JP2000332535A

JP2000332535A - 周波数帯域切換型電圧制御発振器

Info

Publication number: JP2000332535A
Application number: JP11135963A
Authority: JP
Inventors: Hironori Kobayashi; 浩紀小林
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1999-05-17
Filing date: 1999-05-17
Publication date: 2000-11-30

Abstract

(57)【要約】【課題】複数の周波数帯域の発振信号のレベルをそれ
ぞれ十分に大きくできる周波数帯域切換型電圧制御発振
器を提供する。【解決手段】複数の周波数帯域の発振信号を出力可能
な発振部１と、発振部１からの発振信号を増幅するバッ
ファ部２とを備え、バッファ部２は、発振信号を増幅す
るバッファトランジスタ１７と、バッファ部２の出力端
２４とグランドとをシャントする複数のインダクタンス
手段２６、２７と複数の静電容量手段２８、２９とを有
するリアクタンス回路２５とを備え、リアクタンス回路
２５は、発振部１の出力する複数の周波数帯域でそれぞ
れ並列共振し、発振部の出力する複数の周波数帯域の中
間の周波数で直列共振するようにしたので、発振部から
出力された各帯域の発振信号をバッファ部２で十分なレ
ベルに増幅できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の周波数帯域
の発振信号を出力可能な周波数帯域切換型電圧制御発振
器に関わり、特に、所望の出力レベルを得るためにバッ
ファ部を設けた周波数帯域切換型電圧制御発振器に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、二つの異なる携帯電話方式を一台
の携帯電話機で共用するものが考えられている。このよ
うな二方式共用型の携帯電話機は、例えば１．１ＧＨｚ
帯の発振信号と１．４ＧＨｚ帯の発振信号との複数の帯
域の発振信号を出力できる周波数帯域切換型電圧制御発
振器を必要とする。

【０００３】図６はこのような周波数帯域切換型電圧制
御発振器の回路図である。この周波数帯域切換型電圧制
御発振器は、負荷に対する安定性と所望の出力レベルを
得るために発振部５１にバッファ部５２が接続された構
成となっている。

【０００４】発振部５１は、コレクタ接地型の発振回路
であり、電源電圧（Ｖｃｃ）が印加された発振トランジ
スタ５３のコレクタは、コンデンサ５４によって高周波
的に接地され、ベースとエミッタとの間、及び、エミッ
タとグランドとの間にはそれぞれ帰還コンデンサ５５、
５６が接続される。そして、ベースとグランドとの間に
周波数可変部５７が接続される。

【０００５】周波数可変部５７は、クラップコンデンサ
５８、直流阻止コンデンサ５９、マイクロストリップラ
イン６０ａ、６０ｂ、マイクロストリップライン６０
ａ、６０ｂを切り換えるスイッチ６１、マイクロストリ
ップライン６０ａ、６０ｂ、に並列接続されるバラクタ
ダイオード６２からなる。マイクロストリップライン６
０ａ、６０ｂのインダクタンスは互いに異なっている。

【０００６】スイッチ６１によりマイクロストリップラ
イン６０ａ、６０ｂを切り換えることにより、例えば
１．１ＧＨｚ帯と１．４ＧＨｚ帯で発振可能となる。ま
た、チョークコイル６３からバラクタダイオード６２へ
印加する制御電圧（Ｖｔ）を変化させると、バラクタダ
イオード６２の容量が変化し、各周波数帯内での発振周
波数が連続的に変えられる。

【０００７】また、発振トランジスタ５３のエミッタと
グランドとの間には抵抗６４が接続されベースとグラン
ドとの間には抵抗６５が接続される。また、ベースには
抵抗６６を介して電源電圧（Ｖｃｃ）が供給される。抵
抗６４はエミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッ
タバイアス抵抗となり、抵抗６５、６６はベースにバイ
アス電圧を与えるためのベースバイアス抵抗となってい
る。

【０００８】バッファ部５２は、エミッタ接地型の増幅
回路であり、バッファトランジスタ６７のエミッタがコ
ンデンサ６８によって高周波的に接地され、エミッタと
グランドとの間には抵抗６９が接続され、コレクタとグ
ランドとの間には抵抗７０が接続され、ベースとグラン
ドとの間には抵抗７１が接続される。また、ベースには
抵抗７２を介して電源電圧（Ｖｃｃ）が供給される。抵
抗６９はエミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッ
タバイアス抵抗となり、抵抗７０はコレクタにバイアス
電圧を与えるためのコレクタバイアス抵抗となり、抵抗
７１、７２はベースにバイアス電圧を与えるためのベー
スバイアス抵抗となっている。

【０００９】バッファトランジスタ６７のコレクタは、
直流阻止コンデンサ７３を介してバッファ部５２の出力
端７４と接続されている。コレクタには、並列共振回路
７５中のマイクロストリップライン７６を介して電源電
圧（Ｖｃｃ）が供給されている。並列共振回路７５は、
マイクロストリップライン７６とコンデンサ７７とから
なっており、それぞれの一端は、バッファトランジスタ
６７のコレクタに接続され、コンデンサ７７の他端は接
地され、マイクロストリップライン７６の他端は、コン
デンサ７８を介して高周波的に接地されている。

【００１０】並列共振回路７５の共振周波数は、発振部
５１から出力される複数の帯域の発振信号の中間の周波
数となるように設定されている。例えば１．１ＧＨｚ帯
の発振信号と１．４ＧＨｚ帯の発振信号が発振部５１か
ら出力される場合にはその中間の１．２５ＧＨｚで共振
するように設定される。従って、この並列共振回路７５
をを備えたバッファ部５２の周波数特性は図７のように
なる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、発振部５１か
ら出力される複数の帯域の発振信号の周波数が、並列共
振回路７５の共振周波数から離れるので、必要とする帯
域での発振信号のレベルを大きくできなかった。特に発
振帯域間が互いに大きく離れていた場合には、それぞれ
の周波数帯域で出力される発振信号をバッファ部５２で
十分に増幅できず、周波数帯域切換型電圧制御発振器の
出力のレベルを大きくできなかった。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の周波数帯域切換型電圧制御発振器は、複数
の周波数帯域で発振信号を出力可能な発振部と、前記発
振部からの発振信号を増幅するバッファ部とを備え、前
記バッファ部は、増幅された前記発振信号をコレクタ側
から出力するバッファトランジスタと、複数のインダク
タンス手段と複数の静電容量手段とから構成されて、前
記バッファトランジスタのコレクタ側をグランドにシャ
ントするリアクタンス回路とを有し、前記リアクタンス
回路が、前記発振部の出力する前記複数の周波数帯域で
それぞれ並列共振し、前記複数の周波数帯域の間の周波
数で直列共振するように前記インダクタンス手段及び前
記静電容量手段の定数を設定した。

【００１３】また、本発明の実施の形態の具体例におい
て、周波数帯域切換型電圧制御発振器のリアクタンス回
路の前記複数のリアクタンス手段は、少なくとも第一の
インダクタンス手段と第二のインダクタンス手段とから
なり、前記複数の静電容量手段は、少なくとも第一の静
電容量手段と第二の静電容量手段とからなり、前記第一
のインダクタンス手段と前記第一の静電容量手段とで並
列共振回路を構成し、前記第二のインダクタンス手段を
前記並列共振回路に直列に接続して直並列共振回路を構
成し、前記第二の静電容量手段を前記直並列共振回路に
並列に接続してリアクタンス回路を構成した。

【００１４】また、本発明の実施の形態の具体例におい
て、周波数帯域切換型電圧制御発振器のリアクタンス回
路の前記複数のリアクタンス手段は、少なくとも第一の
インダクタンス手段と第二のインダクタンス手段とから
なり、前記複数の静電容量手段は、少なくとも第一の静
電容量手段と第二の静電容量手段とからなり、前記第一
のインダクタンス手段と前記第一の静電容量手段とで並
列共振回路を構成し、前記第二の静電容量手段を前記並
列共振回路に直列に接続して直並列共振回路を構成し、
前記第二のインダクタンス手段を前記直並列共振回路に
並列に接続してリアクタンス回路を構成した。

【００１５】また、本発明の実施の形態の具体例におい
て、周波数帯域切換型電圧制御発振器のリアクタンス回
路の前記複数のリアクタンス手段は、少なくとも第一の
インダクタンス手段と第二のインダクタンス手段とから
なり、前記複数の静電容量手段は、少なくとも第一の静
電容量手段と第二の静電容量手段とからなり、前記第一
のインダクタンス手段と前記第一の静電容量手段とで第
一の並列共振回路を構成し、前記第二のインダクタンス
手段と前記第二の静電容量手段とで第二の並列共振回路
を構成し、前記第一の並列共振回路と前記第二の並列共
振回路とを直列に接続して、前記リアクタンス回路を構
成した。

【００１６】また、本発明の実施の形態の具体例におい
て、周波数帯域切換型電圧制御発振器のリアクタンス回
路の前記複数のリアクタンス手段は、少なくとも第一の
インダクタンス手段と第二のインダクタンス手段とから
なり、前記複数の静電容量手段は、少なくとも第一の静
電容量手段と第二の静電容量手段とからなり、前記第一
のインダクタンス手段と前記第一の静電容量手段とで並
列共振回路を構成し、前記第二のインダクタンス手段と
前記第二の静電容量手段とで直列共振回路を構成し、前
記並列共振回路に前記直列共振回路を並列接続して前記
リアクタンス回路を構成した。

【００１７】また、本発明の実施の形態の好適例におい
て、周波数帯域切換型電圧制御発振器は、前記第一また
は第二のインダクタンス手段の少なくとも一方を介して
前記バッファトランジスタに電源電圧を供給するもので
ある。

【００１８】

【発明の実施の形態】発振部１は、コレクタ接地型の発
振回路であり、電源電圧（Ｖｃｃ）が印加された発振ト
ランジスタ３のコレクタは、コンデンサ４によって高周
波的に接地され、ベースとエミッタとの間、及び、エミ
ッタとグランドとの間にはそれぞれ帰還コンデンサ５、
６が接続される。そして、ベースとグランドとの間に周
波数可変部７が接続される。

【００１９】周波数可変部７は、クラップコンデンサ
８、直流阻止コンデンサ９、マイクロストリップライン
１０ａ、１０ｂ、マイクロストリップライン１０ａ、１
０ｂを切り換えるスイッチ１１、マイクロストリップラ
イン１０ａ、１０ｂに並列接続されるバラクタダイオー
ド１２からなる。マイクロストリップライン１０ａ、１
０ｂのインダクタンスは互いに異なっている。

【００２０】スイッチ１１によりマイクロストリップラ
イン１０ａ、１０ｂを切り換えることにより、例えば
１．１ＧＨｚ帯と１．４ＧＨｚ帯との２つの異なる周波
数帯で発振可能となる。また、チョークコイル１３から
バラクタダイオード１２へ印加する制御電圧（Ｖｔ）を
変化させると、バラクタダイオード１２の容量が変化
し、各周波数帯での発振周波数が変えられる。

【００２１】また、発振トランジスタ３のエミッタとグ
ランドとの間には抵抗１４が接続されベースとグランド
との間には抵抗１５が接続される。また、ベースには抵
抗１６を介して電源電圧（Ｖｃｃ）が供給される。抵抗
１４はエミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッタ
バイアス抵抗となり、抵抗１５、１６はベースにバイア
ス電圧を与えるためのベースバイアス抵抗となってい
る。

【００２２】バッファ部２は、エミッタ接地型の増幅回
路であり、バッファトランジスタ１７のエミッタがコン
デンサ１８によって高周波的に接地され、エミッタとグ
ランドとの間には抵抗１９が接続され、コレクタとグラ
ンドとの間には抵抗２０が接続され、ベースとグランド
との間には抵抗２１が接続される。また、ベースには抵
抗２２を介して電源電圧（Ｖｃｃ）が供給される。抵抗
１９はエミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッタ
バイアス抵抗となり、抵抗２０はコレクタにバイアス電
圧を与えるためのコレクタバイアス抵抗となり、抵抗２
１、２２はベースにバイアス電圧を与えるためのベース
バイアス抵抗となっている。

【００２３】バッファトランジスタ１７のコレクタは、
直流阻止コンデンサ２３を介してバッファ部２の出力端
２４に接続されている。コレクタは、リアクタンス回路
２５によって高周波的にグランドにシャントされてい
る。リアクタンス回路２５は、互いに直列に接続された
マイクロストリップライン等のインダクタンス手段２
６、２７と、コンデンサ等の静電容量手段２８、２９と
によって構成され、バッファトランジスタ１７のコレク
タは第二のインダクタンス手段２７の一端に接続される
と共に、第二の静電容量手段２９によって接地され、ま
た、第二のインダクタンス手段２７の他端と第一のイン
ダクタンス手段２６の一端が接続され、その接続点が第
一の静電容量手段２８によって接地されている。更に、
第一のインダクタンス手段２６の他端はコンデンサ３０
によって高周波的に接地されている。そして、バッファ
トランジスタ１７のコレクタには第一のインダクタンス
手段２６及び第二のインダクタンス手段２７とを介して
電源電圧（Ｖｃｃ）が供給されている。

【００２４】第一のインダクタンス手段２６と第一の静
電容量手段２８とによって構成される並列共振回路３１
は、低い周波数では誘導性であり、高い周波数では静電
性となるため、第一のインダクタンス手段２６と第二の
インダクタンス手段２７と第一の静電容量手段２８とで
構成される直並列共振回路３２の等価的なインダクタン
ス値は、周波数によって異なる値をとり、この直並列共
振回路３２と第二の静電容量手段２９とで構成されるリ
アクタンス回路２５は２つの周波数（例えば１．１ＧＨ
ｚと１．４ＧＨｚ）で並列共振する。また、その中間の
周波数（例えば１．２５ＧＨｚ）では、直並列共振回路
３２が直列共振する。従って、このバッファ部２の利得
の周波数特性は図５に示すように、１．１ＧＨｚと１．
４ＧＨｚで共に大きな利得が得られ、発振部１から出力
される帯域の異なる２つの発振信号を共に大きなレベル
に増幅できる。

【００２５】図２は、本発明の周波数帯域切換型電圧制
御発振器に用いられるバッファ部２の他の実施の形態で
ある。バッファトランジスタ１７のコレクタは、直流阻
止コンデンサ２３を介してバッファ部２の出力端２４に
接続されている。コレクタはリアクタンス回路２５によ
って高周波的にグランドにシャントされている。リアク
タンス回路２５は、マイクロストリップライン等のイン
ダクタンス手段２６、２７と、互いに直列に接続された
コンデンサ等の静電容量手段２８、２９とによって構成
され、バッファトランジスタ１７のコレクタは第二の静
電容量手段２９の一端に接続されると共に、第二のイン
ダクタンス手段２７を介して高周波的に接地され、ま
た、第二の静電容量手段２９の他端と第一の静電容量手
段２８の一端が接続され、その接続点が第一のインダク
タンス手段２６を介して高周波的に接地されている。更
に、第一の静電容量手段２８の他端は接地されている。
そして、バッファトランジスタ１７のコレクタには第二
のインダクタンス手段２７を介して電源電圧（Ｖｃｃ）
が供給されている。

【００２６】第一のインダクタンス手段２６と第一の静
電容量手段２８とによって構成される並列共振回路３１
は、低い周波数では誘導性であり、高い周波数では静電
性となるため、第一のインダクタンス手段２６と第一の
静電容量手段２８と第二の静電容量手段２９とで構成さ
れる直並列共振回路３２の等価的な静電容量値は、周波
数によって異なる値をとり、この直並列共振回路３２と
第二のインダクタンス手段２７とで構成されるリアクタ
ンス回路２５は２つの周波数（例えば１．１ＧＨｚと
１．４ＧＨｚ）で並列共振する。また、その中間の周波
数（例えば１．２５ＧＨｚ）では、直並列共振回路が直
列共振する。従って、このバッファ部２の利得の周波数
特性は図５に示すように、１．１ＧＨｚと１．４ＧＨｚ
で共に大きな利得が得られ、発振部１から出力される帯
域の異なる２つの発振信号を共に大きなレベルに増幅で
きる。

【００２７】図３は、本発明の周波数帯域切換型電圧制
御発振器に用いられるバッファ部２の更に他の実施の形
態である。バッファトランジスタ１７のコレクタは、直
流阻止コンデンサ２３を介してバッファ部２の出力端２
４と接続されている。コレクタは、リアクタンス回路２
５によって高周波的にグランドにシャントされている。
リアクタンス回路２５は、マイクロストリップライン等
のインダクタンス手段２６、２７と、コンデンサ等の静
電容量手段２８、２９とによって構成される。第一のイ
ンダクタンス手段２６と第一の静電容量手段２８とによ
って、第一の並列共振回路３３が形成され、第二のイン
ダクタンス手段２７と第二の静電容量手段２９とによっ
て、第二の並列共振回路３４とを形成され、第一の並列
共振回路３３と第二の並列共振回路３４が互いに直列に
接続される。更に第一の並列共振回路３３の一端は、コ
ンデンサ３０によって高周波的に接地される。また、電
源電圧（Ｖｃｃ）が、第一の並列共振回路３３と第二の
並列共振回路３４を介して、バッファトランジスタ１７
のコレクタに供給される。

【００２８】第一の並列共振回路３３の共振周波数は、
１．１ＧＨｚとなるように第一のインダクタンス手段２
６と第一の静電容量手段２８とのリアクタンス値がそれ
ぞれ決められ、第二の並列共振回路３４の共振周波数は
１．４ＧＨｚとなるように第二のインダクタンス手段２
７と第二の静電容量手段２９とのリアクタンス値がそれ
ぞれ決められる。従って、リアクタンス回路２５全体で
は、１．１ＧＨｚと１．４ＧＨｚとで並列共振し、その
中間の周波数（例えば１．２５ＧＨｚ）では第一の並列
共振回路３３が静電性となり第二の並列共振回路３４が
誘導性となって直列共振するようになる。従って、この
バッファ部２の利得の周波数特性は図５に示すように、
１．１ＧＨｚと１．４ＧＨｚで共に大きな利得が得ら
れ、発振部１から出力される帯域の異なる２つの発振信
号を共に大きなレベルに増幅できる。

【００２９】図４は、本発明の周波数帯域切換型電圧制
御発振器に用いられるバッファ部２の更に他の実施の形
態である。バッファトランジスタ１７のコレクタは、直
流阻止コンデンサ２３を介してバッファ部２の出力端２
４と接続されている。コレクタは、リアクタンス回路２
５によって高周波的にグランドにシャントされている。
リアクタンス回路２５は、マイクロストリップライン等
のインダクタンス手段２６、２７と、コンデンサ等の静
電容量手段２８、２９とによって構成される。第一のイ
ンダクタンス手段２６と第一の静電容量手段２８とによ
って、並列共振回路３１が形成され、第二のインダクタ
ンス手段２７と第二の静電容量手段２９とによって、直
列共振回路３５が形成される。並列共振回路３１と直列
共振回路３５とは互いに並列に接続される。更に、並列
共振回路３１と直列共振回路３５の一端同士が、バッフ
ァトランジスタ１７のコレクタに接続され、他端同士
が、コンデンサ３０によって高周波的に接地されてい
る。そして、バッファトランジスタ１７のコレクタには
第一のインダクタンス手段２６を介して電源電圧（Ｖｃ
ｃ）が供給されている。

【００３０】低い周波数では、第一のインダクタンス手
段２６と第一の静電容量手段２８とによって構成される
並列共振回路３１が誘導性となり、一方、第二のインダ
クタンス手段２７と第二の静電容量手段２９とによって
構成される直列共振回路３５は、低い周波数では静電性
となり、特定の周波数（例えば１．１ＧＨｚ）で並列共
振する。また、高い周波数では、並列共振回路３１が静
電性となり、直列共振回路３５が誘導性となり、特定の
周波数（例えば１．４ＧＨｚ）で並列共振する。また、
その中間の周波数（例えば１．２５ＧＨｚ）では、直列
共振回路３５が直列共振するように構成される。従っ
て、このバッファ部２の利得の周波数特性は図５に示す
ように、１．１ＧＨｚと１．４ＧＨｚで共に大きな利得
が得られ、発振部１から出力される帯域の異なる２つの
発振信号を共に大きなレベルに増幅できる。

【００３１】また、上述した本発明の実施の形態とし
て、インダクタンス手段２６、２７にマイクロストリッ
プラインを用いた例を挙げて説明したが、本発明に用い
られるインダクタンス手段２６、２７にはマイクロスト
リップラインに限られるものではなく、例えば、コイル
を用いても良いことは勿論である。また、上述した本発
明の実施の形態として、２つの周波数帯域で並列共振す
るリアクタンス回路２５を用いた例を挙げて説明した
が、本発明に用いられるリアクタンス回路に３つ以上の
周波数帯域で並列共振する回路を用いても良いことは勿
論である。

【００３２】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、複数の
周波数体域の発振信号を出力可能な発振部と、発振信号
を増幅するバッファ部とを備え、バッファ部にバッファ
の出力端とグランドとをシャントする複数のインダクタ
ンス手段と複数の静電容量手段とを有するリアクタンス
回路とを備え、リアクタンス回路は、発振部の出力する
複数の周波数帯域でそれぞれ並列共振し、発振部の出力
する複数の周波数帯域の間の周波数で直列共振するよう
にしたので、複数の大きく離れた周波数帯域でそれぞれ
十分なレベルの発振信号を出力できる。

【００３３】また、本発明の周波数帯域切換型電圧制御
発振器に用いられるリアクタンス回路の第一または第二
のインダクタンス手段の少なくとも一方を介してバッフ
ァトランジスタに電源電圧を供給したので、バッファト
ランジスタに電源電圧を供給するためのチョークコイル
を設ける必要が無く発振器を小型化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の周波数帯域切換型電圧制御発振器の実
施の形態の一つを示す回路構成図である。

【図２】本発明の周波数帯域切換型電圧制御発振器に用
いられるバッファ部の実施の形態の一つを示す回路構成
図である。

【図３】本発明の周波数帯域切換型電圧制御発振器に用
いられるバッファ部の実施の形態の一つを示す回路構成
図である。

【図４】本発明の周波数帯域切換型電圧制御発振器に用
いられるバッファ部の実施の形態の一つを示す回路構成
図である。

【図５】本発明の周波数帯域切換型電圧制御発振器に用
いられるバッファ部の周波数特性を示すグラフである。

【図６】従来の周波数帯域切換型電圧制御発振器の一例
を示す回路構成図である。

【図７】従来のの周波数帯域切換型電圧制御発振器に用
いられるバッファ部の周波数特性を示すグラフである。

【符号の説明】

１発振部２バッファ部３発振トランジスタ４コンデンサ５帰還コンデンサ６帰還コンデンサ７周波数可変部８クラップコンデンサ９直流阻止コンデンサ１０ａ、１０ｂマイクロストリップライン１１スイッチ１２バラクタダイオード１３チョークコイル１４抵抗１５抵抗１６抵抗１７バッファトランジスタ１８コンデンサ１９抵抗２０抵抗２１抵抗２２抵抗２３直流阻止コンデンサ２４出力端２５リアクタンス回路２６第一のインダクタンス手段２７第二のインダクタンス手段２８第一の静電容量手段２９第二の静電容量手段３０コンデンサ３１並列共振回路３２直並列共振回路３３第一の並列共振回路３４第二の並列共振回路３５直列共振回路５１発振部５２バッファ部５３発振トランジスタ５４コンデンサ５５帰還コンデンサ５６帰還コンデンサ５７周波数可変部５８クラップコンデンサ５９直流阻止コンデンサ６０ａ、６０ｂマイクロストリップライン６１スイッチ６２バラクタダイオード６３チョークコイル６４抵抗６５抵抗６６抵抗６７バッファトランジスタ６８コンデンサ６９抵抗７０抵抗７１抵抗７２抵抗７３直流阻止コンデンサ７４出力端７５並列共振回路７６マイクロストリップライン７７コンデンサ７８コンデンサ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の周波数帯域で発振信号を出力可能
な発振部と、前記発振部からの発振信号を増幅するバッ
ファ部とを備え、前記バッファ部は、増幅された前記発
振信号をコレクタ側から出力するバッファトランジスタ
と、複数のインダクタンス手段と複数の静電容量手段と
から構成されて、前記バッファトランジスタのコレクタ
側をグランドにシャントするリアクタンス回路とを有
し、前記リアクタンス回路が、前記発振部の出力する前
記複数の周波数帯域でそれぞれ並列共振し、前記複数の
周波数帯域の間の周波数で直列共振するように前記イン
ダクタンス手段及び前記静電容量手段の定数を設定した
ことを特徴とする周波数帯域切換型電圧制御発振器。
【請求項２】前記複数のリアクタンス手段は、少なく
とも第一のインダクタンス手段と第二のインダクタンス
手段とからなり、前記複数の静電容量手段は、少なくと
も第一の静電容量手段と第二の静電容量手段とからな
り、前記第一のインダクタンス手段と前記第一の静電容
量手段とで並列共振回路を構成し、前記第二のインダク
タンス手段を前記並列共振回路に直列に接続して直並列
共振回路を構成し、前記第二の静電容量手段を前記直並
列共振回路に並列に接続して前記リアクタンス回路を構
成したことを特徴とする請求項１記載の周波数帯域切換
型電圧制御発振器。
【請求項３】前記複数のリアクタンス手段は、少なく
とも第一のインダクタンス手段と第二のインダクタンス
手段とからなり、前記複数の静電容量手段は、少なくと
も第一の静電容量手段と第二の静電容量手段とからな
り、前記第一のインダクタンス手段と前記第一の静電容
量手段とで並列共振回路を構成し、前記第二の静電容量
手段を前記並列共振回路に直列に接続して直並列共振回
路を構成し、前記第二のインダクタンス手段を前記直並
列共振回路に並列に接続して前記リアクタンス回路を構
成したことを特徴とする請求項１記載の周波数帯域切換
型電圧制御発振器。
【請求項４】前記複数のリアクタンス手段は、少なく
とも第一のインダクタンス手段と第二のインダクタンス
手段とからなり、前記複数の静電容量手段は、少なくと
も第一の静電容量手段と第二の静電容量手段とからな
り、前記第一のインダクタンス手段と前記第一の静電容
量手段とで第一の並列共振回路を構成し、前記第二のイ
ンダクタンス手段と前記第二の静電容量手段とで第二の
並列共振回路を構成し、前記第一の並列共振回路と前記
第二の並列共振回路とを直列に接続して、前記リアクタ
ンス回路を構成したことを特徴とする請求項１記載の周
波数帯域切換型電圧制御発振器。
【請求項５】前記複数のリアクタンス手段は、少なく
とも第一のインダクタンス手段と第二のインダクタンス
手段とからなり、前記複数の静電容量手段は、少なくと
も第一の静電容量手段と第二の静電容量手段とからな
り、前記第一のインダクタンス手段と前記第一の静電容
量手段とで並列共振回路を構成し、前記第二のインダク
タンス手段と前記第二の静電容量手段とで直列共振回路
を構成し、前記並列共振回路に前記直列共振回路を並列
接続して前記リアクタンス回路を構成したことを特徴と
する請求項１記載の周波数帯域切換型電圧制御発振器。
【請求項６】前記第一または第二のインダクタンス手
段の少なくとも一方を介して前記バッファトランジスタ
に電源電圧を供給することを特徴とする請求項２または
３または４または５記載の周波数帯域切換型電圧制御発
振器。