서 상이하다. 즉, 마이크로 스트립 라인 (31) 은 콜렉터 (10) 와 전원 라인 (17) 사이에 접속되고, 직렬 접속된 2개의 캐패시터 (32 및 33) 는 콜렉터 (10) 와 그라운드 사이에 접속되어 있다. 그리고, 2개의 캐패시터 (32 및 33) 의 접속점은 스위칭 수단 (35) 을 통하여 에미터 (11) 에 접속되어 있다. 이 실시예에서도 스위칭 수단 (35) 이 열린 상태에서는 캐패시터 (32 및 33) 가 마이크로 스트립 라인 (31) 과 함께 높은 쪽의 주파수의 공진 회로 (36) 를 구성한다. 스위칭 수단 (35) 이 닫친 상태에서는 에미터 (11) 가 캐패시터 (33) 를 통하여 그라운드와 접속되어, 캐패시터 (32) 만이 마이크로 스트립 라인 (31) 과 함께 낮은 쪽의 주파수의 공진 회로 (37) 를 구성한다.
이상 2 가지 실시예에서도 스위칭 수단 (35) 의 개폐에 대응하여 스위칭 수단 (23) 에 의해 발진기 (4 또는 5) 중 어느 하나를 택일적으로 선택하도록 하여 주파수가 상이한 국부 발진 신호를 최대의 증폭도로 증폭할 수 있다. 이 경우, 스위칭 수단 (35) 와 스위칭 수단 (23) 을 연동하도록 하여 두면, 발진기의 선택과 증폭기의 공진 회로의 전환 및 에미터 (11) 와 그라운드 사이에 접속되는 바이패스용 캐패시터의 전환을 동시에 실시할 수 있다. 그리고, 지금까지의 실시예에서는 4 및 5 의 2개의 발진기를 구비한 구성으로 설명하였으나, 1개의 발진기만으로 PLL 회로의 제어에 의하여 발진 주파수만을 전환하도록 함으로써, 이 전환을 스위칭 수단 (23) 과 쉽게 연동시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 있어서는, 직렬 접속된 2개의 캐패시터의 접속점을 주파수가 상이한 경우에 고주파적으로 접지함과 동시에, 2개의 캐패시터 중 그라운드 측 캐패시터를 낮은 쪽의 주파수로 트랜지스터의 에미터의 바이패스용 캐패시터로서 충분히 작은 리액턴스로 되도록 설정하고 있기 때문에, 상이한 주파수에 대해서도 1개의 증폭기로 충분한 증폭도를 얻을 수 있다.
그리고, 상기 2개의 실시예에서는, 수신부의 주파수 변환용으로서 사용하는 국부 발진 신호의 증폭기에 대하여 설명하였지만, 본 발명에 의한 증폭기는 휴대 전화기의 다른 부분에도 사용할 수 있다. 예를 들면, 반송파 발진기의 증폭기로서 사용하면, 방식의 차이로 인하여 반송파의 주파수가 달라져도 1개의 증폭기로 대응할 수 있게 된다. 또한, 수신 신호의 증폭기로서 사용하여도 마찬가지로 1개의 증폭기로 대응할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 의하면, 증폭용 트랜지스터와, 상기 증폭용 트랜지스터의 출력 단자에 일단이 접속된 병렬 공진 회로로서, 직렬 접속된 2개 이상의 캐패시터를 포함하는 병렬 공진 회로와, 상기 트랜지스터의 접지 단자와 그라운드 사이에 접속된 바이패스 캐패시터와, 상기 2개의 캐패시터의 접속점과 그라운드 또는 상기 접지 단자를 접속 상태 및 비접속 상태 중 어느 일측으로 전환하는 개폐 수단으로 이루어지고, 상기 2개의 캐패시터 중 그라운드 측 캐패시터를 주파수가 낮은 제 1 주파수에 대하여 충분히 작은 리액턴스로 하고, 상기 바이패스 캐패시터를 주파수가 높은 제 2 주파수에 대하여 충분히 작은 리액턴스로 하여 증폭기를 구성하였기 때문에, 1개의 증폭기에 의해 증폭용 트랜지스터의 출력 단자에 접속되는 병렬 공진 회로와 접지 단자에 접속되는 바이패스 캐패시터가 상이한 2개의 주파수에 대응하여 전환되므로 각각의 주파수에 충분한 증폭도를 얻을 수 있다.
또 본 발명에 의하면, 상기 증폭기가 상기 개폐 수단이 접속 상태일 때에는 상이한 주파수의 발진 신호를 출력하는 2개의 발진기 중 상기 제 1 주파수의 신호를 출력하는 제 1 발진기에 접속되고, 상기 개폐 수단이 비접속 상태일 때에는 상기 제 2 주파수의 신호를 출력하는 제 2 발진기에 택일적으로 접속되기 때문에, 연동하여 필요한 쪽의 발진 신호를 증폭할 수 있다.
또한, 바이패스 캐패시터 및 2개의 직렬 접속된 캐패시터 중 그라운드 측 캐패시터를 리드리스형 적층 캐패시터로 함으로써, 에미터의 바이패스 캐패시터의 용량치를 용이하게 설정할 수 있게 된다.
그리고, 본 발명에 의한 증폭기를 사용하여 휴대 전화기를 구성하면, 통신 방식 등의 차이로 인하여 사용하는 주파수가 달라져도 주파수마다 증폭기를 설치할 필요가 없으며, 또한 주파수가 달라져도 높은 증폭도를 얻을 수 있으므로, 소형 경량이고 경제적으로 뛰어난 휴대 전화기를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 휴대 전화기는 국부 발진기의 증폭용으로서 사용하는 1개의 증폭기만으로 상이한 주파수 중 어느 한 쪽으로도 충분한 증폭도를 가지도록 내부의 회로가 전환되도록 되어 있으며, 또한 증폭기의 전환과 국부 발진기의 주파수 전환이 연동하여 동시에 이루어지기 때문에, 통신 방식이 달라져서 수신 주파수가 변한 경우라도 특별한 부가적 조작을 필요로 하지 않고 수신이 가능하며 또한 방식이 바뀌어도 주파수 변환 등의 특성이 손상되지 않으므로 매우 편리한 것으로 된다.

Claims (10)

  1. 입력 단자, 출력 단자 및 접지 단자를 갖는 증폭용 트랜지스터 (7);
    상기 증폭용 트랜지스터 (7) 의 출력 단자에 접속된 제 1 단부를 갖고, 또한 제 2 단부를 갖는 제 1 공진 캐패시터 (32);
    상기 증폭용 트랜지스터 (7) 의 접지 단자 및 상기 제 1 공진 캐패시터 (32) 의 제 2 단부 사이에 접속된 제 2 공진 캐패시터 (33);
    상기 증폭용 트랜지스터 (7) 의 접지 단자 및 접지 사이에 접속된 바이패스 캐패시터 (34); 및
    상기 제 1 공진 캐패시터 (32) 의 제 2 단부와 접지 사이에 접속되어 그 사이의 접속을 활성화 및 비활성화시키는 스위칭 수단 (35) 을 구비하는 것을 특징으로 하는, 상이한 주파수를 갖고 교대로 입력되는 제 1 및 제 2 발진 신호를 증폭하는 증폭기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭 수단 (35) 은 상기 제 1 및 제 2 발진 신호 중 보다 낮은 주파수를 갖는 제 1 발진 신호가 상기 증폭기에 입력되는 경우 상기 접속을 활성화하고, 상기 제 1 및 제 2 발진 신호 중 보다 높은 주파수를 갖는 제 2 발진 신호가 상기 증폭기에 입력되는 경우 상기 접속을 비활성화시키는 것을 특징으로 하는 증폭기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 공진 캐패시터 (33) 및 상기 바이패스 캐패시터 (34) 는 리드리스형 적층 캐패시터이며,
    상기 제 2 공진 캐패시터 (33) 의 리액턴스는 상기 제 1 및 제 2 발진 신호중 보다 낮은 주파수를 갖는 제 1 발진 신호에 대하여 충분히 낮고;
    상기 바이패스 캐패시터 (34) 의 리액턴스는 상기 제 1 및 제 2 발진 신호 중 보다 높은 주파수를 갖는 제 2 발진 신호에 대하여 충분히 낮은 것을 특징으로 하는 증폭기.
  4. 입력 단자, 출력 단자 및 접지 단자를 갖는 증폭용 트랜지스터 (7);
    상기 증폭용 트랜지스터 (7) 의 출력 단자에 접속된 제 1 단부를 갖고, 또한 제 2 단부를 갖는 제 1 공진 캐패시터 (32);
    상기 증폭용 트랜지스터 (7) 의 접지 단자 및 상기 제 1 공진 캐패시터 (32) 의 제 2 단부 사이에 접속된 제 2 공진 캐패시터 (33);
    상기 증폭용 트랜지스터 (7) 의 접지 단자 및 접지 사이에 접속된 바이패스 캐패시터 (34); 및
    상기 제 1 공진 캐패시터 (32) 의 제 2 단부와 접지 사이에 접속되어 그 사이의 접속을 활성화 및 비활성화시키는 스위칭 수단 (35) 을 구비하는 것을 특징으로 하는, 상이한 주파수를 갖고 교대로 입력되는 제 1 및 제 2 발진 신호를 증폭하는 증폭기를 구비하는 것을 특징으로 하는 휴대 전화기.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상이한 주파수를 갖는 상기 제 1 및 제 2 발진 신호를 교대로 출력하는 발진기 (4 및 5); 및
    상기 증폭기로부터 출력된 신호를 사용함으로써 수신된 신호의 주파수를 변환하는 혼합기 (3) 를 구비하는 것을 특징으로 하는 휴대 전화기.
  6. 입력 단자, 출력 단자 및 접지 단자를 갖는 증폭용 트랜지스터 (7);
    상기 증폭용 트랜지스터 (7) 의 출력 단자에 접속된 제 1 단부를 갖고, 또한 제 2 단부를 갖는 제 1 공진 캐패시터 (32);
    상기 제 1 공진 캐패시터 (32) 의 제 2 단부와 접지 사이에 접속된 제 2 공진 캐패시터 (33);
    상기 증폭용 트랜지스터 (7) 의 접지 단자 및 접지 사이에 접속된 바이패스 캐패시터 (34); 및
    상기 증폭용 트랜지스터 (7) 의 접지 단자 및 상기 제 1 공진 캐패시터 (32) 의 제 2 단부 사이에 접속되어 그 사이의 접속을 활성화 및 비활성화시키는 스위칭 수단 (35) 을 구비하는 것을 특징으로 하는, 상이한 주파수를 갖고 교대로 입력되는 제 1 및 제 2 발진 신호를 증폭하는 증폭기를 구비하는 것을 특징으로 하는 휴대 전화기.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상이한 주파수를 갖는 상기 제 1 및 제 2 발진 신호를 교대로 출력하는 발진기 (4 및 5); 및
    상기 증폭기로부터 출력된 신호를 사용함으로써 수신된 신호의 주파수를 변환하는 혼합기 (3) 를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 휴대 전화기.
  8. 입력 단자, 출력 단자 및 접지 단자를 갖는 증폭용 트랜지스터 (7);
    상기 증폭용 트랜지스터 (7) 의 출력 단자에 접속된 제 1 단부를 갖고, 또한 제 2 단부를 갖는 제 1 공진 캐패시터 (32);
    상기 제 1 공진 캐패시터 (32) 의 제 2 단부와 접지 사이에 접속된 제 2 공진 캐패시터 (33);
    상기 증폭용 트랜지스터 (7) 의 접지 단자 및 접지 사이에 접속된 바이패스 캐패시터 (34); 및
    상기 증폭용 트랜지스터 (7) 의 접지 단자 및 상기 제 1 공진 캐패시터 (32) 의 제 2 단부 사이에 접속되어 그 사이의 접속을 활성화 및 비활성화시키는 스위칭 수단 (35) 을 구비하는 것을 특징으로 하는, 상이한 주파수를 갖고 교대로 입력되는 제 1 및 제 2 발진 신호를 증폭하는 증폭기.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 스위칭 수단 (35) 은 상기 제 1 및 제 2 발진 신호 중 보다 낮은 주파수를 갖는 제 1 발진 신호가 상기 증폭기에 입력되는 경우 상기 접속을 활성화시키고, 상기 스위칭 수단 (35) 은 상기 제 1 및 제 2 발진 신호 중 보다 높은 주파수를 갖는 제 2 발진 신호가 상기 증폭기에 입력되는 경우 상기 접속을 비활성화시키는 것을 특징으로 하는 증폭기.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 공진 캐패시터 (33) 및 상기 바이패스 캐패시터 (34) 는 리드리스형 적층 캐패시터이며,
    상기 제 2 공진 캐패시터 (33) 의 리액턴스는 상기 제 1 및 제 2 발진 신호중 보다 낮은 주파수를 갖는 제 1 발진 신호에 대하여 충분히 낮고;
    상기 바이패스 캐패시터 (34) 의 리액턴스는 상기 제 1 및 제 2 발진 신호 중 보다 높은 주파수를 갖는 제 2 발진 신호에 대하여 충분히 낮은 것을 특징으로 하는 증폭기.
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